硕士研究生入学考试《电子技术基础》考试大纲
中国地质大学研究生院
硕士研究生入学考试《电子技术基础》考试大纲
(包括模拟电路、数字电路两部分)
一、试卷结构
（一）内容比例
模拟电路约50%
数字电路约50%
（二）题型比例
选择题、填空题和判断题约50%
解答题约50%
二、考试内容及要求
模拟电路
（一）半导体器件
考试内容
PN结、半导体二极管、稳压二极管的工作原理；晶体三极管与场效应管的放大原理；集成运算放大器的主要特点。
考试要求
1. 熟悉半导体二极管的伏安特性，主要参数及简单应用。
2. 熟悉稳压二极管的伏安特性，稳压原理及主要参数。
3. 理解双极性三极管的电流放大原理，伏安特性，熟悉主要参数。
（二）放大器基础
考试内容
放大电路的性能指标和电路组成及静态分析；稳定静态工作点的偏置电路；放大电路的动态分析，三种基本组态放大电路；场效应管放大电路性能指标分析；运算放大器放大电路性能指标分析；多级放大电路。
考试要求
1. 理解放大电路的组成原则。
2. 理解静态、动态、直流通路、交流通路的概念及放大电路主要动态指标的含意。
3. 熟悉放大电路的静态和动态分析方法。掌握调整静态工作点的方法。
4. 掌握计算三种组态放大电路的静态工作点和动态指标Au 、ri 、r0 等。
5. 了解多级放大电路的耦合方式及其特点和熟悉多级放大电路的指标计算。
（三）放大器的频率参数。
频率特性的基本概念与分析方法；放大器频率分析，三极管的频率参数；共射极接法放大电路的频率特性；场效应高频等效电路，运算放大器的高频等效电路，宽带放大器；网络传输函数与频率特性的关系；多级放大电路频率特性。
考试要求
1. 理解阻容耦合共射放大电路的频率特性。
2. 理解三极管的频率参数：fβ、fT 、fx。
3. 了解多级放大电路频率特性的概念。
（四）放大电路中的负反馈
考试内容
负反馈的基本概念；负反馈对放大器性能的影响；深度负反馈的工程计算；反馈放大电路的稳定性分析。
考试要求
1. 理解反馈，正反馈，负反馈，直流反馈，交流反馈，开环，闭环，反馈系数，反馈深度，电压反馈，电流反馈，串联反馈，并联反馈等概念。
2. 熟悉负反馈类型的判断。理解各基本组态A, Af ，F 的含意。
3. 掌握各种基本组态负反馈对放大电路性能的影响。
4. 掌握深度负反馈放大电路增益的估算方法。
（五）功率放大器
考试内容
功率放大器的原理；互补推挽功率放大器（OCL）；功率放大器的其它电路；集成功率应用电路。
考试要求
1. 了解低频功率放大电路的分类及特点。
2. 掌握OCL电路组成、工作原理及指标计算。
3. 理解交越失真产生的原因，了解消除交越失真的方法。
4. 了解复合管的构成及特点。
5. 熟悉OTL电路的组成，工作原理及指标计算。
（七）模拟运算电路
考试内容
基本运算放大电路；模拟信号运算电路；模拟信号放大与检测电路。
考试要求
1. 掌握基本运算放大电路。
2. 掌握模拟信号运算电路。
3. 掌握比例运算电路的结构，特点，U0与Ui的运算关系。
4. 掌握求和运算电路的结构特点、分析方法及输入输出的关系。
5. 掌握积分电路的结构特点、输入输出的关系。
数字电路
（一）数字逻辑基础
考试内容
模拟信号与数字信号；数字逻辑的基本概念；数制与码和数字逻辑的基本运算。
考试要求
1. 了解数字信号的特点。
2. 掌握二进制、十进制、八进制、十六进制、BCD编码等之间的相互转换。
3. 熟练掌握与或非等基本逻辑运算。
（二）逻辑代数
考试内容
逻辑代数的基本知识和化方法
考试要求
1. 熟悉逻辑代数的基本概念、基本运算规则和逻辑函数的基本表示方法。
2. 理解逻辑函数的表示方法。
3. 掌握逻辑代数的变换、代数化简法和卡诺图化简法。
（三）逻辑门电路
考试内容
