东北大学材料科学基础(826)名词解释
东北大学材料科学基础（826）名词解释
1、晶体[2008年]
原子按一定方式在三维空间内周期性地规则重复排列，有固定熔点、各向异性。
2、中间相
两组元A和B组成合金时，除了形成以A为基或以B为基的固溶体外，还可能形成晶体结构与A，B两组元均不相同的新相。由于它们在二元相图上的位置总是位于中间，故通常把这些相称为中间相。
3、亚稳相
亚稳相指的是热力学上不能稳定存在，但在快速冷却或加热过程中，由于热力学能垒或动力学的因素造成其未能转变为稳定相而暂时稳定存在的一种相。
4、配位数
晶体结构中任一原子周围最近邻且等距离的原子数。
5、再结晶[2002年、2003年、2004年、2006年B]
冷变形后的金属加热到一定温度之后，在原变形组织中重新产生了无畸变的新晶粒，而性能也发生了明显的变化并恢复到变形前的状态，这个过程称为再结晶。（指出现无畸变的等轴新晶粒逐步取代变形晶粒的过程）
6、伪共晶[2006年A]
非平衡凝固条件下，某些亚共晶或过共晶成分的合金也能得到全部的共晶组织，这种由非共晶成分的合金得到的共晶组织称为伪共晶。7、交滑移
当某一螺型位错在原滑移面上运动受阻时，有可能从原滑移面转移到与之相交的另一滑移面上去继续滑移，这一过程称为交滑移。
8、过时效
铝合金经固溶处理后，在加热保温过程中将先后析出GP区，θ″，θ′，和θ。在开始保温阶段，随保温时间延长，硬度强度上升，当保温时间过长，将析出θ′，这时材料的硬度强度将下降，这种现象称为过时效。
9、形变强化
金属经冷塑性变形后，其强度和硬度上升，塑性和韧性下降，这种现象称为形变强化。
10、固溶强化
由于合金元素（杂质）的加入，导致的以金属为基体的合金的强度得到加强的现象。
11、弥散强化
许多材料由两相或多相构成，如果其中一相为细小的颗粒并弥散分布在材料内，则这种材料的强度往往会增加，称为弥散强化。
12、不全位错[2014年]
柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。
13、扩展位错[2007年]
通常指一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错形态。
14、螺型位错
位错线附近的原子按螺旋形排列的位错称为螺型位错。
15、包晶转变
在二元相图中，包晶转变就是已结晶的固相与剩余液相反应形成另一固相的恒温转变。
16、共晶转变
由一个液相生成两个不同固相的转变。
17、共析转变
由一种固相分解得到其他两个不同固相的转变。
18、上坡扩散[2006年A]
溶质原子从低浓度向高浓度处扩散的过程称为上坡扩散。表明扩散的驱动力是化学位梯度而非浓度梯度。
19、间隙扩散
这是原子扩散的一种机制，对于间隙原子来说，由于其尺寸较小，处于晶格间隙中，在扩散时，间隙原子从一个间隙位置跳到相邻的另一个间隙位置，形成原子的移动。
20、成分过冷[2003年、2005年、2006年B]
界面前沿液体中的实际温度低于由溶质分布所决定的凝固温度时产生的过冷。
21、一级相变
凡新旧两相的化学位相等，化学位的一阶偏导数不相等的相变。
22、二级相变：
从相变热力学上讲，相变前后两相的自由能（焓）相等，自由能（焓）的一阶偏导数相等，但二阶偏导数不等的相变称为二级相变，如磁性转变，有序-无序转变，常导-超导转变等。
23、共格相界
如果两相界面上的所有原子均成一一对应的完全匹配关系,即界面上的原子同时处于两相晶格的结点上,为相邻两晶体所共有,这种相界就称为共格相界。
24、调幅分解
过饱和固溶体在一定温度下分解成结构相同、成分不同的两个相的过程。
25、回火脆性
淬火钢在回火过程中，一般情况下随回火温度的提高，其塑性、韧性提高，但在特定的回火温度范围内，反而形成韧性下降的现象称为回火脆性。对于钢铁材料存在第一类和第二类回火脆性。它们的温度范围、影响因素和特征不同。
26、再结晶退火
所谓再结晶退火工艺，一般是指将冷变形后的金属加热到再结晶温度以上，保温一段时间后，缓慢冷却至室温的过程。
27、回火索氏体
淬火刚在加热到400-600℃温度回火后形成的回火组织，其由等轴状的铁素体和细小的颗粒状（蠕虫状）渗碳体构成。
28、有序固溶体
当一种组元溶解在另一组元中时，各组元原子分别占据各自的布拉维点阵的一种固溶体，形成一种各组元原子有序排列的固溶体，溶质在晶格完全有序排列。
29、非均匀形核[2009年]
新相优先在母相中存在的异质处形核，即依附于液相中的杂质或外来表面形核。
30、马氏体相变
钢加热至奥氏体后快速淬火所形成的高硬度的针片状组织的相变过程。
31、贝氏体相变
钢在珠光体转变温度以下，马氏体转变温度以上范围内（550℃-230℃）的转变称为贝氏体转变。
32、铝合金的时效
经淬火后的铝合金强度、硬度随时间延长而发生显著提高的现象称之为时效，也称铝合金的时效。
33、热弹性马氏体
马氏体相变造成弹性应变，而当外加弹性变性后可以使马氏体相变产生逆转变，这种马氏体称为热弹性马氏体。或马氏体相变由弹性变性来协调。这种马氏体称为热弹性马氏体。
34、柯肯达尔效应[2006年B、2013年]
反映了置换原子的扩散机制，两个纯组元构成扩散偶，在扩散的过程中，界面将向扩散速率快的组元一侧移动。
35、热弹性马氏体相变
当马氏体相变的形状变化是通过弹性变形来协调时，称为热弹性马氏体相变。
36、非晶体
原子没有长程的周期排列，无固定的熔点，各向同性等。
37、致密度
晶体结构中原子体积占总体积的百分数。
38、多滑移
当外力在几个滑移系上的分切应力相等并同时达到了临界分切应力时，产生同时滑移的现象。
39、过冷度[2009年]
相变过程中冷却到相变点以下某个温度后发生转变，平衡相变温度与该实际转变温度之差称过冷度。40、间隙相[2005年、2008年]
当非金属（X）和金属（M）原子半径的比值rX/rM<0.59时，形成的具有简单晶体结构的相，称为间隙相。
41、全位错
把柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错称为全位错。
42、滑移系
晶体中一个滑移面及该面上一个滑移方向的组合称一个滑移系。
43、离异共晶[2013年]
共晶体中的α相依附于初生α相生长，将共晶体中另一相β推到最后凝固的晶界处，从而使共晶体两组成相的相间组织特点消失，这种两相分离的共晶体称为离异共晶。
44、均匀形核
新相晶核是在母相中存在均匀地生长的，即晶核由液相中的一些原子团直接形成，不受杂质粒子或外表面的影响。
45、刃型位错
晶体中的某一晶面，在其上半部有多余的半排原子面，好像一把刀刃插入晶体中，使这一晶面上下两部分晶体之间产生了原子错排，称为刃型位错。
46、细晶强化
晶粒愈细小，晶界总长度愈长，对位错滑移的阻碍愈大，材料的屈服强度愈高。晶粒细化导致晶界的增加，位错的滑移受阻，因此提高了材料的强度。
47、双交滑移
如果交滑移后的位错再转回和原滑移面平行的滑移面上继续运动，则称为双交滑移。
48、单位位错
把柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错称为单位位错。
49、反应扩散[2005年、2008年、2010年]
伴随有化学反应而形成新相的扩散称为反应扩散。
50、晶界偏聚
由于晶内与晶界上的畸变能差别或由于空位的存在使得溶质原子或杂质原子在晶界上富集的现象。
51、柯氏气团
通常把溶质原子与位错交互作用后，在位错周围偏聚的现象称为气团，是由柯垂尔首先提出，又称柯氏气团。
52、形变织构[2014年]
多晶体形变过程中出现的晶体学取向择优的现象叫形变织构。53、点阵畸变
在局部范围内，原子偏离其正常的点阵平衡位置，造成点阵畸变。
