湖南大学高频期末试卷通信电路(B)2012新

诚信应考,考试作弊将带来严重后果！

湖南大学课程考试试卷

4.谐振功率放大器与调谐放大器的区别是 A ．前者比后者电源电压高 B ．前者比后者失真小C ．谐振功率放大器工作在丙类，调谐放大器工作在甲类D ．谐振功率放大器输入信号小，调谐放大器输入信号大

考试中心填写：

A．VSB B．SSB C．DSB D．AM

6．石英晶体振荡器的主要优点是（）A．容易起振B．振幅稳定C．频率稳定度高D．减小谐波分量

7．无线通信系统接收设备中的中放部分采用的是以下哪种电路（）A．调谐放大器B．谐振功率放大器C．检波器D．鉴频器

8．调幅收音机中频信号频率为（）A．458kHz B．9.3MHz C．40MHz D．不能确定

9．下列可能为丙类高频功率放大器的通角是（）A．θ＝180°B．140°C．θ＝90°D．θ70°

10．某超外差接收机的中频为465kHz，当接收550kHz的信号时，还收到1480kHz的干扰信号，此干扰为（）

A.干扰哨声

B.中频干扰

C.镜像干扰

D.交调干扰

11．若要产生稳定的正弦波振荡，要求反馈型振荡器必须满足（）A．平衡条件B．起振条件和平衡条件

C．相位条件和幅度条件D．起振条件、平衡条件和稳定条件

12．调幅的描述（）A．用载波信号去控制调制信号的振幅，使调制信号的振幅按载波信号的规律发生变化。

B．用调制信号去控制载波信号的振幅，使调制信号的振幅按载波信号的规律发生变化。

C．用调制信号去控制载波信号的振幅，使载波信号的的振幅随调制信号的规律发生变化。13．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩsinΩt，则调频波的表达式为（）A．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt）B．u FM(t)=U C cos（ωC t－m f cosΩt）

C．u FM(t)=U C（1＋m f sinΩt）cosωC t D．u FM(t)=kUΩU C cosωC tsinΩt

14．无论是调频信号还是调相信号，它们的ω（t）和φ（t）都同时受到调变，其区别仅在于按调制信号规律线性变化的物理量不同，这个物理量在调相信号中是（）

A．ω（t）B．φ（t） C．Δω（t） D．Δφ（t）

15．二极管峰值包络检波器，原电路工作正常，若负载电阻加大，会引起（）（Ａ）惰性失真（Ｂ）底部切削失真

（Ｃ）频率失真（Ｄ）惰性失真及底部切削失真

10．频率合成技术可以在一定频率范围内提供一系列高准确度和高稳定度的频率源。（）

四、简答题（12分）

1、在无线通信系统中，为什么要用有用信号对高频信号进行调制？对于模拟信号有哪几种基本调制？（6分）

2、试写出用锁相环实现频率锁定的原理框图，并简要说明锁定过程。（6分）

五、以下是AM发射机和超外差接收机的原理框图。

1、根据其工作原理分别填写整机框图中的各单元名称。

2、画出各单元的输入和输出波形（画草图）。( 12分)

六、某高频功率放大器工作在临界状态，已知其工作频率f＝520MHz，电源电压E C=25v，集电极电压利用系数ξ=0.8，输入激励信号电压的幅度U bm =6v，回路谐振阻抗R e=50Ω，放大器的效率ηC＝75％。

求：⒈U cm、I c1m、输出功率P o、集电极直流能源P D及集电极功耗P C

⒉当激励电压U bm增加时，放大器过渡到何种工作状态？当负载阻抗R e增加时，则放大器由临界状态过渡到何种工作状态？（12分）

0910通信电子线路试卷A

装订线内不要答题自觉遵守考试规则，诚信考试，绝不作弊

三．如图所示为一振荡器的交流等效电路图，试判断其类型（电容三点式还是电感三点式），若H L pF C pF C μ100,320,8012===，求该电路的振荡频率和维持振荡所必须的最小放大倍数min K 。(10分) 四．在振幅条件已满足的条件下，用相位条件判断如图所示振荡器能否振荡；若能振荡，说明其振荡频率范围。(8分) 五．如图所示， f(t)为调制信号，当用其对一个高频载波进行调幅时，请画出m=0.5和m=1时的AM 信号U AM (t)和DSB 信号U DSB (t) (12分)

六．某发射机的输出级在R L =100Ω的负载上的输出电压信号为Vs(t)=4(1+0.5cos Ωt)cos ωC t (V),求发射机总的输出功率Pav ，载波功率P o 和边频功率P SB 各为多少？(9分) 七．已知调角波表示式63()10cos(21010cos 210)()t t t v υππ=?+?,调制信号为 3()3cos 210t t υπΩ=?，试问： 1、该调角波是波；（调频、调相）； 2、调角波的最大频偏为； 3、其有效频谱宽度为 Z K H . (8分)

八．设用调相法获得调频，调制频率F=300～3000Z H 。在失真不超过允许值的情况下，最大允许相位偏移0.5rad θ?=。如要求在任一调制频率得到最大的频偏f ?不低于75Z K H 的调频波，需要倍频的次数为多少？(12分) 九．设非线性元件的伏安特性为2210u a u a a i ++=，用此非线性元件作变频器件，若外加电压为t U t t m U U u L Lm s Sm ωωcos cos )cos 1(0+Ω++=，求变频后中频（s L I ωωω-=）电流分量的振幅。（8分）十．若两个电台频率分别为KHz 5741=f ，KHz 11352=f ，则它们对短波（MHz 12~MHz 2= S f ）收音机的哪些接收频率将产生三阶互调干扰？（9分）十一.基本 PLL 处于锁定时,VCO 频率_______输入信号频率,鉴相器两个输入信号的相位差为_______数,输出______电压。(6分)

