集成电路生产应用超纯水设备的分析

电子产品生产中纯水系统应根据原水水质和产品生产工艺

对水质的要求，结合系统规模、材料及设备供应等情况，通过技术经济比较来选择。纯水系统的原水水质因各地区、城市的水源不同相差很大，有的城市以河水为水源，即使是河水，其河水的源头和沿途流经地区的地质、地貌不同，水质也是不同的;有的城市以井水为水源，井的深度不同、地域不同、地质构造不同均会千差万别;现在不少城市的水源包括河水、湖水、井水等，有的城市各个区、段供水水质也不相同。所以超纯水设备的选择，根据原水水质的不同，差异很大，是否选择原水预处理，预处理设备的种类、规模都与原水水质有关。因此电子工厂洁净厂房的纯水系统的选择应根据原水水质和电子产品生产工艺对水质的

要求，结合纯水系统的产水量以及当时、当地的纯水设备、材料供应等情况，综合进行技术经济比较确定。

在超大规模集成电路的超纯水水质中，优先关注的水质指标为：电阻率、微粒、TOC(总有机硅)、硅、碱金属、碱土金属、重金属、溶解氧等。

水溶液之所以导电，是因为水中各种溶解盐都是以离子态存在的，在集成电路芯片制造过程中，与硅片接触的水所含离子越多，对产品良率影响就越大。电阻率反映了超纯水中离子的含量，

超纯水的电阻率越高，其纯度也就越高。一般来讲，在25℃时，理论纯水的电阻率是18.25MΩ·cm。

微粒数也是衡量超纯水纯度的指标。在集成电路光刻工序的清洗用水中如果含有不纯物质或微粒，将导致栅氧化膜厚度不均，产品图形发生缺陷，耐压性能变坏，一般以图形尺寸的1/10为

粒径的评价对象。超纯水中的微量有机物会影响栅氧化膜的绝缘耐压性能，碱金属、碱土金属、重金属则使产品结晶不良，栅氧化膜的绝缘耐压性能变坏，而超纯水中的溶解氧将促使硅片表面的氧化膜提前自然形成，有报道称甚至溶在水中的氮气也对清洗效果带来影响。在超纯水中，细菌的影响与TOC、微粒基本相同，主要是因为在系统里的繁殖使它成为有机物和微粒的发源地。

典型超纯水工艺流程设计方案

典型超纯水工艺流程设计方案集团标准化小组：[VVOPPT-JOPP28-JPPTL98-LOPPNN]

1纯化水工艺设计方案：（产水水质标准达到的标准：中国药典2005版纯化水标准）自来水→预处理→一级反渗透→一级EDI→UV杀菌→超滤除热原设备→用水自来水→预处理→一级反渗透→二级EDI→UV杀菌→超滤除热原设备→用水 2注射用水工艺设计方案：（产水水质标准达到的标准：中国药典2005版注射用水标准）自来水→预处理→一级反渗透→一级EDI→微滤→多效蒸馏除热原设备→用水自来水→预处理→一级反渗透→二级EDI→微滤→超滤除热源设备→用水 3电厂高压锅炉给水工艺设计方案（产水水质标准达到的标准：工业锅炉水质GB1576-2001）自来水→预处理→一级反渗透→脱气装置→二级EDI→微滤→用水自来水→预处理→一级反渗透→脱气装置→PH调节→二级反渗透→一级EDI→微滤→用水 4微电子/半导体级超纯水工艺设计方案（产水水质标准达到的标准：中国电子工业部高纯水水质试行标准）自来水→预处理→一级反渗透→脱气装置→二级EDI→UV杀菌装置→超滤→用水自来水→预处理→一级反渗透→脱气装置→PH调节→二级反渗透→一级EDI→抛光混床→UV杀菌装置→超滤→用水 5实验室用分析级纯水工艺设计方案（产水水质标准达到的标准：分析级实验室用水标准 GB6682-2000）自来水→预处理→一级反渗透→二级EDI→UV杀菌装置→超滤→用水自来水→预处理→二级反渗透→一级EDI→UV杀菌装置→超滤→用水进水电导率在400～1000μs/cm的含EDI设备的典型超纯水工艺流程设计方案 1纯化水工艺设计方案：（产水水质标准达到的标准：中国药典2005版纯化水标准）自来水→预处理→一级反渗透→二级EDI→UV杀菌→微滤→用水自来水→预处理→一级反渗透→脱气装置→PH调节→二级反渗透→一级EDI→UV杀菌→微滤→用水 2注射用水工艺设计方案：（产水水质标准达到的标准：中国药典2005版注射用水标准）自来水→预处理→二级反渗透→一级EDI→多效蒸馏除热源设备→用水自来水→预处理→一级反渗透→二级EDI→UV杀菌装置→超滤除热源设备→用水 3电厂高压锅炉给水工艺设计方案（产水水质标准达到的标准：工业锅炉水质GB1576-2001）自来水→预处理→一级反渗透→脱气装置→PH调节→二级反渗透→一级EDI→混床→微滤→用水自来水→预处理→一级反渗透→脱气装置→二级EDI→微滤→用水 4微电子/半导体级超纯水工艺设计方案（产水水质标准达到的标准：中国电子工业部高纯水水质试行标准）自来水→预处理→一级反渗透→脱气装置→二级EDI→抛光混床→UV杀菌装置→超滤→用水

