光电检测试题

A. 禁带

B. 价带

C. 导带

D. 满带

3．在给定λl～λ2波长范围内，某一辐射源发出的辐射通量与产生这些辐射通量所需的电功率之比，称为（ B ）.

A. 辐射效率

B. 发光效率

C. 光谱功率

D. 空间光强

4. 热效应较大的光是（ C ）.

A. 紫光

B. 红光

C. 红外

D. 紫外

5．结型光电器件与三极管连接，保证放大，要接在( C ).

A.集射极间短路

B. 基集极间短路

C. 基射极间正偏

D. 基集极间反偏

6. 为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求( A ).

A.浓度均匀

B. 浓度大

C. 浓度小

D. 浓度适中

7. 波长为10 μm的光线属（ C ）。

A. 近红外线

B.中红外线

C. 远红外线

D.极远红外线

8．光纤折射率纤芯n1、包层n2、外套n 3的关系是（ B ）.

A. n1> n2> n3

B. n1> n3> n2

C. n3> n2> n1

D. n2> n3> n1

9．波长为1mm的波属于（ B ）．

A. 远红外线

B. 太赫兹波

C. 可见光

D. X射线

10．硅光电二极管与硅光电池比较，前者（ A ）．

A．掺杂浓度低B．电阻率低

C．零偏工作D．光敏面积大

11．卤钨灯是一种( B ).

A.气体光源

B. 热光源

C. 冷光源

D. 激光光源

12. 下列光源中，最佳的彩色摄影用光源是（ A ）．

A．氙灯B．氢灯

C．汞灯D．汞氙灯

13. 光的发射，属于受激发射的器件是（ A ）.

A. LD

B. LED

C. CCD

D. PMT

14．在光电倍增管中，产生光电效应的是( A ).

A．阴极 B. 阳极 C. 倍增极 D. 玻璃窗

15．像管中（ D ）的出现和使用，成为了第一代像管出现的标志性部件。

A.负电子亲和势阴极；

B.电子光学系统；

C．微通道板MCP； D.光纤面板

16．半导体结中并不存在（ D ）．

A. PN结

B. PIN结

C. 肖特基结

D.光电结

17．光通量是辐射通量的（ A ）倍.

A. 683

B. 1/683

C. 863

D. 1/863

18

．

A

B C D

19 D

A. 氙灯

B. CO2激光器

C. 氦氖激光器

D. 飞秒脉冲激光器

20．面阵CCD主要是通过（ A ）工作.

A. 电荷

B. 电压

C. 电流

D. 电阻

二、多项选择题（每题2分，共10分）

1. 光电效应有（ABCDE ）。

A.光电导效应

B.光生伏特效应

C. 内光电效应

D.丹培效应

E.光子牵引效应

2. 面阵CCD种类有( ABC ).

A. FT

B. ILT

C. FIT

D. FF

E. I I

3. 线阵CCD的组成包括（ABCDE ）.

A. ID

B. IG

C. OD

D. OG

E. MOS

4. CCD的种类有（ABCDE ）.

A. 红外CCD

B. 可见光CCD

C. X射线CCD

D. 紫外CCD

E. 微光CCD

5. 依热效应分，热探测器种类有（ABCDE ）.

A. 辐射热计

B. 辐射热电偶

C. 辐射热电堆

D. 热释电探测器

E. 高莱管

三.填空题(每空1分,共10分)

1.光电二极管的PN结工作在反偏状态，它的反向电流会随光照强度的增加而增加。

2．吸收量M与投射的辐射线量E的比率称为吸收系数.

3．斯忒藩----玻耳兹曼定律，某一温度物体总辐出度为σT4．

4．按光波在时间、空间上的相位特征,将光源分为相干和非相干光源.

5．半导体受光照后电流增加的现象，称为光电导效应.