电路分析基础期末试卷A及参考答案

桂林电子科技大学试卷 2018-2019 学年第一学期课号 BT122003_01 课程名称电路与电场导论（A 、B 卷; 开、闭卷）适用班级（或年级、专业）17电子信息类一．选择题：本大题共15个小题，每小题2分，共30分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题意要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。 1、已知空间有a 、b 两点，电压U ab =8V ，a 点电位为V a =3V ，则b 点电位V b 为（）。 A 、5V B 、－5V C 、 11V D 、15V 2、两个电阻，当它们串联时，功率比为4:9；若它们并联，则它们的功率比为：（）。 A 、4:9 B 、9:4 C 、2:3 D 、3:2 3、图1所示电路中，已知元件A 放出功率10W ，则电流I =( )。 A 、 1A B 、2A C 、－1A D 、 5A 图2 。、 D 、2A 5、由电压源、电流源的特性知,几个( )的电压源可以等效为一个电压源；几个( )的电流源可以等效为一个电流源，电压源与任意二端元件( )，可以等效为电压源；电流源与任意二端元件( )，可以等效为电流源。（ ① 并联 ② 串联） A 、② ，① ，① ，② B 、①，②，②，① C 、② ，①， ② ，① D 、①，②，①，② 6、用戴维南定理分析电路求端口等效电阻时，电阻为该网络中所有独立电源置零时的等效电阻。其独立电源置零是指（）。 A 、独立电压源开路，独立电流源短路 B 、独立电压源短路，独立电流源短路 C 、独立电压源短路，独立电流源开路 D 、以上答案都不对 7、314μF 电容元件用在100Hz 的正弦交流电路中，所呈现的容抗值为（） A 、Ω B 、Ω C 、Ω D 、51Ω 装订线内请勿答题 4a

集成电路设计基础_期末考试题

集成电路设计基础 2010-11年第一学期试题一、填空题（20分） 1、目前，国内已引进了12英寸0.09um 芯片生产线，由此工艺线生产出来的集成电路特征尺寸是0.009um （大小），指的是右图中的W （字母）。 2、CMOS工艺可分为p阱、n阱、双阱三种。在CMOS工艺中，N阱里形成的晶体管是p （PMOS，NMOS）。 3、通常情况下，在IC中各晶体管之间是由场氧来隔离的；该区域的形成用到的制造工艺是氧化工艺。 4.集成电路制造过程中，把掩膜上的图形转换成晶圆上器件结构一道工序是指光刻，包括晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干四个步骤；其中曝光方式包括①接触式、②非接触式两种。 5、阈值电压V T是指将栅极下面的si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压，根据阈值电压的不同，常把MOS区间分成耗尽型、增强型两种。降低V T 的措施包括：降低杂质浓度、增大Cox 两种。二、名词解释（每词4分，共20分） ①多项目晶圆（MPW） ②摩尔定律 ③掩膜 ④光刻

⑤外延三、说明（每题5分共10分） ①说明版图与电路图的关系。 ②说明设计规则与工艺制造的关系。四、简答与分析题（10分） 1、数字集成电路设计划分为三个综合阶段，高级综合,逻辑综合,物理综合；解释这三个综合阶段的任务是什么？ 2、分析MOSFET尺寸能够缩小的原因。五、综合题（共4小题，40分） 1、在版图的几何设计规则中，主要包括各层的最小宽度、层与层之间的最小间距、各层之间的最小交叠。把下图中描述的与多晶硅层描述的有关规则进行分类：（2）属于层与层之间的最小间距的是: （3）属于各层之间的最小交叠是： 2．请提取出下图所代表的电路原理图。画出用MOSFET构成的电路。

电路分析基础-期末考试试题与答案

试卷编号命题人：审批人：试卷分类（ A 卷或 B 卷） A 大学试卷学期：2006 至2007 学年度第 1 学期课程：电路分析基础I 专业：信息学院05 级班级：姓名：学号：（本小题 5分）求图示电路中 a、b 端的等效电阻R ab。（本小题 6分）图示电路原已处于稳态，在t 0时开关打开，求则i 0 。 t0 4A 5 1F 0.5H 3 得分题号一二三四五六七八九十十十总分得分、得分 R ab =R2 得分

i(0+)=20/13=1.54A

（本小题 5 分）已知某二阶电路的微分方程为则该电路的固有频率（特征根）为d 2 u dt 2 du 8 12u 10 dt 和___-6 ___ 。该电路处于阻尼得分（本大题6分）求图示二端网络的戴维南等效电路。u ab=10v, R0=3Ω 得分（本小题 5分）图示电路中 , 电流I =0，求 U S。 Us=6v 得分 b

U=4.8V 得分（本小题 5分）电路如图示 , 求a 、b 点对地的电压 U a 、U b 及电流 I 。 3V U a =U b =2v, I=0A. 得分（本大题10分）试用网孔分析法求解图示电路的电流 I 1 、 I 2 、 I 3 。 I 1=4A, I 2=6A, I 3=I 1-I 2=-2A 得分（本小题 10 分）用节点分析法求电压 U 。 2 2V 1 I 1

