摄像头FC封装基板技术详解2014

摄像头FC封装基板技术详解2014
摄像头FC封装基板技术详解2014

1、IC封装技术的发展

随着IC芯片向高集成化、布线细微化、芯片大型化、薄型化方向的发展,IC电路的封装技术已经由SMT(表面贴装技术)取代了双列直插技术,现行占主导潮流的封装技术主要是BGA(球栅阵列封装)和CSP(芯片尺寸大小封装)。

从封装技术发展的历程来看,按封装技术的发展顺序,先后出现了DIP、PGA、QFP、BGA、CSP等几大类。20世纪50~60年代是TO型封装的时代,70年代是DIP的时代,80年代是QFP的时代,而90年代后则是BGA 和CSP时代。

2、当前的主流技术

(1)SOP封装技术

SOP是一种很常见的封装形式,它被称作小外形塑料封装。SOP封装是目前产量最多的封装方式,由机器在PCB 板上焊接,技术要求比较高。高频率的IC控制芯片多数采用SOP封装技术。SOP封装的应用范围很广,像主板的频率发生器就是采用的SOP封装。SOP封装技术如下图4所示:

SOP封装产品

(2)QFP/ TQFP封装技术

QFP/ TQFP封装形式已经大规模使用,美国JEDEC制定了一系列1.4mm厚的薄形四边有引线扁平封装(TQFP)标准,尺寸从5mm-28mm见方,引线数32-256个。由于其小、薄、轻等特点,该封装形式在笔记本电脑、PDA、手提式消费产品、PCMCIA卡和磁盘驱动器等中的应用日渐普遍。这些领域的应用,要求芯片尺寸大、功率耗散大、

电性能参数高。目前发展趋势是较JEDEC中1.4mm厚更大的薄形四边引线扁平封装,如32mm和40mm见方的封装,以适应更多的引脚数和更大芯片尺寸的封装要求。

(3)BGA封装产品与技术

BGA(球栅阵列封装)它最早由摩托罗拉公司开发,曾称为OMPAC(over model pad array carrier)或bump grid array。BGA是在PGA 和QFP的基础上发展而来:取前者端子平面阵列布置,将插入式针脚改换成键合用的微球;取后者可采用SMT等由一次回流焊完成实装等优点。

PBGA(塑料焊球阵列)封装是BGA中最重要的一种,如下图所示:

BGA基板依使用材料不同,可归纳出陶瓷(Ceramic)、塑料(Plastic)、金属(Metal)和卷带(Tape)等几类,相对应的简称分别是CBGA、PBGA、MBGA与TBGA。MBGA基板的封装相当少见。CBGA基板在CPU、芯片组等高附加价值商品的应用不少。TBGA则多用于各型驱动IC的封装上,最常见的便是TFT LCD的驱动IC。PBGA (塑料基板)的成本最低且销量最大,加上近年技术上突破,使得CPU、芯片组、绘图芯片等高阶IC多转用塑料基板,俨然成为主流产品。就狭义的BGA基板而言,又分为单层、双层、四层的PBGA,以及强调高散热的EBGA (Enhanced BGA)、Cavity等BGA封装基板品种。

P-BGA(plastic ball grid array ,塑料球栅阵列封装)封装是目前BGA封装形式中使用最多的一种形式。它是采用焊料球代替导线引脚,焊料球在封装外壳底面上采用矩阵方式排列。由于在BGA的焊料球在器件的底面上呈阵列排列,与PLCC等封装形式的周边引线方式相比,具有更高的输入和输出(I/O)密度。其突出的优点是互连间距大幅度缩短,基板与IC电路的连线距离小于焊球的直径(约20-60um), 甚至更短;另外,由于焊料球与基板的接点面积大,因而引线间电容、电感特性良好,使器件的电气性能得到大幅度提高。

2002年起,FC—BGA(倒装芯片式塑料球栅阵列封装)封装开始在使用上增多。特别是美国Intel公司CPU产品开始大量的转向使用FC—BGA封装形式。

(4)CSP封装产品与技术

芯片尺寸封装(CSP, Chip Scale Package)发展也非常迅速。CSP要求封装后尺寸与芯片本身尺寸之比应小于1.2,是目前封装后尺寸最小的一种封装形式。CSP封装也可以采用芯片面朝下的倒装芯片技术。就封装形式而论,属于已有封装形式的派生品,因此可以按照现有封装形式来分类,如:BGA型、LGA型、SON型,下图所示为几种CSP的结构图6:

几种类型CSP结构组成图

(5)裸芯片封装产品与技术

裸芯片技术主要有两种主要形式:一种是COB(chip on board,芯片直接搭载在PCB上)技术,另一种是倒装芯片技术(Flip chip,FC)。裸芯片技术是当今最先进的微电子封装技术。它将电路组装密度提升到了一个新高度,随着21世纪电子产品体积的进一步缩小,裸芯片的应用将会越来越广泛。

A.COB技术:用COB技术封装的裸芯片是把芯片主体和I/O端子放在晶体上方,焊接时先将此裸芯片用导电/ 导热胶粘接在PCB上,凝固后再用Bonder机把金属丝(Al和Au)在超声或热压的作用下,分别联接在芯片的I/O 端子焊区和PCB相对应的焊盘上,经测试合格后,再封上树脂胶。与其它封装技术相比,COB技术价格低廉(仅为同芯片的1/3左右)、节约空间、工艺成熟。但任何新技术在刚出现时都不可能十全十美,COB技术也存在着需要另配焊接机及封装机、有时速度跟不上以及PCB贴片对环境要求更为严格和无法维修等缺点。