中国集成电路行业研究报告

中国集成电路产业研究报告一、产业现状根据魏少军教授在早前于珠海举办的ICCAD 2018公布的数据显示，从事集成电路设计的1698家中国企业中，有783家是从事消费类产品的研发的;然后有307家是从事通信相关的;模拟相关的则有210家。但从营收上看，拥有最多集成电路设计公司的消费类芯片领域，却只贡献了整体营收的23.95%，远远落后于以智能手机为代表的通信领域的营的1046.75亿元。再看模拟和功率方面，这两个领域加的公司总数量其实是超过通信芯片公司的，但是营收却仅仅为通信芯片的21%。再看计算机芯片方面，虽然这个领域公司贡献的营收同比暴增了180.18%，但是营收与通信芯片领域相去甚远。二、产业链集成电路作为半导体产业的核心，市场份额达83%，由于其技术复杂性，产业结构高度专业化。随着产业规模的迅速扩张，产业竞争加剧，分工模式进一步细化。目前市场产业链为IC设计、IC制造和IC封装测试。在核心环节中，IC设计处于产业链上游，IC制造为中游环节，IC封装为下游环节。全球集成电路产业的产业转移，由封装测试环节转移到制造环节，产业链里的每个环节由此而分工明确。由原来的IDM为主逐渐转变为Fabless+Foundry+OSAT。（一）IC设计企业： 1、 EDA设计：三星、英特尔、SK海力士、美光、博通、高通、东芝、德州仪器、英伟达、西部数据； 2、 IP设计：华为海思、展讯、RDA、华大半导体、大唐电信、国民技

术、汇顶科技、中星微电子、北京君正；（二）IC制造企业台积电、美国格罗方德、台湾联华电子、韩国三星、上海中芯国际、力晶科技、TOWER JAZZ、台湾Vanguard、华虹宏力；（三）IC封测 1、封装企业，台湾日月光、美国安靠、江苏长电科技、台湾力成科技、甘肃天水华天、江苏南通通、富微电子、京元电子、联测 2、测试企业：台湾颀邦科技、富士通微电子、韩国Nepes、马来西亚Unisem、苏州晶方半导体科技、深圳气派科技、无锡华润安盛、广东风华芯电三、产业规模据中国半导体行业协会（CSI A）公布数据，2018年中国集成电路产业销售收入达6532亿元，同比增长20.7%，增速较2017年回落4.1个百分点，属较快的增长。 2014-2018年中国集成电路产值（亿元）四、竞争格局中国集成电路芯片设计企业的营收分布(按照产品领域划分)

超纯水机标准操作规程

陕西百盛园生物科技信息有限公司文件标题超纯水机标准管理制度页数 4 文件编码BSY-SB-BG-020 分发部门颁发部门起草人日期审核人日期批准人日期执行日期变更记载修订号批准日期执行日期更变原因及目的 1.目的建立一个超纯水机的使用维护保养程序。 2.范围适用于超纯水机。 3.责任人操作人员、设备管理员及生产负责人。 4.内容 4.1 适应范围：采用半透体螺旋式膜分离去除水中的可溶性固体、有机物、胶体物质及细菌，使用于满足于工艺用水要求的场所。 4.2 技术要求：水温4°C—45°C pH范围4—9 硬度 17mg/L（以CaCO3计）浊度 SDI<5 总溶解性固体含量 TDS<1000mg/L 且原水必须符合以下要求：

铁：<0.1mg/L 有机物：<1mg/L 4.3 防护措施 4.3.1 搬运时，必须切断电源，开启移动滑轮锁。 4.3.2 搬运时必须缓慢移动，严禁倾斜倒置。 4.3.3 如有必要，须在四周粘贴泡沫板，以防划伤。 4.3.4 新安置地点必须坚实。 4.4 操作规程 4.4.1 首先打开原水供水水源阀门，若有加压泵，则启动加压泵。 4.4.2设备若是第一次开机运行，则应打开保安过滤器前的排污口，肉眼观察原水干净后，关闭排污口，使原水进入保安过滤器。 4.4.3打开浓水调节阀，将泵后节流阀调整到适中状态，装有清洗口和清洗阀的设备，应先检查各阀是否按规定处于开或闭状态。 4.4.4 待精密过滤器滤后压力表上升0.05MPa，启动主机电源开关。 4.4.5设备会按照逆渗透系统主机动作原理开始工作。 4.4.6 主机运转后，逐渐开启泵后节流阀，调整浓水调节阀，使纯水和浓水比例达到额定指标，而后再调整泵后节水阀，使纯水产水量达到额定指标，浓水调节阀和泵后节流阀配合使用调整，满足以下条件： 4.4.6.1 系统压力不应超过额定值，低压不应超过 1.55MPa，超低压不应超过1.05MPa。 4.4.6.2 回收率不应大于（逆渗透系统技术指标和运行参数）中规定的范围。4.4.6.3产水量按原水水温计算后应达到计算值，在操作过程中应注意，泵后调节阀的作用是调整高压泵供给给RO系统的进水压力和流量，它的关闭和开启会影响RO系统压力和产水量及浓水排放量。浓水调节阀的作用是调整RO系统的压力，从而达到调整纯水和浓水的比例。调整产水量，系统的压力越高，产水量越大（在规定范围内调整）。 4.4.7 本设备具有原水低压保护功能，当原水供水不足，压力下降到一定值时，压力开关会自动关闭RO系统，达到保护高压泵的目的，当压力水恢复时，设备自动恢复工作。设备自动停机或恢复启动后，操作者应及时调整设备运行参数。

超纯水设备制水工艺及详细技术方案

超纯水设备制水工艺及详细技术方案超纯水设备适用范围：本系统适用于树胶业清洗和生产用纯水。工程类别：水处理系统销售、安装、服务。系统总进水量：5m3/hr 系统产水量：2m3/hr@25℃ 系统回收率：55～70% 产水水质：电导率≤0.2μs/cm@25℃ 运行方式：自动运行(并具备手动操作功能)。原水水源：自来水原水设计温度：25℃ 制水工艺：RO反渗透+EDI连续电除盐〔或IX树脂离子交换〕主要配置：预处理系统：原水箱、原水箱液位控制器、原水进水电磁阀、原水泵、PAM计量泵、多介质过滤器、活性炭过滤器、阻垢剂计量泵、管路、阀门。

