半导体及集成电路设备项目投资简介
第一章概述
一、项目概况
（一）项目名称
半导体及集成电路设备项目
（二）项目选址
xxx临港经济技术开发区
项目选址应符合城乡建设总体规划和项目占地使用规划的要求，同时具备便捷的陆路交通和方便的施工场址，并且与大气污染防治、水资源和自然生态资源保护相一致。
（三）项目用地规模
项目总用地面积57188.58平方米（折合约85.74亩）。
（四）项目用地控制指标
该工程规划建筑系数79.43%，建筑容积率1.30，建设区域绿化覆盖率6.92%，固定资产投资强度175.85万元/亩。
（五）土建工程指标
项目净用地面积57188.58平方米，建筑物基底占地面积45424.89平方米，总建筑面积74345.15平方米，其中：规划建设主体工程58328.62平方米，项目规划绿化面积5144.73平方米。
（六）设备选型方案
项目计划购置设备共计126台（套），设备购置费6097.36万元。
（七）节能分析
1、项目年用电量1161418.28千瓦时，折合142.74吨标准煤。
2、项目年总用水量25727.25立方米，折合2.20吨标准煤。
3、“半导体及集成电路设备项目投资建设项目”，年用电量1161418.28千瓦时，年总用水量25727.25立方米，项目年综合总耗能量（当量值）144.94吨标准煤/年。达产年综合节能量43.29吨标准煤/年，
项目总节能率26.69%，能源利用效果良好。
（八）环境保护
项目符合xxx临港经济技术开发区发展规划，符合xxx临港经济技术
开发区产业结构调整规划和国家的产业发展政策；对产生的各类污染物都
采取了切实可行的治理措施，严格控制在国家规定的排放标准内，项目建
设不会对区域生态环境产生明显的影响。
（九）项目总投资及资金构成
项目预计总投资21180.17万元，其中：固定资产投资15077.38万元，占项目总投资的71.19%；流动资金6102.79万元，占项目总投资的28.81%。
（十）资金筹措
该项目现阶段投资均由企业自筹。
（十一）项目预期经济效益规划目标
预期达产年营业收入53563.00万元，总成本费用41614.46万元，税
金及附加426.52万元，利润总额11948.54万元，利税总额14023.13万元，税后净利润8961.41万元，达产年纳税总额5061.73万元；达产年投资利
润率56.41%，投资利税率66.21%，投资回报率42.31%，全部投资回收期
3.86年，提供就业职位836个。
（十二）进度规划
本期工程项目建设期限规划12个月。
认真做好施工技术准备工作，预测分析施工过程中可能出现的技术难点，提前进行技术准备，确保施工顺利进行。对于难以预见的因素导致施
工进度赶不上计划要求时及时研究，项目建设单位要认真制定和安排赶工
计划并及时付诸实施。
二、项目评价
1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求，符合xxx临港经
济技术开发区及xxx临港经济技术开发区半导体及集成电路设备行业布局
和结构调整政策；项目的建设对促进xxx临港经济技术开发区半导体及集
成电路设备产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积
极的推动意义。
2、xxx有限责任公司为适应国内外市场需求，拟建“半导体及集成电
路设备项目”，本期工程项目的建设能够有力促进xxx临港经济技术开发
区经济发展，为社会提供就业职位836个，达产年纳税总额5061.73万元，
可以促进xxx临港经济技术开发区区域经济的繁荣发展和社会稳定，为地
方财政收入做出积极的贡献。
3、项目达产年投资利润率56.41%，投资利税率66.21%，全部投资回
报率42.31%，全部投资回收期3.86年，固定资产投资回收期3.86年（含
建设期），项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。
加强对“专精特新”中小企业的培育和支持，引导中小企业专注核心
业务，提高专业化生产、服务和协作配套的能力，为大企业、大项目和产
业链提供零部件、元器件、配套产品和配套服务，走“专精特新”发展之路，发展一批专业化“小巨人”企业，不断提高专业化“小巨人”企业的
数量和比重，有助于带动和促进中小企业走专业化发展之路，提高中小企
业的整体素质和发展水平，增强核心竞争力。
立足我省省情，发挥制造业特色优势，集中力量化解过剩产能、发展
新兴产业、改造传统动能，提高全要素生产率，推动制造业整体素质提升。
三、主要经济指标
主要经济指标一览表
第二章建设单位基本信息
一、项目承办单位基本情况
（一）公司名称
xxx实业发展公司
（二）公司简介
公司一直秉承“坚持原创，追求领先”的经营理念，不断创造令客户惊喜的产品和服务。公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。
公司紧跟市场动态，不断提升企业市场竞争力。基于大数据分析考虑用户多样化需求，以此为基础制定相应服务策略的市场及经营体系，并综
合考虑用户端消费特征，打造综合服务体系。公司能源计量是企业实现科
学管理的基础性工作，没有完善而准确的计量器具配置，就不能为企业能
源消费的各个环节提供可靠的数据，能源计量工作也是评价一个企业管理
水平的一项重要标志；项目承办单位依据ISO10012-1标准建立了完善的计
量检测体系，并通过审核认证；随后又根据国家质检总局、国家发改委
《关于加强能源计量工作的实施意见》以及xx省质监局《关于加强全省能
源计量工作的通知》的文件精神，依据国家《用能单位能源计量器具配备
和管理通则》（GB17176-2006）的要求配备了计量器具并实行量化管理；
项目承办单位已经建立了“能源量化管理体系”并通过了当地质量技术监
督局组织的评审认证，该体系的建立，进一步强化了项目承办单位对能源
计量仪器（设备）的管理力度，实现了以量化管理促节能，提高了能源计
量数据的真实性、准确性，凭借着不断完善的能源量化体系，实现了对各
计量数据进行日统计、周分析、月汇总、年总结，通过能源计量数据的有
效采集、处理、分析、控制，真实反映了项目承办单位能源消费的实际状态，为节能降耗、保护环境、提高企业的市场竞争力，做出了积极的贡献，从而大大提高了项目承办单位的能源综合管理水平。公司通过了
GB/ISO9001-2008质量体系、GB/24001-2004环境管理体系、GB/T28001-2011职业健康安全管理体系和信息安全管理体系认证，并获得CCIA信息系统业务安全服务资质证书以及计算机信息系统集成三级资质。
公司凭借完整的产品体系、较强的技术研发创新能力、强大的订单承接能力、快速高效的资源整合能力，形成了为客户提供整体解决方案的业务经营模式。经过多年的发展，公司产品已覆盖全国各省市。公司与国内多家知名厂商的良好关系为公司带来了新的行业发展趋势，使公司研发产品能够与时俱进，为公司持续稳定盈利、巩固市场份额、推广创新产品奠定了坚实的基础。
二、公司经济效益分析
上一年度，xxx有限责任公司实现营业收入33744.30万元，同比增长27.16%（7207.86万元）。其中，主营业业务半导体及集成电路设备生产及销售收入为28749.37万元，占营业总收入的85.20%。
上年度营收情况一览表
根据初步统计测算，公司实现利润总额8487.43万元，较去年同期相比增长1847.16万元，增长率27.82%；实现净利润6365.57万元，较去年同期相比增长989.81万元，增长率18.41%。
上年度主要经济指标
第三章背景及必要性
一、项目建设背景
1、先进制造业是吸收先进技术成果并综合应用于生产的全过程，实现优质、高效、清洁生产的制造业。相对于传统制造业，先进制造业具有产业的现代性、技术的先进性、管理的规范性等主要特点。当前，我市产业发展的主要目标是建设成为以电子信息产业为特色、以高端高质高新产业为主导、以品牌化产业集群为依托、以现代服务业为支撑的现代制造业名城。未来5-10年，是我市进一步促进产业结构的调整和升级，实现经济增长动力由外延扩张型向内生创新型转变的重要时期，也是我市建立以先进制造业与现代服务业为主体的现代产业体系的关键时期。大力发展先进制造业，充分发挥其产业带动作用，推进我市产业的整体转型和升级，将是实现这一转变的重要工作。
围绕工业经济高质量发展，坚持“工业强市”主战略不动摇，牢牢把
握转型发展核心，以高端化、绿色化、智能化、融合化、标准化为目标，
