《国家标准》GB0-370题库总结
1、GVRP 端口注册模式Normal Fixed Forbidden 给配置判断可以学到哪些vlan
2、GVRP 定时器的取值四个定时器之间的关系
3、Trunk 口Access 口Hybrid 口删除缺省vlan 后的变化情况
4、Vlan 的匹配顺序配置题同时配置基于MAC 基于子网基于协议基于端口问属于哪
个vlan
5、Isolate-user-vlan 配置建立Isolate-user-vlan 和Secondary vlan 的映射关系的配
置命令
6、Super vlan 配置建立Super vlan 和sub vlan 的映射关系
7、开启本地代理ARP 在什么模式下注意比较上面建立两个映射关系命令的不同设置
vlan 为supervlan 迷惑选项super vlan
8、Vlan 间路由通信三种方式路由器实现单臂路由三层交换机
9、交换机转发模式精确匹配最长匹配
10、Vlan 接口配置ip 地址主ip 和从ip 关系删除主ip 前必须先删除从ip
11、STP 优先级向量
12、STP 端口的五种状态
13、Forward delay 延时各中间状态到转发状态经过几个延时
14、STP 拓扑变化处理过程TCA TC 时间
15、TCN BPDU 产生条件即什么情况下拓扑发生变化满足两个条件中的一个理解各种
情况
16、比较RSTP STP 的不同有个选项是RST BPDU 格式和STP 完全不同
17、RST BPDU Flags 字段八位各代表的含义
18、P/A 机制同步过程两端口什么时候进入Forwarding 状态
19、RSTP 拓扑改变条件一个以及处理过程清除接收TC 报文端口和边缘端口以外的所
有端口的MAC 两倍hello time 时间内向指定端口和根端口发送TC 置位的RST BPDU
20、RSTP STP 的兼容操作
21、Hello time 过长较长较短过短产生的结果
22、网络直径通过改变网络直径可以影响其他时间参数
23、MSTP vlan 和实例之间的关系一个实例可包括多个vlan 一个vlan 只能映射到
一个实例
24、MST 域三要素域名修订级别摘要
25、CIST CST IST 总根和域根还有master 端口充分理解
26、MSTP 计算过程同步进行的不存在先后关系
27、MSTP 和RSTP 互操作MSTP 的优先级向量和RSTP 的优先级向量中各参数的互相
提取作为为各自的什么参数
28、MSTP 的P/A 机制和RSTP 的P/A 怎么兼容
29、MSTP 配置摘要监听和其他厂商兼容配置摘要后vlan 映射关系替换自己的摘要
30、STP 保护四个保护机制在什么视图下配置配置背景和作用
31、可靠性计算
32、链路聚合静态聚合和动态聚合的参考端口选择
33、Smart link 的控制vlan 保护vlan
34、Smart link 和Monitor link 什么端口可以成为其成员端口
35、Smart link Monitor link 配置读配置判断选项
36、RRPP 控制vlan 不可以配置IP 地址
37、RRPP 的Polling 机制和链路状态刷新变化机制
38 、RRPP Complete 状态Failed 状态Preforwarding 状态以及在什么时候发
Common-Flush-FDB 什么时候发Complete-Flush-FDB 报文
39、书上P357 中间那个图最后两条
40、VRRP 虚拟MAC 地址
41、VRRP 状态机P385 的图状态转换经过的延时
42、组播MAC 地址的计算第25 位置位0
43、组播和单播广播的比较
44、IGMPv2 普遍查询和成员报告机制离开组指定组查询
45、IGMPv2 查询器选举网段上接口IP 地址最小的（之后的其他选举基本是以大为优）
46、IGMPv3 过滤模式过滤模式变化记录源列表变化记录
47、IGMPv3 取消了离开组报文通过TO_IN(NULL,组播地址) =不接受任何源即离开该
组
48、IGMP 三个版本的兼容操作重要
49、IGMP snooping 运行机制
50、组播vlan 只在组播vlan 内配置IGMP snooping 子vlan 不配置
51、RPF 检查组播转发表书P481 三条
52、PIM-DM 包括邻居发现扩散剪枝断言嫁接状态刷新机制
53、PIM-DM 扩散-剪枝是周期性进行的
54、嫁接的Graft 消息和Graft ack 消息是单播发送
55、PIM-DM 状态刷新哪个接口发state refresh 消息处于转发状态的置位0 剪枝的置
位1
56、PIM-SM 组播源注册过程和停止注册单播消息
57、RP 选举和BSR 机制BSR 作用
58、一个PIM-SM 域中只能有一个BSR 一个RP 可以为多个组播服
务一个组播只能选
一个RP
59、PIM-SSM 依靠IGMPv3 一开始就知道组播源的位置建立的表项都是（S,G）不是
（*,G）
60、display pim routing-table 可以看到哪些包括超时时间实验手册上有课本没
写（有个选项提到了超时时间）
61、V oice vlan 的普通模式和安全模式比较
62、PoE 供电方式Midspan 和Endpoint
63、PoE 802.af 和802.3at 比较考到了一题包括PD 最大功率和电压书P557 中间那个
图
64、TACACS+和RADIUS 比较RADIUS 采用的是UDP 是如何保证报文可靠性的
65、802.1X 受控/非受控端口授权/非授权状态（自动模式下初始状态为非受控）
66、PORTAL 认证三层非三层直接获取IP 地址二次分配IP 地址
67、SSH 连接建立过程版本号协商服务器首先向客户端发送第一个报文包括版本号
不是客户端首先向服务器端发送
68、SSH 服务器端配置客户端的公钥获取的两种方式导入拷贝粘贴
69、MIB 结构叶子节点非叶子节点（不能通过SNMP 访问）表型节点、标量节点索引
号
70、SNMP 有一题就是管理站和代理分别监听哪个端口
71、SNMP 三个版本的比较v1 v2 版本的安全性都较弱迷惑选项v2 安全性比v1 高
