半导体材料文献综述
高东阳
姓名：
1511090121
学号：
化工与材料学院学院：
专
业：化学工程与工艺
班
级：B0901
指导教
师：张芳
日
期： 2011 年12月 7日
半导体材料的研究综述
高东阳辽东学院 B0901 118003
摘要：半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分应用与器件。随着社会的进步和现代科学技术的发展，半导体材料越来越多的与现代高科技相结合，其产品更好的服务于人类，改变着人类的生活及生产。文章从半导体材料基本概念的界定、半导体材料产业的发展现状、半导体材料未来发展趋势等方面对我国近十年针对此问题的研究进行了综述，希望能引起全社会的关注和重视。
关键词：半导体材料，研究，综述
20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。彻底改变人们的生活方式。在此笔者主要针对半导体材料产业的发展、半导体材料的未来发展趋势等进行综述，希望引起社会的关注，并提出了切实可行的建议。
一、关于半导体材料基础材料概念界定的研究
王占国指出中国半导体产业市场需求强劲，市场规模的增速远高于全球平均水平。不过，产业规模的扩大和市场的繁荣并不表明国内企业分得的份额更大。相反，中国的半导体市场正日益成为外资公司的乐土。[3]
朱黎辉说基于市场需求和产业转移，我们判断半导体行业在国内有很大的增长潜力。之所以这样说，主要是基于国家政策的支持，中国半导体产业离不开国家政策的支持。[4]市场需求巨大。计算机、通讯、消费类电子产品的需求带动半导体的需求。国际产能转移，芯片制造的封装测试的产能转移比较明显，国际大工厂纷纷在国内设立工厂，或者把生产线交给国内公司制造。[5]王占国说我国半导体产业快速发展，产业逐步完善。半导体产业经过长期发展，已经建立起基本的产业结构。近几年的加速发展缩短了与国外先进技术的差距。[6]
美国是半导体技术的发源地，但20世纪80年代美国作为半导体的主要生产在全球的地位大幅度下降。为了应对这种状况，美国政府以巨大的国防支出来资助半导体业的研发。[7]
技术是半导体行业的立足之本，这个行业的技术更新速度迅速。国内外半导体公司的发展面临强大的压力，生存环境堪忧。一些学者在分析、总结的基础上提出了一些建议。
中国应采取更加优惠的政策、形成良好的投资环境吸引更多的资金流入到中国半导体产业。[8]凌玲说在短期内，可以借鉴走引进、消化、吸收、赶超的路子，重点发展市场需求大的半导体适用技术和产品，通过技术改造、资本积累和市场开拓的互动实现半导体产业水平的滚动发展。[9]王彦指出中国半导体产业的
发展与突破，人才是关键因素。目前我国半导体产业最缺乏的就是人才，既包括技术人员，也包括半导体企业有经验的中高阶层主管。[10]
半导体产业会在优惠政策及便利的条件下朝着更快、更前的方向发展。三、关于半导材料的应用及未来发展趋势的研究
InSb 是一种具有闪锌矿结构的半导体材料，还材料具有较窄的禁宽度和较高的电子迁移率，被广泛应用于光电原件、磁阻元件及晶体管结之中。[11]光纤放大器是光纤通信发展史上的一个重要里程碑，它能够延长通信系统距离、扩大用户分配间的覆盖范围。而浙适波耦合半导体量子点光纤放大器将比传统的光纤放大器更具有重要的实际意义和应用价值。[12]
郑东梅指出GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数小等特点 ,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。[13]硅材料仍将是制造集成电路的主要材料，硅半导体器件和集成电路仍将是大生产的主流产品。适应大直径、细线条、铜工艺将成为半导体设备发展面临的核心技术挑战。[14]综上所述，诸多学者对当前半导体材料的现状、发展趋势等进行了多层次、多角度的探讨。通过对这些文献的研究分析，我们可以看出，半导体材料是一项发展前景很好的产业。因而我们有必要进行更深入的研究。特别是在半导体材料的发展趋势上，我们仍需进行更深层次的探索。
参考文献
[1]陈良惠. 量子阱光电子器件的发展与中国光电子器件产业的形成[J]. 中国工1999,(03)
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半导体材料课程教学大纲
半导体材料课程教学大纲 一、课程说明 （一）课程名称：半导体材料 所属专业：微电子科学与工程 课程性质：专业限选 学分： 3 （二）课程简介：本课程重点介绍第一代和第二代半导体材料硅、锗、砷化镓等的制备基本原理、制备工艺和材料特性，介绍第三代半导体材料氮化镓、碳化硅及其他半导体材料的性质及制备方法。 目标与任务：使学生掌握主要半导体材料的性质以及制备方法，了解半导体材料最新发展情况、为将来从事半导体材料科学、半导体器件制备等打下基础。 （三）先修课程要求：《固体物理学》、《半导体物理学》、《热力学统计物理》； 本课程中介绍半导体材料性质方面需要《固体物理学》、《半导体物理学》中晶体结构、能带理论等章节作为基础。同时介绍材料生长方面知识时需要《热力学统计物理》中关于自由能等方面的知识。 （四）教材：杨树人《半导体材料》 主要参考书：褚君浩、张玉龙《半导体材料技术》 陆大成《金属有机化合物气相外延基础及应用》 二、课程内容与安排 第一章半导体材料概述 第一节半导体材料发展历程 第二节半导体材料分类 第三节半导体材料制备方法综述 第二章硅和锗的制备 第一节硅和锗的物理化学性质 第二节高纯硅的制备 第三节锗的富集与提纯
