S7-300PLC实验报告
S7-300PLC实验报告
一PLC技术的概念及发展过程
1.1 PLC技术的概念
PLC即可编程控制器，是指以计算机技术为基础的新型工业控制装置。PLC是一种专门为在工业环境下应用而设计的数字运算操作的电子装置。它采用可以编制程序的存储器，用来在其内部存储执行逻辑运算、顺序运算、计时、计数和算术运算等操作的指令，并能通过数字式或模拟式的输入和输出，控制各种类型的机械或生产过程。
1.2 PLC技术的发展历史
长期以来，计算机控制和传统PLC控制一直是工业控制领域的两种主要控制方法，PLC自1969年问世以来，以其功能强、可靠性高、使用方便、体积小等优点在工业自动化领域得到迅速推广，成为工业自动化领域中极具竞争力的控制工具。但传统的PLC 体系结构是封闭的，各个PLC厂家的硬件体系互不兼容，编程语言及指令系统各异，用户选择了一种PLC产品后，必须选择与其相应的控制规程，不利于终端用户功能的扩展。近年来，工业自动化控制系统的规模不断扩大，控制结构更趋于分散化和复杂化，需要更多的用户接口。
目前我国工业控制自动化技术、产业和应用都有了很大的发展，我国工业计算机系统行业已经形成。工业控制自动化技术正在向智能化、网络化和集成化方向发展。
1.3 PLC的发展趋势
（1）、功能向增强化和专业化的方向发展，针对不同行业的应用特点，开发出专业化的PLC产品。以此提高产品的性能和降低产品成本，提高产品的易用性和专业化水平。
（2）、规模向小型化和大型化的方向发展，小型化是提高系统可靠性基础，产品的体积越来越小，功能越来越强；大型化是应用在工业过程控制领域较大应用市场，应用的规模从几十点到上千点，应用功能从单一的逻辑运算扩展几乎能满足所有的用户要求。
二西门子S7-300 PLC
1 S7-300的系统结构
S7-300 PLC是模拟式中小型PLC，电源、CPU和其他模块都是独立的，可以通过U形总线把电源（PS）、CPU和其他模块紧密固定在西门子S7-300的标准轨道上。每个模块都有一个总线连接器，后者插在各模块的背后。电源模块总是安装在机架的最左边，CPU模块紧靠电源模块。S7编程软件组态主架导轨硬件时，电源，CPU和IM分别放
在导轨的1号槽、2号槽和3号槽上。一条导轨共有11个槽号：1号槽至11号槽，其
中4号槽至11号槽可以随意放置除电源、CPU和IM以外的其他模块。如：DI（数字
量输入）、DO（数字量输出）、AI（模拟量输入）、AO（模拟量输出）、FM（功能模块）和CP（通信模块）等。
2 S7-300 CPU模块
CPU模块是控制系统的核心，负责系统的中央控制责任，存储并执行程序，实现通信功能，为U形总线提高5V电源。
CPU有4种操作模式：STOP（停机），STARTUP（启动），RUN（运行）和HOLD （保持）。在所有的模式中，都可以通过MPI接口与其他设备通信。
S7-300的CPU模块大致可以分为以下几类：
1、6种紧凑型CPU，带有集成的功能和I/O：CPU 312C、313C、313C-PtP、313C-2DP、314C-PtP和314C-2DP。
2、革新的标准型CPU：CPU 312、314和315-2DP。
3、5种标准的CPU：CPU 313、31
4、31
5、315-2DP和316-2DP。
4、户外型CPU：CPU 312 IFM、314 IFM、314户外型和315-2DP。
5、大容量高端型CPU：317-2DP和CPU 318-2DP。
6、主从接口安全型CPU：CPU 315F-2DP[3]。
3 S7-300的模拟量输入模块
在生产过程中有大量的连续变化的模拟量需要用PLC来测量或控制。有的是非电量，例如温度、压力、流量物体的成分和频率等。有的是强电量，例如发电机组的电流、电压、有功功率和无功功率等。变送器用于将传感器提供的电量或非电量转换成标准的量程的直流电流和直流电压信号，例如DC1~5V和DC4~20mA。
模拟量输入模块用于将模拟量信号转换为CPU内部处理用的数字信号，其主要组成部分是A/D转换器。模拟量输入模块的输入信号一般都是模拟量变送器输出的标准量程的直流电压，直流电流信号。
模拟量输入/输出模块中模拟量对应的数字称为模拟值，模拟值用16位二进制补码来表示最高位为符号位。模拟量输入模块的模拟值与百分数表示的模拟量之间的对应关系为：双极性模拟量量程的上下限(100%和-100%)分别对应模拟值27648和-27648。单极性模拟量量程的上下限(100%和0%)分别对应于模拟值27648和0[3]。
4 程序设计功能模块
本程序的设计主要是针对水箱液位的在线控制而设计的，利用PID控制方式，使下水箱液位达到控制要求。本人设计了两套系统，一个是单闭环的一个是三闭环的，对其控制效果进行比较，得出两系统优缺点。在本程序中，使用的主要模块有：OB35，DB41，DB42, DB43，DB44，DB1，OB1和FB41。
4.1 OB35模块
S7 CPU提供循环中断OB，可用于按一定间隔中断循环程序的执行，循环中断按间隔触发，间隔的时间是从STOP状态到RUN时开始计算。
时间间隔不能小于5ms，如果时间间隔过短，还没有执行完循环中断程序又开始调用它，将会产生时间错误事件。在本程序中，其默认的时间间隔为100ms，程序运行后每隔100ms将自动调用一次OB35，周期性地执行闭环控制系统的PID运算程序。
4.2 FB41模块
FB41称为连续控制的PID用于控制连续变化的模拟量，其功能是S7-300提供的标准的已经为用户编制好程序模块，用户可以直接调用它们，以便高效地编制自己的程序，但不能修改这些功能块。系统功能块有存储功能，其变量保存在指定给它的背景数据块中。FB41的框图如图2.1所示。
图2.1 FB41的框图
（1）对设定值、过程变量和误差的处理
设定值的输入：浮点数格式的设定值用变量SP_INT（内部设定值）输入。
过程变量的输入：可以用两种方式输入过程变量（即反馈值）：
1、用PV_IN（过程输入变量）输入浮点格式的过程变量，此时开关量PVPER_ON （外围设备过程变量ON）应为0状态。
2、用PV_PER（外围设备过程变量）输入外围设备（I/O）格式的过程变量，
即用模拟量输入输出的数字值作为PID调节的过程变量，此时开关量PVPER_ON 应为1状态。
外围设备过程变量转换为浮点数：外围设备（即模拟量输入模块）正常范围的最大输出值（100.0%）为27648（6C00H），功能CRP_IN将外围设备输入值转换为-100.0%至100.0%之间的浮点数格式的数值，CPR_IN的输出（以%为单位）用下式计算：
_
R
PV（2.1）
PV
=*
100/27648
PER
_
外围设备过程变量的标准化：PV_NORM功能用下面的公式将CPR_IN的输出PV_R 格式化：
_
PV_
*
_
=
_的输出（2.2）
+
NORM
OFF
FAC
PV
PV
R
PV
式中：PV_FAC——过程变量的系数，默认值为1.0；
PV_OFF——过程变量的偏移量，默认值为0.0。
PV_FAC和PV_OFF用来调节过程输入的范围。
如果设定值有物理意义，实际值（即反馈量）也可以转换为该物理值。
（2）手动模式
参数MAN_ON（手动值ON）为1时为手动模式，为0时为自动模式。在手动模式中，控制变量（Manipulated Variable，即控制器的输出值）被手动选择的值MAN（手动值）代替。
