中国科学院大学-2019年-硕士研究生入学考试大纲-804半导体物理
中国科学院大学硕士研究生入学考试
《半导体物理》考试大纲
本《半导体物理》考试大纲适用于中国科学院大学微电子学与固体电子学专业的硕士研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。
一、考试形式
（一）闭卷，笔试，考试时间180分钟，试卷总分150分
（二）试卷结构
第一部分：名词解释，约50分
第二部分：简答题，约20分
第三部分：计算题、证明题，约80分
二、考试内容
（一）半导体的电子状态：
半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，III－V族化合物半导体的能带结构，II－VI族化合物半导体的能带结构
（二）半导体中杂质和缺陷能级：
硅、锗晶体中的杂质能级，III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级（三）半导体中载流子的统计分布
状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体
（四）半导体的导电性
载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效应，热载流子，多能谷散射，耿氏效应
（五）非平衡载流子
非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式
（六）p-n结
p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应（七）金属和半导体的接触
金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触
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北京中国科学院大学2013年考研光学真题
（北京）中国科学院大学2013年考研光学真题中国科学院大学 2013 年招收攻读硕士学位研究生入学统一考试试题 科目名称：光学 考生须知： 1．本试卷满分为 150 分，全部考试时间总计 180 分钟。 2．所有答案必须写在答题纸上，写在试题纸上或草稿纸上一律无效。 3．可使用无字典存储和编程功能的计算器。 1. 概念题(15 分，每小题 3 分) 1) 解释光的反射定律和光的折射定律 2) 解释光学系统的孔径光阑和视场光阑 3) 解释辐照度和辐亮度 4) 同一个物体，经针孔与平面镜所成的像有何不同？ 5) 在夜晚的江面上，为什么路灯生成的倒影是拉得很长的一条光带？
2. 置于空气中的平凸薄透镜，其光焦度为 2 ?1m ，折射率为 1.5，求薄透镜焦距和凸面的半径。（6 分） 3. 有一个焦距为 200mm 的胶片照相机，在速度为 18km/h 的列车上拍摄 10m远的物体，如果拍摄的方向垂直于列车前进方向，求能够拍摄到清晰照片时，允许的最长曝光时间是多少？（假定人眼的极限分辨角为 1 角分）(8 分) 4. 显微镜目镜焦距为 25mm，使用此显微镜分辨清楚相邻 0.00075mm 的两个点，求需要选择物镜的倍率是多少？（假定人眼的视角分辨率为 1 角分，即 0.0003弧度）（8 分） 5. 一架 10×的开卜勒望远镜，物镜焦距为 100mm，求望远镜目镜焦距？与观察无限远目标相比，当用此望远镜观察距离 500mm 处的目标时，需要的调焦距离是多少？假定该望远镜的物镜和目镜之间有足够的调焦可能，求此时仪器的实际视放大率等于多少。(13 分)
6. 今有一振动方向与入射面的法线成45度角的线偏振光以48 37′角入射到玻璃空气界面上，玻璃折射率为n=1.51。试确定反射光的偏振状态(光电场矢量末端轨迹、旋向)。 (12 分) 7. 一束振动方向垂直于入射面的线偏振激光和一束太阳光分别以60 角斜入射到折射率为n = 1.5的窗玻璃上，若不计玻璃内的多次反射和折射，求其透过率，并说明它们透过窗玻璃后的偏振状态将发生怎样的变化。 (14 分) 8. 今有一波长为λ = 5μm 的红外光垂直入射到两表面镀有折射率为n = 2.35 膜层的锗片( n = 4 )上，膜层的光学厚度为 1.25μm，若不计吸收损耗，试计算该光透过锗片后光能的损失为多少？ (10 分) 9. 在杨氏实验中，点光源为中心波长λ = 500nm 、线宽?λ = 10nm 的复色光源，试求观察屏上最多能看到多少级干涉条纹。 (12 分)
中国科学院大学研究生课程学习及学分要求暂行规定
附件4 中国科学院大学 研究生课程学习及学分要求暂行规定 （2015年3月16日校长办公会议通过） 根据《中国科学院大学学位授予工作细则》、《中国科学院大学关于研究生课程设臵的指导意见》和《中国科学院大学研究生课程教学组织管理暂行规定》，结合中国科学院大学（以下简称“国科大”）研究生培养的实际情况，特制定本规定。 一、总则 1.本规定旨在规范国科大在学研究生有关学分要求、选课、考核等课程学习过程中的相关事项。此处“研究生”指的是在国科大正式注册的研究生，即按照国家招生计划录取的、在国科大校部和中国科学院所属各研究院、所、台、站、中心等单位（以下简称“研究所”）攻读硕士（以下简称“硕士生”）和博士学位的研究生，包括硕博连读研究生（以下简称“硕博生”）、直博生和普通招考博士研究生（以下简称“普博生”）。 2.国科大研究生的培养贯穿于国科大校部组织的集中教学阶段和在科研院所的科研实践阶段。集中教学阶段为期1个学年，一般包括秋季、春季和夏季学期。硕士生、硕博生、直博生须参加集中教学阶段的课程学习，