第三章区熔提纯 第一节分凝现象与分凝系数 第二节区熔原理 第三节锗的区熔提纯 第四章晶体生长 第一节晶体生长理论基础 第二节熔体的晶体生长 第三节硅、锗单晶生长 第五章硅、锗晶体中的杂质和缺陷 第一节硅、锗晶体中杂质的性质 第二节硅、锗晶体的掺杂 第三节硅、锗单晶的位错 第四节硅单晶中的微缺陷 第六章硅外延生长 第一节硅的气相外延生长 第二节硅外延生长的缺陷及电阻率控制 第三节硅的异质外延 第七章化合物半导体的外延生长 第一节气相外延生长（VPE） 第二节金属有机物化学气相外延生长（MOCVD） 第三节分子束外延生长（MBE） 第四节其他外延生长技术 第八章化合物半导体材料（一）：第二代半导体材料 第一节 GaAs、InP等III-V族化合物半导体材料的特性第二节 GaAs单晶的制备及应用 第三节 GaAs单晶中杂质控制及掺杂 第四节 InP、GaP等的制备及应用 第九章化合物半导体材料（二）：第三代半导体材料 第一节氮化物半导体材料特性及应用 第二节氮化物半导体材料的外延生长 第三节碳化硅材料的特性及应用 第十章其他半导体材料
高校奖学金制度研究文献综述
综 合 一、高校奖学金的定义 学界对于奖学金的概念主要有两种观点，一种观点认为奖学金和助学金是不同的，另一种观点则认为奖学金属于助学金的一种。张丽芳和肖国超在《高校奖学金的合理评定发放研究》中指出，所谓的高校学生奖学金是高校自身、政府、团体或个人按照国家有关规定，对品学兼优的学生给予的奖学金。奖学金不同于助学金、贷学金。奖学金的侧重点在于奖优，而助学金、贷学金的侧重点在于助贫；伍力、黄权标在《中美高校奖学金制度之比较研究及启示》中认为，奖学金也指助学金，设立的目的是激励学生通过努力学习来获得经济上的资助。这两种观点笔者赞同第一种观点。 二、高校奖学金的分类 高校奖学金有两种不同的分类方法。吴春娥、王林清在《关于高校学生奖学金评定办法的研究》中，把高校奖学金分为国家奖学金、国家励志奖学金、学校综合奖学金、企业设立的奖学金、专业奖学金以及单向奖学金；纪佳妮在《论高校奖学金的奖与罚》中指出，高校奖学金主要分为三类，分别为国家奖学金、各高校设立的奖学金和社会各界设立的奖学金。各高校自己设立的奖学金大致又分为校级奖学金、院级奖学金、单项奖学金和特长奖学金。对于学者们从不同的角度对奖学金进行分类，笔者赞同上述第二种分类方法。 三、高校奖学金制度的含义 陈婉琳在《对高校奖学金制度问题的思考》中认为，奖学金制度包含奖学金设立、评定、发放等方面的制度和规定。欧阳曦、李宇红和欧阳球林在《高校奖学金制度合理性的浅见与探讨》中指出，奖学金制度作为高校普遍采用的一种对学生进行奖励、激励的制度，是学生管理工作和思想政治工作的重要组成部分。 对于高校奖学金制度的概念，笔者认为可以把学者们的观点综合起来，把高校奖学金制度定义为高校普遍实行的一种对优秀学生进行奖励和激励的制度，它主要包括奖学金设立、评定、发放等方面的制度，在各类高校的教育教学中发挥了应有作用，是高校的一项重要的制度。 四、高校奖学金作用的研究 对于我国现行高校奖学金的作用，学者们进行了很多的研究。从诸多文献资料中可以看出，学者们对于奖学金作用的观点还是比较统一，笔者也很赞同他们对于奖学金具有激励、导向和资助三大功能的观点。 五、高校奖学金制度的研究现状 1．对于奖学金制度的现状的研究 （1）高校奖学金设置的研究。杨晓雷在《高校奖学金工作“项目化”的设想》一文中认为，美国的奖学金按内容大致可以分为：对优秀清贫者的奖学金、对学业优良者奖学金和“限制性”奖学金（它要求接受奖学金的学生所学习的领域与提供奖学金的组织有特殊关系）。潘俊宇在《中外高校奖学金制度之比较研究及启示》中指出，我国的奖学金主要包括：国家奖学金、国家励志奖学金、国家助学奖学金、优秀学生奖学金、专业奖学金、企业奖学金、定向奖学金，还有专门针对研究生的研究生奖学金等。学界对于奖学金设置的观点非常多，而且观点各异，笔者通过阅读各类文献资料，结合学者们的不同观点，认为奖学金的设置主要有以下几种：一是国家设立的奖学金，包括国家奖学金、国家励志奖学金等。二是各高等院校自己设置的奖学金，包括综合奖学金和单项奖学金。其中综合奖学金又分为校系两级通过综合素质测评得出的奖学金，单项奖学金包括文艺特长奖学金等某一方面的奖学金。三是社会奖学金，包括企业、组织或个人在高校中设立的奖学金。 （2）高校奖学金评定方式和评价体系的研究。冯变英、李霞在《奖学金计算方法的改进》一文，指出了奖学金评定中学习成绩的计算方法存在的问题，并通过将学习成绩的标准化处理以确定奖学金的归属。徐永生在《对我院学生奖学金评定方法的改革研究》一文，提出正态分布理论，采用标准总分方法，对该院奖学金的评定方法进行改进，使学生奖学金的评定工作更趋于科学化、定量化。以上种种研究表明，奖学金评定方法和评价体系趋势朝着自动化、标准化的方向发展，越来越注意强调学生的个性化发展。 （3）高校奖学金发放的研究。陈瑶在《完善我国高校奖学金制度中的激励机制》一文中提出，奖学金的发放制度是奖学金制度中必不可少的一个组成部分，应将发放工作与宣传教育工作、制度建设有机地结合起来。陈婉琳在《对高校奖学金制度问题的思考》中认为，奖学金的发放是奖学金发挥功能的一个重要环节，我们应该把奖学金发放工作的宣传制度化。从以上文献资料中可以得知学者们都认为高校对于讲学金发放不够重视，没有认识到奖学金发放环节的重要性。所以笔者认为高校奖学金制度的完善不仅要解决奖学金的设置、评定等普遍关注的问题，还应把奖学金的发放正式纳入奖学金制度，这样才能更好地完善奖学金制度。 2.对于奖学金制度存在问题的研究 （1）对于奖学金奖项设置存在问题的研究。陈瑶在《完善我国高校奖学金制度中的激励机制》一文中认为，奖学金的 高校奖学金制度研究文献综述 邓亮 华南师范大学公共管理学院 HUMAN RESOURCE MANAGEMENT P.187
北京科技研究生半导体材料导论复习题
