笔记本电脑IMR制程技术介绍

半导体全制程介绍

《晶圆处理制程介绍》基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，送到热炉管（Furnace）内，在含氧的环境中，以加热氧化（Oxidation）的方式在晶圆的表面形成一层厚约数百个的二氧化硅层，紧接着厚约1000到2000的氮化硅层将以化学气相沈积Chemical Vapor Deposition；CVP）的方式沈积（Deposition）在刚刚长成的二氧化硅上，然后整个晶圆将进行微影（Lithography）的制程，先在晶圆上上一层光阻（Photoresist），再将光罩上的图案移转到光阻上面。接着利用蚀刻（Etching）技术，将部份未被光阻保护的氮化硅层加以除去，留下的就是所需要的线路图部份。接着以磷为离子源（Ion Source），对整片晶圆进行磷原子的植入（Ion Implantation），然后再把光阻剂去除（Photoresist Scrip）。制程进行至此，我们已将构成集成电路所需的晶体管及部份的字符线（Word Lines），依光罩所提供的设计图案，依次的在晶圆上建立完成，接着进行金属化制程（Metallization），制作金属导线，以便将各个晶体管与组件加以连接，而在每一道步骤加工完后都必须进行一些电性、或是物理特性量测，以检验加工结果是否在规格内（Inspection and Measurement）；如此重复步骤制作第一层、第二层．．．的电路部份，以在硅晶圆上制造晶体管等其它电子组件；最后所加工完成的产品会被送到电性测试区作电性量测。根据上述制程之需要，FAB厂内通常可分为四大区： 1）黄光本区的作用在于利用照相显微缩小的技术，定义出每一层次所需要的电路图，因为采用感光剂易曝光，得在黄色灯光照明区域内工作，所以叫做「黄光区」。 2）蚀刻经过黄光定义出我们所需要的电路图，把不要的部份去除掉，此去除的步骤就> 称之为蚀刻，因为它好像雕刻，一刀一刀的削去不必要不必要的木屑，完成作品，期间又利用酸液来腐蚀的，所以叫做「蚀刻区」。 3）扩散本区的制造过程都在高温中进行，又称为「高温区」，利用高温给予物质能量而产生运动，因为本区的机台大都为一根根的炉管，所以也有人称为「炉管区」，每一根炉管都有不同的作用。 4）真空

制程能力分析释

e 1999年对公司来说，可定义为OEM品质年，此话怎讲?因为从去年HP的PIGLET开始生产后，陆陆续续接到OEM客户的订单，诸如NEC、PANASONIC、广宇、以及最近的通用、INTEL 等等；我们可以从过去的经验与事实，去观察与分析OEM客户非常重视产品的品质管制，认为供货商是产品生产系统的源头或重要的一部份，足以影响产品是否能及时推上市，获得好评的重要关键之一。因此对于品质管制手法的使用，一直是OEM客户注意的焦点。尤其是制程能力分析(Analysis for Process Capability) 的应用，大家都视为是一新开发产品导入量产阶段的指针，所以本文的主题将针对制程能力分析来进行研讨。接下来将透过下列几个问题，来切入正题: 一、制程能力是个什么东西？二、制程能力分析在什么时候实施是正确的？三、执行制程能力分析前有那些步骤？四、制程能力分析的数据要如何评价？五、制程能力分析的数据要如何应用？六、究竟要量测多少个样品才能计算Cpk？七、Cpk 是否能监测连续生产之制程？一、制程能力是个什么东西? 所谓『制程能力』就是一个制程在固定的生产因素(条件)

及稳定管制下所展现的品质能力。那些是「固定的生产因素(条件)」；如设计的品质、模治具、机器设备、作业方法与作业者的训练、作业照明与环境、检验设备、检验方法与检验者的训练….等等皆属之。什么是「稳定管制」；就是以上因素加以标准化设定后，并彻底实施后，且该制程之测定值，都是在稳定的管制状态之下，此时的品质能力才可说是该制程的制程能力。制程能力如何表示： 1.制程准确度Ca (Capability of accuracy) 2.制程精确度Cp (Capability of precision ) 3.综合评价(不良率p ) 4.制程能力指数Cpk 以上最常用的是Cpk、Cp、Ca，而p比较少有人使用。 1.制程准确度Ca (Capability of accuracy) 与

