河海大学计算机与信息学院 电子技术基础历年考研真题汇编

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河海大学计算机与信息学院

845电子技术基础历年考研真题汇编

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目录

第一部分河海大学电子技术基础考研真题........................................

2007年河海大学450电子技术基础考研真题....................................

2006年河海大学450电子技术基础考研真题....................................

2005年河海大学450电子技术基础考研真题....................................

2004年河海大学450电子技术基础考研真题.................................... 第二部分兄弟院校电子技术基础考研真题........................................

2015年华南理工大学862电子技术基础(含数字与模拟电路)考研真题 ...........

2015年中山大学894电子技术基础考研真题....................................

2014年北京科技大学817模拟电子技术与数字电子技术基础考研真题 .............

2014年苏州大学841电子技术基础考研真题....................................

说明:近年科目代码和科目名称为845电子技术基础,往年科目代码和科目名称

为450电子技术基础等。

2017年河海大学450电子技术基础考研真题

2004年河海大学450电子技术基础考研真题

第二部分兄弟院校电子技术基础考研真题

2015年华南理工大学862电子技术基础(含数字与模拟电路)考研真题

2015年中山大学894电子技术基础考研真题

2014年北京科技大学817模拟电子技术与数字电子技术基础考研真题

北京科技大学

2014年硕士学位研究生入学考试试题

试题编号: 817 试题名称:模拟电子技术与数字电子技术基础(共 4 页)

适用专业:物理电子学

说明:所有答案必须写在答题纸上,做在试题或草稿纸上无效。

1.(本题5分)电路如下图(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。

2.(本题25分)在右下图所示的放大电路中,已知U

CC =12V,R

C

=2k?,R

L

=2k?,

R

B =100k?,R

P

=1M?,晶体管?=51,U BE=0.6V。

(1)当将R

P

调到零时,试求静态值(I

B

、I

C

、U

CE

),此时晶体管工作在何种状态?

(2)当将R

P

调到最大时,试求静态值,此时晶体管工作在何种状态?

(3)若使U

CE

=6V,应将R

P

调到何值?此时晶体管工作在何种状态?试求此时电

路的电压放大倍数A

u ,输入电阻R

i

和输出电阻R

o

的值。

(4)设u

i =U

m

sinωt,试画出上述三种状态下对应的输出电压u

o

的波形。

如产生饱和失真或截止失真,应如何调节R

P

使不产生失真?

3.(本题20分)分析下图所示(a)(b)两电路,回答下列问题:

(1)判断电路中是否引入了反馈?是直流反馈还是交流反馈?是正反馈还是负反馈?设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

(2)如果存在交流负反馈,请判断其组态。

(3)说明各电路因引入该交流负反馈使得放大电路输入电阻和输出电阻所产生的变化(只需说明是增大还是减小即可)。

(4)估算各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。

(a)

(b)

4.(本题10分)在下图所示电路中,已知R1=R=R'=100kΩ,R2=R f=100kΩ,C=1μF。

(1)试求出u O 与u I 的运算关系。

(2)设t =0时u O =0,且u I 由零跃变为-1V ,试求输出电压由零上升

到+6V 所需要的时间。

5.(本题5分)某直流稳压电源的输出电路部分如下图所示,试求输出电压U O 的表达式。

6.(本题10分)

某火灾报警电路如下图所示。U i1和U i2分别来

自两个温度传感器,他们安装在室内同一处:一个安装在塑料壳内,产生U i1,另一个安装在金属板上,产生U i2。试分析该电路的工作原理。

7.(本题10分) 将下列逻辑函数化为最简与或式。

(1)1Y CD BD ABC ABD ABC =++++

(2)2Y AB A B BC B C =+?+

8.(本题10分) 分析下图所示逻辑电路的功能,并用最简单的电路实现该功能。

9.(本题10分)确定下图所示各TTL 门电路的输出状态。

10.本题15分)分别使用译码器和数据选择器结合少量必要的门电路实现逻辑函数:AC

B

A

Y+

=(输入管脚已连接好)。要求:应有必要的设计过程,并画出相应的逻辑电路图。

11.(本题15分)某时序电路如下图所示,试写出该电路的驱动方程,并分析其逻

辑状态转换表。电路初始状态Q

3Q

2

Q

1

Q

=0000。

12. (本题15分)74HC163同步十六进制计数器的逻辑符号和功能表见下图。请用两片

该芯片及必要的门电路设计一个137进制计数器。要求:应有必要的设计过程,并画出相应的逻辑电路图。

74HC163功能表

2014年苏州大学841电子技术基础考研真题

2021年考研《电子技术基础》考研真题与考点归纳

2021年考研《电子技术基础》考研真题与考点归纳第一部分模拟部分 第1章半导体二极管 1.1 考点归纳 一、半导体基础知识 1.半导体的分类 (1)本征半导体 ①概念 本征半导体是指纯净的具有晶体结构的半导体。 ②载流子:自由电子和空穴。 ③本征激发 受光照或热激发,半导体中共价键的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚,成为自由电子,此时共价键中留下一个空位,即空穴。 (2)杂质半导体 ①N型半导体 N型半导体是通过掺杂具有5个价电子的施主杂质形成的,如锑、砷和磷。自由电子浓度远大于空穴浓度,因此电子为多数载流子,空穴为少数载流子,显电中性。 ②P型半导体 P型半导体是通过掺杂具有3个价电子的受主杂质形成的,如硼、镓和铟。空穴浓度远大于自由电子浓度,因此空穴为多数载流子,电子为少数载流子,显电中性。2.半导体特性

