旁路二极管结温测试

旁路二极管结温测试
旁路二极管结温测试

一、热斑效应

一串联支路中被遮蔽的太阳电池组件,将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会发热,这就是热斑效应。这种效应能严重的破坏太阳电池。有光照的太阳电池所产生的部分能量,都可能被遮蔽的电池所消耗。为了防止太阳电池由于热斑效应而遭受破坏,最好在太阳电池组件的正负极间并联一个旁路二极管,以避免光照组件所产生的能量被受遮蔽的组件所消耗。

二、Bypass diode的作用:

当电池片出现热斑效应不能发电时,起旁路作用,让其它电池片所产生的电流从二极管流出,使太阳能发电系统继续发电,不会因为某一片电池片出现问题而产生发电电路不通的情况。

二、Bypass diode 选择原则:

1、耐压容量为最大反向工作电压的两倍;

2、电流容量为最大反向工作电流的两倍;

3、结温温度应高于实际结温温度;

4、热阻小;

5、压降小;

三、实际结温温度测量方法:

把组件放在75度烘箱中至热稳定,在二极管中通组件的实际短路电流,热稳定后(例如1h),测量二极管的表面温度,根据以下公式计算实际结温:

Tj=Tcase + R*U*I

其中R为热阻系数,由二极管厂家给出,Tcase是二极管表面温度(用热电偶测出),U是二极管两端压降(实测值),I为组件短路电流。计算出的Tj不能超过二极管规格书上的结温范围。

四、旁路二极管对电路影响示意图:

当电池片正常工作时,旁路二极管反向截止,对电路不产生任何作用;若与旁路二极管并联的电池片组存在一个非正常工作的电池片时,整个线路电流将由最小电流电池片决定,而电流大小由电池片遮蔽面积决定,若反偏压高于电池片最小电压时,旁路二极管导通,此时,非正常工作电池片被短路。

五、每个旁路二极管并联电池片数目的计算

1、旁路二极管电流容量最小应为:

I=4.73×2=8.46A

2、选用10SQ030型二极管

最大返偏电压为:V RRM=30vIAV=10A VF=0.55V

=-55-200℃

3、耐压容量为30Ⅴ的旁路二极管最多可保护125×125电池片数目为:N=30/(2×0.513)≈29.24

即最多可保护29片125×125电池片;

4、旁路二极管截止状态时存在反向电流,即暗电流,一般小于0.2微安;

原则上每个电池片应并联一个旁路二极管,以便更好保护并减少在非正常状态下无效电池片数目,但因为旁路二极管价格成本的影响和暗电流损耗以及工作状态下压降的存在,对于硅电池,每十五个电池片可并联一个旁路二极管为最佳。

. Bypass diodes are not needed on 12 volt systems, optional on 24 volt, and should always be used on 36 volt or higher systems

遮蔽一个电池片与遮蔽两块电池片各一半的效果不同,所以遮蔽不可避免时,尽量使遮蔽尽可能多的电池,每个电池尽可能少的阴影。

太阳能电池板选择

太阳能电池板选择 太阳能电池的最大功率Pmax=开路电压×短路电流,这是它们的理想功率,而平时大家衡量太阳能电池的是额定功率Pm。实际中额定功率是小于最大功率的,主要是由于太阳能电池的输出效率u只有70%左右。在使用中由于受光强度的不同,所以不同时刻的功率也是不同的,根据实验数据它的实际平均功率P=。如果太阳能电池要直接带动负载,并且要使负载长期稳定的工作,则负载的额定功率为Pr=。如果按照负载的功率选择太阳能电池的功率则电池的功率为:Pm=。就是说太阳能电池的功率要是负载功率的倍。 在选择太阳能电池的功率时,应合理选择负载的耗电功率,这样才能使发电功率与耗电功率处于一种平衡状态。当然太阳能电池的发电功率也会受到季节、气候、地理环境和光照时间等多方面因素的制约。 蓄电池的使用(这里仅以夏季为例,介绍太阳能电池与蓄电池在一般情况下的使用)蓄电池是一种储存电能的容器,常被作为其它电路的“能源基地”。由于太阳能电池所产生的电力有限,因此要尽可能的扩大“基地”的储电容量,但也不能无限扩大,因为太阳能电池只能在白天发电,其日发电量M=发电功率(最大输出功率)×有效光照时间×发电时间,由此它的日电量等于输出电流与有效光照时间的乘积,即:C=IH(Ah)。而蓄电池的容量则使放电时间和放电电流的乘积,因此计算公式为:C=IH(单位Ah,就是额定1A的电流放电一小时)。那么太阳能电池和蓄电池在容量和电量上使如何计算的呢?我们可以通过电功率公式:P=IU演化为:P=Iuh/h=CU/h。

例如:有一块单晶硅电池的组件,最大的输出功率Pm(额定功率)为25W,峰值电压(额定电压)Ump为,峰值电流(额定电流)为,开路电压为21V,短路电流为Isc为,某地区有效光照时间为12小时,求太阳能电池一天的发电量和所需的蓄电池的容量。 已知:Pm=25w,h=12h,U=,太阳能电池的发电效率为:u=,蓄电池的补偿值为n= 太阳能电池的发电量:M=Pm×h×u=25×12×=210W