特殊情况须经国科大教学委员会批准。 二、学分要求 3.国科大研究生的培养实行学分制，研究生获得学位所需的学分，由课程学习学分和必修环节学分两部分组成，二者不能相互替代。必修环节包括开题报告、中期考核、学术报告和社会实践等部分，由各研究所依据国科大有关培养方案的规定，结合学科特点、研究生工作量等因素核定学分和完成期限。 4.硕士生申请硕士学位前，总学分应不低于35学分，包括课程学习30学分和必修环节5学分。课程学习包括学位课和非学位课的学习。学位课学分不低于18学分，其中，公共学位课6学分，专业学位课不低于12学分。非学位课中公共选修课不低于2学分。 专业学位硕士研究生在上述规定前提下，参照国科大相关培养方案，工程硕士必须修读《知识产权》、《信息检索》和《专业英语》三门公共课，共计4学分。 参加集中教学的硕士生，在集中教学阶段，课程学习总学分应不低于25学分，其中，公共学位课6学分，非学位课中公共选修课不低于2学分。 5.硕博生与直博生在申请博士学位前，总学分应不低于42学分，包括课程学习37学分和必修环节5学分。课程学习包括学位课和非学位课的学习。学位课学分不低于25
半导体物理学(第7版)第三章习题和答案
第三章习题和答案 1. 计算能量在E=E c 到2 *n 2 C L 2m 100E E 之间单位体积中的量子态数。 解： 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。 3 22 23 3*28100E 21 23 3 *22100E 002 1 233*231000L 8100)(3 222)(22)(1Z V Z Z )(Z )(22)(23 22 C 22 C L E m h E E E m V dE E E m V dE E g V d dE E g d E E m V E g c n c C n l m h E C n l m E C n n c n c ）（） （单位体积内的量子态数） （) (21)(,)"(2)()(,)(,)()(2~.2'2 1 3'' ''''2'21'21'21' 2 2222 22C a a l t t z y x a c c z l a z y t a y x t a x z t y x C C e E E m h k V m m m m k g k k k k k m h E k E k m m k k m m k k m m k ml k m k k h E k E K IC E G si ? 系中的态密度在等能面仍为球形等能面 系中在则：令） （关系为 ）（半导体的、证明： 3 1 23 2212 32' 2123 2 31'2 '''')()2(4)()(111100)()(24)(4)()(~l t n c n c l t t z m m s m V E E h m E sg E g si V E E h m m m dE dz E g dk k k g Vk k g d k dE E E ?? ? ? ）方向有四个， 锗在（旋转椭球，个方向，有六个对称的导带底在对于即状态数。 空间所包含的空间的状态数等于在
2020年中国科学院大学地图学与地理信息系统考研招生情况、分数线、参考书目、录取名单、备考经验
一、资源与环境学院简介 中国科学院大学资源与环境学院（资环学院）成立于2004年，是中国科学院大学的基础学院之一。著名自然地理学家秦大河院士任名誉院长，著名环境科学专家江桂斌院士任院长。师资队伍及科研遵循“三统一、四融合”的科教融合办学方针，资环学院由中国科学院生态环境研究中心承办，地理科学与资源研究所与植物研究所协办。学院与欧美、日本、澳大利亚等国家的大学和研究机构有着密切的学术合作，具有多个硕、博士生联合培养项目，为有志于出国深造的研究生开辟了一条便捷途径。资源与环境学院的研究生除了可申请教育部设立的各种奖学金外，还可以申请“中国科学院研究生奖学金”、“中国科学院院长奖学金”等各类奖学金，同时，实行“研究助理”、“管理助理”和“教学助理”制度，有利地保证了研究生正常生活与学习需求。 资源与环境学院2019年预计招收硕士学位研究生30名（包括: 预计接9收推免生10名；环境材料与污染控制技术研究中心约4名；建筑研究与设计中心约4名）。 二、中国科学院大学地图学与地理信息系统专业招生情况、考试科目 三、中国科学院大学地图学与地理信息系统专业分数线
2018年硕士研究生招生复试分数线 2017年硕士研究生招生复试分数线 四、中国科学院大学地图学与地理信息系统专业考研参考书目 843遥感概论： 1. 赵英时等，《遥感应用分析原理与方法》（第二版），北京：科学出版社2013. 2. 梅安新等，《遥感导论》，北京：高等教育出版社，2010. 3. 戴昌达等，《遥感图像应用处理与分析》，北京：清华大学出版社，200 4. 839地理信息系统： [1] 张康聪（Kang-tsung Chang）（作者）, 陈健飞等（译者），地理信息系统导论（第八版），科学出版社，2016年。 [2] 周成虎，裴韬等，2011. 地理信息系统空间分析原理，科学出版社。 841生态学： 1.戈峰主编，现代生态学（第二版），北京：科学出版社, 2008 2.李博主编，生态学，北京：高等教育出版社，2000 五、中国科学院大学地图学与地理信息系统专业复试原则 1.英语测试。满分100分，包括：英文自我介绍（不超过3分钟）（20分）、英文听力会话（30分）、科技文献翻译（50分）。 评分标准：从语法、词汇、表达与交流等方面考察综合运用英语的能力 2.业务能力测试。满分100分，包括：本科阶段课程学习情况；科研工作情况；专业知识问答。 评分标准： （1）现有专业知识与硕士期间计划从事的科研活动的吻合程度(20分) （2）掌握知识的广度、深度和扎实程度（20分）
半导体物理学期末复习试题及答案一