v1 所有的操作都是原子性的v2 set 操作不是原子性的迷惑选项是v1 v2 所有操作都
是原子性的
72、SNMPv2 GetBulk 操作以及Trap 的变化
73、SNMPv3 框架与v1 v2 的不同书P721
74、镜像技术考了远程端口镜像反射端口不是必须配置的vlan 内禁止MAC 地址学习
75、NTP 四种模式的运用环境注意对等体模式下主动对对等体和被动对等体可以互相同
步操作
以上是考试中遇到的考点和复习过程重点。交换的重中之重在VLAN S
半导体物理学试题库完整
一．填空题 1．能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________.引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。（二阶导数.内部势场） 2．半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________（即量子态按能量如何分布）和_________（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。（状态密度.费米分布函数） 3．两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电.达到热平衡后两者的费米能级________。（正.相等） 4．半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央.其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处.因此属于_________半导体。（[100]. 间接带隙） 5．间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。（弗仑克耳缺陷.肖特基缺陷） 6．在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________.高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。（1/2.1/1+exp(2)） 7．从能带角度来看.锗、硅属于_________半导体.而砷化稼属于_________半导体.后者有利于光子的吸收和发射。（间接带隙.直接带隙） 8．通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统.服从_________的电子系统称为简并性系统。（玻尔兹曼分布.费米分布） 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关.而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。（温度.禁带宽度） 10. 半导体的晶格结构式多种多样的.常见的Ge和Si材料.其原子均通过共价键四面体相互结合.属于________结构；与Ge和Si晶格结构类似.两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。（金刚石.闪锌矿） 11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化.则具有这种能带结构的半导体称为_________禁带半导体.否则称为_________禁带半导体。（直接.间接） 12. 半导体载流子在输运过程中.会受到各种散射机构的散射.主要散射机构有_________、 _________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。（电离杂质的散射.晶格振动的散射） 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径.主要有两大类：_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。（电子和空穴.复合中心）
半导体物理学简答题及答案
第一章 1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同,原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在，没有一个固定的轨道；而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，在晶体周期性势场中运动。当原子互相靠近结成固体时，各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而，外层价电子则参与原子间的相互作用，应该把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。组成晶体原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子相似，称为准自由电子，而内层电子共有化运动较弱，其行为与孤立原子的电子相似。 2.描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念,用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。 答：引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。惯性质量描述的是真空中的自由电子质量，而不能描述能带中不自由电子的运动，通常在晶体周期性势场作用下的电子惯性运动，成为有效质量 3.一般来说, 对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此，为什么？ 答：不是，能级的宽窄取决于能带的疏密程度，能级越高能带越密，也就是越窄；而禁带的宽窄取决于掺杂的浓度，掺杂浓度高，禁带就会变窄，掺杂浓度低，禁带就比较宽。 4.