CMOS_带隙基准源的设计(IC课程设计报告)

CMOS_带隙基准源的设计(IC课程设计报告)
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带隙基准电压源的设计

哈尔滨理工大学 软件学院 课程设计报告 课程大三学年设计 题目带隙基准电压源设计 专业集成电路设计与集成系统班级集成10-2 班 学生唐贝贝 学号1014020227 指导老师董长春 2013年6月28日

目录 一.课程设计题目描述和要求………………………………………… 二.课程设计报告内容………………………………………………… 2.1课程设计的计算过程…………………………………………. 2.2带隙电压基准的基本原理……………………………………. 2.3指标的仿真验证结果…………………………………………. 2.4 网表文件……………………………………………………… 三.心得体会……………………………………………………………四.参考书目………………………………………………………….

一.课程设计题目描述和要求1.1电路原理图: (1).带隙基准电路 (2).放大器电路

1.2设计指标 放大器:开环增益:大于70dB 相位裕量:大于60度 失调电压:小于1mV 带隙基准电路:温度系数小于10ppm/C ? 1.3要求 1>手工计算出每个晶体管的宽长比。通过仿真验证设计是否正确,是否满足指标的要求,保证每个晶体管的正常工作状态。 2>使用Hspice 工具得到电路相关参数仿真结果,包括:幅频和相频特性(低频增益,相位裕度,失调电压)等。 3>每个学生应该独立完成电路设计,设计指标比较开放,如果出现雷同按不及格处理。 4>完成课程设计报告的同时需要提交仿真文件,包括所有仿真电路的网表,仿真结果。 5>相关问题参考教材第六章,仿真问题请查看HSPICE 手册。 二. 课程设计报告内容 由于原电路中增加了两个BJT 管,所以Vref 需要再加上一个Vbe ,导致最后结果为(ln )8.6M n β??≈,最后Vref 大概为1.2V ,且电路具有较大的电流,可以驱动较大的负载。 2.1课程设计的计算过程 1> M8,M9,M10,M11,M12,M13宽长比的计算 设Im8=Im9=20uA (W/L)8=(W/L)9=20uA 为了满足调零电阻的匹配要求,必须有Vgs13=Vgs6 ->因此还必须满足(W/L)13=(Im8/I6)*(W/L)6 即(W/L)13/(W/L)6=(W/L)9/(W/L)7 取(W/L)13=27 取(W/L)10=(W/L)11=(W/L)13=27 因为偏置电路存在整反馈,环路增益经计算可得为1/(gm13*Rb),若使环路

基础工业工程课程设计报告

基础工业工程课程设计 ————模特排时法

一、取题背景 (2) 台钻厂简介 (2) 产品介绍 (2) 产品零件来源 (2) 课题选择及课程设计目的 (3) 课程设计内容及要求 (3) 二、应用的基本原理 (3) 模特法的基本原理 (3) 模特法的21种基本动作 (4) 三、现行方案 (5) 现行方案的生产现场布置分布图 (5) 运用MOD法对台钻的装配流程进行记录、分析 (6) 四、问题分析 (20) 五、改进方案设计 (21) 改善后现场布置图 (22) 改善后的各工位动作因素表 (23) 六、计算正常时间及标准时间 (36) 计算正常时间 (36) 确定宽放率 (36) 计算标准时间 (36) 七、对比分析及改善评价 (37) 八、设计总结与心得体会 (38)

一、取题背景 本次课程设计收集的数据和资料取自于福州台钻厂。 (一)台钻厂简介 福州台钻厂创建于1958年,是福建工程学院的校办工厂,其前身是国家机械电子工业部台式钻床定点生产企业,国家渔业机械仪器行业定点企业,经过多年的发展以及福建工程学院雄厚的技术和科研支持,如今已成为具有上千万资产的小型企业,其出产的台钻床由于品质卓越、性能稳定连续多次被评为部优产品,增氧机获得了农业部“农业机械推广许可证书”。正因为福建工程学院科研与技术的支持和台钻厂自身坚持质量第一的宗旨,福州台钻厂获得了多项国家专利,并被评为一级信用企业、福州工业利税“百强企业”、福建省小型工业企业“百佳明星”企业和出口创汇先进单位等。企业的主导产品销往全国各地,并远销欧美等地。 多年来,台钻厂以经营为主体,同时又承担学校学生的认知实习、课程设计以及毕业设计等教学实习任务。 (二)产品介绍 企业主导产品有:“武夷山”牌台式钻床系列和水产养殖设备。 1.“武夷山”牌台式钻床,主要包括Z4112、4012、Z4116、Z4016、ZM406、Z4416、Z4416A、Z4020、Z4025、Z4032、S406、S4112等产品。其中Z4112台式钻床于1980年、1986年和1991年被国家机械部评为部优产品。 2.“武夷山”牌水产养殖机械,包括YC0.37、YC0.75、YC1.5、YC4.5等水车式增氧机和YL1.5叶轮式增氧机。企业建有专用的增氧机试验场所,定期开展整机测试工作,增氧能力和动力效率等指标均高于国家行业标准。 (三)产品零件来源 1. 自制件 该企业主要从事五大零件的自制,包括台钻的主轴、主轴套筒、主轴箱、底座、立柱(Z4112、Z4116系列还包括中间工作台的制造)。 2. 外购件 该企业外购零件主要有电机和轴承等标准件。 3. 外协件 该企业选择固定的三家认证厂家购买外协件。

