只读存储器及其分类
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摘要 (1)
Abstract (1)
1 引言 (1)
2 只读存储器 (1)
3 只读存储器的分类 (2)
3.1掩模只读存储器 (2)
3.2可编程只读存储器（PROM） (3)
3.3可擦除的可编程只读存储器(EPROM) (3)
4 结束语 (6)
参考文献 (6)
只读存储器及其分类
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摘要：只读存储器是一类常用半导体存储器，在数字电子技术中有广泛的用途。本文从理论的角度出发，介绍了只读存储器的电路结构、优缺点以及其分类，重点分类介绍了掩膜只读存储器、可编程只读存储器和可擦除的可编程只读存储器的工作原理及其性能特点，总结了只读存储器的选用经验原则。本文的分析与介绍对全面掌握只读存储器的性能和合理利用只读存储器都有一定的参考作用。
关键词：只读存储器；掩膜只读存储器；可编程只读存储器；可擦除的可编程只读存储器
Read-Only Memory And Its Classifications Abstract：Read-Only Memory is a kind of semiconductor memory, and is widely used in the digital electronic technology. This article mainly introduces its circuit structure, advantages and classifications, especially introduces the principles and performance characteristics of the mask Read-Only Memory, Programmable Read-Only Memory and erasable Programmable Read-Only Memory, and summarized the ways of using the Read-Only Memory. The analyses and the introductions of this article is very useful for grasping its performances and using it.
Keywords：Read-Only Memory; Mask Read-Only Memory; Programmable Read-Only Memory; Erasable Programmable Read-Only Memory
1 引言
存储器的应用领域极为广泛，凡是需要记录数据或各种信息的场合都离不开它。而只读存储器是装机必不可少的。它的特点是只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定，断电后所存储数据不会改变；结构简单，读出方便，因此常用于存储各种固定程序和数据。[1] 2 只读存储器
只读存储器顾名思义是只读不写的存储器。它和随机存储器RAM一样被
做成单片结构。在这个片子中包括存储单元矩阵、译码电路、以及输入输出电路。由于内容是事先写好的，在工业过程中只进行读操作，不进行写操作，所以电路结构简单，便于大规模集成[2]。
只读存储器在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速地随时修改或重新写入数据。ROM的最大特点是，信息能可靠地保存，不受电源切断的控制；在大容量化下，可以实现低价格；输入输出能够用逻辑电平高速读出处理
[2]。
3 只读存储器的分类
只读存储器可分为掩膜只读存储器、可编程只读存储器和可擦除的可编程只读存储器几种不同类型。它们各有不同的特点：掩膜只读存储器中的数据在制作时已经确定，无法更改；可编程只读存储器的数据可以由用户根据自己的需要写入，但一经写入以后就不能再修改了；可擦除的可编程只读存储器里的数据则不但可以由用户根据自己的需要写入，而且还能擦除重写，所以具有更大的使用灵活性[3]。
3.1 掩模只读存储器
在采用掩膜工艺制作ROM时，其中存储的数据是由制作过程中使用的掩膜板决定的。这种掩模板是按照用户自己的要求而专门设计的。因此。掩模ROM在出厂时内部存储的数据就已经“固化”在里边了。
ROM的电路结构包含存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器三个组成部分，
如图1所示。存储矩阵由许多存储单元排列而成[4]。存储单元可以用二极管构成，也可以用双极型三极管或MOS管构成。每个单元能存放1位二值代码（0
或1）。每一个或一组存储单元有一个对应的地址代码。
地址译码器的作用是将输入的地址代码译成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储器矩阵中将指定的单元选出，并把其中的数据送到输出缓冲器。输出缓冲器的作用有两个，一是能提高存储器的带负载能力，二是实现对输出状态的三态控制，以使与系统的总线连接[5]。掩模ROM的特点：出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产，简单，便宜，非易失性。
3.2 可编程只读存储器（PROM）
PROM属于可编程逻辑器件PLD范畴,并且是最早研制成功的一种PLD器件。虽然PROM的基本用途是在微型计算机中存储程序和数据，但也可以用作包括组合电路和时序电路在内的逻辑电路。可编程只读存储器的存储单元的利用率不高，工作速度一般较慢，不过比微型计算机或单片机用程序实现逻辑功能要快的多[6]。
可编程程序只读的内部有行列式的镕丝，视需要利用电流将其烧断，写入
所需的资料，但仅能写录一次[7]。图2是熔丝型PROM存储单元的原理图，它由一只三极管和串在发射极的快速熔断丝组成。三极管的be结相当于接在字线与位线之间的二极管。熔丝用很短的低熔点合金或多境硅导线制成。在写入数据时只要设法将需要存入0的那些单元上的熔丝烧断就行了。所以是一次性变编程，不能改写[8]。
3.3可擦除的可编程只读存储器(EPROM)
EPROM中的数据可以擦除重写，在需要经常修改ROM中内容的场合是一种比较理想的器件。随着技术的不断进步和各种需要，不同特性的EPROM 相继产生。
3.3.1 用紫外线擦除的可编程只读存储器（EPROM ）