通用的集成逻辑门电路， BJT逻辑门电路(TTL)的基本原理及特性。着重它们的逻辑功能和外特性。
考试要求
1. 了解分立元件构成的各种逻辑门电路。
2. 理解逻辑门电路的扇出/入系数、开门电平（电阻）、关门电平（电阻）、噪声容限等概念；了解二极管的钳位作用。
3. 了解TTL非门电路的结构、工作原理和传输特性。
4. 了解MOS门与非门电路、或非门电路、传输门电路以及模拟开关特性。
5. 了解TTL门、MOS 门多余端的处理及各种门电路的接口，掌握OC门、三态门的特性及使用。
（四）组合逻辑电路
考试内容
组合逻辑电路的的定义、分析和设计，竞争冒险产生的原因及消除方法。常用的中规模集成组合逻辑电路的功能及基本应用，它们包括编码器和译码器、数据选择器和数据分配器、数值比较器、算术/逻辑运算单元等。组合逻辑电路的Verilog HDL描述以及用可编程逻辑器件PLD的实现方法。
考试要求
1. 了解中规模数字集成电路的概念。
2. 了解编码器、译码器/数据分配器、数据选择器、数据比较器、算术运算电路的工作原理及运用。
3. 理解和掌握组合逻辑电路的基本分析方法和设计方法。
（五）锁存器和触发器
考试内容
锁存器和触发器的电路结构与工作原理，以及所实现的不同逻辑功能。
考试要求
1. 了解基本（RS）、同步（RS）、主从、边沿触发器的电路结构、工作原理及主要性能指标。
2. 了解SR、JK、D、T、T’触发器的逻辑功能特征及其相互转换。
3. 掌握各种类型触发器逻辑功能描述方法：功能表、状态转换表、状态图、特性方程、逻辑图、时序图。
4. 掌握JK触发器，D触发器的时钟信号输入、同步信号输入和及异步置0置1的功能和特性。
5. 掌握JK触发器和D触发器的时序图的画法。
（六）时序逻辑电路
考试内容
时序逻辑电路的基本概念，时序逻辑电路的分析和设计方法以及逻辑设计中常用的典型时序集成电路。
考试要求
1. 了解同步时序逻辑电路与异步时序逻辑电路逻辑功能特性及区别，理解时序逻辑电路中“状态”的概念。
2. 掌握同步时序逻辑电路的分析方法，掌握同步计数器的设计方法和步骤，了解异步时序逻辑电路的分析方法。
3. 掌握寄存器、计数器的工作原理和特性及其使用方法。
三、参考书目
1、电子技术基础模拟部分，康华光，高等教育出版社；
2、电子技术基础数字部分，康华光，高等教育出版社；
3、模拟电子技术，童诗白，高等教育出版社；
4、数字电子技术，阎石，高等教育出版社。
硕士研究生入学考试初试考试大纲
2020年博士研究生招生考试初试考试大纲 科目代码：3012 科目名称：人机工程学 适用专业：机械工程 参考书目：《人机工程学》丁玉兰编著,北京理工大学出版社，2011. 考试时间：3小时 考试方式：笔试 总分：100分 考试范围： 一、人机工程学概述: 人机工程学的命名及定义、起源与发展、研究内容与方法、体系及应用。二、人体测量与数据应用： 人体测量的基本知识、主要统计函数，常用的人体测量数据及人体测量数据的应用。 三、人体感知与信息处理： 人在系统中的功能，视觉机能及其特征，听觉机能及其特征，其他感觉机能及其特征，神经系统机能及其特征，人的信息处理系统 四、人的心理与行为特征： 心理现象与行为构成，感觉与知觉特征，注意与记忆特征，想象与思维特征，创造性心理特征。 五、人体生物力学与施力特征： 人体运动与骨杠杆，人体生物力学模型，人体的施力特征，合理施力的设计思路。 六、人机的信息界面设计： 人机信息界面的形成，视觉信息显示设计，听觉信息传示设计，操纵装置设计，操纵与显示相合性。 七、工作台椅与工具设计： 控制台设计，办公台设计，工作座椅设计主要依据，工作座椅设计，手握式工具设计。 八、作业岗位与空间设计：