在手动模式时如果令微分分项为0，将积分部分（INT）设置为LMN-LMN_P-DISV，可以保证手动到自动的无忧切换，即切换时控制器的输出值不会突变，DISV为扰动输入变量。
（3）输出限幅
LMNLIMIT（输出量限幅）功能用于将控制器输出值（Manipulated Value）限幅。
LMNLIMIT功能的输入量超出控制器输出值的上极限LMN_HLM时，信号位QLMN_HLM（输出超出上限）变为1状态；小于下极限值LMN_LLM时，信号位QLMN_LLM（输出超出下限）变为1状态。
（4）输出量的格式化处理
LMN_NORM（输出量格式化）功能用下述公式来讲功能LMNLIMIT的输出量LMN_LIM格式化：
LMN=LMN_LIM×LMN_FAC+LMN_OFF（2.3）式中：LMN——格式化后浮点数格式的控制器输出值；
LMN_FAC——输出量的系数，默认值为1.0；
LMN_OFF ——输出量的偏移量，默认值为0.0；
LMN_FAC和LMN_OFF用来调节控制器输出量的范围。
（5）输出量转换为外围设备（I/O）格式
控制器输出值如果要送给模拟量输出模块中的D/A转换器，需要用“CPR_OUT”功能转换为外围设备（I/O）格式的变量LMN_PER。转换公式为：
LMN_PER=LMN×27648/100 （2.4）用参数赋值工具可以进行参数检查，给出错误信息。FB41的输入参数见表2.1。
表2.1 FB41的输入参数
参数名称数据类型地址说明默认值
COM_RST
CYCLE
SP_INT
PV_IN PVPER_ON PV_PER
PV_FAC PV_OFF DEADB_W
GAIN
TI
TD
TM_LAG P_SEL
I_SEL
D_SEL
I_ITLVAL I_ITL_ON BOOL
TIME
REAL
REAL
BOOL
WORD
REAL
REAL
REAL
REAL
TIME
TIME
TIME
BOOL
BOOL
BOOL
REAL
BOOL
0.0
2
6
10
0.2
14
48
52
36
20
24
28
32
0.3
0.4
0.7
64
0.6
完全重新起动，为1时执行初始化
程序
采样时间，两次块调用之间的时间，
取值范围>=20ms
内部设定值输入，取值范围为
±100.0%或物理值
浮点数格式的过程变量输入
使用外围设备输入的过程变量
外围设备输入的I/O格式的过程变
量值
输入的过程变量的系数
输入的过程变量的偏移量
死区宽度，误差变量死区带的大
小，>= 0.0或物理值
比例增益输入，用于设置控制器的
增益
积分时间输入，积分器的响应时间，
取值范围应>= CYCLE
微分时间输入，微分器的响应时间
微分操作的延迟时间输入
为1时打开比例（P）操作
为1时打开积分（I）操作
为1时打开微分（D）操作
积分操作的初始值
积分作用初始化，为1时将输入
I_ITLVAL作为积分器的初值
FALSE
T#1s
0.0
0.0
FALSE
16#0000
1.0
0.0
0.0
2.0
T#20s
T#10s
T#2s
TURE
TURE
FALSE
0.0
FALSE 表2.2 FB41的输入参数（续2.1）
参数名称数据类型地址说明默认值
INT_HOLD
DISV MAN_ON
MAN LMN_HLM LMN_LLM
LMN_FAC LMN_OFF BOOL
REAL
BOOL
REAL
REAL
REAL
REAL
REAL
0.5
68
0.1
16
40
44
56
60
为1时积分操作保持，为1时积分
输出被冻结
扰动输入变量
为1时控制循环将被中断，手动值
被设置为操作值
操作员接口输入的手动值，取值范
围100.0%
±或物理量
控制器输出上限值，取值范围
LMN_LLM~100.0%或物理值
控制器输出下限值，取值范围
-100.0%~ LMN_HLM或物理值
控制器输出量的系数
控制器输出量的偏移量
FALSE
0.0
TURE
0.0
100.0
0.0
1.0
0.0
FB41的输出参数见表2.3。
表2.3 FB41的输出参数
参数名称数据类型地址说明默认值
PV
ER
LMN_P LMN_I LMN_D QLMN_HLM QLMN_LLM LMN
LMN_PER REAL
REAL
REAL
REAL
REAL
BOOL
BOOL
REAL
WORD
92
96
80
84
88
78.0
78.1
72
76
格式化的过程变量输出
死区处理后的误差输出
控制器输出值中的比例分量
控制器输出值中的积分分量
控制器输出值中的微分分量
控制器输出超过上限
控制器输出小于下限
浮点数格式的控制器输出值
I/O格式的控制器输出值
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
FALSE
FALSE
0.0
16#0000
三实验过程
1.程序任务：我们以MPS供料单元的PLC编程为例，概述一下编程的具体过程：
1)初始位，摆臂处在右边3S2的位置。
2)当对射式光电传感器B4检测到料仓中有工件时，气缸带动顶料架将工
件顶出。
3)摆臂处于3S2位置时，摆臂向左摆动。
4)当摆臂摆到3S1的位置上时，真空系统开始吸真空。
5)当真空度检测传感器2B1检测到真空度达到要求时，摆臂开始向右摆动。
6)当摆臂摆到3S2的位置上时，放下工件。
7）当对射式光电传感器B4检测到料仓中无工件时，摆臂左摆，回到左位。
2.程序实现
（1）新建STEP 7 项目
按要求步骤新建STEP 7项目，最后结果如下：
（2）开始硬件组态：
PLC选用的是SIMATIC 300系统，在RACK-300中选择框架，
选择电源，点击PS-300前的加号出现可选的电源类型，选择一种后双击，就选定了电源类型，本系统选择PS 307 5A。
选择CPU，点击CPU-300前的加号出现可选的类型，本系统选择CPU 315-2 DP/6SE7 315-2AF03-0AB0，双击后就选定CPU。
选择I/O借口接口，点击SM-300前的加号出现可选类型，本系统选择
DI/DO-300 SM 323 DI8/DO8DC24V/0，5A。以上操作完成后如下图所示：
（3）定义符号表如下：
（4）程序梯形图
1)复位
按复位键，若摆臂不在左位3S1处，则执行复位SL2让摆臂向左摆，摆到左边3S1处时，再往下执行其他程序；若摆臂已在左位，则按下开始S11,程序向下执行；同时保证开始工作后，按复位键不再起作用。
2）开始执行，摆臂右摆
按开始键，执行第一步（STEP1），使M0.2触点工作,摆臂向右摆，摆到右边3S2处时，再往下执行其它程序。
3）顶出工件
当摆臂处于右边、料仓有料、顶料架处于收缩位置时，执行第二步（STEP2）,使M0.1触点工作，气缸带动顶料架将工件顶出。
4）摆臂左摆
当工件处于右边3S2、顶料架处于伸展1B2时，执行第三步（STEP3），使摆臂向左摆。
5）吸真空
当摆臂摆到左边3S1处，2Y1开始动作，执行第四步（STEP4），开始吸真空。
6）摆臂右摆
摆臂摆到左边3S1处，真空度到达2B1，执行第五步（STEP5），3Y2动作，摆臂向右摆。同时，STEP2结束。
7）放下工件
当摆臂摆到右边3S2，真空度到达2B1，执行第六步（STEP6），即2Y2开始放气，使工件落到料槽里。
