模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后标准答案第七章

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第7章信号的运算和处理

自测题

一、现有电路:

A.反相比例运算电路

B.同相比例运算电路

C.积分运算电路

D.微分运算电路

E.加法运算电路

F.乘方运算电路

选择一个合适的答案填入空内。

(1)欲将正弦波电压移相+90o,应选用( C )。

(2)欲将正弦波电压转换成二倍频电压,应选用( F )。

(3)欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用( E )。

(4)欲实现A u=?100 的放大电路,应选用( A )。

(5)欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( C )。

(6)欲将方波电压转换成尖顶波波电压,应选用( D )。

二、填空:

(1)为了避免50H z电网电压的干扰进入放大器,应选用( 带阻)滤波电路。

(2)已知输入信号的频率为10kH z~12kH z,为了防止干扰信号的混入,应选用( 带通)滤波电路

(3)为了获得输入电压中的低频信号,应选用( 低通)滤波电路。

(4)为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( 有源)滤波电路。

三、已知图T7.3所示各电路中的集成运放均为理想运放,模拟乘法器的乘积系数k大于零。试分别求解各电路的运算关系。

(a)

(b)

图T7.3

解:图(a)所示电路为求和运算电路,图(b)所示电路为开方运算电路。它们的运算表达式分别为:

(a) 124

13121234

(

)(1)//f I I O f I R u u R u R u R R R R R R =-+++??+ 11

O O u u dt RC =-

?

(b) '2

3322144

O I O O R R R u u u ku R R R =-

?=-?=-? 24

13

O I R R u u kR R =

?

习题

本章习题中的集成运放均为理想运放。 7.1填空:

(1) ( 同相比例 )运算电路可实现A u >1 的放大器。 (2) ( 反相比例 )运算电路可实现A u <0 的放大器。 (3) ( 微分 )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。

(4)( 同相求和 )运算电路可实现函数123Y aX bX cX =++,a 、b 和c 均大于零。 (5) ( 反相求和 )运算电路可实现函数123Y aX bX cX =++,a 、b 和c 均小于零。 (6)( 乘方 )运算电路可实现函数2

Y aX =。

7.2电路如图P7.2所示,集成运放输出电压的最大幅值为±14V ,填表。

(a) (b)

u I /V 0.1 0.5 1.0 1.5 u O1/V u O2/V

解: 1(/)10O f I I u R R u u =-=-; 2(1/)11O f I I u R R u u =+=。 当集成运放工作到非线性区时,输出电压不是+14V , 就是-14V 。 u I /V 0.1 0.5 1.0 1.5 u O1/V -1 -5 -10 -14 u O2/V

1.1

5.5

11

14

7.3 设计一个比例运算电路,要求输入电阻20i R k =Ω,比例系数为-100。

解:可采用反相比例运算电路,电路形式如图P7.2(a)所示。 20R k =Ω; 2f R M =Ω。

7.4电路如图P7.4所示,试求其输入电阻和比例系数。

解:由图可知150i R R k ==Ω,

1212

21

,2I M

R R M I I

u u i i R R R

u u u R -==∴=-=-即

而 243

M O

M M u u u u R R R --

=+ 解得:52104O M I

u u u ==-

图P7.4

7.5电路如图P7.4所示,集成运放输出电压的最大幅值为±14V ,I u 为2V 的直流信号。分别求出下列各种情况下的输出电压:

(1)R 2短路; (2) R 3短路; (3) R 4短路; (4) R 4断路。

解:(1) R 2短路时,2

1

0M I R u u R =-

=,R 4相当于开路(R 4上无电流流过)。 ∴3

1

24O I I R u u u V R =-

=-=-; (2) R 3短路时,O M u u =,R 4对反馈网络无影响。 ∴2

1

24O I I R u u u V R =-

=-=-; (3) R 4短路时,电路无反馈。 ∴14O u V =-; (4) R 4断路时,23

1

48O I I R R u u u V R +=-

=-=-。

7.6试求图P7.6所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。

(a)

(b)

(c) (d) 图P7.6

解:在图示各电路中,集成运放的同相输入端和反相输入端所接总电阻均相等。各电路的运算关系式分析如下:

(a)123123123225f f f O I I I I I I R R R u u u u u u u R R R =-

?-

?+

?=--+

(b)1231231

2

3

1010f f f O I I I I I I R R R u u u u u u u R R R =-?+?+?=-++

(c) 21211()8()f O I I I I R u u u u u R =

-=-

(d) 12341234

1

2

3

4

202040f f f f O I I I I I I I I R R R R u u u u u u u u u R R R R =-?-?+?+?=--++

7.7在图P7.6所示各电路中,集成运放的共模信号分别为多少?写出表达式。 解:因为集成运放同相输入端和反相输入端之间净输入电压为零,所以它们的电位就是集成运放的共模输入电压。图示各电路中集成运放的共模信号分别为:

(a) 3IC I u u = (b)3223232323101

1111

IC I I I I R R u u u u u R R R R =

+=+++

(c) 22189

f

IC I I

f R u u u R R =

=+

(d) 3434343434401

4141

IC I I I I R R u u u u u R R R R =

+=+++

7.8图P7.8所示为恒流源电路, 已知稳压管工作在稳压状态, 试求负载电阻中的电流。

解:22

0.6P Z

L u U I mA R R =

==。 图P7.8

7.9电路如图P7.9所示。

(1)写出O u 与1I u 、2I u 的运算关系式;

(2)当R W 的滑动端在最上端时,若mV u I 101=,mV u I 202=,则O u =?

(3)若O u 的最大幅值为±14V ,输入电压最大值mV u I 10max 1=,mV u I 20max 2=,为了保证集成运放工作在线性区,R 2的最大值为多少?

图P7.9

解:(1) A 2同相输入端电位

222121()10()f P N I I I I R u u u u u u R

==

-=-

输出电压 2222111

(1)10(1)()O P I I R R

u u u u R R =+

?=+-

或 211

10

()

W

O I I R u u u R =- (2) 将mV u I 101=,mV u I 202= 代入上式,得100O u mV =。

(3) 根据题目所给参数,21()I I u u -的最大值为

20mV 。若R 1为最小值,则为保证集成运放工作在线性区,21()I I u u -=20mV 时集成运放的输出电压应为+14V ,写成表达式为

211min 1min

10

10()102014W O I I R u u u R R =?

?-=??= 故1min 143R ≈Ω

2max 1min (100.143)9.86W R R R k k =-=-Ω≈Ω

7.10分别求解图P7.10所示各电路的运算关系。

(a) (b)

(c) 图P7.10

解:图(a)所示为反相求和运算电路;图(b)所示的A 1组成同相比例运算电路,A 2组成加减运算电路;图(c)所示的A 1、A 2、A 3均组成为电压跟随器电路,A 4组成反相求和运算电路。

(a)设R 3、R 4、R 5的节点为M ,则 12

312

(

)I I M u u u R R R =-+ 43512125

I I M

R R R u u u i i i R R R =-=

+- 43412

434512

()()I I O M R R R u u u u i R R R R R R =-=-+++ (b)先求解1O u ,再求解O u 。

3

111

(1)O I R u u R =+

555355121221444144

(1)(1)(1)(1)()O O I I I I I R R R R R R

u u u u u u u R R R R R R =-

++=-+++=+- (c)A 1、A 2、A 3的输出电压分别为u I1、u I2、u I3,由于在A 4组成的反相求和运算电路中反

相输入端和同相输入端外接电阻阻值相等,所以

4

1231231

()10()O I I I I I I R u u u u u u u R =

++=++

7.11在图P7.11(a)所示电路中,已知输入电压u I 的波形如图(b)所示,当t =0时u C =0。 试画出输出电压u O 的波形。

(a) (b)

图P7.11

解:输出电压的表达式为2

111()t O I O t u u dt u t RC

=-+? 当u I 为常量时:

21121121157

11

()()()()100()()1010O I O I O I O u u t t u t u t t u t u t t u t RC -=-

-+=--+=--+? 若t =0时u O =0;则

当t =5mS 时,3

1005510 2.5O u V V -=-???=-。

当t =15mS 时,3

[100(5)1010( 2.5)] 2.5O u V V -=-?-??+-=。

因此输出波形如解图P7.11所示。

解图P7.11

7.12已知图P7.12所示电路输入电压u I 的波形如图P7.11 (b)所示,且当t =0时u C =0。试画出输出电压u O 的波形。

图P7.12 解图P7.12

解:图中可见,N P I u u u ==,()C I O I

du d u u u C C R dt dt

-∴-

== 即:O I I

du du u dt dt RC

=+;∴输出电压与输入电压的运算关系为: 1

()(0)O I I C u t u u t u RC

=++

或:100(0)O I I C u u t u u =++(t )