CPK制程能力分析讲解

C P K为什么要定1，1.33，1.67，这几个值？ CPK：ComplexProcessCapabilityindex的缩写，是现代企业用于表示的指标。现今下产品的质量要求越来越高，产品的质量也不是仅仅能保证在公差范围内就能满足要求，因此对产品的质量关注从原来的被动检查产品尺寸转换到对产品加工过程的控制，那么如何来评价某个过程对产品加工质量的控制能力，利用统计学的原理按照一定的时间规律、对加工生产出的产品进行数据统计，通过计算其产品数据的离散度、标准差等数据来表达这个过程中产品的质量波动情况，CPK就在这种情况应运而生。 CPK用数值来表示，该值反映的是制造加工过程控制能力的大小，数值越大表示该过程的控制能力越好，产品的一致性越好，产品的尺寸变化波动越小越靠近中间值；而数值越大表示该过程的控制能力越差，产品的一致性越差，产品的尺寸变化波动越大离散度越大，甚至容易超出两边极限公差。 CPK的计算数据由至少125组数据组成，抽取的数据也有一定的要求（每5件为一组连续数据，每组之间按一定的时间间隔进行），抽取数据时制程必须是无任何异常状态下进行，所以CPK值反应的是某个制程在正常工作状态下的过程控制能力。下面分别用4态图、柱状图辅助理解这样更直观一些（两侧的竖直线表示产品的尺寸极限，中间的竖直线表示产品的中间值）：上图的CPK值为0.656，接近0.67，从柱状表示可以看出，虽然产品的尺寸都在极限范围以内，但大部分的产品数据分列在靠近极限值的两端，产品的离散度大；如果某过程的CPK计算数值在0.67左右，意味作该过程的控制能力并不稳定，具有超出产品极限的风险，如果数值小于0.67，加工过程中可能已经有超差极限值得产品存在。上图的CPK值为1.078，与CPK值为0.656的图形对比可以看出，产品的尺寸的波动范围比前一副图约小一点，更趋近中间值。因此当CPK值增大时，该图反应出的过程控制能力就比CPK值为0.656的过程控制能力要好，那么产品超差两端极限的情况也就更小。下面分别为CPK值为1.33和1.67左右的图形从上列4张图片的对比不难看出，当CPK值越大时，过程控制能力越强，加工出的产品越靠近中间值且波动范围越小，产品互换性好质量越高。

半导体各工艺简介5

Bubbler Wet Thermal Oxidation Techniques

Film Deposition Deposition is the process of depositing films onto a substrate. There are three categories of these films: * POLY * CONDUCTORS * INSULATORS (DIELECTRICS) Poly refers to polycrystalline silicon which is used as a gate material, resistor material, and for capacitor plates. Conductors are usually made of Aluminum although sometimes other metals such as gold are used. Silicides also fall under this category. Insulators refers to materials such as silicon dioxide, silicon nitride, and P-glass (Phosphorous-doped silicon dioxide) which serve as insulation between conducting layers, for diffusion and implantation masks,and for passivation to protect devices from the environment.

半导体制程气体介绍

一、半導體製程氣體介紹: A.Bulk gas: ---GN2 General Nitrogen : 只經過Filter -80℃ ---PN2 Purifier Nitrogen ---PH2 Purifier Hydrgen (以紅色標示) ---PO2 Purifier Oxygen ---He Helium ---Ar Argon ※“P”表示與製程有關 ※台灣三大氣體供應商: 三福化工(與美國Air Products) 亞東氣體(與法國Liquid合作) 聯華氣體(BOC) 中普Praxair B.Process gas : Corrosive gas (腐蝕性氣體) Inert gas (鈍化性氣體) Flammable gas (燃燒性氣體) Toxic gas (毒性氣體) C.General gas : CDA : Compressor DryAir (與製程無關，只有Partical問題)。 ICA : Instrument Compressor Air (儀表用壓縮空氣)。 BCA: Breathinc Compressor Air (呼吸系統用壓縮空氣)。二、氣體之物理特性: A.氣體分類: 1.不活性氣體: N2、Ar、He、SF6、CO2、CF4 , ….. (惰性氣體) 2.助燃性氣體: O2、Cl2、NF3、N2O ,….. 3.可燃性氣體: H2、PH3、B2H6、SiH2Cl2、NH3、CH4 ,….. 4.自燃性氣體: SiH4、SC2H6 ,….. 5.毒性氣體: PH3、Cl2、AsH3、B2H6、HCl、SiH4、Si2H6、NH3 ,…..

