模拟电路计算题

模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号 源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电路填空题

模拟电路填空题集 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V ；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V 。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。二极管的伏安关系可近似表述为公式)1(/S D D -=T V v e I i ；ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。 4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。 6、PN 结反向偏置时，PN 结的内电场 增强 。PN 具有 具有单向导电 特性。 7、硅二极管导通后，管压降是恒定的，不随电流而变，典型值为0.7；其门坎电压V th 为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。 9、P 型半导体的多子为 空穴、N 型半导体的多子为 自由电子、本征半导体的载流子为 电子—空穴对 ，在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 掺杂浓度 ，少子的浓度受__温度___的影响很大。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴（P ） 半导体和 电子（N ） 半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V 。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 输出随频率连续变化的稳态响应 。 15、N 型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频的是 结 电容。 18、在NPN 三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ 增大 ，I CQ 增大 ，U CEQ 减小 。 19、三极管的三个工作区域是 截止 ， 饱和 ， 放大 。集成运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V ， V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是 硅管 管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a 、b 、c 中的 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB 和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB ，总的电压放大倍数为 10000 。 22、 三极管实现放大作用的外部条件是： 发射结正偏、集电结反偏 。某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V ，V b =-3.2V, V c =-3.9V, 这是 硅 管，NPN 型，集电极管脚是 a 。

模拟电路试题库

1.PN结反向电压时，其空间电荷区将，使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中，耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号，而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象，这是属于失真。

模拟电路典型例题讲解

3.3 频率响应典型习题详解 【3-1】已知某放大器的传递函数为 试画出相应的幅频特性与相频特性渐近波特图，并指出放大器的上限频率f H ，下限频率f L 及中频增益A I 各为多少？ 【解】本题用来熟悉：（1）由传递函数画波特图的方法；（2）由波特图确定放大器频响参数的方法。 由传递函数可知，该放大器有两个极点：p 1=－102rad/s ，p 2=－105rad/s 和一个零点z =0。 （1）将A (s )变换成以下标准形式： （2）将s =j ω代入上式得放大器的频率特性： 写出其幅频特性及相频特性表达式如下： 对A (ω)取对数得对数幅频特性： （3）在半对数坐标系中按20lg A (ω)及φ(ω)的关系作波特图，如题图3.1所示。

由题图3.1（a ）可得，放大器的中频增益A I =60dB ，上限频率f H =105/2π≈15.9kHz ， 下限频率f L =102/2π≈15.9Hz 。 【3-2】已知某放大器的频率特性表达式为 试问该放大器的中频增益、上限频率及增益带宽积各为多少？ 【解】本题用来熟悉：由放大器的频率特性表达式确定其频率参数的方法。 将给出的频率特性表达试变换成标准形式： 则 当ω = 0时，A (0) =200，即为放大器的直流增益（或低频增益）。 当ω =ωH 时， ωH =106rad/s 相应的上限频率为 由增益带宽积的定义可求得：GBW=│A (0)·f H │≈31.84MHz 思考：此题是否可用波特图求解？ 【3-3】已知某晶体管电流放大倍数β的频率特性波特图如题图3.2（a ）所示，试写出β的频率特性表达式，分别指出该管的ωβ、ωT 各为多少？并画出其相频特性的渐近波特图。

模拟电子技术考试试题大全及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电 压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电 阻为（），等效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用 （）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= （）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大 小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点， 所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息 的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）， 它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止

电子科技大学模拟电路简答题整理总汇 期末必备

1 画出BJT管输出特性曲线，简述各个区域的特点及偏置条件 截止区：ic几乎为0，电路不工作。发射结电压小于开启电压；集电结反偏； 放大区：ic=βib，ic几乎只与ib有关，与uCE无关，表现出ib对ic的控制作用。 发射结电压大于开启电压；集电结反偏。 饱和区：ic不仅与ib有关，还随uCE增大而明显增大，ic＜βib。 发射结和集电结正偏。 BJT输出特性曲线表现的是IB为常数时ic与管压降UCE的关系。 2为什么BJT称为双极性晶体管，而FET称为单极晶体管，他们各自是哪种控制型器件。BJT管工作时两种载流子都参与导电；FET管仅有多数载流子参与导电；BJT管是电流控制器件；FET管是电压控制器件。 3 BJT管输出电压产生截止失真（饱和失真）的原因是什么，如何减小。 产生失真的原因是静态工作点Q设置不合理或者外加信号过大。 输出电压产生截止失真的原因是Q点过低，负半周期时IB过小导致BJT管进入截止区；适当减小RB以增大IB即可； 输出电压产生饱和失真的原因是Q点过高，正半周期时IC饱和导致BJT管进入饱和区；适当增大RB以减小IB即可 Q点位置适中的时候如果外加输入信号过大，产生双向失真。通过输入端接分压电路或者适当增大直流偏置电压。 4 直流电源在放大电路的作用是什么 ①为晶体管正常工作提供偏置电压； ②为电路提供能源 5 为什么要稳定静态工作点，有哪些方法 静态工作点不但决定电路是否会产生失真，还会影响到电压放大倍数、输入电阻等动态参数。引入直流负反馈或者使用温度补偿（靠温度敏感器件直接对IB产生影响）。 6 BJT管稳定静态工作点电路引入了哪种反馈，简述稳Q过程。 见6 7 有哪些耦合方式，各有什么特点？ 直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。 直接耦合：可放大直流信号、低频特性好、利于集成；静态工作点相互影响，存在零点漂移现象。 阻容耦合：各级静态工作点相互独立；只能放大交流信号、低频特性差、耦合过程有损耗，不利于集成。 变压器耦合：同阻容耦合，可实现阻抗变换。 光电耦合：实现电气隔离，抑制电干扰。