设当t =0时,u C =0。分段画出波形如解图P7.12所示。

7.13试分别求解图P7.13所示各电路的运算关系。

(a)

(b)

(c) (d) 图P7.13

解:利用节点电流法,可解出各电路的运算关系分别为:

( a ) 2111100O I I I I R u u u dt u u dt R R C

=-

-=--?? ( b ) 设两电容的充电电流为:111C I du du

i C C dt dt

=?

=?(方向向右),则 311221()102I I

O I I du C du u iR idt RC u u C dt C dt

-=-+

=--=--? ( c )反相端:1

O N C P P u u u u u dt RC =+=+? 同相端:111

I P P C I P u u u u dt u dt u dt C R RC RC

-===-??? 代入上式,得3

110O I I u u dt u dt RC

==??? ( d ) 12

1212

1()100(0.5)I I O I I u u u dt u u dt C R R =-+=-+??

7.14在图P7.14所示电路中,已知'

12100f R R R R R k =====Ω,1C F μ=。

图P7.14

(1)试求出u O 与u I 的运算关系。

(2)设t=0时u O =0,且u I 由零跃变为-1V ,试求输出电压由零上升到+6V 所需要的时间。

解:(1)因为A 2构成电压跟随器,电容上的电压C O u u =。A 1为求差运算电路,利用叠加原理,求出其输出电压:

11

1

2(1)f f O I

O O I R R R u u u u u R R R R '

=-

++

?

=-'

+

电容的电流:1O O I C u u u

i R R -=

=-(利用了上式) 因此,输出电压:11

10O C C I I u u i dt u dt u dt C RC ===-=-??

?

(2)11110[10(1)]106O I u u t t V t V V =-=-?-?==, 故t l = 0.6S 。即经0.6 秒输出电压达到6V 。

7.15试求出图P7.15 所示电路的运算关系。

图P7.15

解:设A 2的输出为u O2。因为R 1的电流等于C 的电流,所以:

211

2O I I u u dt u dt R C

=-

=-?? 又因为A 2组成以u O 为输入的同相比例运算电路,所以: 2

23

(1)2O O O R u u u R =+

=

比较以上两式,得:O I u u dt =-?

7.16在图P7.16所示电路中,已知u I1= 4V ,u I2=1V 。回答下列问题:

图P7.16

(1)当开关S 闭合时,分别求解A 、B 、C 、D 和u O 的电位; (2)设t =0时S 打开,问经过多长时间u O = 0 ?

解:(1) 对A 1、A 2而言,都工作在同相比例运算状态,

∴1114B N P I U u u u V ====;2221C N P I U u u u V ====。

由于三个R 从上而下流过同一电流3

B C R U U i R R

-==, ∴37A B U U R V R

=+?=;3

2D C U U R V R =-=-。

当开关S 闭合时,A 3输出30O u =, ∴ (1)24O D D R

u U U V R

=+

==-。 (2) t =0时S 打开,A 3为积分电路,3111

140A O A

U u U dt t t R C R C

=-

=-?=-?; 因为A 4为求差电路,∴33241404O D O O u U u V u t =-=--=-。

令上式为零,求出 28.6t mS ≈。

7.17为了使图P7.17所示电路实现除法运算,(1)标出集成运放的同相输入端和反相输入端;(2)求出u O 和u I1、u I2的运算关系式。

图P7.17

解:(1)为了保证电路引入负反馈,A 的上端为“+”,下端为“? ”。

(2)根据模拟乘法器输出电压和输入电压的关系和节点电流关系,可得

'

220.1O O I O I u ku u u u ==-;

'

12(0.1)I P N O O I f f

R R u

u u u u u R R R R ===

=?-++

所以1

2

10()f I O

I R R u u R u +=-

?