聚焦重点产业转型升级，着力实施企业技术改造、智能化改造、绿色化改
造“三大改造”，着力以项目建设、平台服务、以企招商、企业家素质提升、经济运行监测为抓手，保持工业经济平稳增长，推进工业经济高质量
发展，为全面建成小康社会打下坚实基础。
认真贯彻落实党的十九大精神，深入践行新发展理念，以现代化强市
建设为统领，以供给侧结构性改革为主线，以“设计产业化、产业设计化”为导向，积极培育发展工业设计产业，切实增强设计创新能力，大力推动
工业设计与制造业深度融合，以文化创意助推制造业高端化、智能化、绿
色化、服务化、国际化发展，为推动高质量发展提供有力支撑。
2、我国经济已经由高速增长阶段转向高质量发展阶段。高质量发展是
能够很好满足人民日益增长的美好生活需要的发展，是体现新发展理念的
发展，是创新成为第一动力、协调成为内生特点，绿色成为普遍形态、开
放成为必由之路、共享成为根本目的的发展。推动高质量发展，是保持经
济持续健康发展的必然要求，是适应我国社会主要矛盾变化和全面建成小
康社会、全面建设社会主义现代化国家的必然要求，是遵循经济规律发展
的必然要求。科学认识高质量发展的丰富内涵和要求，有助于当前和今后
一个时期确定发展思路、制定经济政策。到2020年，战略性新兴产业增加
值占国内生产总值比重达到15%。2015年，我国战略性新兴产业增加值占
国内生产总值比重为8%左右。未来5到10年，是全球新一轮科技革命和产业变革从蓄势待发到群体迸发的关键时期。我国经济已经由高速增长阶段
转向高质量发展阶段。推动高质量发展是做好经济工作的根本要求。高质
量发展是体现新发展理念的发展，突出高质量发展导向，就是要坚持稳中
求进，在稳的前提下，有所进取、以进求稳，更好满足人民群众多样化、
多层次、多方面的需求。
投资项目建设有利于促进项目建设地先进制造业的发展，有利于形成
市场规模和良好经济社会效益的产业集群，推动产业结构转型升级；坚持
自主创新与技术引进、利用全球创新资源有机结合；推进产学研联合攻关，构建“政府―企业―高校―科研院所―金融机构”相结合的产业技术研发
模式，推动一批关键共性技术开发，大力推进科技成果产业化；同时，积
极引进境外先进技术，加快引进、消化、吸收和再创新。
建设现代化经济体系，首先是要深化供给侧结构性改革，这要求必须
把发展经济的着力点放在实体经济上，加快发展先进制造业，支持传统产
业优化升级，实现制造业的高质量发展。
二、必要性分析
1、产业结构的水平要从低端、中端逐步走向中高端，对冲中国经济的
下行压力。今后，我国应在大力发展战略性新兴产业的同时，加快传统产
业优化升级。产业结构调整的根本出路是创新，要通过创新使我国企业从
价值链和产业链的低端走向中高端，这涉及到技术创新、产品创新、组织
创新、商业模式创新、市场创新。通过营造实业能致富，创新致大富的环境，培育宽容失败、鼓励冒险、兼容并包的创新创业文化，推动合作创新
和发展平台经济，鼓励企业自主创新，使企业真正成为创新主体。
“十三五”期间，技术改造工作将紧密围绕《中国制造2025》、“互
联网+”、技术创新、制造业与互联网融合发展等新要求，以提高质量效益
为核心，以企业为主体，以问题为导向，以创新为动力，以智能制造、服
务型制造、绿色制造和产品高端化为重点，充分运用先进适用技术、工艺
和装备，推动企业普遍实施技术改造，不断延伸产业链、提高附加值，推
动传统产业迈向中高端，打造河北制造业升级版，尽早实现建设制造强省
的目标。近期将重点开展八大行动：智能制造行动、绿色制造行动、服务
化制造行动、工业强基行动、产品高端化行动、创新能力提升行动、“大
智移云”培育行动、开展消费品“三品”培育行动。当前，我市经济发展
具备了跟进新一轮科技革命和产业变革的基础和条件，但在产业结构、创
新水平、开放程度等方面发展不足，又面临与世界发达国家和地区日趋激
烈的国际竞争。因此，我市必须抢抓机遇、趋利避害，在发展理念、生产
模式和业态创新上以变应变、率先行动，打造新形势下的产业竞争新优势。传统产业作为转型升级主战场，关键要重视技术改造和创新，尤其是加快
实施以信息化、自动化、智能化、供应链管理为重点的技术改造，强化以
核心基础零部件（元器件）、关键基础材料、先进基础工艺、产业技术基
础为内容的“四基”建设，注重利用新技术、新工艺、新装备和网络技术
实现机器换人、流程创新、产品创新和模式转变，充分利用生产性服务，塑造我市传统产业增长新优势，打造传统产业可持续竞争力。传统优势制造业通过加强关键技术和先进工艺的高端化改造、结构调整及相关流程、产品、模式创新，做强总部、研发、设计、营销和产业链整合工作，将有力促进传统企业从全球价值链低端制造环节向“微笑曲线”两端高附加值的研发、设计、销售及售后服务环节延伸拓展或实现全产业链发展，拓展传统产业生产发展的新空间和价值增值的新路径，让传统产业的核心得以在新技术背景下焕发出新的活力，提升产业竞争力，实现“凤凰涅??”而改造升级或转化为现代产业，这将是我市传统产业尤其是传统制造业升级为现代产业的主要路径。
2、“十三五”时期是我市深入贯彻落实制造强国战略，抢抓新一轮科技革命和产业变革的机遇，创新驱动转型发展取得重大突破，产业发展迈向中高端，工业化和信息化融合程度进一步提高，高端制造业加快发展，新产业新业态不断成长的关键期，是建设现代化工业强市和更高标准小康社会的战略机遇期。
考虑到项目建设地的投资环境、劳动力条件和政策优势，项目承办单位决定在项目建设地实施投资项目建设，投资项目的生产规模和工艺技术装备将达到国际先进水平，有利于进一步提升产品质量，丰富产品品种并可以配合其他相关产品形成突出优势，使市场占有率以及竞争力得到进一步巩固和增强。当今高速增长的中国经济又一次面临世界经济风云变幻的
新一轮挑战，为确保中国经济的顺利发展，离不开相关工业的支撑和发展；建设好项目，将有助于发挥项目承办单位集聚效应、资源共享、充分协作、合理竞争，同时，在一定程度上还有助于快速提高当地项目产品制造工业
的技术水平和行业市场竞争能力，对于项目产品制造企业为国家实现产业
振兴计划、推进产业结构调整和优化升级，都具有十分重要的现实意义。
项目建设所选区域交通运输条件十分便利，拥有集公路、铁路、航空
于一体的现代化交通运输网络，物流运输方便快捷，为投资项目原料进货、产品销售和对外交流等提供了多条便捷通道，对于项目实现既定目标十分
有利。
第四章市场调研
一、建设地经济发展概况
地区生产总值3104.44亿元，比上年增长9.45%。其中，第一产业增加值248.36亿元，增长8.09%；第二产业增加值1924.75亿元，增长7.20%
第三产业增加值931.33亿元，增长11.06%。
一般公共预算收入208.36亿元，同比增长10.97%，一般公共预算支出435.65亿元，同比增长8.19%。国税收入346.73亿元，同比增长8.24%；
地税收入亿元79.35，同比增长11.67%。
居民消费价格上涨1.07%。其中，食品烟酒上涨1.14%，衣着上涨
0.97%，居住上涨0.85%，生活用品及服务上涨0.81%，教育文化和娱乐上
涨0.88%，医疗保健上涨0.93%，其他用品和服务上涨1.10%，交通和通信
上涨1.09%。
全部工业完成增加值1533.26亿元。规模以上工业企业实现增加值1509.94亿元，比上年增长7.70%。
规模以上AA、BB、CC、DD（含半导体及集成电路设备）等主导行业共
完成工业增加值1085.46亿元，增长6.87%。AA完成增加值470.10亿元，
增长10.54%；BB完成工业增加值315.05亿元，增长11.53%；CC完成工业
增加值275.36亿元，增长10.22%；DD完成工业增加值91.33亿元，增长
9.43%。规模以上工业企业实现主营业务收入5695.84亿元，比上年增长
9.60%。实现利润总额847.95亿元，比上年增长9.28%。
固定资产投资完成4413.44亿元，比上年增长10.76%。其中，建设项
目投资完成3883.83亿元，增长7.49%；房地产开发投资完成529.61亿元，增长8.05%。在固定资产投资中，第一产业投资完成220.67亿元，同比增
长11.34%；第二产业投资完成3354.21亿元，同比增长8.27%；第三产业
投资完成838.55亿元，增长11.01%。高新技术产业投资1065.15亿元，增长8.43%。民间投资3761.59亿元，增长11.62%。城市基础设施投资
508.65亿元，增长10.15%。重点项目1594个，完成投资2472.50亿元，
增长10.42%。