（本大题12分）试用叠加定理求解图示电路中电流源的电压。 34 6+ 4A 4A 单独作用时， u'=8/3V; 3V 单独作用时， u'='-2V; 共同作用时， u=u'+u'='2/3V 得分（本大题 12 分）试求图示电路中R L为何值时能获得最大功率，并计算此时该电路效率 Uoc=4v,R0=2.4Ω; R L= R0=2.4Ω时，获得最大功率 Pmax，Pmax＝ 5/3W; P s=40/3W，η＝ Pmax/ P s=12.5%。 100%为多

《电路分析基础》期末试题(2008第1学期)(A)

重庆邮电大学2008--2009学年第1学期考试专业：自动化、测控年级：07 班级：8107、8207、8307 课程名：电路分析（A 卷）考核方式：闭卷一、填空题（5小题，每小题2分，共10分） 1．已知某电阻元件在非关联参考方向下的电压、电流分别为R U 、R I ，则此电阻元件吸收的功率R P =------------。 2．理想变压器是即时性元件，无记忆功能，不储存能量，唯一的计算参数为：————— 。 3．使用叠加定理求解电路，当令某一激励源单独作用时，其它激励源应置零，即独立电压源用（开路或短路）代替，独立电流源用（开路或短路）代替二、单项选择题（共8小题，每小题2分，共计16分） 6．如图所示电路，电阻ab R 为（） A 2Ω B 4Ω C 6Ω D 3Ω 图6 7. 如图7所示，电路中产生功率的元件是：（ A 仅是电压源 B 仅是电流源 C 电压源和电流源都产生功率 D 确定的条件不足图7 4．正弦信号的三个基本要素指的是、和。 5．RLC 串联电路谐振条件的数学表达式为：——————————。

8．如图8所示电路，电压源和电流源释放的功率分别为（） A 12W ，-4W B –12W ，4W C 12W ，4W D –12W ，-4W 图8 9．如图9所示电路，开关K 断开前，电路已稳态。t =0时断开开关，则u (0+) 为（） A 0V B 3V C 6V D –6V 图9 10．如图10所示电路，其时间常数τ为（） A C R 2 B C R R R R 2 12 1+ C 2 R C D C R R R R 2 12 1+ 图10 11．如图11所示电路，I 1=9A ，I 2=8A ，I 3=3A ，则电流I 为（） A 14A B 10A C 20A D 4A 图11 12. 如图12所示, 电源角频率ω=5rad/s ，则阻抗Z ab 等于：（） A 2-j0.5Ω B 2-j2Ω C 2+j2Ω D 4+j2Ω 图12 13．如图13所示电路， )30cos(100)(?-=t t u ωV ，)30cos(20)(?+=t t i ωA ，则网络N 0的有功率P 为（） A 500W B 1000W C 2000W D 4000W 三、判断题（每小题2分，共8分）图13 2Ω

模拟集成电路设计期末试卷

《模拟集成电路设计原理》期末考试一．填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_ 较低__的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。 7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。二．名词解释（每题3分，共15分） 1、阱解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS

电路基本解析总结电路基础期末考试试卷习题包括答案.doc

2. 线性无源二端网络的阻抗与网络的结构、元件参数及（）有关。 3. 复功率~ ~ S 的定义为S 功率，它的模表示（（），它的实部表示（）功率，它的虚部表示（）），它的辐角表示（）。 4. 对称三相电路中，电源线电压为220V，负载作三角形联结，每相阻抗Z = 22，则线电流为（）；三相总有功功率为（）。 5. 由q u 平面中一条曲线所确定的元件称为（）元件；由i 平面中一条曲线所确定的元件称为（）元件。 6. 只具有单一节点对的电路的节点电压方程U =（），它称为（）定理。 7. n个节点、b条支路的连通图，其树支数为()，连支数为 ()。

8. 已知某无源网络的导纳Y = (2 + j2)S ，则该网络的阻抗为（），网络为（）性。 9. 选择u、i为关联参考方向时，50电阻元件的u、 i 关系为（），100 F电容元件的 u、 i 关系为（）,10mH电感元件的u、 i 关系为（）。 10. RLC串联电路中，R = 50，L = 50 mH，C = 10 F；电源电压U S =100V ，则谐振时电流 I = ()；品质因数Q = ()。 11.试为 (a)、(b) 两个图各选两种树，分别画在括号内。（）,（）

高频电子线路期末试卷

北京理工大学珠海学院《通信电子线路》试题年级专业班级学号姓名 _________ 适用年级专业：_ 04信工________ 试卷说明：__ 闭卷120分钟________ 一、填空题（每小题2分，共26分） 1、调制分为三种基本方式，即，，。 2、高频小信号放大器的性能指标主要有：，，，等。 3、反馈型振荡器的平衡条件是：。 4、为了避免产生惰性失真，二极管峰值包络检波器中，必须满足。 5、反馈型振荡器的起振条件是：。 6、二极管调制电路主要有：，，。 7、常用的调频方法有：，，等。 8、在低频功率放大器中，为提高效率，往往采用或推挽放大电路；而在高频功率放大器中，则常工作在类，以求得到比乙类更高的效率。 9、晶体管的噪声主要有，，及。 10、在实际谐振功率放大器电路中，通常包括馈电和网络。