半导体导电性能的两个重要特性:掺杂特性与温度特性。掺杂浓度增大,温度升高,导电能力增强。 二、PN结 1.PN结的形成 (1)耗尽区 PN结是指由P型半导体和N型半导体相结合形成的不能移动的正、负离子组成的空间电荷区,又称耗尽区。 (2)内电场 在空间电荷区的两侧,P区带负电,N区带正电,形成内电场,方向由N区指向P 区,可以阻止载流子的运动。 2.PN结的单向导电性 (1)正向导通 PN结外加正向电压时,与内外电场方向相反,外电场的存在削弱内电场,使耗尽区变窄,促进扩散运动,从而形成较大的正向电流。正向偏置的PN结表现为一个阻值很小的电阻。 (2)反向截止 PN结外加反偏电压时,内电场和外电场的方向相同,增强内电场,使耗尽区变宽,形成了较小的反向电流。反向偏置的PN结表现为一个阻值很大的电阻。 3.PN结反向击穿 PN结的反向击穿是指当PN结的反向电压逐渐增加到一定数值时,反向电流会突然快速增加的现象。 (1)电击穿

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

《电子技术基础》研究生入学考试大纲

《电子技术基础》研究生入学考试大纲 课程名称:模拟电子技术、数字电子技术 一、考试的总体要求 模拟电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度,要求学生能分析计算基本放大电路、集成运算放大电路等模拟电子电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 数字电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度,要求学生能够运用基本理论分析、设计组合逻辑电路及时序逻辑电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 二、考试内容及比例: 模拟部分: 1、半导体器件(5~10%) (1)理解二极管单向导电特性,掌握二极管伏安特性; (2)理解三极管放大原理,掌握三极管的输入、输出特性曲线; (3)掌握MOS管的转移特性曲线、漏极特性曲线。 2、放大电路的基本原理(20~25%) (1)掌握基本放大电路的结构、工作原理及静态工作点计算; (2)掌握放大电路微变等效电路分析法,理解放大电路的图解分析法。 3、放大电路的频率响应(5~10%) 放大电路的上限频率、下限频率、通频带的概念。正确理解Bode图。 4、集成运算放大器(10~20%) (1)理解零点漂移的概念,理解差动电路克服温漂的原理; (2)掌握差动电路的分析与计算。 5、放大电路中的反馈(5~10%) (1)理解反馈的概念,掌握反馈类型的判断方法,能根据要求引入负反馈; (2)理解反馈对放大器性能的影响; (3)掌握放大电路在深度负反馈条件下的分析计算; (4)理解自激的概念,能根据波特图判断负反馈放大电路是否自激。

6、摸拟信号运算电路(20~25%) (1)理解集成运放电路中“虚短”、“虚断”概念。 (2)掌握基本运算电路的工作原理及分析计算。 7、信号处理电路(10~15%) 掌握信号处理电路原理及分析计算。 8、波形发生电路(10~20%) (1)掌握正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅措施及分析计算; (2)能用相位平衡条件判断各种振荡电路能否起振。 9、功率放大电路(15~20%) OCL、OTL电路的工作原理及分析计算。 10、直流稳压电源(0~10%) (1)整流电路的工作原理及分析计算; (2)电容滤波电路的工作原理及分析计算; (3)稳压电路的工作原理及分析计算。 数字部分: 一、逻辑代数基础(5~10%) (1)逻辑代数基本概念、公式和定理; (2)逻辑函数的化简方法。 二、门电路(15~20%) (1)掌握分立器件门电路的分析方法; (2)理解TTL集成门电路的结构特点,掌握其外特性; (3)理解COMS集成门电路的结构特点,掌握其外特性。 三、组合逻辑电路(30~40%) (1)掌握组合逻辑电路的分析方法及设计方法; (2)熟悉典型组合逻辑电路的设计及逻辑功能表示方法; (3)掌握用中规模集成芯片MSI(译码器、数据选择器等)实现组合逻辑函数。 四、触发器(15~20%) (1)熟悉触发器电路的结构特点; (2)掌握各种结构触发器的功能特点、功能表示方法及应用。

河海大学863,10-12年真题

机密★启用前 秘密★启用后 请将所有答案写在报考点提供的专用答题纸上 河海大学2010年攻读硕士学位研究生入学考试试题(B 卷) 考试科目代码及名称: (863) 信号与系统 一、(本题满分10分)计算积分 ? +∞ ∞ --'+dt t t e t ))()((δδ的值。 二、(本题满分15分)一线性非时变离散系统,其起始状态为)0(x ,已知当激励为)(k f 时,其全响应 )()(1k k y ε=;若起始状态仍为)0(x ,激励为)]([k f -时,其全响应 )(]132[)(2k k y k ε-?= ; 求:若起始状态为)0(2x ,激励为)(3k f 时系统的全响应)(3k y 。 三、(本题满分25分)线性时不变系统如图所示,已知Ω=Ω=1,321R R , F C H L 1,1==;V u A i C L 1)0(,1)0(==-- 求系统在)()(t t f ε=激励下的全响应)(t u c 。 题三图 四、(本题满分10分)已知)(t f 对应的拉氏变换2 3)(2+-=-s s e s F s ,求)(t f 。