B.Flip chip技术:Flip chip又称倒装芯片,台湾称为“覆晶”。倒装芯片(FC)与COB相比,该封装形式的芯片结构和I/O端(锡球)方向朝下,由于I/O引出端分布于整个芯片表面,故在封装密度和处理速度上Flip chip 已达到顶峰,特别是它可以采用类似SMT技术的手段来加工,因此是芯片封装技术及高密度安装的最终方向。上述的封装技术都是从单芯片角度来阐述的,随着电子产品多功能话的需求,多芯片封装技术得到了前所未有的重视,下面介绍几种主要的多芯片封装技术。

(6)MCM产品与技术

MCM(multi chip module,多芯片组件)可以定义为:将多个半导体集成电路元件以裸芯片的状态搭载在不同类型的布线板上,经整体封装而构成的多芯片组件。与单芯片封装相比,MCM可保证IC元件间布线最短。(7)MCP产品与技术

由于MCP能将不同的芯片组装载同一封装体里,从而提供更加标准化的解决方案。由于移动无线应用需要在单个解决方案里集成更多的功能,因此,要在电话、PDA、照相机及未来的便携式设备里面集成因特网、视频、蓝牙、GPS等功能,MCP或许是一个最好的解决方案。MCP的技术结构图如下图所示:

封装了8个芯片的MCP技术结构图

(8)SIP封装技术

SiP(system in package,封装内系统,或称系统封装)是指将不同种类的元件,通过不同种技术,混载于同一封装之内,由此构成系统集成封装形式,该定义是经过不断演变,逐渐形成的。开始是在单芯片封装中加入无源元件,再到单个封装中加入多个芯片,叠层芯片以及无源器件,最后发展到一个封装构成一个体系,即:SiP。SiP是MCP进一步发展的产物。二者的区别在于,SiP中可搭载不同类型的芯片,芯片之间可以进行信号存取和交换,从而以一个系统的规模而具备某种功能;MCP中叠层的多个芯片一般为同一种类型,以芯片之间不能进行信号存取和交换的存储器为主,从整体来讲为一多芯片存储器。

提到SiP技术,就不能不谈SOC(system on a chip)技术,SOC技术并不是一种封装技术,而是一种芯片上系统集成,但由于SOC和SIP都是为了实现系统集成功能的技术,所以很多时候都把两种技术进行比较。

SiP和SOC各有所长,SiP的优点是可是小型化、开发供货期短、设计资产可再利用性强;SOC具有高速化、低功耗等优点,在价格水平上,超过一定数量(如:100万或其他),SOC有利,否则SIP有利。随着芯片特征尺寸逐

渐减小到0.13μm,单芯片路线遇到了下述壁垒:

(1)制作芯片的掩模价格越发昂贵;

(2)漏电问题不好解决;

(3)不同元件的工作电压出现剪刀差;

(4)模拟电路的缩小也有极限。

SIP同SOC相比,虽然也存在一定问题,但并没有SOC那么明显和难以克服,所以,被认为是未来系统LSI的发展方向。

【CN110277318A】一种铝碳化硅封装基板及其制备方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910117332.0 (22)申请日 2019.02.15 (71)申请人 西安明科微电子材料有限公司 地址 710000 陕西省西安市航天基地东长 安街888号2号楼1层厂房南区 (72)发明人 刘昌涛 陈燕  (74)专利代理机构 深圳市精英专利事务所 44242 代理人 王文伶 (51)Int.Cl. H01L 21/48(2006.01) H01L 23/498(2006.01) (54)发明名称一种铝碳化硅封装基板及其制备方法(57)摘要本发明涉及封装基板技术领域,具体为一种铝碳化硅封装基板及其制备方法。本发明先通过制备形成具有孔位的碳化硅陶瓷基板以及与孔位匹配的硅片,然后将硅片镶嵌于孔位中形成整体陶瓷基板并向整体陶瓷基板中渗铝形成具有铝碳化硅和铝硅两相材料的铝碳化硅基板,在孔位处的铝硅材料上可轻松实现机加工制作各种形状和尺寸的安装孔,不仅可制作丝孔,且丝孔不易滑牙,解决了铝碳化硅封装基板的安装孔难加工制作的问题,且通过该制作方法,孔位处的铝硅材料与铝碳化硅材料结合稳固,不易开裂和脱落,从而使在铝硅材料上制作的安装孔可靠性 高。权利要求书2页 说明书7页 附图3页CN 110277318 A 2019.09.24 C N 110277318 A

权 利 要 求 书1/2页CN 110277318 A 1.一种铝碳化硅封装基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S10、分别制作具有孔位的碳化硅陶瓷基板及与碳化硅陶瓷基板上所述孔位匹配的硅片; S20、将硅片镶嵌在碳化硅陶瓷基板的孔位并对它们进行渗铝处理,形成孔位处由铝硅材料填充的铝碳化硅基板; S30、在铝硅材料上制作安装孔,形成铝碳化硅封装基板。 2.根据权利要求1所述的铝碳化硅封装基板的制备方法,其特征在于,步骤S10中,所述具有孔位的碳化硅陶瓷基板的制作步骤为: S111、将粒径分别为0.5-1μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种碳化硅粉料混合均匀,得到粉料M1; S112、向粉料M1中加入氧化铝、高岭土、苏州土并混合均匀,得到混合物M2; S113、配制溶质的质量百分浓度为5-15%的溶液M5,所述溶质包括以下质量百分比的各组分:羟甲基丙基纤维素钠5-30%、聚乙烯醇50-80%、乳蜡1-10%; S114、将溶液M5与混合物M2混合均匀,得到坯料M6;然后将坯料M6放入模具中并压制成型,得到坯体M7; S115、对坯体M7进行烧结处理,得到陶瓷基体M10;所述烧结处理的排胶温度为200-500℃,烧结温度为1000-1500℃; S116、对陶瓷基体M10进行机械加工钻孔,形成具有孔位的碳化硅陶瓷基板M12。 3.根据权利要求2所述的铝碳化硅封装基板的制备方法,其特征在于,所述粉料M1中,粒径分别为0.5-1μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种碳化硅粉料的质量百分比分别为10-30%、10-40%、20-40%、20-60%。 4.根据权利要求3所述的铝碳化硅封装基板的制备方法,其特征在于,所述混合物M2中,粉料M1、氧化铝、高岭土、苏州土的质量百分比分别为85-95%、0.1-1%、0.1-1%、3-15%。 5.根据权利要求1所述的铝碳化硅封装基板的制备方法,其特征在于,步骤S10中,所述硅片的制作步骤为: S121、将粒径分别为4-6μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种硅粉混合均匀,得到粉料M3; S112、向粉料M3中加入氧化铝、高岭土、苏州土并混合均匀,得到混合物M4; S123、配制溶质的质量百分浓度为5-15%的溶液M5,所述溶质包括以下质量百分比的各组分:羟甲基丙基纤维素钠5-30%、聚乙烯醇50-80%、乳蜡1-10%; S124、将溶液M5与混合物M4混合均匀,得到坯料M8;然后将坯料M8放入模具中并压制成型,得到坯体M9; S125、对坯体M9进行烧结处理,得到陶瓷基体M11;所述烧结处理的排胶温度为200-500℃,烧结温度为800-1300℃; S126、对陶瓷基体M11进行机械加工,形成与碳化硅陶瓷基板上所述孔位匹配的硅片M13。 6.根据权利要求5所述的铝碳化硅封装基板的制备方法,其特征在于,所述粉料M3中,粒径分别为4-6μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种硅粉的质量百分比分别为20-40%、 2