制程能力分析 Cpk Cp Ca

CPK (Process Capability Index )的定义：制程能力指数； CPK的意义：制程水平的量化反映;（用一个数值来表达制程的水平）制程能力指数：是一种表示制程水平高低的方便方法，其实质作用是反映制程合格率的高低。与CPK相关的几个重要概念： USL (Upper Specification Limit): 即规格上限; LSL (Lower Specification Limit): 即规格下限; C (Center Line）：规格中心; =(X1+X2+……+Xn)/n 平均值；(n为样本数) T=USL-LSL：即规格公差； δ（sigma）为数据的标准差。标准差是一组数据平均值分散程度的一种度量。一个较大的标准差，代表大部分数值和其平均值之间差异较大；一个较小的标准差，代表这些数值较接近平均值。例如，A、B两组各有6位学生参加同一次语文测验，A组的分数为95、85、75、65、55、45，B 组的分数为73、72、71、69、68、67。这两组的平均数都是70，但A组的标准差约为17.08分，B组的标准差约为2.16分，说明A组学生之间的差距要比B组学生之间的差距大得多。 (Excel中的“STDEV”函数自动计算所取样数据的标准差(σ) ) 样本: 从总体中随机抽取的若干个个体的总和称为样本。组成样本的每个个体称为样品。样本标准偏差S: 因为标准偏差是用数据整体计算，所以当数据量大太时，就不便以操作,而且不符合现场需要。所以一般情况下, 会用样本标准偏差S来代替σ。 S ≈σ Ca (Capability of Accuracy)：制程准确度，Ca 衡量的是“实际平均值“与“规格中心值”的一致性; 1.对于单边规格，不存在规格中心，因此也就不存在Ca;

TFT Array制程技术简介(20080917)

TFT Array製程技術 ~The Technology of TFT Array Processing 中小事業部產品設計總處面板設計處AR設計部isplaying your vision!

isplaying your vision!E/B and E/S TFT Structure Data Line & Source Passivation SiNx Gate Line Cs Line & Cst Gate Insulator Glass Substrate Gate Line & Cst Glass Sub. Passivation SiNx Gate Insulator Data Line & Source E/B Type TFT & Cs on Common TFT Array Structure E/S Type TFT & Cs on Gate TFT Array Structure

Pixel Elements isplaying your vision!

isplaying your vision! 5-Photo Exposure Process Insulator Passivation (1)Gate Patterning (Mask 1) (2)SiN/a-Si/n+ a-Si Deposition (3)a-Si Pattering (Mask 2) (4)S/D Metal Patterning (Mask 3) (5)Back Channel Etching for B/E structure (6)Passivation Layer Coverage (7)Contact Hole/ Window Etching (Mask 4)(8)ITO Pixel Electrode Patterning (Mask 5)