五、(本题满分25分)给定系统微分方程 )(8)(2)(4)(4)(t f t f t y t y t y +'=+'+'' 若激励信号和初始状态为: 4)0(,3)0(,)()(/===---y y t e t f t ε; 求系统的零输入响应,零状态响应及完全响应。 六、(本题满分25分) RC 电路如图所示,已知激励信号)()(2t e t f t ε-=,电容初始电压为零。 求:1.系统函数) ()()(S F S Y S H = ; 2.系统完全响应)t (y 。 题六图 七、(本题满分15分)线性时不变系统的单位样值响应为)(k h ,输入为)(k f , )3()()()(--==k k k f k h εε,求系统的零状态响应)(k y ,并绘图示出)(k y 。 八、(本题满分25分)一离散时间系统的差分方程和初始条件如下: ) ()(,0)2(,1)1()1()()2(12)1(7)(k k f y y k f k f k y k y k y ε==-=---=-+-+ 1、求系统函数)(z H ; 2、求单位样值响应)(k h ; 3、求系统响应)(k y 。

《电子技术基础》考试试题

共4页 第1页 《电子技术基础》考试试题 时量:120分钟 总分:100分 (每小题1.5分,共15分)单项选择题: 1、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V ,接入12K Q 的负载 电阻后,输出电压降为 3V ,这说明放大电路的输出电阻为 A. 10K Q B.2 K Q C.4 K Q D.3 K Q 2、 稳压二极管工作于伏安特性曲线的 ________ 区。 A.正向特性 B. 反向饱和特性 C.反向击穿特性 D. 不确定 3、 为了使高内阻信号源与低阻负载很好地配合,可以在信号源与 低阻负载间接入 ______ 。 A.共射电路 B. C.共集电路 D. 4、多级负反馈放大电路在下列 A.回路增益AF 大 B. C ?闭环放大倍数很大 D. 放大器的级数少 5、 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要 区别是,前者的运放通常工作在 ________ 。 A .开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C.放大状态 D. 线性工作状态 6、 差分放大电路由双端输入变为单端输入,差模电压增益则 A.增加一倍 B. 为双端输入时的1/2 C.不变 D. 不确定 7、对于有二个输入变量和一个输出变量的逻辑问题,由于状态赋 值的不同,列出的真值表可以有 _________ 。 A. 一种 B.二种 C.三种 D.四种 8 A ? B 函数表达式为 ________ : 共基电路 共集一共基串联电路 —情况下容易引起自激。 反馈系数小

C. A B D. AB AB 共4页 第2页 A. AB AB B. A+B 9、 与函数式 A+ABC 相等的表达式为 _________ 。 A. A+B B. A+C C. A+BC D. BC 10、 将二进制数(1110100) 2转换为十进制数应为 ________ 。 A. 15 B. 116 C. 110 D. 126 、(本题10分)用图1所示的1片双4选1的数据选择器,搭建一 位全加器电路,该电路的输入变量为 A (加数)、B (加数)、C I (低 位来的进位信号);输出变量为S (和),C O (向高位的进位信号)。 三、 (本题10分)用卡诺图化简下列逻辑函数为最简与或表达式。 1. 丫1 二' m (0,1,2,5,6,7,8,9,13,14) 2. 丫2「m (0,2,4,5,7,13) ' d (8,9,10,11,14,15) 四、 (本题10分)电路如图 2所示,试画出在所示 C 脉冲作用下 QI 和Q2端的信号波形,设两个触发器的初始状态为 0。

电子技术基础考研

注意事项:1.本试卷共12道大题,满分150分; 2.本卷属试题卷,答案一律写在答题纸上,写在该试题卷上或草稿纸上均无效。要注意试卷清洁,不要在试卷上涂划; 3.必须用蓝、黑色钢笔或圆珠笔答题,其它笔答题均无效。 ﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡ 一 填空题(本题共14小题除标注外每空1分,共30分) 1、设VD 1、VD 2的正向压降为0.3V ,试分析在不同的U 1、U 2组态下,VD 1、VD 2是导通还是截止,并求U O 的值,把正确答案填入表内。(每三空1分) 2、图中 VT 为小功率锗晶体管当R b 不同时,VT 可能处于放大、饱和、截止状态。把不同状态下基射极电压U BE 、集射极电压U CE 的大致数值范围填入表内。(每三空1分) V CC 3、某放大电路在接有2Ωk 负载电阻时,测得输出电压为3V ,在输入电压不变的情况下断开负载电阻,输出电压上升到7.5V ,说明该放大电路的输出电阻为 ________________。 U 2 U VD 1

4、某放大电路当接接入一个内阻等于零的信号源电压时,测得输出电压为5V,在信号源内阻增大到1Ω k,其它条件不变时,测得输出电压为4V,说明该放大电路的输入电阻为________________。 5、下限截止频率为10Hz的两个相同的单级放大电路连接成一个两级放大电路,这个两级放大电路在信号频率为10Hz时,放大倍数的幅值下降到中频放大倍数的________________倍,或者说下降了________________dB,放大倍数的相位与中频时相比,附加相移约为________________度。(每空0.5分) 6、试在下列空格中填写合适数值。(每空0.5分) 在两边完全对称的差分放大电路中,若两输入端电压u I1=u I2,则双端输出电压u O=___V;若u I1=1mV,u I2=0mV,则差分放大电路的差模输入电压u Id=___mV,其分配在两边的一对差模输入信号为u Id1=___mV,u Id2=___mV,共模输入信号u Ic=___mV。 7、电路如图所示,A1、A2为理想运算放大器。A1组成电路,A2组成电路,VD1、VD2和R组成的电路起作用,u O与u I的关系说明整个电路构成的是电路。 u I O 8、在如图所示电路中,已知稳压管VD Z1的稳定电压U Z1=6.3V,VD Z2的稳定电压 U Z2=7.7V,它们的正向导通电压U D均为0.7V,U I和R的取值合理,U I的实际极性和U O1~U O4的假设极性如图中所标注。(每空0.5分) 填空: U O1=V,U O2=V,U O3=V, U O4=V。