电子封装技术发展现状及趋势

电子封装技术发展现状及趋势 摘要 电子封装技术是系统封装技术的重要内容,是系统封装技术的重要技术基础。它要求在最小影响电子芯片电气性能的同时对这些芯片提供保护、供电、冷却、并提供外部世界的电气与机械联系等。本文将从发展现状和未来发展趋势两个方面对当前电子封装技术加以阐述,使大家对封装技术的重要性及其意义有大致的了解。 引言 集成电路芯片一旦设计出来就包含了设计者所设计的一切功能,而不合适的封装会使其性能下降,除此之外,经过良好封装的集成电路芯片有许多好处,比如可对集成电路芯片加以保护、容易进行性能测试、容易传输、容易检修等。因此对各类集成电路芯片来说封装是必不可少的。现今集成电路晶圆的特征线宽进入微纳电子时代,芯片特征尺寸不断缩小,必然会促使集成电路的功能向着更高更强的方向发展,这就使得电子封装的设计和制造技术不断向前发展。近年来,封装技术已成为半导体行业关注的焦点之一,各种封装方法层出不穷,实现了更高层次的封装集成。本文正是要从封装角度来介绍当前电子技术发展现状及趋势。

正文 近年来,我国的封装产业在不断地发展。一方面,境外半导体制造商以及封装代工业纷纷将其封装产能转移至中国,拉动了封装产业规模的迅速扩大;另一方面,国内芯片制造规模的不断扩大,也极大地推动封装产业的高速成长。但虽然如此,IC的产业规模与市场规模之比始终未超过20%,依旧是主要依靠进口来满足国内需求。因此,只有掌握先进的技术,不断扩大产业规模,将国内IC产业国际化、品牌化,才能使我国的IC产业逐渐走到世界前列。 新型封装材料与技术推动封装发展,其重点直接放在削减生产供应链的成本方面,创新性封装设计和制作技术的研发倍受关注,WLP 设计与TSV技术以及多芯片和芯片堆叠领域的新技术、关键技术产业化开发呈井喷式增长态势,推动高密度封测产业以前所未有的速度向着更长远的目标发展。 大体上说,电子封装表现出以下几种发展趋势:(1)电子封装将由有封装向少封装和无封装方向发展;(2)芯片直接贴装(DAC)技术,特别是其中的倒装焊(FCB)技术将成为电子封装的主流形式;(3)三维(3D)封装技术将成为实现电子整机系统功能的有效途径;(4)无源元件将逐步走向集成化;(5)系统级封装(SOP或SIP)将成为新世纪重点发展的微电子封装技术。一种典型的SOP——单级集成模块(SLIM)正被大力研发;(6)圆片级封装(WLP)技术将高速发展;(7)微电子机械系统(MEMS)和微光机电系统(MOEMS)正方兴未艾,它们都是微电子技术的拓展与延伸,是集成电子技术与精密

芯片常用封装及尺寸说明

A、常用芯片封装介绍 来源:互联网作者: 关键字:芯片封装 1、BGA 封装(ball grid array) 球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配 LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚 LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比 QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为 1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚 QFP 为 40mm 见方。而且 BGA 不用担心 QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国 Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为 1.5mm,引脚数为225。现在也有一些 LSI 厂家正在开发500 引脚的 BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。 现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。美国 Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为 OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见 OMPAC 和 GPAC)。 2、BQFP 封装(quad flat package with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和 ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见 QFP)。

年产xx吨显示屏封装基板项目实施方案

年产xx吨显示屏封装基板项目 实施方案 参考模板

年产xx吨显示屏封装基板项目实施方案 封装基板已经成为封装材料细分领域销售占比最大的原材料,占封装材料比重超过50%,全球市场规模接近百亿美金。有机封装基板主要用于消费电子领域,目前是封装基板的主流产品,根据数据统计,有机封装基板的产值占整个IC封装基板的80%。 该显示屏封装基板项目计划总投资18446.40万元,其中:固定资产投资13216.87万元,占项目总投资的71.65%;流动资金5229.53万元,占项目总投资的28.35%。 达产年营业收入41436.00万元,总成本费用31471.17万元,税金及附加381.34万元,利润总额9964.83万元,利税总额11720.63万元,税后净利润7473.62万元,达产年纳税总额4247.01万元;达产年投资利润率54.02%,投资利税率63.54%,投资回报率40.52%,全部投资回收期 3.97年,提供就业职位634个。 报告目的是对项目进行技术可靠性、经济合理性及实施可能性的方案分析和论证,在此基础上选用科学合理、技术先进、投资费用省、运行成本低的建设方案,最终使得项目承办单位建设项目所产生的经济效益和社会效益达到协调、和谐统一。 ......