作业岗位的选择，手工作业岗位设计，视觉信息作业岗位设计，作业空间的人体尺度，作业空间的布置。 九、人与环境的界面设计： 人体对环境的适应程度，人与热环境，人与光环境，人与声环境，人与振动环境，人与毒物环境。 十、人的可靠性与安全设计： 人的可靠性，人的失误，人的失误事故模型，安全装置设计，防护装置设计，安全信息设计。 十一、人机系统总体设计： 总体设计的目标，总体设计的原则，总体设计的程序，总体设计的要点，总体设计的评价。 十二、人机工程发展新趋势： 非物质化人机工程，网络化人机工程，虚拟化人机工程，数字化人机工程，智能化人机系统。
电子技术基础习题带答案
【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章
第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？
硕士研究生入学考试大纲
目录 I 考查目标 (2) II 考试形式和试卷结构 (2) III 考查内容 (2) IV. 题型示例及参考答案 (3)
全国硕士研究生入学统一考试 生态学考试大纲 I 考查目标 目的是科学、公平、有效地测试考生是否具备攻读生态学专业硕士所必须的基本素质、一般能力和培养潜能，以利用选拔具有发展潜力的优秀人才入学，为国家的经济建设培养具有良好职业道德、法制观念和国际视野、具有较强分析与解决实际问题能力的高层次、应用型、复合型的生态学专业人才。考试要求是测试考生有关生态学概念、试验技能的掌握情况及利用生态学原理分析问题的能力。 具体来说。要求考生： 1．掌握生态学的有关概念。 2．掌握生态学的原理和方法。 3．掌握室内外生态调查方法。 4．具有运用生态学原理分析和解决实际问题的能力。 II 考试形式和试卷结构 一、试卷满分及考试时间 试卷满分为150分，考试时间180分钟。 二、答题方式 答题方式为闭卷、笔试。 三、试卷内容与题型结构 生态学150分，有以下三种题型： 概念题7题，每小题5分，共35分 问答题5题，每小题15分，共75分 论述题1题，每小题40分，共40分 III 考查内容 1 环境的概念及类型 2 生态因子作用的一般特征 3 最小因子定律和耐性定律 4 主要生态因子的生态作用及生物的适应 5 种群的概念及种群增长模型 6 种群自动调节学说 7 种群的繁殖策略和性选择 8 他感作用 9 种间竞争模型 10 群落概念及群落基本特征 11 群落结构及季相 12 干扰理论
13 岛屿生态 14 群落演替类型及演替顶级学说 15 生态系统的基本概念 16生态系统的组成及结构 17 食物链和食物网 18 营养级及生态金字塔 19 生态效率及林达曼定律 20 初级生产及次级生产及其生产量的测定 21 生态系统内不同层次上的能量流动 22 生态系统中的信息及其传递 23 生态系统的能流模型 24 生态系统中的水循环、、气体型循环、沉积型循环和有毒物质循环。 25 全球变化 26 生物多样性 27 可持续发展 28生态风险评估及生态规划 IV. 题型示例及参考答案 一概念题（35分） 1 生态因子和生存因子 2 r-对策者和K-对策者 3 生态型和生活型 4 捕食食物链和碎屑食物链 5 中度干扰假说 6 种间协同进化 7 可持续发展 二问答题（75分，每题15分） 1 种群年龄结构定义、类型及各结构类型种群的动态特点。 2 何谓生态金字塔？生态金字塔的基本类型及研究生态金字塔的意义。 3 简述生态系统的层次结构划分及其特点。 4 简述碳循环的主要途径及碳循环产生的环境问题。 5 何谓生态平衡和生态失调？试述生态系统维持平衡的自我调节机制，并举例说明。 三论述题（40分） 粮食安全问题是我国面临的一个严重的现实问题，关系到社会、经济和政治各个领域。试依据林德曼“十分之一定律”，分析合理的人类膳食结构调整和畜牧业结构调整对确保我
电子技术基础习题答案.
