电力电子技术试题__答案
电力电子技术复习题
题型
一. 填空题(每空2分,共20分)
二. 判断题(5小题,每小题2分,共10分)
三. 选择题(5小题,每小题2分,共10分)
四. 简答题(3小题,每小题10分,共30分)
五. 分析题(15分)
电路分析,电压电流波形,整流电路+续流二极管/二象限斩波电路+直流电机负载
六. 计算(15分)
整流电路电压电流/晶闸管的额定参数计算
总成绩: 平时(作业+练习+考勤)15%+实验(考勤+报告)15%+期终70% .
复习题
一,填空/判断/选择
1, 电力电子器件一般工作在_开关_状态。
2, 在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要有_通态损耗_,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。
3, 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
4, 肖特基二极管的开关损耗明显低于快恢复二极管的开关损耗。
5, 晶闸管的基本工作特性可概括为门极正向有触发则导通、反向截止。
6, 对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上的关系是IL约为IH的2–4倍。
7, 晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上的关系是U DRM
8, 功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快恢复型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。
9, 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管,属于半控型器件的是_晶闸管,属于全控型器件的是GTO, GTR , 电力, MOSFET, IGBT;属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO GTR,属于复合型电力电子器件得有IGBT ;在可控的器件中,容量最大的是晶闸管,工作频率最高的是电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT,属于电流驱动的是晶闸
管、GTO 、GTR。
电阻负载的特点是电压和电流成正比且波形相同,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是0-180°。
10, 阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是0-180°,其承受的最大正反向电压均为√2U2 ,续流二极管承受的最大反向电压为_√2U2_(设U2为相电压有效值)。
11, 单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为0-180°,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为√2U2/2和_√2U2_;带阻感负载时,α角移相范围为0-90,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为_√2U2_和_√2U2_;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。
12, 电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_√2U2__,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150°,使负载电流连续的条件为_a<=30°_(U2为相电压有效值)。13, 逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为有源逆变,欲实现有源逆变,只能采用_全控电路,当控制角_0_ < α < _90°_时,电路工作在_整流_状态;当控制角_90°_< α < _180°_时,电路工作在_逆变_状态。
14, 把直流电变成交流电的电路称为逆变电路,当交流侧有电源时称为_有源电路,当交流侧无电源时称为_无源电路_。
15, 在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和_晶闸管的控制角a > 90°,使输出平均电压Ud 为负值_。
16, 直流斩波电路完成的是直流到_直流_的变换。
17, 直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 _和_升压斩波电路_。
17, 斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制(PWM)、_频率调制_和_(ton和T都可调,改变占空比)混合型_。
18, 斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第_1_象限,升压斩波电路能使电动机工作于第_2_象限,_电流可逆斩波_电路能使电动机工作于第1和第2象限。
19, 改变频率的电路称为_变频电路_,变频电路有交交变频电路和_矩阵式变频_电路两种形式,前者又称为_周波变流器_,后者也称为_矩阵交换器_。
20, 单相调压电路带电阻负载,其导通控制角a的移相范围为0-180°,随a 的增大,Uo_降低_,功率因数_降低_。
21, 把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为_交交变频电路_。
22, 换流方式的种类有_器件换流,电网换流,强迫换流,负载换流_。
23, 电力电子主电路与控制电路之间电气隔离的基本方法有_光隔离,磁隔离_。
24, 电力电子器件过电压保护的主要方法有_RC过电压抑制器,反向阻断式RC电路,雪崩二极管,金属氧化物压敏电阻,硒堆,和转折二极管(BOD)。
25, 电力电子器件过电流保护的主要方法有_快速熔断器,直流快速断路器,过电流继电器_。
二, 简答/分析
1, 电力电子器件是如何定义和分类的?同处理信息的电子器件相比,它的特点是什么?
答:按照器件能够被控制电路信号所控制的程度,分为以下三类:a,半控型器件,b全控型器件c,不可控器件.。按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质,分为两类:电流驱动型,电压驱动型。按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间有效信号的波形,分为两类:脉冲触发型,电平控制型。按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类:单极型器件,双极型器件,复合型器件。
2, 使晶闸管导通的条件是什么?维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?