CMOS带隙基准源

2.3 带隙基准源的温度补偿方法 由上一章可知,带隙基准电压源的一阶补偿技术主要是通过一个与热电压成 比例的正温度系数电压VT 来抵消二极管基极-发射极电压VBE 的负温度系数。但是 VT 是温度T 的线性函数,VBE 是包含温度T 的高次项的复杂函数。文献[6]中对VBE 的温度特性进行了深入的分析,总结出VBE 的温度表达式为 其中G V 是硅的带隙电压,η是硅迁移率的温度常数,r T 是参考温度。由于 集电极电流I C 是与温度成正比的,因此一阶补偿的带隙基准电压V REF 可表示为: 调整参数K 可使V REF 的温度系数达到最小。而式中G V 的温度特性由文献[7]中的最精确模型给出: 其中a,b,c为根据经验在不同温度条件下给出的不同参数。由式(2-12)式(2-13)可知,V BE 是包含温度T 的高次项的复杂函数。因此,即使在一阶补偿下,基准电压仍会存在温度漂移现象,这是一阶补偿的固有现象,故在一定温度范围内采用一阶补偿不能达到所要求的温度系数范围,要获得高性能的带隙基准电压源,就必须使用各种曲率校正的方法来抑制V REF 的变化。近年来,为了在一阶补偿的基础上增加基准源的温度稳定性,产生了一些曲率校正的方法,例如文献[8]中提出了二阶温度补偿的方法、文献[9]中提出了V BE 线性化方法、文献[10]利用不同材料电阻的相异温度特性进行曲率校正、文献[11]中提出的指数温度补偿的方法等。下面将分别介绍这几种曲率校正的方法。 2.3.1 二阶曲率补偿 基准没有经过二阶曲率补偿是由于忽略了V BE的高阶项,实际上V BE跟温度的 关系式如式(2-14)所示: 其中,V G0是半导体材料在绝对零度时的带隙基准电压;q 是一个电子电荷;n 是工艺常数;k 是波尔兹曼常数;T 是绝对温度; I C 是集电极电流;V BE0是温度在T0 时基极-发射极电压。由此看见V BE 的高阶项并不为零,因此一阶补偿的基准并不能真正使得基准的输出电压与温度T 无关,而是一条近似的抛物线,温度对输出的影响一般在20 ~ 30×10?6 /℃右,幅度大约为3~5mV。这在对基准温度特性要求不高的应用中能够满足要求,但对于高精度要求的场合,就需要对该曲线进

带隙基准电压源设计解析

0 引言 基准电压是集成电路设计中的一个重要部分,特别是在高精度电压比较器、数据采集系统以及A/D和 D/A转换器等中,基准电压随温度和电源电压波动而产生的变化将直接影响到整个系统的性能。因此,在高精度的应用场合,拥有一个具有低温度系数、高电源电压抑制的基准电压是整个系统设计的前提。传统带隙基准由于仅对晶体管基一射极电压进行一阶的温度补偿,忽略了曲率系数的影响,产生的基准电压和温度仍然有较大的相干性,所以输出电压温度特性一般在20 ppm/℃以上,无法满足高精度的需要。 基于以上的要求,在此设计一种适合高精度应用场合的基准电压源。在传统带隙基准的基础上利用工作在亚阈值区MOS管电流的指数特性,提出一种新型二阶曲率补偿方法。同时,为了尽可能减少电源电压波动对基准电压的影响,在设计中除了对带隙电路的镜相电流源采用cascode结构外还增加了高增益反馈回路。在此,对电路原理进行了详细的阐述,并针对版图设计中应该的注意问题进行了说明,最后给出了后仿真结果。 l 电路设计 1.1 传统带隙基准分析 通常带隙基准电压是通过PTAT电压和CTAT电压相加来获得的。由于双极型晶体管的基一射极电压Vbe呈负温度系数,而偏置在相同电流下不同面积的双极型晶体管的基一射极电压之差呈正温度系数,在两者温度系数相同的情况下将二者相加就得到一个与温度无关的基准电压。 传统带隙电路结构如图1所示,其中Q2的发射极面积为Q1和Q3的m倍,流过Q1~Q3的电流相等,运算放大器工作在反馈状态,以A,B两点为输入,驱动Q1和Q2的电流源,使A,B两点稳定在近似相等的电压上。