6. S(λ)＝U(λ)/Ф(λ），S(λ)称为光电器件的光谱灵敏度

7.人眼按不同照度下的响应可分为明视觉、暗视觉。

四.简答计算题(共40分)

1. 什么是热光源？（5）

物体由于温度较高而向周围温度较低环境发射热量的形式称为热辐射，这种物体称为热辐射源。

2. 简述LED的发光原理。（10分）

光电二极管在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。

3. 何谓“白噪声”？何谓“1/f噪声”？要降低电阻的热噪声应采用什么措施？（10）

答：功率谱大小与频率无关，称为白噪声；功率谱与1/f成正比，称为1/f噪声。热噪声功率公式看出，热噪声与温度、频宽、电阻的倒数成正比，因此要降低温度；常温时，工作范围要在1012Hz频率以下。

4. 图为一理想运算放大器，对光电二极管2CU2的光电流进行线性放大，若光电二极管未受光照时，运放输出电压U0=0.6V。在E=100 lx的光照下，输出电压U1=2.4 V。求：（1）2CU2的暗电流；（2）2CU 2的电流灵敏度。（15分）

已知：U0=0.6V，E=100 lx，U1=2.4 V 求I D和S E

解：(1) 根据运算放大器虚短和虚断原理，由于运算放大器电阻很大，两输入端的信号差值很小，近似为零，估算2CU2中电流

则流过R上的电流I0近似为流过2CU2的暗电流为I D

I0＝I D＝U0/R＝0.6V/1.5MΩ＝0.4×10-6A=0.4μA

(2)当受到光照时，2CU2的电流

I P＝U1/R ＝2.4/1.5＝1.6 μA

又I P＝S E E

∴S E＝I P/E＝1.6μA/100 lx＝1.6×10－8(A/lx)

河南大学物理与电子学院200 -200 学年第学期期末考试

光电检测技术题库试卷（二）参考答案

一单项选择题（每小题2分,共40分）

1．光度量是辐射度量的（ C ）倍．

A.683

B. V（λ）

C.683 V（λ） D . 1/683 V（λ）2．波长为500nm的波属于（ C ）．

A. 远红外线

B. 太赫兹波

C. 可见光

D. X射线

3．任何温度下对任何波长的入射辐射能的吸收比都小于1，称为（B ）.

A．黑体B．灰体C．黑洞D．绝对黑体

4．半导体中受主能级的位置位于（ A ）中.

A. 禁带

B. 价带

C. 导带

D. 满带

5．斯忒藩----玻耳兹曼定律为（ A ）。

A. σT 4

B. σT2

C. Tλm＝B

D. α(λ,T)= ε(λ,T)

6. 热敏电阻的种类不包括（ D ）.

A. PTC

B. NTC

C. CTC

D. ZTC

7. 属于相干光源的是（ C ）.

A.气体放电灯

B. 黑体辐射器

C. 固体激光器

D. 发光二极管

8．下列光源中，最佳的彩色摄影用光源是（ A ）．

A．卤钨灯B．氘灯C．汞灯D．汞氙灯

9．属于成像的器件是（ C ）.

A. LD

B. LED

C. CCD

D. PMT

0．充气卤钨灯是一种( B ).

A.气体光源

B. 热光源

C. 冷光源

D. 激光光源

11．TDICCD表示的是（ B ）CCD．

A. 增强型;

B. 时间延迟型;

C. 电子轰击模式;

D. 红外．

12．热效应较小的光是（ D ）.

A. 紫光

B. 红光

C. 红外

D. 紫外

13．在光电倍增管中，产生二次电子发射的是( C ).

A．阴极 B.阳极 C. 倍增极 D. 玻璃窗

14．光纤纤芯、包层、外套的折射率n1、n2、n0的关系是（ D ）.

