电子电路测试题

电子电路测试题
电子电路测试题

问题1 2 分保存

动态电路是指含有()元件的电路,其电路方程是微分方程

电阻

动态

独立源

受控源

问题2 2 分保存

电路分析的基本依据是()

两类约束

KCL

KVL

线性方程

问题3 2 分保存

电路中供给能量的器件是:()

A. 电源

B. 负载

C. 联接导线

D. 辅助器件

问题4 2 分保存

正弦量的三要素是指()

振幅、频率、周期

最大值、频率、相位

有效值、角频率、周期

振幅、角频率、初相位

问题5 2 分保存

在计算戴维南定理求等效电阻时,应将原电路的电源置零,电源置零意味着()电压源开路、电流源短路

电压源短路、电流源开路

电压源开路、电流源开路

电压源短路、电流源短路

问题6 2 分保存

已知电压源开路电压为10V,内阻5欧,问此电源能给负载提供的最大功率为()10W

20W

5W

1W

问题7 2 分保存

10欧电阻和0.2F电容并联电路的时间常数为()

1s

0.5s

2s

0.2s

问题8 2 分保存

戴维南定理所描述的等效电路仅()

对外电路等效

对内电路等效

对内、外电路都等效

对外电路等效,还是对内电路等效应视具体情况而定

问题9 2 分保存

测得某一支路两端电阻值为零,则该支路()

A. 短路

B. 开路

C. 线性

D. 时变

问题10 2 分保存

1欧电阻和2H电感并联一阶电路中,电感电压零输入响应为()

uL(0+)e-2t

uL(0+)e-0.5t

uL(0+)(1-e-2t)

uL(0+)(1+e-2t)

问题11 2 分保存

当四个电阻并联时,若R1>R2,R4<R3,R3<R2则哪个电阻上流过的电流最大R1

R2

R3

R4

问题12 2 分保存

电流控制电压源的英文缩写为

VCVS

CCVS

VCCS

CCCS

问题13 2 分保存

输出的电压、电流受电路中其它某个电压或电流控制的电源称:

独立源

受控源

电压源

电流源

问题14 2 分保存

实际电压源的输出电压随电流增加

不变

变为零

增加

减小

问题15 2 分保存

电压源并联任何二端网络可等效为

电阻

原电压源

电阻的电压源的串联

电阻和电流

问题16 2 分保存

端口特性为3i+4的二端元件是()元件

电感

电容

电阻

问题17 2 分保存

具有n个节点的电路,其独立的KCL方程为n-2个

n-1 个

n 个

n+1个

问题18 2 分保存

电路的过渡过程的解可以按()方式来划分稳态响应和零输入响应

稳态响应和暂态响应

稳态响应和零状态响应

暂态响应和零状态响应

问题19 2 分保存

RLC并联正弦电流电路中,IR=3A,IL=1A,IC=5A,则总电流为()A

8

5

3

2

问题20 2 分保存

电流源isc(t)=8costA与电阻R0=2欧并联单口网络向外传输的最大平均功率为()W

4

8

16

12

测得某放大器中一支BJT的三个电极的直流电压为:-0.1v,+7.3v和-0.82v。由此可以判断,该管是( )。

所选答案: NPN锗管

正确答案: NPN锗管

工作在放大区的某个三极管,当I B从20uA增大到40uA时,I C从1mA变到2mA,则B值为()

所选答案:50

正确答案:50

问题3得2 分,满分2 分晶体三极管工作在饱和区时发射结、集电结的偏置是( )

所选答案:发射结正向偏置,集电结正向偏置

正确答案:发射结正向偏置,集电结正向偏置

某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12千欧的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为__。

所选答案:4千欧;

正确答案:4千欧;

若要实现V0=-(10V1+5V2+V3)的运算关系,则可选用( )运算电路

所选答案:反相求和

正确答案:反相比例

测得三极管各电极对地的电位分别为VC=6V ,VB=-0.6V ,VE=0V, 该三极管工作状态为( )

