第1章 半导体二极管及其应用习题解答

第1章  半导体二极管及其应用习题解答
第1章  半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路

1.1 教学内容与要求

本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表1.1所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。

表1.1 第1章教学内容与要求

1.2 内容提要

1.2.1半导体的基础知识

1.本征半导体

高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。

本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差,

2.杂质半导体

(1) N型半导体本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N型半导体,N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。N型半导体呈电中性。

(2) P型半导体本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P型半导体。P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。P型半导体呈电中性。

在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。

1.2.2 PN结及其特性

1.PN结的形成

在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半

导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。PN 结是构成其它半导体器件的基础。 2.PN 结的单向导电性

PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性

PN 结的伏安特性: )1(T

S -=U U e

I I

式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从P 区指向N 区;I S 在数值上等于反向饱和电流;U T =KT /q ,为温度电压当量,在常温下,U T ≈26mV 。

(1) 正向特性 0>U 的部分称为正向特性,如满足U >>U T ,则T S U

U e I I ≈,PN 结的

正向电流I 随正向电压U 按指数规律变化。

(2) 反向特性 0>,则S I I -≈,反向电流与反向电压的大小基本无关。

(3) 击穿特性 当加到PN 结上的反向电压超过一定数值后,反向电流急剧增加,这种现象称为PN 结反向击穿,击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。 4. PN 结的电容效应

PN 结的结电容C J 由势垒电容C B 和扩散电容C D 组成。C B 和C D 都很小,只有在信号频率较高时才考虑结电容的作用。当PN 结正向偏置时,扩散电容C D 起主要作用,当PN 结反向偏置时,势垒电容C B 起主要作用。

1.2.3 半导体二极管

1. 半导体二极管的结构和类型

半导体二极管是由PN 结加上电极引线和管壳组成。

二极管种类很多,按材料来分,有硅管和锗管两种;按结构形式来分,有点接触型、面接触型和硅平面型几种。 2. 半导体二极管的伏安特性

半导体二极管的伏安特性是指二极管两端的电压u D 和流过二极管的电流i D 之间的关系。它的伏安特性与PN 结的伏安特性基本相同,但又有一定的差别。在近似分析时,可采用PN 结的伏安特性来描述二极管的伏安特性。 3. 温度对二极管伏安特性的影响

温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,温度每升高1o

C ,PN 结的正向压降约减小(2~2.5)mV 。

二极管的反向特性曲线随温度的升高将向下移动。当温度每升高10 o

C 左右时,反向饱和电流将加倍。

4. 半导体二极管的主要参数

二极管的主要参数有:最大整流电流I F ;最高反向工作电压U R ;反向电流I R ;最高工作频率f M 等。由于制造工艺所限,即使同一型号的管子,参数也存在一定的分散性,因此手册上往往给出的是参数的上限值、下限值或范围。 5. 半导体二极管的模型

常用的二极管模型有以下几种:

(1) 理想模型: 理想二极管相当于一个开关。当外加正向电压时,二极管导通,正向压降u D 为零,相当于开关闭合;当外加反向电压时,二极管截止,反向电流i R 为零,相当于开关断开。

(2) 恒压源模型: 当二极管外加正向电压等于或大于导通电压U on 时,二极管导通,二极管两端电压降为U on ;当外加电压小于U on 时,二极管截止,反向电流为零。

(3) 折线模型: 当二极管外加正向电压大于U on 后其电流i D 与电压u D 成线性关系,直线斜率为1/r D ;当二极管外加正向电压小于U on 时,二极管截止,反向电流为零。

(4) 微变信号模型: 如果在二极管电路中,除直流信号外,还有微变信号,则对微变信号可将二极管等效成一个电阻r d ,其值与静态工作点有关,即D Q T d /I U r =。

6.半导体二极管的应用

(1) 限幅:利用二极管的单向导电性将输出信号幅度限定在一定的范围内,亦即当输入电压超过或低于某一参考值后,输出电压将被限制在某一电平(称作限幅电平),且再不随输入电压变化。

(2) 整流:正弦交流电压变换为单向脉动电压。

1.2.3 特殊二极管

1.稳压二极管 (1) 稳压原理

稳压管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管。利用PN 结的反向击穿特性来实现稳定电压的,正常使用时工作在反向击穿状态。当反向电压达到击穿电压U Z 后,流过管子的反向电流会急剧增加,即使通过稳压管的反向电流在较大范围内变化,管子两端的反向击穿电压几乎不变,表现出很好的稳压特性。

(2) 主要参数

稳压管的主要参数有:稳定电压U Z ,稳定电流I Z ,最大耗散功率P CM 和最大工作电流I Zmax ,动态电阻r z 和稳定电压的温度系数α。

(3) 稳压电路

稳压管正常稳压必须满足两个条件:一是必须工作在反向击穿状态(利用正向特性稳压除外);二是流过稳压管的电流要在最小稳定电流I Zmin 和最大稳定电流I Zmax 之间。 2. 其它特殊二极管

发光二极管:通以电流时,能发出光来。

光电二极管:将光能转换成电能,它的反向电流与光照强度成正比。 变容二极管:结电容的大小能灵敏地随反向偏压而变化。

自测题

1.1 判断下列说法是否正确,用“√”和“?”表示判断结果填入空内 1. 半导体中的空穴是带正电的离子。( )

2. 温度升高后,本征半导体内自由电子和空穴数目都增多,且增量相等。( )

3. 因为P 型半导体的多子是空穴,所以它带正电。( )

4. 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( )

5. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。( )

【解1.1】: 1.× 2.√ 3.× 4. √ 5.√

1.2 选择填空

1. N 型半导体中多数载流子是 A ;P 型半导体中多数载流子是 B 。 A .自由电子 B .空穴

2. N 型半导体 C ;P 型半导体 C 。

A .带正电

B .带负电

C .呈电中性

3. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于 B ,而少子的浓度则受 A 的影响很大。 A .温度 B .掺杂浓度 C .掺杂工艺 D .晶体缺陷

4. PN 结中扩散电流方向是 A ;漂移电流方向是 B 。 A .从P 区到N 区 B .从N 区到P 区

5. 当PN 结未加外部电压时,扩散电流 C 飘移电流。

A .大于

B .小于

C .等于

6. 当PN 结外加正向电压时,扩散电流 A 漂移电流,耗尽层 E ;当PN 结外加反向电压时,扩散电流 B 漂移电流,耗尽层 D 。

A .大于

B .小于

C .等于

D .变宽

E .变窄

F .不变 7. 二极管的正向电阻 B ,反向电阻 A 。 A .大 B .小

8. 当温度升高时,二极管的正向电压 B ,反向电流 A 。

A .增大

B .减小

C .基本不变 9. 稳压管的稳压区是其工作在 C 状态。

A .正向导通

B .反向截止

C .反向击穿

【解1.2】: 1.A 、B 2.C 、C 3.B 、A 4.A 、B 5.C 6.A 、E 、B 、D 7.B 、A 8.B 、A 9.C

1.3 有A 、B 、C 三个二极管,测得它们的反向电流分别是2μA 、0.5μA 、5μA ;在外加相同的正向电压时,电流分别为10mA 、 30mA 、15mA 。比较而言,哪个管子的性能最好?