第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N 区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错） 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。（错） 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错） 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是（C）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 1
硕士研究生入学考试大纲
硕士研究生入学考试大纲 考试科目名称：单考数学考试科目代码：[701] 一、试卷满分及考试时间 试卷满分为150分，考试时间为180分钟。 二、答题方式 答题方式为闭卷、笔试. 三、试卷内容结构（以下结构供参考） 函数、极限、连续20% 一元函数微积分学60% 二元函数微积分学10% 无穷级数5% 常微分方程5% 四、试卷题型结构（以下结构供参考） 单选题6小题，每题5分，共30分 填空题6小题，每题5分，共30分 解答题(包括证明题) 7小题，共90分 五、考试内容 （一）函数、极限、连续 考试内容 函数的概念及表示法；函数的有界性、单调性、周期性和奇偶性；复合函数、反函数、分段函数和隐函数；基本初等函数的性质及其图形；初等函数；函数关系的建立。数列极限与函数极限的定义及其性质；函数的左极限和右极限；无穷小量和无穷大量的概念及其关系；无穷小量的性质及无穷小量的比较；极限的四则运算；极限存在的两个准则：单调有界准则和夹逼准则；两个重要极限。 函数连续的概念；函数间断点的类型；初等函数的连续性；闭区间上连续函数的性质。 考试要求 1.理解函数的概念，掌握函数的表示法，会建立应用问题的函数关系。 2.了解函数的有界性、单调性、周期性和奇偶性。 3.理解复合函数及分段函数的概念，了解反函数及隐函数的概念。 4.掌握基本初等函数的性质及其图形，了解初等函数的概念。 5.理解极限的概念，理解函数左极限与右极限的概念以及函数极限存在与左、右极限之间的关系。
6.掌握极限的性质及四则运算法则。 7.掌握极限存在的两个准则，并会利用它们求极限，掌握利用两个重要极限求极限的方法。 8.理解无穷小量、无穷大量的概念，掌握无穷小量的比较方法，会用等价无穷小量求极限。 9.理解函数连续性的概念(含左连续与右连续)，会判别函数间断点的类型。 10.了解连续函数的性质和初等函数的连续性，理解闭区间上连续函数的性质(有界性、最大值和最小值定理、介值定理)，并会应用这些性质。 （二）一元函数微分学 考试内容 导数和微分的概念；导数的几何意义和物理意义；函数的可导性与连续性之间的关系；平面曲线的切线和法线；导数和微分的四则运算；基本初等函数的导数；复合函数、反函数、隐函数以及参数方程所确定的函数的微分法；高阶导数；一阶微分形式的不变性；微分中值定理；洛必达（L’Hospital）法则；函数单调性的判别；函数的极值；函数图形的凹凸性、拐点及渐近线；函数图形的描绘；函数的最大值与最小值。 考试要求 1.理解导数的概念，函数左导数与右导数的概念以及函数导数存在与左、右导数之间的关系；理解函数的可导性与连续性之间的关系。 理解微分的概念，理解导数与微分的关系。 2.掌握导数的四则运算法则和复合函数的求导法则，掌握基本初等函数的导数公式.了解微分的四则运算法则和一阶微分形式的不变性，会求函数的微分。 3.了解高阶导数的概念，会求简单函数的高阶导数.。 4.会求分段函数的导数，会求隐函数和由参数方程所确定的函数以及反函数的导数。 5.理解并会用罗尔(Rolle)定理、拉格朗日(Lagrange)中值定理和柯西(Cauchy)中值，了解并会用泰勒(Taylor)公式。 6.掌握用洛必达法则求未定式极限的方法。 7.理解函数的极值概念，掌握用导数判断函数的单调性和求函数极值的方法，掌握函数最大值和最小值的求法及其应用。 8.会用导数判断函数图形的凹凸性，会求函数图形的拐点以及水平、铅直和斜渐近线，会描绘函数的图形。 （三）一元函数积分学 考试内容 原函数和不定积分的概念；不定积分的基本性质；基本积分公式；定积分的概念和基本
(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 《数字电路与逻辑设计》作业 教材：《数字电子技术基础》 （高等教育出版社，第2版，2012年第7次印刷）第一章： 自测题： 一、 1、小规模集成电路，中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路 5、各位权系数之和，179 9、01100101，01100101，01100110； 11100101，10011010，10011011 二、 1、× 8、√ 10、× 三、 1、A 4、B 练习题： 1.3、解： (1) 十六进制转二进制： 4 5 C 0100 0101 1100 二进制转八进制：010 001 011 100 2 1 3 4 十六进制转十进制：(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10 所以：(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10 (2) 十六进制转二进制： 6 D E . C 8 0110 1101 1110 . 