A. n1> n2> n0

B. n2> n0> n1

C. n0> n2> n1

D. n1> n0> n2

15．光照一定，短路电流与入射光波长的关系，属光电池的( C )特性：

A. 频率;

B. 伏安;

C. 光谱;

D. 温度．

16．像管中（ C ）的出现和使用，成为了第二代像管出现的标志性部件。

A.负电子亲和势阴极；

B.电子光学系统；

C．微通道板MCP； D.光纤面板

17．充气白炽灯主要充入（ A ）.

A. 氩气

B.氙气

C. 氖气

D.氪气

18．硅光电二极管与硅光电池比较，后者（ B ）．

A．掺杂浓度低B．电阻率低

C．反偏工作D．光敏面积小

19．线阵CCD主要是通过（ A ）工作.

A. 电荷

B. 电压

C. 电流

D. 电阻

20．彩色CCD有（ C ）种.

A. 1

B. 2

C. 3

D. 4

二、多项选择题（每题2分，共10分）

1．固体发光器件有（ABCDE ）。

A. LCD

B. PDP

C. ECD

D. EPD

E. VFD

2. 结型光电器件的特点( ABCDE )：

A. 有极性

B. 灵敏度与光源光谱有关

C. 响应速度决定于RC

D. 参量与温度有关E．易受电磁场干扰

3．光电池有（ABCD）种类。

A. 硅光电池

B. 硒光电池

C.锗光电池

D. 砷化镓光电池

E.锂光电池

4. 热敏电阻的种类有（ABC ）。

A. PTC

B. NTC

C. CTC

D. WTC

E. ZTC

5. 光电效应有（ABCDE ）。

A.光电导效应

B.光生伏特效应

C. 光电效应

D.光磁电效应

E.光子牵引效应

三.填空题(每空1分,共10分)

1．吸收比是物体吸收量与投射的辐射能量的比值.

2．FTCCD指的是帧转移型CCD.

3．紫外光的热辐射比红外光小．

4. 光电池的PN结工作在零偏状态，它的开路电压会随光照强度的增加而增加。

．光源单位时间内向所有方向发射的能量，称为辐功率（辐通量）．

8．半导体受光照，在结区两边产生势垒的现象称光生伏特效应．

9．光在光纤内形成驻波的光线组称为模．

四.简答计算题(共40分)

1. 试述光电二极管与光电池的区别。（8分）

区别有四：光电二极管电阻大、掺杂小、面积小、反偏工作；光电池电阻小、掺杂大、受光面积大、电阻小、无偏状态工作。

2. 什么是外光电效应？（8分）

外光电效应是指，光照射在金属上，金属向外发射电子的效应。

3. 为什么结型光电器件在正向偏置时没有明显的光电效应？必须工作在哪种偏置状态？（12分）

1）正偏效果―――正向导电，电场电流IF较大；光照电流IP相对来说可以忽略，即有无光光照基本上不影响电流大小；正偏时起不到光电检测效果。

2）零偏置或反偏效果―――无光照时有暗电流，即反向饱和漏电流,其值很小，几乎为零；有光照时，电子空穴对增加，光照电流较大，有无光照反差较大，可以作为检测元件，进行光电检测。因此结型器件必须工作在零偏置或反偏工作状态。

4.现有GDB－423型光电倍增管的光电阴极面积为2 cm2，阴极灵敏度S k 为25μA/lm，倍增系统的放大倍数为105，阳极额定电流为20 μA，求允许的最大光照。（12分）

已知S k=25μA/lm A k=2 cm2=2×10-4m2M=105 I P=20 μA 求E max=?