8）无料返回
当摆臂处于右边、真空度到达2B1、传感器检测到料仓无料时，执行第七步（STEP7），摆臂返回左位。
（5）把程序下载到PLC仿真器中进行仿真，如下所示：
四总结
通过这次PLC实验，我熟悉和掌握了PLC基本指令的使用以及程序的调试。
1）编写程序首先必须搞清楚程序流程，对程序的走向有清晰地认识。弄清楚哪些信号作为输入，哪些信号作为输出，使用多少寄存器。并尽量联系实际情况考虑问题，然后做好符号表。
2）利用仿真调试，找出存在的问题，相应地修改程序。大部分同学并不会很好的使用仿真器，而在编程过程中难免会有不足之处，通过调试，一些问题一目了然，再修改程序可以更好实现相应的功能。
3）尽量先完善程序流程图再编程，尤其要注意每个步骤之间的逻辑关系，要使动作连续进行而不发生冲突。
4）虽然使用了仿真器，可是很多情况还是靠空想想不到的，所以更要结合具体设备进行调试。
微电子实验报告一
实验一MOS管的基本特性 班级姓名学号指导老师袁文澹 一、实验目的 1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法； 2、熟练掌握MOS管基本特性； 3、掌握使用HSPICE对MOS电路进行SPICE仿真，以得到MOS电路的I-V曲线。 二、实验内容及要求 1、熟悉Hspice仿真工具； 2、使用Hspice仿真MOS的输出特性，当VGs从0~5V变化，Vds分别从1V、2V、3V、4V 和5V时的输出特性曲线； 三、实验原理 1、N沟道增强型MOS管电路图 a)当Vds=0时，Vgs=0的话不会有电流，即输出电流Id=0。 b)当Vgs是小于开启电压的一个确定值，不管Vds如何变化，输出电流Id都不会改变。 c)当Vgs是大于开启电压的一个确定值，在一定范围内增大Vds时,输出电流Id增大。但当 出现预夹断之后，再增大Vds，输出电流Id不会再变化。 2、NMOS管的输出特性曲线
四、实验方法与步骤 实验方法： 计算机平台：（在戴尔计算机平台、Windows XP操作系统。） 软件仿真平台：（在VMware和Hspice软件仿真平台上。） 实验步骤： 1、编写源代码。按照实验要求，在记事本上编写MOS管输出特性曲线的描述代码。并以aaa.sp 文件扩展名存储文件。 2、打开Hspice软件平台，点击File中的aaa.sp一个文件。 3、编译与调试。确定源代码文件为当前工程文件，点击Complier进行文件编译。编译结果有错误或警告，则将要调试修改直至文件编译成功。 4、软件仿真运行及验证。在编译成功后，点击simulate开始仿真运行。点击Edit LL单步运行查看结果,无错误后点击Avanwaves按照程序所述对比仿真结果。 5、断点设置与仿真。… 6、仿真平台各结果信息说明. 五、实验仿真结果及其分析 1、仿真过程 1）源代码 *Sample netlist for GSMC $对接下来的网表进行分析 .TEMP 25.0000 $温度仿真设定 .option abstol=1e-6 reltol=1e-6 post ingold $设定abstol,reltol的参数值 .lib 'gd018.l' TT $使用库文件 * --- Voltage Sources --- vdd VDD 0 dc=1.8 $分析电压源 vgs g 0 0 $分析栅源电压 vds d 0 dc=5 $分析漏源电压 vbs b 0 dc=0 $分析衬源电压 * --- Inverter Subcircuit --- Mnmos d g 0 b NCH W=30U L=6U $Nmos管的一些参数 * --- Transient Analysis --- .dc vds 0 5 0.1 SWEEP vgs 1 5 1 $双参数直流扫描分析 $vds从0V~5V,仿真有效点间隔取0.1 $vgs取1V、2V、3V、4V、5V
微电子器件实验5模版 联合仿真 nmos
南京邮电大学 课内实验报告 课程名：微电子器件设计 任课教师： 专业：微电子学 学号： 姓名： 2014/2015学年第2学期 南京邮电大学电子科学与工程学院
《微电子器件设计》课程实验第 5 次实验报告 实验内容及基本要求： 实验项目名称：MOS晶体管的工艺器件联合仿真 实验类型：验证 每组人数：1 实验内容及要求： 内容：采用Tsuprem4仿真软件对MOS晶体管进行工艺仿真，并采用MEDICI仿真软件对该MOS晶体管进行器件仿真。 要求：能够将工艺仿真软件得到的器件数据输出到某个文件中，并能在器件仿真中调用该文件。会画出并分析器件仿真结果。 实验考核办法： 实验结束要求写出实验报告。内容如下： 1、问题的分析与解答； 2、结果分析，比较不同器件结构参数对仿真结果的影响； 3、器件设计的进一步思考。 实验结果：（附后） 实验代码如下： COMMENT Example 9B - TSUPREM-4/MEDICI Interface COMMENT TSUPREM-4 Input File OPTION DEVICE=PS COMMENT Specify the mesh LINE X LOCATION=0 SPACING=0.20 LINE X LOCATION=0.9 SPACING=0.06 LINE X LOCATION=1.8 SPACING=0.2 LINE Y LOCATION=0 SPACING=0.01 LINE Y LOCATION=0.1 SPACING=0.01 LINE Y LOCATION=0.5 SPACING=0.10
LINE Y LOCATION=1.5 SPACING=0.2 LINE Y LOCATION=3.0 SPACING=1.0 ELIMIN ROWS X.MIN=0.0 X.MAX=0.7 Y.MIN=0.0 Y.MAX=0.15 ELIMIN ROWS X.MIN=0.0 X.MAX=0.7 Y.MIN=0.06 Y.MAX=0.20 ELIMIN COL X.MIN=0.8 Y.MIN=1.0 COMMENT Initialize and plot mesh structure INITIALIZ <100> BORON=1E15 SELECT TITLE=”TSUPREM-4: Initial Mesh” PLOT.2D GRID COMMENT Initial oxide DEPOSIT OXIDE THICKNESS=0.03 COMMENT Models selection. For this simple example, the OED COMMENT model is not turned on (to reduce CPU time) METHOD VERTICAL COMMENT P-well implant IMPLANT BORON DOSE=3E13 ENERGY=45 COMMENT P-well drive DIFFUSE TEMP=1100 TIME=500 DRYO2 PRESS=0.02 ETCH OXIDE ALL COMMENT Pad oxidation DIFFUSE TEMP=900 TIME=20 DRYO2 COMMENT Pad nitride DEPOSIT NITRIDE THICKNESS=0.1 