【解1.3】:二极管在外加相同的正向电压下电流越大,其正向电阻越小;反向电流越小,其单向导

电性越好。所以B 管的性能最好。

1.4 试求图T1.4所示各电路的输出电压值U O ,设二极管的性能理想。

5V

VD

+

-3k Ω

U O

VD

7V

5V +

-3k Ω

U O

5V

1V

VD +-3k ΩU O

(a ) (b ) (c )

10V

5V

VD

3k Ω+

.

_O U 2k Ω6V

9V

VD VD +

-

12

3k Ω

U O

VD VD 5V

7V

+

-

12

3k Ω

U O

(d ) (e ) (f )

图T1.4

【解1.4】:二极管电路,通过比较二极管两个电极的电位高低判断二极管工作在导通还是截止状态。

方法是先假设二极管断开,求出二极管阳极和阴极电位,

电路中只有一个二极管:若阳极电位高于阴极电位(或二极管两端电压大于其导通电压U on ),二极管正偏导通,导通时压降为0(对于理想二极管)或U on (对于恒压源模型的二极管);若阳极电位低于阴极电位(或二极管两端电压小于其导通电压U on ),二极管反偏截止,流过二极管的电流为零。

如果电路中有两个二极管:若一个正偏,一个反偏,则正偏的导通,反偏的截止;若两个都反偏,则都截止;若两个都正偏,正偏电压大的优先导通,进而再判断另一只二极管的工作状态。

图(a)二极管VD 导通,U O =5V 图(b) 二极管VD 导通,U O = -7V 图? 二极管VD 截止,U O = -1V

图(d) 二极管VD 1导通,VD 2截止,U O =0V 图(e) 二极管VD 1截止,VD 2导通,U O = -9V 图(f) 二极管VD 导通,U O =0V

1.5 在图T1.5所示电路中,已知输入电压u i =5sin ωt (V ),设二极管的导通电压U on =0.7V 。分别画出它们的输出电压波形和传输特性曲线u o =f (u i )。

3k Ω

VD VD 1

2

++-

-

u u i o 3k Ω

VD +

+-

-

u u i o 3k Ω

VD

++-

-

u u i o +

+

+

-

-

-

-

U VD

U VD

+

U VD1

U VD2

(a ) (b ) (c )

图T1.5

【解1.5】:在(a )图所示电路中,当二极管断开时,二极管两端的电压U VD =u i 。当U VD ≥U on ,即

u i ≥0.7V 时,二极管导通,输出电压u o =u i -0.7V ;当U VD

在(b )图所示电路中,当二极管断开时,二极管两端的电压U VD =u i 。当U VD ≥U on ,即u i ≥0.7V 时,二极管导通,输出电压u o = 0.7V ;当U VD

在(c )图所示电路中,当u i ≥0.7V 时,二极管VD 1导通,输出电压u o =0.7V ;当u i ≤-0.7V 时,二极管VD 2导通,输出电压u o =-0.7V ;当-0.7V

t t

t

t

t

t

--

图解T1.5(a )1 图解T1.5(b )1 图解T1.5(c )1

u i /V

i /V

i /V

图解T1.5(a )2 图解T1.5(b )2 图解T1.5(c )2

1.6 有两个硅稳压管,VD Z1、VD Z2的稳定电压分别为6V 和8V ,正向导通电压为0.7V ,稳定电流是5mA 。求图T1.6各个电路的输出电压U O 。

20V

+

-2k Ω

U O

VD VD z1

z2

20V

+

-U O

VD VD z1

z2

2k Ω

20V

+

-U O VD VD z1

z2

2k Ω

(a ) (b ) (c )

20V

+

-U O VD VD z1

z2

2k Ω

20V

+

-U O VD VD z1

z2

2k Ω

20V

+

-U O VD VD z1

z2

2k Ω

(d ) (e ) (f )

图T1.6

【解 1.6】:图 a U O =6V+8V=14V ;图b U O =6V+0.7V=6.7V ;图c U O =0.7V+0.7V=1.4V ;图d

U O =0.7V ;图e U O =0.7V ;图f U O =6V 。

1.7

已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。

试求图T1.7所示电路中限流电阻R 的取值范围。

【解1.7】:由题可知稳压管的最大稳定电流6

150

Z ZM Zmax =

=

U P I mA=25mA 流过稳压管的电流I Z 应满足:Zmax Z Zmin I I I <<,又因为:R

R U U I V

6V 15Z I Z -=

-=,由此可得限流电阻R 的取值范围:0.36k Ω

1.8 稳压管稳压电路如图T1.8所示,稳压管的稳定电压U Z =8V ,动态电阻r z 可以忽略,U I =20V 。试求:⑴ U O 、I O 、I 及I Z 的值。

⑵ 当U I 降低为15V 时的U O 、I O 、I 及I Z 的值。

U I

图T1.7 图T1.8

【解1.8】:(1)由于

V 8V 10V 202

22

I L L >=?+=+U R R R ,稳压管处于稳压状态。故

V 8Z O ==U U

mA 4mA 2

8

L O O ≈==R U I 6mA mA 2

8

20O I =-=-=

R U U I mA 2mA )46(O Z =-=-=I I I

(2)由于

V 8V 5.7V 152

22

I L L <=?+=+U R R R ,稳压管没有击穿不能稳压,所以

V 5.7O =U

m A 75.3m A 2

215

O =+=

=I I I Z =0

习题

1.1 在图P1.1所示电路图中,试求下列几种情况下输出端Y 点的电位及流过各元件的电流。⑴U A =U B =0V ;⑵U A =3V ,U B =0V 。设二极管的导通电压U on =0.7V 。

【解1.1】:(1)二极管VD 1和VD 2均承受正向电压,且正向电压相等,都导通。所以输出端Y 点电

位:U Y =U on =0.7V 。流过二极管VD 1和VD 2的电流:m A 65.4k Ω

1V

7.0V 1021VD2VD1=-=

=I I

(2)二极管VD 1和VD 2均承受正向电压,但VD 2承受的正向电压大,VD 2优先导通。所以输出端Y 点电位:U Y =U on =0.7V 。将VD 1钳制在截止状态。流过二极管VD 1的电流0VD1=I ,流过二极管

VD 2的电流m A 3.9k Ω

1V

7.0V 10VD2=-=

I

1.2 分析图P1.2所示电路中各二极管的工作状态,试求下列几种情况下输出端Y 点的电位及流过各元件的电流。⑴U A =U B =0V ;⑵U A =5V ,U B =0V ;⑶U A =U B =5V 。二极管的导通电压U on =0.7V 。