54、稳态扩散
在稳态扩散过程中，扩散组元的浓度只随距离变化，而不随时间变化。
55、包析反应
由两个固相反应得到一个固相的过程称为包析反应。
56、非共格晶界
当两相在相界处的原子排列相差很大时，即错配度δ很大时形成非共格晶界。同大角度晶界相似，可看成由原子不规则排列的很薄的过渡层构成。
57、置换固溶体
当溶质原子溶入溶剂中形成固溶体时，溶质原子占据溶剂点阵的阵点，或者说溶质原子置换了溶剂点阵的部分溶剂原子，这种固溶体就称为置换固溶体。58、间隙固溶体
溶质原子分布于溶剂晶格间隙而形成的固溶体称为间隙固溶体。
59、二次再结晶[2012年]
再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。
60、伪共析转变[2009年]
非平衡转变过程中，处在共析成分点附近的亚共析、过共析合金，转变终了组织全部呈共析组织形态。
61、肖脱基空位
在个体晶体中，当某一原子具有足够大的振动能而使振幅增大到一定程度时，就可能克服周围原子对它的制约作用，跳离其原来位置，迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置上而使晶体内部留下空位，称为肖脱基空位。
62、弗兰克尔空位
离开平衡位置的原子挤入点阵中的间隙位置，而在晶体中同时形成相等数目的空位和间隙原子。
63、非稳态扩散
扩散组元的浓度不仅随距离x变化，也随时间变化的扩散称为非稳态扩散。
64、时效
过饱和固溶体后续在室温或高于室温的溶质原子脱溶过程。
65、回复
指新的无畸变晶粒出现之前所产生的亚结构和性能变化的阶段。
66、相律[2010年]
相律给出了平衡状态下体系中存在的相数与组元数及温度、压力之间的关系，可表示为：
f=C+P-2,f为体系的自由度数，C为体系的组元数，P为相数。
67、合金
两种或两种以上的金属或金属与非金属经熔炼、烧结或其他方法组合而成并具有金属特性的物质。
68、孪晶
孪晶是指两个晶体（或一个晶体的两部分）沿一个公共晶面构成镜面对称的位向关系，这两个晶体就称为孪晶，此公共晶面就称孪晶面。
69、相图
描述各相平衡存在条件或共存关系的图解，也可称为平衡时热力学参量的几何轨迹。
70、孪生[2010年]
晶体受力后，以产生孪晶的方式进行的切变过程叫孪生。
71、晶界
晶界是成分结构相同的同种晶粒间的界面。
72、晶胞
在点阵中取出一个具有代表性的基本单元（最小平行六面体）作为点阵的组成单元，称为晶胞。
73、位错
位错是晶体内的一种线缺陷，其特点是沿一条线方向原子有规律地发生错排；这种缺陷用一线方向和一个柏氏矢量共同描述。74、偏析
合金中化学成分的不均匀性。
75、金属键
自由电子与原子核之间静电作用产生的键合力。76、固溶体[2007年]
是以某一组元为溶剂，在其晶体点阵中溶入其他组元原子（溶剂原子）所形成的均匀混合的固态溶体，它保持溶剂的晶体结构类型。
77、亚晶粒
一个晶粒中若干个位相稍有差异的晶粒称为亚晶粒。
78、亚晶界
相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界。
79、晶界能
不论是小角度晶界还是大角度晶界，这里的原子或多或少地偏离了平衡位置，所以相对于晶体内部，晶界处于较高的能量状态，高出的那部分能量称为晶界能，或称晶界自由能。
80、表面能
表面原子处于不均匀的力场之中，所以其能量大大升高，高出的能量称为表面自由能（或表面能）。
81、界面能
界面上的原子处在断键状态，具有超额能量。平均在界面单位面积上的超额能量叫界面能。
82、淬透性
淬透性指合金淬成马氏体的能力，主要与临界冷速有关，大小用淬透层深度表示。
83、淬硬性
淬硬性指钢淬火后能达到的最高硬度，主要与钢的含碳量有关。
84、惯习面
固态相变时，新相往往在母相的一定晶面开始形成，这个晶面称为惯习面。
85、索氏体
中温段珠光体转变产物，由片状铁素体渗碳体组成，层片间距较小，片层较薄。
86、珠光体[2004年]
铁碳合金共析转变的产物，是共析铁素体和共析渗碳体的层片状混合物。
87、莱氏体
铁碳相图共晶转变的产物，是共晶奥氏体和共晶渗碳体的机械混合物。
88、柏氏矢量
描述位错特征的一个重要矢量，它集中反映了位错区域内畸变总量的大小和方向，也是位错扫过后晶体相对滑动的量。
89、空间点阵[2005年、2006年B]
指几何点在三维空间作周期性的规则排列所形成的三维阵列，是人为的对晶体结构的抽象。
90、范德华键
由瞬间偶极矩和诱导偶极矩产生的分子间引力所构成的物理键。
91、位错滑移
在一定应力作用下，位错线沿滑移面移动的位错运动。
92、异质形核
晶核在液态金属中依靠外来物质表面或在温度不均匀处择优形成。
93、结构起伏
液态结构的原子排列为长程无序，短程有序，并且短程有序原子团不是固定不变的，它是此消彼长，瞬息万变，尺寸不稳定的结构，这种现象称为结构起伏。94、重心法则
处于三相平衡的合金，其成分点必位于共轭三角形的重心位置。
95、应变时效
第一次拉伸后，再立即进行第二次拉伸，拉伸曲线上不出现屈服阶段。但第一次拉伸后的低碳钢试样在室温下放置一段时间后，再进行第二次拉伸，则拉伸曲线上又会出现屈服阶段。不过，再次屈服的强度要高于初次屈服的强度。这个试验现象就称为应变时效。
96、枝晶偏析
固溶体在非平衡冷却条件下，匀晶转变后新得的固溶体晶粒内部的成分是不均匀的，先结晶的内核含较多的高熔点的组元原子，后结晶的外缘含较多的低熔点的组元原子，而通常固溶体晶体以树枝晶方式长大，这样，枝干含高熔点组元较多，枝间含低熔点组元原子多，造成同一晶粒内部成分的不均匀现象。
97、临界变形度
给定温度下金属发生再结晶所需的最小预先冷变形量。
98、电子化合物[2013年]
电子化合物是指由主要电子浓度决定其晶体结构的一类化合物，又称休姆-罗塞里相。凡具有相同的电子浓度，则相的晶体结构类型相同。
99、同质异构体
化学组成相同由于热力学条件不同而形成的不同晶体结构。100、再结晶温度
形变金属在一定时间（一般1h）内刚好完成再结晶的最低温度。101、布拉菲点阵
除考虑晶胞外形外，还考虑阵点位置所构成的点阵。
102、配位多面体
原子或离子周围与它直接相邻结合的原子或离子的中心连线所构成的多面体，称为原子或离子的配位多面体。
103、施密特因子[2009年]
亦称取向因子，为cosΦcosλ,Φ为滑移面与外力F中心轴的夹角，λ为滑移方向与外力F的夹角。
104、拓扑密堆相
由两种大小不同的金属原子所构成的一类中间相，其中大小原子通过适当的配合构成空间利用率和配位数都很高的复杂结构。由于这类结构具有拓扑特征，故称这些相为拓扑密堆相。
105、间隙化合物
当非金属（X）和金属（M）原子半径的比值rX/rM>0.59时，形成具有复杂晶体结构的相，通常称为间隙化合物。
106、大角度晶界
多晶材料中各晶粒之间的晶界称为大角度晶界，即相邻晶粒的位相差大于10°的晶界。
107、小角度晶界[2014年]
相邻亚晶粒之间的位相差小于10°，这种亚晶粒间的晶界称为小角度晶界，一般小于2°，可分为倾斜晶界、扭转晶界、重合晶界等。
108、临界分切应力
滑移系开动所需的最小分切应力；它是一个定值，与材料本身性质有关，与外力取向无关。
109、复合强化[2001年、2002年]
复合强化一般认为是由于弥散强化、细晶强化和加工硬化的综合作用所致的强化。110、晶界偏析[2001年]
晶界结构比晶内松散，具有一定的表面效应，溶质原子处在晶内的能量比处在晶界的能量要高，所以溶质原子有自发向晶界偏聚的趋势，这就会发生晶界偏析。
111、应变疲劳[2001年]
在循环应力的作用下发生的断裂失效，就是所谓的材料应变疲劳。112、扩散激活能[2001年、2012年]