解：依公式S k= I k / Φ I k = I P / M

Φ= I k / S k= I P / M S k= 20 μA/105/(25μA/lm)=0.8×10-5(lm)

E=Φ/S=0.8×10-5 (lm)/ 2×10-4m2=0.04 (lx)

最大光照度为0.04 lx。

5. 光电效应有（ABCDE ）。

A.光电导效应

B.光生伏特效应

C. 光电效应

D.光磁电效应

E.光子牵引效应

解：依公式S k= I k / Φ I k = I P / M

Φ= I k / S k= I P / M S k= 20 μA/105/(25μA/lm)=0.8×10-5(lm)

E=Φ/S=0.8×10-5 (lm)/ 2×10-4m2=0.04 (lx)

最大光照度为0.04 lx。

河南大学物理与电子学院200 -200 学年第学期期末考试

光电检测技术题库试卷（三）参考答案

一、单项选择题（每小题2分,共40分）

1．白炽灯是一种( B ).A.气体光源 B. 热光源C. 冷光源 D. 激光光源2．维恩位移定律为（ C ）。

A. σT 4

B. σT2

C. Tλm＝B

D. α(λ,T)= ε(λ,T)

3．ICCD表示的是（ A ）CCD．

A. 增强型;

B. 时间延迟型;

C. 电子轰击模式;

D. 红外．

4．波长为2mm的波属于（ B ）．

A. 远红外线

B. 太赫兹波

C. 近红外线

D. X射线

5．在给定λl～λ2波长范围内，某一辐射源发出的光通量与产生这些光通量所需的电功率之比，称为（ B ）.

A. 辐射效率

B.发光效率

C. 光谱功率

D.空间光强

6．在发光二极管中，产生发光的是在( C ).

A．P区 B. N区 C. 结区 D. 玻璃窗

7．半导体中施主能级的位置位于（ B ）.

A. 禁带低

B. 禁带顶

C. 导带顶

D. 价带低

8．像管中（ A ）的出现和使用，成为了第三代像管出现的标志性部件。

A.负电子亲和势阴极；

B.电子光学系统；

C．微通道板MCP； D.光纤面板

9．光纤中光传播的条件是（ D ）.

A. 光入射角大于临界角

B. 光入射角小于临界角

C. 光入射角等于临界角

D. 光入射角大于等于临界角

10．属于自发辐射的光源是（ B ）.

A. LD

B. LED

C. CCD

D. PMT

11．下列光源中，最佳的彩色摄影用光源是（ A ）．

A．镝灯B．氘灯C．汞灯D．汞氙灯

12．在大气层外的卫星上，测得太阳光谱的峰值波长为456.0 nm。求出太阳表面的温度。( A ).

A．6353K B. 7353K C. 3353K D. 8353K

13．激光发光是( B) :

A. 自发辐射

B.受激辐射

C. 热辐射

D.电致发光

14．光敏电阻的主要作用是( D ):

A. 光电检测

B. 红外探测

C. 光电开头

D. 光电探测与控制

18．数值孔径表示为（ B ）．

A ．212201

sin n n n c -=θ B ． 222101sin n n n c -=θ C ．222011sin n n n c -=θ D ． 20

2121sin n n n c -=θ 16. D ）。

A. 近红外线

B. 中红外线

C. 远红外线

D. 极远红外线

17．光电倍增管的高压模块，其输入电压一般为直流( D ).

A ．1000V

B ．100V

C ．10000V

D ．15V

18．充气白炽灯主要充入（ B ）.

A. 氢气

B.氮气

C. 氖气

D. 氪气

19．对于同一种型号的光敏电阻来讲，在不同的光照度和不同环境温度下，其光电导灵敏度与时间常数（ B ），如果照度相同而温度不同时，二者（B ）.

A ．相同；不同；

B ．不同；不同；

C ．不同；相同；

D ．相同；相同。

20．辐通量是光通量的（ B ）倍.

A. 683

B. 1/683

C. 863

D. 1/863

二、多项选择题（每题2分，共10分）

1. 热效应相对较大的三个光和物体是（ BCE ）.

A. 紫光

B. 红光

C. 高温物体

D. 低温物体

E. 低频率的光 2. 属于相干光源的是（ CE ）.

A.气体放电灯

B. 黑体辐射器

C. 固体激光器

D. 发光二极管

E. 气体激光器

3．光电传感器的常用光电元件（ ABCD ）.