1k Ω

Y

A

B

VD VD 1

2

10V 1k Ω

Y

A

B

VD VD 1

2

图P1.1 图P1.2

【解1.2】:(1)二极管VD 1和VD 2均处于零偏状态,所以都截止。输出端Y 点电位:U Y =0。流过二

极管VD 1和VD 2的电流0VD2VD1==I I 。

(2)二极管VD 1正偏导通,所以输出端Y 点电位:U Y =U A -U on =5V-0.7V=4.3V 。将VD 2钳制在截止状态。流过二极管VD 1流过二极管VD 1和VD 2的电流m A 3.4k Ω

1V

3.4VD1==

I ,流过二极管VD 2的电流0VD2=I 。

(3)二极管VD 1和VD 2均承受正向电压,且正向电压相等,都导通。所以输出端Y 点电位:

U Y =U A -U on =5V-0.7V=4.3V 。流过二极管VD 1和VD 2的电流m A 15.2k Ω

1V

3.421VD2VD1==

=I I 。

1.3 在图P1.3所示电路中,已知u i =10sin ωt (V ),二极管的性能理想。分别画出它们的输入、输出电压波形和传输特性曲线u o =f (u i )。

+_u o

VD VD 2

1

2k Ω

+_

u i

3V

+_u o VD VD 21

+

_

u i

2k Ω

5V

3V

+_u o

VD

2k Ω

+_

u i

5V

(a ) (b ) (c )

图P1.3

【解1.3】:在(a )图所示电路中,当二极管断开时,二极管两端的电压U VD =5V -u i 。当U VD >0,

即u i <5V 时,二极管导通,输出电压u o =5V ;当U VD ≤0,即u i ≥5V 时,二极管截止,输出电压u o =u i 。输出电压的波形如图解P1.3(a )1所示,传输特性如图解P13(a )2所示。

在(b )图所示电路中,当二极管断开时,二极管VD 1两端的电压U VD1=-u i ,VD 2两端的电压U VD2=u i -3V 。当u i >3V 时,VD 2导通,输出电压u o =3V ;当u i <0时,VD 1导通,输出电压u o =0;当0≤u i ≤3V 时,VD 2、VD 1都截止,输出电压u o =u i 。输出电压的波形如图解P1.3(b )1所示,传输特性如图解P1.3(b )2所示。

在(b )图所示电路中,当二极管断开时,二极管VD 1两端的电压U VD1=-5V -u i ,VD 2两端的电压U VD2=u i -3V 。当u i >3V 时,VD 2导通,输出电压u o =3V ;当u i <-5V 时,VD 1导通,输出电压u o =-5V ;当-5V ≤u i ≤3V 时,VD 2、VD 1都截止,输出电压u o =u i 。输出电压的波形如图解P1.3(c )1所示,传输特性如图解P1.3(c )2所示

t

t

t

t -

t

t

图解P1.3(a )1 图解1.3P (b )1

图解P1.3(c )1

i /V

i

/V

i /V

图解1.3(a )2 图解1.3(b )2 图解1.3(c )2

1.4 图P1.4所示为一限幅电路,输入电压u i =10sin ωt (V ),试画出输出电压的波形和传输特性曲线。设VD 1、VD 2的性能均理想。

+_u o

+_

u i 8V

10k Ω

20k ΩR R 12VD VD 12

2V

__

8V

VD VD 1

2V

图P1.4 图解P1.4 (a)

【解1.4】:设流过VD 1、VD 2、R 1、R 2的电流分别为i D1、i D2、i 1、i 2,参考方向如图解1.4P(a)所示。

当VD 1、VD 2均导通时

20

88i 2i 2D2u R u i i -=-=

=,2012

3)28()(i 1i 2i 2D 1D1-=-+--=+-=u R u R u i i i ,由此可得,VD 1导通的

条件是:u i >4V ;VD 2导通的条件是:u i <8V 。故u i ≥8V 时,VD 1导通,VD 2截止,输出电压u o =8V ;

4V

时,VD 1截止,VD 2导通,输出电压V 421010

202

8o =+?+-=

u 。

输出电压的波形如图解P1.4((b )所示,传输特性如图解P1.4(c)所示。

i /

V

t

t

图解P1.4(b) 图解P1.4(c)

1.5 电路如图P1.5所示。输入电压u i =10sin ωt (mV ),二极管的导通电压U on =0.7V ,电容C 对交流信号的容抗可忽略不计。试计算输出电压的交流分量。

+_u o +_

u i

5.1k ΩR 2

10V

25Ω

R 1

VD

C

+_u o +_

u i 5.1k ΩR 2

25Ω

R 1

r d

图P1.5 图解P1.5

【解1.5】:只有直流电压作用时,电容C 开路,流过二极管的电流为8.1m 1

.57

.010DQ =-=

A I mA , 由此可估算出二极管VD 的动态电阻为:Ω4.14Ω8

.126

)mA ()mV (26Q D d ===

I r

在进行交流分析时,令直流电压和电容短路,二极管用交流等效电阻r d 代替,此时,电路可等效为图解P1.5。由图可求得输出电压的交流分量为

t r R r

u R r R r R R r R r u u d

d ω=+?≈+++?

=sin 65.3)/(1i 2d 2d 12d 2d i o (mV )

1.6 图P1.6所示稳压管稳压电路中,稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =125mW 。限流电阻R =1k Ω,负载电阻R L =500Ω。

⑴ 分别计算输入电压U I 为12V 、35V 三种情况下输出电压U o 的值。 ⑵ 若输入电压U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么?

图P1.6

【解1.6】:⑴ 根据题意可知流过稳压管的最大稳定电流

mA 83.20mA 6

125

Z ZM Zmax ===U P I

当U I =12V 时,Z L L I

V 4V 5

.015

.012U R R R U <=+?=+,稳压管未击穿。故

V 4I L

L

O =?+=

U R R R U

当U I =35V 时,Z L L I

V 67.11V 5

.015

.035U R R R U >=+?=+,稳压管反向击穿,流过稳压管的电流为

mA 175

.06

1635L O Z I Z =--=--=

R U R U U I 因为Zmax Z Zmin I I I <<,所以稳压管能稳压,输出电压U O =U Z =6V

⑵ 当U I =35V ,负载开路时,流过稳压管的电流=-=R U U I )(Z I Z 29mA >I ZM =20.83mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。

1.7 图1.6所示的稳压管稳压电路中,如果稳压管选用2DW7B ,已知其稳定电压U Z =6V ,最大稳定电流I Zmax =30mA ,最小稳定电流I Zmin =10mA ,限流电阻R =200Ω。

⑴ 假设负载电流I L =15mA ,则允许输入电压的变化范围为多大?才能保证稳压电路正常工作? ⑵ 假设给定输入直流电压U I =13V ,则允许负载电流I L 的变化范围为多大?

⑶ 如果负载电流也在一定范围变化,设I L =10~15mA ,此时输入直流电压U I 的最大允许变化范围为多大?