RO反渗透系统：高压泵、反渗透膜、反渗透膜壳、膜架、控制系统、进水电磁阀、冲洗电磁阀、调压阀、高压开关、低压开关、精密过滤器。储存系统：液位控制器、中间水箱。 EDI系统：〔工艺1)给水泵、模块、电源、流量计、压力表、电磁阀、在线电导仪、在线电阻仪、自动控制系统、机架。 IX系统：〔工艺2〕给水泵、再生泵、树脂容器、离子交换树脂、管路、阀门、机架。工艺简介：反渗透技术是一种高效率、低能耗能、无污染的先进技术，主要应用于纯水制备与海水淡化。反渗透技术是利用压力差为动力的膜分离过滤技术，通过压力差将H2O与源水中的无机盐、重金属离子、有机物、胶体、细菌、病毒等杂质严格分离。 EDI是一种电渗析技术和离子交换技术相融合的先进技术，系统能够通过电磁场通过阴、阳离子交换膜对阴、阳离子的选择性透过作用与离子交换树脂对离子的交换作用，在直流电场的作用下实现离子的定向迁移，从而完成水的深度除盐，系统能够完成树脂连续不断的自动再生，无需停机使用酸碱再生树脂，从而能连续制取高品质纯水。

超纯水机操作规程

Master-S15UV型超纯水机操作规程一、使用指南 1.1 开机准备打开自来水进水阀门，插上电源插头，按下电源开关和工作模式开关的“一”档，机器即开始工作，等待仪器自检冲洗完毕，开始取水。 1.2 取水如需用RO水或UP超纯水，按下控制面板上的“RO”、“UP”取水键即可打开出水开关，取水完毕，再次按下“RO”、“UP”取水键即可关闭出水。 1.3 待机开机状态下，如不用取水，机器制造的RO水输送至压力水桶，直至水桶水满，系统停机进入待机状态。此状态下按下任何一个取水键，机器会自动重新启动制造纯水。 1.4 预准备模式如第二日一早需要大量纯水，可在下班前保持电源和水源开启，把工作模式开关的“二”档，仪器屏幕不亮但仪器会自动制造纯水往压力水桶里送，直至水桶水满，则仪器进入待机状态。 1.5 关机关闭电源开关，关闭进水阀门。

二、超纯水保持最佳水质的方法 2.1超纯水取水后很容易遭到环境污染，所以使用前取水即取即用方式吋最合适的。只有把超纯水与环境接触时间缩到极短，才能够获得纯度极高的超纯水。2.2在配置高纯度的化学试剂时，尽量不要使用长时间储存桶中存放的超纯水，因为储存桶经过长时间使用后，会因杂质、微生物的污染而造成水质的劣化，像这种水，在使用时已经不再是超纯水。 2.3纯水储存桶最好安装空气过滤器．防止环境因素造成的污染。 2.4储水桶请勿放置在日光直射处，水温上升，容易造成微生物繁殖。特别是半透明储水桶，也会因为日光通透而造成藻类繁殖。 2.5超纯水取水吋一定要将初期的出水放掉：以获得稳定的水质。 2.6取水时让超纯水顺着容器侧壁流入．尽量不要让气泡产生．可降低空气污染。 2.7请不要在终端滤器后再连接软管，使用直接取水的方式才能获得纯度高的超纯水。 2.8长吋间不用纯水吋，应将压力水桶中的RO水全部放掉以防止污染。 2.9超纯水机若长时间不使用，再次使用时应把初期纯水充分放掉以确保水质。三、仪器的维护保养与注意事项 3.1 仪器保养：注意及时更换滤芯确保长期稳定的纯净水质，按使用时间定期更换滤芯，5微米PP深层滤芯约2-6个月更换，精密活性炭滤芯约6个月，KDF

电子行业超纯水设备系统设计方案

工业电子超纯水设备设计方案 1.电子工业超纯水概述半导体、集成电路芯片及封装、液晶显示、高精度线路板、光电器件、各种电子器件、微电子工业、大规模、超大规模集成电路需用大量的纯水、高纯水、超纯水清洗半成品、成品。集成电路的集成度越高，线宽越窄，对水质的要求也越高。目前我国电子工业部把电子级水质技术分为五个行业等级，分别为 18Mù.cm、15Mù.cm、10Mù.cm、2Mù.cm、0.5Mù.cm，以区分不同水质。 2.电子工业超纯水设备特点电子工业超纯水设备通常由多介质过滤器，活性碳过滤器，钠离子软化器、精密过滤器等构成预处理系统、RO 反渗透主机系统、离子交换混床(EDI 电除盐系统)系统等构成主要设备系统。原水箱、中间水箱、RO 纯水水箱、超纯水水箱均设有液位控制系统、高低压水泵均设有高低压压力保护装置、在线水质检测控制仪表、电气采用PLC 可编程控制器，真正做到了无人值守，同时在工艺选材上采用推荐和客户要求相统一的方法，使该设备与其它同类产品相比较，具有更高的性价比和设备可靠性。 3.电子工业超纯水的应用领域 1、半导体材料、器件、印刷电路板和集成电路成品、半成品用超纯水; 2、超纯材料和超纯化学试剂勾兑用超纯水; 3、实验室和中试车间用超纯水; 4、汽车、家电表面抛光处理; 5、光电子产品; 6、其他高科技精微产品; 工业电子超纯水设备工艺流程说明：