答:使晶闸管导通的条件是晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管的最小电流。使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。
3, 降压斩波电路的结构与工作原理;升压斩波电路的结构与工作原理;
答:降压斩波电路工作原理、电路图:在一个控制周期中,让V导通一段时间ton,由电源E 向L、R、M供电,在此期间,uo=E。然后使V关断一段时间toff,此时电感L通过二极管VD 向R 和M 供电,uo=0。一个周期内的平均电压。输出电压小于电源电压,起到降压的作用。
升压斩波电路的基本工作原理:假设电路中电感L 值很大,电容C 值也很大。当V 处于通态时,电源E 向电感L 充电,充电电流基本恒定为I1,同时电容C上的电压向负载R 供电,因C值很大,基本保持输出电压为恒值Uo。设V 处于通态的时间为ton,此阶段电感L 上积蓄的能量为1 on EI t 。当V处于断态时E和L共同向电容C充电并向负载R 提供能量。设V处于断态的时间为toff,则在此期间电感L 释放的能量为.
4, 交流调压电路和交流调功电路有什么区别?二者各运用于什么样的负载?为什么?
答:控制方式不同。前者是在交流电源的每个周期对输出电压波形进行控制。而后者将负载与交流电源接通几个周波,再断开几个周波,通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节负载所消耗的平均功率。交流调压电路广泛用于灯光控制(如调光台灯和舞台灯光控制)及异步电动机的软起动,也用于异步电动机调速。在供用电系统中,还常用于对无功功率的连续调节。此外,在高电压小电流或低电压大电流直流电源中,也常采用交流调压电路调节变压器一次电压。
如采用晶闸管相控整流电路,高电压小电流可控直流电源就需要很多晶闸管串联;同样,低电压大电流直流电源需要很多晶闸管并联。这都是十分不合理的。采用交流调压电路在变压器一次侧调压,其电压电流值都不太大也不太小,在变压器二次侧只要用二极管整流就可以了。这样的电路体积小、成本低、易于设计制造。交流调功电路常用于电炉温度这样时间常数很大的控制对象。由于控制对象的时间常数大,没有必要对交流电源的每个周期进行频繁控制。 5, 画出阻感负载单相桥式全控整流电路图并说明说明续流二极管的作用。
6, 用面积等效原理说明如何用一系列等幅不等宽的脉冲来代替正弦半波。
面积等效原理:
分别将如图所示的电压窄脉冲加在一阶惯性环节(R-L 电路)上,如图a 所示。其输出电流i(t)对不同窄脉冲时的响应波形如图b 所示。从波形可以看出,在i(t)的上升段,i(t)的形状也略有不同,但其下降段则几乎完全相同。脉冲越窄,各i(t)响应波形的差异也越小。如果周期性地施加上述脉冲,则响应i(t)也是周期性的。用傅里叶级数分解后将可看出,各i(t)在低频段的特性将非常接近,仅在高频段有所不同。用一系列等幅不等宽的脉冲来代替一个正弦半波,正弦半波N 等分,看成N 个相连的脉冲序列,宽度相等,但幅值不等;用矩形脉冲代替,等幅,不等宽,中点重合,面积(冲量)相等,宽度按正弦规律变化. 7, 用SPWM 波形说明PWM 控制的基本原理。
8, 电力电子器件的系统组成如题图9-10所示,试说明其中保护电路的重要意义?
9, 电力电子器件缓冲电路的主要作用是什么?试分析图9-14中开通缓冲电路和关断缓冲电路的作用和工作原理。
答:其作用是抑制电力电子器件的内因过电压, du/dt 或者过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。
R
L VT1
VT2
VT3 u 2
U1
u d i d
a
b
VT4
10, 晶闸管的触发电路有哪些要求?
答:①触发电路发U 的触发信号应具有足够大的功率,即触发电压和电流必须大于晶闸管的控制极触发电压UGT 、控制极触发电流IGT ,使控制极的工作点在控制极伏安特性的可靠触发区内,但瞬时功率和平均功率都不能超过控制极瞬时功率极限和控制极平均功率线, ②不该触发时,触发电路因漏电流产生的漏电压应小于控制极不触发电压UGT 。
③由于晶闸管的导通需要一定的时间,不是一触就通,只有当晶闸管的阳极电流即主回路的电流上升到晶闸管的电流IL 以上时,管子才能导通,所以触发脉冲信号应有足够的宽度,一般为20~50μs ,电感性负载应加入到1ms ,相当于50Hz 正弦波的18。电角度。 ④触发脉冲前沿要陡,特别是串并联使用的晶闸管,要采用强触发措施。
⑤触发脉冲应与主回路同步,且有足够的移相范围。例如电阻性负载下的三相半波和三相全控桥整流电路,移相范围务别为0。- 150。和0。~120。,而电感性负载(电流连续)时,皆为0。~90。。
内容涉及实验,要求结合实验实际电路和内容进行解释 三,计算题: 作业题的类型
2-4, 图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为Im ,试计算各波形的电流平均值 Id1、Id2、Id3 与电流有效值 I1、I2、I3。
2π2π
2ππππ4
π
4
π2
5π
4a)
b )
c)
图1-43
解:a) I d1=
π
21?