所选答案:截止状态

正确答案:放大状态

正常工作状态下的稳压二极管,处于伏安特性曲线中的()

所选答案:反向击穿区

正确答案:反向击穿区

理想运放工作在非线性区域,当u 0=+U0(sat)时,u+与u-的关系为( )

所选答案:u+<u-

正确答案:+=u-=0

对半导体三极管,测得其发射结正偏,集电结反偏,此时该三极管处于( )

所选答案:放大状态

正确答案:放大状态

希望放大器具有低的输入电阻和稳定的输出电流,应引入( )负反馈

所选答案:电流并联正确答案:电流并联

某共射放大电路如图8.1.1所示,其中Rb=470千欧,Rc=2千欧,若已知Ic=1mA,V CE=7V,V BE=0.7V ,r be =1.6千欧,?=50,则说明__.

所选答案:Av=Vo/Vi=-IcRc/IbRi=-62.5;

正确答案:

Av=Vo/Vi=-?Rc/r be=-62.5

某负反馈放大电路的开环放大倍数为50 ,反馈系数为0.02 ,则闭环放大倍数为( ) 所选答案: 1

正确答案:25

电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是

所选答案:减小输入电阻、增大输出电阻

正确答案:减小输入电阻、增大输出电阻

为了提高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入__。

所选答案:共集-共基串联电路。

正确答案:共基电路:

某电路有用信号频率为2kHz,可选用___

所选答案:低通滤波器;

正确答案:低通滤波器;

稳压二极管构成的稳压电路,其接法是()

所选答案:限流电阻与稳压管串联后,负载电阻再与稳压管并联

正确答案:限流电阻与稳压管串联后,负载电阻再与稳压管并联

对于基本共射放大电路的特点,其错误的结论是()

所选答案:输出电压与输入电压相位相同

正确答案:输出电压与输入电压相位相同

问题18得2 分,满分2 分要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻,应采用()负反馈放大电路

所选答案:电压串联

正确答案:电压串联

问题19得2 分,满分2 分已知信号源为高内阻的电流源,为了充分发挥放大器的负反馈作用,且要求提高放大器

输出电压的稳定性,宜采用的负反馈措施为

所选答案:电压并联负反馈

正确答案:电压并联负反馈

三极管放大电路中,电压放大倍数小于1的电路是()

所选答案:共集电极

正确答案:共集电极

在下列逻辑电路中,不是组合逻辑电路的是( )

译码器

编码器

全加器

寄存器

不能用来描述组合逻辑电路的是( )

驱动方程

真值表 .

卡诺图

逻辑图

.AB +A 在四变量卡诺图中有( )个小格是“1”。

13

12

8

5

R-S 型触发器不具有( )功能

保持

翻转

置1

置0

AB+A C 增加( )项可消除A 变量引起的竞争冒险

AC

BC

AC

BC

在CP ( )时主从R-S 触发器的主触发器接收输入信号

0→1

=1

1→0

=0

编码器的逻辑功能是( )

把某种二进制代码转换成某种输出状态

将某种状态转换成相应的二进制代码

把二进制数转换成十进制数

把十进制数转换成二进制数

TTL 门输出低电平的电压为()

<3.6v

<0.4v

<1.4v

>1.4v

()触发器可以用来构成移位寄存器

基本R-S

同步R-S

同步D

边沿D

TTL与非门中多余的输入端应接电平是()

悬空

一个n变量的逻辑函数应该有()个最小项n

2n

2n

n 2

时序逻辑电路的一般结构由组合电路与( )组成

全加器

存储电路

译码器

选择器

构造一个模10同步计数器,需要( )个触发器

4个

3个

5个

10个

在下列逻辑电路中,不是组合逻辑电路的是

译码器

编码器

全加器

寄存器

时序逻辑电路的一般结构由组合电路与( )组成。

存储电路

全加器

译码器

选择器

数值[375]10与下列哪个数相等( )

[111011101]2

[567]8

[11101110]BCD

[1F5]16

不能用来描述组合逻辑电路的是()

