模拟电子技术期中试卷(一)(可编辑修改word版)

模拟电子技术期中试卷（一）

一、选择题。（每题3 分，共36 分）

1.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于。

A.掺杂工艺

B.温度

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

2.在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，已量出

I 1 =-1.2mA, I

2

=-0.02mA, I

3

= 1.22mA 由此可知对应电极①是。

A.发射

B.基极

C.集电

D.不定

3.晶体三极管用来放大时,应使发射结处于偏置,集电结处于

偏置.

A.正向,反向

B.反向,正向

C.反向,反向

D.不定

4.如果在电路中测出某NPN 管三个电极对地电位分别为:

V E = 1.0V ;V

B

= 1.65V ;V

C

= 1.3V , 则该管工作在区。

A.放大

B.饱和

C.截止

D.击穿

5.P NP 型晶体三极管处于放大状态时,各级电位关系正确的是。

A.Vc

b

e

B.V

e

c

b

C.V

c >V

b

>V

e

D.V

c

e

b

6.在图示电路中,设 C1、C2 对交流信号的影响可以忽略不计,当输入 f=1KHz 的正弦电压信号后,用示波器观察V

i

和Vo ,则二者的相位关系为。

A.相差90o

B.相差45o

C.相同

D.相差180o

7.为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用。

A．共射电路 B.差动放大电路

C．OCL 电路（互补对称电路） D.共集电路

8.在放大器中引入直流负反馈,说法正确的是。

A.稳定输出电压

B.稳定输出电流

C.性能不变

D.静态工作点稳定性变好

9．射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（）

A. 电压放大倍数近似为1

B. r i很大

C. r O很小

10.PN 结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，。

A．其反向电流增大B．其反向电流减小

C．其反向电流基本不变

11.由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B 两端的电压为。

A.-12V

B.+6V

C.-6V

D.+12V

12.在甲乙类互补对称功放电路中，为了改善交越失真，应。

A.适当提高电源电压

的阻值

B.适当增加负载电阻R

L

C.适当减小功放管静态参数U

BE

D.适当增大功放管静态参数U

BE

二、填空题。（每空2 分，共12 分）

1.简单的差分放大器双端输出时，对（）信号有较强的抑制能力,而

对（）信号有较强的放大作用。

2.某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5

μA和5 mA，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰—峰值1V，

( )Ap( )；

则Av( )A

I

3.零点漂移产生的因素很多，其中以( )变化所引起的漂移最为严

重。

V CC

R1

R L

R2

三、分析判断下列各电路能否正常放大。（每题3 分，共6 分）

1． 2.

V CC

V s

v i v o

四、已知电路如图，u

i

=10sin t v,Ε=5v,二极管正向导通电压忽略不计，试画出输出电

压 u

o

的波形。（5 分）

五、电路如图为分压式偏置放大电路，已知V CC=24V，R C=3.3KΩ，R E=1.5 KΩ,

R

B1

=33 KΩ,R

B2

=10 KΩ,R

L

=5.1 KΩ,β=66。

试求：（1）静态值 I

B

、I

C

和U

CE

；

（2）计算电压放大倍数A

u

；

（3）空载时的电压放大倍数A

u 0

；

（4）估算放大电路的输入电阻和输出电阻。（20 分）

六、差分电路如图所示，已知Vcc=V

EE

=15V,R

B

=2k,Rc＝R

E

＝R

L

＝10k，T

1

，T

2

管的β＝

100,r

be

=3.8kΩ

1.估算T2管的静态工作点I CQ2,V CEQ2

2.估算共模抑制比K CMR（10分）

R B

R C

七、由电流源组成的电流放大器如图所示，试估算电流放大倍数A I =I o /I i （6分）

+V CC

3R

R

T 3

T 4

I I

I O O

T 1 T 2

2R

R

-V EE

八、已知如图：V ＣＣ=12V ，R B =100kΩ，R W =400KΩ， R C ＝４ＫΩ，β＝３７.5

当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设 U BE = 0 ）

（5 分）

R W

+V ＣＣ

R Ｃ

R Ｂ

C 2

Ｃ1

R C v i

T 1

T 2

R L

R e -V EE

R b

I