全市实现社会消费品零售总额1980.93亿元，比上年增长8.47%。城镇实现零售额938.70亿元，增长9.39%；乡村实现零售额464.08亿元，增长11.00%。限额以上批发零售企业商品零售额亿元491.87，增长7.25%。
实际利用外资55880.65万美元，同比增长54.88%。外贸进出口总值382.79亿元，同比增长52.08%。其中，出口总值248.81亿元，同比增长
54.48%；进口总值133.98亿元，同比增长52.57%。
二、半导体及集成电路设备行业市场分析
目前，区域内拥有各类半导体及集成电路设备企业766家，规模以上企业47家，从业人员38300人。截至2017年底，区域内半导体及集成电路设备产值134008.12万元，较2016年111729.30万元增长19.94%。产值前十位企业合计收入59928.70万元，较去年53460.04万元同比增长
12.10%。
区域内半导体及集成电路设备行业经营情况
区域内半导体及集成电路设备企业经营状况良好。以AAA为例，2017年产值14682.53万元，较上年度12370.49万元增长18.69%，其中主营业务收入13397.85万元。2017年实现利润总额4671.96万元，同比增长22.85%；实现净利润1467.17万元，同比增长27.07%；纳税总额79.97万元，同比增长11.76%。2017年底，AAA资产总额23564.29万元，资产负债率55.23%。
2017年区域内半导体及集成电路设备企业实现工业增加值38017.93万元，同比2016年33820.77万元增长12.41%；行业净利润15908.70万元，同比2016年13279.38万元增长19.80%；行业纳税总额30879.79万元，同比2016年27011.71万元增长14.32%；半导体及集成电路设备行业完成投资42240.06万元，同比2016年37914.07万元增长11.41%。
区域内半导体及集成电路设备行业营业能力分析
区域内经济发展持续向好，预计到2020年地区生产总值6000.08亿元，年均增长6.93%。预计区域内半导体及集成电路设备行业市场需求规模将达到201950.96万元，利润总额55090.15万元，净利润18406.03万元，纳
税17148.08万元，工业增加值76015.01万元，产业贡献率18.53%。
区域内半导体及集成电路设备行业市场预测（单位：万元）
第五章建设规划方案
一、产品规划
项目主要产品为半导体及集成电路设备，根据市场情况，预计年产值53563.00万元。
采取灵活的定价办法，项目承办单位应当依据原辅材料的价格、加工内容、需求对象和市场动态原则，以盈利为目标，经过科学测算，确定项目产品销售价格，为了迅速进入市场并保持竞争能力，项目产品一上市，可以采取灵活的价格策略，迅速提升项目承办单位的知名度和项目产品的美誉度。坚持把项目产品需求市场作为创业工作的出发点和落脚点，根据市场的变化合理调整产品结构，真正做到市场需要什么产品就生产什么产品，市场的热点在哪里，创新工作的着眼点就放在哪里；针对市场需求变化合理确定项目产品生产方案，增加产品高附加值，能够满足人们对项目产品的需求。
二、建设规模
（一）用地规模
半导体产业介绍
半导体整个生态链 主要分为：前端设计（design）,后端制造（mfg)、封装测试(package)，最后投向消费市场。 不同的厂商负责不同的阶段，环环相扣，最终将芯片集成到产品里，销售到用户手中。半导体厂商也分为2大类，一类是IDM (Integrated Design and Manufacture)，包含设计、制造、封测全流程，如Intel、TI、Samsung这类公司；另外一类是Fabless，只负责设计，芯片加工制造、封测委托给专业的Foundry，如华为海思、展讯、高通、MTK（台湾联发科）等。 前端设计是整个芯片流程的“魂”，从承接客户需求开始，到规格、系统架构设计、方案设计，再到Coding、UT/IT/ST（软件测试UT：unit testing 单元测试IT： integration testing 集成测试ST：system testing 系统测试），提交网表（netlist或称连线表，是指用基础的逻辑门来描述数字电路连接情况的描述方式）做Floorplan，最终输出GDS（Graphics Dispaly System）交给Foundry做加工。由于不同的工艺Foundry提供的工艺lib库不同，负责前端设计的工程师要提前差不多半年，开始熟悉工艺库，尝试不同的Floorplan设计，才能输出Foundry想要的GDS。 后端制造是整个芯片流程的“本”，拿到GDS以后，像台积电，就是Foundry 厂商，开始光刻流程，一层层mask光刻，最终加工厂芯片裸Die。 封装测试是整个芯片流程的“尾”，台积电加工好的芯片是一颗颗裸Die，外面没有任何包装。从晶圆图片，就可以看到一个圆圆的金光闪闪的东西，上面横七竖八的划了很多线，切出了很多小方块，那个就是裸Die。裸Die是不能集成到手机里的，需要外面加封装，用金线把芯片和PCB板连接起来，这样芯片才能真正的工作。 台积电是目前Foundry中的老大，华为麒麟系列芯片一直与台积电合作，如麒麟950就是16nm FF+工艺第一波量产的SoC芯片。 半导体行业的公司具主要分为四类： 集成器件制造商IDM (Integrated Design and Manufacture)：指不仅设计和销售微芯片，也运营自己的晶圆生产线。Intel，SAMSUNG(三星)，东芝，ST(意法半导体)，Infineon(英飞凌)和NXP(恩智浦半导体)。 无晶圆厂供应商Fabless：公司自己开发和销售半导体器件，但把芯片转包给独立的晶圆代工厂生产。例如：Altera(FPL)，爱特(FPL)，博通(网路器件)，CirrusLogicCrystal(音频，视频芯片)，莱迪思(FPL)，英伟达(FPL)，
半导体工艺主要设备大全
清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅 片的清洗。超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。超声波清洗机（超声波清洗器）利用空化效应，短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净，超声波清洗机对清洗器件的养护，提高寿命起到了重要作用。CSQ 系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统，有效提高了清洗效率；设置时间控制装置，清洗方便；具有频率自动跟踪功能，清洗效果稳定；多种机型、结构设计，适应不同清洗要求。CSQ 系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件，医疗设备、精密偶件、化纤行业（喷丝板过滤芯）等的清洗；对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡，涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。恒威公司生产CSQ 系列超声波清洗机具有以下特点：不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连接，运行安全；使用IGBT 模块，性能稳定；专业电源设计，性价比高。反渗透纯水机去离子水生产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。 纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备，去离子水有毒，不可食用。 净化设备主要产品：水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI 装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV 紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。 