1100 1000 二进制转八进制：011 011 011 110 . 110 010 000 3 3 3 6 . 6 2 十六进制转十进制：(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1758.78125)10 所以：(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10 (3) 十六进制转二进制：8 F E . F D 1000 1111 1110. 1111 1101二进制转八进制：100 011 111 110 . 111 111 010 4 3 7 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(2302.98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(437 6.772)8=(2302.98828125)10 (4) 十六进制转二进制：7 9 E . F D 0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制：011 110 011 110 . 111 111 010 3 6 3 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(1950. 98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1950.98828125)10 1.5、解： (74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10 =(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD (136.45)10 =(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10 =(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD 1.8、解 （1）(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补 （2）(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补 （3）(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补 （4）(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 2、分析电路中，各二极管是导通还是截止？并求出 管)。 3、二极管接成所示的电路，分析在下述条件下各二极管的通断情况。 (1) V C CI =6V, V CC =6V, R=2kQ, R 2=3k Q (2) V CCI =6V, V C C 2=6V, R I = F 2=3kQ (3) V C CI =6V, V CC =6V, F=3kQ , F 2=2k Q 设二极管D 的导通压降 V D =0.7V ，求出D 导通时电流I D 的大小。 4、图所示电路中，设晶体管的 3 =50, V BE =0.7V 。 (1) 试估算开关S 分别接通A 、B C 时的I B 、I C 、V CE 并说明管子处于什么工作状态。 (2) 当开关S 置于B 时，若用内阻为10k Q 的直流电 压表分 别测量 V BE 和V CE ,能否测得实际的数值？试 画出测量时的等效电路，并通过图解分析说明所 测得的电压与理论值相比，是偏大还是偏小？ (3) 在开关置于A 时，为使管子工作在饱和状态 (设 临界饱和时的 V CE =0.7V ), F C 值不应小于多 少？ (1) V =12V, R=4KQ , Fb=8k (2) V =12V, R=4KQ , R z =4k Q ; (3) V =24V, R=4KQ , R z =2k Q ; (4) V =24V, R=4KQ , R z =1k Q 。 试确定输出电压V O 的值。 5、图所示均为基本放大电路，设各三极管的 r bb =200Q , 3 =50, V BE =0.7V 。 计算各电路的静态工作点; 何 2) A 、O 两端的电压 V A 。(设D 为理想二极 0.5 V (+15 V) 全国硕士研究生入学统一考试真题试卷《数学三》试题 一、选择题:1—8小题．每小题4分，共32分． 1 ．若函数10 (),0x f x ax b x ?->?=??≤? 