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是 ；在P 型半导体中，多数载流子是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5

模拟电路 课后习题答案

第七章 习题与思考题 ◆◆ 习题 7-1 在图P7-1所示的放大电路中，已知R 1=R 2=R 5=R 7=R 8=10k Ω，R 6=R 9=R 10=20k Ω： ① 试问R 3和R 4分别应选用多大的电阻； ② 列出u o1、u o2和u o 的表达式； ③ 设u I1=3V ，u I2=1V ，则输出电压u o ＝？ 解： ① Ω=Ω==k k R R R 5)10//10(//213，Ω≈Ω==k k R R R 67.6)20//10(//654 ② 1111211010I I I o u u u R R u -=-=- =，2226525.1)2010 1()1(I I I o u u u R R u =+=+=， 2121217932)5.1(10 20 )(I I I I o o o u u u u u u R R u +=---=-- = ③ V V u u u I I o 9)1332(3221=?+?=+= 本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理，估算三种比例电路的输入输 出关系。 ◆◆ 习题 7-2 在图P7-2所示电路中，写出其 输出电压u O 的表达式。 解： I I I I o u R R u R R u R R u R R u ])1[()()1(4 5124 512 ++=--+ = 本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例 电路的输入、输出关系。

◆◆ 习题 7-3 试证明图P7-3中，)(1122 1 I I o u u R R u -= ）＋（ 解： 11 2 1)1(I o u R R u + = ) )(1()1()1()1()1()1(122 122112122111221221121I I I I I I I o o u u R R u R R u R R u R R u R R R R u R R u R R u -+=+++-=+++-=++- = 本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例电路的输入、输出关系。 ◆◆ 习题 7-4 在图P7-4所示电路中，列出u O 的表达式。 解： 反馈组态应为深度电压串联负反馈，因此有uu uf F A &&1= I o R R I o uf uu u R R u u R R u R R R R R A R R R F )1()1(11 7373737373313+=???→?+=?+=+=?+==若&&

模拟电子技术复习题(填空选择)

填空题 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。 31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位差为1800；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为0。 、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。 39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。 41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷 2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F 时会损坏。( × ) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) =，试写出各电路的输出电压Uo 值。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U ＝(6—V＝ V。 (b)令二极管断开，可得U P ＝6 V、U N ＝10 V，U P Up—U N2 ，故V 1 优先导通 后，V 2截止，所以输出电压U ＝ V。 2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出 u i 、u 、i D 的波形。 解：输入电压u i 为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u ＝0，

模拟电子电路例题负反馈放大电路例题

模拟电子电路例题_负反馈放大电路例题: 1. 1.电流并联负反馈可稳定放大器的输出____,这种负反馈放大器的输入电阻____，输出电阻____。 答案：电流，低，高 2.要求多级放大器输入电阻低，输出电阻也低，应该在多级放大器间引入____负反馈。 答案：电压并联 3.要求多级放大器输入电阻高，输出电压稳定，应该在多级放大器中引入____负反馈。 答案：电压串联 4.直流负反馈只能影响放大器的____，交流负反馈只影响放大器的交流____。 答案：静态工作点，性能 5.将放大电路的____的一部分或全部通过某种方式反送到____称作反馈。 答案：输出信号，输入端 6.负反馈使放大电路____降低，但使____得以提高，改善了输出波形的____,展宽了放大电路的____。 答案：放大倍数，闭环放大倍数的稳定性，非线性失真，通频带 7.串联负反馈使输入电阻____，而并联负反馈使输入电阻____。 答案：提高，降低 8.电压负反馈使输出电阻____，而电流负反馈使输出电阻____。 答案：降低，提高 9.反馈深度用____来表示，它体现了反馈量的大小。