LED发光二极管工作原理及检测方法

LED发光二极管工作原理及检测方法 发光二极管LED(Light-EmittingDiode)是能将电信号转换成光信号的结型电致发光半导体器件。 1、发光二极管LED主要特点 (1)在低电压(1.5~2.5V)、小电流(5~30mA)的条件下工作,即可获得足够高的亮度。 (2)发光响应速度快(10-7~10-9 s),高频特性好,能显示脉冲信息。 (3)单色性好,常见颜色有红、绿、黄、橙等。 (4)体积小。发光面形状分圆形、长方形、异形(三角形等)。其中圆形管子的外径有φ1、φ2、φ3、φ4、φ5、φ8、φ10、φ12、φ15、φ20(mm)等规格,直径1mm的属于超微型LED。 (5)防震动及抗冲击穿性能好,功耗低,寿命长。由于LED的PN结工作在正向导通状态,本射功耗低,只要加必要的限流措施,即可长期使用,寿命在10万小时以上,甚至可达100万小时。 (6)使用灵活,根据需要可制成数码管、字符管、电平显示器、点阵显示器、固体发光板、LED 平极型电视屏等。 (7)容易与数字集成电路匹配。 2.发光二极管的原理 发光二极管内部是具有发光特性的PN结。当PN结导通时,依靠少数载流子的注入以及随后的复合而辐射发光。普通发光二极管的外形、符号及伏安特性如图1 所示。LED正向伏安特性曲线比较陡,在正向导通之前几乎有电流。当电压超过开启电压时,电流就急剧上升。因此,LED属于电流控制型半导体器件,其发光亮度L(单位cd/m2,读作坎德拉每平方米)与正向电流IF近似成正双,有公式L =K IFm 式中,K为比例系数,在小电流范围内(IF=1~10mA),m=1.3~1.5。当IF>10mA时,m=1,式(L =K IF 即亮度与正向电流成正比。以磷砷化镓黄色LED为例,相对发光强度与正向电流的关系如图2所示。LED的正向电压则与正向电流以及管芯的半导体材料有关。使用时应根据所要求的显示亮度来选取合适的IF值(一般选10mA左右,对于高亮度LED可选1~2mA),既保证亮度适中,也不会损坏LED。若电流过大,会烧毁LED的PN结。此外,LED的使用寿命将缩短。 由于发光二极管的功耗低、体积小,色彩鲜艳、响应速度快、寿命长,所以常用作收录机、收音

常用二极管参数

常用二极管参数 2008-10-22 11:48 05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V, Pzm=500mW, 05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V, Pzm=500mW, 05Z13X 硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V, Pzm=500mW, 05Z15Y 硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V, Pzm=500mW, 05Z18Y 硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V, Pzm=500mW, 1N4001 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA, Vf=1V, Ifs=50A) 1N4002 硅整流二极管 100V, 1A, 1N4003 硅整流二极管 200V, 1A, 1N4004 硅整流二极管 400V, 1A, 1N4005 硅整流二极管 600V, 1A, 1N4006 硅整流二极管 800V, 1A, 1N4007 硅整流二极管 1000V, 1A, 1N4148 二极管 75V, 4PF, Ir=25nA, Vf=1V, 1N5391 硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA, Vf=1.4V, Ifs=50A) 1N5392 硅整流二极管 100V, 1.5A, 1N5393 硅整流二极管 200V, 1.5A, 1N5394 硅整流二极管 300V, 1.5A, 1N5395 硅整流二极管 400V, 1.5A, 1N5396 硅整流二极管 500V, 1.5A, 1N5397 硅整流二极管 600V, 1.5A, 1N5398 硅整流二极管 800V, 1.5A, 1N5399 硅整流二极管 1000V, 1.5A, 1N5400 硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA, Vf=1V, Ifs=150A) 1N5401 硅整流二极管 100V, 3A, 1N5402 硅整流二极管 200V, 3A, 1N5403 硅整流二极管 300V, 3A, 1N5404 硅整流二极管 400V, 3A, 1N5405 硅整流二极管 500V, 3A, 1N5406 硅整流二极管 600V, 3A, 1N5407 硅整流二极管 800V, 3A, 1N5408 硅整流二极管 1000V, 3A, 1S1553 硅开关二极管 70V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma, 1S1554 硅开关二极管 55V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma, 1S1555 硅开关二极管 35V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma, 1S2076 硅开关二极管 35V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, Ir≤1uA, Vf≤0.8V,≤1.8PF, 1S2076A 硅开关二极管 70V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, 60V, Ir≤1uA, Vf≤0.8V,≤1.8PF, 1S2471 硅开关二极管80V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤2PF, 1S2471B 硅开关二极管 90V, 150mA, 250mW, 3nS, 3PF, 450ma, 1S2471V 硅开关二极管 90V, 130mA, 300mW, 4nS, 2PF, 400ma, 1S2472 硅开关二极管50V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤2PF, 1S2473 硅开关二极管35V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤3PF,

旁路二极管在太阳能电池组件中的关键作用

旁路二极管在太阳能电池组件中的关键作用 一、热斑效应 一串联支路中被遮蔽的太阳能电池组件,将被当作负载消耗其他有光照的太阳能电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳能电池组件此时会发热,这就是热斑效应。这种效应能严重的破坏太阳能电池。有光照的太阳能电池所产生的部分能量,都可能被遮蔽的电池所消耗。为了防止太阳能电池由于热斑效应而遭受破坏,最好在太阳能电池组件的正负极间并联一个旁路二极管,以避免光照组件所产生的能量被受遮蔽的组件所消耗。 二、Bypassdiode的作用: 当电池片出现热斑效应不能发电时,起旁路作用,让其它电池片所产生的电流从二极管流出,使太阳能发电系统继续发电,不会因为某一片电池片出现问题而产生发电电路不通的情况。 三、Bypassdiode选择原则: 1、耐压容量为最大反向工作电压的两倍; 2、电流容量为最大反向工作电流的两倍; 3、结温温度应高于实际结温温度; 4、热阻小; 5、压降小; 四、实际结温温度测量方法: 把组件放在75度烘箱中至热稳定,在二极管中通组件的实际短路电流,热稳定后(例如1h),测量二极管的表面温度,根据以下公式计算实际结温: Tj=Tcase+R*U*I 其中R为热阻系数,由二极管厂家给出,Tcase是二极管表面温度(用热电偶测出),U是二极管两端压降(实测值),I为组件短路电流。计算出的Tj不能超过二极管规格书上的结温范围。 五、旁路二极管对电路影响示意图:

当电池片正常工作时,旁路二极管反向截止,对电路不产生任何作用;若与旁路二极管并联的电池片组存在一个非正常工作的电池片时,整个线路电流将由最小电流电池片决定,而电流大小由电池片遮蔽面积决定,若反偏压高于电池片最小电压时,旁路二极管导通,此时,非正常工作电池片被短路。 六、每个旁路二极管并联电池片数目的计算 1、旁路二极管电流容量最小应为: I=4.73×2=8.46A 2、选用10SQ030型二极管 最大返偏电压为:VRRM=30vIAV=10AVF=0.55V TJ=-55-200℃ 3、耐压容量为30Ⅴ的旁路二极管最多可保护125×125电池片数目为: N=30/(2×0.513)≈29.24 即最多可保护29片125×125电池片; 4、旁路二极管截止状态时存在反向电流,即暗电流,一般小于0.2微安; 原则上每个电池片应并联一个旁路二极管,以便更好保护并减少在非正常状态下无效电池片数目,但因为旁路二极管价格成本的影响和暗电流损耗以及工作状态下压降的存在,对于硅电池,每十五个电池片可并联一个旁路二极管为最佳。

2 光电二级管特性

课程设计任务书 课程设计任务书

目录: 实验目的 (1) 实验内容 (1) 实验仪器 (1) 实验原理 (1) 注意事项 (4) 实验步骤 (5) 实验结果 (12) 实验总结 (15) 参考文献 (15)

光电二极管特性测试实验 一、实验目的 1、学习光电二极管的基本工作原理; 2、掌握光电二极管的基本特性参数及其测量方法,并完成对其光照灵敏度、伏安特性、时间响应特性和光谱响应特性的测量; 3、通过学习,能够对其他光伏器件有所了解。 二、实验内容 1、光电二极管暗电流测试实验 2、光电二极管伏安特性测试实验 3、光电二极管光照特性测试实验 4、光电二极管时间特性测试实验 5、光电二极管光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电二极管综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1个 4、电源线 1根 5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 四、实验原理 1、概述 随着光电子技术的发发展,光电检测在灵敏度、光谱响应范围及频率我等技术方面要求越来越高,为此,近年来出现了许多性能优良的光伏检测器,如硅锗光电二极管、PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD)等。光敏晶体管通常指光电二极管和光电三极管,通常又称光敏二极管和三敏三极管。 光敏二极管的种类很多,就材料来分,有锗、硅制作的光敏二极管,也有III-V族化合物及其他化合物制作的二极管。从结构我来分,有PN结、PIN结、异质结、肖特基势垒及点接触型等。从对光的响应来分,有用于紫外光、红外光等种类。不同种类的光敏二极管,具胡不同的光电特性和检测性能。例如,锗光敏二极管与硅光敏二极管相比,它在红外光区域有很大的灵敏度,如图所示。这是由于锗材料的禁带宽度较硅小,它的本征吸收限处于红外区域,因此在近红外光区域应用;再一方面,锗光敏二极管有较大的电流输出,但它比硅光敏二极管有较大的反向暗电流,因此,它的噪声较大。又如,PIN型或雪崩型光敏二极管与扩散型PN结光敏二极管相比具有很短的时间响应。因此,在使用光敏二极管进要了解其类型及性能是非常重要的。 光敏二极管和光电池一样,其基本结构也是一个PN结。与光电池相比,它的突出特点是结面积小,因此它的频率特性非常好。光生电动势与光电池相同,

万用表检测发光二极管的方法

万用表检测发光二极管的方法 1.用万用表检测普通发光二极管 A.用指针式万用表R×10k档,测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔接正极时)约为几十至200kΩ,反向电阻值为∞(无穷大)。在测量正向电阻值时,较高灵敏度的发光二极管,管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值,则会发现其正、反向电阻值均接近∞(无穷大),这是因为发光二极管的正向压降约在2V左右(部分发光二极管压降在3V左右,如白色发光二极管等),而万用表R×1k档内电池的电压值为1.5V,故不能使发光二极管正向导通。 B、用指针式万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电(黑表笔接电容器正极,红表笔接电容器负极),再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极,若发光二极管有很亮的闪光,则说明该发光二极管完好。 C、用3V直流电源,在电源的正极串接1只47Ω电阻后接发光二极管的正极,将电源的负极接发光二极管的负极,正常的发光二极管应发光。或将1节1.5V 电池串接在万用表的黑表笔(将万用表置于R×10或R×100档,黑表笔接电池负极,等于与表内的1.5V电池串联),将电池的正极接发光二极管的正极,红表笔接发光二极管的负极,正常的发光二极管应发光。 D、如果有两块指针万用表(最好同型号)。用一根导线将其中一块万用表的“+”接线柱与另一块表的“-”接线柱连接。余下的“-”笔接被测发光管的正极(P区),余下的“+”笔接被测发光管的负极(N区)。两块万用表均置×1 0Ω挡。正常情况下,接通后发光二极管就能正常发光。若亮度很低,甚至不发光,可将两块万用表均拨至×1Ω若,若仍很暗,甚至不发光,则说明该发光二极管性能不良或损坏。应注意,不能一开始测量就将两块万用表置于×1Ω,以免电流过大,损坏发光二极管。 2、万用表检测红外发光二极管 红外发光二极管的正向压降一般为1.3~2.5V,可用指针式万用表R×10k档测量红外发光管的正、反向电阻。正常时,正向电阻值约为15~40kΩ(此值越小越好);反向电阻大于500kΩ。若测得正、反向电阻值均接近零,则说明该红外发光二极管内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无穷大,则说明该