π
π
ωω4
)(sin t td I m =
π
2m I (
12
2
+)≈0.2717 I m
I 1=
?π
π
ωωπ
4
2
)
()sin (21t d t I m =
2
m I π
214
3+≈
0.4767 I m
b) I d2 =
π
1
?
π
π
ωω4
)(sin t td I m =
π
m I (
12
2+)≈0.5434 I m
I 2 =
?
π
π
ωωπ
4
2
)
()sin (1
t d t I m =
22m I π
214
3+≈
0.6741I m
c) I d3=
π
21?
2
)(π
ωt d I m =4
1
I m
I 3 =
?
2
2
)
(21π
ωπ
t d I m =2
1
I m
2-5. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时,
相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?
解:额定电流I T(AV) =100A 的晶闸管,允许的电流有效值I =157A ,由上题计算结果知 a) I m1≈4767
.0I ≈
329.35,
I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈
6741
.0I ≈
232.90,
I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314,
I d3=41
I m3=78.5
3-1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电,L =20mH ,U 2=100V ,求当α=0?和60?时的负载电流I d ,并画出u d 与i d 波形。
解:α=0?时,在电源电压u 2的正半周期晶闸管导通时,负载电感L 储能,在晶闸管开始导通时刻,负载电流为零。在电源电压u 2的负半周期,负载电感L 释放能量,晶闸管继续导通。因此,在电源电压u 2的一个周期里,以下方程均成立:
t U t
i L ωsin 2d d 2d =
考虑到初始条件:当ωt =0时i d =0可解方程得:
)
cos 1(22
d t L
U i ωω-=
?
-=
π
ωωωπ
20
2
d )
(d )cos 1(221t t L
U I
=
L
U ω2
2=2
u d 与i d 的波形如下图:
0π
2π
ωt
u 2
0π
2π
ωt
u d 0π
2π
ωt
i d
当α=60°时,在u 2正半周期60?~180?期间晶闸管导通使电感L 储能,电感L 储藏的能量在u 2负半周期180?~300?期间释放,因此在u 2一个周期中60?~300?期间以下微分方程成立:
t U t
i L ωsin 2d d 2d =
考虑初始条件:当ωt =60?时i d =0可解方程得:
)cos 2
1
(22d t L U i ωω-=
其平均值为
)(d )cos 21(2213
53
2d t t L U I ωωωπ
π
π
-=
?=L
U ω222=11.25(A)
此时u d 与i d 的波形如下图:
ωt
u d
i d
+
+ωt
ωt
u 2
0α
+
+
3-3.单相桥式全控整流电路,U 2=100V ,负载中R =2Ω,L 值极大,当α=30°时,要求:①作出u d 、i d 、和i 2的波形;
②求整流输出平均电压U d 、电流I d ,变压器二次电流有效值I 2; ③考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。 解:①u d 、i d 、和i 2的波形如下图:
u 2
O ωt
O ωt
O ωt
u d
i d i 2
O
ωt
I d
I d
π
π
α
α
②输出平均电压U d 、电流I d ,变压器二次电流有效值I 2分别为
U d =0.9 U 2 cos α=0.9×100×cos30°=77.97(V )
I d =U d /R =77.97/2=38.99(A )
I 2=I d =38.99(A )
③晶闸管承受的最大反向电压为:
2U 2=1002=141.4(V )
考虑安全裕量,晶闸管的额定电压为:
U N =(2~3)×141.4=283~424(V )
具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
流过晶闸管的电流有效值为:
I VT =I d ∕2=27.57(A )
晶闸管的额定电流为:
I N =(1.5~2)×27.57∕1.57=26~35(A )
具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
例3-1.单相桥式全控整流电路,U 2=100V ,负载中R =2Ω,L 值极大,反电势E =60V ,当α=30?时,要求:
① 作出u d 、i d 和i 2的波形;
② 求整流输出平均电压U d 、电流I d ,变压器二次侧电流有效值I 2; ③ 考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。 解:①u d 、i d 和i 2的波形如下图:
u 2
O ωt
O ωt
O ωt
u d
i d i 2
O
ωt
I d
I d
I d
π
π
α
α
②整流输出平均电压U d 、电流I d ,变压器二次侧电流有效值I 2分别为
U d =0.9 U 2 cos α=0.9×100×cos30°=77.97(A)
I d =(U d -E )/R =(77.97-60)/2=9(A)
I 2=I d =9(A)
④ 闸管承受的最大反向电压为:
2U 2=1002=141.4(V )ki
流过每个晶闸管的电流的有效值为:
I VT =I d ∕2=6.36(A )
故晶闸管的额定电压为:
U N =(2~3)×141.4=283~424(V )
晶闸管的额定电流为:
I N =(1.5~2)×6.36∕1.57=6~8(A )
晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
3-14.单相全控桥,反电动势阻感负载,R =1Ω,L =∞,E =40V ,U 2=100V ,L B =0.5mH ,当α=60?时求U d 、I d 与γ 的数值,并画出整流电压u d 的波形。 解:考虑L B 时,有:
U d =0.9U 2cos α-ΔU d ΔU d =2X B I d ∕π I d =(U d -E )∕R
解方程组得:
U d =(πR 0.9U 2cos α+2X B E )∕(πR +2X B )=44.55(V )
ΔU d =0.455(V ) I d =4.55(A )
又∵
αcos -)cos(γα+=2B d X I ∕U 2
即得出
)60cos(γ+?=0.4798
换流重叠角
γ = 61.33°- 60°=1.33°
最后,作出整流电压U d 的波形如下:
O
α
ωt
O ωt
γ
u d
u 2
15.三相半波可控整流电路,反电动势阻感负载,U 2=100V ,R =1Ω,L =∞,L B =1mH ,求当α=30?时、E =50V 时U d 、I d 、γ 的值并作出u d 与i VT1和i VT2的波形。 解:考虑L B 时,有:
U d =1.17U 2cos α-ΔU d ΔU d =3X B I d ∕2π I d =(U d -E )∕R
解方程组得:
U d =(πR 1.17U 2cos α+3X B E )∕(2πR +3X B )=94.63(V )
ΔU d =6.7(V ) I d =44.63(A )
又∵
αcos -)cos(γα+=2B d X I ∕6U 2
即得出
)30cos(γ+?=0.752
换流重叠角
γ = 41.28°- 30°=11.28°
u d 、i VT1和i VT2的波形如下:
u d
i V T 1
ωt
O ωt
O γ
I d
u a u b u c
α
i V T 2
ωt
O
γ
I d
O u a
u b
u c
u 2
16.三相桥式不可控整流电路,阻感负载,R =5Ω,L =∞,U 2=220V ,X B =0.3Ω,求U d 、I d 、I VD 、I 2和γ 的值并作出u d 、i VD 和i 2的波形。
解:三相桥式不可控整流电路相当于三相桥式可控整流电路α=0°时的情况。
U d =2.34U 2cos α-ΔU d
ΔU d =3X B I d ∕π I d =U d ∕R
解方程组得:
U d =2.34U 2cos α∕(1+3X B /πR )=486.9(V )
I d =97.38(A )
又∵
αcos -)cos(γα+=2B d X I ∕6U 2
即得出
γ
cos =0.892
换流重叠角
γ =26.93°
二极管电流和变压器二次测电流的有效值分别为
I VD =I d ∕3=97.38∕3=32.46(A )
I 2a =
3
2 I d =79.51(A )
u d 、i VD1和i 2a 的波形如下:
u 2
u d
i V D 1ωt
O
ωt
O ωt
O ωt
O u a
u b
u c
ωt 1
u a b u a c u bc u ba u c a u c b
u a b u a c
ⅠⅡⅢⅣⅤⅥi 2a I d
I d
5-2.在图5-1a 所示的降压斩波电路中,已知E =200V ,R =10Ω,L 值极大,E M =30V ,T =50μs ,t on =20μs ,计算输出电压平均值U o ,输出电流平均值I o 。
解:由于L 值极大,故负载电流连续,于是输出电压平均值为
U o =
E
T t on =
50
20020?=80(V)
输出电流平均值为
I o =
R E U M
o -=
10
3080-=5(A)
5.在图5-2a 所示的升压斩波电路中,已知E =50V ,L 值和C 值极大,R =20Ω,采用脉宽调制控制方式,当T =40μs ,t on =25μs 时,计算输出电压平均值U o ,输出电流平均值I o 。 解:输出电压平均值为:
U o =
E
t T off
=
50
25
4040?-=133.3(V)
输出电流平均值为:
I o =
R
U o =
20
3.133=6.667(A)
例5-2 在图5-1a 所示的降压斩波电路中,E =100V , L =1mH ,R =0.5Ω,E M =10V ,采用脉宽调制控制方式,T =20μs ,当t on =5μs 时,计算输出电压平均值U o ,输出电流平均值I o ,计算输出电流的最大和最小值瞬时值并判断负载电流是否连续。 解:由题目已知条件可得:
m =E
E M =
100
10=0.1 τ=
R
L =
5
.0001.0=0.002
当t on =5μs 时,有
ρ=
τ
T =0.01 αρ=
τ
on
t =0.0025
由于
1
1--ρ
αρe
e
=
1
101
.00025.0--e
e
=0.249>m
所以输出电流连续。 此时输出平均电压为
U o =
E
T t on =
20
5100?=25(V)
输出平均电流为
I o =
R E U M
o -=
5
.01025-=30(A)
输出电流的最大和最小值瞬时值分别为
I max =R
E
m e e ???? ??-----ραρ
11=5
.0100
1.01101.00025
.0???? ??-----e e =30.19(A)
I min =R
E
m e e ???
? ??---11ραρ
=5
.01001.011
01.00025
.0???
? ??---e e =29.81(A)
例5-3 在图5-2a 所示的升压斩波电路中,已知E =50V ,L 值和C 值极大,R =20Ω,采用脉宽调制控制方式,当T =40μs ,t on =25μs 时,计算输出电压平均值U o ,输出电流平均值I o 。
解:输出电压平均值为:U o =
E
t T off
=
50
25
4040?-=133.3(V)
o =
R
U
o=
20
3.
133
=6.667(A)
输出电流平均值为I
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。
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第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV,则其额定电压应为60V。(不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。) 2、功率开关管的损耗包括两方面,一方面是导通损耗;另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中,常设置缓冲电路,其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流,过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。(√) 2、某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压为700V,则该晶闸管的额定电压是700V。(×) 3、晶闸管导通后,流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。(×) 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。(√) 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后,去掉门极触发信号,晶闸管级能维护导通。(×) 6、在GTR 的驱动电路设计中,为了使GTR 快速导通,应尽可能使其基极极驱动电流大些。(×) 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管;而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。(√) 8、IGBT 相比MOSFET,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大。(×) 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。(×) 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。(√) 三、选择题 1、下列元器件中,( BH )属于不控型,( DEFIJKLM)属于全控型,( ACG )属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中,( c )最适合用在小功率,高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有( ad ) A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么? 答:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流或脉冲(uak>0且ugk>0)。