11、并联型石英晶体振荡器是把石英晶体当作使用，串联型石英晶体振荡器是把石英晶体当做使用。 12、设某调制信号UΩ=UΩm·cosΩt,载波Uc=Ucm·cosωct,且ωc≥Ω则普通调幅波表达式为。 13、调相方法有，和。二、简答题（共34分） 1、谐振功放导通θ角的含义是什么？它由电路中哪些参数确定的？（10分） 2、什么叫高频功率放大器？它的功用是什么？为什么高频功放一般在B类、 C类工作？为什么通常采用谐振回路作负载？（12分） 3、什么是正向AGC？什么是反向AGC？（12分）

三、计算题（共40分） 1、一谐振功放的输出功率Po=6W，Ec=24V，试求（10分）（1）当集电极效率η=65%时，求其集电极功耗Pc和集电极电流直流分量Ico。（2）若保持Po不变，将η提高至80%，问此时的Pc为多少？ 2、调幅波数学表达式为：（20分）（1）（1+cosΩt）cosωct （2）（1+1/2 cosΩt） cosωct （3） cosΩt·sinωct （设ωc=10Ω）试画出波形及频谱图 3、如图所示，电容三端式电路中，试求电路振荡频率和维持振荡所必须的最小电压增益。（10分）

电路分析基础_期末考试试题与答案

命题人：审批人：试卷分类（A 卷或B 卷） A 大学试卷学期： 2006 至 2007 学年度第 1 学期课程：电路分析基础I 专业：信息学院05级班级：姓名：学号： (本小题5分) 求图示电路中a 、b 端的等效电阻R ab 。 1 R R ab =R 2 (本小题6分) 图示电路原已处于稳态，在t =0时开关打开，求则()i 0+。 Ω

i(0+)=20/13=1.54A ( 本大题6分 ) 求图示二端网络的戴维南等效电路。 1A a b u ab =10v, R 0=3Ω (本小题5分) 图示电路中, 电流I =0，求U S 。 Us=6v

(本小题5分) 已知某二阶电路的微分方程为 d d d d 22 81210u t u t u ++= 则该电路的固有频率(特征根)为____-2________和___-6______。该电路处于___过_____阻尼工作状态。 (本小题5分) 电路如图示, 求a 、b 点对地的电压U a 、U b 及电流I 。 U a =U b =2v, I=0A. ( 本大题10分 ) 试用网孔分析法求解图示电路的电流I 1、I 2、I 3。 I 1=4A, I 2=6A, I 3=I 1-I 2=-2A (本小题10分) 用节点分析法求电压U 。

U U=4.8V ( 本大题12分 ) 试用叠加定理求解图示电路中电流源的电压。 3V 4A 单独作用时，u ’=8/3V; 3V 单独作用时，u ’’=-2V; 共同作用时，u=u ’+u ’’=2/3V 。十、 ( 本大题12分 ) 试求图示电路中L R 为何值时能获得最大功率，并计算此时该电路效率

(完整版)集成电路工艺原理期末试题

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释：(7分) 答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。微电子：微型电子电路。 IDM：集成器件制造商。 Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。 LOCOS：局部氧化工艺。 STI：浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分) 答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无侵蚀；与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分) 答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高

通信电子线路试卷与标准答案张静

第一部分：一、填空题 1、无线电通信中，信号是以电磁波形式发射出去的。它的调制方式有调幅、调频、调相。 2、针对不同的调制方式有三种解调方式，分别是检波、鉴频、和鉴相。 3、调幅波的表达式为：v AM（t）= 20（1 +0.2cos100πt）cos107πt（V）；调幅波的振幅最大值为24V，调幅度Ma为20%，带宽f BW为100Hz，载波fc为5×106Hz。 4、在无线电技术中，一个信号的表示方法有三种，分别是数学表达式、波形、频谱。 5、调频电路有直接调频、间接调频两种方式。 6、检波有同步、和非同步检波两种形式。 7、反馈式正弦波振荡器按照选频网络的不同，可分为LC、RC、石英晶振等三种。 8、变频器可由混频器、和带通滤波器两部分组成。 9、列出三个常见的频谱搬移电路：调幅、检波、变频。 10、用模拟乘法器非线性器件实现幅度调制最为理想。二、选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内） 1、下列哪种信号携带有调制信号的信息（C ） A、载波信号 B、本振信号 C、已调波信号 2、小信号谐振放大器的主要技术指标不包含（B ） A、谐振电压增益 B、失真系数 C、通频带 D、选择性 3、丙类谐振功放其谐振回路调谐于（ A ）分量 A、基波 B、二次谐波 C、其它高次谐波 D、直流分量 4、并联型石英晶振中，石英谐振器相当于（C ）元件 A、电容 B、电阻 C、电感 D、短路线 5、反馈式正弦波振荡器的起振条件为（ B ） A、|AF|=1，φA+φF= 2nπ B、|AF| >1，φA+φF = 2nπ C、|AF|>1，φA+φF≠2nπ D、|AF| =1，φA+φF≠2nπ 6、要实现集电极调制特性应使功放工作在（B ）状态 A、欠压状态 B、过压状态 C、临界状态 D、任意状态 7、利用非线性器件相乘作用来实现频率变换其有用项为（ B ） A、一次方项 B、二次方项 C、高次方项 D、全部项 9、如右图所示的电路是（D ）