真值表

卡诺图

逻辑图

驱动方程

下面4种触发器中,抗干扰能力最强的是( )

同步D 触发器

主从JK 触发器

主从D 触发器

同步RS 触发器

为实现将JK 触发器转换为D 触发器,应使( )

J=D,K=

K=D,J=

J=K=D

要构成

5进制计数器,最少用()个触发器,它有()个无效状态

3,3

5,0

2,2

5,3

模拟电子技术基础期末试题 答案

课程模拟电子技术基础班级 学号姓名 一、填空题:(15分,每空1分) 1. 环境温度变低,放大电路中晶体管的共射电流放大倍数β会变。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时,应选取P CM 至少为W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化,则差模输入电阻id r =,o r =。 4.在负反馈放大电路中,要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的,应该给放大器接入反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大,而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大信号、抑制信号。 7.当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时,放大倍数的值约下降到中频时的。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路(填“能”或“不能”)产生正弦波振荡。 9.负反馈使放大电路增益下降,但它可以通频带,非线性失真。 10. 在直流电源中,当变压器副边电压有效值2U =20V 时,单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U =V ,若负载电阻L R =20Ω,则负载电流平均值)(AV O I =A 。

二、选择题:(20分,每题2分) 1.在本征半导体中加入元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2.工作在放大区的某三极管,如果当B I 从12A μ增大到22A μ,C I 从1mA 变为1.9mA ,那 么它的β约为。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3.以下基本放大电路中,电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ,将使电路的。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于。 A .温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6.为增大电压放大倍数,集成运放的中间级采用。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7.欲得到电流—电压转换电路,应在放大电路中引入负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8.欲将方波转换成尖顶波电压,应选用运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可获得的最大。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中,当信号频率f =O f 时,RC 串并联网络呈。 A.容性 B.阻性 C.感性 三、(本题10分)判断下图电路中是否引入了反馈,是直流反馈还是交流反馈,是正反馈还是负反馈,如果电路引入了交流负反馈,判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。 四、(本题10分)下图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为100,U BEQ =0.7V , r bb’=100Ω, 试计算T1管和T2管的发射极静态电流I EQ , 以及动态参数Aud , Ri 和Ro 。要求画出电路的交流等效电路。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)

《模拟电子技术》复习试题一 一、填空(每空1分,共20分) 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种:直接耦合;阻容耦合;变压器耦合;在集成电路中通常采用直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真,要消除此失真,应改用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用阻容耦合方式, T接成共基 1 组态, T接成共集组态,1R和2R的作用是为T1管提供基极偏 2 置。 6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值增大。 7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T , 相位条件是()πω?±=T 。 二、简答(共3小题,每小题5分,共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 (1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极 1分, 共3分) (2)估算(b)图晶体管的β和α值。 601.06===B C I I β, 985.01≈+=β βα (各1分,共2分)

2.电路如图3所示,试回答下列问题 (1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈? R应如何接入?(在图中连接) f 答:应接入电压串联负反馈(1分) R接法如图(1分) f (2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分) 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。

模拟电子技术期末试题

第四章 集成运算放大电路 自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A .可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C .集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大 B 。 A .高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C .参数一致性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A .减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻 (5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用 A 。 A .共射放大电路 B . 共集放大电路 C .共基放大电路 解:(1)C (2)B (3)C (4)A (5)A 二、判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 (1)运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。(×) (2)运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。(√) (3)运放的共模抑制比c d CMR A A K (√) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。(√) (5)在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。(× )

习题 4.1 通用型集成运放一般由几部分电路组成,每一部分常采用哪种基本电路?通常对每一部分性能的要求分别是什么? 解:通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。 通常,输入级为差分放大电路,中间级为共射放大电路,输出级为互补电路,偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求:输入电阻大,温漂小,放大倍数尽可能大。 对中间级的要求:放大倍数大,一切措施几乎都是为了增大放大倍数。 对输出级的要求:带负载能力强,最大不失真输出电压尽可能大。 对偏置电路的要求:提供的静态电流稳定。 第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 (1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 A 。 A.输入电压幅值不变,改变频率 B.输入电压频率不变,改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 (2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 (3)当信号频率等于放大电路的f L或f H时,放大倍数的值约下降到中频时的 B 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 A 。 A.3dB B.4dB C.5dB