封装基板是芯片封装体的重要组成材料,主要起承载保护芯片与连接上层芯片和下层电路板作用。封装基板作为芯片封装的核心材料,一方面能够保护、固定、支撑芯片,增强芯片导热散热性能,保证芯片不受物理损坏,另一方面封装基板的上层与芯片相连,下层和印刷电路板相连,以实现电气和物理连接、功率分配、信号分配,以及沟通芯片内部与外部电路等功能。随着封装技术向多引脚、窄间距、小型化的趋势发展,封装基板已经逐渐成为主流封装材料。

微电子封装

晶圆:由普通硅砂熔炼提纯拉制成硅柱后切成的单晶硅薄片 微电子封装技术特点: 1:向高密度及高I/O引脚数发展,引脚由四边引出趋向面阵引出发展 2:向表面组装示封装(SMP)发展,以适应表面贴装(SMT)技术及生产要求 3:向高频率及大功率封装发展 4:从陶瓷封装向塑料封装发展 5:从单芯片封装(SCP)向多芯片封装(MCP)发展 6:从只注重发展IC芯片到先发展封装技术再发展IC芯片技术技术 微电子封装的定义:是指用某种材料座位外壳安防、固定和密封半导体继承电路芯片,并用导体做引脚将芯片上的接点引出外壳 狭义的电子封装技术定义:是指利用膜技术及微细连接技术,将半导体元器件及其他构成要素在框架或基板上布置、固定及连接,引出接线端子,并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺技术。(最基本的) 广义的电子封装技术定义:是指将半导体和电子元器件所具有的电子的、物理的功能,转变为能适用于设备或系统的形式,并使之为人类社会服务的科学与技术。(功能性的) 微电子封装的功能: 1:提供机械支撑及环境保护; 2:提供电流通路; 3:提供信号的输入和输出通路; 4:提供热通路。 微电子封装的要点: 1:电源分配; 2:信号分配; 3:机械支撑; 4:散热通道; 5:环境保护。 零级封装:是指半导体基片上的集成电路元件、器件、线路;更确切地应该叫未加封装的裸芯片。 一级封装:是指采用合适的材料(金属、陶瓷或塑料)将一个或多个集成电路芯片及它们的组合进行封装,同时在芯片的焊区与封装的外引脚间用引线键合(wire bonding,WB)、载带自动焊(tape automated bonding,TAB)、倒装片键合(flip chip bonding,FCB)三种互联技术连接,使其成为具有实际功能的电子元器件或组件。 二级封装技术:实际上是一种多芯片和多元件的组装,即各种以及封装后的集成电路芯片、微电子产品、以及何种类型元器件一同安装在印刷电路板或其他基板上。

关于成立显示屏封装基板公司可行性分析报告

关于成立显示屏封装基板公司可行性分析报告

报告摘要说明 封装基板是芯片封装体的重要组成材料,主要起承载保护芯片与连接 上层芯片和下层电路板作用。封装基板作为芯片封装的核心材料,一方面 能够保护、固定、支撑芯片,增强芯片导热散热性能,保证芯片不受物理 损坏,另一方面封装基板的上层与芯片相连,下层和印刷电路板相连,以 实现电气和物理连接、功率分配、信号分配,以及沟通芯片内部与外部电 路等功能。随着封装技术向多引脚、窄间距、小型化的趋势发展,封装基 板已经逐渐成为主流封装材料。 xxx实业发展公司由xxx集团(以下简称“A公司”)与xxx科技 公司(以下简称“B公司”)共同出资成立,其中:A公司出资1000.0万元,占公司股份62%;B公司出资620.0万元,占公司股份38%。 xxx实业发展公司以显示屏封装基板产业为核心,依托A公司的渠 道资源和B公司的行业经验,xxx实业发展公司将快速形成行业竞争力,通过3-5年的发展,成为区域内行业龙头,带动并促进全行业的发展。 xxx实业发展公司计划总投资18738.37万元,其中:固定资产投 资13847.08万元,占总投资的73.90%;流动资金4891.29万元,占总投资的26.10%。 根据规划,xxx实业发展公司正常经营年份可实现营业收入43589.00万元,总成本费用33777.80万元,税金及附加391.79万元,

利润总额9811.20万元,利税总额11556.26万元,税后净利润7358.40万元,纳税总额4197.86万元,投资利润率52.36%,投资利税率61.67%,投资回报率39.27%,全部投资回收期4.05年,提供就业职位795个。 集成电路产业链大致可以分为三个环节:芯片设计、晶圆制造和封装测试。封装基板属于封装材料,是集成电路产业链封测环节的关键载体,不仅为芯片提供支撑、散热和保护作用,同时为芯片与PCB之间提供电子连接,甚至可埋入无源、有源器件以实现一定系统功能。封装材料中封装基板占比46%左右,是集成电路产业链中的关键配套材料。