EPROM 与前面已经提到的PROM 在总体结构上没有多大区别，只是采用不同的存储单元。EPROM 采用叠栅注入MOS 管制作的存储但单元[9]。如图3。
EPROM 的编程需要使用编程器完成，擦除时需要在擦除器中进行，擦除器中的紫外线灯产生一定强度的紫外线，经过一定时间的照射后，即可将存储的数据擦除。此擦除操作复杂，擦除速度很慢。
3.3.2 电可擦除的可编程只读存储器（E 2PROM ）
E 2PROM 的存储单元采用了一种成为浮栅隧道氧化层MOS 管，结构如图4所示。
虽然E 2PROM 改用电信号擦除，但由于擦除和写入时需要加高电压脉冲，而且擦、写的时间仍较长，所以在系统的正常工作状态下，E 2PROM 仍然只能工作在它的读出状态，作ROM 使用。
3.3.3 快闪存储器（Flash Memory ）
闪存采用国际上最前沿的半导体工艺技术生产，在存储密度、功耗、读写速度、数据保留与更新能力、可靠性、成本诸多方面性能独特，成为非易失性存储器产品中发展最快的一类，与动态和静态随机存储器DRAM/SRAM 一起构成集成电路存储器业的三大主流产品。
闪存结构特点：闪存集成度比可擦除的可编程只读存储器EPROM 好，与PROM 、EPROM 、E 2PROM 的最显著区别在于它是按块擦除，按位编程，能以闪电般的速度一次擦除一个块，因而被成为闪存。
另外，块擦除还使单管单元的实现成为可能，即基本存储单元是用单只MOS 晶体管构成的，从而使器件尺寸缩小，集成度提高。
快闪存储器是在EPROM 和E 2PROM 的基础上发展起来的非易失性存储器，具有它们两者各自的优点：即既吸收了EPROM 的机构简单、编程可靠的优点，又保留了E 2PROM 用隧道效应擦除的快捷性，而且集成度可以做的更高[7]。
快闪存储器采用了一种类似于EPROM 的单管叠栅结构的存储单元，制成了新一代用电信号擦除的可编程ROM 。快闪存储器日益广泛地应用于电子装置上，对其的要求也越来越高，所以其市场前景是非常可观的。不过与此同时对其的各性能要求也越来越高，只有这样才能适应市场需求。
快闪存储器的写入方法是利用雪崩注入的方法使浮栅充电的，擦除操作是利用隧道效应进行的。图5是快闪存储器的结构示意图[10]。
快闪存储器的编程和擦除操作不需要使用编程器，写入和擦除的控制电路
集成于存储器芯片中，工作时只需要5V的低压电源，使用极其方便。
由于叠栅MOS管浮置栅下面的氧化层极薄，经过多次编程以后可能发生损坏，所以目前快闪存储器的编程次数是有限的。
4 结束语
本文介绍了只读存储器的概念及其原理，重点介绍了其分类。按照出现顺序分别介绍了掩模只读存储器、可编程只读存储器和可擦除的可编程只读存储器的结构、原理和性能。通过本文，可以更好的了解只读存储器，以便以后更好的应用。
参考文献：
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RAM内存分为哪些种类
RAM内存分为哪些种类 RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。 01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器） 这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。 02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器） 静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。 03.VRAM（Video RAM，视频内存） 它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。 04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器） 改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU 需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPM DRAM被大量使用。 05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器） 这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM 那样在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般应用于中档以下
存储器种类
存储器类型 ①SRAM SSRAM RAM ②DRAM SDRAM ①MASK ROM ②OTP ROM ROM ③PROM ④EPROM ⑤EEPROM ⑥FLASH Memory RAM: Random Access Memory 随机访问存储器 存储单元的内容可按需随意取出或存入，这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。它的特点就是是易挥发性（nonvolatile），即掉电失忆。 ROM: Read Only Memory 只读存储器 ROM 通常指固化存储器(一次写入，反复读取)，它的特点与RAM 相反。 注意： ①我们通常可以这样认为，RAM是单片机（MCU）的数据存储器（这里的数据包括 内部数据存储器（用户RAM区，可位寻址区和工作组寄存器）和特殊功能寄存器 SFR），或是电脑的内存和缓存，它们掉电后数据就消失了（非易失性存储器除外， 比如某些数字电位器就是非易失性的）。ROM是单片机的程序存储器，有些单片 机可能还包括数据存储器，这里的数据指的是要保存下来的数据，即单片机掉电 后仍然存在的数据，比如采集到的最终信号数据等。而RAM这个数据存储器只是 在单片机运行时，起一个暂存数据的作用，比如对采集的数据做一些处理运算， 这样就产生中间量，而RAM这个数据存储器就是来暂时存取中间量的，最终的结 果要放到ROM的数据存储器中。（如下图所示） ② ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速的随时修改或重新写入数 据。它的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不会丢失。缺点是只适用于 存储那些固定数据的场合。RAM与ROM的根本区别是RAM在正常工作状态下 就可以随时向存储器里写入数据或从中读取数据。
