2018年DRAM行业分析报告

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2018年DRAM行业分析报告

2018年DRAM行业分

析报告

2018年5月

目录

一、半导体产业格局:价格推升成为半导体领域最大细分市场 (5)

1、全球半导体格局:亚太成为全球重心,存储器首超逻辑电路 (5)

2、DRAM全球市场:市占率第一,三巨头垄断地位难撼动 (7)

(1)DRAM继续占据存储器细分市场第一 (7)

(2)DRAM供给侧分析:国内在建产能释放有望逐步改变市场格局 (7)

(3)DRAM分产品对比:移动终端、服务器、PC依旧是三大主力市场 (10)

3、产业链模式:存储器产业崛起有赖于IDM水平 (10)

二、存储器分类及DRAM (12)

1、存储器概念、作用及分类 (12)

2、DRAM工艺流程 (13)

3、DRAM产品细分 (14)

三、DRAM发展趋势:传统技术难以替代,各厂商技术竞赛 (15)

1、存储技术对比 (15)

2、3D DRAM技术 (16)

3、三大厂商积极布局 (17)

(1)三星扩产维持技术优势 (17)

(2)受惠于市场需求,SK海力士导入新技术和新工艺 (19)

(3)美光业绩优于预期,年底步入1xnm 阵营 (20)

四、DRAM预测:需求大幅拉动,量价齐增态势明显 (21)

1、供给端:产能增长有限,摩尔定律放缓将会持续 (21)

(1)三巨头垄断全球90%产能,2018产能增速10% (21)

(2)良率问题及新技术出现,产能增速放缓 (22)

(3)DRAM涨价带动盈利提升 (23)

2、终端结构性增长仍然存在,5G 带动需求加速提升 (24)

(1)移动终端:国产手机占据半壁江山,需求持续上升 (24)

(2)服务器:5G、云计算、IDC发力,增长率第一 (24)

(3)PC:市场整体稳定,未来小幅提升 (25)

3、结论:多方需求拉动,步入持续量增涨价周期 (25)

五、DRAM产业链:国产晶圆规模受限,设备厂商势头正劲 (26)

1、兆易创新 (27)

(1)行业景气度提升,公司利润翻倍 (27)

(2)国家政策利好,DRAM有望率先突破 (28)

2、北方华创 (28)

(1)受益全球半导体产能转移,业绩增长显著 (28)

(2)产品规模持续提升,行业龙头地位继续加固 (28)

(3)半导体产业步入新周期,市场环境欣欣向荣 (29)

3、长川科技 (29)

(1)国内客户需求旺盛,经营业绩大幅提升 (29)

(2)产品全面覆盖国内龙头封测企业,市占率有望进一步提升 (29)

4、长江存储 (30)

(1)国家资金大力扶持,国产存储量产准备 (30)

(2)具额投资初见成效,市场订单实现“零”的突破 (30)

存储器市场爆发,DRAM市场前景看好。2017年全球存储器市场增长率达到60%,首次超越逻辑电路,成为半导体第一大产品。DRAM 继续保持半导体存储器领域市占率第一。DRAM 厂商中,三星、SK 海力士和美光均采用IDM 模式继续保持垄断地位,合计市占率超过95%,国产厂商开始积极布局,2018年将实现量产,有望逐步改变当前产业格局。DRAM 消费产品中,移动终端、服务器和PC依旧占据头三名,合计占比86%,未来将继续拉动DRAM 消费增长。

三星领先优势明显,传统技术难以替代。三星于2017年开始量产第二代10nm 级8Gb DDR4DRAM,并持续扩大整体10nm 级DRAM 的产能,继续维持与其他DRAM 大厂1-2年以上的技术差距。新型存储器由于存在CMOS 兼容问题和器件级变化性,且DRAM 的性价比高,技术成熟且具有规模优势,预计未来5-10年内难以被替代。同时,由于DRAM 的平面微缩接近极限并向垂直方向扩展,18/16nm之后,薄膜厚度无法继续缩减,且不适合采用高介电常数材料和电极,继续在二维方向缩减尺寸已不再具备成本和性能方面的优势,3D DRAM 在宽松尺寸下能够实现高密度容量,且寄生阻容减少,延时串扰低,未来可能成为DRAM 的演进方向。

受益于需求增长拉动,DRAM保持量价齐增态势。随着5G 商用逼近以及云计算、IDC 业务的拉动,移动终端、服务器和PC 侧的消费需求增长明显。各大厂商扩产热情不减,包括三星在韩国平泽的P1厂房和Line 15生产线,SK 海力士的M14生产线,以及美光在广岛的Fab 15和Fab 16的扩产计划,但由于光刻技术接近瓶颈,良率问题日

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