有效质量对能带的宽度有什么影响，有人说:"有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄.是否如此，为什么？答：有效质量与能量函数对于K的二次微商成反比，对宽窄不同的各个能带，1（k）随k的变化情况不同，能带越窄，二次微商越小，有效质量越大，内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小。 5.简述有效质量与能带结构的关系；答：能带越窄，有效质量越大，能带越宽，有效质量越小。 6.从能带底到能带顶,晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同； 答：在能带底附近，电子的有效质量是正值，在能带顶附近，电子的有效质量是负值。在外电F作用下，电子的波失K不断改变，f=h(dk/dt),其变化率与外力成正比，因为电子的速度与k有关，既然k状态不断变化，则电子的速度必然不断变化。 7.以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度?答：沿不同的晶向，能量带隙不一样。因为电子要摆脱束缚就能从价带跃迁到导带，这个时候的能量就是最小能量，也就是禁带宽度。 1.为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述? 答：空穴是一个假想带正电的粒子，在外加电场中，空穴在价带中的跃迁类比当水池中气泡从水池底部上升时，气泡上升相当于同体积的水随气泡的上升而下降。把气泡比作空穴，下降的水比作电子，因为在出现空穴的价带中，能量较低的电子经激发可以填充空穴，而填充了空穴的电子又留下了一个空穴。因此，空穴在电场中运动，实质是价带中多电子系统在电场中运动的另一种描述。因为人们发现，描述气泡上升比描述因气泡上升而水下降更为方便。所以在半导体的价带中，人们的注意力集中于空穴而不是电子。 2.有两块硅单晶,其中一块的重量是另一块重量的二倍.这两块晶体价带中的能级数是否相等，彼此有何联系？ 答：相等，没任何关系 3.为什么极值附近的等能面是球面的半导体,当改变磁场方向时只能观察到一个共振吸收峰。答：各向同性。 5.典型半导体的带隙。 一般把禁带宽度等于或者大于2.3ev的半导体材料归类为宽禁带半导体，主要包括金刚石，SiC，GaN,金刚石等。26族禁带较宽，46族的比较小，如碲化铅，硒化铅（0.3ev），35族的砷化镓（1.4ev）。 第二章1.说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下,而且电离能的数值较小？答：被杂质束缚的电子或空穴的能量状态称为杂质能级，电子脱离杂质的原子的束缚成为导电电子的过程成为杂质电离，使这个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量成为杂质电离能。杂质能级离价带或导带都很近，所以电离能数值小。 2.纯锗,硅中掺入III或Ⅴ族元素后,为什么使半导体电学性能有很大的改变？杂质半导体(p型或n型)应用很广,但为什么我们很强调对半导体材料的提纯?答：因为掺入III或Ⅴ族后，杂质产生了电离，使得到导带中得电子或价带中得空穴增多，增强了半导体的导电能力。极微量的杂质和缺陷，能够对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响，，当然，也严重影响着半导体器件的质量。 4.何谓深能级杂质，它们电离以后有什么特点？答：杂质电离能大，施主能级远离导带底，受主能级远离价带顶。特点：能够产生多次电离，每一次电离相应的有一个能级。 5.为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级？答：因为金是深能级杂质，能够产生多次电离，
半导体物理学练习题(刘恩科)
第一章半导体中的电子状态 例1.证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。 解：K状态电子的速度为： （1）同理，－K状态电子的速度则为： （2）从一维情况容易看出： （3）同理 有： （4） （5） 将式（3）（4）（5）代入式（2）后得： （6）利用（1）式即得：v(－k)= －v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关，即：E(k)=E(－k)故电子占有k状态和-k状态的几率相同，且v(k)=－v(－k)故这两个状态上的电子电流相互抵消，晶体中总电流为零。 例2.已知一维晶体的电子能带可写成： 式中，a为晶格常数。试求： （1）能带的宽度； （2）能带底部和顶部电子的有效质量。 解：（1）由E(k)关 系 （1）
（2） 令得： 当时，代入（2）得： 对应E(k)的极小值。 当时，代入（2）得： 对应E(k)的极大值。 根据上述结果，求得和即可求得能带宽度。 故：能带宽度 （3）能带底部和顶部电子的有效质量： 习题与思考题： 1 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 2 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。 3 试指出空穴的主要特征。 4 简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。