微电子封装技术及发展探析

微电子封装技术及发展探析 摘要近年来,随着科学技术的不断进步与发展,集成电路的广泛使用使得我国工业的飞跃发展成为现实和可能,受此影响,集成电路产业也成为可我国国民经济长期可持续发展的关键。在集成电路产业之中,微电子封装技术的高低将直接决定整个集成电路的电性能、机械性能、光性能和热性能的优劣,在这样的情况下,对微电子封装技术及其发展进行分析和探讨就变得十分有必要了。基于此,本文从微电子封装技术的发展历程、现状出发,就现阶段我国微电子封装技术的特点及其未来的发展趋势进行了探析。 关键词微电子;封装技术;发展探析 在电子信息技术不断发展的当下,微型化、多功能化、高性能化逐步成为电子产品未来发展的基本要求,而为了更好地实现上述目的、确保电子产品能够正常使用,就离不开微电子封装技术对其提供相应的支持。目前,我国常用的微电子封装技术主要有倒装芯片技术、芯片规模封装等,不同的封装技术有不同的应用范围,只有在明确不同封装技术的特点的基础上,才能保证对大限度地发挥不同封装技术的优势和作用。下面,本文将就微电子封装技术及其发展进行详细阐述。 1 微电子封装技术常见分类及特点 1.1 BGA封装技术 BGA封装技术诞生于20世纪90年代,其中文全称为焊球阵列封装技术,由于已经有了较长的发展历程,因而在目前的应用实践中有着较高的技术成熟度,通过球柱形焊点阵列进行I/O端与基板的封装是其主要的封装原理。相较于其他常见微电子封装技术,BGA封装技术的主要优势在于阵列密度高、组装成品率高。在塑料焊球阵列、陶瓷焊球阵列、金属焊球阵列等多种BGA封装技术中,装芯片焊球阵列封装将是未来BGA技术的主要发展方向[1]。 1.2 3D封装技术 3D封装技术是伴随着移动互联网的发展而逐渐兴起的,目前主要应用于手持设备的高密度立体式组装之中,是同时满足多个芯片组立体式封装需求的有效途径。在现阶段市面上常见的各种封装技术中,3D封装技术具备的主要技术优势在于功能性丰富、封装密度高、电性能热性能突出。 1.3 表面封装技术 钎焊技术是目前使用最广的一种微电子表面封装技术,根据具体的衔接需要,将需要衔接的物体表面的电子元件与指定的焊盘进行钎焊,使原件与焊盘之间产生电路功能是钎焊技术的主要封装原理。此种焊接方式下,原件与焊盘的连

封装基板技术的发展

封装基板技术的发展 芯片封装基板是印刷电路板中一个特殊的类别。它提供给先进芯片封装,例如BGA,CSP和倒装芯片使用.它的尺寸较小。通常在3、4厘米或更小。它要求在较小的区域具有较高的布线密度,以便将芯片上的所有引线脚通过金线键合或倒装芯片技术连接到封装基板上的焊盘上。制成封装体,再通过封装体上焊点连接到系统组装基板上。对用倒装芯片互连的封装体,在芯片正下方封装基板局部地区往往要求极高的布线密度。芯片封装基板都采用层积技术制造。 集成电路正在发生巨大变革。它对电子封装和印刷电路板正在产生重大影响。近几年来,集成电路芯片制造技术已进入纳米范围,并正在向物理”极限”挑战。集成电路的集成度越来越高。功能越来越强,所需引线脚数越来越多。集成电路的这种快步发展使得集成电路芯片封装基板面临着巨大的挑战。相对于半导体集成电路技术的发展,印刷电路板技术的发展却显得相对落后。两者的差距甚至在扩大。二十年来刻线能力的进展。印刷电路板工业没能跟上半导体工业的步伐。集成电路功能增强,使得管脚引线增多。在八十中叶,IBM(美国)就展示了具有10,000个焊盘的芯片。传统的周边引线封装型式已变得不可能。解决办法则是从周边引线封装型式转变为面阵列分布型封装型式。球栅阵列封装,芯片规模封装和倒装芯片等面阵列型芯片封装型式的采用和发展使得电子系统高性能化和微型化。特别是

倒装芯片技术将是下一代新型高性能电子系统内,芯片至次一级封装内连的最关键的技术。然而在设计和制造安装这些芯片的基板方面却遇到了巨大的困难。常规的印刷电路板技术包括单层板和多层板都不能满足这些新型封装的布线要求。在这种先进封装需求驱动下而发展起来的高密度互连封装基板技术已经成为了所有高端电子产品和移动电子产品,包括移动手机,笔记本电脑,游戏机,工作站,直至航天航空仪器所必需的基本技术。多年来INEMI,SIA,ITRS,IPC等学会组织了大量的学者和专家进行了长期调研,预测了今后十数年内半导体集成电路技术发展趋势和半导体工业的需求。表一展示了由ITRS发布的2005至2010年间微电子技术发展和对高端产品对倒装芯片技术的需求。可以看到在今后四至五年内,倒装芯片的引线脚将增加到4600至4800个,引线脚中心间距将减小到100微米。假设焊盘尺寸为中心间距的一半(50微米),为在此间距内布入二至三根金属导线,则线宽和线距必需在10微米或更细.即使布入一根线,线宽和线距也必需小于16、17微米。目前最先进的印刷电路板技术约在20、30微米,与这要求还有相当大的差距。 印刷电路技术今后将继续提高布线密度,制造更薄更小的

集成电路芯片封装技术

集成电路芯片封装技术(书) 第1章 1、封装定义:(狭义)利用膜技术及细微加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置、 粘帖固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构 成整体立体结构的工艺 (广义)将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程 2、集成电路的工艺流程:芯片设计(上)芯片制造(中)封装测试(占50%)(下)(填空) 3、芯片封装实现的功能:传递电能传递电路信号提供散热途径结构保护与支持 4、封装工程的技术层次(论述题):P4图 晶圆Wafer -> 第零层次Die/Chip -> 第一层次Module -> 第二层次Card ->第三层次Board -> 第四层次Gate 第一层次该层次又称芯片层次的封装,是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定、电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层组装进行链接的模块 第二层次将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电路卡的工艺 第三层次将数个第二层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板上使之成为一个部件或子系统的工艺 第四层次将数个子系统组装成为一个完整电子产品的工艺过程 5、封装的分类与特点: 按照封装中组合集成电路芯片的数目——单芯片封装(SCP)多芯片封装(MCP) 按照密封材料——高分子材料封装陶瓷材料封装 按照器件与电路板互连方式——引脚插入型(PTH)表面贴装型(SMT) 6、DCA(名词解释):芯片直接粘贴,即舍弃有引脚架的第一层次封装,直接将IC芯片粘贴到基板上再进行电路互连 7、TSV硅通孔互连封装 HIC混合集成电路封装 DIP双列直插式引线封装