1、半导体材料有哪些特征？ 答：半导体在其电的传导性方面，其电导率低于导体，而高于绝缘体。 （1）在室温下，它的电导率在103~10-9S/cm之间，S为西门子，电导单位，S=1/ρ（Ω. cm) ；一般金属为107~104S/cm，而绝缘体则<10-10，最低可达10-17。同时，同一种半导体材料，因其掺入的杂质量不同，可使其电导率在几个到十几个数量级的范围内变化，也可因光照和射线辐照明显地改变其电导率；而金属的导电性受杂质的影响，一般只在百分之几十的范围内变化，不受光照的影响。 （2）当其纯度较高时，其电导率的温度系数为正值，即随着温度升高，它的电导率增大；而金属导体则相反，其电导率的温度系数为负值。 （3）有两种载流子参加导电。一种是为大家所熟悉的电子，另一种则是带正电的载流子，称为空穴。而且同一种半导体材料，既可以形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。在金属中是仅靠电子导电，而在电解质中，则靠正离子和负离子同时导电。 2、简述半导体材料的分类。 答：对半导体材料可从不同的角度进行分类例如： 根据其性能可分为高温半导体、磁性半导体、热电半导体； 根据其晶体结构可分为金刚石型、闪锌矿型、纤锌矿型、黄铜矿型半导体； 根据其结晶程度可分为晶体半导体、非晶半导体、微晶半导体， 但比较通用且覆盖面较全的则是按其化学组成的分类，依此可分为：元素半导体、化合物半导体和固溶半导体三大类。 3、化合物半导体和固溶体半导体有哪些区别。 答：由两个或两个以上的元素构成的具有足够的含量的固体溶液，如果具有半导体性质，就称为固溶半导体，简称固溶体或混晶。固溶半导体又区别于化合物半导体，因后者是靠其价键按一定化学配比所构成的。固溶体则在其固溶度范围内，其组成元素的含量可连续变化，其半导体及有关性质也随之变化。 4、简述半导体材料的电导率与载流子浓度和迁移率的关系。 答：s = nem 其中： n为载流子浓度，单位为个/cm3; e 为电子的电荷，单位为C（库仑），e对所有材料都是一样，e=1.6×10-19C 。 m为载流子的迁移率，它是在单位电场强度下载流子的运动速度，单位为cm2/V.s； 电导率s的单位为S/cm(S为西门子）。 5、简述霍尔效应。 答：将一块矩形样品在一个方向通过电流，在与电流的垂直方向加上磁场(H)，那么在样品的第三个方向就可以出现电动势，称霍尔电动势，此效应称霍尔效应。 6、用能带理论阐述导体、半导体和绝缘体的机理。 答：按固体能带理论，物质的核外电子有不同的能量。根据核外电子能级的不同，把它们的能级划分为三种能带：导带、禁带和价带（满带）。 在禁带里，是不允许有电子存在的。禁带把导带和价带分开，对于导体，它的大量电子处于导带，能自由移动。在电场作用下，成为载流子。因此，导体载流子的浓度很大。 对绝缘体和半导体，它的电子大多数都处于价带，不能自由移动。但在热、光等外界因素的作用下，可以使少量价带中的电子越过禁带，跃迁到导带上去成为载流子。 绝缘体和半导体的区别主要是禁的宽度不同。半导体的禁带很窄，（一般低于3eV），绝缘体的禁带宽一些，电子的跃迁困难得多。因此，绝缘体的载流子的浓度很小。导电性能很弱。实际绝缘体里，导带里的电子不是没有，并且总有一些电子会从价带跃迁到导带，但数量极少。所以，在一般情况下，可以忽略在外场作用下它们移动所形成的电流。但是，如果外场很强，束缚电荷挣脱束缚而成为自由电荷，则绝缘体就会被“击穿”而成为导体。 7、什么是本征半导体和杂质半导体？ 答：当半导体主要是靠热激发产生载流子时，导电称为本征导电，这种半导体称为本征半导体，其特点是自由电子数等于空穴数。另一种导电机制是靠电活性杂质形成的载流子导电，这种导电称为杂质导电，这种半导体称为杂质
文献综述成绩评阅表
新疆农业大学科学技术学院 本科生专业文献综述暂行规定 为了使本科生能更好地掌握科技文献检索、资料查询的基本方法，了解所学专业学科前沿和发展趋势，具备独立获取知识、进行信息处理和创新的基本能力以及专业文献综述的写作能力。根据新疆农业大学科学技术学院人才培养方案的要求，特规定本科生在校期间必须完成至少一篇专业文献综述（论文）。现对本科生专业文献综述作如下暂行规定。 一、课程设置及要求 专业文献综述为必修，记1学分，每篇文献综述要求3000字以上，参考文献10篇以上，其中外文文献至少1篇（民语言学生不作要求）。英语专业学生应用英文，其他专业学生可用中文完成。 二、文献检索 科技文献种类繁多，有著作、学术论文、科技报告、学位论文和科技会议文献等原始文献，也有在此基础上经整理、加工、压缩、提炼后编制成的各种检索工具，如书目、题录、索引、文摘、百科、手册、年鉴和名录等。本科生在撰写专业文献综述之前要在教师指导下进行科技文献检索。文献检索的要求是： 1、掌握科技文献检索和资料查询的基本方法，包括直接检索法和间接检索法； 2、了解常用文献检索工具的类型、结构及其使用方法，特别是与本专业相关的各种索引、文摘、书目、年鉴等； 3、了解与本学科专业相关的各种科技文献的名称、种类和级别
等。 4、检索后要列出检索结果，并作为指导教师评定成绩的依据之一。 三、专业文献综述 （一）内容要求 文献综述应论述某一主题提出的原因及主要历史背景、当前进展情况、各种观点及评述、存在问题和发展方向等。要求文献综述必须要有论点，要有有见地的分析对比，不能是简单的文献堆砌。 （二）步骤 1、选择题目：题目一般应是与本科生的毕业设计（论文）题目相近或相关的内容。 2、搜集资料和阅读文献：根据选定的主题，利用各种检索工具，采用直接检索和间接检索相结合的方法，搜集和阅读相关文献资料，在阅读文献时要注意做好记录（卡片、笔记等）。 3、分析归纳和草拟提纲：对于查找和搜集到的文献资料要进行分析、归纳、整理和取舍，然后按照专业文献综述对内容的要求草拟提纲，对文献综述的全文进行整体构思和结构设计。 4、撰写综述（论文）：在大量阅读文献资料的基础上，根据主题进行综合论述，并撰写成文。 （三）格式及打印 专业文献综述的写作格式应参照本专业刊物登载的常规文献综述格式，一般应包括题目、作者、摘要、关键词、前言、正文、总结和参考文献等部分。专业文献综述应由学生自己用计算机排版打印
半导体材料导论结课复习题
