线性电子电路试题要点
浙江省2003年4月高等教育自学考试线性电子电路试题
课程代码：02340
一、填空题(每空1分，共20分)
1.利用晶体二极管的___________和___________特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。
2.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成___________电流，由外加电场引起载流子运动形成
___________电流。
3.已知某晶体三极管的VBE=0.7V,VCE=1.0V,则该管工作在区，由___________材料制造。
4.晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要是___________电容，集电结的结电容主要是
___________电容。
5.通常将反型层称为增强型MOS管的源区和漏区之间的___________沟道，其中由___________形成的沟道称为N沟道。
6.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈___________关系，故又称该区为___________。
7.在晶体管放大器中，即能放大电压也能放大电流的是___________组态放大电路；可以放大电压但不能放大电流的是___________组态放大电路。
8.放大电路的失真分为___________和___________两大类。
9.放大电路中，引入直流负反馈的作用是___________，引入交流负反馈的目的是改善放大器的
___________。
10.深度负反馈条件是___________，此时反馈放大器的增益近似等于___________。
二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)
1.当PN结外加正向电压时，扩散电流( )漂移电流。
A.大于
B.小于
D.近似等于
2.当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域?( )
A.阻挡层
B.耗尽层
C.空间电荷区
D.突变层
3.有四个晶体三极管：已知它们的电流放大系数β及穿透电流ICEO的值，使用时选用哪个更合
适?( )
A.β=200,ICEO=10μA
B.β=10,ICEO=0.1μA
C.β=50,ICEO=0.1μA
D.β=100,ICEO=10μA
4.常温下，某晶体三极管在ICQ=1mA处，rbe=1.6KΩ，β=50,则等于( )。
A.200Ω
B.300Ω
C.400Ω
D.500Ω
5.某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是( )。
A.P沟道结型管
B.耗尽型PMOS管
C.耗尽型NMOS管
D.增强型PMOS管
6.场效应管工作在放大状态时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的( )。
A.非饱和区
B.饱和区
D.击穿区
7.具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降( )。
A.3dB
B.6dB
C.20dB
D.9dB
8.集成运算放大器实质上是一种( )。
A.交流放大器
B.高电压增益的交流放大器
C.高电压增益的直接耦合放大器
D.高增益的高频放大器
9.多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是( )。
A.各级电路的参数很分散
B.回路增益| |大
C.闭环增益大
D.放大器的级数少
10.负反馈可以改善放大器的性能，下述哪种说法不准确?( )
A.减少放大器增益
B.改变输入电阻
C.改变输出电阻
D.改善噪声系数
三、简答题(每小题5分，共15分)
1.设二极管为理想，试判断图三(1)电路中，各二极管是否导通，并求V AO的
值。
2.设图三(2)所示电路中三极管为硅管，β=50，试通过估算判断它的静态工作
点位于哪个区?
3.在图三(3)所示电路中，已知MOS管的,V Gs(th)=1.0V,
试求I DQ,V GSQ,V DSQ的值。
四、分析计算题(每小题9分，共45分)
1.放大器电路如图四(1)所示，已知场效应管的g m=2ms,r ds忽略不计，所有电容对交流呈短路。求：
(1)电压放大倍数Av；
(2)输入电阻R i和输出电阻R o；
(3)只考虑C D的影响，求低端转折频率f L的值。
2.差动放大电路如图四(2)所示，已知
I EE=1mA，所有管子特性相同，β=100,=0,|V A|=100V，求：
(1)差模输入电阻R id和差模输出电阻R od；
(2)差模电压放大倍数Aυd=υo/(υi1-υi2)；
(3)由T3管构成的恒流源的等效内阻r o3.
3.电路如图四(3)所示。
(1)采用υ01输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路?
(2)采用υ02输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路?
(3)假设为深度负反馈，试求第2种情况下的电压增益Aυf=υo2/υi.
4.运放电路如图四(4)所示，各运放均为理想，试求
(1)υ03和υo(t)及υ02和υ03的关系；
(2)写出υo(t)和υs(t)之间的关系式。
5．电路如图四(5)所示，所有运放均为理想且最大输出电压为±12V，设υi1=υi2=0V时，
υo=+12V
(1)当υi1=-10V，υi2=0V时，经过多少时间，υo由+12V跳变为-12V?
(2)υo变成-12V后，υi2由0V变为+15V，求再经过多少时间，υo由-12V跳变为+12V?
(3)说明A1、A2各为什么单元电路。
浙江省2003年7月高等教育自学考试线性电子电路试题
课程代码：02340
一、填空题(每小题2分，共20分)
1.杂质半导体中的多数载流子是由_______产生的，少数载流子是由_______产生的。
2.一般而言，击穿电压在6V以下的属于_______击穿，6V以上的主要是_______击穿。
3.三极管工作在放大区时，各电极之间的电流关系是IC=_______IB，IE=_______IC.