在0x =处连续，则 （A ）1 2ab = （B ）12 ab =- （C ）0ab = （D ） 2ab = 2．二元函数(3)z xy x y =--的极值点是（ ） （A ）(0,0) （B ）03(,) （C ）30(,) （D ）11(,) 3．设函数()f x 是可导函数，且满足()()0f x f x '>，则 （A ）(1)(1)f f >- （B ）11()()f f <- （C ）11()()f f >- （D ）11()()f f <- 4． 若级数211 sin ln(1)n k n n ∞ =?? --??? ?∑收敛，则k =（ ） （A ）1 （B ）2 （C ）1- （D ）2- 5．设α为n 单位列向量，E 为n 阶单位矩阵，则 （A ）T E αα-不可逆 （B ）T E αα+不可逆 （C ）2T E αα+不可逆 （D ）2T E αα-不可逆 6．已知矩阵200021001A ?? ?= ? ???，210020001B ?? ?= ? ???，100020002C ?? ? = ? ??? ，则 （A ）,A C 相似，,B C 相似 （B ）,A C 相似，,B C 不相似 （C ）,A C 不相似，,B C 相似 （D ）,A C 不相似，,B C 不相似 7．设,A B ，C 是三个随机事件，且,A C 相互独立，,B C 相互独立，则A B U 与 浙江大学远程教育学院 《电子技术基础》课程作业 姓名：学号: 年级：学习中心： 模拟电子技术基础部分 题1在图1电路中，设v I2sin t V，试分析二极管的导电情况（假定D均为理想二极管） 图1 解：题中的电路是二极限幅电路，对电路（a），当输入电压幅度v i6V时，二极管导电，输出电压为+6V,当输入电压V i 6时D截止，输出电压等于输入电压V。V i ；对电路（b）,当输入电压幅度v i 6 V时二极管导电，输出电压为V。 v i，输入电压v i 6 V 时，二极管截止，输出电压为+6V；对电路（c）,是一个双向限幅电路，当输入电压v i 6 V 时，D1导电、D2截止，输出为一6V，当输入电压v i 8V时，D2导电、D1截止，输出电 压为+8V。 -0 V 5 题 2 电路如图2所示，分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管 D 的导通压 解：（1）求出二极管两端的开路电压，如开路电压使二极管正偏，则二极管导电，然后再求 出流过二极管的电流。二极管开路后流过 R1和R2的电流： IR 2 V Q V cci IR i 1.2V ，由于二极管两端开路电压大于 降V D =0.7 V ，并求出 D 导通时电流I D 的大小。 (1)V C CI = 6 V , V cc = 6 V , R i = 2 k Q, R ?= 3 k Q; V cci V cC2 R i R 2 12 2.4mA ，则二极管两端的开路电压 0.7V ，所以二 ■l E) J 1Z 06 %宁 !■ I II f. (2) V Cci = 6 V , V cc = 6 V , R i =Ra= 3 k Q; 图2 模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.360docs.net/doc/d514106956.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.360docs.net/doc/d514106956.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.360docs.net/doc/d514106956.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.360docs.net/doc/d514106956.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一 个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.360docs.net/doc/d514106956.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。 全国硕士研究生入学统一考试英语（一）考试大纲 （非英语专业）（2017年版） I. 考试性质 英语（一）考试是为高等学校和科研院所招收硕士研究生而设置的具有选拔性质的全国统一入学考试科目，其目的是科学、公平、有效地测试考生对英语语言的运用能力，评价的标准是高等学校非英语专业本科毕业生所能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有一定的英语水平，并有利于各高等学校和科研院所在专业上择优选拔。 II.考查目标 考生应掌握下列语言知识和技能： （一）语言知识 1.语法知识 考生应能熟练地运用基本的语法知识。 (1)名词、代词的数和格的构成及其用法; (2)动词时态、语态的构成及其用法; (3)形容词与副词的比较级和最高级的构成及其用法; (4)常用连接词的词义及其用法; (5)非谓语动词(不定式、动名词、分词)的构成及其用法; (6)虚拟语气的构成及其用法; (7)各类从句(定语从句、主语从句、表语从句等)及强调句型的结构及其用法; (8)倒装句、插入语的结构及其用法。 2. 词汇 考生应能较熟练地掌握5 500个左右常用英语词汇以及相关常用词组(详见附录相关部分)。 考生应能根据具体语境、句子结构或上下文理解一些非常用词的词义。 (二)语言技能 1. 阅读 考生应能读懂不同题材和体裁的文字材料。题材包括经济、管理、社会、文化、科普等，体裁包括说明文、议论文和记叙文等。 根据阅读材料，考生应能： (1)理解主旨要义; (2)理解文中的具体信息; (3)理解语篇的结构和上下文的逻辑关系; (4)根据上下文推断重要生词或词组的含义; (5)进行一定的判断和推理; (6)理解作者的意图、观点或态度。 2. 写作 考生应能根据所给的提纲、情景或要求完成相应的短文写作。短文应中心思想明确、切中题意、结构清晰、条理清楚、用词恰当、无明显语言错误。 III. 考试形式、考试内容与试卷结构 (一)考试形式 考试形式为笔试。考试时间为180分钟。满分为100分。 试卷包括试题册和1张答题卡。考生应将英语知识运用和阅读理解部分的答案按要求涂写在答题卡相应题号的选项上，将英译汉和写作部分的答案书写在答题卡指定位置的边框区域内。 (二)考试内容 试题分四部分，共48题，包括英语知识运用、阅读理解、英译汉和写作。 电工电子技术基础_在线作业_2 交卷时间：2016-10-30 12:37:53 一、单选题 1. (5分)要使JK触发器的输出Q处于反转的状态，它的输入信号JK应为（）。 A. 0 0 B. 1 0 C. 0 1 D. 1 1 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 D 解析 2. (5分)由555集成定时器组成单稳态触发器时，需要外加的元件是（）。 A. 两个电阻、一个电容 B. 两个电容 C. 一个电阻、一个电容 D. 两个电阻 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 C 解析 3. (5分)要使JK触发器的输出Q=0的状态，它的输入信号JK应为（）。 A. 不变 B. 0 1 C. 1 0 D. 翻转 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 4. (5分)上图是（）电路符号。 A. 逻辑与 B. 逻辑非 C. 逻辑或 D. 逻辑加 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 5. (5分)计数器电路由触发器组成。（） A. 对 B. 错 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 A 解析 6. (5分)在交流电路中，电动势、电压及电流的有效值分别表示为（）。 A. B. C. D. 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 C 解析 7. (5分)字符“A”的ASCII码为（）。 A. 0001100 B. 1001000 C. 1000100 D. 1000001 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 D 解析 8. (5分)在交流电路中，容抗随频率的增大而增大。（） A. 对 B. 错 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 9. (5分)逻辑变量的取值，1比0大。（）。 西北工业大学 2012年硕士研究生入学考试试题 试题名称：材料科学基础（A卷）试题编号：832 说明：所有答题一律写在答题纸上第页共页 一、简答题（每题10分，共50分） 1.请简述滑移和孪生变形的特点？ 2.什么是上坡扩散？哪些情况下会发生上坡扩散？扩散的驱动力是什么？ 3.在室温下，多数金属材料的塑性比陶瓷材料好很多，为什么？纯铜与纯铁这两种金 属材料哪个塑性好？说明原因。 4.请总结并简要回答二元合金平衡结晶过程中，单相区、双相区和三相区中，相成分 的变化规律。 5.合金产品在进行冷塑性变形时会发生强度、硬度升高的现象，为什么？如果合金需 要进行较大的塑性变形才能完成变形成型，需要采用什么中间热处理的方法？而产品使用时又需要保持高的强度、硬度，又应如何热处理？ 二、作图计算题（每题15分，共60分） 1、在Fe-Fe3C相图中有几种类型的渗碳体？分别描述这些渗碳体的形成条件，并绘制 出平衡凝固条件下这些不同类型渗碳体的显微组织形貌。 2、在两个相互垂直的滑移面上各有一条刃型位错AB、XY，如图所示。假设以下两 种情况中，位错线XY在切应力作用下发生运动，运动方向如图中v所示，试问交割后两位错线的形状有何变化（画图表示）？在以下两种情况下分别会在每个位错上形成割阶还是扭折？新形成的割阶或扭折属于什么类型的位错？ 