√半导体存储器——分类、结构和性能
半导体存储器（解说） ——分类、结构和性能—— 作者：Xie M. X. (UESTC ，成都市) 计算机等许多系统中都离不开存储器。存储器就是能够存储数据、并且根据地址码还可以读出其中数据的一种器件。存储器有两大类：磁存储器和半导体存储器。 （1）半导体存储器的分类和基本结构： 半导体存储器是一种大规模集成电路，它的分类如图1所示。半导体存储器根据其在切断电源以后能否保存数据的特性，可区分为不挥发性存储器和易挥发性存储器两大类。磁存储器也都是不挥发性存储器。 半导体存储器也可根据其存储数据的方式不同，区分为随机存取存储器（RAM ）和只读存储器（ROM ）两大类。RAM 可以对任意一个存储单元、以任意的次序来存/取（即读出/写入）数据，并且存/取的时间都相等。ROM 则是在制造时即已经存储好了数据，一般不具备写入功能，只能读出数据（现在已经发展出了多种既可读出、又可写入的ROM ）。 半导体存储器还可以根据其所采用工艺技术的不同，区分为MOS 存储器和双极型存储器两种。采用MOS 工艺制造的称为MOS 存储器；MOS 存储器具有密度高、功耗低、输入阻抗高和价格便宜等优点，用得最多。采用双极型工艺制造的，称为双极型存储器；双极型存储器的优点就是工作速度高。 半导体存储器的基本结构就是存储器阵列及其它电路。存储器阵列（memory array ）是半导体存储器的主体，用以存储数据；其他就是输入端的地址码缓存器、行译码器、读出放大器、列译码器和输出缓冲器等组成。 各个存储单元处在字线（WL ，word line ）与位线（BL ，bit line ）的交点上。如果存储器有N 个地址码输入端，则该存储器就具有2N 比特的存储容量；若存储器阵列有2n 根字线，那么相应的就有2N n 条位线（相互交叉排列）。 在存储器读出其中的数据时，首先需通过地址码缓存器把地址码信号送入到行译码器、并进入到字线，再由行译码器选出一个WL ，然后把一个位线上得到的数据（微小信号）通过读出放大器进行放大，并由列译码器选出其中一个读出放大器，把放大了的信号通过多路输出缓冲器而输出。 在写入数据时，首先需要把数据送给由列译码器选出的位线，然后再存入到位线与字线相交的存储单元中。当然，对于不必写入数据的ROM （只读存储器）而言，就不需要写入电路。 图1 半导体存储器的分类
内存是存储器的一种
存储器是计算机的重要组成部分，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器。外存储器通常是磁性介质和光盘，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息。 内存的分类 内存的物理实质是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。内存按存储信息的功能可分为只读存储器ROM（Read Only Memory）、可改写的只读存储器EPROM （Erasable Progrmmable ROM）和随机存储器RAM（Random Access Memory）。ROM中的信息只能被读出，而不能被操作者修改或删除，故一般用于存放固定的程序。EPROM和一般的ROM不同点在于它可以用特殊的装置擦除和重写它的内容，一般用于软件的开发过程。RAM就是我们平常所说的内存，主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，以及与外部存储器交换信息。它的存储单元根据具体需要可以读出，也可以写入或改写。一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失。现在的RAM多为MOS型半导体电路，它分为静态和动态两种。静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS 电路中的栅级电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给予补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用静态RAM。另外，内存还应用于显卡，声卡及CMOS等设备中，用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。 动态RAM按制造工艺的不同，又可分为动态随机存储器（Dynamic RAM）、扩展数据输出随机存储器（Extened Data Out RAM）和同步动态随机存储器（Sysnchromized Dynamic RAM）。 有关内存的常见技术指标 内存条通常有8MB、16MB、32MB、64MB、128MB、256MB等容量级别，其中64MB、128MB 已成为当前的主流配置。而用于诸如图形工作站的内存容量高达512MB以上。内存条芯片的存取时间是内存的另一个重要指标，其单位一纳秒（ns）度量，目前主流的SDRAM存取时间在10ns以下，而高速缓冲存储器（Cache）的存取时间更短。 存储器有哪些主要技术指标 1 8.ECC内存 ECC(Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting)是一种具有自动纠错功能的内存，Intel的82430HX芯片组就支持它，使用该芯片的主板都可以安装使用ECC内存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要应用在要求系统运算可*性比较高的商业计算机中。由于实际上存储器出错的情况不会经常发生，相关的主板产品还不多，一般的家用与办公计算机也不必采用ECC内存。 9. CDRAM（Cached DRAM） CDRAM（Cached DRAM）带高速缓存动态随机存储器）是日本三菱电气公司开发的专有技
存储器那点事(一)常见存储器分类