风淋室：运用国外先进技术和进口电器控制系统, 组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广 泛用于微电子医院制药生化制品食品卫生精细化工精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用 防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备. 抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。化学机械抛光时，旋转的工件以一定的压力压在旋转的抛光垫上，而由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动，并产生化学反应，工件表面形成的化学反应物由磨粒的机械作用去除，即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，人们称这种CMP 为游离磨料CMP 。 电解抛光电化学抛光是利用金属电化学阳极溶解原理进行修磨抛光。将电化学预抛光和机械精抛光有机的结合在一起，发挥了电化学和机构两类抛光特长。它不受材料硬度和韧性的限制，可抛光各种复杂形状的工件。其方法与电解磨削类似。导电抛光工具使用金钢石导电锉或石墨油石，接到电源的阴极，被抛光的工件（如模具）接到电源的阳极。 光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发 单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合
半导体器件综合参数测试
研究生《电子技术综合实验》课程报告 题目：半导体器件综合参数测试 学号 姓名 专业 指导教师 院（系、所） 年月日
一、实验目的： （1）了解、熟悉半导体器件测试仪器，半导体器件的特性，并测得器件的特性参数。掌握半导体管特性图示仪的使用方法，掌握测量晶体管输入输出特性的测量方法。 （2）测量不同材料的霍尔元件在常温下的不同条件下（磁场、霍尔电流）下的霍尔电压，并根据实验结果全面分析、讨论。 二、实验内容： （1）测试3AX31B、3DG6D的放大、饱和、击穿等特性曲线，根据图示曲线计算晶体管的放大倍数； （2）测量霍尔元件不等位电势，测霍尔电压，在电磁铁励磁电流下测霍尔电压。 三、实验仪器： XJ4810图示仪、示波器、三极管、霍尔效应实验装置 四、实验原理： 1.三极管的主要参数： （1）直流放大系数h FE：h FE=（I C-I CEO）/I B≈I C/I B。其中I C为集电极电流，I B为基极电流。 基极开路时I C值，此值反映了三极管热稳定性。 （2）穿透电流I CEO ： （3）交流放大系数β：β=ΔI C/ΔI B （4）反向击穿电压BV CEO：基极开路时，C、E之间击穿电压。 2.图示仪的工作原理： 晶体管特性图示仪主要由阶梯波信号源、集电极扫描电压发生器、工作于X-Y方式的示波器、测试转换开关及一些附属电路组成。晶体管特性图示仪根据器件特性测量的工作原理，将上述单元组合，实现各种测试电路。阶梯波信号源产生阶梯电压或阶梯电流，为被测晶体管提
供偏置；集电极扫描电压发生器用以供给所需的集电极扫描电压，可根据不同的测试要求，改变扫描电压的极性和大小；示波器工作在X-Y状态，用于显示晶体管特性曲线；测试开关可根据不同晶体管不同特性曲线的测试要求改变测试电路。（原理如图1） 上图中，R B、E B构成基极偏置电路。当E B》V BE时，I B=（E B-V BE）/R B基本恒定。晶体管C-E之间加入锯齿波扫描电压，并引入小取样电阻RC，加到示波器上X轴Y轴电压分别为：V X=V CE=V CA+V AC=V CA-I C R C≈V CA V Y=-I C·R C∝-I C I B恒定时，示波器屏幕上可以看到一根。I C-V CE的特征曲线，即晶体管共发射极输出特性曲线。为了显示一组在不同I B的特征曲线簇I CI=φ应该在X轴锯齿波扫描电压每变化一个周期时，使I B也有一个相应的变化。应将E B改为能随X轴的锯齿波扫描电压变化的阶梯电压。每一个阶梯电压能为被测管的基极提供一定的基极电流，这样不同变化的电压V B1、V B2、V B3…就可以对应不同的基极注入电流I B1、I B2、I B3….只要能使没一个阶梯电压所维持的时间等于集电极回路的锯齿波扫描电压周期。如此，绘出I CO=φ（I BO，V CE）曲线与I C1=φ（I B1，V CE）曲线。 3.直流电流放大系数h FE与工作点I,V的关系 h FE是晶体三极管共发射极连接时的放大系数，h FE=I C/I B。以n-p-n晶体管为例，发射区的载流子（电子）流入基区。这些载流子形成电流I E，当流经基区时被基区空穴复合掉一部分，这复合电流形成IB，复合后剩下的电子流入集电区形成电流为IC，则I E=IB+IC。因IC>>IB 所以一般h FE=IC/IB都很大。
实验一 半导体材料的缺陷显示及观察资料讲解
实验一半导体材料的缺陷显示及观察
实验一半导体材料的缺陷显示及观察 实验目的 1．掌握半导体的缺陷显示技术、金相观察技术； 2．了解缺陷显示原理，位错的各晶面上的腐蚀图象的几何特性； 3．了解层错和位错的测试方法。 一、实验原理 半导体晶体在其生长过程或器件制作过程中都会产生许多晶体结构缺陷，缺陷的存在直接影响着晶体的物理性质及电学性能，晶体缺陷的研究在半导体技术上有着重要的意义。 半导体晶体的缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷，微观缺陷又分点缺陷、线缺陷和面缺陷。位错是半导体中的主要缺陷，属于线缺陷；层错是面缺陷。 在晶体中，由于部分原子滑移的结果造成晶格排列的“错乱”，因而产生位错。所谓“位错线”，就是晶体中的滑移区与未滑移区的交界线，但并不是几何学上定义的线，而近乎是有一定宽度的“管道”。位错线只能终止在晶体表面或晶粒间界上，不能终止在晶粒内部。位错的存在意味着晶体的晶格受到破坏，晶体中原子的排列在位错处已失去原有的周期性，其平均能量比其它区域的原子能量大，原子不再是稳定的，所以在位错线附近不仅是高应力区，同时也是杂质的富集区。因而，位错区就较晶格完整区对化学腐蚀剂的作用灵敏些，也就是说位错区的腐蚀速度大于非位错区的腐蚀速度，这样我们就可以通过腐蚀坑的图象来显示位错。 位错的显示一般都是利用校验过的化学显示腐蚀剂来完成。腐蚀剂按其用途来分，可分为化学抛光剂与缺陷显示剂，缺陷显示剂就其腐蚀出图样的特点又可分为择优的和非择优的。 位错腐蚀坑的形状与腐蚀表面的晶向有关，与腐蚀剂的成分，腐蚀条件有关，与样品的性质也有关，影响腐蚀的因素相当繁杂，需要实践和熟悉的过程，以硅为例，表1列出硅中位错在各种界面上的腐蚀图象。 二、位错蚀坑的形状 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢2
半导体各工艺简介5
Bubbler Wet Thermal Oxidation Techniques
Film Deposition Deposition is the process of depositing films onto a substrate. There are three categories of these films: * POLY * CONDUCTORS * INSULATORS (DIELECTRICS) Poly refers to polycrystalline silicon which is used as a gate material, resistor material, and for capacitor plates. Conductors are usually made of Aluminum although sometimes other metals such as gold are used. Silicides also fall under this category. Insulators refers to materials such as silicon dioxide, silicon nitride, and P-glass (Phosphorous-doped silicon dioxide) which serve as insulation between conducting layers, for diffusion and implantation masks,and for passivation to protect devices from the environment.