Array制程光刻胶残留不良改善方法研究

? 5 ? ELECTRONICS WORLD?探索与观察 Array制程光刻胶残留不良改善方法研究福州京东方光电科技有限公司柴国庆余舒娴翁超周维忠刘超崔泰城【摘要】光刻胶剥离制程为TFT-LCD制造Array基板的重要制程，剥离与洗净效果决定TFT产品质量。光刻胶残留是其主要不良。本文分析光刻胶残留的现象和成因，通过剥离设备的结构调整与保养、工艺参数的优化来改善光刻胶残留。研究表明，通过优化技术人员作业手法，增大剥离区间流量，严格管控剥离液药液浓度和水洗区间清洁与改造等的联合运用，可以有效避免光刻胶的大面积残留，提高产品质量，减少重剥而降低产能Loss，同时最大限度降低对真空设备的影响。【关键词】TFT-LCD；Array；光刻胶剥离；光刻胶残留；工艺参数Research on the Improvement Methods of Photoresist Remain in Array Process CHAI Guoqing，YU Shuxian，WENG Chao，ZHOU Weizhong，LIU Chao，CUI Taicheng （Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co.，Ltd） Abstract：in TFT-LCD industry Array manufacturing，large photoresist remain（PR Remain）defect after left-off has great in?uence on the quality，yield and directly relates to the effectiveness of manufacturing enterprises.In this article，we analyzed the morphology and the causes of PR Remain and introduces the better prevent of PR Remain through equipment cleaning and maintenance，optimizing the process conditions，Such as stripper and water ?ow，and modifying the construc-tion of equipment.The research shows that the combined utilization of optimize operation technique and Stripper maintenance，can effectively decrease PR remain occurrence，and reduce to the re-strip ratio of array mass production(MP).Meanwhile，the quality and ef?ciency of production was improved and the in?uence on V acuum equipment was reduced. Key Word：TFT-LCD；Array；Photoresist Stripper；Photoresist Remain；Technologi-cal Parameter 1 引言随着国内大力投资发展显示面板行业，TFT-LCD面板越来越大，所能做出显示器件也越来越大，同时也增大了各工艺的难度。其中，Array基板为TFT-LCD屏重要组成部分，它主要是在玻璃基板上制造所需要的电路，根据扫描信号选择像素和根据显示信号控制液晶偏转量[1]。Array基板的制造是由成膜(Sput-ter),涂布（Coater），曝光（Photo），显影（Developer），刻蚀（Etch），剥离（Stripper）。目前主要应用在a-Si TFT-LCD和Oxide相关工艺方向的有4Mask 和5mask工艺。较为前沿的研究也进行了3mask的探索[2]图1所示是典型的0+4 Mask产品Array基板在显微镜下的画面。无论是选择何种生产工艺，光刻胶（Photoresist，PR）均会应用在形成所需要的图案的各制程中，又因为各膜层材质的不同，光刻胶涂覆工艺和粘附性也有较大差异，与之相对应的是在光刻胶剥离（Stripper）工序中的剥离（Lift-off）程度的难易。湿法剥离是重复次数最多的工序之一，其制程质量控制要点是：光刻胶的去除能力，Mura的控制，金属线的腐蚀，Particle的控制[5] 。图1 0+4Mask显微镜下画面光刻胶(PR胶)，在曝光区域发生光化学反应，造成曝光和非曝光区在碱液显影液（Developer）中溶解性产生明显的差异，经适当的溶剂处理后，溶去可溶性部分，得到所需图像。根据其化学反应机理可分负性胶和正性胶两类。Array基板制造过程中使用的是正性胶，主要成分和作用是：（1）线性酚醛树脂为成膜树脂，经涂布工艺在沉积有金属膜层的玻璃基材表面形成树脂涂层，利用光刻工艺，在涂层上“复制”电路。（2）感光剂（photo-active compo und，简称PAC）采用邻重氮萘醌（简称为DNQ）磺酸酯，利用PAC在感光和非感光部分反应的不同，得到所需的图案。（3）溶剂和添加剂，溶剂作用是获得均匀的稀释液体，使其具有良好的流动性，有利于形成均一平整的图层；添加剂含量很小，目地是增强附着性，增加光感度，改善表面成膜性等，正性胶有良好的分辨率，成本也相对较高[3]。湿法剥离（Wet Stripper）原理与过程如图2 所示。图2 Wet Stripper剥离光刻胶原理由于该工序存在于TFT制造的每个制程的最后一道工序，其质量直接影响下一制程品质。在生产制造过程中，我们将各制程经过剥离工序后仍有PR胶存在于膜层之上