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1 =100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ;共模输入电压u Ic =90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的β1 = 30,V 2的β2 = 50,则复合后的β约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

电子技术复习卷

1.硅二极管的导通电压为 伏;锗管死区电压是 伏。 2.为了消除乙类互补功率放大器输出波形的______________失真,而采用________________ 类互补功率放大器。 3.晶体三级管中有两个PN 结,其中一个PN 结叫做 ;另一个叫做 。 4.按照组合方式的不同,三极管可以分为 和 两类。 5.十进制数35转换成二进制数为 。二进制数10110010转换成八进制数为 。 6.晶体三极管共发射极交流放大系数β的定义表达式为 ,直流电流放大系数β的定义表达式为 ;晶体三极管I E 、I C 、I B 之间的关系式是 。 7.下图中稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别是7V 和13V ,稳定电流是10mA ,允许的最大工作电流是30 mA ,正向导通压降0.7V ,图中的输出电压为______V 。 4 32DZ1 DZ2 V 2K + _ Uo (a) DZ1DZ2 V 2K + _Uo DZ1DZ2 40V 2K + _ Uo (c) (d) DZ1 DZ2 40V 2K + _ Uo (b) 8.单相半波可控整流电路,电阻性负载,控制角α=600 ,则晶闸管导通角θ等于 。 9.门电路中,最基本的逻辑门是 、 和 。 10. RC 微分电路的作用是把矩形波变成 ,RC 积分电路的作用是把矩形波变 成 。 11.P 型半导体中空穴为_________载流子,自由电子为________载流子。 12.PN 结正偏时_______,反偏时________,所以PN 结具有________导电性。 13.当双极型晶体三极管工作在放大区时,偏置电压应满足发射结________,集电结_______________。 14.为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用_______________负反馈,为了稳定交流 输出电流采用______________负反馈。 15.为了消除乙类互补功率放大器输出波形的______________失真,而采用 ________________类互补功率放大器。 16.某负反馈放大电路框图如下所示,则电路的放大倍数为_______。 17.十进制数67转换成二进制数为 。二进制数11111010转换成八进制数为 。 18.门电路中,最基本的逻辑门是 、 和 。 A =100 X o F =0.09 X i

模拟电子技术试卷五套 含答案

模拟试卷一 一、填空(16分) 1.半导体二极管的主要特性是___________ 。 2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。 3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。 4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。 5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。 6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V, V,则这只三极管是( )。 A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。 A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。 B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。 C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。 D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。 4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。 A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。A.减小C,减小Ri B.减小C,增大Ri C.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri 6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则 复合后的 b 约为( )。 A.1500 B.80 C.50 D.30 7.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选 频网络和( )。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 8.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数:V1的 b1 、rbe1,V2的 b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。

模拟电路试卷(总集)

苏州大学模拟电路课程试卷(1 卷)共4页 一. 填空题:(20分) 1. PN 结伏安特性方程为I=_____________________。 2. 高频时二极管的单向导电性变差,原因是PN 结存在___________ (A. 结电容 B. 反向击穿 C. 单向导电性)。 3. 温度升高时,二极管的正向导通压降将 。 (A. 增大 B. 减小 C. 不变) 4. 单管共射电路当输入正弦波信号幅度很大时,输出信号波形可能产生_______和_________失真(A 饱和 B 截止C 交越 D 频响)。 5. 放大器为了稳定放大倍数,可以引入______(A.交流 B.直流)。 6. 100μV ~10V 范围内的音频信号, 经过_____(A.对数 B.指数 C.乘法)运算电路处理后,可以用0V ~ 10V 范围的电压表反映。 7. 已知 则此电路为_________(A. HPF B. LPF C. BPF D. BEF)滤波电路。 8. ___________(A 简单 B 滞回 C 窗口 D 三态)比较器在输入电压足够高和足够低的时候,输出电 平是相同的。 9. 正弦波振荡器按照选频网络的元件类型可分为三类:_____________、_______________和 _________________。 10. 滤波电路的主要目的是____________________________________。 二.分析计算题: 1.(16分) 图示单管共射电路中,已知晶体管β=100, r bb'=200, (1)求I CQ ,U CEQ (2)求r be (3) 画出微变等效电路 (4) 求Au ,Ri ,Ro 2.(12分) 图示差动放大电路中,两个三极管的β=60,r bb'=200, (1)试求I CQ1 ,U C1 (2) 求Aud ,Rid ,Ro (3) 求Auc 1110 200)(++=f f Q j f f j f f Q j Aup Au