COMMENT Field oxidation DIFFUSE TEMP=1000 TIME=360 WETO2 ETCH NITRIDE ALL COMMENT Vt adjust implant IMPLANT BORON ENERGY=40 DOSE=1E12 ETCH OXIDE ALL COMMENT Gate oxidation DIFFUSE TEMP=900 TIME=35 DRYO2 DEPOSIT POLYSILICON THICKNESS=0.3 DIVISIONS=4 COMMENT Poly and oxide etch ETCH POLY LEFT P1.X=0.8 P1.Y=-0.5 P2.X=0.8 P2.Y=0.5 ETCH OXIDE LEFT P1.X=0.8 P1.Y=-0.5 P2.X=0.8 P2.Y=0.5 DEPOSIT OXIDE THICKNESS=0.02 COMMENT LDD implant IMPLANT PHOS ENERGY=50 DOSE=5E13 COMMENT LTO DEPOSIT OXIDE THICK=0.2 DIVISIONS=10 COMMENT Spacer etch ETCH OXIDE DRY THICK=0.22 COMMENT S/D implant IMPLANT ARSENIC ENERGY=100
oracle11g安装图解
Oracle11G安装图解 进入oracle安装界面，我们选择高级安装 出现选择安装类型，我们选择企业版，至于语言我们不用选择
Oracle 基目录：用于安装各种与ORACLE软件和配置有关的文件的顶级目录。 软件位置：用于存放安装具体ORACLE产品的主目录和路径。在此我们使用默认的配置。 在此ORACLE会选择剩余空间最多的盘作为基目录和安装目录的所在盘。 可以输入一个电子邮件或是metalink接收安全问题通知，在此我直接输入一个 电子邮件，当然也可以是metalink用户信息！
在此是因为我的内存不足，所以会报此提示，那么我们在此调整内存，以满足条件后再继续安装。
装到这个界面，这个问题直接选是，不会影响之后的安装，出现这个问题的原因是因为我的电脑没连接到网络 在此选择安装数据库。 如果是“配置自动存储管理”，则自动存储管理（ASM）可用来自动化和简化对数据文件、控制文件和日志文件的优化布局。自动存储管理（ASM）将每个文件切割成许多小扩展文件，并将它们平均分散在一个磁盘组的所有磁盘上。一旦自动存储管理（ASM）磁盘组建立，创建和删除文件的时候，Oracle数据库都会从磁盘组自动分配存储空间。如果是“仅安装软件”，则只安装ORACLE软件，
在安装之后还需要再运行数据库配置助手创建数据库。 一般用途/事务处理：适合各种用途的预配置数据库。 数据仓库：创建适用于特定需求并运行复杂查询环境。常用于存储并快速访问大量记录数据。 高级：安装结束后运行ORACLE DBCA后，用户才可以配置数据库。 在此我们选择“一般用途/事务处理” 步骤8：单独下一步后，出现“指定数据库配置选项”
微电子综合实验报告
微电子综合实验报告实验题目：⒚同或门电路仿真 班级：电子科学与技术1201 姓名：XXX 学号：XXX 时间：2015.5—2015.6
一、电路图。 OUT A B (IN1) （IN2） 分别给上图中的每个管子和结点标注，如下所述： P管分别标记为：MP1、MP2、MP3;N管分别标记为：MN1、MN2、MP3;A、B端分别标记为：IN1、IN2;输出端标记为：OUT；N 管之间连接点标记为：1；连接反相器的点标记为：2；如上图所示。 其真值表如下所示：
二、电路仿真表。 *dounand MN1 1 IN1 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U MN2 2 IN2 1 0 NMOS L=0.6U W=2.4U MN3 OUT 2 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U MP1 IN2 IN1 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U MP2 IN1 IN2 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U MP3 OUT 2 VDD VDD PMOS L=0.6U W=4.4U VDD VDD 0 DC 5V VIN1 IN1 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 5N 10N) VIN2 IN2 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N) .TRAN 1N 100N UIC .LIB './HJ.L' TT .END 下图为无负载电容，IN1=10ns，IN2=20ns时的波形图。 从图中可以发现，本来输出应该是5v，实际输出只有4.8v，可见输出有阈值损失。 原因是N管传高电平、P管传低电平时，输出半幅，所以存在阈值损失。 三、输出加负载电容。 1、C=0.2p ；IN1=10ns ；IN2=20ns 时波形如下：
Oracle11g安装
小布老师在LINUX系统中安装ORACLE11g的安装文档 2009-11-26 01:03 在说正文之前,也讲些题外的废话. 由于公司ERP系统的平台为RedHat Linux ES4+ORACLE10g,暂时交由我进行维护,所以想借此机会学习一下linux,对自己的要求不高,就是能在LINUX上安装成功ORACLE,然后会备份和恢复数据库.首先就在当当网上买了一本<基于LINUX平台的Oracel Database 10g管理>的书,由清华出版社翻译的,经过一段时间的阅读,可以说对我的学习没有任何实质性的帮助,建议初学者不要买这本书. 我首先尝试的是在红帽LINUX ES4安装ORACLE10g,经过若干天的尝试,同时也下载了许多的资料一步一步的做,最后都是不成功,最主要的是在进入oracle安装的时候,老是检查出来安装的一些RPM包版本不对,人搞得很烦燥,并且本人对LINUX也是一菜鸟,因此在这之后的好长一段时间都没再去尝试了. 最后在https://www.360docs.net/doc/b61127548.html,的论坛上看到了小布老师专门给菜鸟制作的视频讲座,才又开始新的学习.终于按照视频里的一步一步,安装成功了11g.其实我的文章就是根据视频里的步骤再复述了一遍,我的最大目的是温习一下安装的过程,让自己更熟练一些.,同时也给同级别的菜鸟一些学习的信心. 操作平台:VMWARE6.0+CentOS4.5.(可在https://www.360docs.net/doc/b61127548.html,下载).大家注意,LINUX 版本的不同会给菜鸟带来很多纳闷的困扰,我建议如果想按照这篇文章安装,就一定要下载这个LINUX版本,它是免费的,不会像红帽一样涉及到版权的问题.可以说等于红帽的ES4版本. 数据库版本:ORACLE11G R1(我是在emule上下载的) 辅助软件:SecureCRT Filezella AdobeAcrobatReader 硬件:内存 1GB 硬盘空间>18GB 我下载的是DVD版本的OS,在虚拟机软件中先将OS载入到了光驱中. 在LINUX中,一定要注意大小写.特别是命令. 首先在虚拟机软件中安装CentOS,在安装时, 1 SWAP分区我设置了2048MB即内存的2倍,其它空间都装载到了"/"根目录,共计两个分区 2 配置好静态IP地址 3 选择"自定义安装",安装必需的软件包"GNOME图形界面