半导体全制程介绍

半导体全制程介绍《晶圆处理制程介绍》基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，送到热炉管（Furnace）内，在含氧的环境中，以加热氧化（Oxidation）的方式在晶圆的表面形成一层厚约数百个的二氧化硅层，紧接着厚约1000到 2000的氮化硅层将以化学气相沈积Chemical Vapor Deposition；CVP）的方式沈积（Deposition）在刚刚长成的二氧化硅上，然后整个晶圆将进行微影（Lithography）的制程，先在晶圆上上一层光阻（Photoresist），再将光罩上的图案移转到光阻上面。接着利用蚀刻（Etching）技术，将部份未被光阻保护的氮化硅层加以除去，留下的就是所需要的线路图部份。接着以磷为离子源（Ion Source），对整片晶圆进行磷原子的植入（Ion Implantation），然后再把光阻剂去除（Photoresist Scrip）。制程进行至此，我们已将构成集成电路所需的晶体管及部份的字符线（Word Lines），依光罩所提供的设计图案，依次的在晶圆上建立完成，接着进行金属化制程（Metallization），制作金属导线，以便将各个晶体管与组件加以连接，而在每一道步骤加工完后都必须进行一些电性、或是物理特性量测，以检验加工结果是否在规格内（Inspection and Measurement）；如此重复步骤制作第一层、第二层的电路部份，以在硅晶圆上制造晶体管等其它电子组件；最后所加工完成的产品会被送到电性测试区作电性量测。根据上述制程之需要，FAB厂内通常可分为四大区： 1）黄光本区的作用在于利用照相显微缩小的技术，定义出每一层次所需要的电路图，因为采用感光剂易曝光，得在黄色灯光照明区域内工作，所以叫做「黄光区」。

2019年Leadframe知识简介

Leadframe知识简介框架材料（Leadframe）框架的构成：框架是模塑封装的骨架，它主要由两部分组成：芯片焊盘（die paddle）和引脚（lead finger）。其中芯片焊盘在封装过程中为芯片提供机械支撑，而引脚则是连接芯片到封装外的电学通路，就引脚而言，每一个引脚末端都与芯片上的一个焊盘通过引线相连接，该端称为内引脚（inner finger），引脚的另一端就是所谓管脚，它提供与基板或PC板的机械和电学连接。框架的功能是显而易见的，首先它起到了封装器件的支撑作用，同时防止模塑料在引线间突然涌出，为塑料提供支撑；其次它使芯片连接到基板，提供了芯片到线路板的电及热通道。由它的这些功能出发，我们在选择引线框架材料所要考虑如下因素：制造难易、框架性能要求，自然，成本也是非常重要的。框架材料：框架通常都是由合金材料制成的，加工方法一般为冲压法（stamping punch）和蚀刻法（etching）。化学蚀刻法主要采用光刻及金属溶解的化学试剂从金属条带上蚀刻出图形。大体可分为以下步骤：（1）冲压定位孔（2）双面涂光刻胶（3）UV通过掩膜板曝光、显影、固化（4）通过化学试剂腐蚀暴露金属（通常使用三氯化铁等试剂）（5）祛除光刻胶蚀刻法的特点是设备成本低，但是框架成本较高，生产周期短。机械冲制法一般使用跳步工具，靠机械力作用进行冲切。这种方法所使用的模具昂贵，但框架生产成本低。对于微细间距封装所采用的框架，通常都是采用蚀刻方法加工的，因为机械冲压加工的精度是无法满足高密度封装要求的。除了选择合适的加工方法，由于框架的几何形状和成分会强烈影响到封装模块的可加工性、质量及性能，所以也应当得到重视。选择框架材料要考虑到材料是否能满足加工、封装装配、PCB板装配及器件的性能要求。通常的框架材料是铜合金材料和铁镍合金（也称合金42，一般情况下镍的含量为42%，铁的含量为58%）。除此之外现今各种各样的复合材料层出不穷，但是应用的范围还比较狭窄，一个是由于技术上还不够完善，再一点就是价格因

CPK(过程能力分析报告方法)