4.根据外加电压的不同，晶体三极管的输出特性曲线族可划分为放大区、区、饱和区和_______区。
5.已知场效应管VGS(th)=4V，当VGS=6V时，ID=1mA，试写出饱和区转移特性的表达式ID=_______，当VGS=3V 时，ID=_______。
6.在JFET中，沟道的导电能力受VGS和VDS的控制与MOS管类似，不同的是这种控制是通过改变PN结
_______中的_______来实现的。
7.放大器中的线性失真可分为_______失真和_______失真两类。
8.直接耦合放大电路中因温度变化引起的漂移称为_______。采用电容耦合方式是否存在这种现
象?_______。
9.若希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用_______负反馈；若希望负载变化时输出电压稳定，则应引入_______负反馈。
10.若引入反馈减弱了输入信号的作用，使放大倍数_______，这样的反馈称为_______。
二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)
1.当PN结反向工作时，其结电容主要是( )。
A.势垒电容
B.扩散电容
C.平板电容
D.势垒和扩散电容并存
2.温度升高时，晶体二极管的VD(on)将( )。
A.增大
B.减小
C.不变
D.近似不变
3.晶体管的混合π型等效电路模型在下列哪种情况下才能应用?( )
A.小信号，管子处在饱和区
B.大信号，管子处在放大区
C.小信号，管子处在放大区
D.大信号，管子处在饱和区
4.某晶体三极管的iB从20μA变化到40μA时，对应的iC从2mA变化到5mA，则该管的β等于( )。
A.100
B.150
C.200
D.300
5.P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是( )。
A.VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)
B.VGS>V GS(th),VDS C.VGS D.VGS 6.当场效应管工作在( )区且限制VDS为小值时，可作为阻值受VGS控制的线性电阻器。 A.饱和 B.截止 C.非饱和 D.击穿 7.在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的( )。 A.和值 B.差值 C.迭加 D.平均值 8.多级放大电路放大倍数的波特图是( )。 A.各级波特图的叠加 B.各级波特图的乘积 C.各级波特图中通频带最窄者 D.各级波特图中通频带最宽者 9.已知某一放大器的A=100，现要求引入反馈以后增益Af=10，问反馈系数kf应为多少?( ) A.0.01 B.0.05 C.0.09 D.0.10 三、简答题(每小题5分，共15分) 1.如图三(1)所示电路中的二极管为理想，试画出电路的传输特性曲线(v0～v i的关系曲线)，并写出分析过程。 2.设图三(2)所示电路中的三极管为硅管，β=50，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区? 3.图三(3)所示电路中，设两管特性相同，T1管的(W/L)是T2管的5倍， =1000cm2/V·S，Cox=3×10-8F/cm2，(W/L)1=10,V GS(th)=2V，求I D2的值。 四、分析计算题(每小题9分，共45分) 1.放大电路如图四(1)所示，已知晶体管的β=50,γbb′=0Ω，电容对交流短路，γb′e=5.2kΩ，γce忽略不计。试求： (1)放大电路的输入电阻R i和输出电阻R0； (2)电压增益A v和源电压增益A v s. 2.图四(2)是高输入阻抗型场效应管差分放大电路，用作高阻型集成运放的输入级。已知g m=2ms，R L=10kΩ，求： (1)差模电压增益A v d；(2)共模电压增益A v c，共模抑制比K CMR. 3.反馈放大电路的交流通路如图四(3)所示，试： (1)判别级间反馈的类型； (2)设满足深度负反馈条件，计算源电压增益A vfs=v0/v s. 4.理想运放电路如图四(4)所示，求v01、v02、v03的值。 5.迟滞电压比较器电路如图四(5)所示，已知稳压管的V Z= 6.3V，V D(on)=0.7V，运放的最大输出电压为±10V，V REF=3V，试： 通过分析，画出比较特性(v0～v i)曲线。 浙江省2004年4月高等教育自学考试线性电子电路试题 课程代码：02340 一、填空题(每小题2分，共20分) 1.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成______电流，由外电场引起载流子运动，形成______电流。 2.PN结具有电容特性，正偏时以______电容为主，反偏时以______电容为主。 3.晶体三极管的ICBO是指______极开路的情况下，______的电流。 4.已知某三极管VBE=0.7V，VCE=0.3V，则该管工作在______区，是由______材料制造的。 5.MOS管作为开关应用时，其工作状态应在______和______之间转换。 6.就VGS而言，增强型MOS管是______极性的，而耗尽型MOS管是______极性的。 7.多级直接耦合放大电路的两个主要问题是______和______。 8.放大器输入信号为单一频率正弦波，输出为非正弦波，这种失真称为______失真，这时输出信号中将产生______频率成份。 9.反馈量来自放大电路的输出电压，而又以电流信号的形式迭加到放大电路的输入端，称此种类型的负反馈是______。这种反馈可以使放大电路的输入电阻______。 10.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入______负反馈，若要稳定输出电流应引入______负反馈。 二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分) 1.当半导体二极管的反向击穿电压小于6V，主要发生何种击穿现象?( ) A.雪崩击穿 B.齐纳击穿 C.热击穿 D.碰撞击穿 2.一个硅二极管在正向电压VD=0.6V时，正向电流ID为10mA，若VD增大到0.66V(即增加10%)，则电流ID( )。 A.约为11mA(也增加10%) B.约为20mA(增大1倍) C.约为100mA(增大到原先的10倍) D.仍为10mA(基本不变) 3.如果将放大电路中的晶体三极管的基极和发射极短路，则( )。 A.管子深饱和 B.发射结反偏 C.管子截止 D.集电结烧坏 4.测得某放大电路中的三极管三个管脚对地电位分别是2V、2.3V、5V，则可判断该管的材料和类型是 ( )。 A.硅、NPN B.硅、PNP C.锗、NPN D.锗、PNP 5.场效应管是一种( )。 A.电压控制器件 B.电流控制器件 C.双极型器件 D.少子工作的器件 6.若场效应管的偏置电压VGSQ=1V，则该管不可能是一个( )。 A.P沟道结型管 B.N沟道结型管 C.P沟道耗尽型MOS管 D.N沟道增强型MOS管 7.需设计一只单级晶体管放大器，要求输入电阻很大，输出电阻小，请选择( )。 A.共射放大 B.共基放大 C.共集放大 D.共源放大 8.电容耦合放大电路( )。 A.只能放大直流信号 B.只能放大缓变信号 C.只能放大交变信号 D.既能放大直流信号又能放大交流信号 9.要得到一个由电流控制的电压源，应选( )负反馈形式。 