电力电子技术平时作业

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一、填空题

1、电力变换通常分为四大类,即、,、。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是、,和。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑的问题,解决的方法是。

4、逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧是电压源时,称此电路为________,当直流侧为电流源时,称此电路为________。

5、在正弦波和三角波的自然交点时刻控制开关器件的通断,这种生成SPWM 波形的方法称________,实际应用中,采用________来代替上述方法,在计算量大大减小的情况下得到的效果接近真值。

二、选择题

1、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )

A.电容

B.电感

C.蓄电池

D.电动机

2、升降压斩波电路,输入电压是48V,为了获得12V输出电压,且不考虑开关损耗时,导通占空比必须控制在()。

A、1

B、0.5

C、0.4

D、0.2

3、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )

A.90° B.120° C.150° D.180°

4、普通的单相半控桥式整流装置中一共用了()晶闸管。

A. 一只,

B. 二只,

C. 三只,

D. 四只。

5、电容滤波的单相桥式不可控整流电路,串联滤波电感,其交流侧谐波组成有哪些规律()。

A、谐波次数为奇数

B、谐波次数为偶数

C、谐波次数越高,谐波幅值越大

D、越大,谐波越大

6、以下哪种换流方式适用于全控型器件()。

A、器件换流

B、电网换流

C、负载换流

D、强迫换流

7、电压型半桥逆变电路,带纯电阻负载时,为了调节输出电压,从控制方法上可以采用()。

A、移相调压方式

B、改变正负脉冲宽度的方法

C、改变负载值的方法

D、改变输入电压值的方法

8、CUK斩波电路,输入电压是12V,为了获得48V输出电压,且不考虑开关损耗时,导通占空比必须控制在()。

A、1

B、0.5

C、0.8

D、0.4

9、双端间接式直流变换电路比单端间接式的更适用于大容量的开关电源,其中一个原因是()。

A、高频变压器的铁芯利用率较高

B、使用的开关管较多

C、变压器利用率低

D、控制电路简单

10、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是()

A.分流

B.降压

C.过电压保护

D.过电流保护

三、判断题

1、两个以上晶闸管串联使用,是为了解决自身额定电压偏低,不能胜用电路电压要求,而采取的一种解决方法,但必须采取均压措施。()

2、逆变失败,是因主电路元件出现损坏,触发脉冲丢失,电源缺相,或是逆变角太小造成的。()

3、变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质,无直接关系。()

4、并联与串联谐振式逆变器属于负载换流方式,无需专门换流关断电路。()

5、用稳压管削波的梯形波给单结晶体管自激振荡电路供电,目的是为了使触发脉冲与晶闸管主电路实现同步。()

四、简答题:

1、什么是异步调制?什么是同步调制?两者各有何特点?

2、带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有何主要异同?

3、交交变频电路的主要特点和不足是什么?其主要用途是什么?

4、试说明PWM控制的基本原理。

5、在移相全桥零电压开关PWM电路中,如果没有谐振电感Lr,电路的工作状态将发生哪些变化,哪些开关仍是软开关,哪些开关将成为硬开关?

五、计算题:

1、单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=20Ω值极大α 时, 要求:①作出Ud、Id、和I2的波形;

②求整流输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次电流有效值I2;

③考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。

2、指出下图中①~⑦各保护元件及VD、Ld的名称和作用。

电力电子技术课后习题全部答案解析

电力电子技术 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。要使晶闸由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。 解:a) I d1= Im 2717 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 2 1 4 ≈ + = ?π ω π π π t I1= Im 4767 .0 2 1 4 3 2 Im ) ( ) sin (Im 2 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t b) I d2= Im 5434 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 1 4 = + = ?wt d t π π ? π I2= Im 6741 .0 2 1 4 3 2 Im 2 ) ( ) sin (Im 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