1、第一级预处理系统：采用石英砂多介质过滤器，主要目的是去除源水中含有的泥沙、铁锈、胶体物质、悬浮物等颗粒在20 m以上对人体有害的物质，系统可以自动(手动)进行反冲洗，正冲洗等一系列操作。 2、第二级预处理系统：采用果壳活性碳过滤器，目的是为了去除水中的色素、异味、生化有机物、降低水的余氯值及农药污染和其他对人体有害的污染物。系统可以自动(手动)进行反冲洗，正冲洗等一系列操作。 3、第三级预处理系统：采用阳树脂对水进行软化，主要是降低水的硬度，去除水中的钙、镁离子(形成水垢的主要成分)，可有效延长反渗透膜的使用寿命，并可进行智能化树脂再生。 4、第四级预处理系统：采用5um 孔径精密过滤器，使水得到进一步的净化，使水的浊度和色度达到优化。保证RO 系统进水条件要求，保证设备的产水质量，延长设备的使用寿命。 5、反渗透(超滤)设备主机：采用反渗透(超滤)技术进行深度脱盐处理(进口美国反渗透膜)去除钙、镁、铅、汞等对人体有害的重金属物质及其他杂质，降低水的硬度，脱盐率达99%以上，生产出符合国家标准的纯净水。 6、微过滤装置：安装该装置主要是为防止微粒树脂颗粒从布水中滤出，造成二次水质污染，这主要是运用在对水质特别高的场合。杀菌系统：采用臭氧发生器(或紫外线杀菌器)，减少细菌二次污染，灭菌率可达99%以上，同时臭氧溶于水形成富氧水，保证水的纯鲜。采用水气混合器使臭氧充分与水混合，达到最佳浓度比。

超纯水系统操作说明书

水处理设备（超纯水系统）操作说明书

目录一、超纯水设备工艺流程图： (2) 二、工艺流程说明： (2) 1.原水箱 (2) 2.原水泵 (2) 3.多介质过滤器 (3) 4.活性碳过滤器 (3) 5.阻垢剂加药系统 (3) 6.软化器 (4) 7.精密保安过滤器 (4) 8.高压泵 (4) 9.两级反渗透RO机 (5) 10、二级纯水箱 (12) 11、EDI输送泵 (12) 12、前置紫外杀菌器 (13) 13、0.22μ微滤系统 (13) 14、EDI装置 (13) 15、EDI超纯水箱 (17) 16、输送泵 (17) 17、核级树脂 (17) 18、后置紫外线杀菌器 (18) 19、终端0.22μ微滤系统 (19) 三、设备操作指南： (19)

四、设备维护与保养：（以原水水质与纯水水质而定） (19) 附表1：水处理设备运行记录表 (21) 附表2：水处理设备维修保养记录表 (22) 附录3：售后服务承诺 (23) 一、超纯水设备工艺流程图：二、工艺流程说明： 1.原水箱原水箱作为储水装置，调节系统进水量与原水泵抽送量之间的不平衡，避免原水泵启停过于频繁，箱内设置液位，原水进水阀根据液位高低进行自动补水，原水泵根据水池液位情况自动启停。操作：原水箱顶部设置手动及自动电动进水阀，可进行手动及自动补水；手动补水时不受液位控制，只能手动控制。自动补水阀补水时受液位控制，

当水箱液位降到设定中液位时，自动阀开启自动补水；当水箱液位达到设定高液位时，自动阀关闭停止补水，从而达到自动的性能。 2.原水泵作用：原水泵将原水增压后输送到下道工序，保证多介质过滤器、活性炭过滤的操作压力及运行流量。操作：原水泵可分手动和自动操作，自动运行时，原水泵将与原水箱液位联动，原水箱液位低时原水泵停止运行，中水位时重新启动；手动操作时除原水箱液位液位不与原水泵连锁外，其他和自动一样；其他有关说明及注意事项详见水泵说明书。 3.多介质过滤器作用：在水质预处理系统中，多介质过滤器压力容器内不同粒径的石英砂按一定级配装填，经絮凝的原水在一定压力下自上而下通过滤料层，从而使水中的悬浮物得以截留去除，多介质过滤器能够有效去除原水中悬浮物、细小颗粒、全价铁及胶体、菌藻类和有机物。其出水SDI15（污染指数）小于等于5，完全能够满足反渗透装置的进水要求。操作：多介质过滤器的反洗操作采用自动控制器，过滤器应定期清洗。冲洗周期一般为5～7个工作日，具体将根据进水浊度而定。 4.活性碳过滤器功能：在水质预处理系统中，活性炭过滤器能够吸附前级过滤中无法去除的余氯以防止后级反渗透膜受其氧化降解，同时还吸附从前级泄漏过来的小分

集成电路制造工艺原理

集成电路制造工艺原理课程总体介绍： 1．课程性质及开课时间：本课程为电子科学与技术专业（微电子技术方向和光电子技术方向）的专业选修课。本课程是半导体集成电路、晶体管原理与设计和光集成电路等课程的前修课程。本课程开课时间暂定在第五学期。 2．参考教材：《半导体器件工艺原理》国防工业出版社华中工学院、西北电讯工程学院合编《半导体器件工艺原理》（上、下册）国防工业出版社成都电讯工程学院编著《半导体器件工艺原理》上海科技出版社《半导体器件制造工艺》上海科技出版社《集成电路制造技术-原理与实践》电子工业出版社《超大规模集成电路技术基础》电子工业出版社《超大规模集成电路工艺原理-硅和砷化镓》电子工业出版社 3．目前实际教学学时数：课内课时54学时 4．教学内容简介：本课程主要介绍了以硅外延平面工艺为基础的，与微电子技术相关的器件（硅器件）、集成电路（硅集成电路）的制造工艺原理和技术；介绍了与光电子技术相关的器件（发光器件和激光器件）、集成电路（光集成电路）的制造工艺原理，主要介绍了最典型的化合物半导体砷化镓材料以及与光器件和光集成电路制造相关的工艺原理和技术。 5．教学课时安排：(按54学时) 课程介绍及绪论2学时第一章衬底材料及衬底制备6学时第二章外延工艺8学时第三章氧化工艺7学时第四章掺杂工艺12学时第五章光刻工艺3学时第六章制版工艺3学时第七章隔离工艺3