3、已知H原子半径r为0.0406nm，纯铝是fcc晶体，其原子半径R为0.143nm，请问H 原子溶入Al时处于何种间隙位置？ 4、柱状试样，当固溶体合金（k0＞1）从左向右定向凝固。凝固过程中假设，凝固速度快， 固相不扩散、液相基本不混合，α/L（固/液）界面前沿液体中的实际温度梯度为正温度梯度。由于α/L界面前沿液体存在成分过冷区，晶体易以树枝状结晶生长。当合金从左向右定向凝固，达到稳态凝固区时，请分析并画出：①k0＞1相图；②α/L界面处固体、液体的溶质浓度分布图；③液体中成分过冷区图 三、综合分析题（共40分） 1、试用位错理论解释低碳钢的应变时效现象。 2、如图所示，在立方单晶体中有一个位错环ABCDA，其柏氏矢量b平行于z轴 1）指出各段位错线是什么类型的位错。 2）各段位错线在外应力τ作用下将如何运动？请绘图表示 西北工业大学 2012年硕士研究生入学考试试题答案 试题名称：材料科学基础试题编号：832 说明：所有答题一律写在答题纸上第页共页 四、简答题（每题10分，共50分） 6.请简述滑移和孪生变形的特点？ 硕士研究生入学考试大纲 考试科目名称：检测技术与控制工程考试时间：120分钟，满分：100分 一、考试要求： 本考试内容分为检测技术部分和控制工程两部分，各占50%。 （一）检测技术部分（50分） 1．了解检测、测量误差的基本概念，掌握检测仪表的主要性能指标，并能通过对性能指标的分析，对仪表做出正确评价和选择； 2. 了解传感器、变送器的基本概念，掌握变送器的输入/输出信号变换关系、量程/零点调整方法和接线方式。 3. 掌握石油化工生产过程中温度、压力、物位、流量等四大参数的检测仪表与检测系统的原理与组成、信号转换与处理，熟悉各类仪表的特点、适用场合及典型工程应用。 4. 掌握检测仪表的正确选择、安装、使用，掌握检测仪表的一般检定要求以及压力、温度、物位、流量等仪表的检定方法。 （二）控制工程部分（50分） 考生在过程控制工程和运动控制考试内容中，任选其中之一。 1.过程控制工程 要求学生在学习自动控制原理、测量及调节仪表、计算机控制及工艺原理的基础上，结合实际的工业生产过程，能进行简单控制系统、复杂控制系统、以及解耦、史密斯预估控制器的设计与分析，针对具体设备或过程进行常规控制方案的设计、整定与投用办法。典型设备控制。要求学生重点掌握本课程的基本原理、基本概念和基本方法。 2.运动控制 重点掌握基本理论和基本方法，需要熟练掌握和运用重要公式及定理、定义。试题要求有简答题、作图题及分析题，试题覆盖面要求广泛。直流调速部分约20分，交流调速部分约20分，其他占10分。 二、考试内容： （一）检测技术部分（50分） 1．检测技术基础 （1）检测基本概念、检测仪表一般构成 （2）测量误差 （3）检测仪表的性能指标 （4）掌握变送器的输入/输出信号变换关系、量程/零点调整方法和接线方式。2．压力测量 （1）压力的基本概念及不同表示方式 （2）就地指示式压力测量仪表：弹簧管压力表 （3）远传式压力测量仪表：应变电阻式、电容式、压电式 要求掌握应变电阻测量电路（单臂、半桥、全桥） （4）压力测量仪表的选择、校验和安装 3. 物位测量 （1）浮力式物位计 （2）静压式物位计（差压变送器的测量范围、零点迁移的确定与实现） （3）电容式物位计 （4）非接触式物位计：辐射式、超声、雷达 4. 流量测量 （1）流量的基本概念及不同表示方式 （2）速度式流量计：节流式、动压式、浮子式、电磁式、涡街、超声式 （3）容积式：椭圆齿轮、腰轮、刮板 （4）质量流量计：科里奥利式 （5）各种流量计的测量原理、特点和应用场合，流量计的选择与标定。 5. 温度测量 （1）温度的基本概念及不同表示方式 （2）就地指示式温度测量仪表：膨胀式温度计 （3）远传式温度测量仪表：热电阻、热电偶 掌握热电偶、热电阻的测温原理、特点，热电偶测温时的补偿导线、冷端温度补偿的作 精品文档 一、填空题： 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。 2、三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。三极管对外引出的电极分别是极、极和极。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） （）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。 （）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 三、选择题 1、单极型半导体器件是（）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 四、简述题 1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？ 2、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？ 精品文档《数字电子技术基础》课后习题答案
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