电子电路中复习试卷

第10章电子电路中常用的元件习题参考答案 一、填空题: 1. PN结的单向导电性指的是PN结正向偏置时导通,反向偏置时阻断的特性。 2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压U BE分别为0.7 V和0.3 V。 3. 晶体三极管有两个PN结,分别是发射结和集电结,分三个区域饱和区、放大区和截止区。晶体管的三种工作状态是放大状态、饱和状态和截止状态。 4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏,则此三极管处于饱和状态;其发射结和集电结都处于反偏时,此三极管处于截止状态;当发射结正偏、集电结反偏时,三极管为放大状态。 5. 物质按导电能力强弱可分为导体、绝缘体和半导体。 6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是P型半导体,其多子为空穴。 7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是:V1=2V,V2=1.7V,V3=-2.5V,可判断该三极管管脚“1”为发射极,管脚“2”为基极,管脚“3”为集电极,且属于锗材料PNP型三极管。 8. 稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管,工作在特性曲线的反向击穿区。 二、判断题: 1.在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。(对) 2. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。(错)

3. 用万用表测试晶体管好坏时,应选择欧姆档中比较大的量程。(错) 4. PNP管放大电路中,U CC的极性为负,说明发射结反偏,集电结正偏。(错) 5. 晶体管可以把小电流放大成大电流。(对) 6. 晶体管可以把小电压放大成大电压。(错) 7. 晶体管可用较小电流控制较大电流。(对) 8. 如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流I ,则该管被击穿。(错) CM 9. 二极管若工作在反向击穿区,一定会被击穿。(错) 三、选择题: 1. 处于截止状态的三极管,其工作状态为(B)。 A、发射结正偏,集电结反偏; B、发射结反偏,集电结反偏; C、发射结正偏,集电结正偏; D、发射结反偏,集电结正偏。 2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3. 稳压二极管的正常工作状态是(C)。 A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 4. 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为(B)。 A、PNP管,CBE; B、NPN管,ECB; C、NPN管,CBE; D、PNP管,EBC。 5. 用万用表R×1K的电阻挡检测某一个二极管时,发现其正、反电阻均约等

模拟电子电路技术试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题1 一、填空题(每空1分,共32分) 1、空穴为()载流子。自由电子为()载流子的杂质半导体称为P型半导体。 2、PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为()反之称为() 3、由漂移形成的电流是反向电流,它由()栽流子形成,其大小决定于(),而与外电场()。 4、稳定二极管稳压时是处于()偏置状态,而二极管导通时是处于()偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是()控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO()所以Ic也() 。 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点,采用()负反馈。为稳定交流输出电压,采用()负反馈,为了提高输入电阻采用()负反馈.。 8、负反馈使放大电路增益下降,但它可以()通频带()失真。 9、反馈导数F=()。反馈深度是()。 10、差分放大电路能够抑制()信号,放大()

信号。 11、OCL电路是()电源互补功放,OTL是()电源互补功放。 12、用低频信号改变高频信号的相位称为()。低频信号称为()、高频信号称为()。13、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而()。共基极电路比共射极电路高频特性()。14、振荡电路的平衡条件是(),()反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 15在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。 二、选择题(每空2分,共34分) 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率