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点总结

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点 总结 第1章常用半导体器件 1.1 复习笔记 本章首先介绍了半导体的基础知识,随后重点阐述了半导体二极管、晶体管(BJT)和场效应管(FET)的工作原理、特性曲线以及主要参数。半导体器件是组成电子电路的核心元件,因此本章内容是整本书学习的重要基础。通过本章的学习,应能熟练掌握常用半导体器件的工作原理、外特性和主要参数,并熟悉半导体相关基础知识,最后需要了解半导体器件的选用原则,为今后的模拟电路分析和设计打下基础。 一、半导体基础知识 半导体器件是构成电子电路的基本元件,所用的原料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料,所以在学习半导体器件之前,需要了解一些半导体的基本名词术语(见表1-1-1)。 表1-1-1 半导体基本名词术语

二、半导体二极管 1二极管的结构和分类(见表1-1-2) 表1-1-2 二极管的结构和分类 2二极管的伏安特性 与PN结一样,二极管具有单向导电性,但由于二极管结构上的不同,具体的伏安特性与PN结又有区别(见表1-1-3)。 表1-1-3 二极管的伏安特性

3二极管的主要参数 为描述二极管性能,常引用以下几个主要参数(见表1-1-4)。 表1-1-4 二极管主要参数 4二极管的等效电路 二极管的伏安特性具有非线性,这给二极管的应用和分析带来了一定的困难。为了便于分析,常在一定的条件下,用线性原件构成的电路来模拟二极管的特性,并取代电路中的二极管,称为二极管的等效电路,也叫等效模型(见表1-1-5)。

表1-1-5 二极管等效电路

5稳压二极管 稳压管在反向击穿时,在一定的电流范围内(或者说在一定的功率损耗范围内),端电压几乎不变,表现出稳压特性。关于稳压二极管见表1-1-6。 表1-1-6 稳压二极管

数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习笔记

数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习 笔记 第一部分考研真题精选 第1章数制和码制 一、选择题 在以下代码中,是无权码的有()。[北京邮电大学2015研] A.8421BCD码 B.5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 【答案】CD查看答案 【解析】编码可分为有权码和无权码,两者的区别在于每一位是否有权值。有权码的每一位都有具体的权值,常见的有8421BCD码、5421BCD码等;无权码的每一位不具有权值,整个代码仅代表一个数值。 二、填空题 1(10100011.11)2=()10=()8421BCD。[电子科技大学2009研] 【答案】163.75;000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时,按公式D=∑k i×2i求和即可,再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数(39.875)10的二进制数为(),十六进制数为()。[重庆大学2014研] 【答案】100111.111;27.E查看答案

【解析】将十进制数转化为二进制数时,整数部分除以2取余,小数部分乘以2取整,得到(39.875)10=(100111.111)2。4位二进制数有16个状态,不够4位的,若为整数位则前补零,若为小数位则后补零,即(100111.111)2=(0010 0111.1110)2=(27.E)16。 3(10000111)8421BCD=()2=()8=()10=()16。[山东大学2014研] 【答案】1010111;127;87;57查看答案 【解析】8421BCD码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制,八进制和十六进制的转换。(1000 0111)8421BCD=(87)10=(1010111)2 2进制转8进制,三位为一组,整数向前补0,因此(001 010 111)2=(127)8。同理,2进制转16进制每4位为一组,(0101 0111)2=(57)16。 4(2B)16=()2=()8=()10=()8421BCD。[山东大学2015研] 【答案】00101011;53;43;01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态,因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数,得到(2B)16=(0010 1011)2;八进制由0~7八个数码表示,可以将一组二进制数从右往左,3位二进制数分成一组,得到(00 101 011)2=(53)8;将每位二进制数与其权值相乘,然后再相加得到相应的十进制数,(0010 1011)2=(43)10;8421BCD码是一种二进制的数字编码形式,用二进制编码的十进制代码。因此可以将每位二进制数转化为4位8421BCD码,(43)10=(0100 0011)8421BCD。

2018中国计量大学808电子技术基础考研真题

一、单选题(每题2分,共20分) 1. 为提高共模抑制比应采用( ) A. 共射放大电路 B. 共基放大电路 C. 多级放大电路 D. 差动放大电路 2. 由理想二极管构成的限幅电路如图1所示, 当输入电压V V i 9=时,输出电压o V 为 ( )。 A. 3V B. 9V C. 15V D. 6V 3. 在乙类功率放大电路中,三极管在信号的( )内导通。 A. 一个周期 B. 半个周期 C. 四分之一周期 D.四分之三周期 4. 若一无零单极点系统,极点频率610H f Hz =,中频电压增益dB A I 100=,则 710f Hz = 时,增益为( )dB 。 A. 100 B. 40 C. 20 D. 80 5. 差分放大电路由双端输入改为单端输入,则差模电压放大倍数( )。 A .不变 B .提高一倍 C .提高两倍 D .减小为原来的一半 6. 在开环放大电路中引入( )负反馈,可使输入电阻增大. A. 电压 B.电流 C.串联 D.并联 7. 反相输入比例运算放大器电路中的反馈极性和类型属于( ) A. 电压并联负反馈 B. 电流串联负反馈 C. 正反馈 D. 电压串联负反馈 8. 在桥式整流电路中接入电容C 滤波后,输出直流电压较未加C 时( ) A. 不变 B. 降低 C.升高 D. 不定 - V O + -