电力电子技术作业解答

电力电子技术 作业解答 教材:《电力电子技术》,尹常永田卫华主编

第一章 电力电子器件 1-1晶闸管导通的条件是什么?导通后流过晶闸管的电流由哪些因素决定? 答:晶闸管的导通条件是:(1)要有适当的正向阳极电压;(2)还有有适当的正向门极电压。 导通后流过晶闸管的电流由阳极所接电源和负载决定。 1-2维持晶闸管导通的条件是什么?怎样使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是:流过晶闸管的电流大于维持电流。 利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到维持电流以下,可使导通的晶闸管关断。 1-5某元件测得V U DRM 840=,V U RRM 980=,试确定此元件的额定电压是多少,属于哪个电压等级? 答:根据将DRM U 和RRM U 中的较小值按百位取整后作为该晶闸管的额定值,确定此元件的额定电压为800V ,属于8级。 1-11双向晶闸管有哪几种触发方式?常用的是哪几种? 答:双向晶闸管有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+和Ⅲ-四种触发方式。 常用的是:(Ⅰ+、Ⅲ-)或(Ⅰ-、Ⅲ-)。 1-13 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:因为 GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同:(1)GTO 在设计时2α较大,这样晶体管 V2控制灵敏,易于 GTO 关断;(2)GTO 导通时的21αα+更接近于 1,普通晶闸管15.121≥+αα,而 GTO 则为05.121≈+αα,GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;(3) 多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2极区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 第二章 电力电子器件的辅助电路 2-5说明电力电子器件缓冲电路的作用是什么?比较晶闸管与其它全控型器件缓冲电路的区别,说明原因。 答:缓冲电路的主要作用是: ⑴ 减少开关过程应力,即抑制d u /d t ,d i /d t ;

华工电力电子技术平时作业2019

电力电子技术平时作业(2019年2月20日,合计37题) 一、填空题(12题) 1、电力变换通常分为四大类,整流、逆变、斩波、变频和变相。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要触发脉冲的幅度和功率达的到对所作用的可控硅有效触发、要可方便与被控的交流电周期同步,和能方便的改变同步后的延迟时间。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。 4、逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧是电压源时,称此电路为___电压源型逆变电路_____,当直流侧为电流源时,称此电路为__电流源型逆变电路______。 5、在正弦波和三角波的自然交点时刻控制开关器件的通断,这种生成SPWM 波形的方法称__自然采样法____,实际应用中,采用__ 规则采样法___来代替上述方法,在计算量大大减小的情况下得到的效果接近真值。 6、常用的晶闸管有_普通型单向导通的晶闸管___式、__普通型双向导通的晶闸管___式两种。 7、单相半控桥整流电路,带大电感性负载,晶闸管在__ 触发 ____时刻换流,二极管则 在_ _电源电压过零点_____时刻换流。 8、过电压产生的原因_ _浪涌电压______、__操作过电压______,可采取__ 阻容吸收、__晒推___、压敏电阻保护。 9、变频电路所采取的换流方式_ 自然换流_、__ 负载换流__、_ 强迫换流_____。 10、门极可关断晶闸管主要参数有_ 最大可关断阳极电流IATO 、__、__。 11、电力变换通常分为四大类,即__ 整流、_逆变_______、__ 直流斩波、___交流变交流__。 12、斩波器是在接在恒定直流电源和负载电路之间,用于_ 改变加到负载电路上的直流电压平均值的一种电力电子器件变流装置。 二、简答题(18题) 1.使晶闸管导通的条件是什么?维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导 通变为关断? 答:闸管导通的条件是阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通。 门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。

电力电子技术作业1

浙江大学远程教育学院 《电力电子技术》课程作业 姓名: 林岩 学 号: 714066202014 年级: 14秋 学习中心: 宁波电大 ————————————————————————————— 第1章 1.把一个晶闸管与灯泡串联,加上交流电压,如图1-37所示 图 1-37 问:(1)开关S 闭合前灯泡亮不亮?(2)开关S 闭合后灯泡亮不亮?(3)开关S 闭合一段时间后再打开,断开开关后灯泡亮不亮?原因是什么? 答: (1)不亮;(2)亮;(3)不亮,出现电压负半周后晶闸管关断。 2.在夏天工作正常的晶闸管装置到冬天变得不可靠,可能是什么现象和原因?冬天工作正常到夏天变得不可靠又可能是什么现象和原因? 答: 晶闸管的门极参数I GT 、U GT 受温度影响,温度升高时,两者会降低,温度升高时,两者会升高,故会引起题中所述现象。 3.型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在如图1-38电路中是否合理?为什么?(分析时不考虑电压、电流裕量) (a) (b) (c) 图 1-38 习题5图 .答: (1) mA I mA A I H d 42002.010 50100 3 =<==?=

