大学物理2复习提纲2010-2011.1

第九章 静电场(是保守力场)

重点:求电场强度和电势。(点电荷系、均匀带点体、对称性电场),静电场的高斯定理和安培环路定理。 主要公式: 一、 电场强度

12.点电荷系场强:n E E E E

21(矢量和)

3(五步走积分法)(建立坐标系、取电荷元、写E d

、分解、积分)

4.对称性带电体场强:二、电势

12.点电荷系电势:n V V V V

21(代数和)

3(四步走积分法)(建立坐标系、取电荷元、写dV 、积分)

4.已知场强分布求电势: l

v p

dr E l d E V 0

三、电势差:

B

A

AB l d E U

四、电场力做功:

2

1

00l l l d E q U q A

五、基本定理

(1) 静电场高斯定理:

物理意义:表明静电场中,通过任意闭合曲面的电通量(电场强度沿任意闭合曲面的面积分),等于该曲面内包围的电荷代数和除以0 。

(3)静电场安培环路定理:

物理意义:表明静电场中,电场强度沿任意闭合路径的线积分为0。

【例题1】 一个半径为R 的均匀带电半圆环,电荷线密度为 ,求环心处O 点的场强和电势. 解:(1)求场强。建立如图坐标系;在圆上取电荷元 d d d R l q

Rd dl 它在O 点产生场强大小为:2

0π4d d R R E

方向沿半径向外。分解:

d sin π4sin d d 0R

E E x

相互抵消y E d 。

积分R

R E O

000

π2d sin π4

,沿X 轴正方向。

注意此题中若 角度选取不同,积分上下限也会随之不同,但结果一样。 (2)求电势。 建立如图坐标系; 在圆上取电荷元 d d d R l q

, Rd dl ;

它在O 点产生电势大小为:R

R V

0π4d d

积分0

4d π4

O V

【例题2】 (1)点电荷q 位于一边长为a 的立方体中心,试求在该点电荷电场中穿过立方体的一个面的电通量;(2)如果该场源点电荷移动到该立方体的一个顶点上,这时穿过立方体各面的电通量是多少?

解: (1)由高斯定理0

d q

S E s

立方体六个面,当q 在立方体中心时,每个面上电通量相等。∴ 各面电通量0

6 q e

(2)电荷在顶点时,将立方体延伸为边长a 2的立方体,使q 处于边长a 2的立方体中心,则边长a 2的正

方形上电通量0

6 q e

对于边长a 的正方形,如果它不包含q 所在的顶点,则0

24 q e

如果它包含q 所在顶点则0 e

【例题3】 均匀带电球壳内半径6cm ,外半径10cm ,电荷体密度为2×5

10

C ·m -3

求距球心5cm ,8cm ,12cm

各点的场强. 解: 高斯定理

d

q S E s

,0

2

π4 q r E 当5 r cm 时,

0 q

,0 E

8 r cm 时, q 3

π4p 3(r )3内r ∴

2

02

3π43π4r

r r E

41048.3 1C N , 方向沿半径向外.12 r

cm 时,3

π4

q 3(外r )内3

r ∴

42

03

31010.4π43π4

r r r E

1C N

沿半径向外.

【例题4 】半径为1R 和2R (2R >1R )的两无限长同轴圆柱面,单位长度上分别带有电量 和- ,试求:(1)r <1R ;(2) 1R <r <2R ;(3) r >2R 处各点的场强.

解: 高斯定理0

d q

S E s

取同轴圆柱形高斯面,侧面积rl S π2 则 rl E S E S

π2d

对(1)1R r

0,0 E q (2)2

1R r R

l q ∴r

E 0π2

沿径向向外

(3) 2

R r

q ∴ 0 E

【例题5】 两个无限大的平行平面都均匀带电,电荷的面密度分别为1 和2 ,试求空间各处场强.

解: 如题8-12图示,两带电平面均匀带电,电荷面密度分别为1 与2 ,

两面间, n E

)(21210

1 面外, n E )(21210

2 面外, n E

)(21210

n

:垂直于两平面由1 面指为2 面.

【例题6】 半径为R 的均匀带电球体内的电荷体密度为 ,若在球内挖去一块半径为r <R 的小球体,如图所示.试求:两球心O 与O 点的场强,并证明小球空腔内的电场是均匀的.(补偿法)

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