Linux系统(X64)安装Oracle11g完整安装教程
Linux系统（X64）安装Oracle11g完整安装图文教程1修改操作系统核心参数(Root用户) 1）修改用户的SHELL的限制,修改 /etc/security/ 文件 输入命令：vi /etc/security/，按i键进入编辑模式，将下列内容加入该文件。 oracle soft nproc 2047 oracle hard nproc 16384 oracle soft nofile 1024 oracle hard nofile 65536 编辑完成后按Esc键，输入“:wq”存盘退出 2）修改/etc/login 文件，输入命令：vi /etc/login，按i键进入编辑模式，将下列内容加入该文件。 session required /lib/security/ session required 编辑完成后按Esc键，输入“:wq”存盘退出 3）修改linux内核，修改/etc/文件，输入命令: vi /etc/ ，按i键进入编辑模式，将下列内容加入该文件 = 6815744 = 1048576 = 2097152 = 48 = 4096 = 250 32000 100 128 = 1024 65500 = 4194304 = 4194304 = 262144 = 1048576 编辑完成后按Esc键，输入“:wq”存盘退出。 注意： = 9000 65500 网络默认9000 65500 4）要使 /etc/ 更改立即生效，执行以下命令。输入：sysctl -p显示如下： linux:~ # sysctl -p = 1 = 1 = 6815744 = 1048576 = 2097152 = 48 = 4096 = 250 32000 100 128 = 1024 65500
集成电路综合实验报告
集成电路设计综合实验 题目：集成电路设计综合实验 班级：微电子学1201 姓名： 学号：
集成电路设计综合实验报告 一、实验目的 1、培养从版图提取电路的能力 2、学习版图设计的方法和技巧 3、复习和巩固基本的数字单元电路设计 4、学习并掌握集成电路设计流程 二、实验内容 1. 反向提取给定电路模块（如下图1所示），要求画出电路原理图，分析出其所完成的逻辑功能，并进行仿真验证；再画出该电路的版图，完成DRC验证。 图1 1.1 查阅相关资料，反向提取给定电路模块，并且将其整理、合理布局。 1.2 建立自己的library和Schematic View（电路图如下图2所示）。 图2 1.3 进行仿真验证，并分析其所完成的逻辑功能（仿真波形如下图3所示）。
图3 由仿真波形分析其功能为D锁存器。 锁存器:对脉冲电平敏感，在时钟脉冲的电平作用下改变状态。锁存器是电平触发的存储单元，数据存储的动作取决于输入时钟（或者使能）信号的电平值，当锁存器处于使能状态时，输出才会随着数据输入发生变化。简单地说，它有两个输入，分别是一个有效信号EN,一个输入数据信号DATA_IN，它有一个输出Q，它的功能就是在EN有效的时候把DATA_IN的值传给Q，也就是锁存的过程。 只有在有锁存信号时输入的状态被保存到输出，直到下一个锁存信号。其中使能端A 加入CP信号，C为数据信号。输出控制信号为0时，锁存器的数据通过三态门进行输出。所谓锁存器，就是输出端的状态不会随输入端的状态变化而变化，仅在有锁存信号时输入的状态被保存到输出，直到下一个锁存信号到来时才改变。锁存，就是把信号暂存以维持某种电平状态。 1.4 生成Symbol测试电路如下(图4所示) 图4
Linux系统最全Oracle11g安装文档
Linux系统（X64）安装Oracle11g基本操作 一、修改操作系统核心参数 在Root用户下执行以下步骤： 1）修改用户的SHELL的限制，修改/etc/security/limits.conf文件，输入命令：vi /etc/security/limits.conf，按i键进入编辑模式，将下列内容加入该文件。 oracle soft nproc 2047 oracle hard nproc 16384 oracle soft nofile 1024 oracle hard nofile 65536 2）修改/etc/pam.d/login 文件，输入命令：vi /etc/pam.d/login，按i键进入编辑模式，将下列内容加入该文件。（用户限制配置文件。要使 /etc/security/limits.conf 文件配置生效，必须要确保 PAM验证模块 pam_limits.so 文件被加入到启动文件中。查看 /etc/pam.d/login 文件中有：session required /lib/security/pam_limits.so，64位地址是： /lib64/security/pam_limits.so 否则本地即使输入正确密码也无法登陆。）（PS我们平常登陆实际上是运行一个程序login来判断我们是不是这个用户，如果是的话就给我们shell；不是的话就进不去。而/etc/pam/login这件文件就是我们验证过程中需要经过哪些模块的认证。根据设定来叛断我们的帐号密码是不是正确，当这个文件有问题的时候，验证就会出错，尽管我的帐号密码是正常的，也进不去。） session required /lib/security/pam_limits.so session required pam_limits.so 编辑完成后按Esc键，输入“:wq”存盘退出 3）修改linux内核，修改/etc/sysctl.conf文件，输入命令: vi /etc/sysctl.conf ，按i键进入编辑模式，将下列内容加入该文件 fs.file-max = 6815744 fs.aio-max-nr = 1048576 kernel.shmall = 2097152 kernel.shmmax = 2147483648 kernel.shmmni = 4096 kernel.sem = 250 32000 100 128
华桥大学微电子器件与电路实验实验报告IC2019实验2