【解1.7】:解:⑴ 要保证电路正常工作,流过稳压管的电流L Z

I Z I R

U U I --=

应满足:Zmax Z Zmin I I I ≤≤,即m A 30152

.06

m A 10I ≤--≤

U ,得允许输入电压的变化范围为V 15V 11I ≤≤U 。 ⑵ 同理,电路应满足m A 302

.06

13m A 10L <--<

I ,

得允许负载电流的变化范围mA 25mA 5L ≤≤I 。 ⑶ 当负载电流最小(为I Lmin =10mA ),输入电压最大时,流过稳压管的电流最大,应满足

max Lmin Z

Imax Z I I R

U U ≤--

得允许输入电压的最大值为:V 14Imax ≤U

当负载电流最大(为I Lmax =15mA ),输入电压最小时,流过稳压管的电流最小,应满足

min Lmax Z

Imin Z I I R

U U ≥--

得允许输入电压的最小值为:V 11Imin ≥U

所以负载电流在10~15mA 范围内变化时,输入直流电压U i 的最大允许变化范围为V 14V 11i ≤≤U

第一章 半导体二极管及其应用典型例题

【例1-1】分析图所示电路得工作情况,图中I为电流源,I=2mA。设20℃时二极管得正向电压降U D=660mV,求在50℃时二极管得正向电压降。该电路有何用途?电路中为什么要使用电流源? 【相关知识】 二极管得伏安特性、温度特性,恒流源。 【解题思路】 推导二极管得正向电压降,说明影响正压降得因素及该电路得用途。 【解题过程】 该电路利用二极管得负温度系数,可以用于温度得测量。其温度系数–2mV/℃。 20℃时二极管得正向电压降 U D=660mV 50℃时二极管得正向电压降 U D=660 –(2′30)=600 mV 因为二极管得正向电压降U D就是温度与正向电流得函数,所以应使用电流源以稳定电流,使二极管得正向电压降U D仅仅就是温度一个变量得函数。

【例1-2】电路如图(a)所示,已知,二极管导通电压。试画出u I与u O得波形,并标出幅值。 图(a) 【相关知识】 二极管得伏安特性及其工作状态得判定。 【解题思路】 首先根据电路中直流电源与交流信号得幅值关系判断二极管工作状态;当二极管得截止时,u O=u I;当二极管得导通时,。 【解题过程】 由已知条件可知二极管得伏安特性如图所示,即开启电压U on与导通电压均为0、7V。 由于二极管D1得阴极电位为+3V,而输入动态电压u I作用于D1得阳极,故只有当u I高于+3、7V时 D1才导通,且一旦D1导通,其阳极电位为3、7V,输出电压u O=+3、7V。由于D2得阳极电位为-3V, 而u I作用于二极管D2得阴极,故只有当u I低于-3、7V时D2才导通,且一旦D2导通,其阴极电位即为-3、7V,输出电压u O=-3、7V。当u I在-3、7V到+3、7V之间时,两只管子均截止,故u O=u I。 u I与u O得波形如图(b)所示。 图(b)

第1章 半导体二极管及其应用习题解答教学文稿

第1章半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路 1.1 教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表1.1所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表1.1 第1章教学内容与要求 1.2 内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1.本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2.杂质半导体

(1) N 型半导体 本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N 型半导体,N 型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。N 型半导体呈电中性。 (2) P 型半导体 本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P 型半导体。P 型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。P 型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 1.2.2 PN 结及其特性 1.PN 结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体,另一边形成P 型半导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。PN 结是构成其它半导体器件的基础。 2.PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性 PN 结的伏安特性: )1(T S -=U U e I I 式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从P 区指向N 区;I S 在数值上等于反向饱和电流;U T =KT /q ,为温度电压当量,在常温下,U T ≈26mV 。

第一章 半导体二极管

第一章半导体二极管 内容提要:本章介绍半导体二极管的工作原理、特性曲线和参数。半导体器件的基础是PN结,为此对PN结的形成和电特性也给予了必要的介绍。 目前最基本的电子器件主要有三大类: 电子管 半导体器件 集成电路

本章主要介绍现代电子器件——集成电路的基础器件,半导体二极管和三极管的基本知识,工作原理,特性曲线和参数。 1.1 半导体的基本知识 物体有导体、半导体和绝缘体之分,它们是根据物体的导电能力来划分的。导电能力往往用电阻率来表示,单位是Ωcm。一般规定半导体的电阻率在10-3~109Ωcm之间。典型的半导体有硅Si和锗Ge,以及砷化镓GaAs等。硅和锗在元素周期表上是四价元素,砷化镓则属于半导体化合物。 1.1.1 本征半导体 1.1.1.1 本征半导体的定义 是化学成分纯净的半导体,它在物理结构上有多晶体和单晶体两种形态,制造半导体器件必须使用单晶体,即整个一块半导体材料是由一个晶体组成的。制造半导体器件的半导体材料纯度要求很高,要达到99.9999999%,常称为"九个9"。 1.1.1.2 本征半导体的共价键结构 硅和锗是四价元素,在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。根据化学的知识可以知道,最外层的价电子受原子核的束缚力最小,容易脱离原子核的束缚而参与导电。在半导体晶体中,最外层的价电子分别与周围的四个原子的价电子形成共价健。 1.1.1.2 电子空穴对 当半导体处于热力学温度0 K时,导体中没有自由电子。当温度升高大于0 K时,或受到光的照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣脱原子核的束缚,成为自由电子,从而可能参与导电。这一现象称为本征激发(也称热激发)。本征激发会产生如下物理过程:在自由电子产生的同时,在其原来的共价键中就出现了一个空位,原子的电中性被破坏,呈

二极管练习题

《二极管及其应用》章节测验 一、选择 1、本征半导体又叫() A、普通半导体 B、P型半导体 C、掺杂半导 体 D、纯净半导体 2、锗二极管的死区电压为() A、0.3V B、0.5V C、1V D、0.7V 3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是() D C B A -5.3V -6V -6V -5.3V -5V -5V 0V -0.7V

4、变压器中心抽头式全波整流电路中,每只二极管承受的最高反向电压为() A、U2 B、 U2 C、1.2 U2 D、2 U2 5、在有电容滤波的单相半波整流电路中,若要使输出的直流电压平均值为60V,则变压器的次级低电压应为() A、50V B、60V C、 72V D、27V 6、在下图所示电路中,正确的稳压电路为()

7、电路如图7所示,三个二极管的正向压降均可忽略不计,三个白炽灯规格也一样,则最亮的白炽灯是( ) A.A B.B C.C D.一样亮 8、图8所示电路,二极管导通电压均为0.7V,当V1=10V,V 2=5V时, (1)判断二极管通断情况( ) A.VD1导通、VD2截止 B.VD1截止、VD2 导通 C.VD1、VD2均导通 D.VD1、VD2均截 (2)输出电压VO为( ) A.8.37V B.3. 87V C.4.3V D.9.3V 9.分析图9所示电路,完成以下各题