半导体材料复习题 1、半导体材料有哪些特征？ 答：半导体在其电的传导性方面，其电导率低于导体，而高于绝缘体。 （1）在室温下，它的电导率在103~10-9S/cm之间，S为西门子，电导单位，S=1/ρ（Ω. cm) ；一般金属为107~104S/cm，而绝缘体则<10-10，最低可达10-17。同时，同一种半导体材料，因其掺入的杂质量不同，可使其电导率在几个到十几个数量级的范围内变化，也可因光照和射线辐照明显地改变其电导率；而金属的导电性受杂质的影响，一般只在百分之几十的范围内变化，不受光照的影响。 （2）当其纯度较高时，其电导率的温度系数为正值，即随着温度升高，它的电导率增大；而金属导体则相反，其电导率的温度系数为负值。 （3）有两种载流子参加导电。一种是为大家所熟悉的电子，另一种则是带正电的载流子，称为空穴。而且同一种半导体材料，既可以形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。在金属中是仅靠电子导电，而在电解质中，则靠正离子和负离子同时导电。 2、简述半导体材料的分类。 答：对半导体材料可从不同的角度进行分类例如： 根据其性能可分为高温半导体、磁性半导体、热电半导体； 根据其晶体结构可分为金刚石型、闪锌矿型、纤锌矿型、黄铜矿型半导体； 根据其结晶程度可分为晶体半导体、非晶半导体、微晶半导体， 但比较通用且覆盖面较全的则是按其化学组成的分类，依此可分为：元素半导体、化合物半导体和固溶半导体三大类。 3、化合物半导体和固溶体半导体有哪些区别。 答：由两个或两个以上的元素构成的具有足够的含量的固体溶液，如果具有半导体性质，就称为固溶半导体，简称固溶体或混晶。固溶半导体又区别于化合物半导体，因后者是靠其价键按一定化学配比所构成的。固溶体则在其固溶度范围内，其组成元素的含量可连续变化，其半导体及有关性质也随之变化。 4、简述半导体材料的电导率与载流子浓度和迁移率的关系。 答：s = nem 其中： n为载流子浓度，单位为个/cm3; e 为电子的电荷，单位为C（库仑），e对所有材料都是一样，e=1.6×10-19C 。 m为载流子的迁移率，它是在单位电场强度下载流子的运动速度，单位为cm2/V.s； 电导率s的单位为S/cm(S为西门子）。 5、简述霍尔效应。 答：将一块矩形样品在一个方向通过电流，在与电流的垂直方向加上磁场(H)，那么在样品的第三个方向就可以出现电动势，称霍尔电动势，此效应称霍尔效应。 6、用能带理论阐述导体、半导体和绝缘体的机理。 答：按固体能带理论，物质的核外电子有不同的能量。根据核外电子能级的不同，把它们的能级划分为三种能带：导带、禁带和价带（满带）。 在禁带里，是不允许有电子存在的。禁带把导带和价带分开，对于导体，它的大量电子处于导带，能自由移动。在电场作用下，成为载流子。因此，导体载流子的浓度很大。 对绝缘体和半导体，它的电子大多数都处于价带，不能自由移动。但在热、光等外界因素的作用下，可以使少量价带中的电子越过禁带，跃迁到导带上去成为载流子。 绝缘体和半导体的区别主要是禁的宽度不同。半导体的禁带很窄，（一般低于3eV），绝缘体的禁带宽一些，电子的跃迁困难得多。因此，绝缘体的载流子的浓度很小。导电性能很弱。实际绝缘体里，导带里的电子
半导体器件导论_4
《半导体器件导论》 第4章载流子输运和过剩载流子现象 例4.1 计算给定电场强度下半导体的漂移电流密度。T＝300K时，硅的掺杂浓度为N d＝106cm，N a＝0。电子和空穴的迁移率参见表4.1。若外加电场强度ε＝35V cm ?，求漂移电流密度。 【解】 因为N d＞N a，所以在室温下，半导体是n型的。若假设掺入杂质完全电离，则 n≈N d=1016cm?3 少数载流子空穴的浓度为 P=n i 2 n =(1.5×1010) 2 1016 =2.25×104cm?3 既然n?p，漂移电流密度 J drf=e(μn n+μp p)ε≈eμn nε 因此 J drf=(1.6×10?19)(1350)(1016)(35)=75.6A cm2 ? 【说明】 在半导体上施加较小的电场就能获得显著的漂移电流密度。这个结果意味着非常小的半导体器件就能产生mA量级的电流。 例4.2 确定硅在不同温度下的电子和空穴迁移率。利用图4.2分别求出以下两种情况载流随机热速度增加子的迁移率。 (a) 确定(i)N d＝1017cm?3，Τ＝150℃及（ii）N d＝1016cm?3，Τ＝0℃时的电子迁移率。 (b) 确定(i)N a＝1016cm?3，Τ＝50℃及（ii）N a＝1016cm?3，Τ＝150℃时的空穴迁移率。【解】 由图4.2可知： （a）（i）当N d＝1017cm?3，Τ＝150℃时，电子迁移率μn≈500cm2V?s ?； （ii）当N d＝1016cm?3，Τ＝0℃时，电子迁移率μn≈1500cm2V?s ?。 （b）（i）当N a＝1016cm?3，Τ＝50℃时，空穴迁移率μp≈380cm2V?s ?； （i）当N a＝1017cm?3，Τ＝150℃时，空穴迁移率μp≈200cm2V?s ?。 【说明】 由本例可见，迁移率随温度升高而降低。 例4.3 为了制备具有特定电流—电压特性的半导体电阻器，试确定硅在300K时的掺杂浓度。考虑一均匀受主掺杂的条形硅半导体，其几何结构如图4.5所示。若外加偏压为5V时，电流为2mA，且电流密度不大于J drf＝100A cm2 ?。试确定满足条件的截面积、长度及掺杂浓度。 图4.6 硅中电子浓度和电导率与温度倒数的关系曲线（引自S ze[14]） 【解】 所需截面积为
半导体材料