假设流过Q1的电流为J,有: 由于式(5)中的第一项具有负温度系数,第二项具有正温度系数,通过调整m值使两项具有大小相同而方向相反的温度系数,从而得到一个与温度无关的电压。理想情况下,输出电压与电源无关。 然而,标准工艺下晶体管基一射极电压Vbe随温度的变化并非是纯线性的,而且由于器件的非理想性,输出电压也会受到电源电压波动的影响。其中,曲线随温度的变化主要取决于Vbe自身特性、集电极电流和电路中运放的失调电压,Vbe

(最新版)基础工业工程课程设计报告

目录 一、取题背景…………………………………………………1 二、应用的基本原理…………………………………………2 三、现行方案…………………………………………………2 四、问题分析 (13) 五、改进方案设计 (13) 六、计算正常时间及标准时间 (22) 七、对比分析及改善评价 (23) 八、设计总结与心得体会 (23)

一、取题背景 本次课程设计收集的数据和资料取自于福州工大台钻有限公司。 (一)公司简介 台钻厂创建于1958年,是福建工程学院的校办工厂,其前身是国家机械电子工业部台式钻床定点生产企业,国家渔业机械仪器行业定点企业,经过多年的发展以及福建工程学院雄厚的技术和科研支持,如今已成为具有上千万资产的小型企业,其出产的台钻床由于品质卓越、性能稳定连续多次被评为部优产品,增氧机获得了农业部“农业机械推广许可证书”。正因为福建工程学院科研与技术的支持和台钻厂自身坚持质量第一的宗旨,福州台钻厂获得了多项国家专利,并被评为一级信用企业、福州工业利税“百强企业”、福建省小型工业企业“百佳明星”企业和出口创汇先进单位等。企业的主导产品销往全国各地,并远销欧美等地。 多年来,台钻厂以经营为主体,同时又承担学校学生的认知实习、课程设计以及毕业设计等教学实习任务。 (二)课题选择及课程设计目的 本次的课程设计主要选择Z4116的总装过程进行模特排时法研究。 此次的课程设计主要通过现场观摩收集数据和相关资料。现场观摩是进行工程训练的重要实践教学环节,是理论联系实际的现场学习,是进一步的理解、消化、掌握课堂上所学习的专业基础知识的重要步骤,是培养工业工程专业人才的主要手段。通过现场观摩及实验的训练,使学生掌握工业工程的方法研究,作业测定,现场管理的知识、技术及技能,学会综合应用这些技能解决生产实际问题的方法和程序,以实际生产系统及其运行的不断优化,达到提高效率和经济效益的目的。 此次进行模特排时法的研究是为了找出适合不同操作者劳动强度的操作方

带隙基准源电路和版图设计

论文题目:带隙基准源电路与版图设计 摘要 基准电压源具有相对较高的精度和稳定度,它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个系统的精度和性能。模拟电路使用基准源,或者是为了得到与电源无关的偏置,或者为了得到与温度无关的偏置,其性能好坏直接影响电路的性能稳定,可见基准源是子电路不可或缺的一部分,因此性能优良的基准源是一切电子系统设计最基本和最关键的要求之一,而集成电路版图是为了实现集成电路设计的输出。本文的主要目的是用BiCMOS工艺设计出基准源电路的版图并对其进行验证。 本文首先介绍了基准电压源的背景发展趋势及研究意义,然后简单介绍了基准电压源电路的结构及工作原理。接着主要介绍了版图的设计,验证工具及对设计的版图进行验证。 本设计采用40V的0.5u BiCMOS工艺库设计并绘制版图。仿真结果表明,设计的基准电压源温度变化为-40℃~~85℃,输出电压为2.5V及1.25V。最后对用Diva 验证工具对版图进行了DRC和LVS验证,并通过验证,表明本次设计的版图符合要求。 关键字:BiCMOS,基准电压源,温度系数,版图 I