5 某一维晶体的电子能带为 其中E0=3eV，晶格常数a=5×10-11m。求： （1）能带宽度； （2）能带底和能带顶的有效质量。 6原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同？原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同？ 7晶体体积的大小对能级和能带有什么影响？ 8描述半导体中电子运动为什么要引入“有效质量”的概念？用电子的惯性质量 描述能带中电子运动有何局限性？ 9 一般来说，对应于高能级的能带较宽，而禁带较窄，是否如此？为什么？ 10有效质量对能带的宽度有什么影响？有人说：“有效质量愈大，能量密度也愈大，因而能带愈窄。”是否如此？为什么？ 11简述有效质量与能带结构的关系？ 12对于自由电子，加速反向与外力作用反向一致，这个结论是否适用于布洛赫电子？ 13从能带底到能带顶，晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同？ 14试述在周期性势场中运动的电子具有哪些一般属性？以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系？ 15为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？16为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述？ 17有两块硅单晶，其中一块的重量是另一块重量的二倍。这两块晶体价带中的能级数是否相等？彼此有何联系？ 18说明布里渊区和k空间等能面这两个物理概念的不同。 19为什么极值附近的等能面是球面的半导体，当改变存储反向时只能观察到一个共振吸收峰？ 第二章半导体中的杂质与缺陷能级 例1.半导体硅单晶的介电常数＝11.8，电子和空穴的有效质量各为＝ 0.97， ＝0.19和＝0.16，＝0.53，利用类氢模型估计： （1）施主和受主电离能; （2）基态电子轨道半径 解：（1）利用下式求得和。
中医针灸主治医师职称考试复习资料整理一
经络：是经脉和络脉的总称，是指人体运行气血，联络脏腑，沟通外，贯穿上下的径路。经，路径，为直行的主干。络，网络，为经脉所分出的小支。经络纵横交错遍布于全身。《灵枢海论》记载“夫十二经脉者，属于脏腑，外络于肢节”头部：手足阳明循行于面额、手足少阳循行于头侧、手足太阳循行于面颊、头顶及头后。 躯干：手三阳循行于肩胛部、手三阴从腋下走出、足三阴循行于腹面部、足三阳行于中、阳明行走于前胸腹、太阳行走于后背、少阳行走于侧面。胸部：距正中线：肾经；2寸，胃经；4寸，脾经；6寸。 腹部：肾经0、5 寸，胃经，2寸。 背部：足太阳膀胱经距正中督脉线1、5寸，3寸。 1头面部手足三阳皆上头“头为诸阳之会”；手足阳明经前额面部；手足少阳经侧头；手太阳经颊部；足太阳经前额后头。 2躯干部手足三阴经和足阳明经胸腹，从到外依次为：足少阴肾、足阳明胃、足太阴脾经；手三阳经肩背；足太阳经腰背；足少阳经侧胸侧腹。 3 上肢部手三阴上肢侧前肺中包后心；手三阳上肢外侧前大中三后小。 4 下肢部足三阳下肢侧前胃中胆后膀；足三阴下肢侧 循行走向：手三阴经从胸走手，手三阳经从手走头，足三阳经从头走足，足三阴经从足走（胸）。相互表里的阴经与阳经在手足末端交接、同名阳经在头面部交接、相互衔的阴经与阴经在胸部交接。 正经流注次序：肺、大、胃、脾、心、小肠；膀、肾、包、焦、胆、肝、藏 正经走向：手阴脏走手；手阳手走头；足阳头走足；足阴足走胸腹 一源三歧：任，督，冲脉皆起于胞中，同出于会阴，任脉行于前正中线，督脉起于后正中线，冲脉并行于肾经。任脉，腹胸颏下正中，总任六阴
经，调节全身阴经经气，阴脉之海。督脉，腰背头面正中，总督六阳经，调节全身阳经经气，阳脉之海。 任督二脉主治的异同：督脉主治神志病、热病和腰骶、背、头项局部病证及相应的脏疾病；任脉主治腹、胸、颈、头面的局部和相应的脏器官疾病，少数腧穴有强壮作用或可治疗神志病；两者都可治疗泌尿生殖系统病症以及神志病，而任脉没有督脉治疗巅顶痛的作用冲脉，与足少阴经相并上行，环绕口唇，且与任督足阳明等有联系，涵蓄十二经气血，十二经之海，血海。 十四经：奇经八脉中的任脉和督脉，各有其所属腧穴，故与十二经相提并论合称。 十五络脉：是十二经脉和任督二脉各自别出一络加脾之大络共十五条称——（加强表里两经的联系） 《十五络穴歌》 手三阴经列通，手三阳经偏外支；足三阴经公蠡大，足三阳经丰光飞。任督二脉鸠尾长，脾之大络在大包。 十二经别作用：加强十二经脉外联系。 六合：手足三阴三阳十二经别会合成六组，阳经经别合于本经经脉，阴经经别合于其相表里阳经经脉。 标本：主要指经脉腧穴分布的上下对应关系。 根结：指经气的所起与所归。 气街：是经气聚集通行的共同通路。 四海：即髓海、血海、气海、水谷之海的总称（脑、冲脉、膻中、胃）。髓海、脑；气海、膻中；水谷之海、胃；十二经之海、冲脉； 经络生理功能：联络脏腑沟通肢窍，运行气血濡养全身，抵抗外邪保卫机体。
针灸学基础题库精选文档
针灸学基础题库精选文 档 TTMS system office room 【TTMS16H-TTMS2A-TTMS8Q8-
《针灸学基础》题库 第一章：针灸学基础概论 一、判断题 １、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、 二、单项选择 １、C２、B３、D４、E５、C６、A７、C 三、双选题 １、AE２、BC 四、多选题 １、ABCE２、ABCDE３、ACD４、ABE５、ABCE６、ABDE 一、判断题（对者打“”，错者打“”） 1、出现于新石器时代的石针石针刺的原始工具。（） 2、从“针灸”两字的先后顺序可推知，针法的出现早于灸法。（） 3、我国针灸传入朝鲜、日本等国的时间是在公元8世纪。（）
4、针灸开始传入欧洲的时间是公元16世纪末17世纪初。（） 5、《灵枢》较完整地论述了经络腧穴理论、刺灸方法和临床治疗等，对针灸医学作了比较系统的总结。（） 6、“足臂十一脉经”和“阴阳十一脉灸经”论述了经络、腧穴等，反映了针灸学的早期面貌。（） 7、八会穴是由《内经》首先提出的。（） 8、《针灸甲乙经》石我国现存最早的一部针灸学专着。（） 9、对体表病理现象的推理，是经络学说形成的依据之一。（） 10、经络学说的产生是建立在古代医家对人体解剖和生理研究的基础上。 （） 二、单项选择１、C２、B３、D４、E５、C６、A７、C 1、 2、我国现存最早的一部针灸学专着是（） A.《灵枢》 B.《难经》 C.《针灸甲乙经》 D.《针灸大成》 E.《足臂十一脉灸经》 2、最早绘制彩色针灸图的医家是（） A.皇甫谧 B.孙思邈 C.王惟一 D.王焘 E.杨继洲
半导体物理学题库20121229