R TM U V U >==3112220故不能维持导通 (2) 而 即晶闸管的最大反向电压超过了其额定电压, 故不能正常工作 (3) I d =160/1=160A>I H I T =I d =160A >1.57×100=157A 故不能正常工作 4.什么是IGBT 的擎住现象?使用中如何避免? 答: IGBT 由于寄生晶闸管的影响,可能是集电极电流过大(静态擎住效应),也可能是d u ce /d t 过大(动态擎住效应),会产生不可控的擎住效应。实际应用中应使IGBT 的漏极电流不超过额定电流,或增加控制极上所接电阻R G 的数值,减小关断时的d u ce /d t ,以避免出现擎住现象。 H d I A I I I >==== 9.957.1/...56.152 10220 2 2

电力电子技术平时作业20190820

电力电子技术平时作业(2019年8月20日,合计37题) 一、填空题(12题) 1、电力变换通常分为四大类,交流变直流、直流变交流,直流变直流、交流变交流。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高,和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是挑选特性参数尽量一致的器件和采用均流电抗器。 4、逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧是电压源时,称此电路为_电压源型逆变电路____,当直流侧为电流源时,称此电路为__电流源型逆变电路______。 5、在正弦波和三角波的自然交点时刻控制开关器件的通断,这种生成SPWM 波形的方法称自然采样法,实际应用中,采用_规则采样法来代替上述方法,在计算量大大减小的情况下得到的效果接近真值。 6、常用的晶闸管有单向导通__式、双向导通式两种。 7、单相半控桥整流电路,带大电感性负载,晶闸管在触发__时刻换流,二极管则在电 源电压过零点_时刻换流。 8、过电压产生的原因电路状态突然改变_、电磁状态突然改变___,可采取__安装避雷线避雷器、电抗器、开关触头加并联电阻保护。 9、变频电路所采取的换流方式自然换流、负载换流、强迫换流。 10、门极可关断晶闸管主要参数有断态重复峰值电压、断态不重复峰值电压__、反向重复峰值电压和反向不重复峰值电压。 11、电力变换通常分为四大类,即交流变直流、直流变交流、直流变直流、__交流变交流___。 12、斩波器是在接在恒定直流电源和负载电路之间,用于改变用加到负载电路上的直流平均电压值的一种交流变换装置。 二、简答题(18题) 1.使晶闸管导通的条件是什么?维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导 通变为关断? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或: uax>0且ucx>0。维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2.晶闸管的触发脉冲要满足哪些要求?

电力电子技术-模拟试题2-试卷

电力电子技术模拟试题2(开卷,时间:120分钟) (所有答案必须写在答题纸上) 一、填空题(40分,每空1分) 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样,只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小,只有左右,这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是:且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中,在区和 区之间过渡时,要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是:且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理,即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”,SPWM控制用一组的脉冲(宽度按 规律变化)来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术;直流斩波电路得到的PWM波是等效波形,SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式,PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式,三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法:改变调制信号u r的可改变基波幅值;改变

大工春电力电子技术经验在线作业

大工春电力电子技术经 验在线作业 集团文件发布号:(9816-UATWW-MWUB-WUNN-INNUL-DQQTY-

(单选题)1:软开关电路根据软开关技术发展的历程,可以分成几类电路,下列哪项不属于其发展分类?()A:整流电路 B:准谐振电路 C:零开关PWM电路 D:零转换PWM电路 正确答案: (单选题)2:()是最早出现的软开关电路。 A:准谐振电路 B:零开关PWM电路 C:零转换PWM电路 D:以上都不正确 正确答案: (单选题)3:直流电动机可逆电力拖动系统能够在()个象限运行。 A:1 B:2 C:3 D:4 正确答案: (单选题)4:下列选项中不是交流电力控制电路的控制方法的是?() A:改变电压值 B:改变电流值

C:不改变频率 D:改变频率 正确答案: (单选题)5:下列哪个选项与其他三项不是同一概念?() A:直接变频电路 B:交交直接变频电路 C:周波变流器 D:交流变频电路? 正确答案: (单选题)6:下列不属于单相交-交变频电路的输入输出特性的是()。A:输出上限频率 B:输出功率因数 C:输出电压谐波 D:输入电流谐波 正确答案: (多选题)7:UPS广泛应用于下列哪些场合中?() A:银行 B:交通 C:医疗设备 D:工厂自动化机器 正确答案: (多选题)8:斩波电路应用于下列哪些选项下,负载会出现反电动势?()A:用于电子电路的供电电源