Subject: Research and Layout Design Of Bandgap Reference Specialty: Microelectronics Name: Zhong Ting (Signature)____Instructor: Liu Shulin (Signature)____ ABSTRACT The reference voltage source with relatively high precision and stability, temperature stability and noise immunity affect the accuracy and performance of the entire system. Analog circuit using the reference source, or in order to get the bias has nothing to do with power, or in order to be independent of temperature, bias, and its performance directly affects the performance and stability of the circuit shows that the reference source is an integral part of the sub-circuit, excellent reference source is the design of all electronic systems the most basic and critical requirements of one of the IC layout in order to achieve the output of integrated circuit design. The main purpose of this paper is the territory of the reference circuit and BiCMOS process to be verified. This paper first introduces the background of the trends and significance of the reference voltage source, and then briefly introduced the structure and working principle of the voltage reference circuit. Then introduces the layout design and verification tools to verify the design of the territory. This design uses a 40V 0.5u BiCMOS process database design and draw the layout.The simulation results show that the design of voltage reference temperature of -40 ° C ~ ~ 85 ° C, the output voltage of 2.5V and 1.25V. Finally, the Diva verification tool on the territory of the DRC and LVS verification, and validated, show that the territory of the design meet the requirements. Keywords: BiCMOS,band gap , temperature coefficient, layout II

带隙基准源的设计

《模拟CMOS集成电路设计》---与电源无关的电流源课程设计 院系:电子与信息工程学院 专业:电子09-2 姓名:王艳强 学号:0906040221 指导教师:李书艳

摘要 模拟电路广泛的包含电压基准和电流基准。这种基准是直流量,它与电源和工艺参数的关系很小,但与温度的关系是确定的。而与温度关系很小的电压基准被证实在许多模拟电路中是必不可少的。值得注意的是,因为大多数工艺参数是随温度变化的,所以如果一个基准是与温度无关的,那么通常它也是与工艺无关的。采用Hspice软件进行仿真,仿真结果证明了基准源具有低温度系数和高电源抑制比。 关键词:CMOS集成电路;带隙基准;偏置;温度系数;仿真;工艺 综述 我们所使用的偏置电流和电流镜都隐含地假设可以得到一个“理想的”基准电流,如果忽略一些管子的沟道长度调制效应时电流就可以保持与电源电压无关。电压基准源是指在模拟电路或混合信号电路中用作电压基准的具有相对较高精度和稳定的参考电压源。它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个电路系统的精度和性能。 随着电路系统结构的进一步复杂化,对模拟电路基本模块,如A/D、D/A转换器、滤波器以及锁相环等电路提出了更高的精度和速度要求,这样也意味着系统对其中的电压基准源模块提出了更高的要求。另外,电压基准源是电压稳压器中的一个关键电路单元,它也是DC-DC转换器中不可缺少的组成部分;在各种要求较高精度的电压表、欧姆表、电流表等仪器中都需要电压基准源。 微电子技术不断发展,目前常用的集成电路工艺大体上可分为双极型/HBT、MESFET/HEMT、CMOS和BiCMOS四大类型。其中,双极型工艺是集成电路中最早成熟的工艺,CMOS工艺技术是在PMOS与NMOS工艺基础上发展起来的,已经逐渐发展成为当代VLSI(超大规模集成电路)工艺的主流工艺技术。双极型集成电路具有较快的器件速度,适合高速电路设计,但相对来说,器件功耗较大;而CMOS电路具有功耗低、器件面积小、集成密度大的优点,但是器件速度较低。BiCMOS技术增强了在CMOS技术提供的双极型晶体管的性能,这使其在模拟电路设计中具有潜力。由于CMOS工艺中“按比例缩小理论”的不断发展,器件尺寸按比例缩小使得CMOS电路的工作速度得到不断地提高,在模拟集成电路的设计中CMOS技术逐渐可以与双极型技术抗衡。近年来,模拟集成电路设计技术随着CMOS工艺技术以其得到飞速的发展,片上系统已经受到学术界及工业界广泛关注。由于SOC要求很高的集成度,而CMOS工艺的特点正好符合了这种需求,因此,用CMOS技术来设计电路越来越成为集成电路的发展趋势。 设计过程 1 电路结构设计 1.1 启动电路设计 为了避免基准源工作在不必要的零点上,我们设计了启动电路

带隙基准设计实例

带隙基准设计实例-CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

带隙基准电路的设计 基准电压源是集成电路中一个重要的单元模块。目前,基准电压源被广泛应用在高精度比较器、A/ D 和D/ A 转换器、动态随机存取存储器等集成电路中。它产生的基准电压精度、温度稳定性和抗噪声干扰能力直接影响到芯片,甚至整个控制系统的性能。因此,设计一个高性能的基准电压源具有十分重要的意义。自1971 年Robert Widla 提出带隙基准电压源技术以后,由于带隙基准电压源电路具有相对其他类型基准电压源的低温度系数、低电源电压,以及可以与标准CMOS 工艺兼容的特点,所以在模拟集成电路中很快得到广泛研究和应用。 带隙基准是一种几乎不依赖于温度和电源的基准技术,本设计主要在传统电路的基础上设计一种零温度系数基准电路。 一 设计指标: 1、 温度系数:ref F V TC V T ?=? 2、 电压系数:ref F dd V VC V V ?=? 二 带隙基准电路结构:

三 性能指标分析 如果将两个具有相反温度系数(TCs )的量以适合的权重相加,那么结果就会显示出零温度系数。在零温度系数下,会产生一个对温度变化保持恒定的量V REF 。 V REF = a 1V BE + a 2V T ㏑(n) 其中, V REF 为基准电压, V BE 为双极型三极管的基极-发射极正偏电压, V T 为热电压。对于a 1和a 2的选择,因为室温下/ 1.5m /BE T V V K ??≈-,然而/0.087m /T V T V K ??≈+,所以我们可以选择令a 1=1,选择a 2lnn 使得2(ln )(0.087/) 1.5/n mV K mV K α=,也就是2ln 17.2n α≈,表明零温度系数的基准为: 17.2 1.25REF BE T V V V V ≈+≈ 对于带隙基准电路的分析,主要是在Cadence 环境下进行瞬态分析、dc 扫描分析。 1、瞬态分析 电源电压Vdd=5v 时,Vref ≈,下图为瞬态分析图。 2.电压系数的计算: 下图为基准电压Vref 随电源电压Vdd 变化dc 分析扫描。 扫描电压范围为:3到6v ,基准电压Vref 为,保持基本不变。

基础工业工程课程设计

《基础工业工程》 课程设计 学院:机械工程学院 专业:工业工程 班级:114120301 学号: 姓名: 指导教师: 提交时间:2016.11.28

一、装配线概况 本课程设计研究的是一级蜗轮蜗杆减速器的装配过程。在这条装配线上,计划月产量为4800件,每月工作28天,每天工作8小时。一级蜗轮蜗杆减速器的装配结构图如图1所示,BOM(Bill of Materials)表如表1所示。 图1减速器装配结构图 表1减速器BOM表 各操作工人的生产负荷尽量均衡,减少工人忙闲不均现象,使之按生产节拍运转和高效率生产,是极具现实意义的。 一级蜗轮蜗杆减速器的装配主要包括右端盖的安装、左端盖的安装、轴的安装、箱盖的安装、后箱盖的安装、注油塞安装等工序组成。在该装配线上共有6

个工位,实际生产流程及各工位操作内容如图2所示. 图2 减速器装配流程 二、生产线现状及问题 1、生产线的作业测定 作业时间是核算生产线平衡率的基础数据,也是找出瓶颈工位的依据。本研究采用秒表测时方法对生产线6个在线工位进行测定,结果如图3所示。 图3 各工位的标准时间 从以上搜集到的时间数据可以看出,除工位1、工位2和工位3基本符合生产节拍以外,其余各工位均远小于生产节拍,其中,工位4、工位5和工位6的标准时间分别为53s、56s、30s远小于其他各个工位,能力过剩,造成资源浪费,操作工人一直十分空闲,多数时间处于等待状态。如果能将过剩的生产能力有效利用起来,生产效率必定会有大幅度提高。 2、生产线平衡分析 生产不平衡最大时间损失:

%100m ??= ) 节拍()实际工位数目() 任务时间总和(平衡率CT T P 生产不平衡损失率=1-平衡率=1-61.52%=38.48% 由以上计算可知,在生产过程中,有38.48%的时间由于产线配置不平衡而损失了。生产线生产不平衡最大时间损失为106s ,不平衡最大时间损失非常大,该生产线存在很大的改进空间。 1.3生产线的第一次优化分析 1、作业分解与重排 由于该生产线各工位时间差相当大,各操作工人的生产负荷不均,我们希望对各工位的生产作业进行重新分配,以优化生产线平衡现状。首先,我们对各工位进行作业分解,如表2所示: 表2 各工位作业分解

带隙基准学习笔记

带隙基准设计 A.指标设定 该带隙基准将用于给LDO提供基准电压,LDO的电源电压 变化范围为1.4V到3.3V,所以带隙基准的电源电压变化范围与 LDO的相同。LDO的PSR要受到带隙基准PSR的影响,故设计 的带隙基准要有高的PSR。由于LDO是用于给数字电路提供电源,所以对噪声要求不是很高。下表该带隙基准的指标。 电源电压1.4V~3.3V 输出电压0.4V 温度系数35ppm/℃ PSR@DC,@1MHz-80dB,-20dB 积分噪声电压(1Hz~100kHz)<1mV 功耗<25uA 线性调整率<0.01%

B.拓扑结构的选择 上图是传统结构的带隙基准,假设M 1~M尺寸相同,那么输 3 出电压为 R 2 V REF VlnNV BE T3 R 1 V是负温度系数,对温度求导数,得到公式(Razavi, BE Page313): V BE3BE3(4)Tg/ VmVE TT q 其中, 3 m。如果输出电压为零温度系数,那么: 2 V REF V BE 3 TT k q lnN R 2 R 1 得到: kV BE(4m)V T E g/ R 3 2 lnN qRT 1 q 带入: R