学时第八章表面钝化工艺5学时第九章表面内电极与互连3学时第十章器件组装2学时课程教案: 课程介绍及序论（2学时）内容：课程介绍： 1 教学内容 1.1与微电子技术相关的器件、集成电路的制造工艺原理 1.2 与光电子技术相关的器件、集成电路的制造 1.3 参考教材 2教学课时安排 3学习要求序论：课程内容： 1半导体技术概况 1.1 半导体器件制造技术 1.1.1 半导体器件制造的工艺设计 1.1.2 工艺制造 1.1.3 工艺分析 1.1.4 质量控制 1.2 半导体器件制造的关键问题 1.2.1 工艺改革和新工艺的应用 1.2.2 环境条件改革和工艺条件优化 1.2.3 注重情报和产品结构的及时调整 1.2.4 工业化生产 2典型硅外延平面器件管芯制造工艺流程及讨论 2.1 常规npn外延平面管管芯制造工艺流程 2.2 典型pn隔离集成电路管芯制造工艺流程 2.3 两工艺流程的讨论 2.3.1 有关说明 2.3.2 两工艺流程的区别及原因课程重点：介绍了与电子科学与技术中的两个专业方向（微电子技术方向和光电子技术方向）相关的制造业，指明该制造业是社会的基础工业、是现代化的基础工业，是国家远景规划中置于首位发展的工业。介绍了与微电子技术方向相关的分离器件（硅器件）、集成电路（硅集成电路）的制造工艺原理的内容，指明微电子技术从某种意义上是指大规模集成电路和超大规模集成电路的制造技术。由于集成电路的制造技术是由分离器件的制造技术发展起来的，则从制造工艺上看，两种工艺流程中绝大多数制造工艺是相通

集成电路行业分析

集成电路行业分析集成电路产业的技术水平和产业规模已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。行业概述：从1958年第一块集成电路发明开始，至今近60年的发展历程中，全球IC 产业经历了起源壮大于美国，发展于日本，加速于韩国以及我国台湾地区的过程，目前整个产业又有向中国大陆地区转移的迹象。狭义集成电路行业产业链包括芯片设计、制造、封装和测试等环节，各个环节目前已分别发展成为独立、成熟的子行业。按照芯片产品的形成过程，集成电路设计行业是集成电路行业的上游。集成电路设计企业设计的产品方案，通过代工方式由晶圆代工厂商和封装测试厂商完成芯片的制造和封装测试，然后将芯片产成品作为元器件销售给电子设备制造厂商。芯片加工处于芯片产业的中游，封装测试属于芯片行业的体力活。广义的集成电路行业产业链包括集成电路制造设备（北方华创）、加工时用的特种材料（如强力新材：专业生产晶圆生产过程用的光刻胶引发剂），以及制造本身要用的材料（如：宁波江丰电子材料股份有限公司（非上市公司）专门从事超大规模集成电路芯片制造用超高纯金属材料及溅射靶材的研发生产，南大光电主要从事光电新材料MO源的研发、生产和销售，是全球主要的MO源生产商。MO 源即高纯金属有机源，是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料）。

（1）集成电路设计：集成电路设计企业处于产业链上游，主要根据电子产品及设备等终端市场的需求设计开发各类芯片产品。集成电路设计水平的高低决定了芯片产品的功能、性能和成本。（2）晶圆制造：晶圆制造是指晶圆的生产和测试等步骤。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC 产品。晶圆生产是指晶圆制造厂接受版图文件（GDS 文件），生产掩膜（Mask），并通过光刻、掺杂、溅射、刻蚀等过程，将掩膜上的电路图形复制到晶圆基片上，从而在晶圆基片上形成电路。一款芯片由晶体管、电容、电阻等各种元件及其相互间的连线组成，这些元件和互连线通过研磨、抛光、氧化、离子注入、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术，在一小块硅单晶片上逐层制造而成。晶圆测试（CP 测试）是指在测试机台上采用探针卡（Probe Card）并利用测试向量对每一颗裸片的电路功能和性能进行测试的过程。（3）集成电路封装测试：经过CP 测试的晶圆再经过减薄、切割后，可以进行封装、成品测试从而形成芯片成品。芯片封装包括包括晶圆切割、上芯、键合、封塑、打标、烘烤等过程。芯片封装使芯片内电路与外部器件实现电气连接，在芯片正常工作时起到机械或环境保护的作用，保证芯片工作的稳定性和可靠性。成品测试是利用测试向量对已封装的芯片进行功能和性能测试的过程。经过成品测试后，即形成可对外销售的芯片产品。

集成电路工艺流程

集成电路中双极性和CMOS工艺流程摘要：本文首先介绍了集成电路的发展，对集成电路制作过程中的主要操作进行了简要讲述。双极性电路和MOS电路时集成电路发展的基础，双极型集成电路器件具有速度高、驱动能力强、模拟精度高的特点，但是随着集成电路发展到系统级的集成，其规模越来越大，却要求电路的功耗减少，而双极型器件在功耗和集成度方面无法满足这些方面的要求。CMOS电路具有功耗低、集成度高和抗干扰能力强的特点。文章主要介绍了双极性电路和CMOS电路的主要工艺流程，最后对集成电路发展过程中出现的新技术新工艺以及一些阻碍集成电路发展的因素做了阐述。关键词：集成电路，双极性工艺，CMOS工艺 ABSTRACT This paper first introduces the development of integrated circuits, mainly operating in the process of production for integrated circuits were briefly reviewed. Bipolar and MOS circuit Sas the basis for the development of integrated circuit. Bipolar integrated circuits with high speed, driving ability, simulated the characteristics of high precision, but with the development of integrated circuit to the system level integration, its scale is more and more big.So, reducing the power consumption of the circuit is in need, but bipolar devices in power consumption and integration can't meet these requirements. CMOS circuit with low power consumption, high integration and the characteristics of strong anti-interference ability. This paper mainly introduces the bipolar circuit and CMOS circuit the main technological process.finally, the integrated circuit appeared in the process of development of new technology and new technology as well as some factors hindering the development of the integrated circuit are done in this paper. KEY WORDS integrated circuit, Bipolar process, CMOS process

2t-h 纯水设备方案

2t/h超纯水处理设备设计方案 2012年3月目录一、公司简介 (2) 二、设计依据 (2) 三、设计范围及原则 (3) 四、出水水质及水量要求 (3)