A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联 10.深度负反馈电路的放大器增益取决于反馈系数，与基本放大器的放大倍数无关， 但基本放大器( )。 A.可以去掉 B.不能去掉 C.不一定 D.并不重要 三、简答题(每小题5分，共15分) 1.已知晶体三极管的静态工作电流I CQ=1mA，｜V A｜=100V，β=100，=100Ω， 、r ce的值。 试画出低频小信号混合π型等效电路，并求出g m，r b ′e 2.电路如图三(2)所示，设MOS管的Cox(w/l)=40μA/V2，V GS(th)=-1V，试求V0和I D的值。 3.一电流源电路如图三(3)所示，设T1，T2管参数相同，β=100，V BE=-0.6V。若要使I C2=1mA，V C2≤12V，且R1=R2，试确定电阻R1、R2的最大允许值。 四、分析计算题(每小题9分，共45分) 1.放大电路如图四(1)所示，已知三极管的β=80,r be= 2.2kΩ， 求(1)放大器的输入电阻R i； (2)从射极输出时的A u2和R02； (3)从集电极输出时的A u1和R01。 2.放大电路如图四(2)所示，设各管的β=100，V BE=0.7V，=200Ω。试 (1)求T2管的静态工作点(I CQ2、V CQ2)； (2)估算放大器的电压增益A v； (3)求放大器输出电阻R0。 3.放大电路如图四(3)所示，所有电容对交流视作短路， (1)判断级间反馈的类型和极性。 (2)计算在深负反馈条件下，源电压增益A vfs=v0/v S的表达式。 (3)若要求电路参数变化时，电压放大倍数基本不变，如何改接反馈电阻R F?并予以说明。 4.理想运放组成的电路如图四(4)所示，试求输出电压v0与输入电压v i的关系式，并说明A1、A2实现的功能。 5.迟滞比较器电路如图四(5)所示，二极管为理想器件， (1)画出比较特性； (2)设v i=6sin t(V)，画出输出波形。(画二个周期) 浙江省2004年7月高等教育自学考试线性电子电路试题 课程代码：02340 一、填空题(每小题1分，共10分) 1.半导体是依靠__________和空穴两种载流子导电的。 2.PN结中的反向击穿现象按物理机制可分为__________和齐纳击穿两大类。 3.当晶体三极管工作在发射结加__________、集电结加反偏的模式时，它呈现的主要特性是正向受控作用。 4.若测得晶体管的三个电极电位分别是-5V，-4.7V，-2V，则该管类型是__________。 5.场效应管的饱和区又称放大区，它是沟道__________后所对应的工作区。 6.MOS管分为__________种类型。 7.三种基本组态晶体管放大电路中，共集组态具有输入电阻高、输出电阻_________的特点。 8.在直接耦合多级放大器中存在着需要解决的两个问题：一是级间电平的配合；二是克服_________的有害影响。 9.放大电路中，要稳定输出电压，应引入__________负反馈。 10.反馈放大器是一个由基本放大器和__________构成的闭合环路。 二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共30分) 1. 杂质半导体中多数载流子浓度( )。 A. 与掺杂浓度和温度无关 B. 只与掺杂浓度有关 C. 只与温度有关 D. 与掺杂浓度和温度都有关 2. 半导体二极管是温度的敏感器件，当温度增加时，其参数IS和VD(on)都将发生变化，试选择正确答案。( )。 A. IS上升，VD(on)下降 B. IS上升，VD(on)上升 C. IS下降，VD(on)下降 D. IS下降，VD(on)上升 3. 随着温度的升高，晶体三极管的( )将变小。 A. β B. VBE(on) C. ICBO D. ICEO 4. 晶体管的输出特性曲线分为四个区，请选择哪个区具有基区宽度调制效应?( ) A. 饱和区 B. 放大区 C. 截止区 D. 击穿区 5. N沟道耗尽型MOS管工作在非饱和区的条件是( )。 A. VGS>VGS(th), VDS>VGS-VGS(th) B. VGS>VGS(th), VDS C. VGS D. VGS 6. 以下场效应管中哪个的衬底必须接在电路中的最高电位上?( ) A. P沟道JFET管 B. N沟道DMOS管 C. N沟道EMOS管 D. P沟道EMOS管 7. 设计一只单级放大器，要求输入阻抗小，输出阻抗大，请选择( )。 A. 共射放大 B. 共基放大 C.共集放大 D. 共源放大 8. 差分放大器中，用恒流源替代射极电阻Re是为了( )。 A. 提高Avd B. 提高Avc C. 提高KCMR D. 提高Rod 9. 交流负反馈是指( )。 A. 只存在于电容耦合电路中的负反馈 1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？ 解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。 1-3 一功率放大器要求输出功率P。= 1000 W，当集电极效率ηC 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减小多少？ 解： 当ηC1 = 40%时，P D1 = P o/ηC = 2500 W，P C1 = P D1P o=1500 W 当ηC2 = 70%时，P D2= P o/ηC =1428.57 W，P C2= P D2P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D下降，(P D1 P D2) = 1071.43 W P C下降，(P C1 P C2) = 1071.43 W 1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a）所示，已知V CC = 5 V，试求下列条件下的P L、P D、ηC（运用图解法）：（1）R L = 10Ω，Q点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ同（1）值，I cm = I CQ；（3）R L = 5Ω，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q点在负载线中点，充分激励。 解：(1) R L = 10 Ω 时，作负载线(由V CE = V CC I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ， I BQ1 = I bm = 2.4mA 因为V cm = V CEQ1 V CE(sat) = (2.6 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW 2642 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 = 1.1 W ，η C = P L / P D = 24% (2) 当R L = 5 Ω 时，由V CE = V CC I C R L 作负载线，I BQ 同(1) 值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA 这时，V cm = V CC V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA 所以 mW 1562 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ，η C = P L / P D = 12% (3) R L = 5 Ω，Q 在放大区内的中点，激励同(1)， 由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。 