存储器那点事(一)常见存储器分类 前言 注：本文中所谈到的存储器主要是指磁盘阵列，通过SAN/NAS/iSCSI等接口与主机相连，虽然说SAN交换机、物理带库、磁带机和光盘塔也属于存储的范畴，但不在本文讨论范围内。 存储器，或者称作存储阵列，是当今业界一个比较Fashion的词，见过不少这个圈子里的公司为了提高档次，会主动往存储行业靠，经常自我标榜“哥所在的系统集成公司是高科技，不仅搬箱子，哥还做存储”，“哥公司自己生产具有完全知识产权的存储器”…（当然现在再这么说有点out了，现在流行自我标榜“哥公司现在做云计算高科技呢”）。 当然，这个圈子里面的人在和身边朋友自我介绍是做存储这个高科技行业时，也经常碰到另外一种情况，“哥们你们那边250G的盘多少钱一块啊，你们卖U盘么？”… 那么存储器究竟该如何定义呢？在我看来，二十多年前Sun公司提出了“网络就是计算机”的理念，对于整个IT行业发生了翻天覆地的变化，那么我们也完全可以说“存储也是计算机”。存储是什么呢，对，存储也是计算机。 2000年前的存储器，多是作为主机的附属品出现的，记得97年本人在做系统管理员时，看到厂商在调试几套HP 9000和SUN小型机，几个集成商的工程师将一个个磁盘塞进一个独立架子里面（后来才知道那叫磁盘柜），一边塞进去还一边说：“哥们千万注意啊，这玩意叫磁盘阵列，贼贵，一块磁盘顶一台夏利呢”。我们当时大吃一惊，高科技啊，一块小铁片竟然顶得上大街上一辆出租车（其实当时也不过是给个JBOD+软件RAID，现在想想，真叫暴利啊）… 而且当时安装磁盘阵列也是看起来很高深的一件事情，不同于主机UNIX操作系统要插入光盘，输入命令、不断回车，磁盘阵列的安装往往是在主机安装完后再导入一些软件，然后运行一个脚本，出去吃个饭、抽根烟….就完成了。这就是早期DAS 阶段的典型工作流程，存储器在当时仅仅是服务器的附属品。 2000年左右以后，国内的存储器市场慢慢进入了一个繁荣发展阶段，具有独立控制器的磁盘阵列产品越来越多（不再依赖于主机端的软件RAID技术）；另外除了 IBM/HP/SUN/Compaq/SGI五大UNIX厂商有自己的存储器产品外，独立存储厂商在国内也如雨后春笋般出现了，EMC（第一次还以为是那个做显示器的厂商）、Brocade、Netapp、MCData、HDS等存储网络产品公司也慢慢地出现在招标书和投标现场，可以说，2000年以后，存储器进入了一个快速发展的时期。 存储器和主机的采购可以分开、建立独立的存储网络等概念分别被以EMC和Brocade 为代表的存储公司发扬光大。存储与计算分离的概念颠覆了传统的DAS模式，在传统模式中，存储器被看作一个简单的外设依附于主机系统，而存储与计算分离以后，存储子系统从原来的计算系统中分离出来形成一个独立的子系统（这是EMC早期一再强调的概念），存储和主机间通过高速网络互联，这样存储器从后台走向了前台，这样诞生了Brocade和Mcdata（后被Brocade收购）等SAN网络设备公司。同时随着网络共享应用的持续增长和网络文件共享协议的成熟（SUN发明的NFS协议和
内存储器和外存储器的区别
内存储器和外存储器的区别 内存储器 内存又称为内存储器，通常也泛称为主存储器，是计算机中的主要部件，它是相对于外存而言的。 内存储器是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。 计算机中所有程序的运行都是在内存储器中进行的，因此内存储器的性能对计算机的影响非常大。 内存储器（Memory）也被称为内存，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。 只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来， 内存的运行也决定了计算机的稳定运行。内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。 分类 T一般常用的微型计算机的存储器有磁芯存储器和半导体存储器， 微型机的内存都采用半导体存储器。
T半导体存储器从使用功能上分，有随机存储器（Random Access Memory，简称RAM）， 又称读写存储器;只读存储器（Read Only Memory，简称为ROM）。 1.随机存储器（Random Access Memory）随机存储器 随机存储器 随机存储器是一种可以随机读∕写数据的存储器，也称为读∕写存储器。 RAM有以下两个特点：一是可以读出，也可以写入。 读出时并不损坏原来存储的内容， 只有写入时才修改原来所存储的内容。 二是RAM只能用于暂时存放信息，一旦断电一旦断电一是可以读出 ，存储内容立即消失，即具有易失性。 RAM通常由MOS型半导体存储器组成， 根据其保存数据的机理又可分为动态（Dynamic RAM）和静态（Static RAM）两大类。 DRAM的特点是集成度高，主要用于大容量内存储器;SRAM的特点是存取速度快，主要用于高速缓冲存储器。 2.只读存储器（Read Only Memory）
西门子S7-200系列PLC的存储器类型
（1） S7-200存储器类型 S7-200 PLC可以采用多种形式的存储器来进行PLC程序与数据的存储，以防止数据的丢失。S7-200可以使用的存储器主要有如下类型： ①RAM： CPU模块本身带有动态数据存储器（RAM）。RAM用于存储PLC的运算、处理结果等数据。根据需要，RAM的数据可以通过电容器或电池盒（选件）进行保持，但其存储时间较短，一般只能保持几天。 ②EEPROM（或Flash ROM）：除RAM外，CPU模块本身带有的保持型存储器（EEPROM或Flash ROM），可以进行数据的永久性存储。保持型存储器用于存储PLC用户程序、PLC参数等重要数据；根据需要，也可以将PLC程序执行过程中所产生的局部变量V、内部标志M、定时器T、计数器C等保存在保持型存储器中。 ③存储器卡：存储器卡在S7-200中为可选件，用户可以根据需要选用。存储器卡为保持型存储器，可以作为PLC保持型存储器的扩展与后备，用于保存PLC用户程序、PLC参数、变量V、内部标志M、定时器T、计数器C等。 （2）存储器分区 S7-200的内部存储器分为程序存储区、数据存储区、参数存储区。其中，程序存储区用于存储PLC用户程序；数据存储区用于存储PLC运算、处理的中间结果（如输入／输出映像，标志、变量的状态，计数器、定时器的中间值等）；参数存储区用于存储PLC配置参数（包括程序保护密码、地址分配设定、停电保持区域的设定等）。 艾驰商城是国内最专业的MRO工业品网购平台，正品现货、优势价格、迅捷配送，是一站式采购的工业品商城！具有10年工业用品电子商务领域研究，以强大的信息通道建设的优势，以及依托线下贸易交易市场在工业用品行业上游供应链的整合能力，为广大的用户提供了传感器、图尔克传感器、变频器、断路器、继电器、PLC、工控机、仪器仪表、气缸、五金工具、伺服电机、劳保用品等一系列自动化的工控产品。 艾驰商城是国内最专业的MRO工业品网购平台，正品现货、优势价格、迅捷配送，是一站式采购的工业品商城！具有 10年工业用品电子商务领域研究，以强大的信息通道建设的优势，以及依托线下贸易交易市场在工业用品行业上游供应链的整合能力，为广大的用户提供了传感器、图尔克传感器、变频器、断路