(1)变压器二次电压有效值为10 V,则V1为( ) A.4.5V B.9V C.12V D.14V (2)若电容C脱焊,则V1为( ) A.4.5V B.9V C.12V D.14V (3)若二极管VD1接反,则( ) A.VD1、VD2或变压器烧坏 B.变为半波整流C.输出电压极性反转,C被反向击穿 D.稳压二极管过流而损坏 (4)若电阻R短路,则( ) A.VO将升高 B.变为半波整流 C.电容C因过压而击穿 D.稳压二极管过流而损坏 二、判断 ()1、本征半导体中没有载流子。 ()2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。

半导体二极管-练习题1

半导体二极管练习题1 一、单选题(每题1分) 1.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的__电阻,由于不同量程时通过二极管的电流,所测得正向电阻阻值。 A. 直流,相同,相同 B. 交流,相同,相同 C. 直流,不同,不同 D. 交流,不同,不同 2.杂质半导体中()的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 3. PN结形成后,空间电荷区由()构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 4.硅管正偏导通时,其管压降约为()。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 5.在PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流。 A. 小于,大于 B. 大于,小于 C. 大于,大于 D. 小于,小于 6.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于()。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 7.当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别()。 A. 左移,下移 B. 右移,上移 C. 左移,上移 D. 右移,下移 8.设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程为()。 A. U I e S B. T U U I e S C. )1 e( S - T U U I D. 1 e S - T U U I 9.下列符号中表示发光二极管的为()。 A B C D

10.在25oC时,某二极管的死区电压U th≈0.5V,反向饱和电流I S≈0.1pA,则在35oC 时,下列哪组数据可能正确:()。 A U th≈0.525V,I S≈0.05pA B U th≈0.525V,I S≈0.2pA C U th≈0.475V,I S≈0.05pA D U th≈0.475V,I S≈0.2pA 11.稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 12.从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 二、判断题(每题1分) 1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。() 2. PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。() 3.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。() 4.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。() 5.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。() 6.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。() 7.二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。() 三、填空题(每题1分) 1.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况,其中是可逆的,而会损坏二极管。 2.温度升高时,二极管的导通电压,反向饱和电流。 3.普通二极管工作时通常要避免工作于,而稳压管通常工作于。 4.硅管的导通电压比锗管的,反向饱和电流比锗管的。 5.本征半导体掺入微量的五价元素,则形成型半导体,其多子为,少子

第一章半导体二极管极其电路

第一章 半导体二极管极其电路 1、 什么是本征半导体?什么是杂质半导体(N 型、P 型)? 本征半导体是非常纯净的半导体晶体,而在单晶半导体内,原子按晶体结构排列得非常 整齐。杂质半导体:掺入微量元素的本征半导体,例:N 型掺入五价元素磷,P 型掺入三价 元素硼。 2、在半导体中有几种载流子?半导体的导电方式与金属的导电方式有什么不同? 答:在半导体中有两种载流子,电子和空穴。而金属导体中只有自由电子参与导电。 3、如何理解电子-空穴对的产生和复合? 电子空穴对的产生与复合是由于自由电子的移动,空穴并不是真正存在的粒子,电子填充空穴位置即复合。电子离开空穴即产生。 4、在PN 结中什么是扩散电流?什么是漂移电流? 答:PN 结两侧的P 型半导体、N 型半导体掺入的杂质元素不同,其载流子浓度也不相同。由于存在载流子浓度的差异,载流子会从浓度高的区域向浓度低的区域运动,通常把这种运动称为扩散运动,把扩散运动产生的电流称为扩散电流。 在内电场的作用下,N 区的少数载流子(空穴)会向P 区做定向运动,同样P 区的少数载流子(自由电子)会向N 区做定向运动,这种运动称为漂移运动,由漂移运动产生的电流称为漂移电流。 5、说明扩散运动、漂移运动对空间电荷区(耗尽层)的影响。 答:扩散运动会使空间电荷区变宽、内电场加大;内电场的产生和加强又阻止了多子的扩散, 有助于少子的漂移,结果使空间电荷区变窄,削弱了内电场,如此反复,在P 区和N 区之间,多子的扩散和少子的漂移会形成动态平衡,扩散电流等于漂移电流,总电流等于零,空间电荷区宽度一定,内电场强度一定,PN 结呈电中性。 6、写出PN 结的伏安特性表达式并绘出响应的曲线。 答:PN 结的伏安特性可用下式描述:)1e (T D /s D -=nV v I i 7、 解释雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿形成的原因,并说明热击穿与电击穿的异同。 雪崩击穿:当加在PN 结两端反向电压足够大时 PN 结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大,导致击穿。 齐纳击穿:在PN 结两端加入高浓度的杂质,在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅 迅增大产生击穿 热击穿:加在PN 结两端的电压和流过PN 结电流的乘积大于PN 结允许的耗散功率,PN 结会因为热量散发不出去而被烧毁

第1章__半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路 自测题 判断下列说法是否正确,用“√”和“?”表示判断结果填入空内 1. 半导体中的空穴是带正电的离子。(?) 2. 温度升高后,本征半导体内自由电子和空穴数目都增多,且增量相等。(√) 3. 因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。(?) 4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√) 5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。(√) 选择填空 1. N型半导体中多数载流子是 A ;P型半导体中多数载流子是B。 A.自由电子 B.空穴 2. N型半导体C;P型半导体C。 A.带正电 B.带负电 C.呈电中性 3. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于B,而少子的浓度则受 A 的影响很大。 A.温度 B.掺杂浓度 C.掺杂工艺 D.晶体缺陷 4. PN结中扩散电流方向是A;漂移电流方向是B。 A.从P区到N区 B.从N区到P区 5. 当PN结未加外部电压时,扩散电流C飘移电流。 A.大于 B.小于 C.等于 6. 当PN结外加正向电压时,扩散电流A漂移电流,耗尽层E;当PN结外加反向电压时,扩散电流B漂移电流,耗尽层D。 A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变 7. 二极管的正向电阻B,反向电阻A。 A.大 B.小 8. 当温度升高时,二极管的正向电压B,反向电流A。 A.增大 B.减小 C.基本不变 9. 稳压管的稳压区是其工作在C状态。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿有A、B、C三个二极管,测得它们的反向电流分别是2?A、0.5?A、5?A;在外加相同的正向电压时,电流分别为10mA、 30mA、15mA。比较而言,哪个管子的性能最好【解】:二极管在外加相同的正向电压下电流越大,其正向电阻越小;反向电流越小,其单向导电性越好。所以B管的性能最好。 题习题1 试求图所示各电路的输出电压值U O,设二极管的性能理想。