9. 某负反馈放大电路的开环放大倍数为100,反馈系数为0.09,则闭环放大倍数为( ) A. 0.02 B. 100 C.25 D.10 10. 功放电路采用甲乙类工作状态的原因是为了消除( )。 A. 饱和失真 B. 交越失真 C.截止失真 D.频率失真 二、简答题(共16分) 1.(5分)单相直流稳压电源电路如图2所示, (1)指出它由哪几部分组成,并写出它们的名称; (2)当电路正常工作时,V O =? 2.(5分)某OCL 互补对称电路如图3所示,已知三极管T 1 、T 2的饱和压降为V V CES 1=, V V CC 18=,Ω=8L R 。 (1)计算电路的最大不失真输出功率max O P ; (2)计算电路的效率。 O v

2021年电子技术基础考研题库

2021年电子技术基础考研题库 2021年电子技术基础考研题库【考研真题精选+章节题库】(上册) 目录 第一部分考研真题精选 一、填空题 二、选择题 三、分析题 第二部分章节题库 第1章数字逻辑概论 第2章逻辑代数与硬件描述语言基础 第3章逻辑门电路 第4章组合逻辑电路 第5章锁存器和触发器 第6章时序逻辑电路 第7章半导体存储器 第8章CPLD和FPGA 第9章脉冲波形的变换与产生 第10章数模与模数转换器

第11章数字系统设计基础 ? 试看部分内容 考研真题精选 一、填空题 1(10100011.11)2=______10=______8421B C D。[电子科技大学2 009年研] 【答案】163.75;000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时,按公式D=∑k i×2i求和即可,再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数(39.875)10的二进制数为______,十六进制数为______。[重庆大学2014年研] 【答案】100111.111;27.E查看答案 【解析】将十进制数转化为二进制数时,整数部分除以2取余,小数部分乘以2取整,得到(39.875)10=(100111.111)2。4位二进制数有16个状态,不够4位的,若为整数位则前补

零,若为小数位则后补零,即(100111.111)2=(0010 0111. 1110)2=(27.E)16。 3(10000111)8421B C D=______2=______8=______10=______16。[山东大学2014年研] 【答案】1010111;127;87;57查看答案 【解析】8421BC D码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制,八进制和十六进制的转换。 (1000 0111)8421B C D=(87)10=(1010111)2 2进制转8进制,三位为一组,整数向前补0,因此(001 010 1 11)2=(127)8。 同理,2进制转16进制每4位为一组,(0101 0111)2=(57)16。 4(2B)16=______2=______8=______10=______8421B C D。[山东大学2015年研] 【答案】00101011;53;43;01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态,因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数,得到(2B)16=(0010 1011)2;八进制由0~7八个数码表示,可以将一组二进制数从右往左,3位二进制数分成一组,得到(00 101 011)2=(53)8;将每位二

河海大学2015年882管理学基础真题

河海大学2015年硕士学位研究生入学考试初试试卷 科目代码:882 科目名称:管理学基础满分:150 分 一、名词解释(每小题6分,共30分) 1、有效沟通 2、用人之长原理 3、目标管理 4、矩阵结构 5、风险型决策方法 二、简答题(每题10分,共60分) 1、简述科学管理理论的要点。 2、影响管理幅度的因素有哪些? 3、简述期望值理论的主要观点。 4、简述非程序化决策。 5、组织人员内部提升有哪些优点? 6、在你开口之前,你已经把什么都说了。领导者的形象作为“静默语”,不知不觉中向周围的人发出各种信息。请阐述你对这句话的理解。 三、案例分析题(每题20分,共40分) 1、2013年10月,某大型制造企业总裁作出两个决定:第一,公司从2014年开始向各大专院校招聘有潜质的大学生,全面提升公司人才素质。各类专业毕业生均可报名;第二,培训部必须马上着手对2013年招收的新员工进行基础管理课程培训。他说:“新员工大学毕业后,直接来我公司工作。虽然已接受了一系列培训,但都是些工具和方法,如决策、领导、沟通技能、时间管理以及如何面对压力环境等。仅这些零碎知识还不足以使得他们成为有效的管理人员。他们需要的是一些系统的基础课程。能使他们熟悉一般的管理领域。然后,再参加一些专门的培训课程来补充他们的基础知识。” 培训部的主任已开始筹备公司内部的培训课程。他在公司征求了许多人的意见,然而他发现所有的人都只强调自身领域的重要性。销售部门的人希望人人都熟悉销售管理;生产部门则认为新职工首先应熟悉生产计划、设备布局;搞人事的又强调要学习沟通技能和群体行为,有两位高层管理人员甚至强调应学习全面计划和控制学说。 显然,结果是众说纷纭,莫衷一是。培训主任认为这些意见都有道理,但仍旧是太专业化了,缺少一个基础管理课程来把他们综合起来。因此,他决定在公司外物色合适人选。他要既能满足总裁要求,又能平衡各专业领域的需要。 问题:(1)你认为该项培训任务应该如何进行? (2)假如你是培训部主任聘请的管理顾问,你将如何编制管理基础课程的提纲? 2、在某条交通流量很大的公路上,由于山洪暴发,交通受阻,被困的几十辆汽车的司机们很快自愿地组合起来,有的拿起手机通知交通部门请求援助,有的去寻找清理工具,有的去安排食宿,大家在统一的指挥下,有条不紊、齐心协力地开展工作。 问题:请运用所学管理学理论对上述司机们的行为和活动作出评价。 四、论述题(共20分) 一些企业管理者认为从事经济活动时,唯一的目的和动力就是追求利润最大化,否认了企业经营与道德的相容性,甚至将两者对立起来,认为讲道德就赚不到钱,使得我国的商业