A. 普通光电二极管

B.雪崩光电二极管

C. 光电晶体管

D. 肖特基光电二极管

E. 光电耦合器件

4. 光子探测器有（ ABCDE ）类型.

A ．外光电效应

B ．内光电效应

C ．光电导效应

D ．光生伏特效应 E. 磁光效应

5. 结型光电器件的特点 ( ABCDE )：

A. 有极性

B. 与光强弱有关

C. 响应速度决定于RC

D. 暗电流 E ．灵敏度与频带宽度乘积为常数

三.填空题 (每空1分,共10分)

1． 吸收量 与投射的辐射线量的比率，称为吸收比.

2．ILTCCD 指的是行间转移型CCD.

3．不需加偏置电压就能把光转化为电的器件，称为 光电池 ．

4．金属电阻具有 正 温度系数.

5．光电二极管需要 反 偏工作．

6．Φ

=K k I S 称为 阴极灵敏度。

7.人眼的明视觉完全由锥状细胞起作用。

8.光电倍增管阴极和第一倍增极间、末级和阳极之间的电压应设置与电源电压无关。

9.光敏电阻的阻值与环境温度有关，光照升高光敏电阻的阻值降低。

四.简答计算题(共40分)

1. 什么是内光电效应？（5分）

光照射在半导体材料上，能改变材料电导效应或产生光生伏特效应

2. 说出PIN管、雪崩光电二极管的工作原理和各自特点，为什么PIN管的频率特性比普通光电二极管好？（10分）

PIN快速光电二极管、消除在PN结外光生载流子的扩散运动时间,在P区与N区之间插入一层电阻率很大的I层、耗尽层厚度增加，增大了对光的吸收和光电变换区域，提高了量子效率。结电容小，增加了对长波的吸收，提高了长波灵敏度，可承受较高的反向偏压，使线性输出范围变宽。

雪崩光电二极管掺杂浓度均匀,缺陷少,漏电流小, APD的结构设计，使它能承受高的反向偏压，从而在PN结内部形成一个高电场区，结区产生的光生载流子受强电场的加速，将获得很大的能量，在与原子碰撞时可使原子电离，产生新的电子－空穴对，在往下的过程中重复此情况，使PN结的电流急剧增加。特点：APD能提供内部增益达一百到一千倍、0.5ns响应时间、噪声功率10-15W、接近反向击穿。工作速度更高。

PIN管由于增加了I层，使结变宽，结电容减小，因而时间常数变小，f=1/2πRC,所以频率特性好。

.试说明光伏效应原理。（6分）

PN结光伏效应―――PN结受光照，产生光生电子空穴对，由势垒产生的内建电场了与内建电场相反的光伏电场使它们在空间分开在结区两侧，而产生电位差的现象

（将空穴拉到P区，电子拉到N区，最后在结区产生与内建电场相反的光生电动势）或说光照使内建电场削弱，相当于产生了与内建电场相反的光伏电场。

4.光敏电阻R与R L=2kΩ的负载电阻串联后接于U b=12 V的直流电源上，无光照时负载上的输出电压为U1=20 mV，有光照时负载上的输出电压U2=2 V。求：

①光敏电阻的暗电阻和亮电阻值；

②若光敏电阻的光电导灵敏度S g=6×10-6s／lx，求光敏电阻所受的照度。

(14分)

已知R L=2kΩ；U b=12 V；U1=20 mV；U2=2 V

求1）R

亮和R

暗

；2）求E＝？

解：1）依公式U＝IR U1＝I1R L I1＝U1/R L＝20×10－3/2×103＝1×10－5 U b-U RL=U RP=12-20×10-3

R暗=U RP/ I1＝12-20×10-3/1×10－5＝1.2×106Ω＝1.2MΩ

U2＝I2R L I2＝U2/R L＝2/2×103＝1×10－3

U b-U RL=U RP=12-2＝10V

R亮=U RP/ I2＝10/1×10－3＝10×103Ω

2）依S g＝g/E和g= 1/ R

E=g/ S g=1/10×103/6 × 10-6=16.66 lx

河南大学物理与电子学院200 -200 学年第学期期末考试

光电检测技术题库试卷（四）参考答案

一单项选择题（每小题2分,共40分）

1．PN结光生伏特效应( A ).