存储器分类
内存的种类是非常多的，从能否写入的角度来分，就可以分为RAM(随机存取存储器)和ROM(只读存储器)这两大类。每一类别里面有分别有许多种类的内存。 一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)
RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。 根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种： 01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）： 这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM 将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。 02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）
静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。 03.VRAM（Video RAM，视频内存） 它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。 04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器） 改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM 在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址
存储器按功能可分为主存储器
存储器按功能可分为主存储器（简称主存）和辅助存储器（简称辅存）。主存是存取速度快而容量小的一类存储器，辅存则是存取速度慢而容量较大的一类存储器。 主存储器设在主机内部，也称为内存储器(简称内存)。内存直接和CPU连接，是计算机中主要的工作存储器，当前运行的程序与数据都存放在内存中。辅助存储器也称为外存储器（简称外存），计算机执行程序和加工处理数据时，外存中的信息按信息块或信息组先送入内存然后才能使用，即计算机是通过外存与内存不断交换数据的方式来使用外存中的信息。 内存储器又可分为随机存储器(简称RAM)和只读存储器（简称ROM）两种。RAM表示其内存允许随时写入或读出，使用方法灵活，其缺点是切断电源后，信息不能保留，具有易失性：ROM中存储的内容只供读出，不能写入新的信息，其优点是切断电源后，其中的信息仍然保持不变 外储存器有软盘、硬盘、光盘、磁带和移动储存设备等。软盘是再塑料薄圆片上涂上磁性材料物质的一种磁存储介质，容量较小且存取速度很慢，软盘的优点是使用方便，易于拆装，便于更替和保存。硬盘则是在铝合金的圆盘上涂覆磁层的一类磁存储介质，通常容量很大且存取速度相对较快，是目前计算机系统最主要的外存储设备，近些年来，光盘的使用已非常普遍，只读方式的光盘称为CD-ROM，因其成本低和使用方便而受到用户的青睐。磁带也是一种可以拆卸保
存与取下更替的磁存储介质，它采用录音磁带的工作原理进行数据读写，目前较多的应用与备份数据和程序方面。移动存储设备是近几年才发展起来的外存储器，它以其易携带、容量大、速度快等优点得到了广泛应用。 外存储器一般需要通过机电传动装置才能工作，人们把这些传动装置称为驱动器，例如，软盘驱动器、硬盘驱动器、光盘驱动器和磁带驱动器等。 7.打印机也是常用的输出设备，一般的PC机都配置打印机，如图1-6所示。 打印机从不同的角度可换分为不同的类型。按照打印的方式，可分为串行式打印机（依次打印每一个字符）、行式打印机（以行为单位进行打印）和页式打印机（以页为单位进行打印）；按照打印技术，可分为击打式打印机和飞击打式打印机；按照构成字符的方式，可分为字模式打印机和点阵式打印机；按照打印机的功能来分，则又可分为普通打印机和特种打印机。在每一类中，又有不同的类型和型号。常用的打印机类型有：点阵式打印机、飞击打式打印机、激光打印机和喷墨打印机。
存储器的分类
说起存储器IC的分类，大家马上想起可以分为RAM和ROM两大类。 RAM是Random Access Memory的缩写，翻译过来就是随机存取存储器，随机存取可以理解为能够高速读写。常见的RAM又可以分成SRAM(Static RAM：静态RAM)和DRAM(dynamic RAM：动态RAM)。 ROM是Read Only Memory的缩写，翻译过来就是只读存储器。常见的ROM又可分为掩膜ROM(有时直接称为ROM)、PROM(Programmable ROM：可编程ROM，特指一次编程的ROM)、EPROM(Erasable Programmable ROM：可擦除可编程的ROM，擦除时用紫外线)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM：电可擦除可编程ROM)。 以上是大家在各种教材上看到的存储器的分类。 问题是，ROM明明叫只读存储器，也就是不可写的存储器，现实是除了掩膜ROM是不可写的外，PROM、EPROM、EEPROM事实上都是可写的。它们的名称中还带有“ROM”是名不副实的叫法。掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM这几种存储器的共同特点其实是掉电后，所存储的数据不会消失，所以可以归类为非易失性存储器(即Non-Volatile Memory)。 SRAM、DRAM的共同特点是掉电后数据会丢失，所以也可称为易失性存储器(V olatile memory)。 于是，存储器从大类来分，可以分为易失性存储器和非易失性存储器。 后来出现的Flash Memory(快闪存储，简称闪存)，掉电后数据也不容易丢失，所以也属于非易失性存储器。Flash Memory的名称中已经不带ROM字样了，但是传统的分类方法中，还是把Flash Memory归类为ROM类，事实上此时是因为这些存储器都是非易失的。 