过程能力分析过程能力也称工序能力，是指过程加工方面满足加工质量的能力，它是衡量过程加工内在一致性的，最稳态下的最小波动。当过程处于稳态时，产品的质量特性值有99.73%散布在区间[μ-3σ，μ+3σ]，(其中μ为产品特性值的总体均值，σ为产品特性值总体标准差)也即几乎全部产品特性值都落在6σ的范围内﹔因此，通常用6σ表示过程能力，它的值越小越好。为什么要进行过程能力分析进行过程能力分析，实质上就是通过系统地分析和研究来评定过程能力与指定需求的一致性。之所以要进行过程能力分析，有两个主要原因。首先，我们需要知道过程度量所能够提供的基线在数量上的受控性;其次，由于我们的度量计划还相当"不成熟"，因此需要对过程度量基线进行评估，来决定是否对其进行改动以反映过程能力的改进情况。根据过程能力的数量指标，我们可以相应地放宽或缩小基线的控制条件。工序过程能力分析工序过程能力指该工序过程在5M1E正常的状态下，能稳定地生产合格品的实际加工能力。过程能力取决于机器设备、材料、工艺、工艺装备的精度、工人的工作质量以及其他技术条件。过程能力指数用Cp 、Cpk表示。非正态数据的过程能力分析方法当需要进行过程能力分析的计量数据呈非正态分布时，直接按普通的计数数据过程能力分析的方法处理会有很大的风险。一般解决方案的原则有两大类:一类是设法将非正态数据转换成正态数据，然后就可按正态数据的计算方法进行分析;另一类是根据以非参数统计方法为基础，推导出一套新的计算方法进行分析。遵循这两大类原则，在实际工作中成熟的实现方法主要有三种，现在简要介绍每种方法的操作步骤。非正态数据的过程能力分析方法1:Box-Cox变换法非正态数据的过程能力分析方法2:Johnson变换法非正态数据的过程能力分析方法3:非参数计算法

半导体制程基本简介说明

(基本觀念) IC製程說明介紹半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array (圖一) 不同外形半導體元件(圖二)EPROM內部晶片 (圖三)EPROM晶片接腳放大圖(圖四)LED 燈

(圖五)LED內部晶片放大圖(圖六)LED通電時因晶片發亮而發光雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種: 一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA 一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。半導體元件的製作分成兩段的製造程序: 前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

国内生产Leadframe厂商

國內生產Leadframe廠商資料來源https://www.360docs.net/doc/c313787290.html,/html/02/t-336302.html 2008/1 随着我国集成电路产业的迅猛发展，IC新型封装技术的升级发展，对封装材料的要求也愈来愈苛刻，带动了我国封装材料技术和市场的发展。这为我国的引线框架行业带来了发展的机遇，同时也面临着严峻的挑战。产量仅能满足50%左右国内需求目前，在国内从事半导体引线框架生产的企业主要有17家：新光电气工业(无锡)有限公司、日里电线(苏州)精工有限公司、三井高科技( 上海、天津、东莞)电子有限公司、济南晶恒山田电子精密科技有限公司、东莞长安品质电子制造厂、先进半导体物料科技有限公司、柏狮电子(香港)有限公司、顺德工业有限公司、中山复盛机电有限公司、铜陵丰山三佳微电子有限公司、广州丰江微电子有限公司、宁波康强电子股份有限公司、厦门永红电子有限公司、无锡华晶利达电子有限公司、宁波华龙电子股份有限公司、宁波东盛集成电路元件有限公司、浙江华科电子有限公司。其中，独资企业7家，合资企业4家，内资企业6家。以上企业主要从事半导体引线框架、精密模具和其他电子设备、电子元器件的设计、制造和销售，实属国内领先。从被调查的17家生产厂家2005年生产产能可以看出，我国半导体企业中合资及外商独资的成分较大，其中三井高科技(上海)有限公司是日本三井在我国独资的引线框架专业生产厂家，总投资2500万美元，注册资本15 00万美元，其产品科技含量高、生产工艺先进。我国台湾的中山复盛总投资3000万美元，注册资本1600万美元，系广东省高新技术企业。合资企业中丰山三佳为中韩合资企业，总投资2800万美元，注册资金2100 万美元，其依据三佳的模具优势及韩国丰山微电子20 多年引线框架的技术优势，在从业短短4年内一举打入市场，并迅速占领了我国中高档产品近1/3的市场份额并销售海外市场。引线框架行业主要集中在长三角、珠三角一带，在长三角一带颇具规模的主要是铜陵丰山三佳、上海三井、日本无锡新光，珠三角一带以ASM、广东丰江、中山复胜为代表，与我国封装企业区域分布彼此呼应。高端产品仍需进口国内引线框架生产企业起步较早，多年来为国内IC和分立器件生产配套，具有产品研制、开发和大生产能力，一直担当引线框架生产的主力军，但国内的产量仅能满足50%左右的国内需求，大部分高端产品还需要进口，且大多数是引线少，节距大的一般产品，满足不了国内市场的需求。2001年12月，铜陵丰山三佳(集团)有限责任公司和韩国丰山微电子株式会社共同出资2100万美组建铜陵丰山三佳微电子有限公司，生产具有国际竞争力的“半导体集成电路引线框架”及“引线框架模具”，目前可生产208脚以下冲