五、简易工艺流程 (4) 六、系统工艺要求及说明 (4) 七、设备性能 (9) 八、售后服务承诺 (18) 九、系统配置清单 (19) 十、工程造价 ................................................... 错误！未定义书签。一、公司简介二、设计依据 1、根据地区性水质条件设定水质条件，根椐用户地区同类厂家的水质资料及用水量等基础资料进行设计。 2、工业用水软化除盐设计规范GB 109-87。 3、RO系统设计参照《给排水设计手册》及美国陶氏公司RO膜元件技术手册。

4、系统排水按室外排水设计规范GBJ14-87。 5、建筑给排水设计规范GBJ15-88。 6、反渗透设备标准按《反渗透水处理设备标准》CJ/T119-2000。 7、电气装置安装工程电气设备按试验标准GB50150-91。 8、管道的设计按纯化水用水标准进行设计。 9、通用电器设备配电设计规范GB50055-93。 10、城市区域环境噪声标准GB3096—93； 11、电气安装工程盘柜及二次回路接线工程施工及验收规范GB50171-92 三、设计范围及原则 1、进入纯水站的水源为自来水，根据客户地区的水质情况，其变化系数K≤1.5，处理系统排放的浓废水可直接排入市政综合管网。 2、纯水处理设施具有较大的适应性、应急性，可以满足水质及水量的变化，并考虑在突发或事故状态下的各种应急用水。 3、采用工艺具有可靠性，运行稳定，运转费用低，管理维护量特别小，纯水系统采用集成电路控制,自动化程度高。 4、系统管道均采用UPVC管路。 5、系统处理过程中选用工作泵均为多级离心泵，具有启动及运转功率小，无死角，噪音低，工作稳定等特点。 6、本工程设计范围为接入纯水处理站的给水管道起纯水出口为止的整个处理工艺、基础、电气等各专业的设计。四、出水水质及水量要求 1、设计规模系统工程设计规模为2.0t/h。 2、出水水质要求系统出水水量小时设计产水量为2.0t/h 系统出水水质在线监测5MΩ以上系统产水温度 60C°-70C°

中国集成电路设计行业概况研究-行业概述

中国集成电路设计行业概况研究-行业概述（一）行业概述 1、集成电路设计行业概况集成电路系采用特种电路设计及加工工艺，集成于半导体晶片上的微型电子电路产品。集成电路相比传统的分立电路，通过降低体积减小材料耗用量，大幅降低了制造成本，同时，其微小的体积及元件的紧密排布提高了信息的切换速度并降低了能耗，使得集成电路比分立电路在成本及效率上均有较大的优势。自1958 年第一块集成电路于德州仪器问世以来，集成电路产品发展迅速，广泛用于各种电子产品，成为信息时代中不可或缺的部分。伴随现代信息技术产业的快速发展，集成电路产业作为现代信息技术产业的基础和核心，已成为关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业，在推动国家经济发展、社会进步、提高人们生活水平以及保障国家安全等方面发挥着广泛而重要的作用，是当前国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志之一。随着国内经济不断发展以及国家对集成电路行业的大力支持，中国集成电路产业快速发展，产业规模迅速扩大，技术水平显著提升，有力推动了国家信息化建设。完整的集成电路产业链包括设计、芯片制造、封装测试等环节，各环节具有各自独特的技术体系及特点，已分别发展成独立、成熟的子行业。

其中，集成电路设计系根据终端市场的需求设计开发各类芯片产品，集成电路设计水平的高低决定了芯片的功能、性能及成本；集成电路制造通过版图文件生产掩膜，并通过光刻、掺杂、溅射、刻蚀等过程，将掩膜上的电路图形复制到晶圆基片上，从而在晶圆基片上形成电路；集成电路封装测试包括封装和测试两个环节，封装是保护芯片免受物理、化学等环境因素造成的损伤，增强芯片的散热性能，实现电气连接，确保电路正常工作；测试主要是对芯片产品的功能、性能测试等，将功能、性能不符合要求的产品筛选出来。 2、集成电路行业产品分类集成电路产品依其功能，主要可分为模拟芯片（Analog IC）、存储器芯片（Memory IC）、微处理器芯片（Micro IC）、逻辑芯片（Logic IC）。模拟芯片是处理连续性的光、声音、速度、温度等自然模拟信号，按技术类型可分为只处理模拟信号的线性芯片和同时处理模拟与数字信号的混合芯片；按应用分类可分为标准型模拟芯片和特殊应用型模拟芯片。标准型模拟芯片包括放大器、信号界面、数据转换、比较器等产品。特殊应用型模拟芯片主要应用于通

集成电路版图技巧总结

集成电路版图技巧总结 1、对敏感线的处理对敏感线来说，至少要做到的是在它的走线过程中尽量没有其他走线和它交叉。因为走线上的信号必然会带来噪声，交错纠缠的走线会影响敏感线的信号。对于要求比较高的敏感线，则需要做屏蔽。具体的方法是，在它的上下左右都连金属线，这些线接地。比如我用M3做敏感线，则上下用M2和M4重叠一层，左右用M3走，这些线均接地。等于把它像电缆一样包起来。 2、匹配问题的解决电路中如果需要匹配，则要考虑对称性问题。比如1：8的匹配，则可以做成33的矩阵，“1”的放在正中间，“8”的放在四周。这样就是中心对称。如果是2：5的匹配，则可以安排成AABABAA的矩阵。需要匹配和对称的电路器件，摆放方向必须一致。周围环境尽量一致。 3、噪声问题的处理噪声问题处理的最常用方法是在器件周围加保护环。N mos管子做在衬底上因此周围的guardring是Pdiff，在版图上是一层PPLUS,上面加一层DIFF，用CONTACT连M1。Pdiff接低电位。Pmos管子做在NWELL里面因此周围的GUARDING是Ndiff，在版图上先一层NPLUS，上面加一层DIFF，用CONTACT连M1。Ndiff接高电位。在一个模块周围为了和其他模块隔离加的保护环，用一圈NWELL，里面加NDIFF，接高电位。