实验报告)微电子器件与电路实验(集成 学号实验时间姓名 2019.04 实验成绩实验操作教师签字 实验二集成二极管电学特性分析实验名称(1)计算机 (2)操作系统：Centos 实验设备TSMC RF0.18um工艺模型软件平台：Cadence Virtuoso (4)(3)1.掌握变量扫描分析、OP分析、DC Sweep下分析器件电学模型参数 2.掌握二极管电流和结面积和结周长关系，加深对集成二极管电学特性的理解实验目的特性的测试方法 3.掌握二极管CV 掌握单边突变结二极管掺杂浓度测量方法 4.实验 要求 1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤 2. 实验过程中按实验报告要求操作、仿真、记录数据(波形) 3. 实验结果经指导老师检查、验收，经允许后方可关机，离开实验室 ，、实验后按要求处理数据和波形，回答问题。实验报告打印后，于下次实验时间缴交。3实验内容： 【20%】 2.1 集成二极管电流随结面积变化特性(变量分析)实验对给定的二极管固定二极管的L，然后对二极管结W进行变量分析，测得二极管电流和结面积之间的关系曲线，通过曲线斜率估计二极管电流和结面积是否满足线性关系，回答思考题1 【20%】分析)2.2 实验集成二极管电流随结周长变化特性(OP使用不同结周长的二极管单元并联成结面积相同的二极管器件，测得相同偏置条件下的二极管电流，通过对比不同二极管电流之间的差异，确定二极管电流和结周长的关系，回答思考题2 【30%】 CV特性测试(DC分析下器件电学模型参数分析)集成二极管实验2.3 对给定结面积的二极管进行DC分析，分析二极管结电容和反偏电压之间的关系，测得CV特性曲线。并根据《微电子器件与电路》所学知识，回答思考题3、4、5。 【30%】实验2.4 集成二极管内建电势差及掺杂浓度测量2测试不同结电压下单边突变结二极管的单位结面积电容，根据单边突变结1/C关系曲线特点计算得到二极管的掺杂浓度和内建电势差。
oracle 11g 安装图解
oracle 11g 安装图解 启动OUI后出现“选择安装方式”窗口，我们选择：高级安装 步骤3：出现“选择安装类型”窗口，选择我们需要安装的版本。我们在此肯定是选择企业版。
至于产品语言不用选择，它会根据当前系统的语言自动调整！步骤4：出现“安装位置”窗口
Oracle 基目录：用于安装各种与ORACLE软件和配置有关的文件的顶级目录。 软件位置：用于存放安装具体ORACLE产品的主目录和路径。在此我们使用默认的配置。 在此ORACLE会选择剩余空间最多的盘作为基目录和安装目录的所在盘。 可以输入一个电子邮件或是metalink接收安全问题通知，在此我直接输入一个电子邮件，当然也可以是metalink用户信息！
步骤5：再向下就是对安装环境进行检测，如果不满足条件则会给出相应的提示，如图所示： 在此是因为我的内存不足，所以会报此提示，那么我们在此调整内存，以满足条件后再继续安装。
步骤6：出现“选择配置选项”如图：
在此选择安装数据库。 如果是“配置自动存储管理”，则自动存储管理（ASM）可用来自动化和简化对数据文件、控制文件和日志文件的优化布局。自动存储管理（ASM）将每个文件切割成许多小扩展文件，并将它们平均分散在一个磁盘组的所有磁盘上。一旦自动存储管理（ASM）磁盘组建立，创建和删除文件的时候，Oracle数据库都会从磁盘组自动分配存储空间。 如果是“仅安装软件”，则只安装ORACLE软件，在安装之后还需要再运行数据库配置助手创建数据库。 步骤7：出现“选择数据库配置”窗口，在此需要选择在安装过程中创建的数据库类型。 一般用途/事务处理：适合各种用途的预配置数据库。 数据仓库：创建适用于特定需求并运行复杂查询环境。常用于存储并快速访问大量记录数据。 高级：安装结束后运行ORACLE DBCA后，用户才可以配置数据库。
EDA实验报告
电子科技大学成都学院 实验报告册 课程名称：EDA实验与实践 姓名：魏亮 学号：2940710618 院系：微电子技术系 专业：集成电路设计与集成系统（嵌入式） 教师：李海 2011 年12 月12 日
实验一：计数器 一、实验目的： 学习计数器的设计，仿真和硬件测试； 进一步熟悉Verilog HDL的编程方法。 二、实验原理和内容： 本实验的原理是利用复位信号rst，时钟信号clk，输出cout ，实现由0自加到学号（即18）。 本实验的内容是利用Quartus Ⅱ建立一个自加至18的计数器，并进行仿真测试。 三、实验步骤： 1. 启动Quartus Ⅱ建立一个空白工程，然后命名为count . qpf 。 2. 新建Verilog HDL源程序文件count.v，输入程序代码并保存， 然后进行综合编译，若在编译过程中发现错误，则找出并更正错误， 直到编译成功为止。 3. 建立波形仿真文件并进行仿真验证。 四、实验数据和结果： module count (clk,rst,cout); input clk,rst; output[5:0] cout; reg[5:0] cout; always @ (posedge clk) begin if(rst) begin cout=cout+1; if(cout==5'b10011) cout=0; end end endmodule
五、实验总结： 进一步熟悉仿真测试和Verilog HDL 编程方法。
实验二：流水灯 一、实验目的： 通过次试验进一步了解、熟悉和掌握CPLD/FPGA开发软件的使用方法及Verilog HDL的编程方法；学习简单的时序电路的设计和硬件 测试。 二、实验原理和内容： 本实验的内容是建立可用于控制LED流水灯的简单硬件电路，要求在实验箱上时间LED1~LED8发光二极管流水灯显示。 原理：在LED1~LED8引脚上周期性的输出流水数据，如原来输出的数据是11111100则表示点亮LED1、LED2。流水一次后，输出数据应 该为11111000，而此时则应点亮LED1~LED3三个LED发光二极管，这 样就可以实现LED流水灯，为了方便观察，在源程序中加入了一个分频 程序来控制流水速率。 三、实验步骤： （1）启动QuartusII建立空白工程，然后命名为led.qpf。 （2）新建Verilog HDL源程序文件led.v，输入程序代码并保存（源程序参考实验内容），进行综合编译，若在编译过程中发现错误，则找出并更正错误，直至编译成功为止。 （3）FPGA引脚分配，在Quartus II主界面下，选择Assignments→Pins，按照实验课本附录进行相应的引脚分配，引脚分配好以后保存。 （4）对该工程文件进行最后的编译，若在编译过程中发现错误，则找出并更正错误，直至编译成功为止。 （5）打开试验箱的电源开关，执行下载命令，把程序下载到FPGA试验箱中，观察流水灯的变化。 四、实验数据和结果： module led(led,clk); input clk; output[7:0] led; reg[7:0] led_r; reg[31:0] count; assign led=led_r[7:0]; always @ (posedge clk) begin count<=count+1';
Oracle 11g安装文档
Oracle 11g数据库安装1.数据库安装 1.1.安装准备 选择Oracle 11g安装程序,进行数据库安装. 安装程序启动后,将会对计算机环境进行检测,将会出现如(图1)的界面 (图1)
1.2.安装方法 Oralce检测完计算机环境后,如果该计算机环境能够安装Oralce 11g, 即会进入Oralce 11g的程序安装界面,如(图2): (图2) 此处, 我们选择高级安装, 以便于稍后的安装过程中,对于我们需要的数据库配置进行相关配置. 选择好了后,点击”下一步”,进入下一步安装操作.
安装方法选择高级安装后, 进入到下一步将要选择数据库的安装类型. (图3) 如(图3)所示,此处,我们选择企业版,该版本具有更好的可靠性,伸缩性以及更好的性能 选择好了后,点击”下一步”,进入下一步安装操作.