B:用于拖动直流电动机 C:用于带蓄电池负载 D:以上均不是 正确答案: (多选题)9:下列属于基本斩波电路的是()。 A:降压斩波电路 B:升压斩波电路 C:升降压斩波电路 D:Cuk斩波电路 正确答案: (多选题)10:下列哪些属于UPS按照工作原理的分类?() A:后备式 B:在线式 C:离线式 D:在线互动式 正确答案: (多选题)11:下列各项交流电力电子开关的说法,正确的是()。A:需要控制电路的平均输入功率 B:要有明确的控制周期 C:要根据实际需要控制电路的接通 D:要根据实际需要控制电路的断开 正确答案: (多选题)12:下列哪些电路的变压器中流过的是直流脉动电流?()

电力电子技术习题与解答

《电力电子技术》习题及解答 思考题与习题 什么是整流它与逆变有何区别 答:整流就是把交流电能转换成直流电能,而将直流转换为交流电能称为逆变,它是对应于整流的逆向过程。 单相半波可控整流电路中,如果: (1)晶闸管门极不加触发脉冲; (2)晶闸管内部短路; (3)晶闸管内部断开; 试分析上述三种情况负载两端电压u d和晶闸管两端电压u T的波形。 答:(1)负载两端电压为0,晶闸管上电压波形与U2相同; (2)负载两端电压为U2,晶闸管上的电压为0; (3)负载两端电压为0,晶闸管上的电压为U2。

某单相全控桥式整流电路给电阻性负载和大电感负载供电,在流过负载电流平均值相同的情况下,哪一种负载的晶闸管额定电流应选择大一些 答:带大电感负载的晶闸管额定电流应选择小一些。由于具有电感,当其电流增大时,在电感上会产生感应电动势,抑制电流增加。电阻性负载时整流输出电流的峰值大些,在流过负载电流平均值相同的情况下,为防此时管子烧坏,应选择额定电流大一些的管子。 某电阻性负载的单相半控桥式整流电路,若其中一只晶闸管的阳、阴极之间被烧断,试画出整流二极管、晶闸管两端和负载电阻两端的电压波形。 解:设α=0,T 2被烧坏,如下图: 相控整流电路带电阻性负载时,负载电阻上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率,为什么带大电感负载时,负载电阻R d 上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率,为什么 答:相控整流电路带电阻性负载时,负载电阻上的平均功率d d d I U P =不等于负载有功功率UI P =。因为负载上的电压、电流是非正弦波,除了直流U d 与I d 外还有谐波分量Λ ,,21U U 和Λ,,21I I ,负载上有功功率为Λ+++=22212P P P P d >d d d I U P =。

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为,UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数, 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ , 2__,续流二极管承受的最大反向电压为2_(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2;带 阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出 现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中,空载时,输出电压为2_,随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_,通常设计时,应取RC ≥_1.5-2.5_T ,此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值,T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。

电力电子技术-西南大学作业教程文件

电力电子技术-西南大学2016年作业

第一批 单选题 题目说明: (10.0分)1.IGBT属于()控制型元件 A.A:电流 B.B:电压 C.C:电阻 D.D:频率 (10.0分)2.触发电路中的触发信号应具有() A.A:足够大的触发功率 B.B:足够小的触发功率 C.C:尽可能缓的前沿 D.D:尽可能窄的宽度 (10.0分)3. 对于单相交交变频电路如下图,在t1~t2时间段内,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是()

A.A:P组阻断,N组整流 B.B:P组阻断,N组逆变 C.C:N组阻断,P组整流 D.D:N组阻断,P组逆变 (10.0分)4.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是() A.A:电容 B.B:电感 C.C:蓄电池 D.D:电动机 (10.0分)5.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角a的最大移相范围是() A.A:90° B.B:120° C.C:150° D.D:180° (10.0分)6.具有自关断能力的电力半导体器件称为() A.A:全控型器件 B.B:半控型器件 C.C:不控型器件 D.D:触发型器件 (10.0分)7.IGBT是一个复合型的器件,它是()

A.A:GTR驱动的MOSFET B.B:MOSFET驱动的GTR C.C:MOSFET驱动的晶闸管 D.D:MOSFET驱动的GTO (10.0分)8.从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为()。 A.A:控制角 B.B:延迟角 C.C:滞后角 D.D:重叠角 (10.0分)9.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是() A.A:有源逆变器 B.B:A/D变换器 C.C:D/A变换器 D.D:无源逆变器 (10.0分)10.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流() A.A:减小至维持电流以下 B.B:减小至擎住电流以下 C.C:减小至门极触发电流以下 D.D:减小至5A以下