半导体材料 应用物理1001 20102444 周辉 半导体材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。这种材料在某个温度 范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度，电阻率下降。由化合物构成的半导 体材料，通常是指无机化合物半导体材料。比起元素半导体材料来它的品种更多， 应用面更广。 半导体材料结构特征主要表现在化学键上。因为化合物至少由两个元素构 成，由于它们彼此间的原子结构不同，价电子必然向其中一种元素靠近，而远离 另一种元素，这样在共价键中就有了离子性。这种离子性会影响到材料的熔点、 带隙宽度、迁移率、晶体结构等。 化合物半导体的组成规律一般服从元素周期表排列的法则。对已知的化合物 半导体材料，其组成元素在同一族内垂直变换，其结果是随着元素的金属性增大 而其带隙变小，直到成为导体。反之，随着非金属性增加而其带隙变大，直至成 为绝缘体。 类别按其构成元素的数目可分为二元、三元、四元化合物半导体材料。它 们本身还可按组成元素在元素周期表中的位置分为各族化合物，如Ⅲ—V族，I —Ⅲ—Ⅵ族等。下面介绍二元化合物，其中主要的类别为Ⅲ—v族化合物半导体 材料，Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料，Ⅳ—Ⅳ族化合物半导体材料。 Ⅳ—Ⅵ族化合物半导体材料。已发现具有半导体性质的有格式，GeSe，GeTe， SnO ，SnS，SnSe，SnTe，Pb0，PbS，PbSe，PbTe，其中PbO，PbS，PbSe，PbTe 2 已获重要用途。
V—Ⅵ族化合物半导体材料。已发现具有半导体性质的有Bi 2O 3 ，Bi 2 S 3 ，Bi 2 Se 3 ， Bi 2Te 3 ，Sb 2 O 3 ，Sb 2 S 3 ，Sb 2 Te 3 、As 2 O 3 ，As 2 S 3 ，其中Bi 2 Te 3 ，Bi 2 Se 3 等已获实际应用。 I—Ⅵ族化合物具有半导体性质的有Cu 2 O，Cu 2 S，Ag 2 S，Ag 2 Se，Ag 2 Te等，其 中Cu 20，Cu 2 S已获应用。 三元化合物种类较多，如I—Ⅲ—Ⅵ、I—v—Ⅵ、Ⅱ—Ⅲ—Ⅵ、Ⅱ—Ⅳ—V 族等。多数具有闪锌矿、纤锌矿或黄铜矿型晶体结构，黄铜矿型结构的三元化合 物多数具有直接禁带。比较重要的三元化合物半导体有CuInSe 2，AgGaSe 2 ， CuGaSe 2，ZnSiP 2 ，CdSiP 2 ，ZnGeP 2 ，CdGaS 4 ，CdlnS 4 ，ZnlnS 4 和磁性半导体。后者 的结构为AB 2X 4 (A—Mn，Co，Fe，Ni；B—Ga，In；X—S，Se)。 四元化合物研究甚少，已知有Cu 2FeSnS 4 ，Cu 2 FeSnSe 4 ，Cu 2 FeGeS 4 等。 应用化合物及其固溶体的品种繁多，性能各异，给应用扩大了选择。在光电子方面，所有的发光二极管、激光二极管都是用化合物半导体制成的，已获工业应用的有GaAs，GaP，GaAlAs，GaAsP，InGaAsP等。用作光敏元件、光探测器、光调制器的有InAsP，CdS，CdSe，CdTe，GaAs等。一些宽禁带半导体(SiC，ZnSe等)、三元化合物具有光电子应用的潜力。GaAs是制作超高速集成电路的最主要的材料。微波器件的制作是使用GaAs，InP，GaAlAs等；红外器件则用GaAs，GaAlAs，CdTe，HgCdTe，PbSnTe等。太阳电池是使用CdS，CdTe，CulnSe2，GaAs，GaAlAs等。最早的实用“半导体”是「电晶体/ 二极体」。 一、在无线电收音机及电视机中，作为“讯号放大器用。 二、近来发展「太阳能」，也用在「光电池」中。 三、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。 其中在半导体材料中硅材料应用最广,所以一般都用硅材料来集成电路,因为硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于
半导体材料文献综述
姓名：高东阳 学号：1511090121 学院：化工与材料学院专业：化学工程与工艺班级：B0901 指导教师：张芳 日期： 2011 年12月 7日
半导体材料的研究综述 高东阳辽东学院B0901 118003 摘要：半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分应用与器件。随着社会的进步和现代科学技术的发展，半导体材料越来越多的与现代高科技相结合，其产品更好的服务于人类，改变着人类的生活及生产。文章从半导体材料基本概念的界定、半导体材料产业的发展现状、半导体材料未来发展趋势等方面对我国近十年针对此问题的研究进行了综述，希望能引起全社会的关注和重视。 关键词：半导体材料，研究，综述 20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。彻底改变人们的生活方式。在此笔者主要针对半导体材料产业的发展、半导体材料的未来发展趋势等进行综述，希望引起社会的关注，并提出了切实可行的建议。 一、关于半导体材料基础材料概念界定的研究 陈良惠指出自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体、和绝缘体三大类。半导体的电导率在10-3～ 109欧·厘米范围。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而增大，这与金属导体恰好相反。凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。[1] 半导体材料（semiconductormaterial）是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。[2]随着社会的进步以及科学技术的发展，对于半导体材料的界定会越来越精确。 二、关于半导体材料产业的发展现状及解决对策的分析 王占国指出中国半导体产业市场需求强劲，市场规模的增速远高于全球平均水平。不过，产业规模的扩大和市场的繁荣并不表明国内企业分得的份额更大。相反，中国的半导体市场正日益成为外资公司的乐土。[3]