1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 （ B ）。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半 导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费 米能级会（ B ）。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数，它和（ B ）有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型 （ B ）。 A.相同 B.不同 C.无关 6.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 7.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。 A. 直接 B.间接 8.将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（ A ）杂质作
用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 9. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 （ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的 量子态被电子占据的概率为（ A ）。 A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 10. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中，AB 段代表 （ A ），CD 段代表（B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 11. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??=i D S n N q T k V ln 0 D. ??? ? ??≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 13. 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照
半导体物理学第七版 完整课后题答案
第一章习题 1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)与价带极大值附近 能量E V (k)分别为: E c =0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。试求： 为电子惯性质量，nm a a k 314.0,1==π (1)禁带宽度; （2） 导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; (4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1) eV m k E k E E E k m dk E d k m k dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064 30382324 30)(2320212102 2 20 202 02022210 1202==-==<-===-== >=+== =-+ηηηηηηηη因此：取极大值处，所以又因为得价带： 取极小值处，所以：在又因为：得：由导带： 04 3222* 83)2(1m dk E d m k k C nC ===η
s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.704 3)()()4(6 )3(25104300222* 11-===?=-=-=?=-==ηηηηη所以：准动量的定义： 2、 晶格常数为0、25nm 的一维晶格,当外加102V/m,107 V/m 的电场时,试分别计 算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解:根据:t k h qE f ??== 得qE k t -?=?η s a t s a t 13719282 1911027.810106.1) 0(1027.810106.1) 0(----?=??--= ??=??-- =?π πηη 补充题1 分别计算Si(100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提示:先 画出各晶面内原子的位置与分布图) Si 在(100),(110)与(111)面上的原子分布如图1所示: (a)(100)晶面 (b)(110)晶面
中国科学院大学学生户口使用
中国科学院大学学生户口使用指南 国科大学生处户籍办公室编 2015年3月 一、基本信息 1、国科大学生集体户口基本信息 户口首页地址：北京市海淀区中关村南一条3号 户口登记机关：北京市公安局海淀分局中关村派出所 户口类型：非农业集体户口 2、中关村派出所基本信息 办公地点：北京市海淀区中关村南三街甲15号（中国科学院行政管理局西侧） 办公时间：9:00-12:00，14:00-17:00 咨询电话： 3、国科大学生处户籍管理办公室基本信息 业务范围：新生户口落户，毕业生户口迁出，在校生户口卡借用、复印件及开具户籍证明 办公地点：北京市海淀区中关村东路80号（保福寺桥南）青年公寓东平房131室 咨询电话：（周末不上班，节假日及寒暑假另行通知） 4、国科大教职工、博士后集体户口由户籍办管理 联系电话： 二、新生户口迁移指南 1、学生户口是否需要迁到学校？ 学生进入中国科学院大学就读，可自愿选择是否将户口迁入学校集体户口。户口迁移仅限入学或离校（毕业/退学）时办理，在校期间无法将户口迁入或迁出。 2、学生户口迁入学校有何作用？ 学生在校就读期间将个人户口迁入学校集体户口，便于就近办理出入境证件及签证、结婚生育手续、无犯罪证明、公证以及其他需要户口材料的手续。不迁入集体户口不影响毕业后的留京落户。 3、哪些新生的户口可以迁到学校？ 由中科院北京地区研究所录取的非定向研究生，可自愿选择将户口迁入学校； 录取类型为定向、委托或非脱产自筹培养研究生，不能办理户口迁移手续；