第二章二极管应用电路练习题

第二章 二极管应用电路练习题 一、选择填空题 (1)、当温度升高时,二极管的正向压降( ),反向电流( ) 。 A、增大 B、减小 C、基本不变。 (2)、在半导体材料中,其正确的说法是( ) A、P型半导体和N型半导体材料本身都不带电。 B、P型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带正电。 C、N型半导体中,由于多数载流子为自由电子,所以它带负电 D、N型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带正电。 (3)半导体导电的载流子是( ) ,金属导电的载流子是( ) 。 a.自由电子 b.空穴 c.自由电子和空穴(4)N型半导体中的多数载流子是 ( ) ,P型半导体中的多数载流子是( )。 a.自由电子 b.空穴 c.自由电子和空穴(5)在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ),而少数多数载流子的浓度主要取决于( ) 。 a.温度 b.掺杂浓度 c.掺杂工艺 (6)PN结正向偏置是指P区接( )电位,N区接( )电位,这时形成的正向电流。 a.高 b.低 c.较大 d.较小(7)二极管的正向电阻越( ),反向电阻越( ),说明二极管的单向导电性越好。 a.大 b.小 (8)当温度升高时,二极管的正向压降( ),反向电流( ),反向击穿电压( )。 a.变大 b.变小 c.变高 d.变低 (9)为了使晶体三极管能有效地起放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度( );基区宽度窄;集电结的结面积比发射结的结面积( )。 a.高 b.低 c.大 d.小 (10)三极管工作在放大区时,发射结为变高( ),集电结为( );工作在饱和区时,发射结为( ),集电结为( );工作在截止区时,发射结为( ) ,集电结为( )。 a.正向偏置 b.反向偏置 c.零偏置 (11)工作在放大区的某三极管,当I B从20μA增大到40μA时,I C从1mA

半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路 教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表第1章教学内容与要求 内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1.本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2.杂质半导体 (1)N型半导体本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N型半导体,N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。N型半导体呈电中性。 (2) P型半导体本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P型半导体。P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。P型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 1.2.2 PN结及其特性

1.PN 结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体,另一边形成P 型半导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。PN 结是构成其它半导体器件的基础。 2.PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性 PN 结的伏安特性: )1(T S -=U U e I I 式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从P 区指向N 区;I S 在数值上等于反向饱和电流;U T =KT /q ,为温度电压当量,在常温下,U T ≈26mV 。 (1) 正向特性 0>U 的部分称为正向特性,如满足U ??U T ,则T S U U e I I ≈,PN 结的正向电流I 随正向电压U 按指数规律变化。 (2) 反向特性 0>,则S I I -≈,反向电流与反向电 压的大小基本无关。 (3) 击穿特性 当加到PN 结上的反向电压超过一定数值后,反向电流急剧增加,这种现象称为PN 结反向击穿,击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。 4. PN 结的电容效应 PN 结的结电容C J 由势垒电容C B 和扩散电容C D 组成。C B 和C D 都很小,只有在信号频率较高时才考虑结电容的作用。当PN 结正向偏置时,扩散电容C D 起主要作用,当PN 结反向偏置时,势垒电容C B 起主要作用。 1.2.3 半导体二极管 1. 半导体二极管的结构和类型 半导体二极管是由PN 结加上电极引线和管壳组成。 二极管种类很多,按材料来分,有硅管和锗管两种;按结构形式来分,有点接触型、面接触型和硅平面型几种。 2. 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性是指二极管两端的电压u D 和流过二极管的电流i D 之间的关系。它的伏安特性与PN 结的伏安特性基本相同,但又有一定的差别。在近似分析时,可采用PN 结的伏安特性来描述二极管的伏安特性。 3. 温度对二极管伏安特性的影响 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,温度每升高1o C ,PN 结的正向压降约减小(2~)mV 。 二极管的反向特性曲线随温度的升高将向下移动。当温度每升高10 o C 左右时,反向饱和电流将加倍。 4. 半导体二极管的主要参数 二极管的主要参数有:最大整流电流I F ;最高反向工作电压U R ;反向电流I R ;最高工作频率f M 等。由于制造工艺所限,即使同一型号的管子,参数也存在一定的分散性,因此手册上往往给出的是参数的上限值、下限值或范围。 5. 半导体二极管的模型 常用的二极管模型有以下几种:

二极管及整流电路练习题

二极管及整流电路练习题 一、填空 1、纯净的半导体称为,它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少 量的价元素,可形成P型半导体,又称型半导体,其中多数载流子为, 少数载流子为。 2、在本征半导体中掺入价元素,可形成N型半导体,其中多数载流子 为,少数载流子为,它的导电能力比本征半导体。 3、如图,这是材料的二极管的____ 曲线,在正向电压超过 V 后,二极管开始导通,这个电压称为 电压。正常导通后,此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时, V 即称为电压。其中 稳压管一般工作在区。 4、二极管的伏安特性指和 _____后,二极管导通。正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为 V, 为 V。 5、二极管的重要特性是,具体指:给二极管加电压,二极管 导通;给二极管加电压,二极管截止。 6、PN结的单向导电性指,当反向电压增大到 时,反向电流会急剧增大,这种现象称。 7、二极管的主要参数有 ________、_________和,二极管的主要 特性是。 8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较 小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部。 两次测的阻值相差越大,则说明二极管的性能越好。 9、整流是指_______________________________________,整流电路分可为: 和电路。将交流电转换成较稳定的直流电,一般要经过以下过程: ___________ →____________ →____________ →____________ 10、有一直流负载R L=9Ω,需要直流电压V L=45V,现有2CP21(I FM=3000mA,V RM=100V) 和2CP33B(I FM=500mA, V RM=50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路,应选用 型二极管只。 11、稳压二极管的稳压特性指,动态电阻r Z越大,说明稳 压性能越。 12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去, 获得比较的直流电,通常接在电路的后面。它一般分为、 和三类。 13、有一锗二极管正反向电阻均接近于零,表明该二极管已_______ ,又有一硅二

半导体二极管及其应用习题解答

半导体二极管及其应用习题解答 自测题(一) 判断下列说法是否正确,用“√”和“?”表示判断结果填入空内 1. 半导体中的空穴是带正电的离子。() 2. 温度升高后,本征半导体内自由电子和空穴数目都增多,且增量相等。() 3. 因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。() 4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。() 5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。() 选择填空 1. N型半导体中多数载流子是;P型半导体中多数载流子是。 A.自由电子 B.空穴 2. N型半导体;P型半导体。 A.带正电 B.带负电 C.呈电中性 3. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于,而少子的浓度则受的影响很大。 A.温度 B.掺杂浓度 C.掺杂工艺 D.晶体缺陷 4. PN结中扩散电流方向是;漂移电流方向是。 A.从P区到N区 B.从N区到P区 5. 当PN结未加外部电压时,扩散电流飘移电流。 A.大于 B.小于 C.等于 6. 当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层;当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。 A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变 7. 二极管的正向电阻,反向电阻。 A.大 B.小 8. 当温度升高时,二极管的正向电压,反向电流。 A.增大 B.减小 C.基本不变 9. 稳压管的稳压区是其工作在状态。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 有A、B、C三个二极管,测得它们的反向电流分别是2?A、0.5?A、5?A;在外加相同的正向电压时,电流分别为10mA、 30mA、15mA。比较而言,哪个管子的性能最好 试求图所示各电路的输出电压值U O,设二极管的性能理想。 5V VD + - 3kΩ U O VD 7V 5V + - 3kΩ U O 5V1V VD + - 3kΩ U O (a)(b)(c)