半导体测试技术实践
半导体测试技术实践总结报告 一、实践目的 半导体测试技术及仪器集中学习是在课堂结束之后在实习地集中的实践性教学，是各项课间的综合应用，是巩固和深化课堂所学知识的必要环节。学习半导体器件与集成电路性能参数的测试原理、测试方法，掌握现代测试设备的结构原理、操作方法与测试结果的分析方法，并学以致用、理论联系实际，巩固和理解所学的理论知识。同时了解测试技术的发展现状、趋势以及本专业的发展现状，把握科技前进脉搏，拓宽专业知识面，开阔专业视野，从而巩固专业思想，明确努力方向。另外，培养在实际测试过程中发现问题、分析问题、解决问题和独立工作的能力，增强综合实践能力，建立劳动观念、实践观念和创新意识，树立实事求是、严肃认真的科学态度，提高综合素质。 二、实践安排（含时间、地点、内容等） 实践地点：西安西谷微电子有限责任公司 实践时间：2014年8月5日—2014年8月15日 实践内容：对分立器件，集成电路等进行性能测试并判定是否失效 三、实践过程和具体内容 西安西谷微电子有限责任公司专业从事集成电路测试、筛选、测试软硬件开发及相关技术配套服务，测试筛选使用标准主要为GJB548、GJB528、GJB360等。 1、认识半导体及测试设备
在一个器件封装之后，需要经过生产流程中的再次测试。这次测试称为“Final test”（即我们常说的FT测试）或“Package test”。在电路的特性要求界限方面，FT测试通常执行比CP测试更为严格的标准。芯片也许会在多组温度条件下进行多次测试以确保那些对温度敏感的特征参数。商业用途（民品）芯片通常会经过0℃、25℃和75℃条件下的测试，而军事用途（军品）芯片则需要经过-55℃、25℃和125℃。 芯片可以封装成不同的封装形式，图4显示了其中的一些样例。一些常用的封装形式如下表： DIP： Dual Inline Package (dual indicates the package has pins on two sides) 双列直插式 CerDIP：Ceramic Dual Inline Package 陶瓷 PDIP： Plastic Dual Inline Package 塑料 PGA： Pin Grid Array 管脚阵列
ic半导体测试基础(中文版)
本章节我们来说说最基本的测试——开短路测试（Open-Short Test），说说测试的目的和方法。 一．测试目的 Open-Short Test也称为ContinuityTest或Contact Test，用以确认在器件测试时所有的信号引脚都与测试系统相应的通道在电性能上完成了连接，并且没有信号引脚与其他信号引脚、电源或地发生短路。 测试时间的长短直接影响测试成本的高低，而减少平均测试时间的一个最好方法就是尽可能早地发现并剔除坏的芯片。Open-Short测试能快速检测出DUT是否存在电性物理缺陷，如引脚短路、bond wire缺失、引脚的静电损坏、以及制造缺陷等。 另外，在测试开始阶段，Open-Short测试能及时告知测试机一些与测试配件有关的问题，如ProbeCard或器件的Socket没有正确的连接。 二．测试方法 Open-Short测试的条件在器件的规格数或测试计划书里通常不会提及，但是对大多数器件而言，它的测试方法及参数都是标准的，这些标准值会在稍后给出。 基于PMU的Open-Short测试是一种串行（Serial）静态的DC测试。首先将器件包括电源和地的所有管脚拉低至“地”（即我们常说的清0），接着连接PMU到单个的DUT 管脚，并驱动电流顺着偏置方向经过管脚的保护二极管——一个负向的电流会流经连接到地的二极管（图3-1），一个正向的电流会流经连接到电源的二极管（图3-2），电流的大小在100uA到500uA之间就足够了。大家知道，当电流流经二极管时，会在其P-N结上引起大约0.65V的压降，我们接下来去检测连接点的电压就可以知道结果了。 既然程序控制PMU去驱动电流，那么我们必须设置电压钳制，去限制Open管脚引起的电压。Open-Short测试的钳制电压一般设置为3V——当一个Open的管脚被测试到，它的测试结果将会是3V。 串行静态Open-Short测试的优点在于它使用的是DC测试，当一个失效（failure）发生时，其准确的电压测量值会被数据记录（datalog）真实地检测并显示出来，不管它是Open引起还是Short导致。缺点在于，从测试时间上考虑，会要求测试系统对DUT的每个管脚都有相应的独立的DC测试单元。对于拥有PPPMU结构的测试系统来说，这个缺点就不存在了。 当然，Open-Short也可以使用功能测试（Functional Test）来进行，我会在后面相应的章节提及。
半导体器件设备制作工艺的制作流程
本技术属于建筑材料领域，尤其是一种半导体器件制备工艺，针对现有只是将晶粒利用包装盒进行包装，这样的包装方式容易导致晶粒损坏的问题，现提出如下方案，其包括S1：首先将成卷的碳纤维复合膜放置在支撑架上，然后进行开卷，S2：将碳纤维复合膜放置在工作台上，支撑台上设有导向机构，以此可以防止碳纤维复合膜出现走偏的问题，S3：在支撑台的一侧卡装有夹紧机构，将碳纤维复合膜的一侧放置在夹紧机构上，并由夹紧机构对碳纤维复合膜进行夹紧。本技术通过将圆晶棒经过切割、打磨、过筛、抽真空以及密封包装，以此可以实现对圆晶粒进行真空包装的目的，可有效避免圆晶粒上附着水汽，所以便不会造成圆晶粒损坏。 权利要求书 1.一种半导体器件制备工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1：首先将圆晶棒放入干燥剂中，将晶粒上所含有的水汽进行吸附； S2：将干燥完后的圆晶棒放入振荡筛中，以此可以将圆晶棒与干燥剂进行分离； S3：将放置于在Fab中，利用Fab可对晶圆棒完成切割； S4：在对圆晶棒进行切割后，将圆晶粒放入打磨箱内，并利用搅拌器对圆晶粒进行搅拌，以此可以实现对圆晶粒的外表面进行打磨； S5：在打磨之后，利用筛网对圆晶粒进行过筛，以此可以得到大小均匀的圆晶粒； S6：将圆晶粒放入漏斗内，并且漏斗上设有关门装置，使得圆晶粒通过漏斗投放寨包装袋内； S7：利用抽风机将包装袋内进行抽真空处理，之后利用热封机对包装袋进行封口处理；
S8：将软质填充入放入包装箱内，之后将经过真空处理后的圆晶粒放入包装箱内； S9：将干燥剂放入包装箱，之后将包装箱封装一层保护膜，在利用热风枪对保护膜，使得保护膜受热处于紧绷状态。 2.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S1中，干燥剂的成分是无水氯化钙，且无水氯化钙与圆晶棒的比例为 3.5:100。 3.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S2中，振荡筛的工作频率为10Hz，且振荡筛的孔径为5目。 4.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S3中，Fab设定尺寸为3微米，切割频率为1Hz。 5.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S4中，打磨箱内设有打磨球，利用打磨球对圆晶粒进行打磨，且搅拌器的转速为20r/min。 6.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S5中，筛网的孔径为15目，并且筛网由振动电机进行驱动。 7.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S6中，漏斗上设有推杆马达，且推杆马达与关门装置进行连接，以此利用推杆马达带动关门装置对漏斗进行开启或者关闭，漏斗上设有颗粒计数器，且颗粒计数器与推杆马达电性连接，利用颗粒技术器可以对圆晶粒进行计数，且数量在49-51之间，以此可以保证包装袋内的圆晶粒的数量基本一致。 8.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S7中，热封机的温度设置为180摄氏度，热风机的工作时长为30s。 9.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S8中，软质填充物为