《电力电子技术》习题解答

《电力电子技术》习题解答 第2章 思考题与习题 2.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。 导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A 决定。 2.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定? 答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A 减小,I A 下降到维持电流I H 以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A 决定。 2.3温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化? 答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H 会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。 2.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种? 答:非正常导通方式有:(1) I g =0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt 过高;(3) 结温过高。 2.5请简述晶闸管的关断时间定义。 答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。即gr rr q t t t +=。 2.6试说明晶闸管有哪些派生器件? 答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。 2.7请简述光控晶闸管的有关特征。 答:光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。主要用于高压大功率场合。 2.8型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题2.8所示电路中是否合理,为什

电力电子技术模拟卷答案

华东理工大学网络教育学院(全部答在答题纸上,请写清题号,反 面可用。试卷与答题纸分开交)电力电子技术1606模拟卷1答案 一、单选题(共10题,每题2分,共20分) 1. 可实现有源逆变的电路为( )。(2分) A.单相半波可控整流电路, B.三相半波可控整流桥带续流二极管电路, C.单相全控桥接续流二极管电路, D.三相半控桥整流电路。.★标准答案:B 2. 晶闸管串联时,为达到静态均压,可在晶闸管两端并联相同的()。(2分)A.电阻 B.电 容 C.电 感 D.阻容元件 .★标准答案:A 3. 当晶闸管随反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( ) (2分) A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不 定 .★标准答案:B 4. 单相全控桥式带电阻性

负载电路中,控制角α的最大移相范围是()(2分) A.90° B.120° C.150° D.180° .★标准答案:D 5. 有源逆变电路中,晶闸管大部分时间承受正压,承受反压的时间为()。(2分)A.π-β B.30 °+β C. 10°+β D.β .★标准答案:D 6. 单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α的移相范围是()(2分) A.0~90° B.0~180° C.90°~180° D.180°~360° .★标准答案:A 7. 单相全控桥,带反电动势负载,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ为(2分) A.π-α-δB .π-α+δ C.π-2αD .π-2δ .★标准答案:A 8. 下列几种电力电子器件

中开关频率最高的是( ) (2分) A.功率晶体管 B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管 .★标准答案:C 9. 三相半波可控整流电路中,如果三个晶闸管采用同一组触发装置,α的移相范围( )。(2分) A.0o--60o; B. 0o--90o; C.0o --120o; D.0o--1 50o; .★标准答案:C 10. SPWM逆变器有两种调制方式:双极性和( )。(2分)A.单极性 B.多极性 C.三极性 D.四极性 .★标准答案:A 二、填空题(共10题,每题2分,共20分) 1. 单相交流调压电路电阻负载时移相范围是____________,电感负载时的移相范围是____________ (2分) .★标准答案:1. 0~π;2. 0~π; 2. 正弦脉宽调制(SPWM)技术运用于电压型逆变电路中,改变____________可改变逆变器输出电压幅值;改变____________可改变

电力电子技术作业

解:a) b) c) Idl-— (¥片1)俺 d 2717 Ta JI 2 d ,0. 1767 I a 4 £ -匚 l rn ——(纟 + 1)缺 0.胡 31 A TT 2 sin 亦泊3) ~~~ l + ± fe 0.898 J = J — f : = 0. 5 A 7.晶闸管的触发脉冲需要满足哪些条件? 第2至第8章作业 第2章电力电子器件 1. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流 (脉冲)。或:uAK>0 且 uGK>0 2. 维持晶闸管导通的条件是什么? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电 流,即维持电流。 3. 怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管 的电流降到接近于零的某一数值以下, 即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸 管关断。 4. 图1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为 I m ,试计 算各波形的电流平均值 I d1、|d2、I d3与电流有效值11、12、|3。 a) b) c) 图1晶闸管导电波形