半导体二极管及其应用习题解答

半导体二极管及其应用 习题解答 Document number:NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT

第1章半导体二极管及其基本电路 教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表第1章教学内容与要求 内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1.本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2.杂质半导体

(1) N 型半导体 本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N 型半导体,N 型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。N 型半导体呈电中性。 (2) P 型半导体 本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P 型半导体。P 型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。P 型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 1.2.2 PN 结及其特性 1.PN 结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体,另一边形成P 型半导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。PN 结是构成其它半导体器件的基础。 2.PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性 PN 结的伏安特性: )1(T S -=U U e I I 式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从P 区指向N 区;I S 在数值上等于反向饱和电流;U T =KT /q ,为温度电压当量,在常温下,U T ≈26mV 。

半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路 1.1教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内 容与教学要求如表1.1所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温 度的关系以及PN 结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表 第章教学内容与要求 1.2内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1 ?本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅 (Si)和锗 (Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为 电子空穴 对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指 数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2 ?杂质半导体 (1) N 型半导体 本征半导体中,掺入微量的五价元素构成 的多子是自由电子,少子是空穴。 N 型半导体呈电中性。 (2) P 型半导体 本征半导体中,掺入微量的三价元素构成 多子是空穴,少子是自由电子。 P 型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度, 大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 N 型半导体,N 型半导体中 P 型半导体。P 型半导体中的 掺入杂质越多,多子浓度就越

1.2.2 PN结及其特性 1.PN结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半

导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为 构成其它半导体器件的基础。 2. PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数 值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小, PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性 PN 结的伏安特性: I =ls(e UUT _1) 式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从 P 区指向N 区;I s 在数值上等于 反向饱和电流; 5=KT /q ,为温度电压当量,在常温下, U T ~ 26mV 。 与反向电压的大小基本无关。 (3) 击穿特性 当加到PN 结上的反向电压超过一定数值后,反向电流急剧增加,这种 现象称为PN 结反向击穿,击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。 4. PN 结的电容效应 PN 结的结电容 C j 由势垒电容C B 和扩散电容C D 组成。C B 和C D 都很小,只有在信号频 率较高时才 考虑结电容的作用。当 PN 结正向偏置时,扩散电容 C D 起主要作用,当 PN 结 反向偏置时,势垒电容 C B 起主要作用。 1.2.3半导体二极管 1. 半导体二极管的结构和类型 半导体二极管是由PN 结加上电极引线和管壳组成。 二极管种类很多,按材料来分,有硅管和锗管两种;按结构形式来分,有点接触型、 面接触型和硅平面型几种。 2. 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性是指二极管两端的电压 U D 和流过二极管的电流 i D 之间的关 系。它的伏安特性与 PN 结的伏安特性基本相同,但又有一定的差别。在近似分析时,可采 用PN 结的 伏安特性来描述二极管的伏安特性。 3. 温度对二极管伏安特性的影响 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,温度每升高 10 C , PN 结的正向压降约减 小(2~2.5) mV 。 二极管的反向特性曲线随温度的升高将向下移动。当温度每升高 10 o C 左右时,反向饱 和电流将加倍。 4. 半导体二极管的主要参数 二极管的主要参数有:最大整流电流 I F ;最高反向工作电压 U R ;反向电流I R ;最高工 作频率f M 等。由于制造工艺所限,即使同一型号的管子,参数也存在一定的分散性,因此 手册上往往 给出的是参数的上限值、下限值或范围。 5. 半导体二极管的模型 常用的二极管模型有以下几种: PN 结。PN 结是 (1)正向特性 U 0的部分称为正向特性,如满足 U U T ,则 I : - I S e U U T , PN 结的 正向电流I 随正向电压 U 按指数规律变化。 (2)反向特性 U 0的部分称为反向特性,如满足 U R U T ,则 I 「I s ,反向电流

半导体二极管-练习题1

半导体二极管 练习题1 一、单选题(每题1分) 1. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的__ 电阻,由于不同量程时通过二极管的电流 ,所测得正向电阻阻值 。 A. 直流,相同,相同 B. 交流,相同,相同 C. 直流,不同,不同 D. 交流,不同,不同 2. 杂质半导体中( )的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 3. PN 结形成后,空间电荷区由( )构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 4. 硅管正偏导通时,其管压降约为( )。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 5. 在PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,当PN 结外加反向电压时,扩 散电流 漂移电流。 A. 小于,大于 B. 大于,小于 C. 大于,大于 D. 小于,小于 6. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 7. 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别( )。 A. 左移,下移 B. 右移,上移 C. 左移,上移 D. 右移,下移 8. 设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程为( ) 。 A. U I e S B. T U U I e S C. )1e (S -T U U I D. 1e S -T U U I 9. 下列符号中表示发光二极管的为( )。 A B C D 10. 在25oC 时,某二极管的死区电压U th ≈0.5V ,反向饱和电流I S ≈0.1pA ,则在35oC 时,下列哪组数据可能正确:( )。 A U th ≈0.525V ,I S ≈0.05pA B U th ≈0.525V ,I S ≈0.2pA C U th ≈0.475V ,I S ≈0.05pA D U th ≈0.475V ,I S ≈0.2pA 11. 稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z 且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 12. 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于( )时处于正偏导 通状态。

第1章__半导体二极管及其应用习题解答xx汇总

第1章半导体二极管及其基本电路 1.1 教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表1.1所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表1.1 第1章教学内容与要求 1.2 内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1.本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2.杂质半导体 (1) N型半导体本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N型半导体,N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。N型半导体呈电中性。 (2) P型半导体本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P型半导体。P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。P型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 1.2.2 PN结及其特性 1.PN结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半