大学生文献综述3000字的范文
大学生文献综述3000字的范文 第一部分中阐述了集中注意力的定义，第二部分阐明了其在我们的学习和生活中的作用，第三部分分析了学习注意力分散的原因，第四部分则指出了高中生如何集中注意力。 在小结中，我写了如下三个方面的内容：我根据此次文献综述而得出的培养自己集中注意力的方法、此次在做文献综述过程的收获、此次作业中留下的遗憾。 引言：我在以往的学习中，没有注意到集中注意力的重要性，所以在学习中注意力不集中，以至于浪费了不少有用的时间。 所以此次文献综述作业，我选择了关于高中生集中注意力的方法研究的题目，并为此查阅了不少资料，希望对自己集中注意力的培养带来一定的帮助。 关键词：集中注意力培养正文：一、良好注意力的定义注意力是指人的心理活动指向和集中于某一事物的能力。 判断注意力优劣主要看注意的广度、稳定性、转移和分配。 其中最重要的是注意的稳定性，注意的稳定性是指注意保持在某一对
象或某一活动上的时间久暂。 注意总是伴随着人的全部心理活动，一旦注意中止，心理过程将偏离目标，甚至终止。 外界的一切信息，只有在注意的监控下才能进人人的大脑，离开了注意，就不能正确、清晰、全面的感知事物、记忆事物，就不能深刻、全面的思考事物。 因而注意是学生认识事物必不可少的心理条件，是提高学生综合素质的基本条件，在学生的智力活动中起着极其重要的作用[1]。 二、良好注意力的作用进入高中阶段的学生，智力因素对于他们正常地发展、稳步地进入史高一级学校去受教育固然很重要，但是非智力因素的影响，也是不容忽视的，比如牡意”的问题。 学生注意的稳定性与学习效果有着密切的关系。 1、有意注意和无意注意是学生接受知识的关键因素无意注意是没有预定目的，也不需要做意志努力的注意。 有意注意是有预定目的，在必要时还需要作一定意志努力的注意。
半导体研究文献综述
半导体研究文献综述 学院：材料科学与工程学院专业：材料化学 班级：材料122 姓名：刘田防 学号：2012141009
半导体材料的研究综述文献综述 摘要：半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分应用与器件。随着社会的进步和现代科学技术的发展，半导体材料越来越多的与现代高科技相结合，其产品更好的服务于人类改变着人类的生活及生产。文章从半导体材料基本概念的界定、半导体材料产业的发展现状、半导体材料未来发展趋势等方面对我国近十年针对此问题的研究进行了综述，希望能引起全社会的关注和重视。 关键词：半导体材料，研究，综述 一、该领域的研究意义 物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。 本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个
带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子- 空穴对，空穴导电并不是电子运动，但是它的运动可以将其等效为载流子。空穴导电时等电量的电子会沿其反方向运动。它们 在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。 20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。彻底改变人们的生活方式。在此笔者主要针对半导体材料产业的发展、半导体材料的未来发展趋势等进行综述，希望引起社会的关注，并提出了切实可行的建议。 二、该领域的研究背景和发展脉络 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、
大学文献综述格式
附件一 某某大学 某某学院 本科生专业文献综述 题目: 姓名: 专业: 班级: 学号: 指导教师: 职称: 200 年月日 新疆农业大学科学技术学院制
专业文献综述题目（3号黑体） 作者及指导教师（小四宋体） 摘要：××××××××××××××××××（200—300字，小四宋体）×××××××××××××××××……… 关键词：×××；××××；×××××；×××（3-5个，小四宋体） Title（3号Times New Romar） Name（小四Times New Romar） Abstract：××××××（小四Times New Romar，200—300个实词）×××××××××××××……… Key words:×××；××××；×××××；×××（3-5个，小四Times New Romar） 前言（引言）：×××××（标题用小四号黑体，其它文字用小四宋体）××××××××××××××××××……… 正文：×××××（标题用小四号黑体，其它文字用小四宋体）××××××××××××××××××××××……… 结论：××××××（小四宋体）××××××××××××××××××××××××××××××××××××……… 参考文献： [1] 作者姓名，作者姓名.参考文献题目. 期刊或杂志等名称，年份，(期数)：起止页码 [2] 刘凡丰. 美国研究型大学本科教育改革透视[J] . 高等教育研究，2003，(1)：7-14 [3] 作者姓名.书名（，译者）. 出版地：出版者，出版年，起止页码 [4] ×××（五号宋体，10篇以上；其中外文文献至少1篇,五号Times New Romar）××××××××××……… （说明：以上所有红色、蓝色文字仅供参考，学生在写作论文时请保留字体、字号，改写或删除掉文字，黑色文字请保留。每一页的上方(天头)和左侧(订口)分别留边25mm，下方(地脚)和右侧(切口)应分别留边20mm，页眉和页脚为0。论文题目使用黑体三号字，小标题使用黑体小四号字，正文使用宋体小四号字；首行缩进2个字符，行距为单倍行距，段前段后为0.5行，字符间距为标准。