答:A:触发信号应有足够的功率 B:触发脉冲应有一定的宽度,脉冲前沿尽可能陡,使元件在触发导通后,阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。 C:触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步,脉冲移相范围必须满足电路要求。 第3章整流电路 1.单相半波可控整流电路对电感负载供电,L = 20mH,U2= 100V,求当a= 0°和60。时的负 载电流I d,并画出u d与i d波形。 解:a = 0°寸,在电源电压U2的正半周期晶闸管导通时,负载电感L储能,在晶闸管开始导通时刻,负载电流为零。在电源电压u2的负半周期,负载电感L释放能量,晶闸管继续导通。因此,在电源电压u2的一个周期里,以下方程均成 ud与id的波形如下图:L―- = sin(oi di亠 考虑到初始条件二半时2±_0可解方程紂: 心一' (l^cos^) (cL -顷-22. 51 (A) (t)L

电力电子技术作业解答复习用

第一章作业 1. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:u AK>0且u GK>0。 2. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 3. 图1-43 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。 解:(a) (b) (c)

第二章作业 1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电,L=20mH,U2=100V,求当α=0?和60? 时的负载电流I d,并画出u d与i d波形。 解:α=0?时,在电源电压u2的正半周期晶闸管导通时,负载电感L储能,在晶闸管开始导通时刻,负载电流为零。在电源电压u2的负半周期,负载电感L释放能量,晶闸管继续导通。因此,在电源电压u2的一个周期里,以下方程均成立: 考虑到初始条件:当ωt=0 时i d=0 可解方程得: u d与i d的波形如下图: 当α=60°时,在u2正半周期60?~180?期间晶闸管导通使电感L储能,电感L储藏的能量在u2负半周期180?~300?期间释放,因此在u2一个周期中60?~300?期间以下微分方程成立:

考虑初始条件:当ωt=60 时i d=0 可解方程得: 其平均值为 此时u d与i d的波形如下图: 2.图2-9为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,问该变压器还有直流磁 ;②当负载是电阻或电化问题吗?试说明:①晶闸管承受的最大反向电压为 2 感时,其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。 答:具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,该变压器没有直流磁化的问题。因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中,正负半周内上下绕组内电流的方向相反,波形对称,其一个周期内的平均电流为零,故不会有直流磁化的问题。 以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。 ①以晶闸管VT2为例。当VT1导通时,晶闸管VT2通过VT1与2个变压器二次绕 。 组并联,所以VT2承受的最大电压为 2 ②当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角a 相同时,对于电阻

电力电子技术平时作业

电力电子技术平时作业(2020年8月5日,合计37题) 一、填空题(12题) 1、电力变换通常分为四大类,整流、逆流,斩波、变频和变相。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要触发脉冲的幅度和功率达到对所作用的可控硅有效触发、要可方便与被控的交流电周期同步,和能方便的改变同步后的延迟时间。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。 4、逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧是电压源时,称此电路为_电压源型逆变电器,当直流侧为电流源时,称此电路为电流源型逆变电路。 5、在正弦波和三角波的自然交点时刻控制开关器件的通断,这种生成SPWM 波形的方法称自然采样法,实际应用中,采用规则采样法来代替上述方法,在计算量大大减小的情况下得到的效果接近真值。 6、常用的晶闸管有普通型单向导通的晶闸管式、普通型双向导通的晶闸管式两种。 7、单相半控桥整流电路,带大电感性负载,晶闸管在触发时刻换流,二极管则在电源电 压过零点时刻换流。 8、过电压产生的原因浪涌电压、操作过电压,可采取阻容吸收、晒推、压敏电阻保护。 9、变频电路所采取的换流方式自然换流、负载换流、强迫换流。 10、门极可关断晶闸管主要参数有_ 最大可关断阳极电流。 11、电力变换通常分为四大类,即整流、逆变、直流斩波、交流变交流。 12、斩波器是在接在恒定直流电源和负载电路之间,用于改变加到负载电路上的直流电压平均值的一种电力电子器件变流装置。 二、简答题(18题) 1.使晶闸管导通的条件是什么?维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导 通变为关断? 答: 闸管导通的条件是阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通]极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳板电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流儿以上。导通后的晶闸管管压降很小使导通了的昴闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至一个小的数值,即维持电流|H以下。 其方法有二: 1)减小正向阳极电压至一个数值一下,或加反向阳极电压; 2)增加负载回路中的电阻。 2.晶闸管的触发脉冲要满足哪些要求? 答: 一、触发脉冲信号要有足够大的电压和功率; 二、极正向偏压越小越好; 三、脉冲的前沿要陡,宽应满定要求; 四、满足主电路移相范围的要求;

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ; 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ; 带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;

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