1．固体材料可以分为 晶体 和 非晶体 两大类，它们之间的主要区别是 。 2．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半 导体称 N 型半导体。 3．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是 电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施 主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 4．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载 流子将做 漂移 运动。 5．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那末， 为非 简并条件； 为弱简并条件； 简并条件。 6．空穴是半导体物理学中一个特有的概念，它是指： ； 7．施主杂质电离后向 带释放 ，在材料中形成局域的 电中心；受主杂质电离后 带释放 ， 在材料中形成 电中心； 8．半导体中浅能级杂质的主要作用是 ；深能级杂质所起的主要作用 。 9. 半导体的禁带宽度随温度的升高而__________；本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。 10.施主杂质电离后向半导体提供 ，受主杂质电离后向半导体提供 ，本征激发后向半导体提 供 。 11.对于一定的n 型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将导致 靠近Ei 。 12.热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与 和 有关，而与 、 无关。 A. 杂质浓度 B. 杂质类型 C. 禁带宽度 D. 温度 12. 指出下图各表示的是什么类型半导体？ 13．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不 变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 14．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命 τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 15． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子 运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 16．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 17．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主 要作用 对载流子进行复合作用 。
2019年主治医师(中医针灸)相关专业知识考题+备考经验
2019年中级医师考试（中医针灸） 相关专业知识考题（回忆版）+备考经验 总体感觉：诊断学基础比较难。 下面是一些根据回忆整理的考题： 一、中诊 1.给一张咽喉的图片，判断是什么病 2.给一张图片选择舌象（淡红舌薄白苔） 3.伏脉、结脉、洪脉 4.下面不属于现病史的内容的是（预防接种史） 5.身热不扬是指（医生初扪病者体表不觉热盛，久则感到热盛灼手的表现） 6.疾病发展的转折点战汗 7.心胸汗见于 8.头部气血亏虚疼痛性质 9.肝阳上亢疼痛性质 10.狂躁不安、胡言乱语、打人毁物多由痰火扰心所致 11.青色和黑色共同主病 12.疳积病头发多发结如穗，枯黄无泽 13.斑秃头发多突然片状脱发
14.目内眦及外眦红肿病因 15.牙龈萎缩、牙齿脱落与哪个脏腑有关 16.热极动风症状 17.气血虚舌象 18.脾肾阳虚舌象 19.郑声 20.顿咳咳后有鸡鸣样回声 21.真寒假热是阴盛格阳 22.寒邪凝滞，湿邪粘滞。 23.患者呼吸微弱、神志昏蒙、二便失禁属脱证。 24.两经或三经同时出现病证，称合病。 25.辨证：卫分证 还有很多根据症状选择证型的题。 二、西诊 1.弛张热 2.霍奇病热型 3.肝硬化症状 4.肝胆胰脾病变部位 5.二尖瓣狭窄声音 6.室间隔缺损声音
7.胸片显示条索影 8.由于毛细血管壁通透性变化出血的病证（过敏性紫癜） 9.肠梗阻X片表现 10.漏出液特点 11.关于黄疸说法正确的是 12.粉红色泡沫痰提示什么病 13.铁锈色痰提示什么病 14.消化道出血患者会出现什么样大便 15.中枢性呼吸困难特点（慢而深） 16.库斯莫尔呼吸特点病因 17.诊断伤寒（肥大实验） 18.诊断肝癌（甲胎蛋白） 19.深昏迷以下说法正确的是（可出现病理反射） 20.肺空洞叩诊音 21.胸腔积液叩诊音 22.室性早搏心电图特征 23.单侧瞳孔缩小见于 24.腹部揉面感见于 25.扁平胸特征 26.胸部触诊最先触
半导体物理学 (第七版) 习题答案
半导体物理习题解答 1－1．（P 32）设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c （k ）和价带极大值附近能量E v （k ）分别为： E c (k)=0223m k h +022)1(m k k h -和E v (k)= 0226m k h －0 2 23m k h ； m 0为电子惯性质量，k 1＝1/2a ；a ＝0.314nm 。试求： ①禁带宽度； ②导带底电子有效质量； ③价带顶电子有效质量； ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(＝0232m k h ＋0 12)(2m k k h -＝0；可求出对应导带能量极小值E min 的k 值： k min ＝ 14 3 k ， 由题中E C 式可得：E min ＝E C (K)|k=k min = 2 10 4k m h ； 由题中E V 式可看出，对应价带能量极大值Emax 的k 值为：k max ＝0； 并且E min ＝E V (k)|k=k max ＝02126m k h ；∴Eg ＝E min －E max ＝021212m k h ＝2 02 48a m h ＝11 28282 2710 6.1)1014.3(101.948)1062.6(----???????