答案： 2. 电路如图示，试分别说明 （1）为了使从引到T2基极的反馈为负反馈，图中运放的正反馈应如何标示。 （2）接成负反馈情况下，若,欲使，则R F= (3）在上述情况下，若运放A的A vo或电路中的RC值变化5％，问值也变化5％吗 解：（1）电路按瞬时极性法可判断，若A上端标示为（＋）极时为电压串联负反馈，否则为正反馈。可见上（＋）下（－）标示才正确。

（2）若为电压串联负反馈，因为，则 成立。由，可得 （３）由于只决定于R F和R b2两个电阻的值，因而基本不变，所以值不会改变。 3. 下列电路中，判别哪些电路是负反馈放大电路属于何种负反馈类型那些属于直流反馈，起何作用

模拟电路模拟试题库与答案

第 页 共 页 1 《模拟电路》课程试题 一、电路如图1所示,已知u i =3sin ωt,二极管导通压降U D =0.6V,画出u i 对应的u O 波形.(u i 波形自绘,简要写明解题过程)(8分). + _+_u i u O D 1D 22V 2V 图1 R 二、用万用表电压档测电路中三极管各电极对地电位如图2所示,判断三极管处于哪种工作情况.说明原因.(9分) +4V 0V +12V ?6V +4V +3.5V ?6V ?18V ?12V ?12.3V 图2Re (a)(b) (c) 三、电路如图3所示，T 1～T 5的电流放大系数分别为β1～β5，b-e 间动态电阻分别为r b e 1～r b e 5，解答下列问题(15分). 1.画出电路的交流通路. 2.简述图中虚线所示电路名称与作用. 3.写出u A 、R i 和R o 的表达式。

第 页 共 页 2 四、电路如图4所示,解答下列问题(18分) 1.合理接上信号源与反馈电阻R f ,并使电路输入电阻增大, 输出电阻减小. 2.若R f =190K Ω,计算合理连线后电路的增益A u . 3.简述D 1,D 2在电路中的作用.如果V CC =12V,R L =8Ω,T 1,T 2 管子饱和压降可以忽略不计,估算负载RL 所能获得的最大功率P Lmax =? 五、如图5为一运算放大器应用电路A 1、A 2、A 3为理想运放。电路参数如图。1.写出v o1~v i 之间函数关系式和v o ~v o2之间函数关系式。2.图中v i (t)波形已图6中试在坐标平面中画出与v i (t)所对应v o2 与v o 信号波形。(20分)

模拟电路填空题及答案

1在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_ V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性°PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽 层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极 管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号 下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7 伏；其门坎电压V th约为0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子一空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N ）半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映 反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输岀随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的B增加，则I BQ增

《模拟电子技术》模拟试题与答案解析

《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断（10分） 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（） 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（） 3、PN结具有单向导电特性。（） 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（） 5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（） 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。（） 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。（） 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。（） 二、选择（10分） 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下，可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通，反偏截止 B、正偏截止，反偏导通 C、正偏导通，反偏导通 D、正偏截止，反偏截止 4、既能放大电压，也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大，表明电路（）。 A、放大倍数越稳定； B、交流放大倍数越大； C、抑制温漂能力越强； D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中，已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形，设二极管为理想二极管。（每题10分，共20分）

模拟电路填空题期末复习题

1．双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。 4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是。 6、晶体管工作在放大状态的外部条件是。 7、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V,集电极电位为 5V,则该管是型的晶体管,工作在状态. 9、多级放大电路的耦合方式有、、。 10、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的_______失真，而采用_______类互 补功率放大器。 13、OCL电路是_______电源互补功率放大电路； OTL电路是_______电源互补功率放大电路。 15、差分放大电路能够抑制_______漂移，也称_______漂移，所以它广泛应用于 _______电路中。 16、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有_______导电性。 19、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外 加电压_______。 20、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与_______有关，而与 外加电压无关。 21、漂移电流是温度电流，它由_______载流子形成，其大小与温度有关，而与 外加电压无关。 26、空穴为_______载流子。自由电子为少数载流子的杂质半导体称为P型半导 体。 27、空穴为多数载流子。自由电子为_______载流子的杂质半导体称为P型半导 体。 28、稳压二极管工作在稳压状态, 其稳定电流IZ要_______IZmin并且要小于 IZmax。 29、稳压二极管工作在稳压状态, 其稳定电流IZ要大于IZmin并且要 _______IZmax。 30、基本晶体管放大电路输出特性曲线可以分为截止区、饱和区和_______。 33、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用直流负反馈。为稳定交流输出

大学《模拟电子》试题库及答案

单选题 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用： 收藏 A. 共基极放大电路 B. 共射放大电路 C. 共集电极放大电路 回答错误!正确答案： B OCL互补对称功率放大电路，若电源电压为12V，则功放管的UCEO要： 收藏 A. 大于24V B. 等于24V C. 小于12V 回答错误!正确答案： A 即可以放大交流信号，也可以放大直流信号的放大电路，采用的耦合方式是：收藏 A. 直接耦合 B. 阻容耦合 C. 变压器耦合 回答错误!正确答案： A 理想情况下，差动放大电路双端输出时的共模电压放大倍数为： 收藏 A. 无穷大 B. C. 不知道 回答错误!正确答案： B “虚断”的概念源于运放的： 收藏 A.

