晶圆制造工艺流程知识分享
晶圆制造工艺流程
1、表面清洗
2、初次氧化
3、CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。（1）常压CVD (Normal Pressure CVD)
（2）低压CVD (Low Pressure CVD)
（3）热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)
（4）电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD)
（5）MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法(LPE)
4、涂敷光刻胶
（1）光刻胶的涂敷
（2）预烘(pre bake)
（3）曝光
（4）显影
（5）后烘(post bake)
（6）腐蚀(etching)
（7）光刻胶的去除
5、此处用干法氧化法将氮化硅去除
6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底，形成P 型阱
7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理
8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子，形成N 型阱
9、退火处理，然后用HF 去除SiO2 层
10、干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅
11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层
12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2 层，形成PN 之间的隔离区
13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ，并重新生成品质更好的SiO2 薄膜, 作为栅极氧化层。
14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极
结构，并氧化生成SiO2 保护层。
15、表面涂敷光阻，去除P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成NMOS 的源漏极。用同样的方法，在N 阱区，注入B 离子形成PMOS 的源漏极。
16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
17、沉积掺杂硼磷的氧化层
18、濺镀第一层金属
（1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um 。
（2）真空蒸发法（Evaporation Deposition ）
（3）溅镀（Sputtering Deposition ）
19、光刻技术定出VIA 孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。20、光刻和离子刻蚀，定出PAD 位置
21、最后进行退火处理，以保证整个Chip 的完整和连线的连接性
晶圆制造总的工艺流程
芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。
1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测
其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。
3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。
4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品
ETCH
何谓蚀刻(Etch)?
答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
蚀刻种类:
答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻
蚀刻对象依薄膜种类可分为:
答：poly,oxide, metal
何谓dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)?
答：Oxide etch and nitride etch
半导体中一般介电质材质为何?
答：氧化硅/氮化硅
何谓湿式蚀刻
答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除
何谓电浆Plasma?
答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.
何谓干式蚀刻?
答：利用plasma将不要的薄膜去除
何谓Under-etching(蚀刻不足)?
答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留
何谓Over-etching(过蚀刻)
答：蚀刻过多造成底层被破坏
何谓Etch rate(蚀刻速率)
答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度
何谓Seasoning(陈化处理)
答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。
Asher的主要用途:
答：光阻去除
Wet bench dryer 功用为何?
答：将晶圆表面的水份去除
列举目前Wet bench dry方法:
答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry
何谓Spin Dryer
答：利用离心力将晶圆表面的水份去除
何谓Maragoni Dryer
答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除
何谓IPA Vapor Dryer
答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除
测Particle时,使用何种测量仪器?
答：Tencor Surfscan
测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?
答：膜厚计,测量膜厚差值
何谓AEI
答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查
AEI目检Wafer须检查哪些项目:
答：(1) 正面颜色是否异常及刮伤(2) 有无缺角及Particle (3)刻号是否正确金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?
答：清机防止金属污染问题
金属蚀刻机台asher的功用为何?
答：去光阻及防止腐蚀
金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?
答：因为金属线会溶于硫酸中
"Hot Plate"机台是什幺用途?
答：烘烤
Hot Plate 烘烤温度为何?
答：90~120 度C
何种气体为Poly ETCH主要使用气体?
答：Cl2, HBr, HCl
用于Al 金属蚀刻的主要气体为
答：Cl2, BCl3
用于W金属蚀刻的主要气体为
答：SF6
何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体?
答：C4F8, C5F8, C4F6
硫酸槽的化学成份为:
答：H2SO4/H2O2
AMP槽的化学成份为:
答：NH4OH/H2O2/H2O
UV curing 是什幺用途?
答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度
"UV curing"用于何种层次?
答：金属层
何谓EMO?
答：机台紧急开关
EMO作用为何?
答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下
湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?
答：(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门(2) 机械手臂危险. 严禁打开此门(3) 化学药剂危险. 严禁打开此门
遇化学溶液泄漏时应如何处置?
答：严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路.
遇IPA 槽着火时应如何处置??
答：立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组
BOE槽之主成份为何?
答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).
BOE为那三个英文字缩写?
答：Buffered Oxide Etcher 。
有毒气体之阀柜(VMB)功用为何?
答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出
电浆的频率一般13.56 MHz,为何不用其它频率?
答：为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如
380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz等
何谓ESC(electrical static chuck)
答：利用静电吸附的原理, 将Wafer 固定在极板(Substrate) 上
Asher主要气体为
答：O2
Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何?
答：温度
简述TURBO PUMP 原理
答：利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR
热交换器(HEAT EXCHANGER)之功用为何？