9-组件热斑效应的原因与防护之欧阳家百创编

组件热斑效应原因和运维防护措施 欧阳家百(2021.03.07) 曹晓宁1闻震利2吴达1 ( 1. 中广核太阳能开发有限公司 100048;2. 镇江大全 太阳能有限公司 212211) 摘要:光伏电站中组件在运行中存在很多因素引起功率损耗并可能导致安全问题,热斑效应会造成组件功率的大幅度下降,而且是比较严重的安全隐患。在组件生产过程、现场施工和运行维护中可以对技术指标提出要求或采取相应的措施来防护热斑效应。为了减少运维工作量,提供效率,监控系统可以对组件的电流和电压进行监测并进行逻辑判断,可帮助运维人员进行针对性的排查,提高光伏电站运行的安全可靠性。 光伏发电是人类解决能源危机和环境问题的必由之路,在过去的二十年里光伏发电产业有了迅猛的发展,权威能源机构预测在本世纪中叶光伏发电会能为人类主要的供电方式之一。太阳电池组件是光伏电站的核心元件,组件的性能和安全可靠性直接决定了光伏电站的运行效率。目前组件的标称功率是在标准测试环境下(标准条件具体是指:温度25℃,光谱分布AM1.5,辐照强度是1000W/m2)的发电功率,而在实际运行环境中,由于温度、辐照强度、光谱失配等因素会影响组件的实际发电功率。在实际应用中,组件的阴影遮蔽是不可避免的问题,阴影遮蔽会造成功率损失,而且会导致局部发热,产生安全隐患,即热斑效

应。本文对热斑的成因和热斑效应的防护措施进行探讨。 1、热斑效应 晶硅组件是由多个太阳电池片串联组成,当串联支路中的一个太阳电池被遮挡时,将被当作负载消耗其他的太阳电池所产生的能量,被遮蔽的太阳电池此时会严重发热,称为热斑效应,如图1所示。热斑效应会严重影响组件的输出功率,同时会破坏太阳电池的性能。有光照的太阳电池所产生的部分能量,都可能被遮蔽的电池所消耗,热斑效应时组件温度分布如图2所示,可以看到被遮挡电池的温度明显高于其它电池。 图1 热斑效应原理示意图 图2 热板效应时组件的温度分布图 2、热斑效应的防护措施 组件中电池片的电流失配、电池片破损、组件虚焊和污损遮挡等原因都会引起电池发热,为了防止热斑效应对光伏电站造成发电量损失及对太阳电池造成损伤,应该在组件生产、现场施工和运行维护过程中采取相应的措施来减少热斑效应发生的风险,降低其危害。 2.1组件生产过程控制 热斑 热斑

光伏组件中旁路二极管之关键作用

光伏组件中旁路二极管之关键作用 一、热斑效应 一串联支路中被遮蔽的太阳电池组件,将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会发热,这就是热斑效应。这种效应能严重的破坏太阳电池。有光照的太阳电池所产生的部分能量,都可能被遮蔽的电池所消耗。为了防止太阳电池由于热斑效应而遭受破坏,最好在太阳电池组件的正负极间并联一个旁路二极管,以避免光照组件所产生的能量被受遮蔽的组件所消耗。 二、Bypassdiode的作用: 当电池片出现热斑效应不能发电时,起旁路作用,让其它电池片所产生的电流从二极管流出,使太阳能发电系统继续发电,不会因为某一片电池片出现问题而产生发电电路不通的情况。 三、Bypassdiode选择原则: 1、耐压容量为最大反向工作电压的两倍; 2、电流容量为最大反向工作电流的两倍; 3、结温温度应高于实际结温温度; 4、热阻小; 5、压降小; 四、实际结温温度测量方法: 把组件放在75度烘箱中至热稳定,在二极管中通组件的实际短路电流,热稳定后(例如1h),测量二极管的表面温度,根据以下公式计算实际结温: Tj=Tcase+R*U*I 其中R为热阻系数,由二极管厂家给出,Tcase是二极管表面温度(用热电偶测出),U是二极管两端压降(实测值),I为组件短路电流。计算出的Tj不能超过二极管规格书上的结温范围。 五、旁路二极管对电路影响示意图: 当电池片正常工作时,旁路二极管反向截止,对电路不产生任何作用;若与旁路二极管并联的电池片组存在一个非正常工作的电池片时,整个线路电流将由最小电流电池片决定,而电流大小由电池片遮蔽面积决定,若反偏压高于电池片最小电压时,旁路二极管导通,此时,非正常工作电池片被短路。

