电子技术作业复习习题

《电工学·电子技术》作业复习题

第十四章

14.3.8 在图14.10中，试求下列几种情况输出端Y的电位V Y及各元器件（R，D A,D B）中通过的电流：（1）V A=V B=0 V ；（2）V A=+3 V，V B=0 V ；（3）V A=V B=+3 V。二极管的正向压降可忽略不计。

14.5.9 图14.14所示的各个电路中，试问晶体管工作于何种状态？

第十五章

15.2.5 晶体管放大电路如图15.01（a）所示，已知U CC=12 V，R C=3 kΩ，R B=240 kΩ，晶体管的β=40 。（1）试用直流通路估算各静态值I B，I C，I CE；（2）如晶体管的输出特性如图15.01（b）所示，试用图解法作出放大电路的静态工作点；（3）在静态时（u i=0）C1和C2上的电压各为多少？并标出极性。

15.2.6 在图15.01（a）中，若U CC=10 V，今要U CE=5 V，I C=4 mA，试求R C和R B的阻值。设晶体管的β=40 。

图15.01

15.3.4 利用微变等效电路计算题15.2.5的放大电路的电压放大

倍数A u。（1）输出端开路；（2）R L=6 kΩ。设r be=0.8 kΩ。

15.4.5 在图15.4.1(a)的分压式偏置放大电路中，已知U CC=24 V，R C=3.3 kΩ，R E=1.5 kΩ，R B1=33 kΩ，R B2=10kΩ，R L=5.1 kΩ，晶体管的β=66 ，并设R S≈0。（1）试求静态值I B，I C和U CE；（2）画出微变等效电路；（3）计算晶体管的输入电阻r be；（4）计算电压放大倍数A u；（5）计算放大电路输出端开路时的电压放大倍数，并说明负载电阻R L对电压放大倍数的影响；（6）估算放大电路的输入电阻和输出电阻。

16.2.7 在图16.09所示的同相比例运算电路中，已知R1=2 kΩ，R F=10 kΩ，R2=2 kΩ，R3=18 kΩ，u1=1 V,求u0。

16.2.11 求图16.12所示电路的u O与u I的运算关系式。

例18.2.1 有一单相桥式电容滤波整流电路（图18.2.1），已知交流电源频率?=50 Hz，负载电阻R L=200 Ω，要求直流输出电压U O=30 V，选择整流二极管及求滤波电容器最小值。

18.1.6 在图18.1.1所示的单相半波整流电路中，已知变压器二次电压的有效值U=30 V，负载电阻R L=100 Ω，试问：（1）输出电压和输出电流的平均值U O和I O各为多少？（2）若电源电压波动±10 %，二极管承受的最高反向电压为多少？

18.1.8 有一电压为110 V，电阻为55 Ω的直流负载，采用单相桥式整流电路（不带滤波器）供电，试求变压器二次电压和二次电流的有效值，并选用二极管。

第二十章

20.1.1 试将十进制数（215）10转换为二进制数、八进制数、十六进制数。

20.1.2 试将十六进制数（3E.4）16转换为十进制数和二进制数。

20.1.3 试转换下列各题：

（1）（45.34）8 =（）2

（2）（4.A6）16 =（）2

（3）（11101.11）2 =（）8

（4）(11011011.01)2 =（）16

20.5.11 写出20.15所示两图的逻辑式。

20.6.19 甲、乙两校举行联欢会，入场券分红、黄两中，甲校学生持红票入场，乙校学生持黄票入场。会场入口处如设一自动检票机：符合条件者可放行，否则不准入场。试画出此检票机的放行逻辑电路。

20.6.20 某同学参加四门课程考试，规定如下：

（1）课程A及格得1分，不及格得0分；

（2）课程B及格得2分，不及格得0分；

（3）课程C及格得2分，不及格得0分；

（4）课程D及格得2分，不及格得0分；

若总得分大于8分（含8分），就可结业。试用与非门画出实现上述要求的逻辑电路。

模拟电子技术习题

一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分）第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的约为（）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。（2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

模拟电子技术课后习题及答案

第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时，空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2) _______________________________________________ 设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。

模拟电子技术题库

一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是：和。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起失真，其输出电压的波形半周被部分削平。 6、直流稳压电源由、、及组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入才能正常进行工作。二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出（） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管