微电子封装必备答案

微电子封装答案 微电子封装 第一章绪论 1、微电子封装技术的发展特点是什么?发展趋势怎样?(P8、9页) 答:特点: (1)微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展,引脚由四边引出向面阵排列发展。 (2)微电子封装向表面安装式封装发展,以适合表面安装技术。 (3)从陶瓷封装向塑料封装发展。 (4)从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。 发展趋势: (1)微电子封装具有的I/O引脚数将更多。 (2)微电子封装应具有更高的电性能和热性能。 (3)微电子封装将更轻、更薄、更小。 (4)微电子封装将更便于安装、使用和返修。 (5)微电子封装的可靠性会更高。 (6)微电子封装的性能价格比会更高,而成本却更低,达到物美价廉。 2、微电子封装可以分为哪三个层次(级别)?并简单说明其内容。(P15~18页)答:(1)一级微电子封装技术 把IC芯片封装起来,同时用芯片互连技术连接起来,成为电子元器件或组件。 (2)二级微电子封装技术 这一级封装技术实际上是组装。将上一级各种类型的电子元器件安装到基板上。 (3)三级微电子封装技术 由二级组装的各个插板安装在一个更大的母板上构成,是一种立体组装技术。 3、微电子封装有哪些功能?(P19页) 答:1、电源分配2、信号分配3、散热通道4、机械支撑5、环境保护 4、芯片粘接方法分为哪几类?粘接的介质有何不同(成分)?。(P12页) 答:(1)Au-Si合金共熔法(共晶型) 成分:芯片背面淀积Au层,基板上也要有金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。 (2)Pb-Sn合金片焊接法(点锡型) 成分:芯片背面用Au层或Ni层均可,基板导体除Au、Pd-Ag外,也可用Cu (3)导电胶粘接法(点浆型) 成分:导电胶(含银而具有良好导热、导电性能的环氧树脂。) (4)有机树脂基粘接法(点胶型) 成分:有机树脂基(低应力且要必须去除α粒子) 5、简述共晶型芯片固晶机(粘片机)主要组成部分及其功能。 答:系统组成部分: 1 机械传动系统 2 运动控制系统 3 图像识别(PR)系统 4 气动/真空系统 5 温控系统 6、和共晶型相比,点浆型芯片固晶机(粘片机)在各组成部分及其功能的主要不同在哪里?答: 名词解释:取晶、固晶、焊线、塑封、冲筋、点胶

芯片封装的主要步骤

芯片封装的主要步骤 板上芯片(Chip On Board, COB)工艺过程首先是在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放点,然后将硅片直接安放在基底表面,热处理至硅片牢固地固定在基底为止,随后再用丝焊的方法在硅片和基底之间直接建立电气连接。 裸芯片技术主要有两种形式:一种是COB技术,另一种是倒装片技术(Flip Chip)。板上芯片封装(COB),半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。 COB主要的焊接方法: (1)热压焊 利用加热和加压力使金属丝与焊区压焊在一起。其原理是通过加热和加压力,使焊区(如AI)发生塑性形变同时破坏压焊界面上的氧化层,从而使原子间产生吸引力达到“键合”的目的,此外,两金属界面不平整加热加压时可使上下的金属相互镶嵌。此技术一般用为玻璃板上芯片COG。 (2)超声焊 超声焊是利用超声波发生器产生的能量,通过换能器在超高频的磁场感应下,迅速伸缩产生弹性振动,使劈刀相应振动,同时在劈刀上施加一定的压力,于是劈刀在这两种力的共同作用下,带动AI丝在被焊区的金属化层如(AI膜)表面迅速摩擦,使AI丝和AI膜表面产生塑性变形,这种形变也破坏了AI层界面的氧化层,使两个纯净的金属表面紧密接触达到原子间的结合,从而形成焊接。主要焊接材料为铝线焊头,一般为楔形。 (3)金丝焊 球焊在引线键合中是最具代表性的焊接技术,因为现在的半导体封装二、三极管封装都采用AU线球焊。而且它操作方便、灵活、焊点牢固(直径为25UM的AU丝的焊接强度一般为0.07~0.09N/点),又无方向性,焊接速度可高达15点/秒以上。金丝焊也叫热(压)(超)声焊主要键合材料为金(AU)线焊头为球形故为球焊。 COB封装流程 第一步:扩晶。采用扩张机将厂商提供的整张LED晶片薄膜均匀扩张,使附着在薄膜表面紧密排列的LED晶粒拉开,便于刺晶。 第二步:背胶。将扩好晶的扩晶环放在已刮好银浆层的背胶机面上,背上银浆。点银浆。

半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)

半导体集成电路封装技术试题汇总 第一章集成电路芯片封装技术 1. (P1)封装概念:狭义:集成电路芯片封装是利用(膜技术)及(微细加工技术),将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体结构的工艺。 广义:将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程。 2.集成电路封装的目的:在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响,并为之提供一个良好的工作条件,以使集成电路具有稳定、正常的功能。 3.芯片封装所实现的功能:①传递电能,②传递电路信号,③提供散热途径,④结构保护与支持。 4.在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数:性能,尺寸,重量,可靠性和成本目标。 5.封装工程的技术的技术层次? 第一层次,又称为芯片层次的封装,是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。第二层次,将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。第三层次,将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。第四层次,将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。 6.封装的分类?