电阻看类型而定，做在P衬底上的周围接PDIFF型guarding接地；做在NWELL里面的则周围接NDIFF型guarding接高电位。各种器件，包括管子，电容，电感，电阻都要接体电位。如果不是RF型的MOS管，则一般尽量一排N管一排P管排列，每排或者一堆靠近的同类型管子做一圈GUARDING，在P管和N管之间有走线不方便打孔的可以空出来不打。 4、版图对称性当电路需要对称的时候，需要从走线复杂度，面积等方面综合考虑。常见的对称实现方式：一般的，画好一半，折到另一半去，复制实现两边的对称。如果对称性要求高的，可以用质心对称的方式，把管子拆分成两个，四个甚至更多。如把一个管子拆成两个可以AB BA的方式如果有四个管子，可以各拆成三个，用ABCDABCDABCD的方式五、布局布线布局布线是一个全局问题。在画较大的电路时候是很重要的。首先确定各模块的位置，在确定位置的时候需要考虑的问题主要有：各输入输出之间的连线最短，最方便；各模块接出去连PAD的各端口方便；高频线距离尽量短；输入输出之间相隔比较远等。这些问题需要在着手画各模块之前先有个安排。在画好各模块后摆放时会做调整，但大局不变。连线一般的规则是单数层金属和双数层金属垂直，比如一三五层连水平；二四六层连垂直。但这样的主要目的是各层能方便走线，排得密集。所以也不是死规则，在布线较稀疏的情况下可以做适量变通。在布线时最重要的问题

超纯水系统工程方案

超纯水系统设计方案目录一、设计条件及出水水质 3

二、设计基本资料 4 三、主要组件设备说明 5 四、工艺方案流程及说明11 五、调试及售后服务内容12 一、设计条件及出水水质 1.1 进水主要水质指标：东莞市自来水 1.2 用户对出水要求：出水量：超纯水9吨/小时出水水质：主机系统超纯水：电阻率≥18MΩ.㎝25℃；出水温度：常温。 1.3水质检测：随机自带有电导率仪，出水电导率在线显示。

1.4 设备最终产水量：纯水10吨/小时25℃；超纯水9吨/小时25℃； 1.5系统总进水量：15m3/h； 1.6一级反渗透的回收率≥60%； 1.7第一级反渗透的浓水直接排放； 1.8 CEDI装置回收率：85～95%,浓水回收为RO系统原水。 1.9 控制方式：PLC自动&手动控制。二、设计基本资料 2.1 设计依据（1）《中华人民共和国环境保护法》（2）《中华人民共和国水污染防治法》（3）《给排水构筑物施工及验收规范》（GBJ125-1989）（4）《给排水管道工程施工及验收规范》（GB50268-1997）（5）《给排水工程结构设计规范》（GBJ69-1984）（6）《低压电器设计规范》（GB50054-1995）（7）《水处理设备制造技术条件》（JB|T2932-1999）（8）相关反渗透膜生产厂家所提供技术资料。。 2.2、设计原则 1．采用成熟、先进的工艺，运行可靠，操作简单方便。

2．对反渗透膜清洗系统目前的建设投资于今后的运行费用做综合技术经济分析，尽可能用最少的资金达到理想要求。 3．根据厂方的实际情况，采用先进设备，占地少，投资省，运行费用低，操作管理方便。 4. 对回收统总费用投入的增量与回收系统运行的可靠性及发生故障时对环境的危害性作综合技术经济分析，尽可能用最少的资金投入达到系统运行安全可靠，操作简单方便。 5. 认真执行国家经济建设方针、政策和国家现行的技术标准、规范，遵守法律、法规。三、主要组件及设备说明

集成电路行业研究分析报告

我国集成电路行业分析报告一、行业概述（一）行业定义根据《国民经济行业分类》，集成电路业（Integrated Circuit，英文缩写为IC，行业分类代码4053）是指单片集成电路、混合式集成电路和组装好的电子模压组件、微型组件或类似组件的制造，包括半导体集成电路、膜集成电路、集成电路芯片、微型组件、集成电路及微型组件的零件。（二）行业分类集成电路行业分类方法很多，从制造流程来看，集成电路的制造流程主要经过集成电路设计、制造、封装测试等环节，因此集成电路行业也分为集成电路设计、集成电路制造、集成电路封装测试等三个子行业。（三）行业特点 1、产业规模迅速扩大，行业周期波动趋缓集成电路作为信息产业的基础和核心，具有很高的渗透性和高附加值特性，由于其倍增效应大，各国对该行业都极为重视，发达国家和许多新兴工业化国家和地区竞相发展，使得这一行业的规模迅速扩大。全球集成电路产业一直保持着周期性的上升与下降，主要特点是：平均每隔四至五年一个周期，国际集成电路市场呈现周期性的繁荣与下降衰退，几乎每隔十年出现一个大低谷或者大高峰。人们称这种周期性变化为“硅周期”。供求关系的变化是硅周期存在的主要原因，全球经济状况也强烈影响着集成电路产业的周期变化。 2、技术密集度高，工艺进步疾速如飞技术进步是推动集成电路产业不断发展的主要动力之一，工艺技术持续快速发展，带动了芯片集成度持续迅速的提高，单元电路成本呈指数式降低。集成电路技术进步遵循摩尔定律，即集成电路芯片上的晶体管数目，约每18个月增加1倍，性能也提升1倍，而价格降低一半；集成电路晶体管技术的特征尺寸平均每年缩小到0.7倍或每两年0.5倍。 3、资本密集度不断加大，规模经济特征明显集成电路行业的投资强度和技术门槛越来越高，设备费用和研发费用都非常大。一条12英寸集成电路前工序生产线投资规模超过15亿美元，产品设计开发成本上升到几百万美元乃至上千万美元。企业的资金实力和技术创新能力成为竞争的关键。集成电路的芯片产量和性能飞速提高，而芯片的平均成本却在不断下降，因此只有依靠大规模生产，实现规模经济，才能降低单位成本，实现盈利。随着技术不断进步，集成电路行业的资本密集度将不断增强。 4、专业分工是方向，竞争与协作并存在集成电路发展早期，主要是由一些大的公司和研究机构参与，因此商业模式上以IDM （Integrated Device Manufacturers，即集成设备制造商）为主，其特征是经营范围覆盖IC设计、芯片制造、封装测试，甚至下游的终端产品制造。如三星、英特尔、德州仪器、东芝、意法半导体等，全球前二十大半导体厂商大多为IDM厂商。随着行业的发展，产业链上IC设计、芯片制造、封装、测试各环节的技术难度不断加大，进入门槛不断提升，产业链开始向专业化分工方向发展。专业分工带来三大优势：第一、成本更省（台积电成本可以做到英特尔的一半）；第二、协助行业内公司专注于擅长的环境（规模效应）；第三、解决巨额投资门槛（更多公司进入上游芯片设计环节）。二、政策环境集成电路产业作为国防安全和经济发展的支柱产业，国家从政策上给予了高度重视和大力支持，推动加大资金投入力度，加快行业创新与发展，对集成电路行业实施税收优惠等，主要法规、政策及内容见下表：