把存储器分为易失性存储器和非易失性存储器就万事大吉了么？ 令人纠结的是，有一种新的存储器，它既是非易失的，同时又是能够高速随时读写数据的，也就是说能够随机存取的。这种存储器就是FRAM(Ferroelectric Random Access Memory：铁电随机存取存储器，简称铁电存储器)。把FRAM归类为非易失性存储器是可以，但是FRAM的高速读写性质又与SRAM、DRAM更为接近，它也是一种RAM。 于是，存储器的分类令人纠结。传统的分为RAM与ROM的方式本来就不科学。如果分成RAM与非易失性存储器这两大类，也不科学，因为这个分类本身就不是按同一个标准分的，导致FRAM即属于RAM，又属于非易失性存储器。如果只分成易失性存储器和非易失性存储器，又导致FRAM与SRAM、DRAM分家，大家都有RAM嘛，凭什么分开是吧。 我的建议是，存储器分成随机存取存储器和非随机存取存储器两大类比较合适。 于是，存储器的分类如下(按存取速度分类)： 1、随机存取存储器：SRAM、DRAM、FRAM； 2、非随机存取存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。 差强人意的分类为(按易失性分类)： 1、易失性存储器：SRAM、DRAM； 2、非易失性存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory、FRAM。
内存储器
1.内存储器主要分为哪两类？它们的主要区别是什么？ 内存储器分为随机存取存储器RAM（Radom Access Memory）和只读存储器ROM（Read Only Memory）两类。 RAM中信息可以按地址读出，也可以按地址写入。RAM具有易失性，掉电后原来存储的信息全部丢失，不能恢复。 ROM 中的信息可以按地址读出，但是在普通状态下不能写入，它的内容一般不能被改变。ROM具有“非易失性”，电源关闭后，其中的信息仍然保持。 2.说明SRAM、DRAM、MROM、PROM和EPROM的特点和用途。 SRAM：静态RAM，读写速度快，但是集成度低，容量小，主要用作Cache或小系统的内存储器。 DRAM：动态RAM，读写速度慢于静态RAM，但是它的集成度高，单片容量大，现代微型计算机的“主存”均由DRAM构成。 MROM：掩膜ROM，由芯片制作商在生产、制作时写入其中数据，成本低，适合于批量较大、程序和数据已经成熟、不需要修改的场合。 PROM：可编程ROM，允许用户自行写入芯片内容。芯片出厂时，所有位均处于全“0”或全“1”状态，数据写入后不能恢复。因此，PROM只能写入一次。 EPROM：可擦除可编程只读存储器，可根据用户的需求，多次写入和擦除，重复使用。用于系统开发，需要反复修改的场合。 3.已知一个SRAM芯片的容量为8K×8，该芯片有一个片选信号引脚和一个读/写控制 引脚，问该芯片至少有多少个引脚？地址线多少条？数据线多少条？还有什么信号线？ 根据存储芯片地址线数量计算公式，k＝log2（1024*8）= log2（213）=13，即总计有13根地址线。另有8根数据线、2根电源线。所以该芯片至少有25（=13+8+1+1+2）根引脚。 4.巳知一个DRAM芯片外部引脚信号中有4根数据线，7根地址线，计算它的容量。 根据存储容量计算公式S＝2k×I，可得该芯片的存储容量为：214*4=16K×4bit（位），也可表示为64Kb=8KB（字节）。 5.32M×8的DRAM芯片，其外部数据线和地址线为多少条? 根据存储芯片地址线数量计算公式，k＝log2（1024*1024*32）= log2（225）=25，即需要25根地址线。但是，由于DRAM芯片的地址采用分时输入的方法，所以实际需要的地址线只有理论值的一半，此处为13根。数据线8根。 6.DRAM为什么需要定时刷新? DRAM靠MOS管极间电容存储电荷的有无决定所存信息是0还是1，由于漏电流的存在，它存储的信息不能长时间保存，需要定时重新写入，称为“刷新”。 7.74LS138译码器的接线如图2.28所示，写出0Y、2Y、4Y、6Y所决定的内存地址范 围。 从图看出，该存储系统的片内地址线有13根 （A12-A0），是一个由8KB存储芯片组成的存储系 图 2.28 译码
下面关于内存储器
下面关于内存储器(也称为主存)的叙述中,正确的是(d). A、RAM和ROM在断电后信息将全部丢失 B、内存储器与外存储器相比,存取速度慢、价格便宜 C、内存储器和外存储器是统一编址的,字是存储器的基本编址单位 D、内存储器与外存储器相比,存取速度快、价格贵 把计算机分为巨型机、大型机、小型机和微型机、工作站和服务器本质上是按(a)来区分的. A、计算机的规模和处理能力 B、计算机的存储容量 C、CPU的集成度 D、计算机的体积 微机中的PCI是(c). A、产品型号 B、微处理器型号 C、总线标准 D、微机系统名称 所有汉字的字型以点阵字模的形式存储在(b ) A、CPU B、字模库文件里 C、上述均不是 D、内存里 计算机中的数有浮点表示和定点表示两种,浮点表示的数,通常由(b)两部分组成. A、尾数和小数 B、阶码和尾数 C、指数和基数 D、整数和小数 显示器必须与(d)配合使用. A、声卡 B、打印机 C、光驱 D、显示卡 从1993年开始人们在互联网上既可以看到文字，又可以看到图片、听到 声音，使得网上的世界变的美丽多彩,这主要归功于(d ) A、Telnet B、FTP C、E-mail D、WWW 电子邮件地址格式为:wangjun@hostname,其中hostname为(d). A、某国家名 B、某公司名 C、用户地址名 D、ISP某台主机的域名 在网页中使用图象主要应考虑(c )问题. A、以下都不是 B、文件格式与颜色
C、下载速度与文件格式 D、下载速度与颜色 在Windows中,要将当前窗口的内容存入剪贴板,应同时按下(a )键. A、Alt+PrintScreen B、Ctrl+Alt+PrintScreen C、Ctrl+PrintScreen D、Print+Screen 在Windows操作系统中,正确是(c). A、在根目录下允许建立多个同名的文件或文件夹 B、同一文件夹中可以建立两个同名的文件或文件夹 C、同一文件夹中不允许建立两个同名的文件或文件夹 D、在不同的文件夹中不允许建立两个同名的文件或文件夹 Windows中,文件名中不能包括的符号是(d). A、~ B、# C、; D、> 下面关于表的说法中错误的是(b)。 A、可以将其他数据库的表导入当前数据库中 B、表的数据视图只用于显示数据 C、数据表是Access数据库中的重要对象之一 D、表的设计视图的主要工作是设计表的结构 删除幻灯片的选项在(d)菜单中. A、插入 B、格式 C、工具 D、编辑 Excel是一个 (d )应用软件,它可用于数据组织、数据处理和数据分析. A、数据表格 B、数据库 C、通用制表 D、电子表格 计算机主要是由(abcdef)等器件组成。 A、输出部件 B、内存储器 C、控制器 D、外存储器 E、输入部件 F、运算器 计算机中的运算器能在控制器的指挥下，实现（ab）。 A、逻辑运算 B、算术运算 C、代数运算