因为V cm = V CEQ3 v CEmin = 1.2 V ，I cm = i Cmax I CQ3 = 240 mA 所以mW 1442 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ3 = 2.3 W ，η C = P L / P D = 6.26% (4) R L = 5 Ω，充分激励时，I cm = I CQ3 = 460 mA ，V cm = V CC 电子电路基础知识 电路基础知识(一) 电路基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。 第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。 第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1型普通碳膜电阻a1} 二、电阻器的分类 1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。 4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 三、主要特性参数 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。 允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、5、10、25、50、1004、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。 阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。 7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。 8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。 实验1 单级放大电路 1．实验目的 1）学习使用电子仪器测量电路参数的方法。 2）学习共射放大电路静态工作点的调整方法。 3）研究共射放大电路动态特性与信号源内阻、负载阻抗、输入信号幅值大小的关系。2．实验仪器 示波器、信号发生器、交流毫伏表、数字万用表。 3．预习内容 1）三极管及共射放大器的工作原理。 2）阅读实验内容。 4．实验内容 实验电路为共射极放大器，常用于放大电压。由于采用了自动稳定静态工作点的分压式偏置电路（引入了射极直流电流串联负反馈），所以温度稳定性较好。 1）联接电路 (1)用万用表判断实验箱上的三极管的极性和好坏。由于三极管已焊在实验电路板上，无法用万用表的h EF档测量。改用万用表测量二极管档测量。对NPN三极管，用正表笔接基极，用负表笔分别接射极和集电极，万用表应显示PN结导通；再用负表笔接基极，用正表笔分别接射极和集电极，万用表应显示PN结截止。这说明该三极管是好的。用万用表判断实验箱上电解电容的极性和好坏。对于10μF电解电容，可选择200kΩ电阻测量档，用万用表的负极接电解电容的负极，用万用表的正极接电解电容的正极，万用表的电阻示数将不断增加，直到超过示数的范围。这说明该电解电容是好的。 ⑵按图1.1联接电路。 ⑶接通实验箱交流电源，用万用表测量直流12V电源电压是否正常。若正常，则将12V 电源接至图1.1的Vcc。 图1.1 共射极放大电路 ⑷ 测量电阻R C 的阻值。将V i 端接地。改变R P （有案可查2 2k Ω、100k Ω、680k Ω三个可变电阻可选择），测量集电极电压V C ，求 I C =(V CC －V C )/R C 分别为0.5mA 、1mA 、1.5mA 时三极管的β值。建议使用以下方法。 b B cc 2b B B R V V R V I -=+ p 1b b R R R += B C I I =β （1-1） 请注意，电路断电、电阻从电路中开路后才能用万用表测量电阻值。本实验用测电阻值、电 压值来计算电流值，而不是直接测量电流，是因为本实验电路的电流较小，测量电流的测量误差较测量电压、电阻的误差大。同时还因为测量电流时万用表的内阻趋于零，使用不当很可能损坏万用表。 Vcc=11.992 V 图1.2是示意图。它示意i C 并不严格等于βi B ， 只是近似等于βi B ；或者说β并不是一个常数。通常， β随i B 增大而增大。 对于一个三极管，β随i B 的变化越小越好。用图 解法表示共发射极放大器放大小信号的原理可知，β 随i B 变化而变化是正弦波小信号经共发射极放大器放 大后产生非线性谐波失真的原因。若表1.1中β的数 值较接近，则表1.6中的非线性谐波失真应较小。使 用不同实验箱的同学之间可验证上述分析。由此可见， 在制作小信号放大器时，若要求其非线性谐波失真尽可能小，则应挑选β值随i B 变化而变化尽可能小的三极管。 2) 调整静态 电压放大器的主要任务是使失真尽可能小地放大电压信号。为了使输出电压失真尽可能小，一般地说，静态工作点Q 应选择在输出特性曲线上交流负载线的中点。若工作点选得太高，放大器在加入交流信号后容易引起饱和失真；若选得太低，容易引起截止失真。对于小信号放大器而言，若输出交流信号幅度较小，电压放大器的非线性失真将不是主要问题，因此Q 点不一定要选在交流负载线的中点，而可根据其他要求来选择。例如，希望放大器耗电省、噪声低，或输入阻抗高，Q 点可选得低一些。 将V i 端接地。调整R P ，使V C =6V ，测量计算并填写表1.2，绘制直流负载线，估算静态工作点和放大电路的动态范围；分析发射极直流偏置对放大器动态范围的影响。 一、判断题 1．理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。 （错） 2．因为正弦量可以用相量来表示，所以说相量就是正弦量。 （错） 3．自耦变压器由于原副边有电的联系，故不能作为安全变压器使用。（对） 4．电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 （对） 5．一个1/4W,100Ω的金属膜电阻，能够接在50V 电源上使用。 （错） 6．三相对称电路中，负载作星形联接时，P 3I I l 。 （错） 7．电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 （错） 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 （错） 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。 （错） 10．负载作星形联接时，必有线电流等于相电流。 （对） 11．一个实际的电感线圈，在任何情况下呈现的电特性都是感性。 （错） 12．正弦交流电路的频率越高，阻抗越大；频率越低，阻抗越小。 （错） 13．中线不允许断开，因此不能安装保险丝和开关。 （对） 14．互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 （ 错 ） 15．变压器是依据电磁感应原理工作的。 （ 对 ） 16．电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。 （ 对 ） 17．自耦变压器由于原副边有电的联系，所以不能作为安全变压器使用。 （ 对 ） 18．电动机的转速与磁极对数有关，磁极对数越多转速越高。 （ 错 ） 19．三相异步电动机在满载和空载下起动时，起动电流是一样的。（ 错 ） 20．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错） 21．晶体管可以把小电流放大成大电流。 （对） 22．在P 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 （对） 23．晶体管可以把小电压放大成大电压。 （ 错 ） 24．在N 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 （错） 25．二极管两端加上正向电压就一定会导通。 （错） 二、选择题 1．电位和电压相同之处是( C )。 A ．定义相同 B ．方向一致 C ．单位相同 D ．都与参考点有关 2．两个阻值相同的电阻器串联后的等效电阻与并联后的等效电阻之比是( A ) 电子电路基础知识点总结 1、 纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空 穴的数量相等的。 2、 射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于 1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器 （ 射极跟随器 ）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为 0,其共模抑制比为乂。 般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在 数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 限幅电路是一种波形整形电路， 因它削去波形的部位不同分为 4、 5、 上限幅、 下限幅和双向限幅电路。 6、 主从 JK 触发器的功能有保持、计数、置 0、置 1 。 7、 多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、 带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路 和比较放大电路分组成。 9、 时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还 与输出端的原状态有关。 10、 当PN 结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的。 11、 半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、 利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、 硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压 管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流 电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 倍，对全波整流电路而言较为倍。 15、处于放大状态的NPN 管，三个电极上的电位的分布必须符合 UC>UB>UE 而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射 结正偏。 16、 在 P 型半导体中，多数载流子是空穴，而 N 型半导体中，多 数载流子是自由电子。 晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时， 三极管应始终工作在放大区。 般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。 14、 17、 二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、 当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、 20、 小学期电子线路实习200 ----200 学年第学期 规范性实习报告 课程名称电子线路实习 学生专业学生分院 学生姓名学生班级 学生学号学生实习时间段 开课分院电子信息学院开课号S040307教学班号 实习教室工程训练大楼教室座位号 实习指导教师 实习日期年月日---- 月日 2006年1月制 电子线路实习教学大纲 开课分院：电子信息学院开课教研室（实验室）：实验中心 课程编号：S040307 总学时：小学期34学时学分：1 面向专业：机电学院、自动化学院、计算机学院、通信学院 一、目的与任务 电子线路实习是我校工科类专业的一门实践环节的必修课。参加实习的学生每学年近980人左右。电子线路实习其重要的特点就是培养学生实践动手能力和创新精神，通过学生的实践操作，提高学生综合素质及应用所学理论知识解决实际问题的能力。 二、内容要求 《1》电子元器件的认识。 《2》电子节能灯protel印制电路板的设计与制作。要求学生使用计算机，在掌握电路原理的基础上，根据原理图掌握电脑制图的方法 《3》MF50型指针式万用表的安装与调试。要求掌握电路原理，看懂电路走线，掌握用色环识别电阻的阻值，学会使用万用表。 《4》无极调光台灯的安装与调试。要求学生掌握好原理图，并能找出原理图中出现的错误。 《5》带3V电源的小型充电器的安装。要求学生掌握并审查原理图。 《6》2.1有源音响的安装与调试。 《7》16个课程实验，由学生自己选择。 《8》根据实习内容掌握常用仪器的使用方法。 三、实习方式 实习方式有两种：第一种，小学期停课实习。第二种，开放性电子线路实习，其模式是选题、预习、操作、考核。 四、时间安排 小学期停课实习安排两周，学时数33 五、先修课程和环节 应有电工电路基础，模拟电路基础。 六、考核方式与成绩评定 小学期根据年级、专业的不同，必须完成《1》《2》或《1》《3》或《1》《6》两个实习项目。 开放性电子线路实习必做项目为：《2》、《3》、《6》。 选做项目为：《4》、《5》、《7》。 要求掌握和了解《1》、《8》。 成绩评定采用：平时成绩（操作过程）+作业+实习报告+考试=总评 成绩比例分配：平时成绩（操作过程）50%+作业25%+实习报告15%+考试10%=总评100% 七、教材和参考书目 《电子线路实习网络教学课件》----详见学校主页之《网上教学》 《电子线路实习指导教程》 执笔人徐敏 2003年3月 模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。 8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小 电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器（射极跟随 器）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0,其共模抑制比为 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK 触发器的功能有保持、计数、置0、置 1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的 11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 1 倍，对全波整流电路而言较为 1.2 倍。 