超纯水机操作指导

超纯水机操作指导 1、适用范围：本规程适用于超纯水机。主要用于实验室用UP超纯水和RO纯化水的制备。 2、编制依据：本规程依据优普系列超纯水机使用说明书编制。 3、仪器工作原理： 3.1预处理系统 3.1.1利用PP聚丙烯纤维滤芯有效消除水中铁锈和泥沙。 3.1.2含碳量高达80%的高效柱状活性碳滤芯，对源水中余氯、异色、有机物等杂质可以高效吸附过滤。 3.2 反渗透系统反渗透为美国原装系统。 3.3 后处理系统 3.3.1采用威固紫外线杀菌仪，能有效降低TOC和杀菌。 3.3.2采用美国ROHMHASS公司高纯水专用原子级离子交换树脂。 3.3.3终端超滤，保证除去细菌等。 4、仪器技术参数： 4.1 进水条件：城市自来水或地下水 4.2最小供水压力：0.15MPa 4.3最小供水流量：0.3m3/h 4.4 PH范围：6—8 4.5溶解性总固体：TDS≤200mg/L（超过此值建议配置软水器） 4.6温度：5℃~ 40℃（本机制水量指RO膜25℃时产水量，温度下降1℃，RO膜产水量约下降3 % ，当水温接近0℃时，RO膜将停止产水） 4.7余氯：≤0.05mg/L (注：UPH-W机型要求进水为蒸馏水或去离子水) 4.8电导率：≤10μs/cm 4.9溶解性总固体TDS：3 mg/L 4.10微生物含量：≤1CFU/mL 4.11总有机碳TOC：≤50μg/L 5、操作步骤： 5.1把源水从“源水进水”接口接入，把水箱接至“水箱借口”，把废水接至“废水排放”。 5.2打开进水，打开机箱后部电源。 5.3设备开始自检画面，在自检中超滤排水阀运行8秒。 5.4自检18秒后当进水水源压力稳定时，同时水箱未满时，设备开始制水。（屏幕显示“系统制水中”，右面水箱符号为未满状态，同时显示“制”字） 5.5当水源水压不足时，屏幕显示“系统保护中”右面水箱符号低下显示“保”字。同时设备停止工作，但能取出RO水或UP水。 5.6当水箱制满水后，设备自动停止，屏幕显示主画面，右面的水箱符号为满水状态，在下方显示“停”字。

工业超纯水机水质标准范围

工业超纯水机水质标准范围一、技术规范及水质范围 1、工业超纯水机适用的水质范围工业超纯水机进水有特定要求，检查进水水质是否符合标准十分重要。进水水质不符合标准将会导致膜元件的不可恢复性损害。 1：电导率：〈600US/CM 2：硬度： 500mg/L 4：色度：〈15 5：浊度：〈1NTU 6：游离氯〈 0.1PPM 7：SDI 〈 5 8：水温 5-45度二：运行参数：工作压力：1.0-1.5Mpa 产水量：3T/h

回收率：25% 进水压力〉2Kg 进水量〉8T/ h 特别注意：因本设备为涉水产品，应防止冰冻，冰冻能造成设备不可回复的损害，所以设备间应配有取暖设施。 3：水处理工艺流程：增压泵石英机械过滤器活性碳过滤器树脂软化 RO装置高压泵保安过滤 4、产品功能以市政自来水为源水，经过太空1号RO-3000S型水处理设备处理后，出水水质符合卫生部法监发[2001]161号文件附件4C《生活饮用水水质处理器卫生安全与功能评价规范-反渗透处理器》出水水质要求。三：安装指导 1：设备尽量安装在干燥通风的地方，因为长期处于潮湿环境会造成电器设备和元件的损坏。

2：系统应置于便于操作者进入和维修的场地，四周应留有充足的空间。 3：选择安装地点时应尽量考虑前处理装置有较合适的位置，并符合这些工艺流程的摆放顺序。 4：前处理和主机按要求就位后，UPVC管道进行连接。 5：电器的安装工作必须要有合格的电器技术人员和工人进行，必须要用可靠的接地。 6：安装地点应保证夏夏季环境不高于40度，冬季高于4度。否则会对设备造成不可恢复的损坏。 7：纯水收集地点(如纯水箱入口处)的高度不应高于设备纯水出口处5m，否则会对逆渗透产生背压，造成逆渗透不可恢复和损坏。 8：纯水出口连接中不可安装任何阻碍纯水流出的装置 9：安装纯水连接管和浓水排放管的管径不应小于纯水出口和浓水的管径。 10：电器安装详见电路图。四、操作方法： 1;各种设备的连接和安装