晶体中的原子进行扩散时不论按间隙机制还是空位机制进行，首先均需得到为克服能垒所必须的额外能量才能实现原子从一个平衡位置到另一个平衡位置的基本跃迁，这部分能量统称为扩散激活能，一般用Q表示。
113、相变增韧[2002年]
裂纹尖端附近由于应力集中而高于临界值时，裂纹尖端附近的粒子会因应力诱发而进行马氏体相变称为相变增韧。
114、断裂增韧[2002年]
材料抵抗裂纹扩展断裂的韧性性能称为断裂韧性。
115、扩散系数[2003年、2004年]
菲克第一扩散定律的比例常数D
o
称为扩散系数，单位m2/s。116、布里渊区[2003年]
能量不连续的点把K空间（一维就是K轴）分成许多区域，这些区域称作布里渊区。
117、位错割阶[2004年]
如果一段新产生出来的位错垂直于被交割本身位错的原滑移面，则称该位错产生了一个割阶。
118、连续脱溶[2005年]
连续脱溶指过饱和母相在连续脱溶过程中，往往在平衡脱溶相出
现之前会出现一个、两个或多个亚稳脱溶相，其典型的反应式为：α(C。)→α(C)+β′（亚稳相），新相通常以分散、孤立的小颗粒形核，然后向母相中生长。
119、晶带[2006年A、2008年、2009年、2011年]
平面（hkl）和[uvw]的总体称为一个晶带。
120、不连续脱溶[2006年A、2014年]
成分为C。的合金从T
1温度快冷至T
2
温度保温，会发生过饱和固
溶体的不连续脱溶。某脱溶产物为交替排列的α与β两相混合物，它们通常在母相α的晶界形核，然后呈胞状向相邻晶粒之一中长
大，不连续脱溶反应式为：α(C)→α′(C
α′)+β(C
β
)。
121、加工硬化[2006年A]
加工硬化的机理是指由于形变造成位错密度和组态的变化从而提高材料强度的作用。
122、共格界面[2006年B]
两相界面上，原子成一一对应的完全匹配，即界面上的原子同时处于两相晶格的节点上，为相邻两晶体所共有，这种相界称为共格界面。
123、点阵[2007年]
把原子（或离子、分子）抽象成结点，结点在空间规则周期的分布，这些点的总体称为空间点阵或点阵。
124、晶格摩擦力[2007年]
当位错运动时，中心区必须要通过一系列的能峰和能谷，位错线越过能峰时所需客服的阻力就是位错运动的晶格摩擦力，也称为P-N力。
125、同素异构形变[2007年]
同一物质的不同的晶体结构称为同素异形体。每一种同素异形体都是一个相，它们之间在一定条件下也将发生相互的转变，称为同素异形体转变。
126、相[2008年、2012年]
体系中具有相同的物理化学性质的均匀部分。
127、形状记忆效应[2008年、2010年]
形状记忆效应是指发生马氏体相变的合金形变后，被加热到终了温度以上，使低温的马氏体逆变为高温母相而回复到形变前固有形状，或在随后的冷却过程中通过内部弹性能的释放又返回到马氏体形状的现象。
128、热加工[2008年]
在金属学中，把高于金属再结晶温度的加工叫热加工。
129、层错[2009年]
如果由于某种原因使密排面的堆垛次序遭到破坏，使整个一层密排面上的原子都发生了错排，这种缺陷称为层错。
130、动态再结晶[2010年]
动态再结晶(dynamic recrystallization)，是指金属在热变形过程中发生的再结晶现象。
131、同素异形体[2010年]
同素异形体，是相同元素组成，不同形态的单质。同素异形体由于结构不同，彼此间物理性质有差异；但由于是同种元素形成的单质，所以化学性质相似。
132、脆性断裂[2011年]
脆性断裂（brittle fracture）构件未经明显的变形而发生的断裂。断裂时材料几乎没有发生过塑性变形。
133、蠕变[2011年]
固体材料在保持应力不变的条件下，应变随时间延长而增加的现
象。
134、短路扩散[2011年]
晶体中原子在表面、晶界、位错处的扩散速度比原子在晶内扩散的速度要快，因此称原子在表面、晶界、位错处的扩散为短路扩散。
135、上贝氏体[2011年]
在550～350℃范围内形成的贝氏体称为上贝氏体，金相组织呈羽毛状，脆性，硬度较高。500倍光学显微镜下基本能够识别清楚。136、临界形核功[2011年、2013年]
固态转变时，由于新相与母相的比容不
同，会产生应变能(ε)，在固-固相变时
起着重要作用。设晶胚是半径为r的球
形，则形成晶胚所引起系统自由能的变
化。△G=(-4/3)π(r^3)(△Gv+ε)+4π
(r^2)σ将上式中△G与r之间的函
数关系作图。
从图中可以看出，当△G v+ε<0时，△G曲线有极大值△G *，称为临界形核功；△G*所对应的r*称为临界晶核半径。137、点群（point group）[2012年]
晶体形态中，全部对称要素的组合称为该晶体形态的对称型或点群，在10种对称素的基础上组成的对称操作群。
138、超塑性[2012年]
超塑性是指材料在一定的内部条件和外部条件下，呈现出异常低的流变抗力、异常高的流变性能的现象。
139、空间群（space group）[2012年]
晶体内部结构中全部对称要素的集合称为“空间群”。具体地说是晶胞中全部对称要素的组合。
140、熟化[2014年]
在基料的配制中，树脂用溶剂兑稀或溶解，制成树脂液，在放置一段时间后，黏度逐渐下降最终才趋于稳定，这时，树脂液的透明度也有所改善，这种树脂液，最适于进一步加工，这个过程，称为熟化。
材料科学基础名词解释
第二章 1.定性描述晶体结构的参量有哪些？定量描述晶体结构的参量又有哪些？ 定性：对称轴、对称中心、晶系、点阵、晶胞定量：晶胞参数，晶向指数 1.依据结合力的本质不同，晶体的键合作用分为哪几类？其特点是什么？ 共价键、离子键、金属键、范德华键、氢键。 离子键：没有方向性和饱和性，结合力很大。 共价键：具有方向性和饱和性，结合力也很大，一般大于离子键。 金属键：没有方向性和饱和性的共价键，结合力是原子实和电子云之间的库仑力。 范德华键：是通过分子力而产生的键合，结合力很弱 氢键：是指氢原子与半径较小，电负性很大的原子相结合所形成的键。 2.等径球最紧密堆积的空隙有哪两种？一个球的周围有多少个四面体空隙、多少个八面体空隙？ 六方最密堆积、面心立方紧密堆积，8个四面体空隙，6个八面体空隙 3.n个等径球作最紧密堆积时可形成多少个四面体空隙、多少个八面体空隙？不等径球是如何进行堆积的？2n个四面体空隙，n个八面体空隙。 不等径球堆积时，较大球体作等径球的紧密堆积，较小的球填充在大球紧密堆积形成的空隙中。其中稍小的球体填充在四面体空隙，稍大的则填充在八面体空隙，如果更大，则会使堆积方式稍加改变，以产生较大的空隙满足填充的要求。 4.解释下列概念 晶体：是内部质点在三维空间有周期性和对称性排列的固体。 晶系：晶体根据其在晶体理想外形或综合宏观物理性质中呈现的特征对称元素可划分为立方、六方、三方、四方、正交、单斜、三斜等7类，是为7个晶系。（六三四立方，单三斜正交） 晶包：是从晶体取出反映其周期性和对称性的结构的最小重复单元。 晶胞参数：晶胞的形状和大小可以用6个参数来表示，此即晶胞参数，它们是三条棱边的长度a,b,c和三条棱边的夹角a,B,r. 空间点阵：空间点阵是一种表示晶体内部质点排列规律的几何图形。 米勒指数：是晶体的常数之一，是晶面在3个结晶轴上的截距系数的倒数比，当化为最简单的整数比后，所得出的3个整数称为该晶面的米勒指数。 离子晶体的晶格能：晶格能又叫点阵能。它是在OK时1mol离子化合物中的正、负离子从相互分离的气态结合成离子晶体时所放出的能量。 配位数：配位数是中心离子的重要特征。直接同中心离子(或原子)配位的原子数目叫中心离子(或原子)的配位数。 离子极化：离子极化指的是在离子化合物中，正、负离子的电子云分布在对方离子的电场作用下，发生变形的现象。离子极化能对金属化合物性质产生影响。主要表现为离子间距离缩短，离子配位数降低，同时变形电子云相互重合，使键性由离子键向共价键过渡，最终使晶体结构类型发生变化。 同质多晶和类质同晶：同质多晶是一种物质在不同热力学条件下形成两种或两种以上不同结构的现象，由此所产生的每一种化学组成相同但结构不同的晶体，称为变体。类质同晶：化学组成相似的物质，在相同的热力学条件下，形成的晶体具有相同的结构，这种结构称为类质同晶现象。 正尖晶石与反正尖晶石：在尖晶石结构中，如果A离子占据四面体空隙，B离子占据八面体空隙，则称为正尖晶石。反之，如果半数的B离子占据四面体空隙，A离子和另外半数的B离子占据八面体空隙，则称为反尖晶石。 铁电效应：有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。