《电路分析基础》期末考题(A卷)参考答案

2006级工程专业《电路分析基础》考试卷（A ）参考答案一、判断题（满分10分，每小题1分） 1.√ 2.√ 3. × 4.√ 5. × 6. × 7.√ 8. × 9. × 10.√ 二、不定项选择题（满分20分，每小题2分） 1.d 2.d 3. c 4.b 5. c f 6. b 7.d 8. c e 9. ac 10.a f 三、计算题（满分25分，每小题5分） 1.如图5所示,Rx 为何值时，4V 电压源发出功率为0。解： 0=I 1分 V U x 4= 1分 A I 32641== 1分 A I I I x 3 4032221=--=--= 1分 Ω===33 44x x x I U R 1分 2.求解如图6所示二端网络的等效电阻Rab 。解： 11102I I U +-= → 18I U = 2分 I I I 51+= → 14I I =- 2分 I U 32-= →Ω-=32Rab 1分 3. 如图7所示电路，已知A I I 1021==,求?I 和?s U 。解：设 A I 0101∠=? 1分则 V I U s 0100101∠==? ? 1分则 A I 90102∠=? 1分则 A I I I 45210901001021∠=∠+∠=+=??? 2分图7 图5 图6

4.求解如图8所示二端网络的等效阻抗Zab 。解： 2124? ??-=I j I j U 1分 2142???+-=I j I j U 1分 21???+=I I I 1分 21??=I I 1分 ??=I j U →Ω=1j Zab 1分 5. 实验室测量一个直流电压源，连接有2Ω电阻时，测得其端电压为8V ，连接有 12Ω电阻时，测得其端电压为24V ，求直流电压源的戴维南等效电路。解： U U R R R s =+0 2分 8220=+s U R 2412120 =+s U R 1分 V U s 40= 1分 Ω=80R 1分四、（满分11分）解：①'9 36)18191(1i U +=+ 2分 ② '1.05 12i u U -= 2分 421=-U U 1分 136U u -= 1分 18 1U i = 1分得： V U 181= 1分 V U 142= 1分 V u 18= 1分 A i 1= 1分图9 图8

湖南大学高频期末试卷通信电路试卷(A)2012新

诚信应考,考试作弊将带来严重后果！湖南大学课程考试试卷两个频率不同的单频信号送入非线性器件，产生的组合频率最小的是（．二极管环形混频器 B ．二极管混频器如图所示电路，以下说法正确的是考试中心填写：

C．该电路不能产生正弦波振荡，原因在于相位平衡条件不能满足； D．该电路不能产生正弦波振荡，原因在于振幅平衡、相位平衡条件均不能满足； 6.接收机接收频率为fc，fL＞fc,fI 为中频频率，则镜象干扰频率为（） A．fc＞fI B．fL+fc C．fc+2fI D．fc+fI 7．用双踪示波器观察到下图所示的波形，此波形是哪种类型的调幅波（） A．VSB B．SSB C．DSB D．AM 8．下图所示框图能实现何种功能？（）其中u s(t)= U s cosωc tcosΩt， u r(t)= U r cosωc t A．振幅调制 B．检波 C．混频 D．鉴频 9．对于调谐功率放大器，当负载电阻R由大变小时，放大器的工作状态（）A．由欠压经临界进入过压B．由过压经临界进入欠压 C．由临界进入过压D．由临界进入过压 10．某超外差接收机的中频f I＝435kHz，输入信号载频fc＝880kHz，则本振信号频率为（）A．445kHz B．1750kHz C．1235kHz 11．高频小信号放大器主要用于无线通信系统的（）A．发送设备B．接收设备C．发送设备、接收设备 12．关于间接调频方法的描述，正确的是（）A．先对调制信号微分，再加到调相器对载波信号调相，从而完成调频 B．先对调制信号积分，再加到调相器对载波信号调相，从而完成调频 C．先对载波信号微分，再加到调相器对调制信号调相，从而完成调频 D．先对载波信号积分，再加到调相器对调制信号调相，从而完成调频 13. 放大器的噪声系数NF是指（） A．输入端的信噪比/输出端的信噪比B．输出端的信噪比/输入端的信噪比C．输入端的噪声功率/输出端的噪声功率D．输出端的噪声功率/输入端的噪声功率

集成电路设计练习题

集成电路设计练习题2009 1、说明一个半导体集成电路成本的组成。 2、简述CMOS工艺流程。简述CMOS集成电路制造的过程中需要重复进行的工艺步骤。 3、描述你对集成电路工艺的认识。列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？简述CMOS工艺技术的发展趋势。 4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？ 5、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：y=lnx 其中，x为4位二进制整数输入信号。y为二进制小数输出，要求保留两位小数。电源电压为3~5v 假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。 6、请谈谈对一个系统设计的总体思路。针对这个思路，你觉得应该具备哪些方面的知识？ 7、描述你对集成电路设计流程的认识。 8、集成电路前端设计流程，后端设计流程，相关的工具。 9、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow，并列出其中各步使用的tool. 10、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。 11、简述半定制数字电路的设计流程。 12、简要说明并比较数字集成电路几种不同的实现方法。 13、什么是集成电路的设计规则。 14、同步电路和异步电路的区别是什么？ 15、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=AB+C(D+E) 16、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P管还是N 管，为什么？ 17、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？ 18、名词解释：VLSI, CMOS, EDA, VHDL, DRC, LVS, DFT, STA 19、画出CMOS与非门的电路，并画出波形图简述其功能。