B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半

电工与电子技术a习题答案

第一章半导体器件与放大电路习题一、填空题 1. PN结的特性是单向导电性。 2.射极输出器具有：①输入电阻高，②输出电阻低，③放大倍数为1的特点。 3.互补对称功率放大电路中晶体管工作在甲乙类工作状态，主要是为了克服交越失真。 4.稳压二极管工作在反向击穿区，当外加电压撤除后，管子还是正常的，这种性能称为可逆性击穿。二、选择题 1．电路如图1-1所示，所有二极管均为理想元件，则二极管D1、D2的工作状态为（Ｃ）。、D2均截止 B. D1、D2均导通 C. D1导通，D2截止 D. D1截止，D2导通图1-1 图1-2 为（ A ）。 2．电路如图1-2所示，二极管为理想元件，则电压U AB A. 6V B. 3V C. 9V D. 不确定 3.某晶体管工作在放大状态，测得三极电位分别是①～，②～1V，③～，则对三个电极的判定，( B )是正确的。 A.①～E，②～B，③～C B.①～B，②～E，③～C C.①～C，②～B，③～E D.①～B，②～C，③～E 4.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为 ( C )。 A.正、反向电阻相等 B.正向电阻大，反向电阻小 C.反向电阻很大，正向电阻很小 D.正、反向电阻都等于无穷大 5.在N型半导体中参与导电的多数载流子是( A )。 A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 ( A )。 6.当温度升高时，晶体管的穿透电流I CEO

A.增大 B.减小 C.不变 D.无法确定 7. 对于三极管放大作用的实质，下列说法正确的是（ D ）。 A.三极管可以把小能量放大成大能量 B.三极管可以把小电流放大成大电流 C.三极管可以把小电压放大成大电压 D.三极管用较小的电流控制较大的电流 8. 由共射极放大电路组成的两级阻容耦合放大电路，若将第二级换成射极输出器，则第一级的电压放大倍数将（ A ）。 A.增大 B.减小 C.不变 D.为零 9.电路如图1-3所示，设D Z1的稳定电压为6V ，D Z2的稳定电压为12V ，设稳压管的正向压降为，则输出电压U o 等于（ B ）。图1- 3 三、计算题 1.在图1-4所示电路中，已知E=5V ，u i =10sin ωtV ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压u o 的波形。 (a) (b) 图1-4 解：（ａ）u i > E ＝５Ｖ时，D 导通，u 0 = E ＝５Ｖ；u i < E 时，D 截止，u o = u i 。 (b ) u i > E ＝５Ｖ时，D 导通，u o = u i ；u i < E 时，D 截止，u 0 = E ＝５Ｖ。 u 0的波形分别如下图所示。 2.在图1-5所示稳压管电路中，已知稳压管的稳压值是6V ，稳定电流是10mA ，额定功耗为200mW ，限流电阻R=500Ω，试求： (1)当U i =18V ，R L =1KΩ时，U o=? I Z =? (2)当U i =18V ，R L =100Ω时，U o=? I Z =? 图1-5 解：(1)6Z U V =，18612R i Z U U U V =-=-=，126 24,60.51 R Z L L U U I mA I mA R R = =====，18Z L I I I mA =-=

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止三、判断题（）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。（）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。（）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。（）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。（）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。（）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。（）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。（）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）9、电压负反馈可以稳定输出电压。（）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。四、分析题电路如图所示：

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题（B ）姓名班级学号计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。（5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。（10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1．试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3．若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的＝100，' bb A 、R i和R o；（1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分）

模拟电子技术教程习题答案

第6章习题答案 1. 概念题：（1）由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈，电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。（2）反相比例运算电路的输入阻抗小，同相比例运算电路的输入阻抗大，但会引入了共模干扰。（3）如果要用单个运放实现：A u＝－10的放大电路，应选用 A 运算电路；将正弦波信号移相＋90O，应选用 D 运算电路；对正弦波信号进行二倍频，应选用 F 运算电路；将某信号叠加上一个直流量，应选用 E 运算电路；将方波信号转换成三角波信号，应选用 C 运算电路；将方波电压转换成尖顶波信号，应选用 D 运算电路。 A. 反相比例 B. 同相比例 C. 积分 D. 微分 E. 加法 F. 乘方（4）已知输入信号幅值为1mV，频率为10kHz～12kHz，信号中有较大的干扰，应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。（5）在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗？（不会）加1000V的交流电压呢？（不会）（6）有源滤波器适合于电源滤波吗？（不适用）这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。（7）正弦波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗？（一定）矩形波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗？（不一