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第一章晶体结构 1、晶体：物质的质点（分子、原子或离子）在三维空间作有规律的周期性重复排解（失稳分解）：处于热力学不稳定的固溶体自发地分解为两个结构与母相相同，成分不同的不均匀新相的过程。 5、贝茵畸变:通过沿晶轴膨胀、收缩的方法将一种晶体转变为另一种晶格的简单均匀畸变。 6、形变记忆效应：将一种具有热弹性转变的合金在M s点以下拉伸变形，卸载后应变并没有完全恢复，但如果将试样加热到奥氏体相区后，应变得到恢复，试样又回到原来的形状，合金的这种特性被称为形变记忆效应。 7、马氏体：C溶于a-Fe形成的过饱和固溶体，呈体心正方点阵。 第十部分其他 第一目 1、化学键：组成物质整体的质点（原子、分子或离子）间的相互作用力。 2、共价键：原子互相接近时，借共享电子对所产生的力结合. 3、离子键：两种离子靠静电引力结合. 4、金属键：金属正离子与自由电子之间静电作用产生的键合力。 5、范德华键：分子间，以微弱静电子相吸引，使之结合在一起。 6、布里渊区：能量不连续的点把k空间(一维就是k轴)分成许多区域，这些区域称为布里渊区。 第二目 7、晶界能：不论是小角度晶界或大角度晶界，这里的原子或多或少地偏离了平衡 位置，所以相对于晶体内部，晶界处于较高的能量状态，高出的那 部分能量称为晶界能，或称晶界自由能。 8、表面能：表面原子处于不均匀的力场之中，所以其能量大大升高，高出的能量 称为表面自由能（或表面能）。 9、界面能：界面上的原子处在断键状态，具有超额能量。平均在界面单位面积上 的超额能量叫界面能。 10、内吸附：由于界面能的存在，当晶体中存在能降低界面能的异类原子时，这 些原子将向晶界偏聚，这种象现叫内吸附。 第三目 11、长大线速度：单位时间内晶核生长的线长度叫作长大线速度G。 12、能量起伏：是指系统中各微小体积所具有的能量短暂偏离其平均能量的现象。 13、光滑界面：指在界面处固液两相是截然分开的，固相表面为基本完整的原子 密排面，所以从微观上看界面是光滑的。 14、粗糙界面：指在微固观上高低不平，存在厚度为几个原子间距的过渡层的液 固界面，这种界面在微观上是粗糙的。 15、非晶态金属：在特殊的冷却条件下，金属可能不经过结晶过程而凝固成保留 液态短程有序结构的金属 16、晶界偏析：第一种情况，两晶粒并行生长，因表面张力平衡要求，在晶界与 熔体交界处出现凹槽可深达10（-3）cm，此处可深达有利于溶质富 集，凝固后形成晶界偏析。另一种，两晶粒彼此对面生长，晶界彼 此相迂，晶界间富集大量溶质，造成晶界偏析 17、胞状偏析：当成分过冷小的时候，固溶体呈胞状方式生长。对K。<1的合金， 溶质富集于胞壁，对于K。>1的合金则溶质富集于胞中心。这种成 分不均匀现象称为胞状偏析 第四目 18、相图：就是表示物质的状态和温度、压力、成分之间的关系的简明图解。 19、组织：是指用肉眼或借助放大镜、显微镜观察到的材料微观形貌图像。它包 括相的种类、数量、尺寸、分布及聚集状态等信息 20、组织组成体：组织中具有一定组织特征的组成体称为组织组成体。 21、相律：是表示在平衡条件下，系统的自由度数、组元数和平衡相数之间的关 系式。 22、匀晶转变：由液相结晶出单相固溶体的过程被称为匀晶转变。 23、正常凝固：实际凝固过程中，固相中扩散几乎不能进行而液相中溶质可以通 过扩散、对流、搅拌，有不同程度的混合。这种凝固过程叫作正常 凝固 24、共晶转变：液相在恒温下同时结晶出两个固相的转变称为共晶转变 25、不平衡共晶体：合金在不平衡凝固时：由于固相线偏离平衡位置，不但冷到 固相在线凝固不能结束，甚至冷到共晶温度以下，还有少量液相残 留，最后这些液相转变为共晶体，形成所谓不平衡共晶组织 26、包晶转变：一个液相与一个固相在恒温下生成另一个固相的转变被称为包晶 转变。
东南大学考研材料科学基础108个重要知识点
东南大学---材料科学基础108个重要知识点 1.晶体-原子按一定方式在二维空间内周期性地规则重复排列，有固定熔点、各 向异性。 2.中间相-两组元A和B组成合金时，除了形成以A为基或以B为基的固溶体外，还可能形成晶体结构与A，B两组元均不相同的新相。由于它们在二元相图上的位置总是位于中间，故通常把这些相称为中间相。 3.亚稳相-亚稳相指的是热力学上不能稳定存在，但在快速冷却成加热过程中， 由于热力学能垒或动力学的因素造成其未能转变为稳定相而暂时稳定存在的一 种相。 4.配位数-晶体结构中任一原子周围最近邻且等距离的原子数。 5.再结晶-冷变形后的金属加热到一定温度之后，在原变形组织中重新产生了无 畸变的新晶粒，而性能也发生了明显的变化并恢复到变形前的状态，这个过程称 为再结晶。（指出现无畸变的等轴新晶粒逐步取代变形晶粒的过程） 6.伪共晶-非平衡凝固条件下，某些亚共晶或过共晶成分的合金也能得到全部的 共晶组织，这种由非共晶成分的合金得到的共晶组织称为伪共晶。 7.交滑移-当某一螺型位错在原滑移面上运动受阻时，有可能从原滑移面转移到 与之相交的另一滑移面上去继续滑移，这一过程称为交滑移。 8.过时效-铝合金经固溶处理后，在加热保温过程中将先后析出GP区，B ” B ' 和9o在开始保温阶段，随保温时间延长，硬度强度上升，当保温时间过长，将 析出B '这时材料的硬度强度将下降，这种现象称为过时效。 9.形变强化-金属经冷塑性变形后，其强度和硬度上升，塑性和韧性下降，这种现象称为形变强化
10.固溶强化-由于合金元素（杂质）的加入，导致的以金属为基体的合金的强度得到加强的现象。 11.弥散强化-许多材料由两相或多相构成，如果其中一相为细小的颗粒并弥散分布在材料内，则这种材料的强度往往会增加，称为弥散强化。 12.不全位错-柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。 13.扩展位错-通常指一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错形态。 14.螺型位错-位错线附近的原子按螺旋形排列的位错称为螺型位错。 15.包晶转变-在二元相图中，包晶转变就是已结晶的固相与剩余液相反应形成另一固相的恒温转变。 16.共晶转变-由一个液相生成两个不同固相的转变。 17.共析转变-由一种固相分解得到其他两个不同固相的转变。 18.上坡扩散-溶质原子从低浓度向高浓度处扩散的过程称为上坡扩散。表明扩散的驱动力是化学位梯度而非浓度梯度。 19.间隙扩散-这是原子扩散的一种机制，对于间隙原子来说，由于其尺寸较小，处于晶格间隙中，在扩散时，间隙原子从一个间隙位置跳到相邻的另一个间隙位置，形成原子的移动。 20.成分过冷-界面前沿液体中的实际温度低于由溶质分布所决定的凝固温度时产生的过冷。 21.一级相变-凡新旧两相的化学位相等，化学位的一次偏导不相等的相变。 22.二级相变-从相变热力学上讲，相变前后两相的自由能（焓）相等，自由能（焓） 的一阶偏导数相等，但二阶偏导数不等的相变称为二级相变，如磁性转变，有序