＝0.64eV ②导带底电子有效质量m n 0202022382322 m h m h m h dk E d C =+=；∴ m n ＝022 283/m dk E d h C = ③价带顶电子有效质量m ’ 022 26m h dk E d V -=，∴022 2'61/m dk E d h m V n -== ④准动量的改变量 h △k ＝h (k min -k max )= a h k h 83431= [毕] 1－2．（P 33）晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107V/m 的电场时，试分别计算电子自能带 底运动到能带顶所需的时间。 [解] 设电场强度为E ，∵F =h dt dk =q E （取绝对值） ∴dt =qE h dk
中医针灸主治医师职称考试复习资料
躯干：手三阳循行于肩胛部、手三阴从腋下走出、足三阴循行于腹面部、足三阳行于中、阳明行走于前胸腹、太阳行走于后背、少阳行走于侧面。 胸部：距正中线：肾经；2寸，胃经；4寸，脾经；6寸。 腹部：肾经0、5寸，胃经，2寸。 背部：足太阳膀胱经距正中督脉线1、5寸，3寸。 1头面部手足三阳皆上头“头为诸阳之会”；手足阳明经前额面部；手足少阳经侧头；手太阳经颊部；足太阳经前额后头。 2躯干部手足三阴经和足阳明经胸腹，从内到外依次为：足少阴肾、足阳明胃、足太阴脾经；手三阳经肩背；足太阳经腰背；足少阳经侧胸侧腹。 3上肢部手三阴上肢内侧前肺中包后心；手三阳上肢外侧前大中三后小。 4下肢部足三阳下肢内侧前胃中胆后膀；足三阴下肢内侧 循行走向：手三阴经从胸走手，手三阳经从手走头，足三阳经从头走足，足三阴经从足走（胸）。相互表里的阴经与阳经在手足末端交接、同名阳经在头面部交接、相互衔的阴经与阴经在胸部交接。 正经流注次序：肺、大、胃、脾、心、小肠；膀、肾、包、焦、胆、肝、藏 正经走向：手阴脏走手；手阳手走头；足阳头走足；足阴足走胸腹一源三歧：任，督，冲脉皆起于胞中，同出于会阴，任脉行于前正中线，督脉起于后正中线，冲脉并行于肾经。任脉，腹胸颏下正中，总任六阴经，调节全身阴经经气，阴脉之海。督脉，腰背头面正中，总督六阳经，调节全身阳经经气，阳脉之海。任督二脉主治的异同：督脉主治神志病、热病和腰骶、背、头项局部病证及相应的内脏疾病；任脉主治腹、胸、颈、头面的局部和相应的内脏器官疾病，少数腧穴有强壮作用或可治疗神志病；两者都可治疗泌尿生殖系统病症以及神志病，而任脉没有督脉治疗巅顶痛的作用冲脉，与足少阴经相并上行，环绕口唇，且与任督足阳明等有联系，涵蓄十二经气血，十二经之海，血海。
湖北中医学院针灸学考试试题
湖北中医学院针灸学考试试题 试题1 一、名词解释 1.针灸学： 2.经络系统 3.十二经脉： 4.砭石： 5.“阳脉之海”： 6.经气： 7.“一源三歧”：8.十五络脉：9.经络学说： 10.“六合”：11.“气街”：12.五输穴： 13.“肺系”：14.募穴：15.“陷下则灸之”： 16.“感觉阈”：17.隔姜灸：18.平刺： 19．四总穴”20.艾炷灸 二、判断题 1.《针灸大成》记载了361个经穴。( ) 2.《难经》“井主心下满，荥主身热，输主体重节痛，经主喘咳寒热，合主逆气而泄”。( ) 3.唐代初期，针灸发展成为一门专科，有“针师”、“灸师”等专业称号。( ) 4.足三阴经在足内踝上8寸以上为厥阴在前、太阴在中、少阴在后。( ) 5.经脉循行中与耳有联系的经脉有2条。 ( ) 6.经脉包括十二经脉、奇经八脉、十二经别、十二经筋、十二皮部；络脉包括十五络脉、浮络、孙络。( ) 7.下合穴中，三焦下合委中，胆下合穴为阳陵泉。( ) 8.丰隆穴的定位: 外踝尖上8寸，胫骨前缘外一横指。( ) 9.十二经脉皆有“标”部与“本”部。( ) 10.胎位不正首选至阴穴。( ) 11.十二经筋循行分布均起始于四肢末端，结聚于关节骨骼部，而走向头面躯干，行于体表，并深入内脏。 ( ) 12.肺经的五输穴是少商、太渊、鱼际、经渠和尺泽。( ) 13.八脉交会穴中，公孙通带脉，而内关通阴维脉。( ) 14.火罐法是利用燃烧时火的热力排出罐内空气，形成负压，将罐吸皮肤上。( ) 15.大肠经的郄穴是手三里。( ) 16.十二经脉中，六阳经均不经过手(足)掌部。( ) 17.拇短、长伸肌腱之间凹陷取阳池。( ) 18.瘀血腰痛的配穴为膈俞、次髎。( ) 19.任脉与六阴经有联系，故有“阴脉之海”，“血海”之称。( ) 20.中风的中经络型的针灸治法为醒脑开窍，启闭固脱，主穴选内关、水沟。( ) 三、单项选择题 1．最原始的针刺工具是（） A.骨针 B.竹针 C.砭石 D.陶针 E.铜针 2．创子午流注针法的是( )
《半导体物理学》习题库完整
第1章思考题和习题 1. 300K时硅的晶格常数a=5.43?，求每个晶胞所含的完整原子数和原子密度为多少？ 2. 综述半导体材料的基本特性及Si、GaAs的晶格结构和特征。 3. 画出绝缘体、半导体、导体的简化能带图，并对它们的导电性能作出定性解释。 4. 以硅为例，简述半导体能带的形成过程。 5. 证明本征半导体的本征费米能级E i位于禁带中央。 6. 简述迁移率、扩散长度的物理意义。 7. 室温下硅的有效态密度Nc=2.8×1019cm-3,κT=0.026eV,禁带宽度Eg=1.12eV，如果忽略禁带宽度随温度的变化，求： （a）计算77K、300K、473K 3个温度下的本征载流子浓度。 （b） 300K本征硅电子和空穴的迁移率分别为1450cm2/V·s和500cm2/V·s，计算本征硅的电阻率是多少？ 8. 某硅棒掺有浓度分别为1016/cm3和1018/cm3的磷，求室温下的载流子浓度及费米能级E FN的位置（分别从导带底和本征费米能级算起）。 9. 某硅棒掺有浓度分别为1015/cm3和1017/cm3的硼，求室温下的载流子浓度及费米能级E FP的位置（分别从价带顶和本征费米能级算起）。 10. 求室温下掺磷为1017/cm3的N+型硅的电阻率与电导率。 11. 掺有浓度为3×1016cm-3的硼原子的硅，室温下计算： （a）光注入△n=△p=3×1012cm-3的非平衡载流子，是否为小注入？为什么？
