电子技术基础与技能训练试题

电子技术基础(模拟篇)

第一章 半导体二极管

一、单选题

1、 当温度升高时,二极管正向特性与反向特性曲线分别( )。

A 、 左移,下移

B 、 右移,上移

C 、 左移,上移

D 、 右移,下移

2、 在PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,当PN 结外加反向电压时,扩散电流 漂移电

流。

A 、 小于,大于

B 、 大于,小于

C 、 大于,大于

D 、 小于,小于

3、 设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程为( )

A 、 U I e S

B 、 T

U U I e

S C 、 )1e (S －T U U I D 、 1e S －T U U I

4、 下列符号中表示发光二极管的为( )。

A B C D

5、 稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。

A 、 I D = 0

B 、 I D < I Z 且I D > I ZM

C 、 I Z > I

D > I ZM D 、 I Z < I D < I ZM

6、 杂质半导体中( )的浓度对温度敏感。

A 、 少子

B 、 多子

C 、 杂质离子

D 、 空穴

7、 从二极管伏安特性曲线可以瞧出,二极管两端压降大于( )时处于正偏导通状态。

A 、 0

B 、 死区电压

C 、 反向击穿电压

D 、 正向压降

8、 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。

A 、 温度

B 、 掺杂工艺

C 、 掺杂浓度

D 、 晶体缺陷

9、 PN 结形成后,空间电荷区由( )构成。

A 、 电子与空穴

B 、 施主离子与受主离子

C 、 施主离子与电子

D 、 受主离子与空穴

10、 硅管正偏导通时,其管压降约为( )。

A 0、1V

B 0、2V

C 0、5V

D 0、7V

11、 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻就是二极管的 电阻,由于不

同量程时通过二极管的电流 ,所测得正向电阻阻值 。

A 、 直流,相同,相同

B 、 交流,相同,相同

C 、 直流,不同,不同

D 、 交流,不同,不同

12、 在25oC 时,某二极管的死区电压U th ≈0、5V,反向饱与电流I S ≈0、1pA,则在35oC 时,下列哪组数

据可能正确:( )。

A U th≈0、525V,I S≈0、05pA

B U th≈0、525V,I S≈0、2pA

C U th≈0、475V,I S≈0、05pA

D U th≈0、475V,I S≈0、2pA

二、判断题

1、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )

2、二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( )

3、二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。( )

4、二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。( )

5、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )

6、因为N型半导体的多子就是自由电子,所以它带负电。( )

7、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。( )

三、填空题

1、当温度升高时,由于二极管内部少数载流子浓度,因而少子漂移而形成的反向电流,二极管反向伏安特性曲线移。

2、半导体稳压管的稳压功能就是利用PN结的特性来实现的。

3、二极管P区接电位端,N区接电位端,称正向偏置,二极管导通;反之,称反向偏置,二极管截止,所以二极管具有性。

4、在本征半导体中掺入价元素得N型半导体,掺入价元素则得P型半导体。

5、PN结在时导通, 时截止,这种特性称为。

6、光电二极管能将信号转换为信号,它工作时需加偏置电压。

7、发光二极管能将信号转换为信号,它工作时需加偏置电压。

8、二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型与面接触型, 型二极管适用于高频、小电流的场合, 型二极管适用于低频、大电流的场合。

9、二极管反向击穿分电击穿与热击穿两种情况,其中就是可逆的,而会损坏二极管。

10、半导体中有与两种载流子参与导电,其中带正电,而带负电。

11、本征半导体掺入微量的五价元素,则形成型半导体,其多子为,少子为。

12、PN结正偏就是指P区电位N区电位。

13、温度升高时,二极管的导通电压,反向饱与电流。

14、普通二极管工作时通常要避免工作于,而稳压管通常工作于。

15、构成稳压管稳压电路时,与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。

16、纯净的具有晶体结构的半导体称为,采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。

17、在PN结形成过程中,载流子扩散运动就是作用下产生的,漂移运动就是作用下产生的。

18、PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用,对漂移运动起作用。

19、发光二极管通以就会发光。光电二极管的随光照强度的增加而上升。

20、硅管的导通电压比锗管的,反向饱与电流比锗管的。

四、计算分析题

1、电路如图(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压U Z＝4V,R的取值合适,u I的波形如图(c)所示。试分别画出u O1与u O2的波形。

(a)

(b)

(c)

2、 已知稳压管的稳压值U Z ＝6V,稳定电流的最小值I Zmin ＝3mA,最大值I ZM ＝20mA,试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作,U O1与U O2各为多少伏。

(a)

(b)

3、 二极管电路如图所示,判断图中二极管就是导通还就是截止,并确定各电路的输出电压U o 。设二极管的

导通压降为0、7V 。

o

(c)(d)

o

4、 已知稳压管的稳定电压U Z = 6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA,最大功耗P ZM =150mW 。试求稳压管正

常工作时电阻R 的取值范围。

+－

O

5、 如图所示电路中,发光二极管导通电压U D ＝1V,正常工作时要求正向电流为5～15mA 。试问: (1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？