2 V REF VlnNV BE T3 R 1 得到:

E g V REF(4m)V T q 在27°温度下,输出电压等于1.185V,小于电源电压1.4V,可这个电路并不能工作在1.4V电源电压下,因为对于带隙基准 里的运放来说,共模输入范围会受到电源电压限制,电源电压的最小值为: VDD min V BE VV 2GS_input_differential_pairover _drive_of_current_source 其中,V是三极管Q2的导通电压,V GS_input_differential_pair是运放差 BE2 分输入管对的栅源电压,V____是运放差分输入管对尾 overdriveofcurrentsource 电流源的过驱动电压。 对于微安级别的电流,可以认为: V GS V TH 这里将差分输入对的体和源级短接以减小失配,同时阈值电 压不会受到体效应的影响。假设差分对尾电流源的过驱动电压为 100mV,那么,电源电压的最小值为: VDD min V BE2V TH_input_differential_pair100mV 下表列出了smic.13工艺P33晶体管阈值电压和三极管的导通电压随Corner角和温度变化的情况: V-40°27°80° TH slow-826mV-755mV-699mV typical-730mV-660mV-604mV fast-637mV-567mV-510mV BJT的V-40°27°80° BE slow830mV720mV630mV typical840mV730mV640mV fast860mV750mV660mV 可以计算出在不同温度的Corner角下电源电压的最小值: VDD-40°27°80° min slow1.756V1.575V1.429V typical1.67V1.49V1.344V fast1.597V1.417V1.27V 可以看出,对于大部分情况,1.4V电源电压无法保证带隙基 准中运放的正常工作,所以必须改进电路结构,使其可以工作在 1.4V电源电压下。

毕业设计最终版 高精度CMOS带隙基准源的设计

摘要 基准电压源是模拟电路设计中广泛采用的一个关键的基本模块。所谓基准电压源就是能提供高稳定度基准量的电源,这种基准源与电源、工艺参数和温度的关系很小,但是它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个电路系统的精度和性能。本文的目的便是设计一种高精度的CMOS带隙基准电压源。 本文首先介绍了基准电压源的国内外发展现状及趋势。然后详细介绍了带隙基准电压源的基本结构及基本原理,并对不同的带隙基准源结构进行了比较。接着对如何提高带隙基准的电源抑制比以及带隙基准电压源的温度补偿原理进行了分析,还总结了目前提高带隙基准电压源温度特性的各种方法。在此基础上运用曲率校正、内部负反馈电路、RC滤波器、快速启动电路,设计出了具有良好的温度特性和高电源抑制比的带隙基准电压源电路。最后应用HSPICE仿真工具对本文中设计的带隙基准电压源电路进行了完整模拟仿真并分析了结果。 模拟和仿真结果表明,电路实现了良好的温度特性和高电源抑制比,0℃~100℃温度范围内,基准电压温度系数大约为11.2ppm/℃,在1Hz到10MHz频率范围内平均电源抑制比(PSRR)可达到-80dB,启动时间为700s 。 关键词: 带隙基准电压源;温度系数;电源抑制比;

Abstract V oltage reference is the vital basic module which is widely adopted in analog circuits. It can supply a voltage with high stability. The power supply, technics parameter rand temperature has lesser effete to this voltage. Its temperature stability and antinoise capability influence the precision and performance of the whole system. The purpose of this article is to design a high precision CMOS bandgap voltage reference. In this article, the present situation and developmental trend of voltage reference studies both at home and abroad are presented. The structure and principle of voltage reference are analyzed in detail, and then the different structures of bandgap voltage reference are compared. By analyzing the power supply rejection ratio (PSRR) and the principle of temperature compensation, the method of improving the temperature characteristic is summarized. The design of a bandgap voltage reference circuit with high power supply rejection ratio and good temperature characteristic is completed by applying curvature emendation, inside negative feedback technology, RC filter and fast start-up circuit. At last, the circuits have been simulated with HSPICE simulation tools. The simulation results show that,the circuit with good temperature characteristic and high power supply rejection ratio, and at the temperature range of 0℃to 100℃, the temperature coefficient(TC) is about 11.2ppm/℃. In the frequency range of 1Hz to 10MHz, the average power supply rejection ratio is more than -80dB and it has a turn-on time less than 700s . Key W ords: bandgap voltage reference; temperature coefficient; power supply rejection ratio;