接下来,我们需要选择Oracle 11g数据库程序文件的安装位置. (图4) 我们仅需要修改Oracle基目录即可,软件位置中的”名称”以及”路径”会根据Oralce基目录的修改对应自动修改. 注: 在服务器上安装Oracle的时候, Oracle基目录建议选择为C盘,并为Oracle 建立独立的文件目录,如(图4)所示
1.5.先决条件检查 接下来, Oracle安装程序将会对产品特定的先决条件进行自动检查 (图5) 先决条件检查后,部分检查的状态可能会出现”错误”,”未执行”或者”警告”等非正常状态,如(图5)所示. 对于这些状态的检查,我们将其前面的复选框打勾选中,进行手动验证即可,手动验证后,将会如(图6)所示, 状态变为”用户已验证”, 然后,点击”下一步”. (图6)
Linux下oracle11g安装手册
Linux下oracle11g安装手册 Oracle安装前准备工作：(很重要) 1、创建Oracle用户 root用户：创建Oracle安装组oinstall,数据库管理员组dba，及oracle用户 # /usr/sbin/groupadd oinstall # /usr/sbin/groupadd dba # /usr/sbin/useradd -g oinstall -G dba oracle（主组oinstall，其它组：dba）给权限 # passwd oracle 2、修改内核参数 root用户：修改/etc/sysctl.conf文件，输入命令vi /etc/sysctl.conf，按i键进入编辑模式，加上如下参数fs.aio-max-nr = 1048576 fs.file-max = 6815744 kernel.shmall = 2097152 kernel.shmmax = 536870912 kernel.shmmni = 4096 kernel.sem = 250 32000 100 128 net.ipv4.ip_local_port_range = 9000 65500 net.core.rmem_default = 262144 net.core.rmem_max = 4194304 net.core.wmem_default = 262144 net.core.wmem_max = 1048586 编辑完成后按Esc键，输入“:wq”存盘退出 为使上述配置生效而不重启系统，执行如下命令 # /sbin/sysctl -p 3、修改用户限制 root用户：修改vi /etc/security/limits.conf文件，加上下面的参数 oracle soft nproc 2047 oracle hard nproc 16384 oracle soft nofile 1024 oracle hard nofile 65536 4、修改用户验证选项 root用户下：修改/etc/pam.d/login文件加上如下参数
微电子实验报告二
实验二非门、与非门、或非门的电路结构与仿真 班级姓名学号指导老师袁文澹 一、实验目的 1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法； 2、熟练掌握MOS管基本特性； 3、掌握使用HSPICE对MOS电路进行SPICE仿真，以得到MOS电路的I-V曲线。 二、实验内容及要求 1、设计反相器电路； 2、设计出二输入与非门、或非门并仿真； 三、实验原理 1、反相器 a)反相器中NMOS管和PMOS管轮流导通，在理想的输入高电平或者低电平时，电源VDD 与地级始终没有导通电路存在，最终输出的电平大小与NMOS管和PMOS管的尺寸没有关系。 b)直流电压传输特性
2、二输入与非门 T P1、T P2为PMOS管，T N1、T N2为NMOS管 a)当输入信号A、B都是低电平时，两个NMOS管都截止，两个PMOS管都导通， 输出高电平V DD； b)当A、B有一个是高电平，一个是低电平时，必然有一个NMOS管截止同时有 一个PMOS管导通，输出高电平V DD，； c)当A、B都是高电平时，两个PMOS管都截止，两个NMOS管都导通，输出低 电平0。 3、二输入或非门
a)或非门中NMOS管并联，PMOS管串联； b)当输入信号A、B都是低电平时，两个NMOS管都截止，两个PMOS管都导通， 输出高电平V DD ； c)当输入信号A、B只要有一个是高电平，那么至少有一个NMOS管导通，同时 至少有一个PMOS管截止，因此输出低电平0. 四、实验方法与步骤 实验方法： 计算机平台：（在戴尔计算机平台、Windows XP操作系统。） 软件仿真平台：（在VMware和Hspice软件仿真平台上。） 实验步骤： 1、编写源代码。按照实验要求，在记事本上编写CMOS反相器、二输入与非门、二输入或非门输出特性曲线的描述代码。并以相应的文件扩展名存储文件。 2、打开Hspice软件平台，点击File中的一个文件。 3、编译与调试。确定源代码文件为当前工程文件，点击Complier进行文件编译。编译结果有错误或警告，则将要调试修改直至文件编译成功。 4、软件仿真运行及验证。在编译成功后，点击simulate开始仿真运行。点击Edit LL单步运行查看结果,无错误后点击Avanwaves按照程序所述对比仿真结果。 5、断点设置与仿真。… 6、仿真平台各结果信息说明. 五、实验仿真结果及其分析 1、仿真过程 1）源代码 反相器 *Sample netlist for GSMC .TEMP 25.0000 .param wn=1u wp=0.28u Lmin=0.28u vdd=3.6v .lib 'gd018.l' TT .option post vdd vcc 0 dc vdd * --- V oltage Sources --- * --- Inverter Subcircuit --- M1 n2 n1 vcc vcc PCH w = wp L = Lmin M2 n2 n1 0 0 NCH w = wn L = Lmin C1 n2 0 10p vs n1 0 * --- Transient Analysis --- .dc vs 0 vdd 0.01 .print dc v(n2) I(m2) .alter .param wp = 1u .alter .param wp = 3u .alter .param wp = 9u .alter
Oracle11g数据库基础教程-参考答案
Oracle11g数据库基础教程 参考答案
第1章Oracle 11g数据库安装与配置1．简答题 （1） 企业版数据库服务器包含所有的数据库组件，主要针对高端的应用环境，适用于安全性和性能要求较高的联机事务处理（OLTP）、查询密集型的数据仓库和要求较高的Internet应用程序：标准版数据库服务器提供大部分核心的数据库功能和特性，适合于工作组或部门级的应用程序：个人版数据库服务器只提供基本数据库管理功能和特性，适合单用户的开发环境，为用户提供开发测试平台。 （2） 常用数据库类型包括事务处理类、数据仓库类以通用类型。其中事务处理类型主要针对具有大量并发用户连接，并且用户主要执行简单事务处理的应用环境。事务处理数据库的典型应用有银行系统数据库、Internet电子商务数据库、证券交易系统数据库等。对于需要较高的可用性和事务处理性能、存在大量用户并行访问相同数据以及需要较高恢复性能的数据库环境，事务处理类型的配置可以提供最佳性能；数据仓库类型的数据库主要针对有大量的对某个主题进行复杂查询的应用环境。数据仓库的典型应用有客户订单研究、支持呼叫、销售预测、采购模式以及其他战略性业务问题的历史数据研究。对于需要对大量数据进行快速访问，以及复杂查询的数据库环境，数据仓库类型配置是最佳选择；通用类型配置的数据库是事务处理数据库与数据仓库配置的折衷方案。既可以支持大量并发用户的事务处理，又可以快速对大量历史数据进行复杂的数据扫描和处理。 （3） 数据库名可以由字母、数字、下划线（_）、#和美元符号（$）组成，且必须以字母开头，长度不超过30个字符。在单机环境中，可以不设置域名，域名长度不能超过128个字符。