模拟电路电子技术基础考研试题

第一部分:模拟电路 一、填空题(共10分,每小题2分) 1、由二极管D和正偏直流电源V,交流信号源υs及负载R L构成的串连电路,当V=3V时,测得R L上的交流压降υL=100mV。若调节V=4V,其他参数不变,则υL100mV。 2、基本放大电路的静态工作电流调得太大,容易产生失真,这种失真属于失真。 3、放大器中的噪声是是放大器中所造成的。放大器的噪声系数N F的定义是:。 4、某负反馈放大电路,其开环增益Ag=100mS,反馈系数Fr=10KΩ,开环输入电阻R i=3KΩ,则其闭环输入电阻R if =。(R i 和R if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻) 5、由集成运放构成的非正弦波信号(三角波、矩形波、锯齿波)发生电路,通常由 和电路两部分组成。 二、分析与计算题 1.(8分)对于增强型n沟MOSFET , 1)写出其在线性区的伏安特性表达式; 2)在V DS>>2(V GS-V TH)条件下,写出上述伏安特性表达式的近似表达式; 3)已知MOSFET的μn·Cox=50μA/V2,V TH=0.7V, 当V GS=2.5V ,求此时该MOSFET的等效导通电阻R ON=? 2.(10分)两相同单级放大器组成二级放大器,回答如下问题1)在其单级放大器的截止频率处,二级放大器的放大倍数比其单级中频放大倍数下降多少dB? 2)为保证二级放大器的上限频率为106Hz,下限频率为156Hz,计算每个单级放大器的上限频率和下限频率分别应为多少? 3.(6分)一理想运算放大器组成的电路如图所示,试求该电路的输入电阻R i表达式。

4. (12分)在下图所示的多级运算放大电路中,设A 1、A 2、A 3均为理想运放电路: 1)写出计算υO1、υO2、υO 的表达式 2)若 R 3=R 5=R f1=R f2 =200K Ω,R 1=R 2=R 4=R 7=20K Ω,C =5μF ,t =0 时,加入阶跃信号υi 1=-0.1V,υi2=0.3V, 而电容C 上的初始电压υC =0,求需经过多长时间使υO =5V ? 5.(15分)在下图(a )所示的单极放大电路中,场效应管T 的转移特性如下图(b )所示。已知+V DD =+15V ,R D =15k Ω,R S =8 k Ω,R G =100 k Ω,R L =75 k Ω;要求 (!)用近似方法计算电路的静态工作点;(提示:T 的伏安特性方程可近似为:2 P GS D 1???? ??U U I I DSS -=,U GS =-I D ×R S ,U P 为夹断电压)。 (2)计算放大器的输入电阻 R i 和输出电阻 R o ; (3)计算场效应晶体管的跨导 g m ; (4)计算放大器的电压放大倍数 A u ; 6、(14分)下图所示RC 桥式振荡电路中,设运放A 为理想组件,设R =3.9K Ω, C =0.01μF ,R T =15K Ω,+V CC =+15V ,-V CC =-15V ,试回答如下问题:

2012年北京科技大学817模拟电子技术与数字电子技术基础考研试题

北 京 科 技 大 学 2012 年硕士学位研究生入学考试试题 ============================================================================================================= 试题编号: 817 试题名称: 模拟电子技术与数字电子技术基础 (共 7 页) 适用专业: 物理电子学 说明: 所有答案必须写在答题纸上,做在试题或草稿纸上无效。 ============================================================================================================= 一、(本题 6 分)电路如图 1,二极管为理想元件,其中 E = 2V ,试画出输出电 压 u O 波形,写出简要的分析过程。 图 1 第一题图 二、(本题 15 分)电路如图 2,已知 V CC , R b1, R b2, R e , R S 及晶体管的电流放大倍数 β 和动态电阻 r be 。试求: 1)画出电路的直流通路,并计算静态工作点:I B ,I E ,U CE 。 2)静态时(u i =0)C 1 和 C 2 上的电压各为多少?并说明极性。 3)画出电路的微变等效电路,并标明必要的参考方向。 4)计算电压放大倍数 A u ,输入电阻 r i 和输出电阻 r O 。 图 2 第二题图

um 三、(本题8 分) 假设某单管共射放大电路的对数幅频特性如图3。 1) 求出该放大电路的中频电压放大倍数A& ,下限频率f L 和上限频率 f H ; 2) 说明该放大电路的耦合方式; 3) 画出相应的对数相频特性。 图 3 第三题图 四、(本题12 分)分析图4 所示电路中的反馈。 1)判断电路中是否引入了反馈(指出哪些器件构成了该反馈)? 2)是直流反馈还是交流反馈?并使用瞬时极性法判断是正反馈还是负反馈(在图中标注判断过程)。 3)如果存在交流负反馈,请判断其组态。 4)估算在理想运放条件下整个电路的电压放大倍数A uf。 图 4 第四题图