(完整word版)1N系列稳压二极管参数及应用

1N系列稳压二极管参数

常用1N系列稳压二极管参数与代换 型号功率(W) 稳压(V) 最大电流(mA) 可代换型号 1N5236/A/B 0。5 7。5 61 2CW105-7。5V,2CW5236 1N5237/A/B 0。5 8。2 55 2CW106-8。2V,2CW5237 1N5238/A/B 0。5 8。7 52 2CW106-8。7V,2CW5238 1N5239/A/B 0。5 9。1 50 2CW107-9。1V,2CW5239 1N5240/A/B 0。5 10 45 2CW108-10V,2CW5240 1N5241/A/B 0。5 11 41 2CW109-11V,2CW5241 1N5242/A/B 0。5 12 38 2CW11O-12V,2CW5242 1N5243/A/B 0。5 13 35 2CW111-13V,2CW5243 1N5244/A/B 0。5 14 32 2CW111-14V,2CW5244 1N5245/A/B 0。5 15 30 2CW112-15V,2CW5245 1N5246/A/B 0。5 16 28 2CW112-16V,2CW5246 1N5247/A/B 0。5 17 27 2CW113-17V,2CW5247 1N5248/A/B 0。5 18 25 2CW113-l8V,2CW5248 1N5249/A/B 0。5 19 24 2CW114-19V,2CW5249 1N5250/A/B 0。5 20 23 2CW114-20V,2CW5250 1N5251/A/B 0。5 22 21 2CW115-22V,2CW5251 1N5252/A/B 0。5 24 19。1 2CW115-24V,2CW5252 1N5253/A/B 0。5 25 18。2 2CW116-25V,2CW5253 1N5254/A/B 0。5 27 16。8 2CW1l7-27V,2CW5254 1N5255/A/B 0。5 28 16。2 2CW118-28V,2CW5255 1N5256/A/B 0。5 30 15。1 2CW119-30V,2CW5256 1N5257/A/B 0。5 33 13。8 2CW120-33V,2CW5257 1N5730 0。4 5。6 65 2CW752 1N5731 0。4 6。2 62 2CW753,RD6。2EB 1N5732 0。4 6。8 58 2CW754,2CW957 1N5733 0。4 7。5 52 2CW755,2CW958

太阳能电池板选择

太阳能电池板选择
太阳能电池的最大功率 Pmax=开路电压×短路电流, 这是它们的理想功率, 而平时大家衡量太阳能电池的是额定功率 Pm。实际中额定功率是小于最大功率 的,主要是由于太阳能电池的输出效率 u 只有 70%左右。在使用中由于受光强 度的不同,所以不同时刻的功率也是不同的,根据实验数据它的实际平均功率 P=0.7Pm。如果太阳能电池要直接带动负载,并且要使负载长期稳定的工作, 则负载的额定功率为 Pr=0.7Pm。 如果按照负载的功率选择太阳能电池的功率则 电池的功率为: Pm=1.43Pr。 就是说太阳能电池的功率要是负载功率的 1.43 倍。 在选择太阳能电池的功率时,应合理选择负载的耗电功率,这样才能使发电功 率与耗电功率处于一种平衡状态。当然太阳能电池的发电功率也会受到季节、气 候、地理环境和光照时间等多方面因素的制约。
蓄电池的使用(这里仅以夏季为例,介绍太阳能电池与蓄电池在一般情况下的使用)
蓄电池是一种储存电能的容器,常被作为其它电路的“能源基地”。由于太 阳能电池所产生的电力有限,因此要尽可能的扩大“基地”的储电容量,但也不 能无限扩大,因为太阳能电池只能在白天发电,其日发电量 M=发电功率(最 大输出功率)×有效光照时间×发电时间,由此它的日电量等于输出电流与有效 光照时间的乘积,即:C=IH(Ah)。而蓄电池的容量则使放电时间和放电电流的乘 积,因此计算公式为:C=IH(单位 Ah,就是额定 1A 的电流放电一小时)。那么 太阳能电池和蓄电池在容量和电量上使如何计算的呢?我们可以通过电功率公 式:P=IU 演化为:P=Iuh/h=CU/h。

APD光电二极管特性测试实验

APD光电二极管特性测试实验 一、实验目的 1、学习掌握APD光电二极管的工作原理 2、学习掌握APD光电二极管的基本特性 3、掌握APD光电二极管特性测试方法 4、了解APD光电二极管的基本应用 二、实验内容 1、APD光电二极管暗电流测试实验 2、APD光电二极管光电流测试实验 3、APD光电二极管伏安特性测试实验 4、APD光电二极管雪崩电压测试实验 5、APD光电二极管光电特性测试实验 6、APD光电二极管时间响应特性测试实验 7、APD光电二极管光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电探测综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1台 4、光敏电阻及封装组件 1套 5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 9、示波器 1台