A. 空穴集中的P区结表面； B . 空穴集中的N区；

C. 空穴集中的P区外表面；

D. 空穴集中的N区外表面.

2．基尔霍夫定律为（ D ）。

A. σT 4

B. σT2

C. Tλm＝B

D. α(λ,T)= ε(λ,T)

3．辐射量是光度度量的（ D ）倍．

A.683

B. V（λ）

C.683 V（λ） D . 1/683 V（λ）

4. 太阳光经过大气，其中100nm～200nm的光被（ A ）吸收.

A．氧分子B．臭氧C．二氧化碳D．氮原子

5．下列光源中，最佳的彩色摄影用光源是（ A ）．

A．白炽灯B．钠灯C．高压汞灯D．汞氙灯

6. 氙灯是一种( A ).

A.气体光源

B. 热光源

C. 冷光源

D. 激光光源

7. 充气白炽灯主要充入（ B ）.

A. 氢气

B. 氯化碘

C. 氖气

D. 氪气

8．某一干涉测振仪的最高频率为20 MHz，选用探测器的时间常数应小于多少？( A ).

A. 8×10-9s

B. 6×10-8s

C. 3×10-7s

D. 4×10-5s

9．光电池电流滞后于光照，属于光电池的( A )特性：

A. 频率;

B. 伏安;

C. 光谱;

D. 温度．

10．发光二极管的工作条件是( B ).

A．加热 B. 加正向偏置 C. 加反向偏置D. 加光照

11．EBCCD表示的是（ C ）CCD．

A. 增强型;

B. 时间延迟型;

C. 电子轰击模式;

D. 红外．

12. Ag－O－Cs 材料，主要用于( A )变像管光阴极．

A. 红外

B. 紫外

C. 可见

D. X射线

13. 辐通量相同时，光通量较大的光的波长是（ A ）nm．

A.555

B.590

C.620

D.780

14. ZnS的发光是( D ) :

A. 自发辐射

B.受激辐射

C. 热辐射

D.电致发光

15．半导体中受主能级的位置位于（ A ）.

A. 禁带低

B. 禁带顶

C. 导带顶

D. 价带低

16．下面哪个不属于摄像管的功能( D ).

A. 光电变换

B. 电荷积累

C. 扫描输出

D. 信号变换

17．波长为40μm 的波属于（ B ）．

A. 中红外线

B. 太赫兹波

C. 可见光

D. 无线电波

18．结型光电器件与三极管连接，保证放大，要接在( A ).

A. 基射极间正偏

B. 基集极间正偏

C. 基射极间反偏

D. 基集极间正偏

19．属于激光光放大的器件是（ A ）.

A. LD

B. LED

C. CCD

D. PMT

20．目前最好反隐身战术主要通过( B )来实现.

A ．红外技术

B ．微波技术

C ．THz 技术

D ．微光技术

二、多项选择题（每题2分，共10分）

1．结型红外探测器件种类有（ ABCDE ）。

A. 同质结

B. 异质结

C. 肖特基结

D. 雪崩管

E. 量子阱

2. 属于非相干光源的是（ ABD ）.

A.气体放电灯

B. 黑体辐射器

C. 固体激光器

D. 发光二极管

E. 气体激光器

3．光电倍增管的主要参数有（ ABCDE ）。

A. 阴极灵敏度

B.阳极灵敏度

C. 暗电流

D. 放大倍数

E.线性

4. 光电传感器使用的光电元件有（ ABCDE ）.