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电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是
;
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,
当
从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术期末考试试题及答案修订稿
电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
电力电子技术试题及答案(1)
《电力电子技术》试卷 一.填空(共15分,1分/空) 1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U ,忽略主电路 2 各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有()触发和()触发两种,常用的是()触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为()组和()组两种。 6.在特定场合下,同一套整流电路即可工作在()状态,又可工作在()状态,故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为()。 二.单选(共10分,2分/题) 1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2.晶闸管属于()。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()。 A.180O B.90O C.120O 4.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。 A.60 B. 180 C. 120 5.把交流电变成直流电的是()。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三.多选(共10分,2分/题) 1.电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器 2.下列电路中,不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3.使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4.逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5.变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四.判断(共5分,1分/题) 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。() 2.晶闸管是一种四层三端器件。()
《电力电子技术》题库含答案
一、填空题(每空1分,共50分) 1、对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为,U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____,设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比,可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为:___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定,双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是:晶闸管_________________和阴极间施加正向电压,并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。 19、温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而__________,正反向漏电流随温度升高而__________,维持电流I H会____________________,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。 导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定,负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有: ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有: (1)_________________________________________,(2)______________________________________,(3)_________________________________________,(4)_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能,而将直流转换为交流电能称为__________________________,它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。
电力电子技术试题(二)
电力电子技术 试题(A ) 注:卷面 85分,平时成绩15分 一、 回答下列问题 1、下列器件的分类表中,将符合每一类别的全部选项添入表中。(8分) 选项:(根据选项填空时,只需写选项的代号,如:A,B,….) A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBT F.电力二极管 G.MCT 。 2、判断下列各题的正确性,正确的打“√”,不正确的打“×” 。(6分) (1) 某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V ,反向重复峰值电压700V ,则该晶 闸管的额定电压是700V 。( ) 第 1 页 (共 8 页) 试 题:电力电子技术 班号: 姓名:
(2) 对于输入接整流变压器的可控整流电路,变压器存在直流磁化的有三相半波 整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。( ) (3)单相全控桥式变流电路,“阻感——反电势” 负载,已知60β=o ,2100U V =, 50E V =,电路处于可逆变状态。 ( ) 3、画出全控型器件RCD 关断缓冲电路,并分析缓冲电路中各元件作用。(6分) 第 2 页 (共 8 页) 试 题: 电力电子技术 班号: 姓名:
二、对于三相全控桥式变流电路,在不同的负载形式和控制要求下, 回答下列问题。 1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载,并工作于整流方式时的电路图 (要标明反电势极性)。(5分) 3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态,V U 1002=,负载中E=47V , Ω=5R ,当60α=o 时,试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。(5分) 第 3 页 (共 8 页) 试 题:电力电子技术 班号: 姓名: u u u 2、当该电路工作于整流状态时,设触发角60α=o 且负载电流连 续,请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在 一个周期内的波形。(5分) i VT10
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电 力 电 子 复 习 姓名:杨少航
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可
电力电子技术试题及答案(B)
电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区,也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断, 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解:a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解:额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35, I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益 1α和2α, 由普通晶阐管的分析可得, 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21>αα+两个等效晶体管过饱和而导通;
电力电子技术试题20套及答案
考试试卷( 1 )卷 一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分) 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时, _________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。 4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大 的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。 6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。 8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____; (3) t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5 时间段内,电流的通路为___VD1____;
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ; 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ; 带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;
电力电子技术试题
1. 什么是电力电子技术? 答:应用于电力领域的、使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。是一门与电子、控制和电力紧密相关的边缘学科。 2. 说“电力电子技术的核心技术是变流技术”对吗? 答:对。 3. 模拟电子技术和数字电子技术也是电力电子技术吗? 答:不是。 4. 举几例日常生活中应用电力电子技术的装置。 答:电动自行车的充电器,手机充电器,电警棍等。 5. 简答“开关电源”和“线性电源”的主要优缺点。 答: 开关电源: 优点:体积小、重量轻、效率高、自身抗干扰性强、输入和输出的电压范围宽、可模块化。 缺点:由于开关工作模式和高频工作状态,对周围设备有一定的干扰。需要良好的屏蔽及接地。 线性电源: 优点:电源技术很成熟,可以达到很高的稳定度,波纹也很小,而且没有开关电源具有的噪声干扰。 缺点:是需要庞大而笨重的变压器,所需的滤波电容的体积和重量也相当大,效率低。 将逐步被开关电源所取代。 6. 解释:不可控器件(说明导通和关断的条件)、半控型器件、全控型器件,并举出代表 性器件的名称。 答: 不可控器件:不用控制信号来控制其通、断。导通和关断取决于其在主电路中承受电压的方向和大小。典型器件:电力二极管 导通条件:正向偏置,即承受正向电压,且正向电压>阀值电压。 关断条件:反向偏置,即承受反向电压。 半控型器件:用控制信号来控制其导通,一旦导通门极就失去控制作用。关断取决于其
在主电路中承受的电压、电流的方向和大小。典型器件:晶闸管 全控型器件:导通和关断均由电路的触发控制信号驱动(驱动状态需保持)。 典型器件:GTR、IGBT、POWER MOSFET。 7. 如图示的二极管伏安特性曲线,示意性地在坐标曲线上标注二极管的参数“反向击穿 电压UB”、“门槛电压UTO”、“正向导通电流IF”及其对应的“正向压降UF”、“反向 漏电流”。 答:
电力电子技术复习试题与答案
电力电子技术复习2011 一、选择题(每小题10分,共20分) 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°, B、60°, c、360°, D、120° 2、α为C度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。 A,0度, B,60度, C,30度, D,120度, 3、晶闸管触发电路中,若改变 B 的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。 A、同步电压, B、控制电压, C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路, B、三相半控桥整流桥电路, C、单相全控桥接续流二极管电路, D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o, B、10o-15o, C、0o-10o, D、0o。 6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电 路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中,逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o, B、=35o∽90o, C、 =0o∽90o, 8、晶闸管整流装置在换相时刻(例如:从U相换到V相时)的输出电压等于C。