材料科学基础最全名词解释
1.固相烧结：固态粉末在适当的温度，压力，气氛和时间条件下，通过物质与气孔之间的传质，变为坚硬、致密烧结体的过程。 液相烧结：有液相参加的烧结过程。 2.金属键:自由电子与原子核之间静电作用产生的键合力。 3.离子键：金属原子自己最外层的价电子给予非金属原子，使自己成为带正电的正离子，而非金属得到价电子后使自己成为带负电的负离子，这样正负离子靠它们之间的静电引力结合在一起。 共价键：由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。氢键：由氢原子同时与两个电负性相差很大而原子半径较小的原子（O，F，N等）相结合而产生的具有比一般次价键大的键力。 弗兰克缺陷：间隙空位对缺陷 肖脱基缺陷：正负离子空位对的 奥氏体：γ铁内固溶有碳和(或)其他元素的、晶体结构为面心立方的固溶体。 布拉菲点阵:除考虑晶胞外形外，还考虑阵点位置所构成的点阵。 不全位错：柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。 玻璃化转变温度：过冷液体随着温度的继续下降，过冷液体的黏度迅速增大，原子间的相互运动变得更加困难，所以当温度降至某一临界温度以下时，即固化成玻璃。这个临界温度称为玻璃化温度Tg。 表面能:表面原子处于不均匀的力场之中，所以其能量大大升高，高出的能量称为表面自由能（或表面能）。 半共格相界：若两相邻晶体在相界面处的晶面间距相差较大，则在相界面上不可能做到完全的一一对应，于是在界面上将产生一些位错，以降低界面的弹性应变能，这时界面上两相原子部分地保持匹配，这样的界面称为半共格界面或部分共格界面。 柏氏矢量:描述位错特征的一个重要矢量，它集中反映了位错区域内畸变总量的大小和方向，也使位错扫过后晶体相对滑动的量。 柏氏矢量物理意义： ①从位错的存在使得晶体中局部区域产生点阵畸变来说：一个反映位错性质以及由位错引起的晶格畸变大小的物理量。 ②从位错运动引起晶体宏观变形来说：表示该位错运动后能够在晶体中引起的相对位移。 部分位错：柏氏矢量小于点阵矢量的位错 包晶转变：在二元相图中，包晶转变就是已结晶的固相与剩余液相反应形成另一固相的恒温转变。 包析反应:由两个固相反应得到一个固相的过程为包析反应。 包析转变：两个一定成分的固相在恒温（T）下转变为一个新的固相的恒温反应。包析转变与包晶转变的相图特征类似，只是包析转变中没有液相，只有固相。 粗糙界面：界面的平衡结构约有一半的原子被固相原子占据而另一半位置空着，这时界面称为微观粗糙界面。 重合位置点阵：当两个相邻晶粒的位相差为某一值时，若设想两晶粒的点阵彼此通过晶界向对方延伸，则其中一些原子将出现有规律的相互重合。由这些原子重合位置所组成的比原来晶体点阵大的新点阵，称为重合位置点阵。 成分过冷；界面前沿液体中的实际温度低于由溶质分布所决定的凝固温度时产生的过冷。
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东北大学微机原理考试复习题..
微机原理复习题 一、选择题 1. 8086系统在最大模式增加总线控制器8288的目的___C______ A.提高总线驱动能力 B.控制协处理器工作 C.解决总线的共享控制和产生总线控制信号 D.以上都不是 2. 电子计算机自1946年诞生至今已经历四个发展阶段，但就其工作原理而言，都基于冯·诺依曼提出的（ AB ）概念。 3. A、二进制 4. B、存储程序 5. C、程序控制 6. D、存储程序和程序控制 7. 微处理器主要包括（ D ）。 A.运算器和总线接口 B.控制器和寄存器组 C.运算器和寄存器组 D.运算器、控制器、寄存器组、总线接口 8. 指令MOV AX, MASK[BX][SI]中源操作数的寻址方式为 ( D ) 9. A.寄存器寻址 B.变址寻址 10. C.基址变址寻址 D.相对基址变址寻址 11. 执行下列两条指令后，标志位CF为 ( C ) 12. MOV AL, FFH 13. ADD AL, 01H 14. A.为0 B.变反 15. C.为1 D.不变 16. 8086/8088 CPU内部有一个始终指示下条指令偏移地址的部件是（ C） A.SP B.CS C.IP D.BP 17. 8088/8086系统中，可以用于间接寻址的寄存器为 A 。
A. BX，SI，DI，BP B. AX，SI，CX，BP C. AX，BX，CX，DX 18. 在DMA方式下，将内存数据传送到外设的路径是 ( B ) 19. A.CPU→DMAC→外设 B.内存→数据总线→外设 20. C.内存→CPU→总线→外设 D.内存→DMAC→数据总线→外设 21. 从8086CPU的内部结构看，其是由 C 两部分组成 A. 控制器和20位物理地址加法器 B. 运算器和总线接口 C. 执行单元和总线接口单元 D. 控制器和运算器 10. RESET信号有效后，8086CPU的启动地址 C 。 11. A. 0FFFFFH B. 0FFFFH C. 0FFFF0H D. 00000H 11. CPU响应INTR和NMI中断时，相同的必要条件是 ( A ) 12. A.当前指令执行结束 B.允许中断 13. C.当前访问内存结束 D.总线空闲 14. 通常，中断服务程序中的一条STI指令目的是 ( D ) 15. A.允许低一级中断产生 B.开放所有可屏蔽中断 16. C.允许同级中断产生 D.允许高一级中断产生 17. 指令MOV AX, [3070H]中源操作数的寻址方式为 C 。 A.寄存器间接寻址 B.立即寻址 C.直接寻址 D.变址寻址 18. 8088 CPU用来区分是访问内存还是访问I/O端口的控制信号是 ( C ) 19. A.MRDC（非） B.RD（非） 20. C.M（非）/IO D.M/IO（非） 21. CPU 与外设间数据传送的控制方式有 ( D ) 22. A.中断方式 B.DMA方式
材料科学基础考题1
材料科学基础考题 Ⅰ卷 一、名词解释（任选5题，每题4分，共20分） 单位位错；交滑移；滑移系；伪共晶；离异共晶；奥氏体；成分过冷 二、选择题（每题2分，共20分） 1．在体心立方结构中，柏氏矢量为a[110]的位错( )分解为a/2[111]+a/2]111[. (A) 不能(B) 能(C) 可能 2．原子扩散的驱动力是：( ) (A) 组元的浓度梯度(B) 组元的化学势梯度(C) 温度梯度 3．凝固的热力学条件为：（） （A）形核率(B)系统自由能增加 （C）能量守衡（D）过冷度 4．在TiO2中，当一部分Ti4+还原成Ti3+，为了平衡电荷就出现（） (A) 氧离子空位(B) 钛离子空位(C)阳离子空位 5．在三元系浓度三角形中，凡成分位于（）上的合金，它们含有另两个顶角所代表的两组元含量相等。 （A）通过三角形顶角的中垂线 （B）通过三角形顶角的任一直线 （C）通过三角形顶角与对边成45°的直线 6．有效分配系数k e 表示液相的混合程度，其值范围是（） （A）1 目 录 2015年东北大学829材料科学基础考研真题（回忆版）2014年东北大学829材料科学基础考研真题 2013年东北大学材料科学基础考研真题（回忆版）2012年东北大学材料科学基础考研真题（回忆版）2009年东北大学材料科学基础考研真题（回忆版）2008年东北大学材料科学基础考研真题（回忆版）2007年东北大学材料科学基础考研真题（回忆版）2006年东北大学材料科学基础考研真题（回忆版）2005年东北大学材料科学基础考研真题（回忆版）2004年东北大学429材料科学基础（A卷）考研真题2003年东北大学材料科学基础考研真题 2002年东北大学427材料科学基础考研真题 2001年东北大学424材料科学基础考研真题 2015年东北大学829材料科学基础考研真题 （回忆版） 一、名词解释 1．