按照封装中组合集成电路芯片的数目,芯片封装可分为:单芯片封装与多芯片封装两大类,按照密封的材料区分,可分为高分子材料和陶瓷为主的种类,按照器件与电路板互连方式,封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。依据引脚分布形态区分,封装元器件有单边引脚,双边引脚,四边引脚,底部引脚四种。常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装,双边引脚元器件有双列式封装小型化封装,四边引脚有四边扁平封装,底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。 7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子 8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面? 1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多 对封装的要求:1小型化2适应高发热3集成度提高,同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性 9.有关名词: SIP :单列式封装 SQP:小型化封装 MCP:金属鑵式封装 DIP:双列式封装 CSP:芯片尺寸封装 QFP:四边扁平封装 PGA:点阵式封装 BGA:球栅阵列式封装 LCCC:无引线陶瓷芯片载体 第二章封装工艺流程 1.封装工艺流程一般可以分为两个部分,用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作,在成型之后的工艺步骤成为后段操作

集成电路封装工艺

集成电路封装工艺 摘要 集成电路封装的目的,在于保护芯片不受或少受外界环境的影响,并为之提供一个发挥集成电路芯片功能的良好环境,以使之稳定,可靠,正常的完成电路功能.但是集成电路芯片封装只能限制而不能提高芯片的功能. 关键词: 电子封装封装类型封装技术器件失效 Integrated Circuit Packaging Process Abstract The purpose of IC package, is to protect the chip from the outside or less environmental impa ct, and provide a functional integrated circuit chip to play a good environment to make it stable an d reliable, the completion of the normal circuit functions. However, IC chip package and not only restricted to enhance the function of the chip. 引言 电子封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序,是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。按目前国际上流行的看法认为,在微电子器件的总体成本中,设计占了三分之一,芯片生产占了三分之一,而封装和测试也占了三分之一,真可谓三分天下有其一。封装研究在全球范围的发展是如此迅猛,而它所面临的挑战和机遇也是自电子产品问世以来所从未遇到过的;封装所涉及的问题之多之广,也是其它许多领域中少见的,它需要从材料到工艺、从无机到聚合物、从大型生产设备到计算力学等等许许多多似乎毫不关连的专家的协同努力,是一门综合性非常强的新型高科技学科。 1.电子封装 什么是电子封装(electronic packaging)? 封装最初的定义是:保护电路芯片免受周围环境的影响(包括物理、化学的影响)。所以,在最初的微电子封装中,是用金属罐(metal can) 作为外壳,用与外界完全隔离的、气密的方法,来保护脆弱的电子元件。但是,随着集成电路技术的发展,尤其是芯片钝化层技术的不断改进,封装的功能也在慢慢异化。通常认为,封装主要有四大功能,即功率分配、信号分配、散热及包装保护,它的作用是从集成电路器件到系统之间的连接,包括电学连接和物理连接。目前,集成电路芯片的I/O线越来越多,它们的电源供应和信号传送都是要通过封装来实现与系统的连接;芯片的速度越来越快,功率也越来越大,使得芯片的散热问题日趋严重;由于芯片钝化层质量的提高,封装用以保护电路功能的作用其重要性正在下降。 2.部分封装的介绍 金属封装是半导体器件封装的最原始的形式,它将分立器件或集成电路置于一个金属容器中,用镍作封盖并镀上金。金属圆形外壳采用由可伐合金材料冲制成的金属底座,借助封接玻璃,在氮气保护气氛下将可伐合金引线按照规定的布线方式熔装在金属底座上,经过引线端头的切平和磨光后,再镀镍、金等惰性金属给与保护。在底座中心进行芯片安装和在

集成电路芯片封装技术试卷

《微电子封装技术》试卷 一、填空题(每空2分,共40分) 1.狭义的集成电路芯片封装是指利用精细加工技术及,将芯片及其它要素在框架或基板上,经过布置、粘贴及固定等形成整体立体结构的工艺。 2.通常情况下,厚膜浆料的制备开始于粉末状的物质,为了确保厚膜浆料达到规定的要求,可用颗粒、固体粉末百分比含量、三个参数来表征厚膜浆料。 3.利用厚膜技术可以制作厚膜电阻,其工艺为将玻璃颗粒与颗粒相混合,然后在足够的温度/时间下进行烧结以使两者烧结在一起。 4.芯片封装常用的材料包括金属、陶瓷、玻璃、高分子等,其中封装能提供最好的封装气密性。 5.塑料封装的成型技术包括喷射成型技术、、预成型技术。 6.常见的电路板包括硬式印制电路板、、金属夹层电路板、射出成型电路板四种类型。 7. 在元器件与电路板完成焊接后,电路板表面会存在一些污染,包括非极性/非离子污染、、离子污染、不溶解/粒状污染4大类。 8. 陶瓷封装最常用的材料是氧化铝,用于陶瓷封装的无机浆料一般在其中添加玻璃粉,其目的是调整氧化铝的介电系数、,降低烧结温度。 9. 转移铸膜为塑料封装最常使用的密封工艺技术,在实施此工艺过程中最常发生的封装缺陷是现象。 10. 芯片完成封装后要进行检测,一般情况下要进行质量和两方面的检测。 11. BGA封装的最大优点是可最大限度地节约基板上的空间,BGA可分为四种类型:塑料球栅阵列、、陶瓷圆柱栅格阵列、载带球栅阵列。 12. 为了获得最佳的共晶贴装,通常在IC芯片背面镀上一层金的薄膜或在基板的芯片承载架上先植入。 13. 常见的芯片互连技术包括载带自动键合、、倒装芯片键合三种。 14. 用于制造薄膜的技术包括蒸发、溅射、电镀、。 15. 厚膜制造工艺包括丝网印刷、干燥、烧结,厚膜浆料的组分包括可挥发性组分和不挥发性组分,其中实施厚膜浆料干燥工艺的目的是去除浆料中的绝大部分。 16. 根据封装元器件的引脚分布形态,可将封装元器件分为单边引脚、双边引脚、与底部引脚四种。 17. 载带自动键合与倒装芯片键合共同的关键技术是芯片的制作工艺,这些工艺包括蒸发/溅射、电镀、置球、化学镀、激光法、移植法、叠层制作法等。 18. 厚膜浆料必须具备的两个特性,一是用于丝网印刷的浆料为具有非牛顿流变能力的粘性流体;二是由两种不同的多组分相组成,即和载体相。 19. 烧结为陶瓷基板成型的关键步骤,在烧结过程中,最常发生的现象为生胚片的现