模拟电子技术考试试题大全及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。 2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电 压()。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电 阻为(),等效成断开; 4、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降()。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用 ()负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= ()。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大 小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点, 所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息 的工具,称为()。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。 二、选择题(每空2分共30分) 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(), 它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止

模拟电子电路考卷

功放的主要优点是 ,但出现交越失真,克服交越失真的方法 。乙类 A 、反向偏置击穿状态 、反向偏置未击穿状态 C 正向偏置导通状态 、正向偏置未导通状态 2、在本征半导体中掺入( )构成N 型半导体。 A 、积分运算电路 B 、微分运算电路 C 、过零比较器 D 、滞回比较 模电重修考卷 一、填空题(共20分,每空1分)。 1、 二极管的最主要特性是 ____________ o PN 结外加正向电压时,扩散电流 __________ 漂移电流,耗尽层 _____________ o 2、 某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压 V a = 1.2V, V b = 0.5V, V c = 3.6V,试问该三极管是 ____________ 管(材料), ________ 型的三极管,该 管的集电极是a 、b 、c 中的 _____________ o 3、 已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB 和20dB,则该 放大电路总的对数增益为 _____ dB ,总的电压放大倍数为 ________ o 4、 已知某差动放大电路 A d =100、K cMR =60dB,则其A= _______________ 。集成电路运 算放大器一般由 _________________ 、中间级、输出级、 __________________ 四部 分组成。 &差分式放大电路能放大直流和交流信号,它对 _________________________ 具有放 大能力, 它对 __________________ 具有抑制能力。 7 、 负反馈放大电路的四种基本类型 是 ______________________ 、 _____________________ 、 ____________________ 、 和 ________________ o 8、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为 是 二、单项选择题(共20分,每小题2分,在每小题给出的选项中只有一个符合 题目要求,把所选项前的字母填入题前的表格内 ) 1、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于( A 3价元素 B 、4价元素 C 5价元素 D 、6价元素 3、已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示 ,该电路可能是()o

2439中央电大数控专业《电工电子技术》期末考试复习题分解

试卷号2439 中央电大数控专业《电工电子技术》期末考试复习指导 重庆电大经贸学院韦济全整理 作业与自我检测题: 电工电子技术课程涉及面广泛,既包括强电又包括弱电,是数控技术专业重要的电类基础课。它不仅在电学基础知识方面对后续课程的学习奠定了基础,同时电工电子技能训练又是数控专业技能训练的重要铺垫,因此学好这门课程是极其重要的。为帮助同学们在学习过程中以基本教学要求为导向,突出重点内容的掌握,特编写作业与自我检测题。有关说明如下: (1)作业与自我检测题体现本课程的重点教学内容。 (2)作业与自我检测题,尽量避免不必要的求证题、推导题和繁复的计算题。 (3)题目形式与考试试题形式大致相同,其目的是使学生在掌握基本教学要求的前提下,增强应试能力。 (4)作业题均给出解题步骤和参考答案,帮助同学们自我检测。 复习题: 一、单项选择题 1、图1所示电路中电流I为( B )。 A.5A B.-15A C.-5A 2、图2所示是某电路中某一支路的电压“和电流i的波形,可以判断该支路(A)。 A.电阻电感串联电路 B.电阻电容串联电路 C.纯电感电路 3、已知交流信号源的内阻为1000Q,通过一个变压比可调的变压器接10Q的负载R要使负载获得最大功率,变压器的变压比走为(B )。 A.100 B.10 C.20 4、已知一电感性电路,功率因数为0.6。其两端并联一电容器后,功率因数提高到O.9,则其总电流( C )。 A.不变 B.增大 C.减小 5、在三相电路里,下列三种结论中,正确的是(C )。 A.当负载做星形连接时,必定有中线 B.凡负载作三角形连接时,其线电流必定是相电流的√可倍 C.三相四线制星形连接下,电源线电压必定等于负载相电压的万倍。 6、既要使放大电路具有稳定输出电压的作用,又要提高其输入电阻,应采用下列( C ) 种反馈形式。 A.电流并联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电压串联负反馈 7、描述逻辑功能的方法是(A )。 - A可用真值表、逻辑图、表达式三种方法中的任何一种 B.只能用真值表、逻辑图两种方法中的任何一种 C.只能用真值表、表达式两种方法中的任何一种’ 8、JK触发器具有( C )功能。 A.置位、复位、保持B.置位、复位、翻转C.置位、复位、保持、翻转