裂纹偏转增韧 2．硬取向 3．晶带定律 4．蠕变 5．反应扩散 二、简述热力学条件和动力学条件在材料结构转变的作用、影响，举两个实际生活中利用热力学条件和动力学条件进行相关制备材料的例子。 三、金属在冷变形核和退火过程中的缺陷如何变化及相关变化的驱动力。 四、分别写出纯金属、铝铜合金、三氧化二铝金属基复合材料可以采用的强化措施。 五、写出块型转变、马氏体转变、脱溶分解的界面微观特征。 六、（1）K0＞1时滑出下面三种凝固后固体棒溶质浓度分布图。 （a）固相不能充分扩散，液相可以充分对流。 （b）固相不能充分扩散，液相仅有对流。 （c）固相不能充分扩散，液相对流不充分。 （2）考察一个成分过冷的计算题。 七、分别告诉了A、B组元的扩散常数和扩散激活能（具体数值不记得），由A、B组成扩散偶，问扩散界面会向哪一方移动以及空位会在哪里聚集。 八、三元共晶液相投影图相图的计算 （1）说明一标定成分点的娥组织转变工程。 （2）画液相相图过三角形顶点引的一条直线的垂直截面图。 微机原理复习题 一、选择题 1. 8086系统在最大模式增加总线控制器 A. 提高总线驱动能力 C.解决总线的共享控制和产生总线控制信号 年诞生至今已经历四个发展阶段，但 就其工作原理而言，都基于 A 、二进制 B 、存储程序 C 、程序控制 D 、存储程序和程序控制 3.微处理器主要包括（ MOV AL, FFH ADD AL, 01H 6. 8086/8088 CPU 内部有一个始终指示下条指令偏移地址的部件是 8088/8086系统中，可以用于间接寻址的寄存器为 冯诺依曼提出的（AB ）概念。 8288的目的___C ______ B.控制协处理器工作 D.以上都不是 2. 电子计算机自 1946 A. 运算器和总线接口 B. 控制器和寄存器组 C.运算器和寄存器组 D.运算器、控制器、寄存器组、总线接口 4.指令 MOV AX, MASK[BX][SI] 中源操作数的寻址方式为 （D A.寄存器寻址 B. 变址寻址 C.基址变址寻址 D.相对基址变址寻址 5.执行下列两条指令后, 标志位 CF 为(C ) A.为0 B. 变反 C.为1 D. 不变 A.SP B.CS C.IP D.BP 7. 8. 9. 10. A. BX ，SI ，DI ，BP B. AX ，SI ，CX ， BP C. AX ， BX ， CX ， DX 在DMA 方式下，将内存数据传送到外设的路径是 A.CPU T DMA T 外设 B.内存T 数据总线 T 外设 C.内存T CPU T 总线T 外设 从8086CPU 的内部结构看，其是由 A.控制器和20位物理地址加法器 C.执行单元和总线接口单元 RESET 信号有效后, A. 0FFFFFH D.内存 T DMA T 数据总线 T 外设 两部分组成 B.运算器和总线接口 D.控制器和运算器 8086CPU 的启动地址_C B. 0FFFFH C. 0FFFF0H D. 00000H 期末总复习 一、名词解释 空间点阵：表示晶体中原子规则排列的抽象质点。 配位数：直接与中心原子连接的配体的原子数目或基团数目。 对称：物体经过一系列操作后，空间性质复原；这种操作称为对称操作。 超结构：长程有序固溶体的通称 固溶体：一种元素进入到另一种元素的晶格结构形成的结晶，其结构一般保持和母相一致。 致密度：晶体结构中原子的体积与晶胞体积的比值。 正吸附：材料表面原子处于结合键不饱和状态，以吸附介质中原子或晶体内部溶质原子达到平衡状态，当溶质原子或杂质原子在表面浓度大于在其在晶体内部的浓度时称为正吸附； 晶界能：晶界上原子从晶格中正常结点位置脱离出来，引起晶界附近区域内晶格发生畸变，与晶内相比，界面的单位面积自由能升高，升高部分的能量为晶界能； 小角度晶界：多晶体材料中，每个晶粒之间的位向不同，晶粒与晶粒之间存在界面，若相邻晶粒之间的位向差在10°～2°之间，称为小角度晶界； 晶界偏聚：溶质原子或杂质原子在晶界或相界上的富集，也称内吸附，有因为尺寸因素造成的平衡偏聚和空位造成的非平衡偏聚。 肖脱基空位：脱位原子进入其他空位或者迁移至晶界或表面而形成的空位。 弗兰克耳空位：晶体中原子进入空隙形而形成的一对由空位和间隙原子组成的缺陷。 刃型位错：柏氏矢量与位错线垂直的位错。 螺型位错：柏氏矢量与位错线平行的位错。 柏氏矢量：用来表征晶体中位错区中原子的畸变程度和畸变方向的物理量。 单位位错：柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错 派—纳力：位错滑动时需要克服的周围原子的阻力。 过冷：凝固过程开始结晶温度低于理论结晶温度的现象。 过冷度：实际结晶温度和理论结晶温度之间的差值。 均匀形核：在过冷的液态金属中，依靠金属本身的能量起伏获得成核驱动力的形核过程。 过冷度：实际结晶温度和理论结晶温度之间的差值。 形核功：形成临界晶核时，由外界提供的用于补偿表面自由能和体积自由能差值的能量。 马氏体转变：是一种无扩散型相变，通过切变方式由一种晶体结构转变另一种结构，转变过程中，表面有浮凸，新旧相之间保持严格的位向关系。或者：由奥氏体向马氏体转变的 金属键: 金属键（metallic bond）是化学键的一种，主要在金属中存在。由自由电子及排列成晶格状的金属离子之间的静电吸引力组合而成. 晶体: 是由许多质点（包括原子、离子或分子）在三维空间作有规则的周期性重复排列而构成的固体 同素异晶转变（并举例）: 金属在固态下随温度的变化，由一种晶格变为另一种晶格的现象，称为金属的同素异晶转变。液态纯铁冷却到1538℃时，结晶成具有体心立方晶格的δ-Fe；继续冷到1394℃时发生同素异晶的转变,转变为面心立方晶格γ-Fe；再继续冷却到912℃时，γ-Fe又转变为体心立方晶格的α-Fe。 晶胞: 在空间点阵中，能代表空间点阵结构特点的小平行六面体，反映晶格特征的最小几何单元。 点阵常数: 晶胞三条棱边的边长a、b、c及晶轴之间的夹角α、β、γ称为晶胞参数 晶面指数: 晶体中原子所构成的平面。 晶面族: 晶体中具有等同条件（这些晶面的原子排列情况和面间距完全相同），而只是空间位向不同的各组晶面称为晶面族 晶向指数: 晶体中的某些方向，涉及到晶体中原子的位置，原子列方向，表示的是一组相互平行、方向一致的直线的指向。 晶向族（举例）; 晶体结构中那些原子密度相同的等同晶向称为晶向族。<111>:[111],[-1-11][11-1][-1-1-1][1-1-1][-111][-11-1][1-11] 晶带和晶带轴: 所有相交于某一晶向直线或平行于此直线的晶面构成一个晶带，此直线称为晶带轴。 配位数: 在晶体中，与某一原子最邻近且等距离的原子数称为配位数 致密度: 晶胞内原子球所占体积与晶胞体积之比值 晶面间距: 两近邻平行晶面间的垂直距离 对称:通过某种几何操作后物体空间性质完全还原为原始状态 空间点阵：将构成物质结构的粒子抽象为质点后，质点在三维空间的排列情况 布拉菲点阵:考虑点阵上的阵点的具体排列而得到的点阵具体排列形式，而不是强调是布拉菲数学计算得到的十四种排列 固溶体：溶质原子在固态的溶剂中的晶格或间隙位置存在，晶体结构保持溶剂的物质 中间相：两种或以上元素原子形成与其组元的晶体结构均不相同的化合物 准晶：有独特结构和对称性的物质，原子排列在晶体的有序 东北大学材料工程考研经验 一．