15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE而PNP管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 16、在P型半导体中，多数载流子是空穴，而N型半导体中，多数载流子是自由电子。 17、二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管应始终工作在放大区。 20、一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。 低频电子线路实验思考题: 实验一 常用电子仪器的使用 1． 什么是电压有效值？什么是电压峰值？常用交流电压表的电压测量值和示波器的电压 直接测量值有什么不同？ 答：电压峰值是该波形中点到最高或最低之间的电压值；电压有效值等于它的瞬时值的平方在一个周期内积分的平均值再取平方根。 常用交流电压表的电压测量值一般都为有效值，而示波器的电压直接测量都为峰值。 2．用示波器测量交流信号的幅值和频率，如何尽可能提高测量精度？ 答：幅值的测量：Y 轴灵敏度微调旋钮置于校准位置，Y 轴灵敏度开关置于合适的位置即整个波形在显示屏的Y 轴上尽可能大地显示，但不能超出显示屏指示线外。 频率测量：扫描微调旋钮置于校准位置，扫描开关处于合适位置即使整个波形在X 轴上所占的格数尽可能接近10格（但不能大于10格）。 实验二 晶体管主要参数及特性曲线的测试 1．为什么不能用MF500HA 型万用表的R ×1Ω和R ×10Ω档量程测量工作极限电流小的二极管的正向电阻值？ 答：根据MF500HA 型万用表的内部工作原理，可知R ×1Ω和R ×10Ω档量程测量工作极限电流小的二极管的正向电阻值的等效电路分别为图1和图2所示，此时流过二极管的最大电流mA V V I D 3.1384.92.05.11=-=Ω，mA V V I D 131002.05.12=-=Ω，当I D1和I D2大于该二极管的工作极限电流时就会使二极管损坏。 2．用MF500HA 型万用表的不同量程测量同一只二极管的正向电阻值，其结果不同，为什么？ 提示：根据二极管的输入特性曲线和指针式万用表Ω档的等效电路，结合测试原理分析回答。 答：R ×1Ω：r o =9.4Ω；R ×10Ω：r o =100Ω；R ×100Ω：r o =1073Ω；R ×1k Ω：r o =33.2k Ω。因为二极管工作特性为正向导通、反向截止，尤其是正向导通的输 入特性曲线为一条非线性曲线。用MF500HA 型万用表测量二极管的正 向电阻值的等效电路如右图所示，当量程小时，r o 的阻值小，流过二极 管的电流大，正向电阻阻值小，当量程变大（10k Ω除外）时，r o 的阻值 变大，流过二极管的电流变小，其所测的阻值变大。 实验六 直流稳压电源的设计与调测 1．整流滤波电路的输出电压U I 是否随负载的变化而变化？为什么？ 答：U I 是随负载的变化而变化。因为根据桥式整流电容滤波电路的工作原理可知：U I =（2~9.0）u 2 ，当u 2固定后，其系数的大小主要由负载电流（电阻）的大小来决定。负载电阻小时U I 小，反之则变大。 2．在测ΔU O 时，是否可以用指针式万用表进行测量？为什么？ 答：不可用指针式万用表测量。因为稳压器的输出电压变化量Δuo 为千分之几到万分之 《电工电子技术》课程复习资料 一、填空题： 1.正弦交流电的相量表示具体有有效值相量和最大值相量两种形式。 2.一阶电路暂态过程三要素法的表达式。 3.变压器有三大作用，分别是变压_、_变流_和_变换阻抗_。 结具有单向导电性，可描述为正偏导通、反偏截止。 5.以比较的风格分类，电压比较器有单限比较、滞回比较和窗口比较。 6.基本的逻辑关系是逻辑与、逻辑或和逻辑非。 7.“触发”是指给触发器或时序逻辑电路施加时钟（脉冲）信号。 8.电路的主要作用是传输、分配和控制电能和传送、处理电信号。 9.负载功率因数过低的后果是增大输电线路损耗和使供电设备不被充分利用。 10.三相同步发电机的基本构成是定子和转子。 11.电容和电感储能的数学表达式是和。 12.低压供电系统的接线方式主要有树干式和放射式。 13.实际变压器存在两种损耗，分别是铜耗和铁耗。 14.已知三相异步电动机的工频为50HZ，五对磁极，则同步转速为600r/min。 15.变压器的主要构成部件是绕组和铁芯。 16.已知三相异步电动机的工频为50HZ，四对磁极，则同步转速为750 r/min。 17.晶体三极管的两个PN结分别是发射结和集电结。 18.要使晶体三极管处于截止状态，其偏置方法是使发射结反偏集电结反偏。 19.反相比例运算关系是.，同相比例运算关系是。 20.多发射极管的作用是实现与运算、提高（逻辑）转换速度。 21.翻转是指触发器在时钟脉冲到达后形成与初态相反的次态。 22.我国规定的电力网特高压额定值有330kV、500kV和1000kV 。 23.理想变压器的变压公式是。 24.已知三相异步电动机的工频为50HZ，三对磁极，则同步转速为1000r/min。 25.晶体三极管有三种工作状态，分别为放大、截止和饱和。 26.放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。 27.负反馈对放大电路性能的影响有稳定电压放大倍数、拓展频宽、改善非线性失真和改变输入输出阻抗。 28.与时序电路相比，组合电路的特点是输出只与当前输入有关，而与初态无关。 29.理想变压器的变流公式是。 30.已知三相异步电动机的工频为50HZ，二对磁极，则同步转速为1500r/min 知识| 电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器(射极跟随器)。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0，其共模抑制比为∞。 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK触发器的功能有保持、计数、置0、置1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由少数载流子形成的。 11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的1倍，对全波整流电路而言较为1.2倍。15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE，而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合UE>UE>UC。 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 实验4.6 运算放大器的线性应用 一、实验目的 1．进一步理解运算放大器线性应用电路的结构和特点。 2．掌握电子电路设计的步骤，学会先用电子设计软件进行电路性能仿真和优化设计，再进行实际器件构成电路的连接与测试方法。 3．掌握运算放大器线性应用电路的设计及测试方法。 