电子电路基础期末考试复习题目

东南大学考试卷（A 卷）程名称电子电路基础考试学期得分用专业电子科学与技术考试形式闭卷考试时间长度 120分钟在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是放大器，A u2是放大器，A u3是放大器。在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极的公共电阻对信号的放大用无影响，对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR ＝。如图所示的功率放大电路处于类工作状态；其静态损耗为；电路；每个晶体管的管耗为最大输出功率的倍。如图所示电路中，反馈元件R 7构成级间负反馈，其组态为；其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。放大电路A 、B 的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内A 的输出电压小，这说明A 的（）。输入电阻大 B.输入电阻小 C.输出电阻大 D.输出电阻小把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（）。增大差模输入电阻 B.提高共模增益 C.提高差模增益 D.提高共模抑制比乙类互补对称功率放大电路（）。．能放大电压信号，但不能放大电流信号．既能放大电压信号，也能放大电流信号．能放大电流信号，但不能放大电压信号．既不能放大电压信号，也不能放大电流信号为了减小放大电路从信号源索取的电流并增强带负载能力，应引入（）负反馈。电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联已知变压器二次电压为t U u ωsin 222=V ，负载电阻为R L ，则桥式整流电路流过每只二）。L R U 2 9 .0 B. L R U 2 C.L R U 245 .0 D. L R U 22 关于三极管高频参数，下列说法中不准确的为（）。ββf f T 0= B.βαβf f )1(0+= C.βf f T >> D.β αf f <自觉遵守考场纪律如考试作弊此答卷无效 V C

通信电子线路试卷E答案

常州工学院试卷 1 卷共 5 页第 1 页班级_____________________姓名_____________________学号 _____________________ ……………………………………………………………装订线……………………………………………………………

班级_____________________姓名_____________________学号 _______________……………………………………………………………装订线…………………………………………………………… ．振幅调制 B ．调幅波的解调 C ．混频二极管峰值包络检波器，原电路正常工作。若负载电阻加倍， B ．底部切割失真 C ．惰性失真和底部切割失真图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“VOLTS/DIV 则所测正弦波的峰值为（ B ） A ．9.2V B ．4.6V C 16．直接调频与间接调频相比，以下说法正确的是（A ．直接调频频偏较大，中心频率稳定 B ．间接调频频偏较大，中心频率不稳定 C ．直接调频频偏较大，中心频率不稳定 D ．间接调频频偏较大，中心频率稳定 20．如图所示电路，以下说法正确的是（．不能产生正弦波振荡，原因在于振幅平衡条件不能满足；．不能产生正弦波振荡，原因在于相位平衡条件不能满足；．不能产生正弦波振荡，原因在于振幅平衡、相位平衡条件均不能满足；

班级_____________________姓名_____________________学号 _______________……………………………………………………………装订线……………………………………………………………

《电路分析基础》期末试卷B

《电路分析基础》期末试卷(B) 一、是非题（10小题，每题2分，共20分） 1.如果选定电流的参考方向为从标有电压“+”段指向“-”端，则称电流与电压的参考方向为关联参考方向。（） 2.电压、电位大小都与参考点的选择有关。（） 3.n个电阻并联，并联的电阻越多，等效电阻值就越大。（） 4.电容元件和电感元件的无功功率不为零，电阻元件的无功功率也不为零。（）5.提高功率因素是为了提高设备容量利用率，同时减少了线路电能损耗。（）6．若电压与电流取关联参考方向，则容性负载的电压相量一定滞后其电流相量。（）7.谐振电路的特点是端口处的电压和电流同相位。（） 8．对称三相负载Y 30。（）流0 9.谐振电路的品质因数越大，其抑制作用越强，且选择性（选频特性）越好。（）10.电感和电容的感抗和容抗变化规律是随着输入频率增大，感抗变大，容抗变小。（）二、单项选择题（10小题，每题3分，共30分） 1. 当电路中当电流的实际方向与电流的参考方向相反时，该电流（） (A) 取为正值 (B)取为负值 - 1 -

适用专业 17 光伏工程技术考试方式(闭卷) 考试时间为 120 分钟 (C) 不能肯定是取正值或负值（D ）有时取为正值，有时取为负值 2．将电源置零，下列叙述中正确的是( ) （A ）电压源开路，电流源短路（B ）电压源短路，电流源开路（C ）电压源短路，电流源短路（D ）电压源开路，电流源开路 3．关于电源等效变换的关系，下列叙述哪个是正确的（）（A ）当一个电压源s U 与一个电流源s i 相串联时，可以等效为电压源（B ）当一个电压源s U 与一个电流源s i 相并联时，可以等效为电流源（C ）当一个电压源s U 与一个电阻R 相串联时，可以等效为电压源（D ）当一个电压源s U 与一个电阻R 相并联时，可以等效为电压源 4. 电阻的并联作用是（）。 (A)分压（B ）分流（C ）即可分压又可分流（D ）都不能 5. 非电场力把单位正电荷从电源的负极移到电源的正极所做的功称为电源的（）（A ）电动势（B ）电压（C ）电流（D ）都不是 6.某正弦量为40)t ω-，其电压的有效值相量为（）。（A ）22040-∠ （B ）22040∠ （C ）22040∠- （D ）220140∠- 7.在正弦稳态电路中，指出下列哪一项一般不满足功率守衡定律（）。（A ）有功功率（B ）无功功率（C ）视在功率（D ）复功率 8.处于谐振状态的RLC 串联电路，当电源频率升高时，电路将呈（）。（A ）电阻性（B ）电感性（C ）电容性（D ）视电路元件参数而定