A、U相换相时刻电压u U , B、V相换相时刻电 压u V , C、等于u U +u V 的一半即: 9、三相全控整流桥电路,如采用双窄脉冲触发晶闸管时,下图中哪一种双窄脉 冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中,若使控制电压U C =0,改变C的大小,可使 直流电动机负载电压U d =0,使触发角α=90o。达到调定移相控制围,实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压, B、控制电压, C、偏移 调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能(C) A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点; B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处; C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°; D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V, 则该晶闸管的额定电压应为(B) A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相围是( D )
最新电力电子技术试题及答案(1)
德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 一、选择(每题1.5分,共60分) 1、 晶闸管内部有( )个PN 结。 A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压( )越好。 A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定 3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( )来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有( )个电极。 A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT 器件电路符号的是( ) 6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( ) A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO 11、逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用( ) A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET 适于在( )条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应( ) A 、在栅极加正电压 B 、在集电极加正电压 C 、在栅极加负电压 D 、
电力电子技术试题库
电力电子技术作业题 一、选择题(每题20分) 1.()晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( B )。 A. 1~2倍 B. 2~3倍 C. 3~4倍 D. 4~5倍 2.()选用晶闸管的额定电流时,根据实际最大电流计算后至少还要乘以( A )。 A. 1.5~2倍 B. 2~2.5倍 C. 2.5~3倍 D. 3~3.5倍 3.()晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持通态所需要的最小电流是( B )。 A. 维持电流IH B. 擎住电流IL C. 浪涌电流ITSM D. 最小工作电流IMIN 4.()对同一只晶闸管,擎住电流IL约为维持电流IH的( B )。 A. 1~2倍 B. 2~4倍 C. 3~5倍 D. 6~8倍 5.( )普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定,而双向晶闸管通常用在交流电路中,因此其额定电流用( D )标定。 A. 平均值 B. 最大值 C. 最小值 D. 有效值 6.( C )晶闸管属于 A. 全控型器件 B.场效应器件 C.半控型器件 D.不可控器件 7.( )晶闸管可通过门极( C )。 A. 既可控制开通,又可控制关断 B.不能控制开通,只能控制关断 C.只能控制开通,不能控制关断 D.开通和关断都不能控制 8.()使导通的晶闸管关断只能是( C )。 A. 外加反向电压 B.撤除触发电流 C. 使流过晶闸管的电流降到接近于零 D. 在门极加反向触发 9.()在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是( A )。 A. 阴极K B. 阳极A C. 门极K D. 发射极E 10. ()晶闸管导通的条件是( A )。 A. 阳极加正向电压,门极有正向脉冲 B. 阳极加正向电压,门极有负向脉冲 C. 阳极加反向电压,门极有正向脉冲 D. 阳极加反向电压,门极有负向脉冲 11. ( )可关断晶闸管(GTO)是一种( A )结构的半导体器件。 A.四层三端 B.五层三端 C.三层二端 D.三层三端 12 . ()晶闸管的三个引出电极分别是(A)。 A.阳极、阴极、门极 B.阳极、阴极、栅极 C.栅极、漏极、源极 D.发射极、基极、集电极 13. ()已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流( A )。 A.减小至维持电流I H以下 B.减小至擎住电流I L以下 C.减小至门极触发电流I G以下 D.减小至5A以下 14. ( )单相半波可控整流电路,阻性负载,控制角α的最大移相范围是( B )。 A.0~90° B. 0~120°C. 0~150°D. 0~180° 15. ( )单相半波可控整流电路,阻性负载,当α=( D )时,U d = 0。 A.90° B. 120°C. 150°D. 180° 16. ( )单相半波可控整流电路,阻性负载,当α=( D )时,U d=0.45 U2。 A.0° B. 90°C. 150°D. 180° 17.( )单相半波可控整流电路,阻性负载,晶闸管承受的最大正反向电压均为( C )。 A.U2 B. 2 C. 2 D. 2U2 18.()单相半波可控整流电路,带电阻性负载R,设变压器二次侧相电压有效值为U2,