二、实验仪器与器件 1.双路稳压电源1台 2.示波器1台 3. 数字万用表1台 4. 集成运算放大器μA741 2块 5. 定值电阻若干 6.电容若干 7.DC信号源3块 8.电位器2只 三、实验原理及要求 运算放大器是高放大倍数的直流放大器。当其成闭环状态时，其输入输出在一定范围内为线性关系，称之为运算放大器的线性应用。运放线性应用时选择合理的电路结构和外接器件，可构成各种信号运算电路和具有各种特定功能的应用电路。选择适当个数的运算放大器和阻容元件构成电路实现以下功能： 1. U o=Ui 2．U O= 5U i1+U i2（R f=100k）； 3．U O= 5U i2-U i1（R f=100k）； 4．U O= - (0.1ui+1000∫u idt）（C f=0.1μF）； 5．用运放构成一个输出电压连续可调的恒压源(要求用一个运放实现)； 6．用运放构成一个恒流源(要求用一个运放实现)； 7. 用运放构成一个RC正弦波振荡器（振荡频率为500Hz）。 四、实验电路图及实验数据 1. U o=Ui Ui（V）0.3 0 -0.3 计算Uo(V) 0.3 0 -0.3 测量Uo(V) 0.302 0.001 -0.301 2．U O= 5U i1+U i2（R f=100k） 3．U O = 5U i2-U i1 （R f=100k ）； Ui1(V) 0.3 0.3 -0.3 Ui2(V) -0.1 0.1 0.1 计算Uo(V) 1.4 1.6 -1.4 测量Uo(V) 1.407 1.608 -1.396 Ui1(V) 0.3 0.3 -0.3 Ui2(V) -0.1 0.1 0.1 计算Uo(V) 1.6 1.4 -1.6 测量Uo(V) 1.735 1.533 -1.703 数字电子技术基础1 一．1．（1５分） 试根据图示输入信号波形分别画出各电路相应的输出信号波形L1、L2、L3、L4、和L5。设各触发器初态为“0”。 二．（15分） 已知由八选一数据选择器组成的逻辑电路如下所示。试按步骤分析该电路在M1、M2取不同值时（M1、M2取值情况如下表所示）输出F的逻辑表达式。 八选一数据选择器输出端逻辑表达式为：Y=Σm i D i,其中m i是S2S1S0最小项。 三．（8分） 试按步骤设计一个组合逻辑电路，实现语句“A>B”，A、B均为两位二进制数，即A （A1、A0），B（B1、B0）。要求用三个3输入端与门和一个或门实现。 四．（12分） 试按步骤用74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数。 74LS138逻辑表达式和逻辑符号如下所示。 五．（15分） 已知同步计数器的时序波形如下图所示。试用维持-阻塞型D触发器实现该计数器。要求按步骤设计。 六．（18分） 按步骤完成下列两题 1．分析图5-1所示电路的逻辑功能：写出驱动方程，列出状态转换表，画出完全状态转换图和时序波形，说明电路能否自启动。 2．分析图5-2所示的计数器在M=0和M=1时各为几进制计数器，并画出状态转换图。 图5-1 图5-2 七． 八．（10分） 电路下如图所示，按要求完成下列问题。 1．指出虚线框T1中所示电路名称. 2．对应画出V C 、V 01、A 、B 、C 的波形。并计算出V 01波形的周期T=？。 数字电子技术基础2 一．（20分）电路如图所示，晶体管的β＝100,Vbe=0.7v 。 （1）求电路的静态工作点; （2） 画出微变等效电路图, 求Au 、r i 和r o ； （3）若电容Ce 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？并定性说明变化趋势. 二．（15分）求图示电路中a U 、b U 、b U 、c U 及L I 。 三．（8分）逻辑单元电路符号和具有“0”、“1”逻辑电平输入信号X 1如下图所示，试分别画出各单元电路相应的电压输出信号波形Y 1、Y 2、Y 3。设各触发器初始状态为“0”态。 四．（8分）判断下面电路中的极间交流反馈的极性（要求在图上标出瞬时极性符号）。如为负反馈，则进一步指明反馈的组态。 （a ） （b ） 1 全国2018年10月高等教育自学考试 非线性电子电路试题 课程代码：02342 一、选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个至四个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选、少选或未选均无分。 1.反馈型振荡器的振幅稳定条件是（ ） A.1)j (T =ω B.0U K i 电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体 三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数 相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是 空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是 电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电 压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后， 一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电 流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。 7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、 流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为+5V。 实验一元件伏安特性的测试 一、实验目的 1．掌握线性电阻元件，非线性电阻元件及电源元件伏安特性的测量方法。 2．学习直读式仪表和直流稳压电源等设备的使用方法。 二、实验说明 电阻性元件的特性可用其端电压U与通过它的电源I之间的函数关系来表示，这种U与I的关系称为电阻的伏安关系。如果将这种关系表示在U~I平面上，则称为伏安特性曲线。 1．线性电阻元件的伏安特性曲线是一条通过坐标原点的直线，该直线斜率的倒数就是电阻元件的电阻值。如图1－1所示。由图可知线性电阻的伏安特性对称于坐标原点，这种性质称为双向性，所有线性电阻元件都具有 这种特性。 －1 图 半导体二极管是一种非线性电阻元件，它的阻值随电流的变化而变化，电压、电流不服从欧姆定律。半导体二极管的电路符号用 表示，其伏安特性如图1－2所示。由图可见，半导体二极管的电阻值随着端电压的大小和极性的不同而不同，当直流电源的正极加于二极管的阳极而负极与阴极联接时， 二极管的电阻值很小，反之二极管的电阻值很大。 2．电压源 能保持其端电压为恒定值且内部没有能量损失的电压源称为理想电压源。理想电压源的符号和伏安特性曲线如图1－3（a）所示。 理想电压源实际上是存在的，实际电压源总具有一定的能量损失，这种实际电压源可以用理想电压源与电阻的串联组合来作为模型（见图1－3b）。其端口的电压与电流的关系为： s s IR U U- = 式中电阻 s R为实际电压源的内阻，上式的关系曲线如图1－3b 所示。显然实际电压源的内阻越小，其特性越接近理想电压源。 实验箱内直流稳压电源的内阻很小，当通过的电流在规定的范围内变化时，可以近似地当作理想电压源来处理。 （a） （b） i s I 1 学习-----好资料 ）A 二学期期末考试试卷（《电路与电子技术基础》2004~2005学年第 时间：120分钟 班级学号姓名成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔，作图可以用铅笔； 2.除可以携带指定的文具用品（钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器）外，其他物品不准带入考场（手机必须关机，参考资料与书包全部放到教室前面）； 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题，可以先举手，经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题（本题共40分，每题2分，将你认为正确的选项对应的字母填在括号内） 。）测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示：该管为（C 1． 型硅管A. PNP 型硅管B. NPN型锗管C. PNP②①型锗管D. NPN-2.2V -2V ③ -8V 1 考试题图。）2．正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（ B 特性曲线所有区域D. C. 正向特性非工作区正向特性工作区 B. 反向击穿区 A. 。）．组合逻辑电路的设计是指（ A 3 已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程A. 已知逻辑要求，列真值表的过程B. Ω1已知逻辑图，求解逻辑功能的过程C. i L + 则电感电流) = 2 cos t V，所示电路的u (t4．考试题图2S) t(u2H s D ）。i(t)的初相等于（L_ B. －26.6° A. 26.6° 63.4°D. － C. 63.4° 2 考试题图 ）。5．电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是（B B. 减小输入电阻、增大输出电阻 A. 减小输入电阻及输出电阻 D. 增大输入电阻及输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 二、简答题 1、小信号谐振放大器的主要性能指标有哪些？ 答：小信号谐振放大器的主要性能指标是：谐振增益、通频带、选择性、稳定性等。 2、小信号谐振放大器的作用是什么？其中的选频作用由什么来实现？ 答：其作用是：既选频又放大。其选频作用由谐振回路来实现。 3、小信号谐振放大器不稳定的内部原因是什么？提高稳定性的措施有哪些？ 答：①谐振放大器不稳定的原因为：由于y re 不等于零，晶体管存在着内反馈。所以它 是一个“双向器件”。作为放大器工作时，y re 的反馈作用是有害的，其有害作用 是可能引起放大器自激至使其工作不稳定。 ②提高稳定性的措施有：减小y re 内反馈作用（可采用中和法）；增大y L （可采用失配法）。 4、什么叫双参差调谐放大器？它是如何提高选择性和展宽频带的？ 答：所谓双参差调谐，就是将两级单调谐回路放大器的谐振频率分别调整到略高于（11f f f o ?+=）和略低于（12f f f o ?-=）中心谐振频率f o 上。具有双参差调谐的放大器就为双参差调谐放大器。 如图1-17（a ）所示，由于放大器总增益等于各级电压增益的乘积，因此只要f 1和f 2取值适当，让一级频率特性的上升段与另一级频率特性的下降段刚好相互补偿，则合成的频率特性曲线在通带内可以相对平坦，且通频带较宽，而通频带以外信号的增益则迅速衰减。使其幅频特性曲线更接近于矩形，如图1-17（b ）所示。 5、多级级联之后谐振放大器的通频带和选择性（和单级谐振放大器相比）的总变化趋势是什么？ 答：多级级联之后，总的选择性变好了，通频带变窄了。 6、小信号谐振放大器中的晶体管为何要用Y 参数等效电路？ 答：因为在小信号谐振放大器中，放大器件、谐振系统和负载之间一般为并联形式，采用导纳可直接进行相加，运算简便，所以采用Y 参数等效电路。（Y 参数虽与频率有关，但小信号谐振放大器属窄带系统，Y 参数变化不大，可近似认为不变。） 7谐振功率放大器的谐振系统的作用是什么？ 答：其作用是：既选频、滤波又具有阻抗变换作用。 8、谐振功率放大器的输入、输出端的管外电路由哪两部分组成？ 答：由直流馈电电路和匹配网络两部分组成。 9、倍频器与谐振功率放大器的差别在哪儿？ 答：差别在于：倍频器的输出回路是调谐在输入信号频率的n 次谐波上的谐振系统，并 由集电极电流脉冲中的n 次谐波分量在其上产生所需输出信号电压。 10常见的匹配网络有哪些？（说出三种） 浙江省2004年4月高等教育自学考试 线性电子电路试题 课程代码：02340 一、填空题(每小题2分，共20分) 1.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成______电流，由外电场引起载流子运动，形成______电流。 2.PN结具有电容特性，正偏时以______电容为主，反偏时以______电容为主。 3.晶体三极管的I CBO是指______极开路的情况下，______的电流。 4.已知某三极管V BE=0.7V，V CE=0.3V，则该管工作在______区，是由______材料制造的。 5.MOS管作为开关应用时，其工作状态应在______和______之间转换。 6.就V GS而言，增强型MOS管是______极性的，而耗尽型MOS管是______极性的。 7.多级直接耦合放大电路的两个主要问题是______和______。 8.放大器输入信号为单一频率正弦波，输出为非正弦波，这种失真称为______失真，这时输出信号中将产生______频率成份。 9.反馈量来自放大电路的输出电压，而又以电流信号的形式迭加到放大电路的输入端，称此种类型的负反馈是______。这种反馈可以使放大电路的输入电阻______。 10.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入______负反馈，若要稳定输出电 流应引入______负反馈。 二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填 在题干的括号内。每小题2分，共20分) 1.当半导体二极管的反向击穿电压小于6V，主要发生何种击穿现象？( ) A.雪崩击穿 B.齐纳击穿 C.热击穿 D.碰撞击穿 2.一个硅二极管在正向电压V D=0.6V时，正向电流I D为10mA，若V D增大到0.66V(即增加10%)，则电流I D( )。 A.约为11mA(也增加10%) B.约为20mA(增大1倍) C.约为100mA(增大到原先的10倍) D.仍为10mA(基本不变) 3.如果将放大电路中的晶体三极管的基极和发射极短路，则( )。 A.管子深饱和 B.发射结反偏 C.管子截止 D.集电结烧坏 4.测得某放大电路中的三极管三个管脚对地电位分别是2V、2.3V、5V，则可判断该管的材料和类型是( )。 A.硅、NPN B.硅、PNP C.锗、NPN D.锗、PNP 地址：北京市海淀区知春路1号学院国际大厦18层电话:(010)82335555 -第 1 页共 4 页-非线性电子线路完全答案(谢嘉奎第四版)
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