《半导体测试制程介绍》

《晶柱成長製程》矽晶柱的長成，首先需要將純度相當高的矽礦放入熔爐中，並加入預先設定好的金屬物質，使產生出來的矽晶柱擁有要求的電性特質，接著需要將所有物質融化後再長成單晶的矽晶柱，以下將對所有晶柱長成製程做介紹。長晶主要程序︰融化（MeltDown）此過程是將置放於石英坩鍋內的塊狀複晶矽加熱製高於攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中最重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來融化複晶矽，石英坩鍋的壽命會降低，反之功率太低則融化的過程費時太久，影響整體的產能。頸部成長（Neck Growth）當矽融漿的溫度穩定之後，將<1.0.0>方向的晶種漸漸注入液中，接著將晶種往上拉昇，並使直徑縮小到一定（約6mm），維持此直徑並拉長10-20cm，以消除晶種內的排差（dislocation），此種零排差（dislocation-free）的控制主要為將排差侷限在頸部的成長。晶冠成長（Crown Growth）長完頸部後，慢慢地降低拉速與溫度，使頸部的直徑逐漸增加到所需的大小。晶體成長（Body Growth）利用拉速與溫度變化的調整來遲維持固定的晶棒直徑，所以坩鍋必須不斷的上升來維持固定的液面高度，於是由坩鍋傳到晶棒及液面的輻射熱會逐漸增加，此輻射熱源將致使固液界面的溫度梯度逐漸變小，所以在晶棒成長階段的拉速必須逐漸地降

低，以避免晶棒扭曲的現象產生。尾部成長（Tail Growth）當晶體成長到固定（需要）的長度後，晶棒的直徑必須逐漸地縮小，直到與液面分開，此乃避免因熱應力造成排差與滑移面現象。

《晶柱切片後處理》矽晶柱長成後，整個晶圓的製作才到了一半，接下必須將晶柱做裁切與檢測，裁切掉頭尾的晶棒將會進行外徑研磨、切片等一連串的處理，最後才能成為一片片價值非凡的晶圓，以下將對晶柱的後處理製程做介紹。切片（Slicing）長久以來晶圆切片都是採用內徑鋸，其鋸片是一環狀薄葉片，內徑邊緣鑲有鑽石顆粒，晶棒在切片前預先黏貼一石墨板，不僅有利於切片的夾持，更可以避免在最後切斷階段時鋸片離開晶棒所造的破裂。切片晶圓的厚度、弓形度（bow）及撓屈度（warp）等特性為製程管制要點。影響晶圓品質的因素除了切割機台本身的穩定度與設計外，鋸片的張力狀況及鑽石銳利度的保持都有很大的影響。圓邊（Edge Polishing）剛切好的晶圓，其邊緣垂直於切割平面為銳利的直角，由於矽單晶硬脆的材料特性，此角極易崩裂，不但影響晶圓強度，更為製程中污染微粒的來源，且在後續的半導體製成中，未經處理的晶圓邊緣也為影響光阻與磊晶層之厚度，須以電腦數值化機台自動修整切片晶圓的邊緣形狀與外徑尺寸。研磨（Lapping）研磨的目的在於除去切割或輪磨所造成的鋸痕或表面破壞層，同時使晶圓表面達到可進行拋光處理的平坦度。蝕刻（Etching）晶圓經前述加工製程後，表面因加工應力而形成一層損傷層（damaged layer），在拋光之前必須以化學蝕刻的方式予以去除，蝕刻液可分為酸性與鹼性兩種。去疵（Gettering）利用噴砂法將晶圓上的瑕疵與缺陷趕到下半層，以利往後的IC製程。