（b）附加光电导率△σ为多少？ （c）画出光注入下的准费米能级E’FN和E’FP(E i为参考)的位置示意图。 （d）画出平衡下的能带图，标出E C、E V、E FP、E i能级的位置，在此基础上再画出光注入时，E FP’和E FN’，并说明偏离E FP的程度是不同的。 12. 室温下施主杂质浓度N D=4×1015 cm-3的N型半导体，测得载流子迁移率μn=1050cm2/V·s，μp=400 cm2/V·s, κT/q=0.026V,求相应的扩散系数和扩散长度为多少？ 第2章思考题和习题 1．简述ＰＮ结空间电荷区的形成过程和动态平衡过程。 2．画出平衡ＰＮ结，正向ＰＮ结与反向ＰＮ结的能带图，并进行比较。 3．如图２-６９所示，试分析正向小注入时，电子与空穴在５个区域中的运动情况。 4．仍如图２-６９为例试分析PN结加反向偏压时，电子与空穴在５个区域中的运动情况。 5试画出正、反向PN结少子浓度分布示意图，写出边界少子浓度及
针灸试题及其答案
针灸试题及其答案 针灸考核笔试试题 一、选择题(单选题每题1分，共30题;多选题每题2分，漏选扣1分，多选不给分，共 10题。) 单选题: 1、十二经脉的命名，主要包含了以下哪些内容:( C ) A(阴阳、五行、脏腑 B.五行、手足、阴阳 C.手足、脏腑、阴阳 D.脏腑、手足、五行 E. 以上都不是 2、1.5寸毫针针身的长度是:( D ) A.25mm B.30mm C.35mm D.40mm E.50mm 3、膝中至外踝尖的骨度分寸是:( C ) A.12寸 B.13寸 C.16寸 D.18寸 E.19寸 4、足阳明胃经在下肢的分布是:( B ) A.内侧前廉 B.外侧前廉 C.内侧中行 D.外侧后廉 E.内侧后廉 5、曲泽穴位于:( E ) A(肱二头肌腱桡侧缘B. 肱二头肌腱尺侧缘C. 肱二头肌腱桡侧缘向外0.5寸D. 肱二头肌腱桡侧缘的肘横纹中 E. 肱二头肌腱尺侧缘的肘横纹中 6、下列哪项不是灸法的治疗作用( C ) A.温经散寒 B. 扶阳固脱 C. 开窍泻热 D.消瘀散结 E.防病保健 7、针刺浅薄部位腧穴，应用( D ) A.指切进针法 B.夹持进针法 C.舒张进针法 D.提捏进针法 E.套管进针法 8、隔姜灸可用于治疗( A )
A.寒性呕吐腹痛 B.哮喘 C.瘰疬 D.疮疡 E.小儿脐风 9、非化脓灸属于( A ) A.直接灸 B.间接灸 C.温和灸 D.回旋灸 E.实按灸 10、十二经之海是指:( C ) A.督脉 B.任脉 C.冲脉 D.带脉 E.奇经八脉 11、腧穴可分为以下那三类( D ) A.十二经穴、经穴、阿是穴 B.经穴、奇穴、特定穴 C.经穴、络穴、奇穴 D.经穴、阿是穴、经外奇穴 E.十四经穴、阿是穴、特定穴 12、下列阴阳大小 从小到大排列正确的是( C ) A.阳明、太阳、少阳 B.少阴、厥阴、太阴 C.少阳、太阳、阳明 D.少阴、太阴、厥阴 E.太阳、少阳、阳明 13下列哪个不是火罐法的方法( C ) A. 投火法 B.闪火法 C.闪罐法 D.贴棉法 E.架火法 14、与太溪相对的穴位是( D ) A.阳白 B.阳溪 C.照海 D.昆仑 E.申脉 15、施灸的正确顺序为( A ) A.先上后下、先阳后阴 B.先上后下、先阴后阳 C.先下后上、先阳后阴 D.先下后上、先阴后阳 E.没有具体的顺序 16、“一夫法”是指将食、中、无名小指相并，四横指的间距为3寸，其量取 标准应按:( B ) A.食指远端指节横纹 B.中指中节指节横纹 C.无名指远端指节横纹 D、小指近端指节横纹 E、以上都不是 17、按照今时骨度分寸规定，肘腕横纹之间的距离为( A ) A.12寸 B.13寸 C.9寸 D.8寸 E.11寸 18、足三阴循行方向为( C )
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案 半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题 1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。 A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、电子 2、受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。 A、电子和空穴 B、空穴 C、电子 3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。 A、正 B、负 C、零 D、准粒子 E、粒子 4、当Au掺入Si中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。 A、受主 B、深 C、浅 D、复合中心 E、陷阱 5、 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。 A、相同 B、不同 C、无关
6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。 A、变大，变小 ; B、变小，变大; C、变小，变小; D、变大，变大。 7、砷有效的陷阱中心位置(B ) A、靠近禁带中央 B、靠近费米能级 8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。 A、大于1/2 B、小于1/2 C、等于1/2 D、等于1 E、等于0 9、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。 A、多子积累 B、多子耗尽 C、少子反型 D、平带状态 10、金属和半导体接触分为：( B )。 A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载
针灸科考试题及答案.