阎石《数字电子技术基础》第6版笔记课后习题考研真题详解

阎石《数字电子技术基础》(第6版)笔记和课后习题(含考研真题)详解攻重浩精研学习网提供资料 第1章数制和码制 1.1复习笔记 本章作为《数字电子技术基础》的开篇章节,是数字电路学习的基础。本章介绍了与数制和码制相关的基本概念和术语,包括常用的数制和码制,最后给出了不同数制之间的转换方法和二进制算术运算的原理和步骤。本章重点内容为:不同数制之间的转换,原码、反码、补码的定义及相互转换,以及二进制的补码运算。 一、概述 1数码的概念及其两种意义(见表1-1-1) 表1-1-1数码的概念及其两种意义 2数制和码制基本概念(见表1-1-2) 表1-1-2数制和码制基本概念 二、几种常用的数制 常用的数制有十进制、二进制、八进制和十六进制几种。任意N进制的展开形式为: D=∑k i×N i 式中,k i是第i位的系数,N为计数的基数,N i为第i位的权。 关于各种数制特征、展开形式、示例总结见表1-1-3。 表1-1-3各种数制特征、展开式、示例总结

三、不同数制间的转换 1二进制转换为十进制 转换时将二进制数的各项按展开成十进制数,然后相加,即可得到等值的十进制数。例如:(1011.01)2=1×23+0×22+1×21+1×20+0×2-1+1×2-2=(11.25)10。 2十进制转换为二进制 (1)整数部分的转换:将十进制数除以2,取余数为k0;将其商再除以2,取其余数为k1,……以此类推,直到所得商等于0为止,余数k n…k1k0(从下往上排)即为二进制数。以273.69为例,如图1-1-1所示。 (2)小数部分的转换:将十进制数乘以2,取乘积的整数部分为k-1;将乘积的小数部分再乘以2,取乘积的整数部分为k-2,……以此类推,直到求出要求的位数为止,k-1k-2k-3…(从上往下排)即为二进制数。以273.69为例,如图1-1-2所示。 图1-1-1十-二进制整数部分的转换

河海大学(已有09试题)

河海大学 水资源环境学院 地理信息系统2005——2006,2008 地理信息系统与遥感2004 自然地理学2004——2005,2007——2008 水文学原理2000,2002——2008 水力学2000,2002——2009 水文地质学2004——2005 水文统计2005 工程水文学2005 有机化学2000——2008 生态学2005 地下水水文学2005——2006 地下水动力学2008 硅酸盐物理化学2000 城市规划原理2006 水利水电工程学院 水力学2000,2002——2009 材料力学2000——2003,2005——2009 理论力学2000——2005 流体力学2001——2008 水文学原理2000,2002——2008 工程水文学2005 交通学院、海洋学院 水力学2000,2002——2009 材料力学2000——2003,2005——2009 流体力学2001——2008 普通化学2005 普通物理2000——2001,2003——2004(其中2000——2001年称“物理”)理论力学2000——2005 硅酸盐物理化学2000 道路交通工程系统分析方法2006,2008 交通工程基本理论2004 交通工程基础理论2005 交通流理论2006——2008 数理方程2007 土木工程学院 材料力学2000——2003,2005——2009 理论力学2000——2005

结构力学2000,2002,2004——2008 水力学2000,2002——2009 测量平差2002——2008 高级语言程序设计2007 C程序设计语言2000——2001 FORTRAN语言程序设计2000 PASCAL语言程序设计2001 计算机原理2002 地下水水文学2005——2006 地下水动力学2008 工程物探2008 钢结构2000,2002 钢筋混凝土结构2000,2002 工程地质学2004 构造地质学2007——2008 土力学2002 岩石力学2002 岩土工程、防灾减灾及防护工程专业复试(含土力学、岩石力学)2004——2005 环境科学与工程学院 水力学2000,2002——2009 有机化学2000——2008 环境微生物学2005 硅酸盐物理化学2000 电气工程学院 电路2000,2002——2009 数字电路与模拟电路2000,2004——2007 自动控制原理2000,2002,2005——2007 微机原理及应用2000,2002 计算机及信息工程学院 电路2000,2002——2009 数据结构1998,2000——2001 数据结构及程序设计2002——2007 C程序设计语言2001 FORTRAN语言程序设计2000 PASCAL语言程序设计2001 计算机原理2002 通信原理2000,2002,2004——2005,2008 信号与线性系统2000,2002 离散数学2000,2004——2007 商学院

考研《电子技术基础》重要考点归纳

考研《电子技术基础》重要考点归纳 第1章半导体二极管 1.1考点归纳 一、半导体基础知识 1.半导体的分类 (1)本征半导体 ①概念 本征半导体是指纯净的具有晶体结构的半导体。 ②载流子:自由电子和空穴。 ③本征激发 受光照或热激发,半导体中共价键的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚,成为自由电子,此时共价键中留下一个空位,即空穴。 (2)杂质半导体 ①N型半导体 N型半导体是通过掺杂具有5个价电子的施主杂质形成的,如锑、砷和磷。自由电子浓度远大于空穴浓度,因此电子为多数载流子,空穴为少数载流子,显电中性。 ②P型半导体 P型半导体是通过掺杂具有3个价电子的受主杂质形成的,如硼、镓和铟。空穴浓度远大于自由电子浓度,因此空穴为多数载流子,电子为少数载流子,显电中性。 2.半导体特性 半导体导电性能的两个重要特性:掺杂特性与温度特性。掺杂浓度增大,温度升高,导电能力增强。 二、PN结