四、实验原理 雪崩光电二极管APD—Avalanche Photodiode是具有内部增益的光检测器,它可以用来检测微弱光信号并获得较大的输出光电流。 雪崩光电二极管能够获得内部增益是基于碰撞电离效应。当PN结上加高的反偏压时,耗尽层的电场很强,光生载流子经过时就会被电场加速,当电场强度足够高(约3x105V/cm)时,光生载流子获得很大的动能,它们在高速运动中与半导体晶格碰撞,使晶体中的原子电离,从而激发出新的电子一空穴对,这种现象称为碰撞电离。碰撞电离产生的电子一空穴对在强电场作用下同样又被加速,重复前一过程,这样多次碰撞电离的结果使载流子迅速增加,电流也迅速增大,这个物理过程称为雪崩倍增效应。 图6-1为APD的一种结构。外侧与电极接触的P区和N区都进行了重掺杂,分别以P+和N+表示;在I区和N+区中间是宽度较窄的另一层P区。APD工作在大的反偏压下,当反偏压加大到某一值后,耗尽层从N+-P结区一直扩展(或称拉通)到P+区,包括了中间的P层区和I 区。图4的结构为拉通型APD的结构。从图中可以看到,电场在I区分布较弱,而在N+-P 区分布较强,碰撞电离区即雪崩区就在N+-P区。尽管I区的电场比N+-P区低得多,但也足够高(可达2x104V/cm),可以保证载流子达到饱和漂移速度。当入射光照射时,由于雪崩区较窄,不能充分吸收光子,相当多的光子进入了I区。I区很宽,可以充分吸收光子,提高光电转换效率。我们把I区吸收光子产生的电子-空穴对称为初级电子-空穴对。在电场的作用下,初级光生电子从I区向雪崩区漂移,并在雪崩区产生雪崩倍增;而所有的初级空穴则直接被P+层吸收。在雪崩区通过碰撞电离产生的电子-空穴对称为二次电子-空穴对。可见,I区仍然作为吸收光信号的区域并产生初级光生电子-空穴对,此外它还具有分离初级电子和空穴的作用,初级电子在N+-P区通过碰撞电离形成更多的电子-空穴对,从而实现对初级光电流的放大作用。

万用表测试二极管的方法

测试二极管的方法 二极管参数的测试可用晶体管图示仪QT-2,或其它仪器进行测试。 在没有仪器的情况下也可用万用表来简单检查二极管的好坏,但这种检测方法不能测量二极管的参数。 初学者在业余条件下可以使用万用表测试二极管性能的好坏。测试前先万用表的转换开关拨到欧姆档的RX1k档位(注意不要使用RX1档,以免电流过大烧坏二极管),再将红、黑两根表笔短路,进行欧姆调零。 1、正向特性测试 把万用表的黑表笔(表内正极)搭触二极管的正极,,红表笔(表内负极)搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间,这时的阻值就是二极管的正向电阻,一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值,说明管芯短路损坏,若正向电阻接近无穷大值,说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。 2、反向特性测试 把万用表的红表笔搭触二极管的正极,黑表笔搭触二极管的负极,若表针指在无穷大值或接近无穷大值,管子就是合格的。

(一)普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二 1.极性的判别将万用表置于 R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极 管的两个电极,测出一个结果后,对调两表 笔,再测出一个结果。两次测量的结果中, 有一次测量出的阻值较大(为反向电阻), 一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在 阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极 管的正极,红表笔接的是二极管的负极。 2.单向导电性能的检测及好坏的判断通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300 kΩ左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。 若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。 (二)稳压二极管的检测 1.正、负电极的判别从外形上看,金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管,也可以用万用表判别其极性,测量的方法与普通二极管相同,即用万用表R×1k档,将两表笔分别接稳压二极管的两个电极,测出一个结果后,再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中,阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管的正极,红表笔接的是稳压二极管的负极。 若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大,则说明该二极管已击穿或开路损坏。 2.稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源,对于13V以下的稳压

防反充和旁路二极管

防反充(防逆流)和旁路二极管 在太阳能电池方阵中,二极管是很重要的器件,常用的二极管基本都是硅整流二极管,在选用时要注意规格参数留有余量,防止击穿损坏。一般反向峰值击穿电压和最大工作电流都要取最大运行工作电压和工作电流的2倍以上。二极管在太阳能光伏发电系统中主要分为两类。 ①防反充(防逆流)二极管防反充二极管的作用之一是防止太阳能电池组件或方阵在不发电时,蓄电池的电流反过来向组件或方阵倒送,不仅消耗能量,而且会使组件或方阵发热甚至损坏;作用之二是在电池方阵中,防止方阵各支路之间的电流倒送。这是因为串联各支路的输出电压不可能绝对相等,各支路电压总有高低之差,或者某一支路因为故障、阴影遮蔽等使该支路的输出电压降低,高电压支路的电流就会流向低电压支路,甚至会使方阵总体输出电压降低。在各支路中串联接人防反充二极管ds就可避免这一现象的发生。 在独立光伏发电系统中,有些光伏控制器的电路中已经接入了防反充二极管,即控制器带有防反充功能时,组件输出就不需要再接二极管了。 防反充二极管存在有正向导通压降,串联在电路中会有一定的功率消耗,一般使用的硅整流二极管管压降为0.7v左右,大功率管可达1~2v。肖特基二极管虽然管压降较低,为0.2~0.3v,但其耐压和功率都较小,适合小功率场合应用。 ②旁路二极管当有较多的太阳能电池组件串联组成电池方阵或电池方阵的一个支路时,需要在每块电池板的正负极输出端反向并联1个(或2~3个)二极管db,这个并联在组件两端的二极管就叫旁路二极管。 旁路二极管的作用是防止方阵串中的某个组件或组件中的某一部分被阴影遮挡或出现故障停止发电时,在该组件旁路二极管两端会形成正向偏压使二极管导通,组件串工作电流绕过故障组件,经二极管旁路流过,不影响其他正常组件的发电,同时也保护被旁路组件受到

常用稳压二极管参数与代换

常用BW系列稳压二极管参数与代换116种常用BW系列稳压二极管参数与代换116种

新型号旧型号最大耗散最大工作稳定电压Vz(V) 功率Pzm(W) 电流Izm(mA) 2CW50 2CW9 0.25 83 1~2.8 2CW51 2CW10 0.25 71 2.5~3.5 2CW52 2CW11 0.25 55 3.2~4.5 2CW53 2CW12 0.25 41 4~5.8 2CW54 2CW13 0.25 38 5.5~6.5 2CW55 2CW14 0.25 33 6.2~7.5 2CW56 2CW15 0.25 27 7~8.8 2CW57 2CW16 0.25 26 8.5~9.5