通信电子线路复习试题和答案

《通信电子线路》复习题一、填空题 1、通信系统由输入变换器、发送设备、信道、接收设备以及输出变换器组成。 2、无线通信中,信号的调制方式有调幅、调频、调相三种,相应的解调方式分别为检波、鉴频、鉴相。 3、在集成中频放大器中,常用的集中滤波器主要有:LC带通滤波器、陶瓷、石英晶体、声表面波滤波器等四种。 4、谐振功率放大器为提高效率而工作于丙类状态,其导通角小于 90度,导通角越小,其效率越高。 5、谐振功率放大器根据集电极电流波形的不同,可分为三种工作状态,分别为欠压状态、临界状态、过压状态;欲使功率放大器高效率地输出最大功率,应使放大器工作在临界状态。 6、已知谐振功率放大器工作在欠压状态,为了提高输出功率可将负载电阻Re 增大 ,或将电源电压Vcc 减小 ,或将输入电压Uim 增大。 7、丙类功放最佳工作状态就是临界状态,最不安全工作状态就是强欠压状态。最佳工作状态的特点就是输出功率最大、效率较高 8、为了有效地实现基极调幅,调制器必须工作在欠压状态, 为了有效地实现集电极调幅,调制器必须工作在过压状态。 9、要产生较高频率信号应采用LC振荡器,要产生较低频率信号应采用RC振荡器,要产生频率稳定度高的信号应采用石英晶体振荡器。 10、反馈式正弦波振荡器由放大部分、选频网络、反馈网络三部分组成。 ,相位起振条件11、反馈式正弦波振荡器的幅度起振条件为1 A F (n=0,1,2…)。 12、三点式振荡器主要分为电容三点式与电感三点式电路。 13、石英晶体振荡器就是利用石英晶体的压电与反压电效应工作的,其频率稳定度很高, 通常可分为串联型晶体振荡器与并联型晶体振荡器两种。 14、并联型石英晶振中,石英谐振器相当于电感,串联型石英晶振中,石英谐振器相当于短路线。 15、根据频谱变换的不同特点,频率变换电路分为频谱搬移电路与频谱的非线性变换电路。 16、普通调幅波的数学表达式U AM t=Ucm(1+M cosΩt)cosωct,为了实现不失真调幅,Ma一般 ≤1。 17、调幅波的几种调制方式就是普通调幅、双边带调幅、单边带调幅。 18、二极管包络检波电路中,检波电容与检波负载的乘积RC太大会造成惰性失真,由于检波电路的直流负载电阻与交流负载电阻数值相差太大可能会造成负峰切割失真。19、超外差广播收音机中频f I =465KH Z,当接收fc=535KH Z电台信号时,还听到频率为1465KH Z 的强信号,此时为镜像干扰;465KH Z调幅信号所造成的就是中频干扰。 20、根据干扰产生的原因,混频器的干扰主要有组合频率干扰、副波道干扰、交调干扰与互调干扰四种。 21、调频有两种方法,分别称为直接调频与间接调频 22、调频波的频偏与调制信号的幅度成正比,而与调制信号的频率无关,这就是调频波的基本特征。

《电路分析基础》期末试卷A

- 1 - 《电路分析基础》期末试卷(A) 一．是非题（10小题，每题2分，共20分） 1. 当元件两端电压与通过元件的电流取关联参考方向时，且通过计算功率为正，则该元件是发出功率。（） 2. 诺顿定理可将复杂的有源线性二端口电路等效为一个电流源与电阻并联的电路模型。（） 3. 叠加定理适用任何电路，电压、电流、功率都可叠加。（） 4. 各种等效变换，“等效”二字的含义是对内、外部电路都等效。 ( ) 5. 电容元件和电感元件消耗的平均功率总为零，电阻元件消耗的无功功率总为零。（） 6. 有功功率和无功功率都满足功率守恒定律，视在功率不满足功率守恒定律。（） 7. 若电压与电流取关联参考方向，则感性负载的电压相量一定滞后其电流相量。（） 8. 两个同频率正弦量的相位差等于他们的初相位之差，是一个与时间无关的常数。（） 9. 对于RLC 串联电路，发生谐振时，电路阻抗最小，且为电阻性。（） 10. 倍。( ) 二．单项选择题（10小题，每题3分，共30分） 1. 已知一个4S U V =的理想电压源与一个2R =Ω的电阻相串联，则这个串联电路对外电路来讲，可用（）来进行等效。

（A ）s 的理想电压源（B ）2=s I A 的理想电流源与2R =Ω电阻相串联的电路（C ）2s I A =的理想电流源（D ）2s I A =的理想电流源与2R =Ω电阻相并联的电路 2. 2-2图所示电路中，（）。（A ）2Ω （B ）3Ω （C ）4Ω （D ）5Ω 2-2图 3．三个阻值相等电阻R ，若由?联结变换成Y 联结，则Y R 为（）。（A ） 13R ? （B ）1 2 R ? （C ）R ? （D ）3R ? 4．已知一个10s I A =的理想电流源与一个2R =Ω的电阻相串联，则这个串联电路的等效电路可用（）表示（A ）20=s U V 的理想电压源（B ）10s I A =的理想电流源（C ）5s U V =的理想电压源与2R =Ω电阻相串联的电路（D ）20=s U V 的理想电压源与10R =Ω电阻相并联的电路 5. 电阻的串联作用是（）。 (A)分压（B ）分流（C ）即可分压又可分流（D ）都不能