7.18求出图P7.18所示各电路的运算关系。

(a)

(b)

图P7.18

解:电路(a)实现求和、除法运算,电路(b)实现一元三次方程。它们的运算关系式分别为:

(a) '

123312(

)I I O O I u u u R ku u R R =-+=, 312312

()I I O I R u u

u ku R R =-+

(b) 223444123

O I I I R R R

u u ku k u R R R =---。

7.19在下列各种情况下,应分别采用哪种类型(低通、高通、带通、带阻)的滤波电路。

(1)抑制50Hz 交流电源的干扰;

(2)处理具有1Hz 固定频率的有用信号; (3)从输入信号中取出低于2kHz 的信号; (4)抑制频率为100kHz 以上的高频干扰。

解:(1)带阻滤波器; (2)带通滤波器

(3)低通滤波器 (4)低通滤波器

7.20试说明图P7.20所示各电路属于哪种类型的滤波电路,是几阶滤波电路。

(a)

(b)

(c) (d) 图P7.20

解:图(a)所示电路为一阶高通滤波器。 图(b)所示电路二阶高通滤波器。

图(c)所示电路二阶带通滤波器。 图(d)所示电路二阶带阻滤波器。

7.21设一阶HPF 和二阶LPF 的通带放大倍数均为2 ,通带截止频率分别为100 Hz 和2k Hz 。试用它们构成一个带通滤波电路,并画出幅频特性。

解:低通滤波器的通带截止频率为2kHz , 高通滤波器的通带截止频率为100Hz 。将两个滤波器串联,就构成一个带通滤波电路。

其通带放大倍数为: 4uP A =。 通带增益 20lg 12uP A ≈ 幅频特性如解图P7.21 所示。

解图P7.21

7.22在图7.3.9 (P364)所示电路中,已知通带放大倍数为2 ,截止频率为1kHz , C 取值为1μF 。试选取电路中各电阻的阻值。

解:因为通带放大倍数2up A =,所以1,2P

u f f Q A ===。

因为1

2o p f f RC

π==

,代入数据,得出:160R k ≈Ω。

为使得集成运放同相输入端和反相输入端所接电阻相等,则124640R R R k ==≈Ω。 7.23试分析图P7.23所示电路的输出u O1、 u O2和u O3分别具有哪种滤波特性(LPF 、HPF 、BPF 、BEF ) ?

图P7.23

解:以u O1为输出是高通滤波器,以u O2为输出是带通滤波器,以u O3为输出是低通滤波器。

补充1. 分别推导出补图P7.1 所示各电路的传递函数,并说明它们属于哪种类型的滤波电路。

(a) (b)

补图P7.1

解:利用节点电流法可求出它们的传递函数。 在图(a)所示电路中 2211()11u R sR C

A s sR C

R sC

=-

=-

++

。 故其为高通滤波器。

在图(b)所示电路中22211211/()

1()1u R R R sC sC A s R R sR C

?

+=-=-?+。

故其为低通滤波器。

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章

第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路: A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000 ,第一级应采用( A ),第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300 ,第一级应采用( D ),第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B ),第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用( D ),第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000o ui i U A I =>,输出电阻R o <100 ,第一级应采用采用( C ),第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A .便于设计 B .放大交流信号 C .不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A .克服温漂 B .提高输入电阻 C .稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A ),共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的( B )。 A .差模放大倍数数值增大 B .抑制共模信号能力增强 C .差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示,所有晶体管均为硅管,β均为200,'200bb r =Ω,静态时 0.7BEQ U V ≈。试求: (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >,则应如何调节R c2的值才能使0O u =? 若静态0O u =V ,则R c2=?,电压放大倍数为多少?

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的: 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求: 1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。 3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材: 杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社 主要参考书目: 康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社 童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社, 张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社, 谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社,

陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社, 孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社, 谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社, 绪论 本章的教学目标和要求: 要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排:(采用多媒体教学) §1-1 电子系统与信号0.5 §1-2 放大电路的基本知识0.5 本章重点: 放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式:课堂讲授 本章课时安排: 1 本章的具体内容: 1节 介绍本课程目的,教学参考书,本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法; 介绍放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页 共5页 一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 区时, b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时,电路中出现的 视为开路, 视为短路,信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时,输出端的瞬时极性也为正,该输入端是 相输入端,否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的, 越大越好, 越小越好。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管如果采用正向接法,稳压二极管将 。 A :稳压效果变差 B :稳定电压变为二极管的正向导通压降 C :截止 D :稳压值不变,但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结正向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为 。 A : PNP 型硅管 B :NPN 型锗管 C : NPN 型硅管 D :PNP 型锗管