2CW60 2CW19 0.25 19 11.5~12.5 2CW61 2CW19 0.25 16 12.2~14 2CW62 2CW20 0.25 14 13.5~17 2CW63 2CW20A 0.25 13 16~19 2CW64 2CW23A 0.25 11 18~21 2CW65 2CW23B 0.25 10 20~24 2CW66 2CW23B 0.25 9 23~26 2CW67 2CW23C 0.25 9 25~28 2CW68 2CW23C 0.25 8 27~30 2CW69 2CW23C 0.25 7 29~33 2CW70 2CW23D 0.25 7 32~36 2CW71 2CW23E 0.25 6 35~40 2CW72 2CW1 0.25 29 7~8.8 2CW73 2CW2 0.25 25 8.5~9.5 2CW74 2CW3 0.25 23 9.2~10.5 2CW75 2CW4 0.25 21 10~11.8 2CW76 2CW5 0.25 20 11.5~12.5 2CW77 2CW6 0.25 18 12.2~14 2CW78 2CW7 0.25 14 13.5~17 2CW100 2CW21P 1 330 1~2.8 2CW101 2CW21S 1 280 2.5~3.5 2CW102 2CW21 1 220 3.2~4.5 2CW103 2CW21A 1 165 4~5.8 2CW104 2CW21B 1 150 5.5~6.5 2CW105 2CW21C 1 130 6.2~7.5 2CW106 2CW21D 1 110 7~8.8 2CW107 2CW21E 1 100 8.5~9.5 2CW108 2CW21F 1 95 9.2~10.5 2CW109 2CW21G 1 83 10~11.8 2CW110 2CW21H 1 76 11.5~12.5 2CW111 2CW21H 1 66 12.2~14 2CW112 2CW21J 1 58 13.5~17 2CW113 2CW21J 1 52 16~19 2CW114 2CW21K 1 47 18~21 2CW115 2CW21K 1 41 20~24 2CW116 2CW21L 1 38 23~26 2CW117 2CW21L 1 35 25~28 2CW118 2CW21M 1 33 27~30 2CW119 2CW21M 1 30 29~33 2CW120 2CW21N 1 27 32~36 2CW121 2CW21N 1 25 35~40 2CW130 2CW22 3 660 3~4.5 2CW131 2CW22A 3 500 4~5.8 2CW132 2CW22B 3 460 5.5~6.5

基于PLC控制的窑炉温度控制系统设计 2

毕业设计(论文) 题目:基于PLC的立体保险柜控制系统的设计 系(部):机械电子工程系 专业班级:机械一 姓名:汤其东 学号:12242513503 指导教师:陈洪亮 2013年 4月 6日 前言 PLC即可编程逻辑控制器(可编程控制器件)。 1

可编程逻辑控制器(Programmable Logic Controller,PLC),它采用一类可编程的存储器,用于其内部存储程序,执行逻辑运算、顺序控制、定时、计数与算术操作等面向用户的指令,并通过数字或模拟式输入/输出控制各种类型的机械或生产过程。 可编程逻辑控制器具有以下鲜明的特点。 1.使用方便,编程简单 2.功能强,性能价格比高 3.硬件配套齐全,用户使用方便,适应性强 4.可靠性高,抗干扰能力强 5.系统的设计、安装、调试工作量少 6.维修工作量小,维修方便 21世纪,PLC会有更大的发展。从技术上看,计算机技术的新成果会更多地应用于可编程控制器的设计和制造上,会有运算速度更快、存储容量更大、智能更强的品种出现;从产品规模上看,会进一步向超小型及超大型方向发展;从产品的配套性上看,产品的品种会更丰富、规格更齐全,完美的人机界面、完备的通信设备会更好地适应各种工业控制场合的需求;从市场上看,各国各自生产多品种产品的情况会随着国际竞争的加剧而打破,会出现少数几个品牌垄断国际市场的局面,会出现国际通用的编程语言;从网络的发展情况来看,可编程控制器和其它工业控制计算机组网构成大型的控制系统是可编程控制器技术的发展方向。 随着现代工业的逐步发展,在工业生产中,温度、压力、流量和液位是四种最常见的过程变量。其中,温度是一个非常重要的过程变量。例如:在冶金工业、化工工业、电力工业、机械加工和食品加工等许多领域,都需要对各种加热炉、热处理炉、反应炉和锅炉的温度进行控制[1]。这方面的应用大多是基于单片机进行PID控制,然而单片机控制的DDC系统软硬件设计较为复杂,特别是涉及到逻辑控制方面更不是其长处,然而PLC在这方面却是公认的最佳选择。 目录 第一章炉窑温度控制系统设计的内容及要求 (4)

二极管的特性及万用表的测试法(精)