东北大学材料工程考研情况 东北大学材料工程近几年计划都在200人左右，其中保研占比很小可忽略，而报考人数在500左右，所以竞争压力不是很大，结合考试难度来说东北大学材料工程（专硕）是性价比极高的一个选择。去年由于数学难度上升和专业课变动较大，最高分为378，而往年400有不少，往年340稳上，去年校线300以上都要，就这样招生计划也没有完成，300以上只有140人。东北大学地处沈阳，东北第一大城市，与中科院金属所有紧密合作（联合培养），东大的材料偏向黑色金属多一点，但近年来方向越来越多，逐渐在打破这种只玩钢铁的外界思维定势。东大材料院坐拥ral（轧制技术与连轧自动化国家重点实验室）。金属材料类同学的考研方向一般为中南，北科，东北大学等。不得不说东北大学是性价比之王，考研是打成功率，看谁能上，择校相当重要。如果学弟学妹们觉得不是很把握的话，可以在新祥旭报个一对一的辅导班，专业课是东北大学的研究生学长讲的，学长专业课成绩非常好，专业课讲的比较好的，上课效果很好，我也报过，是新祥旭安排的这个学长的辅导下成功考上东北大学的。 二．初试 1.参考书目及专业课相关资料 初试是英语二，数学二，金属学与热处理（835） 重点说专业课，金属学与热处理要比各类材料科学基础的难度小，往年的机理性考题较少，主要集中在工艺考察上，试题有很大的重复率，所以复习起来好上手，做题也有成就感，这也是东大材料工程性价比高的所在。但你简单大家都会简单，谁细心就会是最后的赢家。 专业课变化，去年专业课有30分的题目变化巨大，并不是照搬或改编往年题目，而是贴近热处理课本进行出题，这也将会是今后东大材料工程考研的一个必然的趋势，而注重课本和课后习题也是我对大家的建议。去年100以上就是很好的成绩了，多看课本，你就会有话说，不需要一字不差的写上去，用自己的话复述出来就很棒，老师也喜欢。还有就是答题时，要分点作答，这样老师会更喜欢。金属学与热处理去年的题量也有不小的增加，从头到尾一直不停的写也差点没写完，几乎考虑的时间加起来不足五分钟，基本就是一发卷子就蒙头写。只要平时真题背了，课后题看了，课本认真过了，你绝对有话说。最后就是图，课本上的能记住的图都熟稔于心，往试卷上一画，老师立马对你心动，画的人不多，你图文并茂，分绝对不低。 专业课的初复试资料我是在专业课老师推荐下淘宝大师兄考研买的，这家只做东北大学各专业考研。里面的真题很有价值，其他的内容一般，真题答案有1/4还得靠自己在课本中总结，答题分点，分点，分点，就是强行分也得分。 时间段的话，建议暑假就得开始过专业课的课本，暑假结束就得过完，其中有的同学难免会遇到实习种种，这并不是借口，你以为就你实习嘛？ 三．复试 1.笔试参考书目 工程材料学（连法增） 这本书是东大自己出版的，其实能搞到真题的话其他资料就别买了，作用不大， 材料科学基础名词解释 第一章固体结构 1、晶体 :原子按一定方式在三维空间内周期性地规则重复排列，有固定熔点、各向异性。 非晶体 :原子没有长程的周期排列，无固定的熔点，各向同性等。 2、中间相 : 两组元 A 和 B 组成合金时，除了形成以 A 为基或以 B 为基的固溶体外，还可能形成晶体结构与 A，B 两组元均不相同的新相。由于它们在二元相图上的位置总是位于中间，故通常把这些相称为中间相。 3、晶体点阵：由实际原子、离子、分子或各种原子集团，按一定几何规律的具体排 列方式称为晶体结构或晶体点阵。 4、配位数 :晶体结构中任一原子周围最近邻且等距离的原子数。 5、晶格：描述晶体中原子排列规律的空间格架称之为晶格。 6、晶胞 :在点阵中取出一个具有代表性的基本单元（最小平行六面体）作为点阵的组成单元，称为晶胞。 7、空间点阵：由周围环境相同的阵点在空间排列的三维列阵成为空间点阵。 8、晶向：在晶格中，穿过两个以节点的任一直线，都代表晶体中一个原子列在空间的位 向，称为晶向。 9、晶面：由节点组成的任一平面都代表晶体的原子平面，称为晶面。 10、晶向指数（晶面指数）：为了确定晶面、晶向在晶体中的相对取向、就需要一种 符号，这种符号称为晶面指数和晶向指数。国际上通用的是密勒指数。 一个晶向指数并不是代表一个晶向，二十代表一组互相平行、位向相同的晶向。 11、晶向族：原子排列相同但空间位向不同的所有晶向称为晶向族，以 2018年 1.会标晶向指数。（15分） 2.（15分）为什么单相金属的晶粒形状在显微镜下多为六边形？ 3.（15分）金属中的自由电子为什么对比热贡献很小却能很好的导电？ 4（15分）已知：空位形成能是1.08ev/atm,铁的原子量是55.85g/mol,铁的密度是7.65g/cm3,NA=6.023*1023,K=8.62×10-5ev/atom-K,请计算1立方米的铁在850°C下的平衡空位数目。 5.（15分）在面心立方晶体中，在（1 -11）面上，有柏氏矢量为a/2[-1 0 1]的刃位错运动，在（1 1 －1）面上有柏氏矢量为a/2[1 －1 0]的刃位错运动，当它们靠近时是否稳定？有什么变化？说明之。 6.（15分）(1)用晶向和晶面指数的组合写出面心立方，体心立方及密排六方金属的全部滑移系。（2）在面心立方晶体的单位晶胞中画出一个滑移系，并标出晶面晶向指数。 7（15分）为什么材料有时会在其屈服强度以下的应力载荷时失效？如何防止？如何进行容器只漏不断的设计？ 8.（15分）根据如下给出的信息，绘制出A和B组元构成的600摄氏度到1000摄氏度之间的二元相图：A组元的熔点是940摄氏度；B组元在A组元中的溶解度在所有温度下为零；B组元的熔点是830摄氏度，A在B中的最大溶解度是700摄氏度为百分之12；600摄氏度以下A在B中的溶解度是百分之8；700摄氏度时在成分点A－百分之75B有一个共晶转变；755摄氏度时在成分点A－百分之40B还有一个共晶转变；在780摄氏度时在成分点A－百分之49B有一个稳定金属间化合物凝固发生；在755摄氏度时成分点A－百分之67B有另一个稳定金属间化合物凝固反应。 9（10分）为什么在正温度梯度下合金结晶时也会发生枝晶？凝固时合金液体中成分船头波 微机原理复习题 一、选择题 1. 8086系统在最大模式增加总线控制器8288的目的___C______ A.提高总线驱动能力 B.控制协处理器工作 C.解决总线的共享控制和产生总线控制信号 D.以上都不是 2. 电子计算机自1946年诞生至今已经历四个发展阶段，但就其工作原理而言，都基于冯·诺依曼提出的（AB ）概念。 A、二进制 B、存储程序 C、程序控制 D、存储程序和程序控制 3. 微处理器主要包括（ D ）。 A.运算器和总线接口 B.控制器和寄存器组 C.运算器和寄存器组 D.运算器、控制器、寄存器组、总线接口 4. 指令MOV AX, MASK[BX][SI]中源操作数的寻址方式为 ( D ) A.寄存器寻址 B.变址寻址 C.基址变址寻址 D.相对基址变址寻址 5. 执行下列两条指令后，标志位CF为 ( C ) MOV AL, FFH ADD AL, 01H A.为0 B.变反 C.为1 D.不变 6. 8086/8088 CPU内部有一个始终指示下条指令偏移地址的部件是（C） A.SP B.CS C.IP D.BP 7. 8088/8086系统中，可以用于间接寻址的寄存器为 A 。 A. BX，SI，DI，BP B. AX，SI，CX，BP C. AX，BX，CX，DX 8. 在DMA方式下，将内存数据传送到外设的路径是 ( B ) A.CPU→DMAC→外设 B.内存→数据总线→外设 C.内存→CPU→总线→外设 D.内存→DMAC→数据总线→外设 9. 从8086CPU的内部结构看，其是由 C 两部分组成 A. 控制器和20位物理地址加法器 B. 运算器和总线接口 C. 执行单元和总线接口单元 D. 