低电压带隙基准电压源设计

低电压带隙基准电压源设计 基准电压是数模混合电路设计中一个不可缺少的参数,而带隙基准电压源又是产生这个电压的最广泛的解决方案。在大量手持设备应用的今天,低功耗的设计已成为现今电路设计的一大趋势。随着CMOS 工艺尺寸的下降,数字电路的功耗和面积会显著下降,但电源电压的下降对模拟电路的设计提出新的挑战。传统的带隙基准电压源结构不再适应电源电压的要求,所以,新的低电压设计方案应运而生。本文采用一种低电压带隙基准结构。在TSMC0.13μmCMOS工艺条件下完成,包括核心电路、运算放大器、偏置及启动电路的设计,并用Cadence Spectre对电路进行了仿真验证。 1 传统带隙基准电压源的工作原理 传统带隙基准电压源的工作原理是利用两个温度系数相抵消来产生一个零温度系数的直流电压。图1所示是传统的带隙基准电压源的核心部分的结构。其中双极型晶体管Q2的面积是Q1的n倍。 假设运算放大器的增益足够高,在忽略电路失调的情况下,其输入端的电平近似相等,则有: VBE1=VBE2+IR1 (1)

其中,VBE具有负温度系数,VT具有正温度系数,这样,通过调节n和R2/R1,就可以使Vref得到一个零温度系数的值。一般在室温下,有: 但在0.13μm的CMOS工艺下,低电压MOS管的供电电压在1.2 V左右,因此,传统的带隙基准电压源结构已不再适用。 2 低电源带隙基准电压源的工作原理 低电源电压下的带隙基准电压源的核心思想与传统结构的带隙基准相同,也是借助工艺参数随温度变化的特性来产生正负两种温度系数的电压,从而达到零温度系数的目的。图2所示是低电压下带隙基准电压源的核心部分电路,包括基准电压产生部分和启动电路部分。

基础工业工程课程设计

基础工业工程课程设计 题目: 云南农业大学回族食堂服务效率的评析与改善 学院: 工程技术学院专业班级: 10 级工业工程学生姓名: 学号: 目录1. 食堂简介 2. 选题背景 3. 课程设计及其目的 4. 农大回族食堂场景描述 4.1. 农大回族食堂平面布置线路图 4.2. 对目前食堂就餐流程进行记录、分析 4.3. 模特排时法对改进前的动作分析 4.4. 改进前流程程序图(物料型) 4.5. 改进前人员流程程序图 5. 作业分析 5.1 双手作业分析 5.2 人—机作业分析 6. 现场管理 7. 食堂就餐存在问题及改善方案7.1 存在的问题 7.2 就餐要点改进 7.3 改进后食堂就餐要点 7.4 改进后人员流程程序图 7.5 模特排时法对改进后的动作分析7.6 改进后流程程序图(物料型) 7.7 改善后分析及结论 8. 总结

一、食堂简介 温饱是人类生存最基本的需求,不管你是在哪里,你首先要考虑的就是先解决温饱问题,而食堂就是帮你解决温饱问题的一个场所。由于每个地方的风俗以及外界环境不同,每个食堂的管理制度也是不相同的,因此,不同地方的食堂都有不同的现状。回族食堂位于集中片区食堂中的一个,是服务全校回族以及部分非回族学生及老师的食堂。 二、选题背景 大学食堂的状况与大学生有着密切的联系。对于回族食堂来说,由于回族食堂的地理位置比较好,处在东校区众多宿舍的中央,且处在塑胶篮球场和足球场之间,运动的学生比较多,价格实惠,因此回族食堂已经成为东校区这边的多数大学生就餐的首要选择。回族食堂的经营方式是以私营为主,它的规模不大。回族食堂以学生为主要消费人群,价格较低,通过向大学生提供经济快捷的餐饮服务来赚取利润。 三、课程设计及其目的 本课程设计的主要选择大学生在回族食堂就餐过程进行流程程序分析。 此次课程设计主要通过自己平时对生活的观察。作为一名工业工程的学生,养成敏锐的观察力是非常重要的,同时也是理论联系实际的一个过程。通过观察生活,把工业工程方面的知识运用到生活中去,进一步的理解、消化、掌握课堂上所学习的专业基础知识。同时我们通过对身边事物的观察以及思考,能够更好的使学生掌握工业工程的方法研究,时间研究和现场管理的知识、技术及技能,同时也让我们及早的学会综合运用工业工程专业方面的知识去解决生活方面的问题的方法和程序。通过不断的改进和优化从而达到提高效率和节约时间的目的。此次进行流程