针灸推拿学考核试卷 姓名： _______ 得分 _______ 一、选择题（每题2分，共80分） 1．阴经是指 A．六脏的经脉 B．六腑的经脉C．督、带脉 D．循行胸腹经脉 E．循行背部经脉 2．分布于四肢外侧和头面、躯干的经脉是 A．阴经B．阴维脉C．阳经 D．奇经E．带脉 3．髓海位于 A．项部B．胸部C．头部D．背部E．腹部 4．经气的所起与所归是指 A．气街B．标本C．根结D．交会穴E．四海 5．经络系统中没有表里关系的是 A．十二经脉B．奇经八脉C．十二经别 D．十二皮部E．十二经筋 6．肘横纹至腕横纹的骨度分寸是 A．14寸B．15寸C．12寸 D．9寸E．13寸 7．三焦的下合穴在 A．足阳明胃经上 B．足少阳胆经上C．足太阳膀胱经上D．手少阳三焦经上E．手阳明大肠经上 8．既是络穴，又是八脉交会穴的是 A．中府B．云门C．孔最 D．列缺E．少商 9．手三里位于 A．肘横纹下3寸B．肘横纹下4寸C．肘横纹上3寸 D．肘横纹上4寸E．肘横纹下2寸 10．位于桡骨茎突上方，腕横纹上1.5寸的穴位是 A．尺泽B．孔最C．列缺 D．经渠 E．太渊 11．足阳明胃经的起始穴位是 A．大包B．睛明C．承泣 D．四白E．厉兑 12．在胸部，任脉旁开4寸的经脉是 A．足太阴脾经 B．足少阴肾经C．足阳明胃经 D．足厥阴肝经 E．足太阳膀胱经
13．三阴交位于 A．内踝尖上4寸，胫骨内侧缘后方B．外踝尖上3寸，胫骨外侧缘后方 C．内踝尖上3寸，胫骨内侧缘前方D．内踝尖上3寸，胫骨内侧缘后方 E．外踝尖上4寸，胫骨外侧缘前方 14．位于小指末节桡侧，指甲角旁0.1寸处的穴位是 A．少海B．小海C．少泽D．少列E．中冲 15．既是络穴，又是八脉交会穴的是 A．内关B．少列C．通里D．神门E．足临泣 16．十二经脉中，循行至心的经脉有 A．2条B．3条C．4条D．5条E．6条 17．手太阳小肠经联系的脏腑，除心和小肠外，还有 A．胃B．胆C．脾D．肝E．大肠 18．在下列穴位中，治疗胎位不正的是 A．至阳B．至阴Ｃ．会阳D．肩井E．昆仑 19．直接入络脑的经脉是 A．足少阴肾经 B．足太阳膀胱经C．足厥阴肝经 D．手少阴心经 E．手太阴肺经 20．在胸部，任脉旁开2寸的经脉是 A．足太阴脾经 B．手太阴肺经 C．足阳明胃经 D．足少阳胆经 E．足少阴肾经 21．手厥阴心包经的起始穴位是 A．天泉B．少列C．中冲 D．少府E．天池 22．腕横纹上3寸，掌长肌腱与桡侧腕屈肌腱之间的穴位是A．支沟B．间使C．阴郄D．三阳络E．会宗 23．手少阳三焦经的起始穴位是 A．丝竹空B．中冲 C．关冲 D．侠溪E．中渚 24．直接入耳中的经脉有 A．手太阳小肠经、手少阳三焦经、足少阳胆经B．任脉、督脉 C．手太阴肺经、手厥阴心包经、足少阴肾经 D．手太阳小肠经、手少阳三焦经、足少阳胆经、足阳明胃经E．足阳明胃经、足少阳胆经
半导体物理学期末复习试题及答案一
一、半导体物理学期末复习试题及答案一 1.与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 （ B ）。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ）,施主杂质电离后向半 导体提供（ C ）,本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能 级会（ B ）。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数,它和（ B ）有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型 （ B ）。 A.相同 B.不同 C.无关 6.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 7.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。 A. 直接 B.间接
8. 将Si 掺杂入GaAs 中,若Si 取代Ga 则起（ A ）杂质作用, 若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 9. 在热力学温度零度时,能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 （ D ）,当温度大于热力学温度零度时,能量比F E 小的量子 态被电子占据的概率为（ A ）。 A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 10. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中,AB 段代表 （ A ）,CD 段代表（B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 11. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??= i D S n N q T k V ln 0 D. ???? ??≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
半导体物理学(刘恩科第七版)复习题答案(比较完全)
第一章习题 1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近 能量E V (k)分别为： E c =0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ 0m 。试求： 为电子惯性质量，nm a a k 314.0,1== π （1）禁带宽度; （2）导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1） eV m k E k E E E k m dk E d k m k dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43 (0,060064 3 382324 3 0) (2320 2121022 20 202 02022210 1202==-==<-===-==>=+===-+ 因此：取极大值处，所以又因为得价带： 取极小值处，所以：在又因为：得：由导带： 04 32 2 2*8 3)2(1 m dk E d m k k C nC ===
s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.704 3 )() ()4(6 )3(25104 3002 2 2*1 1 -===?=-=-=?=- == 所以：准动量的定义： 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别计 算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据：t k h qE f ??== 得qE k t -?=? s a t s a t 137 19 282 1911027.810 10 6.1)0(102 7.810106.1) 0(----?=??-- =??=??-- = ?π π 补充题1 分别计算Si （100），（110），（111）面每平方厘米的原子个数，即原子面密度（提 示：先画出各晶面原子的位置和分布图） Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示： （a ）(100)晶面 （b ）(110)晶面
半导体物理学试题库学习资料
半导体物理学试题库
一．填空题 1．能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________，引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。（二阶导数，内部势场） 2．半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________（即量子态按能量如何分布）和 _________（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。（状态密度，费米分布函数） 3．两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电，达到热平衡后两者的费米能级________。（正，相等） 4．半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于_________半导体。（[100]，间接带隙） 5．间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。（弗仑克耳缺陷，肖特基缺陷） 6．在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________，高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。（1/2，1/1+exp(2)） 7．从能带角度来看，锗、硅属于_________半导体，而砷化稼属于_________半导体，后者有利于光子的吸收和发射。（间接带隙，直接带隙）
8．通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统，服从_________的电子系统称为简并性系统。（玻尔兹曼分布，费米分布） 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。（温度，禁带宽度） 10. 半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于________结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。（金刚石，闪锌矿） 11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为_________禁带半导体，否则称为_________禁带半导体。（直接，间接） 12. 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有_________、 _________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。（电离杂质的散射，晶格振动的散射） 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。（电子和空穴，复合中心）