1.PN结的形成 (1)耗尽区 PN结是指由P型半导体和N型半导体相结合形成的不能移动的正、负离子组成的空间电荷区,又称耗尽区。 (2)内电场 在空间电荷区的两侧,P区带负电,N区带正电,形成内电场,方向由N区指向P区,可以阻止载流子的运动。 2.PN结的单向导电性 (1)正向导通 PN结外加正向电压时,与内外电场方向相反,外电场的存在削弱内电场,使耗尽区变窄,促进扩散运动,从而形成较大的正向电流。正向偏置的PN结表现为一个阻值很小的电阻。 (2)反向截止 PN结外加反偏电压时,内电场和外电场的方向相同,增强内电场,使耗尽区变宽,形成了较小的反向电流。反向偏置的PN结表现为一个阻值很大的电阻。 3.PN结反向击穿 PN结的反向击穿是指当PN结的反向电压逐渐增加到一定数值时,反向电流会突然快速增加的现象。 (1)电击穿 雪崩击穿发生在低掺杂的PN结中,击穿电压较低;齐纳击穿发生在高掺杂的PN结中,击穿电压较高。这两种击穿过程是可逆的。 (2)热击穿 反向电压和反向电流的乘积超过PN结的容许耗散功率,使结温上升直至过热而烧毁,此过程是不可逆的。 4.PN结电容 扩散电容CD:因扩散运动在PN结附近形成的电容。 势垒电容CB:当PN结外加反向电压时,呈现出来的电容效应。

河海大学历年攻读硕士学位研究生入学考试试题

河海大学历年攻读硕士学位研究生入学考试试题

D d a a a a a 2河海大学2000年攻读硕士学位研究生入学考试试题 名称:材料力学 一、概念题 1.图示梁的四种截面形状,固定剪力沿铅垂方向。横截面上最大剪应力(或剪应力铅垂分量的最大值)的位置,有四种答案:(5分) (A )全部在中性轴处; (B )全部不在中性轴处; (C )a 和b 在中性轴处,c 和d 不在中性轴处; (D )a 和b 不在中性轴处,c 和d 在中性轴处。 正确答案是: 2.直径为d 的圆柱放在直径为D=3d 、厚为t 的圆形基座上,地基对 基座的支反力均匀分布,圆柱承受轴向压力P ,则基座剪切面的剪 力Q= (5分) 3.图示车轴,n--n 截面周边上任一点处交变应力中的=m ax σ =min σ 循环特征r= (5分) 4.定性画出图示等截面梁的挠曲线形状(5分) )(a )(b ) (d

z 胶缝 ) (a ) (b 2.已知胶的许用剪应力][τ是许用正应力][σ的一半,问 ɑ为何值时,胶缝处的剪应力和正应力同时达到各自的 许用应力。(10分) 3.图(a )、(b )表示同一材料的两个单元体。材料的屈 服极限MPa s 275=σ。试根据第三强度理论求两个单元 体同时进入屈服极限时的拉应力σ与剪应力τ的值。 若σ>τ。(10分) 4.图示拐轴位于水平面内,受铅垂荷载1P 和水平荷载2P 试按第四强度理论确定圆轴AB 的直径。已知:,kN P 201=, kN P 102=,mm l 1501=,mm l 1402=,MPa 160][=σ。(15

5.图示1、2杆截面均为方形,边长分别是a 和a/3。已知l =5a ,两杆材料相同,弹性模量为E 。设材料能采用欧拉公式的临界柔度为100,试求2杆失稳时均布荷载q 的临界值。(15分) 6.AB 梁支承在两悬臂梁的端点,有重Q 的物体自H 高处自由下落在AB 梁的中点,三根梁的长度和刚度EI 均相同,AB 梁的抗弯截面系数为W ,求AB 梁的最大动应力m ax d 。(10分) l

河海大学2017数值分析真题

河海大学2017-2018学年第一学期硕士研究生 《数值分析》试题(A) 任课教师姓名 姓名 专业 学号 成绩 一、填空题(每空2分,共30分): 1、圆周率π的近似值取为141592.3,其有效数字是 位. 2、设1)(3-+=x x x f ,则差商(均差)=]3,2,1,0[f ,=]4,3,2,1,0[f . 3、积分?+=1 0121dx x I ,用梯形公式计算得 ,用辛普生公式计算 得 (保留四位小数). 4、已知:???? ??--=1327A ,则=F A , =1)(A cond . 5、求解非线性方程)(x f x =根的牛顿法迭代公式为: . 6、已知矩阵??? ? ??-=8231A ,取初始向量T v )1,1(0=,用规范化的幂法迭代3次,求得矩阵 A 的主特征值近似为 ,相应的特征向量近似为 . 7、用改进欧拉(Euler)法解初值问题20 1='?=??=??x y y y ,取步长0.1=h ,则1=y (保留四位小数). 8、牛顿-柯特斯 (Cotes Newton -)数值求积公式 )()()(50 0)50(k k k b a x f C a b dx x f ∑?=-≈ 至少具有 次代数精度,并且 =∑=500)50(k k C .

9、设)5,4,3,2,1,0(=j x j 为互异节点,)(x l j 为对应的5次Lagrange 插值基函数,则=-∑=505 )2(j j j l x ,=+-+∑=50245)()235(j j j j j x l x x x . 二、(本题8分)确定求积公式 )()0()()(0011x Af Bf x Af dx x f ++-≈? - 中待定参数B A ,和0x 的值,使公式的代数精度尽量高;并指出此时求积公式的代数精度.

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