已持有北京市、上海市常住家庭户口或工作单位集体户口的新生，户口不迁入学校； 春季入学/转博的研究生，可于当年9月份随秋季新生一起办理户口迁入。 4、新生户口迁入地址 由京外地区持《户口迁移证》迁入的新生务必确保迁移地址准确，否则无法落户。 5、新生户口迁移材料具体要求 ①从京外地区迁入的新生，需上交《户口迁移证》。迁移证中“出生地”和“籍贯”两项信息必须具体到市或县，且婚姻状况不得为空。如有遗漏必须返回迁出地派出所更正（手写更正处需盖章确认）或提交相应证明材料。否则不予接收，无法落户。 ②来自北京各高校的新生，需上交《常住人口登记卡》。户口卡中“出生地”和“籍贯”两项信息必须具体到市或县，且婚姻状况不得为空。如有遗漏必须返回原派出所更正，否则不予接收，无法落户。 6、新生如何办理北京市身份证？ 根据北京市公安机关规定，持《户口迁移证》入校的京外新生，可在入学时同时办理北京市居民身份证。办理时需采集个人照片及指纹，并缴纳工本费20元/人。具体时间安排请留意相关通知。 采集身份证照片时，请穿着深色有领衣服，露出眉毛及耳朵，勿佩戴首饰、发饰，勿化浓妆。7、新生入学多久后可以使用户口？ 因涉及信息核查、材料制作、指标审批等手续，入学新生（含春季、秋季新生）的户口一般要到当年12月底方可使用，具体时间以相关通知为准。启用同时发放京外迁入新生的北京市身份证。 三、在校生户口使用指南 1、在校生如何借用户籍材料？ 在校生借用户口，需首先到所在研究所（院系）研究生主管老师处开具借用户口的介绍信，准确填写借用事由，经办人签字后分别在骑缝处及落款位置加盖公章。于工作时间持介绍信及本人学生证到学生处户籍管理办公室办理相关事宜。 2、在校生如何办理出入境证件？（详见附件1） （1）因私出入境证件包括：普通护照、《往来港澳通行证》、《大陆居民往来台湾地区通行证》； （2）户口已迁至学校的在校生办理因私出入境证件，可直接进入北京市公安局网站在线预约，并持身份证原件及近期二寸免冠白底彩色照片（不需户口）前往预约受理大厅办理即可； （3）户口未迁入学校集体的在校生也可在京办理出入境证件，需首先进入北京市公安局网站在线预申请，申请审核通过后网上预约，根据预约的时间，持①个人户口簿原件及复印件②居民身份证
半导体物理学第七版完整答案修订版
半导体物理学第七版完 整答案修订版 IBMT standardization office【IBMT5AB-IBMT08-IBMT2C-ZZT18】
第一章习题 1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k) 分别为： E C （K ）=0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ （1）禁带宽度; （2）导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1） 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别计算电子 自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据：t k h qE f ??== 得qE k t -?=? 补充题1 分别计算Si （100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提 示：先画出各晶面内原子的位置和分布图） Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：
（a ）(100)晶面 （b ）(110)晶面 （c ）(111)晶面 补充题2 一维晶体的电子能带可写为)2cos 81 cos 8 7()22ka ka ma k E +-= （， 式中a 为 晶格常数，试求 （1）布里渊区边界； （2）能带宽度； （3）电子在波矢k 状态时的速度； （4）能带底部电子的有效质量* n m ； （5）能带顶部空穴的有效质量*p m 解：（1）由 0)(=dk k dE 得 a n k π = （n=0，?1，?2…） 进一步分析a n k π ) 12(+= ，E （k ）有极大值， a n k π 2=时，E （k ）有极小值
半导体物理学(刘恩科)第七版 完整课后题答案
第一章习题 1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近 能量E V (k)分别为： E c =0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ 0m 。试求： 为电子惯性质量，nm a a k 314.0,1== π （1）禁带宽度; （2） 导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1） eV m k E k E E E k m dk E d k m k dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43 (0,060064 3 382324 3 0)(2320 2121022 20 202 02022210 1202== -==<-===-==>=+===-+ 因此：取极大值 处，所以又因为得价带： 取极小值处，所以：在又因为：得：由导带： 04 32 2 2*8 3)2(1 m dk E d m k k C nC ===