大功率半导体器件综述及介绍
自从50年代，硅晶闸管问世以后，50多年来，功率半导体器件的研究工作者为达到理想化的目标做出了不懈的努力，并以取得了使世人瞩目的成就。60年代后期，可关断晶闸管GTO实现了门极可关断功能，并使斩波工作频率扩展到1KHZ以上。70年代中期，大功率晶体管和功率MOSFET 问世，功率器件实现了场控功能，打开了高频应用的大门。80年代，绝缘栅双极晶体管（IGBT）问世，它综合了功率MOSFET和双极型功率晶体管两者的功能。因此，当前功率器件研究工作的重点主要集中在研究现有功率器件的集成性能，MOS门控晶体管的改进，以及采用新型半导体材料制造新型的功率器件等。 瑞士ABB半导体公司是ABB集团的全资子公司，是世界上最著名的大功率半导体生产商之一。西安赛晶电子科技责任有限公司是瑞士ABB 半导体公司在中国的首家代理，本公司在为客户提供先进的大功率半导体器件的同时，以西安电力电子技术研究所为其坚强的技术后盾，为客户提供较强的技术支持和服务。 一大功率半导体器件的最新发展 1．普通晶闸管(PCT) PCT自问世以来，其功率容量已提高了近3000倍。现在许多国家已能稳定生产Φ100mm，8000V/4000A的晶闸管。日本现在已能稳定生产8000V/4000A和6000V/6000A的光触发晶闸管。近十几年来，由于自关断器件的飞速发展，晶闸管的应用领域有所缩小，但是，由于它的高电压、大电流特性，它在HVDC，静止无功补偿（SVC），大功率直流电源及超大功率和高压变频调速等方面仍然占有十分重要的地位。预计在今后若干年内，晶闸管仍将在高电压、大电流应用场合得到继续发展。 2、门极可关断晶闸管(GTO) 1982年日本日立公司首先研制成功2500V,1000A的GTO。许多的生产商可提供额定开关功率36MVA(6000V,6000A)用的高压大电流GTO。为了折衷它的导通、开通和关断特性，传统GTO的典型的关断增量仅为3-5。GTO关断期间的不均匀性使GTO关断期间dv/dt必须限制在 500-1000v/μs。为此,人们不得不使用体积大、笨重、昂贵的吸收电路。它的其他缺点是门极驱动电路较复杂和要求较大的驱动功率。但是，高的导通电流密度、高的阻断电压、阻断状态下高的dv/dt耐量和有可能在内部集成一个反并二极管，这些突出的优点仍使人们对GTO感兴趣。到目前为止，传统的GTO在高压（VBR>3300V）/大功率（0.5-20MVA）牵引、工业和电力逆变器中是应用得最为普遍得门控功率半导体器件。目前，GTO的最高研究水平为6英寸、6000V/6000A以及9000V/10000A。这种GTO采用了大直径均匀结技术和全压接式结构，通过少子寿命控制技术折衷了GTO导通电压与关断损耗两者之间的矛盾。由于GTO具有门极全控功能，它正在许多应用领域逐步代替PCT。为了满足电力系统对1兆VA以上的三相逆变功率电压源的需要，近期很可能开发10，000A,12,000V的GTO,并可能解决30多个高压GTO串联的技术，可望使电力电子技术在电力系统应用方面再上一个台阶。 3、绝缘栅双极晶体管（IGBT）
毕业论文文献综述范例
宁波大学本科毕业设计(论文) 文献综述 题目论“法律关系本座说”对国际私法的影响指导教师尹力 学院法学院专业法学班级法学072班 学生姓名徐元媛学号074050428 开题日期2010年12月10日要求：一、说明材料来源情况；二、对课题的研究历史、研究现状等进行准确的分析与归纳并作出简要评述；三、表达自己的观点与主张，阐述该课题的发展动向和趋势；四、字数要求不少于3000字，可另附纸。 文献综述正文： 见附页 指导教师签字 年月日
附页： 关于“法律关系本座说”对国际私法的影响的文献综述论文题目：论“法律关系本座说”对国际私法的影响 法学072班 074050428 徐元媛 作为国际私法经典学说之一的“法律关系本座说”，一直备受研究者的关注而形成了诸多研究成果，它们或以学术专著为载体，或以学术论文的面目示人，主要围绕以下一些方面的问题展开讨论。 一、关于“法律关系本座说”的成因 萨维尼从根本上颠覆了冲突法主题的关注方式，而被公认为是冲突法世界的“哥白尼”。在实体法与超越实体法之间，萨维尼的独特身份、优雅节制的精神操守、先人的历史储备以及法律关系的格致工夫，这一切的风云际合为萨维尼奠定了重估一切价值所必不可少的历史机缘。因了这份缘分，冲突法革命在萨维尼的身上灿烂生发。①萨维尼对法律冲突问题进行了重估一切价值的尝试，因而最终产生了“法律关系本座说”这一据说是他“其他著作都比不上的最高影响”的理论成果。②关于“法律关系本座说”的成因，现有文献主要是从社会背景和哲学渊源两个方面进行了分析。 （一）社会背景 在18世纪末期，德意志仍然处于资本主义手工业的初级阶段，资本主义关系的发展非常微弱和缓慢。整个德意志处于封建农奴制和封建分裂割据局面。在德意志各邦国中，对历史发展具有重大影响的是普鲁士王国，也就是萨维尼的祖国。在普鲁士王国的发展过程中，“容克”始终是中坚力量，是这个国家的统治阶级。市民阶级在普鲁士的力量非常微弱。因此，从王权集中这个意义上讲，普鲁士君主专制要比西欧强得多。这里始终也没有出现像“三级议会”、“国会”这种王权与资产阶级联盟的机构。因此，普鲁士资本主义因素相当薄弱。在政治上，普鲁士王国是几次反法联盟的中坚力量。由此，招致拿破仑沉重的军事打击和异族的政治统治。法国大革命和拿破仑战争，是德意志民族觉醒的警钟，法国大革命提供了民族团结的范例，宣告了各民族的自由、平等，拿破仑在德意志以“革命者”的身份出现，同时又充当了贪得无厌的掠夺者。这就从正反两方面启动了德意志的民族意识和民族主义运动。从1800年起，德意志掀起了猛烈的民族运动。尽管这个时期民族主义是保守主义和自由主义的结合，但目标是一致的：要求民族团结，反对民族压迫，恢复德意志的独立性。 正是在这样的时代背景下，出现了一位法学宗师萨维尼，也产生了这位法学家伟大的法学思想。③（二）哲学渊源 ①张春良：《重估一切价值的尝试：萨维尼冲突法革命发生学之究竟》，《贵州大学学报（社会科学版）》2009第6期。 ②杜涛：《德国国际私法：理论、方法和立法的变迁》，法律出版社2006年版，第183页。