定）（8）作为比较器应用的运放，运放一般都工作在非线性区，施密特比较器中引入了正反馈，和基本比较器相比，施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。（9）正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同，是因为反馈耦合端的极性不同，RC正弦波振荡器频率不可能太高，其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。（10）非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。（11）当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时，石英晶体呈阻性；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈感性；其余情况下石英晶体呈容性。（12）若需要1MHz以下的正弦波信号，一般可用 RC 振荡电路；若需要更高频率的正弦波，就要用 LC 振荡电路；若要求频率稳定度很高，则可用石英晶体振荡电路。（13）设计一个输出功率为20W的扩音机电路，若用乙类互补对称功率放大，则应选至少为 4 瓦的功率管两个。（14）对于甲类变压器音频功率放大电路，在没有输入信号时，扬声器不发声，这时管子的损耗最小。对吗？（不对，此时管子功耗最大）（15）线性电源的调整管工作在放大区，所以称为线性电源，

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。

A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( ×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。 (b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U PUp—

《模拟电子技术基础》总复习典型习题解析

2011-2012（2）《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用（一）二极管的符号及伏安特性曲线：（二）二极管的特性：单向导电性（三）二极管的模型：重点掌握理想模型和恒压降模型

（四）典型习题 1. 电路如图所示，已知u i =10sinωt（V），二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出u i与u o的波形。（a）（b）（c） 2. 设二极管是理想的，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。（a）（b） 3.电路如图所示，已知u i =8sinωt（V），二极管的正向导通电压U D=0.7V，试分析二极管的状态，画出输出u i与u o的波形，并标出幅值。（a）（b）（c） 4. 电路如图所示，已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管D1和D2的状态，并求出输出电压U o。（a）（b）

二. 三极管及场效应管的应用（一）三极管的符号及伏安特性曲线： i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const 此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线，PNP 管的特性曲线（二）三极管的电流控制作用：B C i i β= （三）三极管放大电路的直流通路和交流通路：（四）三极管的交流等效电路：（五）三极管放大电路的组态

（六）放大电路的分析方法交流等效电路法：利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。图解法：利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线，采用作图的方式确定一个Q 点。（七）放大电路的非线性失真饱和失真：工作点位于饱和区截止失真：工作点位于截止区注意：图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真，PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。（八）放大电路静态工作点稳定问题 Q 点不合适，的波形要失真；，A u 与I B 有关。在电路中引入直流负反馈。 be L c u r R //R A ）（?- =β o u

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

电子技术复习题及答案

一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。（1）别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波

电子技术基础习题带答案

【理论测验】一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热

模拟电子技术教程课后习题答案大全

第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×）（3）线性电路一定是模拟电路。（√）（4）模拟电路一定是线性电路。（×）（5）放大器一定是线性电路。（√）（6）线性电路一定是放大器。（×）（7）放大器是有源的线性网络。（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。第2章习题答案

湖南大学电子技术数字部分习题答案

第一章数字逻辑习题 1．1数字电路与数字信号 1.1.2 图形代表的二进制数 010110100 1．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例 MSB LSB 0 1 2 11 12 （ms ）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ 占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10% 1.2数制 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于 4 2?（2）127 （4）2.718 解：（2）（127）D=-1=（10000000）B-1=（1111111）B =（177）O=（7F ）H 7 2（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H 1.4二进制代码 1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD 码：（1）43 （3）254.25 解：（43）D=（01000011）BCD 1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASC Ⅱ码的表示：P28 （1）+ （2）@ （3）you (4)43 解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASC Ⅱ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。（1）“+”的ASC Ⅱ码为0101011，则（00101011）B=（2B ）H （2）@的ASC Ⅱ码为1000000,(01000000)B=(40)H (3)you 的ASC Ⅱ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75 (4)43的ASC Ⅱ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,33 1.6逻辑函数及其表示方法 1.6.1在图题1. 6.1中，已知输入信号A ，B`的波形，画出各门电路输出L 的波形。

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

项目一习题参考答案 1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。 2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。 3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。 4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。 5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。 6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。（b）VD截止，U AB=-12 V。（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。

7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。图1.53 题7图解：（a）（b） 8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。试画出u i与的波形。解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V； 3.7V>u i>- 4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i； u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。 9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案 2

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。