最新mx带隙基准源电路与版图设计

m x带隙基准源电路与 版图设计

论文题目:带隙基准源电路与版图设计 摘要 基准电压源具有相对较高的精度和稳定度,它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个系统的精度和性能。模拟电路使用基准源,或者是为了得到与电源无关的偏置,或者为了得到与温度无关的偏置,其性能好坏直接影响电路的性能稳定,可见基准源是子电路不可或缺的一部分,因此性能优良的基准源是一切电子系统设计最基本和最关键的要求之一,而集成电路版图是为了实现集成电路设计的输出。本文的主要目的是用BiCMOS工艺设计出基准源电路的版图并对其进行验证。 本文首先介绍了基准电压源的背景发展趋势及研究意义,然后简单介绍了基准电压源电路的结构及工作原理。接着主要介绍了版图的设计,验证工具及对设计的版图进行验证。 本设计采用40V的0.5u BiCMOS工艺库设计并绘制版图。仿真结果表明,设计的基准电压源温度变化为-40℃~~85℃,输出电压为2.5V及1.25V。最后对用Diva验证工具对版图进行了DRC和LVS验证,并通过验证,表明本次设计的版图符合要求。 关键字:BiCMOS,基准电压源,温度系数,版图 仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除谢谢47

Subject: Research and Layout Design Of Bandgap Reference Specialty: Microelectronics Name: Zhong Ting (Signature)____ Instructor: Liu Shulin (Signature)____ ABSTRACT The reference voltage source with relatively high precision and stability, temperature stability and noise immunity affect the accuracy and performance of the entire system. Analog circuit using the reference source, or in order to get the bias has nothing to do with power, or in order to be independent of temperature, bias, and its performance directly affects the performance and stability of the circuit shows that the reference source is an integral part of the sub-circuit, excellent reference source is the design of all electronic systems the most basic and critical requirements of one of the IC layout in order to achieve the output of integrated circuit design. The main purpose of this paper is the territory of the reference circuit and BiCMOS process to be verified. This paper first introduces the background of the trends and significance of the reference voltage source, and then briefly introduced the structure and working principle of the voltage reference circuit. Then introduces the layout design and verification tools to verify the design of the territory. This design uses a 40V 0.5u BiCMOS process database design and draw the layout.The simulation results show that the design of voltage reference temperature of -40 ° C ~ ~ 85 ° C, the output voltage of 2.5V and 1.25V. Finally, the Diva verification tool on the territory of the DRC and LVS verification, and validated, show that the territory of the design meet the requirements. Keywords: BiCMOS,band gap , temperature coefficient, layout 目录 1 绪论 0 1.1 背景介绍及发展趋势 0 1.2 研究意义 (2) 仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除谢谢47

带隙基准源电路与版图设计

带隙基准源电路与版图设计

论文题目:带隙基准源电路与版图设计 摘要 基准电压源具有相对较高的精度和稳定度,它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个系统的精度和性能。模拟电路使用基准源,或者是为了得到与电源无关的偏置,或者为了得到与温度无关的偏置,其性能好坏直接影响电路的性能稳定,可见基准源是子电路不可或缺的一部分,因此性能优良的基准源是一切电子系统设计最基本和最关键的要求之一,而集成电路版图是为了实现集成电路设计的输出。本文的主要目的是用BiCMOS工艺设计出基准源电路的版图并对其进行验证。 本文首先介绍了基准电压源的背景发展趋势及研究意义,然后简单介绍了基准电压源电路的结构及工作原理。接着主要介绍了版图的设计,验证工具及对设计的版图进行验证。 本设计采用40V的0.5u BiCMOS工艺库设计并绘制版图。仿真结果表明,设计的基准电压源温度变化为-40℃~~85℃,输出电压为2.5V及1.25V。最后对用Diva 验证工具对版图进行了DRC和LVS验证,并通过验证,表明本次设计的版图符合要求。 关键字:BiCMOS,基准电压源,温度系数,版图

Subject: Research and Layout Design Of Bandgap Reference Specialty: Microelectronics Name: Zhong Ting (Signature)____Instructor: Liu Shulin (Signature)____ ABSTRACT The reference voltage source with relatively high precision and stability, temperature stability and noise immunity affect the accuracy and performance of the entire system. Analog circuit using the reference source, or in order to get the bias has nothing to do with power, or in order to be independent of temperature, bias, and its performance directly affects the performance and stability of the circuit shows that the reference source is an integral part of the sub-circuit, excellent reference source is the design of all electronic systems the most basic and critical requirements of one of the IC layout in order to achieve the output of integrated circuit design. The main purpose of this paper is the territory of the reference circuit and BiCMOS process to be verified. This paper first introduces the background of the trends and significance of the reference voltage source, and then briefly introduced the structure and working principle of the voltage reference circuit. Then introduces the layout design and verification tools to verify the design of the territory. This design uses a 40V 0.5u BiCMOS process database design and draw the layout.The simulation results show that the design of voltage reference temperature of -40 °C ~ ~ 85 °C, the output voltage of 2.5V and 1.25V. Finally, the Diva verification tool on the territory of the DRC and LVS verification, and validated, show that the territory of the design meet the requirements. I

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