A.光电导体

B.光电倍增管

C. 光电晶体管

D. 肖特基光电二极管

E. 光电耦合器件

5. 热敏电阻的种类包括（ ABC ）.

A. PTC

B. NTC

C. CTC

D. ZTC

E. ETC

三.填空题 (每空1分,共10分)

1．吸收比小于1，且对各种光的吸收都相同的物体称为 灰体 .

2．Φ

I S a a 称为光电倍增管的 阳极灵敏度 。 3．人眼的暗视觉完全由 杆 状细胞起作用。

4．输入脉冲在光纤中，由于光波的群速度不同而出现的脉冲展宽现象，称为 色散 ．

5．FITCCD 指的是帧行间转移型CCD.．

6．真空能级E 0和导带底能级E c 之差称为电子亲和势．

7. 温度升高时，半导体热敏电阻的阻值 减少 ．金属电阻值 增加 .

8. 按照光纤在检测系统中所起的作用分类，光纤传感器包括 功能型 传

感器和非功能型传感器

四.简答计算题(共40分)

1.什么叫光伏效应？(5分)

半导体受光照，产生电子－空穴对，在结电场作用下，空穴流向P区，电子流向N区，在结区两边产生势垒的效应。

2.光敏电阻与结型光电器件有什么区别？（10）

（1）产生光电变换的部位不同。光敏电阻不管哪一部分受光，受光部分的电导率就增大；而结型器件，只有照射到PN结区或结区附近的光才能产生光电效应，光在其他部位产生的非平衡载流子，大部分在扩散中被复合掉，只有少部分通过结区，但又被结电场所分离，因此对光电流基本上没有贡献。

（2）光敏电阻没有极性，工作时可任意外加电压；而结型光电器件有确定的正负极性，但在没有外加电压下也可以把光信号转换成电信号。

（3）光敏电阻的光电导效应主要依赖于非平衡载流子的产生与复合运动，时间常数较大，频率响应较差；结型器件的光电效应主要依赖于结区非平衡载流子中部分载流子的漂移运动，电场主要加在结区，弛豫过程的时间常数（可用结电容和电阻之积表示）相应较小，因此响应速度较快。

（4）光敏电阻内增益大。有些结型光电器件，如光电三极管、雪崩光电二极管等有较大的内增益作用，因此灵敏度较高，也可以通过较大的电流。

光电导器件（光敏电阻）和结型器件相比各有优缺点，因此应用于不同场合。3.负电子亲合势光电阴极的能带结构如何？它具有哪些特点？（10分）答：真空能级降到导带之下；量子效率高、光谱响应率均匀，且光谱响应延伸到红外、热电子发射小、光电子的能量集中。

4.已知 CdS光敏电阻的最大功耗为 40 mw，光电导灵敏度S g=0.5 × 10-6s ／lx，暗电导g0=0，若给 CdS光敏电阻加偏置电压20 V，此时入射到 CdS光敏电阻上的极限照度为多少勒克司？

解: 已知 W＝40mW S g=0.5 × 10-6s／lx; 暗电导g0=0 V＝20V 求E ＝？

因光敏电阻的阻值不随外电压变化，仅取决于光能量。暗电导可忽略

1）W＝IU I=W/U又因为I＝gU g= I/U = W/U2 =（40×10－3）/202＝10-4（S）

2）又因为S g＝g/E E=g/ S g=10-4/(0.5 × 10-6s/lx)=2×102(lx) 答：此时入射到 CdS光敏电阻上的极限照度为2×102勒克司。

河南大学物理与电子学院200 -200 学年第学期期末考试

光电检测技术题库试卷（五）参考答案

一单项选择题（每小题2分,共40分）

1. 结型光电器件与三极管连接，保证放大，要接在( A ).

A.基射极间短路

B. 基集极间短路

C. 基射极间反偏

D. 基集极间正偏