(2)R 的取值范围就是多少？

+V DD R V

S

6、 二极管双向限幅电路如图所示,设tV u i ωsin 10=,二极管为理想器件,试画出输出u i 与u o 的波形。

7、 电路如图所示,二极管导通电压U D ＝0、7V,常温下U T ≈26mV,电容C 对交流信号可视为短路;u i 为正弦

波,有效值为10mV,试问二极管中流过的交流电流有效值就是多少？

C

i D

8、 二极管电路如图所示,判断图中二极管就是导通还就是截止,并确定各电路的输出电压U o 。设二极管的

导通压降为0、7V 。

V

o

(a)V

(b)

o

9、 电路如图(a)所示,其输入电压u I1与u I2的波形如图(b)所示,设二极管导通电压可忽略。试画出输出电压u O 的波形,并标出幅值。

V 2u o

u I1u I2

+5V

（a ）u I1/V u I2/V 50.350.3t

t

（b ）

10、 下图所示电路中,稳压管的稳定电压Uz = 12V,图中电压表流过的电流忽略不计,试求:

(1)当开关S 闭合时,电压表V 与电流表A1、A2的读数分别为多少？ (2)当开关S 断开时,电压表V 与电流表A1、A2的读数分别为多少？

U i R 2Ω

S

11、 电路如图所示,试估算流过二极管的电流与A 点的电位。设二极管的正向压降为0

、7V 。

500Ω

2k V

12、电路如图所示,试估算流过二极管的电流与A点的电位。设二极管的正向压降为0、7V。

R1

R2

I D

V

+10V

3kΩ

10kΩ

R3

2kΩ

第二章半导体三极管

一、单选题

1、( )具有不同的低频小信号电路模型。

A、NPN管与PNP管

B、增强型场效应管与耗尽型场效应管

C、N沟道场效应管与P沟道场效应管

D、三极管与二极管

2、放大电路如图所示,已知三极管的05

=

β,则该电路中三极管的工作状态为( )。

A、截止

B、饱与

C、放大

D、无法确定

3、已知场效应管的转移特性曲线如图所示,则此场效应管的类型就是( )。

A、增强型PMOS

B、增强型NMOS

C、耗尽型PMOS

D、耗尽型NMOS

4、硅三极管放大电路中,静态时测得集-射极之间直流电压U CE=0、3V,则此时三极管工作于( ) 状态。

A、饱与

B、截止

C、放大

D、无法确定

5、放大电路如图所示,已知硅三极管的50

=

β,则该电路中三极管的工作状态为( )。

A 、 截止

B 、 饱与

C 、 放大

D 、 无法确定 6、 三极管当发射结与集电结都正偏时工作于( )状态。 A 、 放大 B 、 截止 C 、 饱与 D 、 无法确定

7、 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ,则下列状态下三极管能正常工作的就是

( )。

A 、 mA 10,V 3C CE ==I U

B 、 mA 40,V 2

C CE ==I U C 、 mA 20,V 6C CE ==I U

D 、 mA 2,V 20C C

E ==I U

8、 下面的电路符号代表( )管。

A 、 耗尽型PMOS

B 、 耗尽型NMOS

C 、 增强型PMOS

D 、 增强型NMOS

9、 关于三极管反向击穿电压的关系,下列正确的就是( )。

A 、 EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>

B 、 EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>

C 、 CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>

D 、 CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>

10、 在三极管放大电路中,下列等式不正确的就是( )。

A 、C

B E I I I += B 、 B

C I I β≈ C 、 CEO CBO I I )1(β+=

D 、 βααβ=+

11、 ( )情况下,可以用H 参数小信号模型分析放大电路。

A 、 正弦小信号

B 、 低频大信号

C 、 低频小信号

D 、 高频小信号 12、 场效应管本质上就是一个( )。

A 、电流控制电流源器件

B 、电流控制电压源器件

C 、电压控制电流源器件

D 、电压控制电压源器件 二、判断题

1、 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移,且间距随温度升高而减小。

2、 I DSS 表示工作于饱与区的增强型场效应管在u GS =0时的漏极电流。

3、 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏,以保证场效应管的输入电阻很大。

4、 三极管工作在放大区时,若i B 为常数,则u CE 增大时,i C 几乎不变,故当三极管工作在放大区时可视为一电

流源。

5、 对三极管电路进行直流分析时,可将三极管用H 参数小信号模型替代。

6、 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同,因此,可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。

7、 开启电压就是耗尽型场效应管的参数;夹断电压就是增强型场效应管的参数。

8、 双极型三极管由两个PN 结构成,因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。 9、 双极型三极管与场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。

10、 分析三极管低频小信号放大电路时,可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件,从而简化计算。

11、 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路,交流分析时可视为开路。 12、 场效应管放大电路与双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。 三、填空题