半导体C-V测量基础
半导体C-V测量基础 作者：Lee Stauffer 时间：2009-07-29 来源:吉时利仪器公司 C-V测量为人们提供了有关器件和材料特征的大量信息 通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、III-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。 这类测量的基本特征非常适用于各种应用和培训。大学的研究实验室和半导体厂商利用这类测量评测新材料、新工艺、新器件和新电路。C-V测量对于产品和良率增强工程师也是极其重要的，他们负责提高工艺和器件的性能。可靠性工程师利用这类测量评估材料供货，监测工艺参数，分析失效机制。 采用一定的方法、仪器和软件，可以得到多种半导体器件和材料的参数。从评测外延生长的多晶开始，这些信息在整个生产链中都会用到，包括诸如平均掺杂浓度、掺杂分布和载流子寿命等参数。在圆片工艺中，C-V测量可用于分析栅氧厚度、栅氧电荷、游离子（杂质）和界面阱密度。在后续的工艺步骤中也会用到这类测量，例如光刻、刻蚀、清洗、电介质和多晶硅沉积、金属化等。当在圆片上完全制造出器件之后，在可靠性和基本器件测试过程中可以利用C-V测量对阈值电压和其他一些参数进行特征分析，对器件性能进行建模。 半导体电容的物理特性 MOSCAP结构是在半导体制造过程中形成的一种基本器件结构（如图1所示）。尽管这类器件可以用于真实电路中，但是人们通常将其作为一种测试结构集成在制造工艺中。由于这种结构比较简单而且制造过程容易控制，因此它们是评测底层工艺的一种方便的方法。
半导体测试理论
半导体测试理论1 测量可重复性和可复制性(GR&R) GR&R是用于评估测试设备对相同的测试对象反复测试而能够得到重复读值的能力的参数。也就是说GR&R是用于描述测试设备的稳定性和一致性的一个指标。对于半导体测试设备，这一指标尤为重要。 从数学角度来看，GR&R就是指实际测量的偏移度。测试工程师必须尽可能减少设备的GR&R值，过高的GR&R值表明测试设备或方法的不稳定性。 如同GR&R名字所示，这一指标包含两个方面：可重复性和可复制性。可重复性指的是相同测试设备在同一个操作员操作下反复得到一致的测试结果的能力。可复制性是说同一个测试系统在不同操作员反复操作下得到一致的测试结果的能力。 当然，在现实世界里，没有任何测试设备可以反复获得完全一致的测试结果，通常会受到5个因素的影响： 1、测试标准 2、测试方法 3、测试仪器 4、测试人员 5、环境因素 所有这些因素都会影响到每次测试的结果，测试结果的精确度只有在确保以上5个因素的影响控制到最小程度的情况下才能保证。 有很多计算GR&R的方法，下面将介绍其中的一种，这个方法是由Automotive Idustry Action Group(AIAG)推荐的。首先计算由测试设备和人员造成的偏移，然后由这些参数计算最终GR&R 值。 Equipment Variation (EV)：代表测试过程（方法和设备）的可重复性。它可以通过相同的操作员对测试目标反复测试而得到的结果计算得来。 Appraiser Variation (AV)：表示该测试流程的可复制性。可以通过不同操作员对相同测试设备和流程反复测测试所得数据计算得来。 GR&R的计算则是由上述两个参数综合得来。 必须指出的是测试的偏移不仅仅是由上述两者造成的，同时还受Part Variation（PV）的影响。PV表示测试目标不同所造成的测试偏差，通常通过测试不同目标得到的数据计算而来。 现在让我们来计算总偏差：Total Variation （TV），它包含了由R&R和PV所构成的影响。 TV = sqrt((R&R)**+ PV**) 在一个GR&R报表中，最终的结果往往表示成：%EV, %AV, %R&R,和 %PV。他们分别表示EV,AV,R&R 和PV相对TV的百分比。因此 %EV=(EV/TV)x100% %AV=(AV/TV)x100% %R&R=(R&R/TV)x100% %PV=(PV/TV)x100% %R&R如果大于10%，则此测试设备和流程是良好的；%R&R在10%和30% 之间表示可以接受；如果大于30%则需要工程人员对此设备和流程进行改良。 电气测试可信度（Electrical Test Confidence）
实验一半导体材料的缺陷显示及观察
实验一半导体材料的缺陷显示及观察 实验目的 1．掌握半导体的缺陷显示技术、金相观察技术； 2．了解缺陷显示原理，位错的各晶面上的腐蚀图象的几何特性； 3．了解层错和位错的测试方法。 一、实验原理 半导体晶体在其生长过程或器件制作过程中都会产生许多晶体结构缺陷，缺陷的存在直接影响着晶体的物理性质及电学性能，晶体缺陷的研究在半导体技术上有着重要的意义。 半导体晶体的缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷，微观缺陷又分点缺陷、线缺陷和面缺陷。位错是半导体中的主要缺陷，属于线缺陷；层错是面缺陷。 在晶体中，由于部分原子滑移的结果造成晶格排列的“错乱”，因而产生位错。所谓“位错线”，就是晶体中的滑移区与未滑移区的交界线，但并不是几何学上定义的线，而近乎是有一定宽度的“管道”。位错线只能终止在晶体表面或晶粒间界上，不能终止在晶粒内部。位错的存在意味着晶体的晶格受到破坏，晶体中原子的排列在位错处已失去原有的周期性，其平均能量比其它区域的原子能量大，原子不再是稳定的，所以在位错线附近不仅是高应力区，同时也是杂质的富集区。因而，位错区就较晶格完整区对化学腐蚀剂的作用灵敏些，也就是说位错区的腐蚀速度大于非位错区的腐蚀速度，这样我们就可以通过腐蚀坑的图象来显示位错。 位错的显示一般都是利用校验过的化学显示腐蚀剂来完成。腐蚀剂按其用途来分，可分为化学抛光剂与缺陷显示剂，缺陷显示剂就其腐蚀出图样的特点又可分为择优的和非择优的。 位错腐蚀坑的形状与腐蚀表面的晶向有关，与腐蚀剂的成分，腐蚀条件有关，与样品的性质也有关，影响腐蚀的因素相当繁杂，需要实践和熟悉的过程，以硅为例，表1列出硅中位错在各种界面上的腐蚀图象。 二、位错蚀坑的形状 当腐蚀条件为铬酸腐蚀剂时，<100>晶面上呈正方形蚀坑，<110>晶面上呈菱形或矩形蚀坑，<111>晶面上呈正三角形蚀坑。（见图1）。
半导体简介
1-1 原子結構 (c) 1. 每一個已知的元素都有 (a)相同型態的原子 (b)相同數目的原子 (c)唯 一型態的原子 (d)幾種不同型態的原子。 (d) 2. 原子是由哪些組成 (a)一個原子核和唯一的電子 (b)一個原子核和一個 以上的電子 (c)質子、中子和電子 (d)答案(b)和(c)均是。 (a) 3. 原子的原子核是由哪些基本粒子組成 (a)質子和中子 (b)電子 (c)電子 和質子 (d)電子和中子。 (b) 4. 價電子是位於 (a)最接近原子核的軌道 (b)距離原子核最遠的軌道 (c) 繞著原子核的不同軌道 (d)與任何原子無關。 (a) 5. 下面哪一種狀況會產生正離子 (a)價電子脫離原子 (b)在原子的外層軌 道中，電洞的數目比電子多 (c)兩個原子鍵結在一起 (d)原子獲得一個額外的價電子。 1-2 絕緣體、導體和半導體 (d) 6. 目前在電子元件中最常使用的半導體材料是 (a)鍺 (b)碳 (c)銅 (d) 矽。 (d) 7. 絕緣體和半導體的差別在 (a)價電帶和導電帶之間的能隙較寬 (b)自由 電子的數目 (c)原子的結構 (d)以上皆對。 (c) 8. 自由電子位於哪一個能量帶？ (a)第一層能量帶 (b)第二層能量帶 (c)