集成电路芯片封装技术复习题

¥ 一、填空题 1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置,粘贴固定以及连接,引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上,将封装体与装配成完整的系统或者设备,这个过程称之为广义封装。 2、芯片封装所实现的功能有传递电能;传递电路信号;提供散热途径;结构保护与支持。 3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。 4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。 5、金属凸点制作工艺中,多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。 6、成型技术有多种,包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。 ' 7、在焊接材料中,形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料;用于去除焊盘表面氧化物,提高可焊性的物质叫做助焊剂;在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。 8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。 9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、

光刻工艺。 10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件(Module)、电路卡工艺(Card)、主电路板(Board)、完整电子产品。 11、在芯片的减薄过程中,主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。 12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。 ^ 13、DBG切割方法进行芯片处理时,首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。 14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术,制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。 15、芯片的表面组装过程中,焊料的涂覆方法有点涂、 丝网印刷、钢模板印刷三种。 16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。 二、名词解释 1、芯片的引线键合技术(3种) ] 是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连,包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。 2、陶瓷封装

微电子封装技术作业(一)

第一次作业 1 写出下列缩写的英文全称和中文名称 DIP: Double In-line Package, 双列直插式组装 BGA: ball grid array, 球状矩阵排列 QFP: Quad flat Pack, 四方扁平排列 WLP: Wafer Level Package, 晶圆级封装 CSP: Chip Scale Package, 芯片级封装 LGA: Land grid array, 焊盘网格阵列 PLCC: Plastic Leaded Chip Carrier, 塑料芯片载体 SOP: Standard Operation Procedure, 标准操作程序 PGA: pin grid array, 引脚阵列封装 MCM: multiple chip module, 多片模块 SIP: System in a Package, 系统封装 COB: Chip on Board, 板上芯片 DCA: Direct Chip Attach, 芯片直接贴装,同COB MEMS: Micro-electromechanical Systems, 微电子机械系统 2 简述芯片封装实现的四种主要功能,除此之外LED封装功能。 芯片功能 (1)信号分配;(2)电源分配;(3)热耗散:使结温处于控制范围之内;(4)防护:对器件的芯片和互连进行机械、电磁、化学等方面的防护 LED器件 (2)LED器件:光转化、取光和一次配光。 3 微电子封装技术的划分层次和各层次得到的相应封装产品类别。 微电子封装技术的技术层次 第一层次:零级封装-芯片互连级(CLP) 第二层次:一级封装SCM 与MCM(Single/Multi Chip Module) 第三层次:二级封装组装成SubsystemCOB(Chip on Board)和元器件安装在基板上 第三层次:三级微电子封装,电子整机系统构建 相对应的产品如图(1)所示:

芯片封装种类

1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为 31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP(quad flat package with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 4、C-(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8 到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad 表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1. 5~2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。 7、CLCC(ceramic leaded chip carrier) 带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。 8、COB(chip on board) 板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。 9、DFP(dual flat package) 双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。10、DIC(dual in-line ceramic package) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP). 11、DIL(dual in-line)

封装技术发展趋势

微电子封装技术发展趋势 电子产品正朝着便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展,这种市场需求对电路组装技术提出了相应的要求,单位体积信息的提高(高密度)和单位时间处理速度的提高(高速化)成为促进微电子封装技术发展的重要因素。 片式元件:小型化、高性能 片式元件是应用最早、产量最大的表面组装元件。它主要有以厚薄膜工艺制造的片式电阻器和以多层厚膜共烧工艺制造的片式独石电容器,这是开发和应用最早和最广泛的片式元件。 随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求,对电子电路性能不断地提出新的要求,片式元件进一步向小型化、多层化、大容量化、耐高压、集成化和高性能化方向发展。在铝电解电容和钽电解电容片式化后,现在高Q 值、耐高温、低失真的高性能MLCC已投放市场;介质厚度为10um的电容器已商品化,层数高达100层之多;出现了片式多层压敏和热敏电阻,片式多层电感器,片式多层扼流线圈,片式多层变压器和各种片式多层复合元件;在小型化方面,规格尺寸从3216→2125→1608→1005发展,目前最新出现的是0603(长0.6mm,宽0.3mm),体积缩小为原来的0.88%。 集成化是片式元件未来的另一个发展趋势,它能减少组装焊点数目和提高组装密度,集成化的元件可使Si效率(芯片面积/基板面积)达到80%以上,并能有效地提高电路性能。由于不在电路板上安装大量的分立元件,从而可极大地解决焊点失效引起的问题。 芯片封装技术:追随IC的发展而发展 数十年来,芯片封装技术一直追随着IC的发展而发展,一代IC就有相应一代的封装技术相配合,而SMT的发展,更加促进芯片封装技术不断达到新的水平。 六七十年代的中、小规模IC,曾大量使用TO型封装,后来又开发出DIP、PDIP,并成为这个时期的主导产品形式。八十年代出现了SMT,相应的IC封装形式开发出适于表面贴装短引线或无引线的LCCC、PLCC、SOP等结构。在此基础上,经十多年研制开发的QFP 不但解决了LSI的封装问题,而且适于使用SMT在PCB或其他基板上表面贴装,使QFP终于成为SMT主导电子产品并延续至今。为了适应电路组装密度的进一步提高,QFP的引脚间距目前已从1.27mm发展到了0.3mm 。由于引脚间距不断缩小,I/O数不断增加,封装体积也不断加

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