二极管的特性及万用表的测试法 1、二极管的特性 二极管的英文是diode。二极管的正.负二个端子,(如图1)正端A称为阳极,负端B称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。 A https://www.360docs.net/doc/d02419066.html,/Article/uploadimages/110-y-3.gif" width=65>B 图1 2、如何用万用表测量二极管的正负极 对半导体二极管政府极进行简易测试时,要选用万用表的欧姆档。测量方法如(图2、图3)所示。和万用表+输入相连的红表笔与表内电源的负极相通;而与万用表-输入端相连的黑表笔却与表内电源的正极相通。 https://www.360docs.net/doc/d02419066.html,/Article/uploadimages/11 0-y-1.gif" width=180> https://www.360docs.net/doc/d02419066.html,/Article/uploadimages/11 0-y-2.gif" width=180> 图2 图3 测量的方法是先把万用表拨到“欧姆”档(通常用R×100或R×1K),然后用万用表分别接到二极管的两个极上去。当表内的电源使二极管处于正向接法时,二极管导通,阻值较小(几十欧到几千欧的范围),这就告诉我们黑表笔接触的时二极管的正极;红表笔接触的时二极管的负极(见图3);当表内的电源使二极管处在反向接法时,二极管截止,阻值很大(一般为几百千欧),这就告诉我们黑表笔接触的是二极管的负极,红表笔接触的是二极管的正极。 3、用万用表R×100档和R×1K档测量同一个二极管的正向电阻,为什么阻值不同 在用万用表欧姆挡的R×100档位和R×1K档位测量同一只二极管的正向电阻时,测得的阻值是不同的。这是由于R×100和R×1K两种量程所对应的等效内阻r不同,在电源电压E不变时,流过表头的电流也不同的缘故。

二极管的检测方法与经验

二极管的检测方法与经验 四、二极管的检测方法与经验 检测小功率晶体二极管 判别正、负电极 观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。 观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上,通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端则为负极。 (c)以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。 检测最高工作频率fM。晶体二极管工作频率,除了可从有关特性表中查阅出外,实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分,如点接触型二极管属于高频管,面接触型二极管多为低频管。另外,也可以用万用表R×1k 挡进行测试,一般正向电阻小于的多为高频管。 检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说,因为不断变化,因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是,最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下,二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。 检测玻封硅高速开关二极管 检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是,这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量,一般正向电阻值为~,反向电阻值为无穷大。 检测快恢复、超快恢复二极管 用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性,一般正向电阻为左右,反向电阻为无穷大;再用R×1挡复测一次,一般正向电阻为几,反向电阻仍为无穷大。 检测双向触发二极管 将万用表置于R×1k挡,测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量,万用表指针向右摆动,说明被测管有漏电性故障。 将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时,摇动兆欧表,万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚,用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较,两者的绝对值之差越小,说明被测双向触发二极管的对称性越好。 瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测 用万用表R×1k挡测量管子的好坏 对于单极型的TVS,按照测量普通二极管的方法,可测出其正、反向电阻,一般正向电阻为4kΩ左右,反向电阻为无穷大。 对于双向极型的TVS,任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大,否则,说明管子性能不良或已经损坏。 高频变阻二极管的检测 识别正、负极 高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同,普通二极管的色标颜色一般为黑色,而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似,即带绿色环的一端为负极,不带绿色环的一端为正极。 测量正、反向电阻来判断其好坏 具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同,当使用500型万用表R×1k挡测量时,正常的高频变阻二极管的正向电阻为~,反向电阻为无穷大。 变容二极管的检测 将万用表置于R×10k挡,无论红、黑表笔怎样对调测量,变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中,发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零,说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障,用万用表是无法检测判别的。必要时,可用替换法进行检查判断。 单色发光二极管的检测

PV组件之旁路二极管知识总结

旁路二极管知识 : 半导体介绍: 一、半导体介绍 几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,应用也非常广泛。下面首先对半导体做个介绍: 1本征半导体 纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。常用的半导体材素是元素周期表中的4价元素,如:硅(si)、锗(Ge)。其原子结构中最外层轨道上有4个电子;纯净的晶体中相邻的两个原子的一对最外层电子(价电子)结合成为共有电子,组成共价键;原子可以形成稳定的8原子壳层,如下图所示。 共价键中的价电子在热运动中能获得能量形成自由电子和空穴(价电子摆脱共价键束缚后成为自由电子,此时在共价键中留有了空位,称为空穴,空穴带正电)。本征半导体中存在的两种载流子即自由电子和空穴,由于其两者是成对产生,所以在本征半导体中两者浓度是相同的,因此本征半导体本身称电中性。本征半导体材料中载流子的浓度除了和其本身的性能有关外,还和温度有关,随着温度的升高称指数规律上升,硅材料的温度每升高8摄氏度,本征载流子的浓度增加一倍,锗材料的温度每升高12摄氏度,载流子的浓度增加一倍。另外,半导体载流子的浓度与光照有关。 2P型半导体 如果在纯净的硅晶体中掺入3价杂质,如硼(或鋁、镓或铟等),这些3价杂质原子的最外层只有3个价电子,当它与相邻的硅原子形成共价键时,还缺少1个价电子,因而其它共价键电子只要少量能量摆脱原子核束缚,即可填充之,而在其本身位置形成空穴,在一个共价键上要出现一个空穴,此种半导体主要靠空穴导电;此种半导体称之为P型半导体。P型半导体材料中,空穴数目很多,称为多数载流子,而电子数目很少,称为少数载流子。P型半导体只有一种多子――空穴,对外呈电中性,导电特性与掺杂的杂质浓度有关。P型半导体如下图所示: 3N型半导体 如果在纯净的硅晶体中掺入少量的5价杂质磷(或砷,锑等),由于磷原子具有5个价电子,所以1个磷原子同相邻的4个硅原子结成共价键时,还多余1个价电子,这个价电子很容易挣脱磷原子核的吸引束缚而变成自由电子,此种半导体主要靠自由电子导电;此种半导体称之为N型半导体。N型半导体材料中,空穴数目很少,称为少数载流子,而电子数目很多,称为多数载流子。N型半导体只有一种多子――自由电子,对外呈电中性,导电特性与掺杂的杂质浓度有关。P型半导体如下图所示:

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