2▍電子學(上冊) —教師手冊▍ 導電帶(d)價電帶。 (d) 9. 在半導體晶體中，原子是由於下列何種原因而結合在一起(a)價電子之間 的作用力(b)原子間的吸引力(c)共價鍵(d)答案(a)、(b)和(c)均是。 (d) 10. 矽的原子序是(a)8(b)2(c)4(d)14。 (d) 11. 鍺的原子序是(a)8(b)2(c)4(d)32。 (d) 12. 矽原子的價能階層的編號是(a)0(b)1(c)2(d)3。 (c) 13. 矽晶體中的每一個原子都有(a)四個價電子(b)四個傳導電子(c)八個 價電子，其中四個自有，另外四個與其他原子共有(d)沒有價電子，因為 所有的電子都已被共用。 1-3半導體的電流 (b) 14. 電子-電洞對是在下述哪種狀況產生(a)重新結合(b)熱擾動(c)離子化 (d)摻雜。 (a) 15. 重新結合是發生於(a)電子落回電洞中(b)正離子和負離子鍵結在一起 時(c)價電子成為傳導電子時(d)晶體形成時。 (d) 16. 半導體中的電流是由什麼形成的？(a)只由電子形成(b)只由電洞形成 (c)負離子(d)電子和電洞。 1-4N型與P型半導體 (e) 17. 在純質半導體中(a)沒有自由電子(b)自由電子是由熱擾動產生(c)只 有電洞存在(d)電子的數目和電洞一樣(e)答案(b)和(d)均是。 (a) 18. 在純質半導體材料中加入雜質的過程，我們稱為(a)摻雜(b)重新結合 (c)原子變異(d)離子化。 (b) 19. 將三價的雜質加入矽材料中，就會形成(a)鍺(b)p型半導體(c)n型半 導體(d)空乏區。 (c) 20. 在半導體材料中加入五價雜質的目的是(a)降低矽晶體的導電性(b)增
半导体FAB里基本的常识简介
CVD 晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室 答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷 何谓半导体?; I* s# N* v8 Y! H3 a8 q4 a1 R0 \- W 答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。 常用的半导体材料为何' u* k9 `+ D1 v1 U# f5 [7 G 答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa): j* z$ X0 w& E4 B3 m. M( N( _; o4 D 何谓VLSI' b5 w; M# }; b; @; \8 g3 P. G 答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路5 E3 U8 @- t& \t9 x5 L4 K% _2 f 在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺0 r7 i, `/ G1 P! U" w! I 答：介电质(Dielectric). w- j" @9 Y2 {0 L0 f w 薄膜区机台主要的功能为何 答：沉积介电质层及金属层 何谓CVD(Chemical Vapor Dep.) 答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程 CVD分那几种? 答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式) 为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?4 Z* y3 A, G f+ z X* Y5 ? 答：良好的导体仅次于铜 介电材料的作用为何?% Y/ W) h' S6 J, l$ i5 B; f9 [ 答：做为金属层之间的隔离 何谓PMD(Pre-Metal Dielectric) 答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质5 |3 X. M$ o; T8 Y, N7 l5 q+ b 何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)9 u9 j4 F1 U! Q/ ?" j% y7 O/ Q" m; N, b 答：金属层间介电质层。1 X8 g' q a0 h3 k4 r" X$ l. l 何谓USG? 答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass): u0 F0 d! A M+ U( w/ Q 何谓FSG? 答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass) 何谓BPSG?& ~- I3 f8 i( Y! M) q, U 答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)6 f/ g4 U& D/ }5 W 何谓TEOS? 答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅 TEOS在常温时是以何种形态存在? 答：液体" q) ]0 H- @9 p7 C8 P; D8 Y. P) X 二氧化硅其K值为3.9表示何义( Y! @1 J! X+ P; b* _$ g 答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍6 H9 v' O5 U U" R9 w! o$ ` 氟在CVD的工艺上，有何应用 答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体4 Z& Z5 a* E6 m+ F 简述Endpoint detector之作用原理.6 [2 d$ j" l7 p4 V. f 答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到
半导体测试原理
IC 测试原理解析 第一章数字集成电路测试的基本原理 器件测试的主要目的是保证器件在恶劣的环境条件下能完全实现设计规格书所规定的功能及性能指标。用来完成这一功能的自动测试设备是由计算机控制的。因此，测试工程师必须对计算机科学编程和操作系统有详细的认识。测试工程师必须清楚了解测试设备与器件之间的接口，懂得怎样模拟器件将来的电操作环境，这样器件被测试的条件类似于将来应用的环境。 首先有一点必须明确的是，测试成本是一个很重要的因素，关键目的之一就是帮助降低器件的生产成本。甚至在优化的条件下，测试成本有时能占到器件总体成本的40% 左右。良品率和测试时间必须达到一个平衡，以取得最好的成本效率。 第一节不同测试目标的考虑 依照器件开发和制造阶段的不同，采用的工艺技术的不同，测试项目种类的不同以及待测器件的不同，测试技术可以分为很多种类。 器件开发阶段的测试包括: 特征分析：保证设计的正确性，决定器件的性能参数; 产品测试：确保器件的规格和功能正确的前提下减少测试时间提高成本效率 可靠性测试：保证器件能在规定的年限之内能正确工作; 来料检查：保证在系统生产过程中所有使用的器件都能满足它本身规格书要求，并能正确工作。 制造阶段的测试包括: 圆片测试：在圆片测试中，要让测试仪管脚与器件尽可能地靠近，保证电缆，测试仪和器件之间的阻抗匹配，以便于时序调整和矫正。因而探针卡的阻抗匹配和延时问题必须加以考虑。 封装测试：器件插座和测试头之间的电线引起的电感是芯片载体及封装测试的一个首要的考虑因素。 特征分析测试，包括门临界电压、多域临界电压、旁路电容、金属场临界电压、多层间电阻、金属多点接触电阻、扩散层电阻、接触电阻以及FET 寄生漏电等参数测试。 通常的工艺种类包括: TTL ECL CMOS NMOS