控制器和运算器 10. RESET信号有效后，8086CPU的启动地址 C 。 A. 0FFFFFH B. 0FFFFH C. 0FFFF0H D. 00000H 第六章 组元：组元通常是指系统中每一个可以单独分离出来，并能独立存在的化学纯物质，在一个给定的系统中，组元就是构成系统的各种化学元素或化合物。 相：在一个系统中，成分、结构相同，性能一致的均匀的组成部分叫做相，不同相之间有明显的界面分开，该界面称为相界面。 相平衡：在某一温度下，系统中各个相经过很长时间也不互相转变，处于平衡状态，这种平衡称为相平衡。各组元在各相中的化学势相同。 相图：表示合金系中合金的状态与温度、成分之间的关系的图形，又称为平衡图或状态图。 相变：从一种相转变为另一种相的过程称为相变。若转变前后均为固相，则称为固态相变。 凝固：物质由液态到固态的转变过程称为凝固 结晶：如果液态转变为结晶态的固体这个过程称为结晶 过冷：纯金属的实际凝固温度Tn总比其熔点Tm低的现象 过冷度：Tm与Tn的差值△T叫做过冷度 均匀形核：在液态金属中，存在大量尺寸不同的短程有序的原子集团。当温度降到结晶温度以下时，短程有序的原子集团变得稳定，不再消失，成为结晶核心。这个过程叫自发形核。 非均匀形核：实际金属内部往往含有许多其他杂质。当液态金属降到一定温度后，有些杂质可附着金属原子，成为结晶核性，这个过程叫非自发形核。 临界晶核：半径恰为r*的晶核称为临界晶核 临界半径：r*称为晶核的临界晶核半径 临界形核功：形成临界晶核时自由能的变化△G*>0，这说明形成临界晶核是需要能量的。形成临界晶核所需的能量△G*称为临界形核功。 能量起伏：形成临界晶核时，液、固两相之间的自由能差只提供所需要的表面能的三分之二，另外的三分之一则由液体中的能量起伏来提供 结构起伏：液态金属中的规则排列的原子团总是处于时起时伏，此起彼伏的变化之中，人们把液态金属中的这种排列原子团的起伏现象称为相起伏或结构起伏。 粗糙界面：粗糙界面在微观上高低不平、粗糙，存在几个原子厚度的过渡层。但是宏观上看，界面反而是平直的。 光滑界面：光滑界面是指固相表面为基本完整的原子密排面，固液两相截然分开，从微观上看界面是光滑的。但是从宏观来看，界面呈锯齿状的折线。 动态过冷度：晶核长大所需的界面过冷度。（远小于形核所需过冷度） 第七章 匀晶转变：由液相结晶出单相固溶体的过程称为匀晶转变。 平衡凝固：每个时刻都能达到平衡的结晶过程。 非平衡凝固：实际生产中的凝固是在偏离平衡条件下进行的，这种凝固过程被称为不平衡凝固。 共晶转变：由液相同时结晶出两个固相的过程称为共晶转变。 亚共晶：成分在共晶点E以左、M点以右(即Sn: 19.2 ~ 61.9%)的合金称为亚共晶合金。过共晶： 伪共晶：在非平衡凝固条件下，成分接近共晶成分的亚共晶或过共晶合金，凝固后组织却可以全部是共晶体，称为伪共晶。 2-1 名词解释：配位数与配位体，同质多晶与多晶转变，位移性转变与重建性转变，晶体场理论与配位场理论 答：配位数：晶体结构中与一个离子直接相邻的异号离子数。 配位体：晶体结构中与某一个阳离子直接相邻、形成配位关系的各个阴离子中心连线所构成的多面体。 同质多晶：同一化学组成在不同外界条件下（温度、压力、pH值等），结晶成为两种以上不同结构晶体的现象 多晶转变：当外界条件改变到一定程度时，各种变体之间发生结构转变，从一种变体转变成为另一种变体的现象 位移性转变：不打开任何键，也不改变原子最邻近的配位数，仅仅使结构发生畸变，原子从原来位置发生少许位移，使次级配位有所改变的一种多晶转变形式 重建性转变：破坏原有原子间化学键，改变原子最邻近配位数，使晶体结构完全改变原样的一种多晶转变形式。 晶体场理论：认为在晶体结构中，中心阳离子与配位体之间是离子键，不存在电子轨道的重迭，并将配位体作为点电荷来处理的理论。 配位场理论：除了考虑到由配位体所引起的纯静电效应以外，还考虑了 共价成键的效应的理论。 2-2 面排列密度的定义为：在平面上球体所占的面积分数。 （a）画出MgO（NaCl型）晶体（111）（110）和（100）晶面上的原子排布（b ）计算这三面的面排列密度 解：MgO晶体中O2-做紧密堆积，Mg2+填充在八面体空隙中。 （a）（111）（110）和（100）晶面上的氧离子排布情况如图2-1所示。 （b）在面心立方紧密堆积的单位晶胞中， （111）面：面排列密度 = （110）面：面排列密度 = （100）面：面排列密度 = 2-4 设原子半径为R，试计算体心立方堆积结构的（100）、（110）、（111）面的面排列密度和晶面族的面间距。解：在体心立方堆积结构中： （100）面：面排列密度 = 面间距 = （110）面：面排列密度 = 面间距 = （111）面：面排列密度 = 面间距 = 2-8 试根据原子半径R计算面心立方晶胞、六方晶胞、体心立方晶胞的体积。 解：面心立方晶胞： 六方晶胞（1/3）： 体心立方晶胞： 2-9 MgO具有NaCl结构。根据O2-半径为0.140nm和Mg2+半径为0.072nm，计算球状离子所占据的体积分数和计算MgO的密度。并说明为什么其体积分数小于74.05%？ 解：在MgO晶体中，正负离子直接相邻，a0=2(r++r-)=0.424(nm) 体积分数=4×(4π/3)×(0.143+0.0723)/0.4243=68.52% 密度=4×(24.3+16)/[6.023×1023×(0.424×10-7)3]=3.5112(g/cm3) MgO体积分数小于74.05%，原因在于r+/r-=0.072/0.14=0.4235>0.414，正负离子紧密接触，而负离子之间不直接接触，即正离子将负离子形成的八面体空隙撑开了，负离子不再是紧密堆积，所以其体积分数小于等径球体紧密堆积的体积分数74.05%。 微机原理实验报告 专业班级通信1301 姓名张麒学号 20135440 实验题目简单IO扩展日期 2015.5.25 实验一、简单I/O扩展实验 一、实验目的 1、熟悉74LS273、74LS244芯片，并了解其应用方法。 2、掌握用锁存器、三态门扩展简单并行输入、输出口的方法。 二、实验设备 MUT-III型实验箱、计算机一套。 三、实验内容 逻辑电平开关的状态通过74LS244输入，然后通过74LS273锁存输出，利用 发光二极管LED显示输出的状态。 根据实验框图自编程序。244端口地址04A0H，273端口地址04B0H。 说明：程序的起始地址为0100H，编写程序时，用伪指令定义此位地址，即：ORG 0100H。这时， CS=0100H，IP=0100H。代码段、数据段、堆栈段在同一个64K的地址空间中。 四、简单I/O的工作原理 本实验用到两部分电路：开关量输入输出电路、简单I/O口扩展电路。 开关量输入输出电路：开关量输入电路由8只开关组成，每只开关有两个位置H和L，一个位置代表高电平，一个位置代表低电平。对应的插孔是：K1~K8。开关量输出电路由8只LED组成，对应的插孔分别为LED1~LED8，当对应的插孔接低电平时，对应的发光二极管点亮。 简单I/O口扩展电路：输入缓冲电路由74LS244组成，输出锁存电路由上升沿锁存器74LS273组成。74LS244是一个扩展输入口，74LS273是一个扩展输出口，同时它们都是一个单向驱动器，以减轻总线的负担。74LS244的输入信号由插孔IN0~IN7输入，插孔CS244是其选通信号，其它信号线已接好；74LS273的输出信号由插孔O0~O7输出，插孔CS273是其选通信号，其它信号线已接好。(NEW)东北大学材料与冶金学院《829材料科学基础》历年考研真题汇编
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