半导体材料有哪些
半导体材料有哪些 半导体材料有哪些 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。 延伸 半导体材料是什么？ 半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。 自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而升高，这与金属导体恰好相反。 凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体半导体材料内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。 半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构，所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿（ZnS）的结构。由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物，例如方铅矿
半导体光催化综述
硫及金属硫化物-类石墨相氮化碳纳米复合材料的制备，表征及其光催化性能的研究
第一章绪论 自18世纪60年代的第一次工业革命到现在以来，科学技术迅猛发展、日新月异。工业革命（第一次科技革命）以瓦特的蒸汽机的发明为标志，宣告了人类社会由原来的火器时代，进入到了蒸汽时代。第二次科技革命发生在19世纪70年代，在这个时期，自然科学取得了飞速的进展，由于资本主义制度的逐渐形成和完善，资本主义国家为了生存和发展，开始了大量的对世界资源进行掠夺。两次工业革命对然建立了世界的初步两极格局，但是两次科技革命的功劳还是不容忽视的，它们推动了传统的农业，手工业向现代化工业以及机器化工业的飞速发展，并且带给了人类社会巨大的物质财富，在资本主义国家逐利的对外扩张过程中，不可否认的是它们的争斗促进了人类文明的进步和繁荣。但是，当资本家们在大力发展社会生产力，提高生活水平的同时，对环境也造成了严重的破坏，至今，已严重威胁着我们所处在的的生存环境。 特别是在进入20世纪50年代之后的第三次科技革命；随着工业现代化进程的加快，人类向所生存的环境排放了大量的生产废水、废气，它们其中含有大量的有毒污染物如医用药品、农药、工业染料、表面活性剂和含有重金属离子的溶液等，含有上述物质的这些废水给人类的健康和生存环境带来巨大的威胁。而且在上述这些污染物中，用传统的处理方法很难将其完全消灭和降解。废水中的很多有机化合物能使水中的厌氧微生物发生异变，从而产生明显的毒害作用；所以必须创造出一些其它的非生物的降解技术来除去这些有机化合物[1-3]。因此，开发一种简便、有效、快捷、无害的方法来治理水体污染和大气污染是当前社会一个亟待解决的问题。并且，社会现代化的发展需要消耗大量的能源，据专家分析，传统的化石能源已经不能继续维持人类社会的长期发展，而且传统的化石能源的使用是当前引发严重环境问题的万恶之源。所以，环境问题和能源问题是21世纪可持续发展战略的两大亟待解决的严重问题。
文献综述(江西财经大学)
普通本科毕业论文(设计)文献综述 论文(设计)题目浅析会计人员的诚信品质 学院会计学院 学生姓名杜丰林学号 0060828 专业会计学（注册会计师方向）届别 2010届 指导教师张伟峰职称讲师 完成日期二○一〇年十二月十五日
文献综述 前言 本毕业论文题目是《浅析会计人员的诚信品质》，在21世纪初，会计诚信成为了流行词，但却是同会计诚信缺失联系在一起。会计诚信缺失是会计行业亟需解决的问题，原因在于会计诚信是会计行业的生存之本，会计行业缺失了诚信，也就失去最基本的发展条件。近年来会计面临“诚信危机”，表现为会计信息严重失真，假账盛行，非诚信行为已成为一个全球性的难题。虚假的会计信息披露，暴露出会计道德失范、诚信缺失，是社会公众深感会计“信用危机”。诚信缺失，严重影响了经济主体和社会各界的声誉，增加了交易成本，加大了企业生存的隐形危机，降低了经济运行效率，影响社会正常的秩序，显然，随着市场经济的发展，会计诚信问题已经在影响着整个社会的方方面面，当前，我国正致力于建立社会主义市场经济。市场经济既是严格的法制经济，又是严格的信用经济，它的确立和发展内在地需要讲究诚信的道德力量。作为经济主体，在市场中能体会到自律的必要性、重要性而产生对自我行为进行约束的要求，自觉按照市场经济道德规范，这是整个市场经济规范的基础和灵魂。我国在各种各样法律法规不断出台的情况下，会计领域各种丑恶现象却与日俱增，其中不可忽视的一个重要原因就是会计从业人员存在严重的不守诚信的道德问题。当前正值全球性金融危机，面对“经济寒流”的严峻态势，重塑会计诚信，已经成为会计行业亟待解决的重大问题。本文以会计人员诚信品质为对象，以探求解决上述问题的部分对策。正文 1.国内相关研究现状 我国的会计诚信体系建设分为三个时期：20世纪90年代初到90年代中后期是第一阶段的起步时期；20世纪90年代末开始进入第二阶段的发展时期；2l世纪初期开始进入了第三阶段的完善时期。因此我国的会计诚信研究处于完善阶段，在一些具体的策略和制度制定研究上经验不足，还不能够制定出一整套真正有效的诚信体系。我国会计造假事件屡禁不止，相继出现银广夏、麦科特、中航油等造假事件，会计信息严重失真，会计人员的诚信品质问题受到越来越多的关注，人们开始审视作为会计信息制造者的会计人员是否具有优秀的诚信品质，以及如何