1、 双极型半导体三极管按结构可分为 型与 型两种,它们的符号分别_______与

2、 β反映 态时集电极电流与基极电流之比;β反映 态时的电流放大特性。

3、 当温度升高时,三极管的参数β会 ,CBO I 会 ,导通电压会

4、 某放大电路中,三极管三个电极的电流如图所示,测得I A =2mA,I B =0、04mA,I C =2、04mA,则电极 为基极,

为集电极, 为发射极;为 型管;=β 。

5、 硅三极管三个电极的电压如图所示,则此三极管工作于 状态。

6、 场效应管就是利用 效应,来控制漏极电流大小的半导体器件。

7、 某三极管的极限参数mA 20CM =I 、mW 100CM =P 、V 20(BR)CEO =U 。当工作电压V 10CE =U 时,工作电流I C 不得超过 mA;当工作电压V 1CE =U 时, I C 不得超过_____ mA;当工作电流mA 2C =I 时, U CE 不得超过 V 。

8、 三极管工作在放大区时,发射结为 偏置,集电结为 偏置。

9、 对三极管放大电路进行直流分析时,工程上常采用 法或 法。

10、 工作在放大区的一个三极管,如果基极电流从10微安变化到22微安时,集电极电流从1毫安变为2、1毫安,则该三极管的β约为 ;α约为 。

11、 _______通路常用以确定静态工作点; 通路提供了信号传输的途径。 12、 场效应管就是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。

13、 用于构成放大电路时,双极型三极管工作于 区;场效应管工作于 区 。

14、 当u gs =0时,漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为 型场效应

管。

15、 某处于放大状态的三极管,测得三个电极的对地电位为U 1=-9V,U 2=-6V,U 3=-6、2V,

则电极 为基极, 为集电极, 为发射极,为 型管。

16、 三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。 17、 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。 四、计算分析题

1、 三极管电路如图所示,已知三极管的80=β, U BE(on)=0、7V,r bb′=200Ω,输入信号)mV (sin 20s t u ω=,电

容C 对交流的容抗近似为零。试:(1)计算电路的静态工作点参数I BQ 、I CQ 、U CEQ ;(2)画出电路的微变等效电路,求u BE 、i B 、i C 与u CE 。

2、 场效应管的转移特性曲线如图所示,试指出各场效应管的类型并画出电路符号;对于耗尽型管求出

U GS(off)、I DSS ;对于增强型管求出U GS(th)。

3、 三极管电路如图所示,已知β=100,U BE(on)=0、7V,试求电路中I C 、U CE 的值。

4、 图中三极管为硅管,β=100,试求电路中I B 、I C 、U CE 的值,判断三极管工作在什么状态。

5、 场效应管的转移特性曲线如图所示,试指出各场效应管的类型并画出电路符号;对于耗尽型管求出

U GS(off)、I DSS ;对于增强型管求出U GS(th)。

6、 图中三极管为硅管,β=100,试求电路中I B 、I C 、U CE 的值,判断三极管工作在什么状态。

7、 场效应管电路如图所示,已知)mV (sin 20i t u ω=,场效应管的mS 58.0m =g 试求该电路的交流输出电

压u o 的大小。

8、 图中三极管均为硅管,试求各电路中的I C 、U CE 及集电极对地电压U O 。

9、 图中三极管为硅管,β=100,试求电路中I B 、I C 、U CE 的值,判断三极管工作在什么状态。

10、 场效应管的输出特性曲线如图所示,试指出各场效应管的类型并画出电路符号;对于耗尽型管求出

U GS(off)、I DSS ;对于增强型管求出U GS(th)。

摸拟电子技术(第2版) 第三章选择 A

第三章 放大电路基础

一、单选题

1、 图示电路( )

A.等效为PNP 管

B.等效为NPN 管

C.为复合管,其等效类型不能确定

D.三极管连接错误,不能构成复合管

图号3401

2、 关于BJT 放大电路中的静态工作点(简称Q 点),下列说法中不正确的就是( )。 A. Q 点过高会产生饱与失真 B.Q 点过低会产生截止失真

C. 导致Q 点不稳定的主要原因就是温度变化

D.Q 点可采用微变等效电路法求得 3、 把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以( ) A.增大差模输入电阻 B.提高共模增益 C.提高差模增益 D.提高共模抑制比

4、 对恒流源而言,下列说法不正确的为( )。

A.可以用作偏置电路

B.可以用作有源负载

C.交流电阻很大

D.直流电阻很大

5、 图示电路中,为共发射极放大电路的就是( )。

6、 差分放大电路由双端输入改为单端输入,则差模电压放大倍数( )。 A.不变 B.提高一倍 C.提高两倍 D.减小为原来的一半

7、 图示电路( )

A.等效为PNP 管,电流放大倍数约为β1

B.等效为NPN 管,电流放大倍数约为β2

C.连接错误,不能构成复合管

D.等效为PNP 管,电流放大倍数约为β1β2

图号3402

1

V 2

V 1β2

β

8、 乙类互补对称功率放大电路会产生交越失真的原因就是( )

图号3204 图号3203

A 、

B 、

C 、 图号3205

R C Ω