导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。PN 结是构成其它半导体器件的基础。 2.PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性 PN 结的伏安特性: )1(T S -=U U e I I 式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从P 区指向N 区;I S 在数值上等于反向饱和电流;U T =KT /q ,为温度电压当量,在常温下,U T ≈26mV 。 (1) 正向特性 0>U 的部分称为正向特性,如满足U >>U T ,则T S U U e I I ≈,PN 结的 正向电流I 随正向电压U 按指数规律变化。 (2) 反向特性 0>,则S I I -≈,反向电流与反向电压的大小基本无关。 (3) 击穿特性 当加到PN 结上的反向电压超过一定数值后,反向电流急剧增加,这种现象称为PN 结反向击穿,击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。 4. PN 结的电容效应 PN 结的结电容C J 由势垒电容C B 和扩散电容C D 组成。C B 和C D 都很小,只有在信号频率较高时才考虑结电容的作用。当PN 结正向偏置时,扩散电容C D 起主要作用,当PN 结反向偏置时,势垒电容C B 起主要作用。 1.2.3 半导体二极管 1. 半导体二极管的结构和类型 半导体二极管是由PN 结加上电极引线和管壳组成。 二极管种类很多,按材料来分,有硅管和锗管两种;按结构形式来分,有点接触型、面接触型和硅平面型几种。 2. 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性是指二极管两端的电压u D 和流过二极管的电流i D 之间的关系。它的伏安特性与PN 结的伏安特性基本相同,但又有一定的差别。在近似分析时,可采用PN 结的伏安特性来描述二极管的伏安特性。 3. 温度对二极管伏安特性的影响 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,温度每升高1o C ,PN 结的正向压降约减小(2~2.5)mV 。 二极管的反向特性曲线随温度的升高将向下移动。当温度每升高10 o C 左右时,反向饱和电流将加倍。 4. 半导体二极管的主要参数 二极管的主要参数有:最大整流电流I F ;最高反向工作电压U R ;反向电流I R ;最高工作频率f M 等。由于制造工艺所限,即使同一型号的管子,参数也存在一定的分散性,因此手册上往往给出的是参数的上限值、下限值或范围。 5. 半导体二极管的模型 常用的二极管模型有以下几种:

二极管练习题

《二极管及其应用》 章节测验 一、选择 1、本征半导体又叫( ) A 、普通半导体 B 、P 型半导体 C 、掺杂半导体 D 、纯净半导体 2、锗二极管的死区电压为( ) A 、0.3V B 、0.5V C 、1V D 、0.7V 3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是( ) -5.3V -6V -6V -5.3V 0V -0.7V 4、变压器中心抽头式全波整流电路中,每只二极管承受的最高反向电压为( ) A 、U 2 B 、 2U 2 C 、1.2 U 2 D 、22 U 2 5、在有电容滤波的单相半波整流电路中,若要使输出的直流电压平均值为60V ,则变压器的次级低电压应为( ) A 、50V B 、60V C 、72V D 、27V 6、在下图所示电路中,正确的稳压电路为( ) 7、电路如图7所示,三个二极管的正向压降均可忽略不计,三个白炽灯规格也一样,则最亮的白炽灯是( ) A .A B .B C .C D .一样亮 8、图8所示电路,二极管导通电压均为0.7V ,当V1=10V ,V 2=5V 时, (1)判断二极管通断情况( ) A .VD1导通、VD2截止 B .VD1截止、VD2 导通 C .VD1、VD2均导通 D .VD1、VD2 均截 (2)输出电压VO 为( ) A .8.37V B .3. 87V C .4.3V D .9.3V 9.分析图9所示电路,完成以下各题 (1)变压器二次电压有效值为10 V ,则V1为( ) A .4.5V B .9V C .12V D .14V (2)若电容C 脱焊,则V1为( ) A .4.5V B .9V C .12V D .14V (3)若二极管VD1接反,则( ) A .VD1、VD2或变压器烧坏 B .变为半波整流 C .输出电压极性反转,C 被反向击穿 D .稳压二极管过流而损坏 (4)若电阻R 短路,则( ) A .VO 将升高 B .变为半波整流 C .电容C 因过压而击穿 D .稳压二极管过流而损坏 二、判断 ( )1、本征半导体中没有载流子。 ( )2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。 ( )4、RC π型滤波器的特点是:滤波效果好,有直流损耗,带负载能力差。 ( )5、使用发光二极管时,要加正向电压;使用光敏和稳压二极管时要加反向电压。 ( )6、在单相半波整流电容滤波电路中,输出电压平均值ū= U 2 ( )7、二极管和三极管都属于非线性器件。 A B C D R L R L B C D 图7 图9

第一章半导体二极管极其电路

第三章 场效应管及其放大电路 1. JEFT 有两种类型,分别是N 沟道结型场效应管和P 沟道结型场效应管 2. 在JFET 中: (1) 沟道夹断:假设0=DS v ,如图所示。由于 0=DS v ,漏极和源极间短路,使整个沟道内没有压降,即整个沟道内的电位与源极的相同。令反偏的栅-源电压GS v 由零向负值增大,使PN 结处于反偏状态,此时,耗尽层将变宽;由于在结型场效应管制作中,P 区的浓度远大于N 区的浓度,所以,耗尽层主要在N 沟道内变宽,随着耗尽层宽度加大,沟道变窄,沟道内的电阻增大。继续反响加大GS v ,耗尽层将在沟道内合拢,此时,沟道电阻將变的无穷大,这种现象成为沟道夹断 (2)在DS v 较小时,DS v 的加大虽然会增大沟道内的电阻,但这种影响不是很明显,沟道仍处于比较宽的状态,即沟道的电阻在DS v 比较小的时候基本不变,此时加大DS v ,会使D i 迅速增加,D i 与DS v 近似为线性关系。加大DS v ,沟道内的耗尽层会逐渐变宽,沟道电阻增加,D i 随DS v 的上升,速度会变缓。当||P DS V v =时,楔形沟道会在A 点处合拢,这种现象称为预夹断。 3. 解: (1)(a )为N 沟道场效应管 (b )为P 沟道场效应管 (2)(a )V V P 4-= (b )V V P 4= (3)(a )A I DSS 5= (b )A I DSS 5-= (4)电压DS v 与电流D i 具有相同的极性且与GS v 极性相反,因而,电压DS v 的极性可根据D i 或GS v 的极性判断 4.解:

当JFET 工作在饱和区时,有关系式:2)1(P GS DSS D V V I i -= 5. 解:在P 沟道JFET 中,要求栅-源电压GS v 极性为正,漏源电压DS v 的极性为负,夹断电源P V 的极性为正 6. 解:MOS 型场效应管的详细分类 7. 解: 耗尽型是指,当0=GS v 时,即形成沟道,加上正确的GS v 时,能使对数载流子流出沟道, 因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。 增强型是指, 当0=GS v 时管子是呈截止状态,加上正确的GS v 后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。 8. MOS 管工作时一定要保证PN 结反偏。因此输入电阻非常大。 9. a.N 沟道耗尽型MOS 管 VP=-3V b P 沟道耗尽型 VP=4V c N 沟道增强型MOS 管 VT=2V d P 沟道增强型MOS 管 VP=-4V 10. id=id0(vgs/vt -1)(vgs/vt-1) Vgs=2vt 11. 对所有的N 沟道场效应管Vds>0 对于所有的P 沟道场效应管 Vds<0 N 沟道耗尽型VGS 可正可负 N 沟道增强型Vgs>0 P 沟道耗尽型Vgs 可正可负 P 沟道增强型Vgs<0 12 N 沟道增强型: VT 为正 N 沟道耗尽型:VP 为负

相关文档
最新文档