s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.704 3 )() ()4(6 )3(25104 3002 2 2*1 1 -===?=-=-=?=- == 所以：准动量的定义： 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别 计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据：t k h qE f ??== 得qE k t -?=? s a t s a t 137 19 282 1911027.810 10 6.1)0(102 7.810106.1) 0(----?=??-- =??=??-- = ?π π 补充题1 分别计算Si （100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度 （提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图） Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示： （a ）(100)晶面 （b ）(110)晶面
中国科学院大学硕士研究生入学考试
中国科学院大学硕士研究生入学考试 《光学》考试大纲 一、考试科目基本要求及适用范围概述 《光学》考试大纲适用于“光学”、“光学工程”、“物理电子学”等专业的硕士研究生入学考试。本课程考试旨在考查学生对光学的基础理论、基本知识和基本技能掌握的程度，以及运用所学理论解决基本实际问题的能力。 二、考试形式和试卷结构 本课程考试形式为闭卷笔试，考试时间180分钟，总分150分。考试内容包括物理光学和应用光学两部分，各占比例约60%和40%。考试内容中基本概念和基本理论的考核占60%，综合和实际应用的考核占40%。主要题型有：简答题，计算题等。 三、考试内容 物理光学部分 （一）光的电磁理论基础 1. 光波的特性：光波场的数学表示，光波的速度，光波场的时域、空域频谱，光波场的横波性及偏振态表示。 2. 光波在介质界面上的反射和折射：反射定律和折射定律，菲涅耳公式，反射率和折射率，反射和折射的相位、偏振特性，全反射。 （二）光的干涉 1. 光波干涉的基本条件，光的相干性； 2. 双光束干涉、平行平板的多光束干涉； 3. 光学薄膜：增透膜，高反射膜，干涉滤光片； 4. 典型的干涉仪：迈克尔逊干涉仪，马赫-泽德干涉仪，法布里-珀罗干涉仪。 （三）光的衍射 1. 光衍射的基本理论； 2. 夫朗和费衍射：单缝衍射，圆孔衍射，多缝衍射，巴俾涅原理； 3. 菲涅耳衍射：菲涅耳圆孔衍射，菲涅耳直边衍射；
4. 衍射的应用：光栅，波带片，小孔、细线直径测量，狭缝测量； 5. 傅里叶光学基础。 （四）光在各向异性介质中的传播特性 1. 光在晶体中传播特性的解析法描述、几何法描述，光在各向同性介质、单轴晶体中的传播特性； 2. 平面光波在晶体界面上的反射和折射特性：双折射，双反射； 3. 晶体光学元件：偏振棱镜，波片和补偿器； 4. 晶体的偏光干涉； 5. 晶体的旋光性。 （五）晶体的感应双折射 1. 晶体的线性电光效应及应用； 2. 声光效应（喇曼-乃斯衍射、布喇格衍射）及应用； 3. 法拉第效应。 （六）光的吸收、色散和散射 光的吸收、色散和散射基本概念。 应用光学部分 （七）几何光学基础 1. 基本概念和基本定律：光的直线传播定律，折射和反射定律，费马原理，马吕斯定律； 2. 基本光学元件及其成像特性：符号规则，折射球面及其近轴区物像关系，反射球面镜及其近轴区物像关系，反射平面镜成像的特点和应用，平板的成像公式及其应用，反射棱镜及其成像，透镜及其成像，共轴球面光学系统及其成像。 （八）理想光学系统及其成像关系 1. 理想光学系统的基点和基面及其性质； 2. 图解法确定理想光学系统的物像关系和基点、基面； 3. 解析法确定理想光学系统的物像关系—成像公式和放大率公式； 4. 理想光学系统的组合（双光组组合公式、截距法和正切法求解多光组组合公式）。（九）光学系统像差基础和光路计算 1. 光学系统的像差及光路计算：像差的基本概念，共轴球面光学系统中近轴区的光路计算，共轴球面光学系统中子午面内光线的光路计算；
北京中国科学院大学2012年考研高分子化学与物理真题
（北京）中国科学院大学2012年考研高分子化学与物理 真题 中国科学院研究生院2012 年招收攻读硕士学位研究生入学统一考试试题 科目名称：高分子化学与物理 考生须知： 1．本试卷满分为 150 分，全部考试时间总计 180 分钟。 2．所有答案必须写在答题纸上，写在试题纸上或草稿纸上一律无效。 3. 可以使用无字典存储和编程功能的电子计算器。 高分子化学部分（75 分） 一、名词解释 (共10分，每小题2分) 1. 环氧值; 2. 自由基寿命; 3. 悬浮聚合; 4. 几率效应; 5. 高性能聚合物。 二、选择题 (共20分, 每题选一最佳答案, 每小题2分) 1. 以下叙述不正确的是: a) 氯乙烯聚合中以向单体的链转移为主; b) 氯乙烯聚合中常采用引发剂调节聚合反应速度; c) 氯乙烯聚合时, 引发剂的半衰期较长时残留率较大; d) 氯乙烯聚合中, 采用时间调节聚氯乙烯的分子量。 2. 对单体纯度要求最高的逐步聚合方法是: a) 界面聚合; b) 溶液聚合; c) 熔融聚合。 3. 下列单体最容易进行阳离子聚合的是: a) CH2=CHCl; b) CH2=C(CH3)2; c) CH2=CHPh;
d) CH2=CH2。 4. 丙烯酸二茂铁甲酯与苯乙烯 (St)、丙烯酸甲酯 (MA)、醋酸乙烯 (VAc)共聚的竞聚率分别为r1 = 0.02, r2 = 2.3、r1 = 0.14, r2 = 4.4、r1 = 1.4, r2 = 0.46, 丙烯酸-二茂铁乙酯与上述三种单体进行自由基共聚反应的活性次序为: a) St MA VAc; b) MA St VAc; c); MA St VAc; d) VAc MA St。 5. 微悬浮聚合的机理主要是: a) 胶束成核; b) 液滴成核; c) 水相成核。 6. 甲基丙烯酸甲酯分别在苯、甲苯、四氢呋喃、硝基苯中用萘钠引发聚合, 在其中聚合速率最大的溶剂是: a) 苯; b) 甲苯; c) 四氢呋喃; d) 硝基苯。 7. 下列不能进行配位聚合的单体是: 8. 聚丙烯和聚丁二烯的立体异构体数目分别是: a) 4、3; b) 2、2; c) 3、4; d) 3、3。 9. 用BF3-H2O引发四氢呋喃开环聚合，既能提高反应速率又不降低聚合度的最好方法是:
半导体物理学题库讲解
一．填空题 1．能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________，引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。（二阶导数，内部势场） 2．半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________（即量子态按能量如何分布）和_________（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。（状态密度，费米分布函数） 3．两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电，达到热平衡后两者的费米能级________。（正，相等） 4．半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于_________半导体。（[100]，间接带隙） 5．间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。（弗仑克耳缺陷，肖特基缺陷） 6．在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________，高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。（1/2，1/1+exp(2)） 7．从能带角度来看，锗、硅属于_________半导体，而砷化稼属于_________半导体，后者有利于光子的吸收和发射。（间接带隙，直接带隙） 8．通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统，服从_________的电子系统称为简并性系统。（玻尔兹曼分布，费米分布） 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。（温度，禁带宽度） 10. 半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于________结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。（金刚石，闪锌矿） 11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为_________禁带半导体，否则称为_________禁带半导体。（直接，间接） 12. 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有_________、 _________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。（电离杂质的散射，晶格振动的散射） 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。（电子和空穴，复合中心）
半导体物理学第7版习题及答案
第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为。 （1）写出光照下过剩载流子所满足的方程； （2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 3. 有一块n 型硅样品，寿命是1us ，无光照时电阻率是10cm 。今用光照射该样品，光被半导体均 匀的吸收，电子-空穴对的产生率是1022cm -3s-1 ,试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子 的贡献占多大比例？ 4. 一块半导体材料的寿命=10us ，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止20us 后， s cm p U s cm p U p 31710 10010 313/10U 100,/10613 ==?= ====?-??-τ τμτ得：解：根据？求：已知：τ τ τ ττ g p g p dt p d g Ae t p g p dt p d L L t L =?∴=+?-∴=?+=?+?-=?∴-. 00 )2()(达到稳定状态时，方程的通解：梯度，无飘移。 解：均匀吸收，无浓度cm s pq nq q p q n pq np cm q p q n cm g n p g p p n p n p n p n L /06.396.21.0500106.1101350106.11010.0:101 :1010100 .19 16191600'000316622=+=???+???+=?+?++=+=Ω=+==?==?=?=+?-----μμμμμμσμμρττ光照后光照前光照达到稳定态后% 2606.38.006.3500106.1109. ,.. 32.0119 161 0' '==???=?∴?>?Ω==-σσ ρp u p p p p cm 的贡献主要是所以少子对电导的贡献献 少数载流子对电导的贡
半导体物理学 基本概念
