场发射扫描电镜技术标书

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场发射扫描电镜技术标书附件:场发射扫描电镜技术标书

一、设备用途

扫描电镜是一种多功能的仪器,广泛地用于材料的微观组织观察、微区成分分析、材料的断口分析、材料的晶粒度分析、夹杂物分析及织构表征等,可对导电及不导电的固体材料进行表面形貌的观察及成分分析。场发射电镜能够实现更高分辨率的形貌观察,可实现对超细晶材料尤其是纳米材料的表征。基于相关附件,也可以对材料在温度及应力作用下的动态变化进行原位观察。

仪器包括电子光学系统、真空系统、样品室和样品台、探测器及成像系统、图像处理系统、应用软件及数据处理软件、X射线能谱分析仪

(EDS)、背散射电子衍射分析仪(EBSD)、原位加热台。

二、技术参数

1 . 运行环境

1.1工作温度:可以在15?25环境温度工作1.2相对湿度:湿度小于60%RH时正常工作1.3工作电压:在220V( ±0%)、50Hz电压下,仪器可连续使用

2.电子光学系统

2.1电子枪:Schottky场发射电子枪

2.2加速电压:0?2kV?30KV,步长10V连续可2.3电子束流:束流连续可调,稳定性优于

0.2%/h

2.4放大倍数:15倍?100万倍

2.5工作距离:5?50mm,粗调、精调两种模式

2.6物镜:无漏磁物镜,能有效观测磁性样品

2.7物镜光阑:具备自清洁功能

3.真空系统

3.1机械泵、分子泵、离子泵三级抽真空系统*3.2真空模式:能够满足基本的成像、分析的高真空模式,同时满足原位加热台等附件工作的需要模式3?3真空度:电子枪真空度优于10-7Pa.样品室高真空优于104Pa

3.4抽真空时间:不高于5min 4?检测器及成像系统

4.1成像模式:背散射成像、二次电子成像、任

意比例混合模式成像

4.2检测器:电子探测器不少于3个,镜筒内二

次电子探测器1个'高灵敏度低电压固体背散射探测器1个

4.3相机:样品室红外高清CCD相机

4.4检测器分辨率

*4.4.1二次电子分辨率:30kV时小于1.0nm或20kV时小于1.3nm,1kV时优于3.0 nm

*4.4.2背散射电子分辨率:30kV时小于2.5nm,1kV时优于3.0nm

5.样品室和样品台

5.1样品台:自动马达驱动5轴以上(X、Y、Z、T、R)

*5.2 移动范围:X>100mm、YA 100mm、Z> 50mm T=-5?70 ° R=360°连续旋转

5.3移动精度:优于2ym

5.4样品室尺寸:内径不小于300mm,高度不小于200mm,可容纳样品直径不小于200mm

5.5样品室有EDS、EBSD接口

*5.6可加配加热台和原位拉伸台,加热台运行时应保证成像系统和EBSD能够同步运行

6.图像处理系统

6.1存储分辨率:不低于30002000像素

6.2活动窗口:多个活动窗口,可同时显示背散射

及二次电子图像

6.3图像格式:TIFF、BMP、JPEG等多种图像格式6.4图像帧数:不小于256帧,可降噪处理

6.5能够进行数字动画记录

6.6具有图像注释、测量等图像处理功能

7.控制和数据处理系统

7.1基于以太网架构的数据传输系统

7.2软件平台适用于windows操作系统

7.3显示器:24” LED显示器

8 X射线能谱分析仪(EDS)

8.1能量探测器:电制冷硅漂移探测器(SDD)

*8.2有效采集面积:SDD晶体有效活区面积不小于30mm2,窗口有效面积不小于20mm2,可实现低电压或者小束流条件下的高质量、高效率分析

*8.3探测器定位:探测器由马达控制精确定位,软件可控,能够实时监测和控制采集计数率,保证不同样品的数据重复性和测试条件重复性的目的*8.4能量分辨率:Mn Ka优于127eV, C Ka优于50eV, F Ka 优于60eV

8.5元素分析范围:至少为Be4?U92

*8.6峰背比:优于20000:1

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