模电-童诗白课后题全解

模拟电子技术(第四版)童诗白 课后习题答案 第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈ U O2=0 U O3≈- U O4≈2V U O5≈ U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β

七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 (1)A C (2)A (3)C (4)A 不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端 电压为时管子会因电流过大而烧坏。 u i 和u o 的波形如图所示。 u i 和u o 的波形如图所示。 u o 的波形如图所示。 I D =(V -U D )/R =,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 (1)两只稳压管串联时可得、、和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得和6V 等两种稳压值。 t t t t

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称:模拟电子技术基础 教材信息:《模拟电子电路及技术基础(第三版)》,孙肖子主编 主讲教师:孙肖子(西安电子科技大学电子工程学院副教授) 学时:64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上,进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路,掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术,获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力,为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容,以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 (一)、电子技术的发展与模电课的学习MAP图(2学时) 介绍模拟信号特点和模拟电路用途,电子技术发展简史,本课程主要教学内容,四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标,频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 (1)了解电子技术的发展,本课程主要教学内容,模拟信号特点和模拟电路用途。 (2)熟悉放大器模型和主要性能指标。

(3)了解反馈基本概念和反馈分类。 (二)、集成运算放大器的线性应用基础(8学时) 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算,包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算,简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 (1)了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 (2)熟悉在理想集成运放条件下,对电路引入深反馈对电路性能的影响,掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 (3)掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 (4)了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布,能正确判断电路的滤波特性。 (5)熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义,了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点:各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点:有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响,。 (三)、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关(4学时) 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算,简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。 1.14

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( )。 A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。 B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为( ) A. - B. -5V C. - D. - 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时,若i υ为正弦波,则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

模电-童诗白(第四版)课后题全解

模拟电子技术(第四版)童诗白 课后习题答案 第一章半导体基础知识 自测题 一、 (1)v (2)X (3)v (4 )X ( 5)v (6 )X 二、 (1) A (2) C (3) C (4) B ( 5) AC 三、 U oi ?1.3V U O 2= 0 U o3~— 1.3V U o4~ 2V U °5~ 2.3V U °6~— 2V 四、 U o1 = 6V U O 2= 5V 五、 根据 P CM = 200mW 可得:U CE F = 40V 时 I C = 5mA , U CE = 30V 时 l C ~ 6.67mA , U CE ^ 10V 时I C = 20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、 1、 V BB - U BE R b l c 「I B 二 2.6mA U CE = V CC _ l C R C = 2V U O = U CE = 2 V 。 2、临界饱和时 U CES = U BE = 0.7V ,所以 上二28.6讥 七、T 1 :恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1 (1) A C (2) A ( 3) C (4) A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成 端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和U o 的波形如图所示。 R b V BB - U BE : 45.4k.' U CE = 20V 时 I C = 10mA , V CC - U CES 一 ——=2.86mA R c 也t 指数关系,当 ..'t

1.4 u i 和U o 的波形如图所示。 1.6 I D =( V — U D ) /R = 2.6mA , g~ U T /I D = 10 Q , l d = U i /r D ^ 1mA 。 1.7 (1 )两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得 0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM = P ZM / U Z = 25mA , R = U Z /I DZ = 0.24 ?1.2k Q 。 1.9 (1 )当U l = 10V 时,若U O = U Z = 6V ,则稳压管的电流为 4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压 管未击 穿。故 R U o L U l 3.33V R R L 当U I = 15V 时,由于上述同样的原因, U O = 5V 。 当 U I = 35V 时,U O = U Z = 5V 。 (2) l D Z = (U i -U Z ).;R=29mA > I ZM = 25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1) S 闭合。 (2) R min =(V -U D ). I Dm ax 233 门,R max =(V —U D ). I Dmin 二 700门 1.5 U o 的波形如图所示。

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

最新模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案解析

模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大; B.不变; C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可