模拟电路试题库

1.PN结反向电压时,其空间电荷区将,使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中,耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号,而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象,这是属于失真。

电路与模拟电子技术期末考试试卷

皖西学院07–08学年度第2学期期末考试试卷(A 卷) 计算机系计算机科学技术专业本06级电路与模拟电子技术课程 参考答案 一.填空题:本大题共12小题,每小题2分,共24分。 1、换路定律主要针对储能元件而言,电场储能不能突变,对电感而言,是指电感两端的 电流 不能突变,用数学表达式表示为 i(0+)=i(0-) 。 2、在对称三相交流电路中,各相之间的相位差为 120度或2/3π ,线电压与相电压的关系为 U L =1.73U P 。 3、稳压二极管配以合适的电阻在电路中起稳压作用,稳压二极管正向接入电路时,其元件上的压降为 0.5——0. 7V 。 4、微分电路中,对电容的取值有要求,设输入交流信号的周期T ,负载等效电阻为R L ,则R L ·C 与T 之间的关系应满足 R L C <<0.2MIN{t p ,T-t p } 。 5 、正弦交流量的三要素是指 振幅 、 周期 、 相位(初相) 。 6、光电二极管的电路符号为 。 7、NPN 型三极管的电路符号为 。 8、晶体三极管是 电流 型控制元件,场效应管是 电压 型控制元件。 9、运算放大器为了减小零点漂移,输入级采用 差动 放大电路。 10、运算放大器的电压放大倍数主要在 中间 级(输入、中间、输出), 为 直接耦合放大 。 11、有一8位T 形电阻网络D/A 转换器,已知U R =+8V,R F =3R 当D 7~D 0为10000000,时的输出电压U 0= -4V 。 二. 绘图题:本大题共3小题, 共10分。 1、 1、图形正确3分,计算出3.7得1分 2、本电路是正反馈电路(3分)。 3、本电路是负反馈电路(3分)。 三.应用题:本大题共8小题,共66分。 1、解:各点的电位 d 点为参考点,Ud =0V Ub =Ubd =I 3R 3=2A ×5Ω=10V Ua =Uad =E 1=40V Uc =Ucd =E 2=5V 电压 Uab = Ua - Ub = 40V -10V = 30V Ubc = Ub - Uc = 10V -5V = 5V 2、解: 电路等效如图所示: Ω 6 ab R =Ω=+++??++?46106 36 36 )10636 3(

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础(1)》期末试题 (A 卷)参考答案及评分标准 一、填空(每空1分,共20分) 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合; 变压器 耦合;在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ,要消除此失真,应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用 阻容 耦合方式,1T 接成 共基 组态,2T 接成 共集 组态,1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πω?±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 (1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分) (2)估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β, 985.01≈+= ββα (各1分,共2分)

2.电路如图3所示,试回答下列问题 (1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈? R f 应如何接入?(在图中连接) 答:应接入电压串联负反馈(1分) R接法如图(1分) f (2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分) 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。(组成部分3分,功能2分)

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题:(要求) 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。 半导体中中存在两种载流子:和。纯净的半导体称为,它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是; 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出 保持稳定,因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分,同时,尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流,而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来,以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中,已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻,则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器,Av2是( ) 放大器,Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下,得出两个重要结论他们是:( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中,若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题: 1、PN结外加正向电压时,扩散电流_______漂移电流,耗尽层_______。

电子技术基础复习试题与答案

电子技术基础 一、选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6.若A+B=A+C,则() (A) B=C;(B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指() (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是() (A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是() (A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() (A)增加(B)减少(C)不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的() A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 13.将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为()

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