制程能力分析与研究

制程能力分析与研究（）一、何谓制程能力制程能力（）又称工序能力，在的核心工具之一的《统计过程控制》（）中解释为“一个稳定过程的固有变差总范围”，其实也就是指处于稳定状态下的工序实际加工能力，即产出品质能够符合工程规格上能力或程度。工序实施的前后过程均应标准化，在非稳定生产状态下的工序所测得工序能力是设有意义的，且工序能力的测定一般是在成批生产状态下进行的，工序能力分析与研究一般应用于产品的开发，设计，试产及量产中，在制程中的关键工序或重要工序也有必要的用到。还是先看看管制界限、规格值与个别值分配之关系吧！通过图示说明以便让我们对制程能力有一个感性的认知：＋ ※自然公差遠小於規格公差(σ≤)時，当σ≤ －时，是最理想情况。如上图所示，个别值分配和规格的关系最佳，因为规格比制程变异大很多，即使制程平均值有很大移动，也不易超出规格界限；至于分配的变异比分配大，但所有个别值仍在规格内；而分布所显示的变异又更大，但仍在规格内。为符合经济上的效益，允许制程平均值适度地偏离规格中心(譬如：分配和)，而不至于产生不良品。如此可避免时常调整机具或寻找非机遇因素等造成之延误成本。甚至考虑减少抽样次数，或者取消使用管制图。 ※自然公差差不多等于规格公差(σ)时， X __ ＋σX __ －σX __ 规格上限() 规格下限()

当σ，如果制程的次数分配与相同则有的产品符合规格；但是当制程平均移动时(如分布)或变异增大时(如分布)，则不良率可能远大于。只有分布的是处于统计管制内，不良品的发生率在可接受的范围之内，可是一但发生非机遇因素的变异，应立即加以矫正。 ※自然公差大于规格公差(σ＞)时，当σ＞时，表示制程处于非常不理想的状况下，如上图次数分布，超出规格的上下限的不良率在不可接受的范围内；换句话说，制程无制造符合规格产品的能力。二、制程能力主要指数及判定处理客户在参观工厂或企业时，往往会问到“”，“不合格品率”，“直通率”或“σ”（西格玛）值，及某些工序的其实这些都是衡量制程能力，产品质量的一种指标。鉴于制程能力指一定时间得于控制状态下的实际力的能力，能力越高，则产品品质特性的分散就小；能力越低，则产品品质特性分散就越大。过程能力反映普遍原因引起的变差，并且对系统采取管理措施来提高能力。有许多技术可用来评定处于统计控制状态过程的能力，当分布图形是正态的，则可用下述的技术，该技术只包括以控制图上的数据为基础的简单的计算。用过程均值作为分布的位置，用标准偏差来表示测量的分布宽度，标准差是用包含平均极差的简单公式计算出来。能力指数可分为两类：长期的和短期的。短期能力的研究是从一个操作循环中获取的测量为基础的。这些数据用控制图分析后作为判定该过程是否存在统计控制状态下运行的依据。若未发现特殊原因，可以计算短期的能力指数。这种研究通常用于由客户提出过程中生产出来的首批产品。还有一种用途是机器设备的能力研究，是用来验证一个新的或经过修改的过程实际性能是否合乎工程参数。长期能力研究包括通过很长一段时间内所进行的测量应在足够长的时间内收集数据。同时这些数据应能包含所有能预计到的变差的原因，很多变差原因可能在短期研究时还没有观察到。当收集足够的数据后，将这些数据画在控制图上。若未发现变差的特殊原因，便可以计算长期的能力和性能指数。所有的能力量度指数必须满足以下四个条件： .产生的数据的过程必须受控，即处于统计稳定状态； .过程的数据的单个测量值基本处于正态分布； .规范是以顾客要求为基础的； .存在一种将计算的指数看成“真实”的指数的意愿。