半导体存储器分类介绍
半导体存储器分类介绍 § 1. 1 微纳电子技术的发展与现状 §1.1.1 微电子技术的发展与现状 上个世纪50年代晶体管的发明正式揭开了电子时代的序幕。此后为了提高电子元器件的性能，降低成本，微电子器件的特征尺寸不断缩小，加工精度不断提高。1962年，由金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）组装成的集成电路（IC）成为微电子技术发展的核心。 自从集成电路被发明以来[1,2]，集成电路芯片的发展规律基本上遵循了Intel 公司创始人之一的Gordon Moore在1965年预言的摩尔定律[3]：半导体芯片的集成度以每18个月翻一番的速度增长。按照这一规律集成电路从最初的小规模、中规模到发展到后来的大规模、超大规模（VLSI），再到现在的甚大规模集成电路（ULSI）的发展阶段。 随着集成电路制造业的快速发展，新的工艺技术不断涌现，例如超微细线条光刻技术与多层布线技术等等，这些新的技术被迅速推广和应用，使器件的特征尺寸不断的减小。其特征尺寸从最初的0.5微米、0.35 微米、0.25 微米、0.18 微米、0.15 微米、0.13 微米、90 纳米、65 纳米一直缩短到目前最新的32纳米，甚至是亚30纳米。器件特征尺寸的急剧缩小极大地提升了集成度，同时又使运算速度和可靠性大大提高，价格大幅下降。随着微电子技术的高速发展，人们还沉浸在胜利的喜悦之中的时候，新的挑战已经悄然到来。微电子器件等比例缩小的趋势还能维持多久？摩尔定律还能支配集成电路制造业多久？进入亚微米领域后，器件性能又会有哪些变化？这一系列的问题使人们不得不去认真思考。20世纪末
期，一门新兴的学科应运而生并很快得到应用，这就是纳电子技术。 §1.1.2 纳电子技术的应用与前景 2010年底，一篇报道英特尔和美光联合研发成果的文章《近距离接触25nm NAND闪存制造技术》[4]，让人们清楚意识到经过近十年全球范围内的纳米科技热潮，纳电子技术已逐渐走向成熟。电子信息技术正从微电子向纳电子领域转变，纳电子技术必将取代微电子技术主导21世纪集成电路的发展。 目前，半导体集成电路的特征尺寸已进入纳米尺度范围，采用32纳米制造工艺的芯片早已问世，25纳米制造技术已正式发布，我们有理由相信相信亚20纳米时代马上就会到来。随着器件特征尺寸的减小，器件会出现哪些全新的物理效应呢？ （1）量子限制效应。当器件在某一维或多维方向上的尺寸与电子的徳布罗意波长相比拟时，电子在这些维度上的运动将受限，导致电子能级发生分裂，电子能量量子化，出现短沟道效应、窄沟道效应以及表面迁移率降低等量子特性。 （2）量子隧穿效应。当势垒厚度与电子的徳布罗意波长想当时，电子便可以一定的几率穿透势垒到达另一侧。这种全新的现象已经被广泛应用于集成电路中，用于提供低阻接触。 （3）库仑阻塞效应。单电子隧穿进入电中性的库仑岛后，该库仑岛的静电势能增大e2/2C，如果这个能量远远大于该温度下电子的热动能K B T，就会出现所谓的库仑阻塞现象，即一个电子隧穿进入库仑岛后就会对下一个电子产生很强的排斥作用，阻挡其进入。 以上这些新的量子效应的出现使得器件设计时所要考虑的因素大大增加。目
第三章 内存储器-教案
第三章内存储器 一、教学目的： 1、了解内存储器的概念和发展、结构和性能指标。 2、掌握内存条的区分、选购和测试。 二、教学重点、难点： 掌握内存条的区分、选购和性能测试。 三、教具使用： 计算机一台，多媒体幻灯片演示，内存条若干 四、教学方法： 分析法和问题讨论法，引导学生分析内存条的结构、选购方法，以及如何测试内存条。 五、教学过程： 导入：由人的大脑、书、纸张对比引入到内存储器的知识学习。 幻灯片或板书课题：第三章内存储器 一、基础知识-认识内存储器 提问：仓库对现代化工厂中的流水线的影响？ 学生看书、思考并回答； 教师归纳总结并由仓库的作用引入内存条的工作原理，并进一步介绍内存条的的组成、分类及主要性能参数。 1. 内存条的工作原理（作用）：中转数据 2. 内存条的组成： 内存条主要由印刷电路板、内存颗粒、SPD芯片、金手指等组成。 3. 内存条的分类和区别 讲解主流三种内存条引脚和定位键（缺口） 4. 内存的封装和技术指标 二、制定选购方案-选购原则及分析 提问：计算机运行需要什么类型、多大内存才能够发挥最佳性能？ 学生思考看书进行回答； 教师归纳、引导学生根据计算机实际使用条件确定计算机内存的各项参数，进行进一步的分析和选购。 1. 确定内存容量 影响内存容量的要素：操作系统、使用模式、硬件设备和用户类型 2. 确定内存带宽 应保证内存带宽与主板和CPU前端总线一致 3. 确定内存种类和条数 根据主板内存插槽（定位键）或说明书确定所需内存条种类；应确保使用的内存条数最少，避免多条内存之间出现兼容性故障，方便内存扩充 三、实战：内存储器的选购 提问：如何购买内存条？ 教师引导学生思考，并利用幻灯片介绍各种内存颗粒和内存条的鉴别与选择。
单片机存储器类型介绍
单片机存储器类型详解 分为两大类RAM和ROM，每一类下面又有很多子类： RAM：SRAM SSRAM DRAM SDRAM ROM：MASK ROM OTP ROM PROM EPROM EEPROM FLASH Memory RAM：Random Access Memory随机访问存储器 存储单元的内容可按需随意取出或存入，这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。它的特点就是是易挥发性（volatile），即掉电失忆。我们常说的电脑内存就是RAM的。 ROM：Read Only Memory只读存储器 ROM 通常指固化存储器(一次写入，反复读取)，它的特点与RAM相反。 RAM和ROM的分析对比： 1、我们通常可以这样认为，RAM是单片机的数据存储器，这里的数据包括内部数据存储器（用户RAM区，可位寻址区和工作组寄存器）和特殊功能寄存器SFR，或是电脑的内存和缓存，它们掉电后数据就消失了（非易失性存储器除外，比如某些数字电位器就是非易失性的）。 ROM是单片机的程序存储器，有些单片机可能还包括数据存储器，这里的数据指的是要保存下来的数据，即单片机掉电后仍然存在的数据，比如采集到的最终信号数据等。而RAM 这个数据存储器只是在单片机运行时，起一个暂存数据的作用，比如对采集的数据做一些处理运算，这样就产生中间量，然后通过RAM暂时存取中间量，最终的结果要放到ROM的数据存储器中。如下图所示：