半导体简介
《晶柱成长制程》 硅晶柱的长成，首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中，并加入预先设定好的金属物质，使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质，接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶柱，以下将对所有晶柱长成制程做介绍。 长晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的融化温度之上，此阶段中最重要的参数为坩锅的位置与热量的供应，若使用较大的功率来融化复晶硅，石英坩锅的寿命会降低，反之功率太低则融化的过程费时太久，影响整体的产能。 颈部成长（Neck Growth） 当硅融浆的温度稳定之后，将<1.0.0>方向的晶种渐渐注入液中，接着将晶种往上拉升，并使直径缩小到一定（约6mm），维持此直径并拉长10-20cm，以消除晶种内的排差（dislocation），此种零排差（dislocation-free）的控制主要为将排差局限在颈部的成长。 晶冠成长（Crown Growth） 长完颈部后，慢慢地降低拉速与温度，使颈部的直径逐渐增加到所需的大小。 晶体成长（Body Growth） 利用拉速与温度变化的调整来迟维持固定的晶棒直径，所以坩锅必须不断的上升来维持固定的液面高度，于是由坩锅传到晶棒及液面的辐射热会逐渐增加，此辐射热源将致使固业界面的温度梯度逐渐变小，所以在晶棒成长阶段的拉速必须逐渐地降低，以避免晶棒扭曲的现象产生。 尾部成长（Tail Growth） 当晶体成长到固定（需要）的长度后，晶棒的直径必须逐渐地缩小，直到与液面分开，此乃避免因热应力造成排差与滑移面现象。
《晶柱切片后处理》 硅晶柱长成后，整个晶圆的制作才到了一半，接下必须将晶柱做裁切与检测，裁切掉头尾的晶棒将会进行外径研磨、切片等一连串的处理，最后才能成为一片片价值非凡的晶圆，以下将对晶柱的后处理制程做介绍。 切片（Slicing） 长久以来经援切片都是采用内径锯，其锯片是一环状薄叶片，内径边缘镶有钻石颗粒，晶棒在切片前预先黏贴一石墨板，不仅有利于切片的夹持，更可以避免在最后切断阶段时锯片离开晶棒所造的破裂。切片晶圆的厚度、弓形度（bow）及挠屈度（warp）等特性为制程管制要点。影响晶圆质量的因素除了切割机台本身的稳定度与设计外，锯片的张力状况及钻石锐利度的保持都有很大的影响。 圆边（Edge Polishing） 刚切好的晶圆，其边缘垂直于切割平面为锐利的直角，由于硅单晶硬脆的材料特性，此角极易崩裂，不但影响晶圆强度，更为制程中污染微粒的来源，且在后续的半导体制成中，未经处理的晶圆边缘也为影响光组与磊晶层之厚度，固须以计算机数值化机台自动修整切片晶圆的边缘形状与外径尺寸。 研磨（Lapping） 研磨的目的在于除去切割或轮磨所造成的锯痕或表面破坏层，同时使晶圆表面达到可进行抛光处理的平坦度。 蚀刻（Etching） 晶圆经前述加工制程后，表面因加工应力而形成一层损伤层（damaged layer），在抛光之前必须以化学蚀刻的方式予以去除，蚀刻液可分为酸性与碱性两种。 去疵（Gettering） 利用喷砂法将晶圆上的瑕疵与缺陷感到下半层，以利往后的.. IC制程。 抛光（Polishing） 晶圆的抛光，依制程可区分为边缘抛光与表面抛光两种
的半导体材料工艺设备汇总精选文档
的半导体材料工艺设备 汇总精选文档 TTMS system office room 【TTMS16H-TTMS2A-TTMS8Q8-
小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况。 1、单晶炉
设备名称：单晶炉。 设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。 主要企业（品牌）： 国际：德国PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUM DESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司。 国内：北京京运通、七星华创、北京京仪世纪、河北晶龙阳光、西安理工晶科、常州华盛天龙、上海汉虹、西安华德、中国电子科技集团第四十八所、上海申和热磁、上虞晶盛、晋江耐特克、宁夏晶阳、常州江南、合肥科晶材料技术有限公司、沈阳科仪公司。 2、气相外延炉
设备名称：气相外延炉。 设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。 主要企业（品牌）： 国际：美国CVD Equipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、美国科特·莱思科（Kurt J.Lesker）公司、美国Applied Materials 公司。
国内：中国电子科技集团第四十八所、青岛赛瑞达、合肥科晶材料技术有限公司、北京金盛微纳、济南力冠电子科技有限公司。 3、分子束外延系统（MBE，Molecular Beam Epitaxy System）
常规材料测试技术模板
常规材料测试技术 一、适用客户: 半导体, 建筑业, 轻金属业, 新材料, 包装业, 模具业, 科研机构, 高校, 电镀, 化工, 能源, 生物制药, 光电子, 显示器。 主要实验室 二、金相实验室 ?LeicaDM/RM光学显微镜 主要特性: 用于金相显微分析, 可直观检测金属材料的微观组织, 如原材料缺陷、偏析、初生碳化物、脱碳层、氮化层及焊接、冷加工、铸造、锻造、热处理等等不同状态下的组织组成, 从而判断材质优劣。须进行样品制备工作, 最大放大倍数约1400倍。 ?Leica体视显微镜 主要特性: 1、用于观察材料的表面低倍形貌, 初步判断材质缺陷; 2、观察断口的宏观断裂形貌, 初步判断裂纹起源。 ?热振光模拟显微镜 ?图象分析仪 ?莱卡DM/RM显微镜附CCD数码照相装置 三、电子显微镜实验室
?扫描电子显微镜(附电子探针)(JEOLJSM5200, JOELJSM820, JEOLJSM6335) 主要特性: 1、用于断裂分析、断口的高倍显微形貌分析, 如解理断裂、疲劳断裂( 疲劳辉纹) 、晶间断裂( 氢脆、应力腐蚀、蠕变、高温回火脆性、起源于晶界的脆性物、析出物等) 、侵蚀形貌、侵蚀产物分析及焊缝分析。 2、附带能谱, 用于微区成分分析及较小样品的成分分析、晶体学分析, 测量点阵参数/合金相、夹杂物分析、浓度梯度测定等。 3、用于金属、半导体、电子陶瓷、电容器的失效分析及材质检验、放大倍率: 10X—300,000X; 样品尺寸: 0.1mm—10cm; 分辩率:1—50nm。 ?透射电子显微镜( 菲利蒲CM-20,CM-200) 主要特性: 1、需进行试样制备为金属薄膜, 试样厚度须<200nm。用于薄膜表面科学分析, 带能谱, 可进行化学成分分析。 2、有三种衍射花样: 斑点花样、菊池线花样、会聚束花样。斑点花样用于确定第二相、孪晶、有序化、调幅结构、取向关系、成象衍射条件。菊池线花样用于衬度分析、结构分析、相变分析以及晶体精确取向、布拉格位移矢量、电子波长测定。会聚束花样用于测定晶体试样厚度、强度分布、取向、点群?XRD-Siemens500—X射线衍射仪