半导体物理学基本概念 有效质量-----载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响。其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。 空穴-----是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带中大量电子的运动行为。 回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。 施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。 受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。 杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。 n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。 p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。 浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。 深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。 杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象，即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差。 直接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间同一位置时称为直接带隙。直接带隙材料中载流子跃迁几率较大。间接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间不同位置时称为间接带隙。间接带隙材料中载流子跃迁时需有声子参与，跃迁几率较小。 平衡状态与非平衡状态-----半导体处于热平衡态时，载流子遵从平衡态分布，电子和空穴具有统一的费米能级。半导体处于外场中时为非平衡态，载流子分布函数偏离平衡态分布，电子和空穴不具有统一的费米能级，载流子浓度也比平衡时多出一部分，但可认为它们各自达到平衡，可引入准费米能级表示。 电中性条件-----半导体在任何情况下都维持体内电中性，即单位体积内正电荷数与负电荷数相等。 非简并半导体----半导体中载流子分布可由经典的玻尔兹曼分布代替费米分布描述时，称之为非简并半导体。 简并半导体-----半导体重掺杂时，其费米能级有可能进入到导带或价带中，此时载流子分布必须用费米分布描述，称之为简并半导体。简并半导体有如下性质：1）杂质不能充分电离；2）杂质能级扩展为杂质能带。如果杂质能带与导带或价带相连，则禁带宽度将减小。
2016年中国科学院大学硕士考研目录历年真题
2016年中国科学院大学金融硕士考研专业目录、招生人数、参考书目、历年真题、复试分数线、答题方法、 复习经验指导 一、2016年中国科学院大学金融硕士专业考研招生目录专业代码、名称及研 究方向招 生人 数 考试科目备注 1、金融计算 20(101)思想政治理论(204)英语二(303) 数学三(431)金融学综合接收推免生比例 或人数：5人左右2、投资组合优化20 (101)思想政治理论(204)英语二(303) 数学三(431)金融学综合接收推免生比例或人数：5人左右
3、金融工程20(101)思想政治理论(204)英语二(303) 数学三(431)金融学综合 接收推免生比例 或人数：5人左右 4、风险度量与计算20 (101)思想政治理论(204)英语二(303) 数学三(431)金融学综合 接收推免生比例或人数：5人左右 二、2016年中国科学院大学金融硕士专业考研复试分数线考试科目政治外语专业一专业二总分金融硕士50507575350三、2016年中国科学院大学金融硕士专业考研参考书 科目名称书名作者出版社 金融综合（初试） 《金融学(第2版)货币银行学(第4 版)》(精编版) 黄达 中国人民大学出 版社2009年精编 版 金融综合（初 试） 《金融学》第二版博迪 中国人民大学出 版社，2010年 四、2016年中国科学院大学金融硕士考研真题答题解析 本《金融学综合》考试大纲适用于中国科学院大学管理学金融硕士研究生入学考试。《金融学综合》主要包括三个方面
的内容：经济学（微观、宏观）、金融学（含货币金融学、证券投资学、公司财务）和统计学。 一、考试性质 《金融学综合》考试要力求反映金融硕士专业学位的特点，科学、公平、准确、规范地测评考生的基本素质和综合能力，选拔具有发展潜力的优秀人才入学，为国家的经济建设培养具有良好职业道德、具有较强分析与解决实际问题能力的高层次、应用型、复合型的金融专业人才。 二、考试要求 测试考生对于与经济学、金融学、统计学相关的基本概念、基础理论和重点模型的掌握和运用能力。 三、考试方式与分值 本科目满分150分，其中，经济学、统计学、金融学，每部分为75分，考生须任选两部分作答。由各培养单位自行命题，全国统一考试。
半导体物理学 (第七版) 习题答案
半导体物理习题解答 1－1．（P 32）设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c （k ）和价带极大值附近能量E v （k ）分别为： E c (k)=0223m k h +022)1(m k k h -和E v (k)= 0226m k h －0 2 23m k h ； m 0为电子惯性质量，k 1＝1/2a ；a ＝0.314nm 。试求： ①禁带宽度； ②导带底电子有效质量； ③价带顶电子有效质量； ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(＝0232m k h ＋0 12)(2m k k h -＝0；可求出对应导带能量极小值E min 的k 值： k min ＝ 14 3 k ， 由题中E C 式可得：E min ＝E C (K)|k=k min = 2 10 4k m h ； 由题中E V 式可看出，对应价带能量极大值Emax 的k 值为：k max ＝0； 并且E min ＝E V (k)|k=k max ＝02126m k h ；∴Eg ＝E min －E max ＝021212m k h ＝2 02 48a m h ＝11 28282 2710 6.1)1014.3(101.948)1062.6(----???????