差模输入电阻趋于无穷大 B. 输出电阻为0 C. 开环差模电压放大倍数Aud为无穷大 回答错误!正确答案： A 当负载发生变化时，欲使输出电流稳定，且提高输入电阻，放大电路应引入：收藏 A. 电流串联负反馈 B. 电流并联负反馈 C. 电压串联负反馈 D. 电压并联负反馈 回答错误!正确答案： A 正弦振荡电路的选频网络若由石英晶体构成，则称为： 收藏 A. 石英晶体振荡器 B. 电容三点式振荡器 C. RC振荡器 回答错误!正确答案： A 乙类功率放大的静态管耗为： 收藏 A. 无法计算 B. 1W C. 零 回答错误!正确答案： C 正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的： 收藏 A. 直流负反馈放大电路 B.

交流负反馈放大电路 C. 交流正反馈放大电路 D. 直流正反馈放大电路 回答错误!正确答案： C 低通滤波电路是： 收藏 A. 允许所有频率信号通过 B. 允许高频信号通过，将低频信号衰减 C. 允许低频信号通过，将高频信号衰减 回答错误!正确答案： C 允许某一频带范围内的信号通过，而将此频带之外的信号衰减的电路称为：收藏 A. 低通滤波器 B. 带阻滤波器 C. 带通滤波器 回答错误!正确答案： C 整流电路采用的是具有单向导电性能的整流元件： 收藏 A. 三极管 B. 二极管 C. 电容 回答错误!正确答案： B 积分电路可以用于波形变换，若输入为方波信号，则可得输出信号为： 收藏 A. 三角波 B. 正弦波 C.

模拟电子技术复习试题答案

模拟电子技术复习试题答 案 Final approval draft on November 22, 2020

《模拟电子期末练习题》 填空题： 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无 关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无 穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、（共集电极）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流） 负反馈。 9、负反馈放大电路的放大倍数A F=（A/（1+AF）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F）。 10、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极 性相反的两个信号，称为（差模）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。 13、反向电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 14、共集电极电路电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级， 输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、晶体三极管具有放大作用时，发射结（正偏），集电结（反偏）。 17、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（直流）负反馈，为了减小输出电阻采用（电压）负反 馈。 18、共模信号是大小（相等），极性（相同）的两个信号。 19、乙类互补功放存在（交越）失真，可以利用（甲乙）类互补功放来克服。 20、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（正反馈）网络。 21、杂质半导体有（N）型和（P）型之分。 22、PN结最重要的特性是（单向导电性），它是一切半导体器件的基础。 23、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了（反向）电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结 加的是（正向）电压。 24、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是（为发射结提供正向偏置，同时提供一个静态基极电流I B）。 ——调节基极偏流I B 25、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位（相同），有奇数级组成的多级放 大电路中，输入和输出电压的相位（相反）。 26、电压负反馈稳定的输出量是（电压），使输出电阻（减小），电流负反馈稳定的输出量是（电 流）， 使输出电阻（增大）。 27、稳压二极管是利用二极管的（反向击穿）特性工作的。 28、甲类功放的最大缺点是（效率较低）； 29、多级放大电路的耦合方式有（直接耦合）、（阻容耦合）、（变压器耦合）。 30、如果想要改善电路的性能，使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小，应该在电路中引入（电 压串联负）反馈。 31、有源滤波器的功能是（用于小信号处理），按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、（带通滤 波）、

模拟电路部分习题答案

模拟电路部分习题答案 第二章晶体二极管及应用电路 2-1．填空 （1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。 （3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。 （4）晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。在放大电路中，晶体管通常工作在放大区区。 （5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该反偏。（正偏、反偏）2-2．判断下列说法正确与否。 （1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（） （2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（） （3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。（） （4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（） （5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（） （6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） （8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。（） 答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。 （2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。 （3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。 （4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 （5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。 （6）对； N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。 （7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。 （8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。 2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？ 答：可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻，正向时电阻很小，反向时电阻很大。 2-4．二极管电路如题2-4图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止？输出电压为多少？