《集成电路设计原理》试卷及答案课件

电科《集成电路原理》期末考试试卷一、填空题 1.（1分）年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。 2 ．（ 2 分）摩尔定律是指。 3. 集成电路按工作原理来分可分为、、。 4.（4分）光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、、、、和去胶。 5.（4分）MOSFET 可以分为增强型NMOS ，耗尽型NMOS ，增强型PMOS ，耗尽型PMOS___四种基本类型。 6.（3分）影响MOSFET 阈值电压的因素有：、以及。 7.（2分）在CMOS 反相器中，V in ，V out 分别作为PMOS 和NMOS 的栅极，和漏极； VDD ，作为PMOS 的源极和体端，，GND 作为NMOS 的源极和体端。 8．（2分）CMOS 逻辑电路的功耗可以分为和。 9.（3分）下图的传输门阵列中5DD V V =,各管的阈值电压1T V V =，电路中各节点的初始电压为0，如果不考虑衬偏效应，则各输出节点的输出电压Y 1= 4 V ，Y 2= 3 V ，Y 3= 3 V 。 DD 1 3 2 10.（6分）写出下列电路输出信号的逻辑表达式：Y 1= ；Y 2= ；Y 3= 。 A B Y 1 A B 2 3 二、画图题：（共12分）

1．（6分）画出由静态CMOS电路实现逻辑关系Y ABD CD =+的电路图，要求使用的MOS管最少。 2.（6分）用动态电路级联实现逻辑功能Y ABC =,画出其相应的电路图。三、简答题：（每小题5分，共20分） 1.简单说明n阱CMOS的制作工艺流程，n阱的作用是什么？ 2.场区氧化的作用是什么，采用LOCOS工艺有什么缺点，更好的隔离方法是什么？ 3.简述静态CMOS电路的优点。

电路基本分析电路基础期末考试试卷及答案

电路基本分析电路基础期末考试试卷1 A 卷一、判断题(每题2分) 1. 在换路瞬间，如果电感电流不跃变，则电感电压将为零。（） 2. 当电感元件在某时刻 t 的电流 i (t ) = 0时，电感元件两端的电压 u (t )不一定为零；同样，当 u (t ) = 0时，i (t )不一定为零。 3. 实际电源的两种模型，当其相互等效时，意味着两种模型中理想电压源和理想电流源对外提供的功率相同。（） 4. 某三层楼房的用电由三相对称电源供电，接成三相四线制系统，每层一相。当某层发生开路故障时，另二层电器一般不能正常工作。（） 5. 如图所示，当 i 1 按图示方向流动且不断增大时，i 2 的实际方向如图所示。（）分享于上学吧资料分享课后答案二、填空题(每题1分) 1. 正弦量的三要素是指（）、（）、（） 2. 线性无源二端网络的阻抗与网络的结构、元件参数及（）有关。 3. 复功率 ~S 的定义为 ~ S =（），它的实部表示（）功率，它的虚部表示（）功率，它的模表示（），它的辐角表示（）。 4. 对称三相电路中，电源线电压为220V ，负载作三角形联结，每相阻抗Z = 22，则线电流为（）；三相总有功功率为（）。 5. 由q u 平面中一条曲线所确定的元件称为（）元件；由 i 平面中一条曲线所确定的元件称为（）元件。 6. 只具有单一节点对的电路的节点电压方程U =（），它称为（）定理。 7. n 个节点、b 条支路的连通图，其树支数为( )，连支数为( )。 8. 已知某无源网络的导纳Y = (2 + j2)S ，则该网络的阻抗为（），网络为（）性。 9. 选择u 、i 为关联参考方向时，50 电阻元件的 u 、i 关系为（），100F 电容元件的u 、i 关系为（）,10mH 电感元件的u 、i 关系为（）。 10. RLC 串联电路中，R = 50 ，L = 50 mH ，C = 10F ；电源电压U S =100V ，则谐振时电流I = ( )；品质因数Q = ( )。 11. 试为(a)、(b)两个图各选两种树，分别画在括号内。（）,（） 12. 图示电路中，N 0为不含独立源的线性网络。当U S = 3V 、I S = 0时，U = 1V ；当U S = 1V ，I S = 1A 时，U = 0.5V 。则当U S = 0，I S = 2A 时，U 为（）V 。（） 13. 图示为RLC 串联电路的频率特性曲线，其中感抗X L 的曲线为____________；容抗X C 的曲线为____________；电抗X 的曲线为___________；阻抗Z 的曲线为___________。 14. 含源二端电阻网络N S 如图所示，若测得开路电压U ab 为10V ，短路电流I ab 为5A ，则该网络的电压电流关系为U =（）。 15. 当一线圈（含R 、L ）与直流电压12V 接通时，其电流为2A ，与正弦电压 V 100cos 212t u π=接通时,电流为1.2A ，则线圈的电阻R = ( )，电感L = ( )。