Oracle服务标识符（SID）是一个Oracle实例的唯一名称标识，长度不能超过12个字符。（4） ● OracleServiceORCL：数据库服务（数据库实例），是Oracle核心服务，是数据库启 动的基础，只有该服务启动，Oracle数据库才能正常启动。（必须启动） ● OracleOraDb11g_home1TNSListener：监听器服务，该服务只有在远程访问数据库时 才需要（无论远程计算机还是本地计算机，凡是通过Oracle Net网络协议连接数据库都属于远程访问）。（必须启动） ● OracleOraDb11g_home1ConfigurationManager：配置Oracle启动时的参数的服务。（非 必须启动） ● OracleOraDb11g_home1ClrAgent：提供对.NET支持的Oracle数据库扩展服务。（非 必须启动） ● OracleJobSchedulerORCL：数据库作业调度服务。（非必须启动） ● OracleDBConsoleorcl：Oracle控制台服务，即企业管理器服务。只有该服务启动了， 才可以使用Web方式的企业管理器管理数据库。（非必须启动） ● OracleVssWriterORCL：是Oracle对VSS提供支持的服务。（非必须启动） ● OracleMTSRecoveryService：是允许数据库充当一个微软事务服务器、COM/COM+ 对象和分布式环境下的事务资源管理器的服务。
实验报告芯片解剖实验
电子科技大学成都学院（微电子技术系） 实验报告书 课程名称：芯片解剖实验 学号： 姓名： 教师： 年6月28日
实验一去塑胶芯片的封装 实验时间：同组人员： 一、实验目的 1.了解集成电路封装知识，集成电路封装类型。 2.了解集成电路工艺流程。 3.掌握化学去封装的方法。 二、实验仪器设备 1：烧杯，镊子，电炉。 2：发烟硝酸，弄硫酸，芯片。 3：超纯水等其他设备。 三、实验原理和内容 实验原理： 1..传统封装：塑料封装、陶瓷封装 （1）塑料封装（环氧树脂聚合物） 双列直插DIP、单列直插SIP、双列表面安装式封装SOP、四边形扁平封装QFP 具有J型管脚的塑料电极芯片载体PLCC、小外形J引线塑料封装SOJ （2）陶瓷封装 具有气密性好，高可靠性或者大功率 A.耐熔陶瓷（三氧化二铝和适当玻璃浆料）：针栅阵列PGA、陶瓷扁平封装FPG B.薄层陶瓷：无引线陶瓷封装LCCC 2..集成电路工艺 （1）标准双极性工艺 （2）CMOS工艺 （3）BiCMOS工艺 3.去封装 1．陶瓷封装 一般用刀片划开。 2. 塑料封装 化学方法腐蚀，沸煮。 （1）发烟硝酸煮（小火）20~30分钟 （2）浓硫酸沸煮30~50分钟 实验内容： 去塑胶芯片的封装 四、实验步骤 1.打开抽风柜电源，打开抽风柜。 2.将要去封装的芯片（去掉引脚）放入有柄石英烧杯中。 3.带上塑胶手套，在药品台上去浓硝酸。向石英烧杯中注入适量浓硝酸。（操作
时一定注意安全） 4.将石英烧杯放到电炉上加热，记录加热时间。（注意：火不要太大） 5.观察烧杯中的变化，并做好记录。 6.取出去封装的芯片并清洗芯片，在显微镜下观察腐蚀效果。 7.等完成腐蚀后，对废液进行处理。 五、实验数据 1：开始放入芯片，煮大约2分钟，发烟硝酸即与塑胶封转起反应， 此时溶液颜色开始变黑。 2：继续煮芯片，发现塑胶封装开始大量溶解，溶液颜色变浑浊。 3：大约二十五分钟，芯片塑胶部分已经基本去除。 4：取下烧杯，看到闪亮的芯片伴有反光，此时芯片塑胶已经基本去除。 六、结果及分析 1：加热芯片前要事先用钳子把芯片的金属引脚去除，因为此时如果不去除，它会与酸反应，消耗酸液。 2：在芯片去塑胶封装的时候，加热一定要小火加热，因为发烟盐酸是易挥发物质，如果采用大火加热，其中的酸累物质变会分解挥发，引起容易浓度变低，进而可能照成芯片去封装不完全，或者去封装速度较慢的情况。 3：通过实验，了解了去塑胶封装的基本方法，和去封装的一般步骤。
oracle11g在windows2008上安装遇到的问题
故障1： 将 win64_11gR2_database_1of2.zip和win64_11gR2_database_2of2.zip 分别解压后，点开始安装，过程很顺利，到54%时杯具出现了：未找到文件 c:oracle....WFMLRSVCApp.ear。查看install guide找不到解决方法，把2of2的目录拷贝到1of2目录下面，点retry还是不行。 只好中止。重新将两个文件解压到Disk1和Disk2，进行安装，还是不行，出现同样的错误。 最后，把两个文件解压到同一个目录下面，再安装，终于顺利完成了。 故障2： 将文件F:\app\Administrator\product\11.2.0\dbhome_1\bin\ oralbac.dll oradv11.dll移动到 F:\app\Administrator\product\11.2.0\dbhome_1\bin\ oralbac.dll.dbl oradv11.dll.dbl 时出现错误。 是那个文件：C:\app.....必须为空才能安装成功。 故障3： 安装Oracle 11g R2的过程中，在新建数据库实例时出现了该错误，如果选择"忽略"就会出现ora-28000错误。 经网络查询验证，这是属于在前面配置管理员密码的时候，采用了数字开头的密码，Oracle貌似对此不支持，但当时不提示出错，晕倒！据说包含其他非法特殊字符也可能产生此问题。 记录一下，给自己备忘： ORA-00922: 选项缺失或无效 错误原因：一般是语句的语法有问题。比如命名不对，关键字写错等等。对于非标准的命名，一般采用双引号来创建。 解决办法： 标识符命名规则: 1、必须以字母开始。 2、长度不能超过30个单字节字符。 3、只能包括A-Z，a-z，0-9，_，$和#。 4、不能在相同用户下建立两个同名的对象。 5、不能使用保留字和关键字 ORA-28000: 账户锁定
华侨大学微电子器件与电路实验实验报告(IC2019)实验3
微电子器件与电路实验(集成)实验报告 姓名学号实验时间2019.5 实验操作实验报告教师签字 实验名称实验三集成MOSFET IV特性分析 实验设备(1)计算机 (2)操作系统：Centos (3)软件平台：Cadence Virtuoso (4)工艺模型TSMC RF0.18um 实验目的1.掌握集成NMOS和PMOS在强反型、中反型、弱反型以及线性区的IV特性 2.对比长沟道器件和短沟道器件的沟道长度调制效应对IV特性的影响 3.强反型条件下，MOSFET电流随温度漂移特性 实验要求 1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤 2. 实验过程中按实验报告要求操作、仿真、记录数据(波形) 3. 实验结果经指导老师检查、验收，经允许后方可关机，离开实验室 3、实验后按要求处理数据和波形，回答问题。实验报告打印后，于下次实验时间缴交。， 实验内容： 实验3.1 强反型条件下MOS IV特性曲线 实验3.2 中反型条件下MOS IV特性曲线 实验3.3 弱反型条件下MOS IV特性曲线 指定尺寸的NMOS和PMOS在指定偏置条件下，对VGS电压进行DC分析，使器件分别工作于强、中和弱反型区，测试MOSFET IDS电流随VGS变化曲线，并回答思考题。 实验3.4 线性区条件下MOS IV特性曲线 指定尺寸的NMOS和PMOS在指定偏置条件下工作于指定区间，对VGS电压进行DC分析，测试MOSFET IDS电流随VGS变化曲线，并回答思考题。 实验3.5 MOSFET沟道长度的影响 指定尺寸的NMOS和PMOS偏置在饱和区，对VDS进行DC分析，测试测试MOSFET IDS电流随VDS变化曲线，对比沟道长度调制效应对长沟道器件和短沟道器件的影响，并回答思考题。 实验3.6 强反型条件下温度对MOS IV特性影响 指定尺寸的NMOS和PMOS偏置在饱和区，对温度进行DC分析，分析温度对IDS的影响。 华侨大学信息科学与工程学院电子工程系