2、ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速的随时修改或重新写入数据。它的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不会丢失。缺点是只适用于存储那些固定数据的场合。 RAM与ROM的根本区别是RAM在正常工作状态下就可以随时向存储器里写入数据或从中读取数据。 SRAM：Static RAM静态随机访问存储器 它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。 优点:速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 缺点:集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 DRAM：Dynamic RAM动态随机访问存储器 DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 既然内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，那么它是怎么工作的呢？ 我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的“动态”，
半导体存储器分类
半导体存储器 一．存储器简介 存储器（Memory）是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。在数字系统中，只要能保存二进制数据的都可以是存储器；在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等；在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。 存储器件是计算机系统的重要组成部分，现代计算机的内存储器多采用半导体存储器。存储器（Memory）计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。自世界上第一台计算机问世以来，计算机的存储器件也在不断的发展更新，从一开始的汞延迟线，磁带，磁鼓，磁芯，到现在的半导体存储器，磁盘，光盘，纳米存储等，无不体现着科学技术的快速发展。 存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。存储器是具有“记忆”功能的设备，它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息。这些器件也称为记忆元件。在计算机中采用只有两个数码“0”和“1”的二进制来表示数据。记忆元件的两种稳定状态分别表示为“0”和“1”。日常使用的十进制数必须转换成等值的二进制数才能存入存储器中。计算机中处理的各种字符，例如英文字母、运算符号等，也要转换成二进制代码才能存储和操作。 储器的存储介质，存储元，它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元，每个存储单元可存放一个字节（按字节编址）。每个存储单元的位置都有一个编号，即地址，一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数（即5位十六进制数）组成，则可表示2的20次方，即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节，则该存储器的存储容量为1MB。
ROM存储器内涵EPROM2716存储器的介绍
ROM存储器内涵EPROM2716存储器的介绍
课堂教学实施方案 授课时间：
课 题：只读存储器ROM 、主存储器的设计 5.3 只读存储器ROM 指在微机系统的在线运行过程中，只能对其进行读操作，而不能进行写操作的一类存储器，在不断发展变化的过程中，ROM 器件也产生了掩模ROM 、PROM 、EPROM 、EEPROM 等各种不同类型。 一、掩模ROM 如图4-11所示，是一个简单的4×4位的MOS ROM 存储阵列，采用单译码方式。这时，有两位地址输入，经译码后，输出四条字选择线，每条字选择线选中一个字，此时位线的输出即为这个字的每一位。 此时，若有管子与其相连（如位线1和位线4），则相应的MOS 管就导通，这些位线的输出就是低电表平，表示逻辑“0”；而没有管子与其相连的位线（如位线2和位线3），则输出就是高电平，表示逻辑“1”。 二、可编程的ROM 掩模ROM 的存储单元在生产完成之 后，其所保存的信息就已经固定下来了，这给使用者带来了不便。为了解决这个矛盾，设计制造了一种可由用户通过简易设备写入信息的ROM 器件，即可编程的ROM ，又称为PROM 。 PROM 的类型有多种，我们以二极管破坏型PROM 为例来说明其存储原理。 这种PROM 存储器在出厂时，存储体中每条字线和位线的交叉处都是两个反向串联的二极管的PN 结，字线与位线之间不导通，此时，意味着该存储器中所有的存储内容均为“1”。如果用户需要写入程序，则要通过专门的PROM 写入电路，产生足够大的电流把要写入“1”的那个存储位上的二极管击穿，造成这个PN 结短路，只剩下顺向的二极管跨连字线和位线，这时，此位就意味着写入了“1”。读出的操作同掩模ROM 。 除此之外，还有一种熔丝式PROM ，用户编程时，靠专用写入电路产生脉冲电流，来烧断指定的熔丝，以达到写入“1”的目的。 对PROM 来讲，这个写入的过程称之为固化程序。由于击穿的二极管不能再正常工作，烧断后的熔丝不能再接上，所以这种ROM 器件只能固化一次程序，数据写入后，就不能再改变了。 P + P + A l S i O 2S D 浮空多 晶硅栅 N 基体 字线 EPROM (a) (b) 位线