视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少? 解:二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4 故动态电流的有效值:/1d i D I U r mA =≈ 1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少? 解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。 (2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。 1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =,最小稳定电流 min 5Z I mA =,最大稳定电流max 25Z I mA =。 (1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值; (2)若35I U V =时负载开路,则会出现什么现象? 为什么? 解:(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时,输出电压才为6V 。 ∴V U I 10=时,V U R R R U I L L O 3.3=+= ; V U I 15=时,5L O I L R U U V R R = =+; V U I 35=时,11.7L O I Z L R U U V U R R = ≈>+,∴V U U Z O 6==。 (2)当负载开路时,mA I mA R U U I Z Z I Z 2529max =>=-=,故稳压管将被烧毁。 1.7 在图Pl.7 所示电路中,发光二极管导通电压 U D =1.5V ,正向电流在5~15mA 时才能正常工作。

模拟电子技术基础pdf

模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.360docs.net/doc/c514301377.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.360docs.net/doc/c514301377.html, 1,电子技术的发展,电子技术的发展,促进计算机技术的发展,使其“无处不在”,广泛用过的!广播和通信:发射机,接收机,公共地址,录音,程控交换机,电话,移动电话;网络:路由器,ATM交换机,收发器,调制解调器;行业:钢铁,石化,机械加工,数控机床;运输:飞机,火车,轮船,汽车;军事:雷达,电子导航;航空航天:卫星定位,监测医疗:伽马刀,CT,B超检查,微创手术;消费类电子产品:家用电器(空调,冰箱,电视,音响,摄像机,照相机,电子手表),电子玩具,各种警报器,安全系统HCH a https://www.360docs.net/doc/c514301377.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年,1947年和1958年,从电子管到半导体管再到集成电路,集成电子管应运而生,晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管,晶体管和集成电路的比较https://www.360docs.net/doc/c514301377.html,半导体组件的发展,贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管,在1958年制造了集成电路,在1969年制造了LSI,在1975年制造了第一

个集成电路四个晶体管,而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测,集成度将提高10倍/ 6年,到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术!hch a tsin https://www.360docs.net/doc/c514301377.html,要记住的一些科学家!第一个晶体管的发明者(由贝尔实验室的John Bardeen,William schockley和Walter bradain发明)在1947年11月底发明了该晶体管,并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年,他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日,第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后,他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层,最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习,你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好,可以肯定,其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础,就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂,你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图?如果你对数字电路一窍不通,你怎么去学习计算机硬件和软件知识?你怎么能成为出色的电气工程师? 二.培养对电子技术的兴趣,使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道,如果你想要学习某个方面的知识和技能,就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手,除了其本身有好的嗓子外,他(她)们肯定对唱歌有浓厚的兴趣,他(她)们才能如此刻苦去学习,才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手,如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样,学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣,不是老师要我学,而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习,才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年,其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术,对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业,而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂,当时正是文化革命时期,到了工厂就接受工人阶级再教育,六、七年的时间,和其它工人师傅一样,一直在车间生产第一线。三班倒,干的是高温作业,又热又累的工作。尽管干的别的工种的活,但我热爱电子技术。到工厂之后,对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代,本人又从研究所调回学校,从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(×) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) (5)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。(√) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 (5)在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体,加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (7)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图T1.4

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100 V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

《模拟电子技术基础》题库

《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12(第一章) 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________,它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了__________电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是,P型半导体中多数载流子是,PN结具 有特性。 5、发射结偏置,集电结偏置,则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子,自由电子为载流子。 7、PN结正偏时,反偏时,所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成,其大小与有关,而与外加电压。 9、三极管是控制元件,场效应管是控制元件。 10当温度升高时,三极管的等电极电流I,发射结压降UBE。 11、晶体三极管具有放大作用时,发射结,集电结。 12、漂移电流是电流,它由载流子形成,其大小与有关,而与 外加电压。 13-19(第二章) 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB,第二 级电压增益为26dB,则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_________,有奇数级组成的多 级放大电路中,输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________,电流负反馈稳定的输出量_______, 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________,控制极加适当的__________,晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中,二极管承受的最大反向电压为V RM,负载电压为V O。 20-26(第三章) 20、甲类功放的最大缺点是_______; 21、双极型三极管是控制器件,场效应管是控制器件;结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压,才能正常放大工作。

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