＝0.64eV ②导带底电子有效质量m n 0202022382322 m h m h m h dk E d C =+=；∴ m n ＝022 283/m dk E d h C = ③价带顶电子有效质量m ’ 022 26m h dk E d V -=，∴022 2'61/m dk E d h m V n -== ④准动量的改变量 h △k ＝h (k min -k max )= a h k h 83431= [毕] 1－2．（P 33）晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107V/m 的电场时，试分别计算电子自能带 底运动到能带顶所需的时间。 [解] 设电场强度为E ，∵F =h dt dk =q E （取绝对值） ∴dt =qE h dk
北京中国科学院大学2013年考研地理信息系统真题
（北京）中国科学院大学2013年考研地理信息系统真题中国科学院大学 2013 年招收攻读硕士学位研究生入学统一考试试题 科目名称：地理信息系统 考生须知： 1．本试卷满分为 150 分，全部考试时间总计 180 分钟。 2．所有答案必须写在答题纸上，写在试题纸上或草稿纸上一律无效。 一、名词解释（每题 5 分，共 6 题，小计 30 分） （1）专题地图 （2）四叉树编码 （3）无损压缩 （4）TIN
（5）空间分析 （6）地图符号 二、简答题（每题 10 分，共 7 题，小计 70 分） （1）什么是拓扑关系，GIS 中建立拓扑关系有什么优缺点？ （2）图形编辑的内容主要有哪些？数字化时纸质底图发生扭曲形变需要用什么方法进行纠正？ （3）请说明多边形栅格数据矢量化的方法。 （4）在栅格数据存储时，一般 GIS 软件包中会有一个头文件表示该栅格数据的相关信息，请问头文件的内容主要有哪些？怎样才能确定某一个行列的空间位置？假设有如下栅格数
据，请按照十进制 Morton 码编码方式对该数据进行编码压缩并写出编码结果。 （5）简述高斯克里格投影与 UTM 投影的区别，高斯克里格投影在我国主要用在何种比例尺的地图上？ （6）什么是空间数据的元数据？它在数据质量控制中的作用有哪些？ （7）什么是色调、明度和彩度？简述常用的色彩方案有哪些？
三、论述题（每题 25 分，共 2 题，小计 50 分） （1）阐述空间数据引擎（Spatial Data Engine)的概念、特点及涉及的主要技术，并列出两种以上常见的空间数据引擎。 （2）我国一位知名专家指出：数字城市+物联网+云计算=智慧城市。请阐述你对这句话的理解，并举例说明智慧城市建成后对人们日常生活的影响。
中国科学院大学2020年招收攻读硕士学位研究生简章
中国科学院大学年招收攻读硕士学位研究生简章 中国科学院大学（简称“国科大”）是一所以“博学笃志、格物明德”为校训、以科教融合为特色的创新型大学。 年国科大研究生招生备案导师名，其中博士生导师名。招生导师中有中国科学院院士名，中国工程院院士名，国家杰出青年科学基金项目获得者名，长江学者奖励计划名，中国科学院百人计划名。 年国科大共有余个培养单位（具体指中科院所属研究院、所、中心、园、台、站及国科大所属各院系，下同）计划在哲学、经济学、法学、教育学、文学、历史学、理学、工学、农学、医学、管理学大学科门类的余个专业招收硕士研究生余名（其中全日制硕士生余名，非全日制硕士生余名。全日制硕士生中含少数民族高层次骨干人才计划名左右，退役大学生士兵专项计划名左右。具体以教育部正式下达的年招生计划数为准）。 一、培养目标 学术型硕士研究生旨在培养全面发展，爱国守法，具有社会责任感，在本学科内掌握坚实的基础理论和系统的专门知识，具有从事科学研究、教学、管理或独立担负专门技术工作能力、富有创新精神、创新能力的高层次学术型专门人才。 专业学位硕士研究生面向社会需求，面向科技前沿，适应工程技术发展和创新需要，培养全面发展，爱国守法，掌握相关专业领域坚实的基础理论和宽广的专业知识，具有较强的解决实际问题的能力，能够承担专业技术或管理工作，具有良好职业素养的高层次应用型专门人才。 国科大硕士研究生学习形式分为全日制硕士研究生和非全日制硕士研究生。依据国家统一要求，对同一单位相同专业全日制和非全日制实行相同的考试学术要求和培养标准。
二、报考条件 学术型硕士研究生和专业学位硕士研究生采取“分列招生计划、分类报名考试、分别确定录取标准”的招生考试模式。全日制和非全日制硕士研究生报考条件执行教育部统一的报考要求。 （一）报名参加硕士研究生全国招生考试（含学术型硕士和专业学位硕士。报考工商管理硕士、公共管理硕士、工程管理硕士中的工程管理（代码）专业学位除外），须符合下列条件： ．中华人民共和国公民。 ．拥护中国共产党的领导，具有正确的政治方向，热爱祖国，愿意为社会主义现代化建设服务，遵纪守法，品行端正。 ．考生的学业水平必须符合下列条件之一： （）国家承认学历的应届本科毕业生（年月日前须取得国家承认的本科毕业证书。含普通高校、成人高校、普通高校举办的成人高等学历教育应届本科毕业生）及自学考试和网络教育届时可毕业本科生； （）已取得国家承认的大学本科毕业学历的人员； （）已获硕士、博士学位的人员； （）达到与大学本科毕业生同等学力的人员。以下考生视为同等学力人员： ①国家承认的高职高专毕业学历后满年（从高职高专毕业到年月日）或年以上，且达到报考单位根据培养目标提出的具体业务要求的人员； ②国家承认学历的本科结业生； ③成人高校（含普通高校举办的成人高等学历教育）应届本科毕业生； ④自学考试和网络教育届时可毕业本科生。 ．身体健康状况符合规定的体检要求。 ．同等学力人员报考，还应具备下列条件：