简易三极管特性曲线测试电路

简易三极管特性曲线测试电路
简易三极管特性曲线测试电路

简易三极管特性曲线测

试电路

文稿归稿存档编号:[KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58-

天津职业技术师范大学

课程设计报告

课程题目:简易三极管特性曲线测试电路设计成员:王昕徐盼盼梁佳欣邓裕明

指导教师:谷金清孔维敬

1.题目

简易三极管特性曲线测试电路

2.主要技术指标

利用示波器X-Y图示功能设计电路用示波器显示三极管的至少4条不同的ib的输出特性曲线

3.方案论证及选择

三极管的特性输出曲线是指在基极电流ib一定的情况下,集电极电流ic与电压Vce之间所对应的关系曲线。没取一个ib,ic与Uce就对应一条关系曲线,因此,输出特性曲线是由若干条曲线构成的。

首先,要显示一条输出特性曲线,就必须给基极提供一个固定不变的电流(可转变成电压),再给三极管的集电极和发射极之间提供一个连续可变的扫描电压(即示波器的X输入),由于三极管的基极电流非常小,所以集电极电流可近似为发射极电流,而从发射极电阻得到的发射极电位与发射机电流的变化规律是相同的。因此再将发射极的电位送至示波器的Y输入,三极管的一条特性曲线就会在示波器上显示出来。

最后,要显示出一组特性输出曲线,就要在显示一条线的基础上,按照一点的时间间隔给三极管的基极提供相同的基极电流(即阶梯信号),而且基极电流与c,e之间的电压变化必须同步,另外,要想连续的显示输出特性曲线,基极电流与c,e之间的扫描电压就必须是周期相同且相位同步的信号。再有,周期的选取应考虑人视觉的短暂性,确保输出特性曲线的显示不闪烁。

4.电路仿真

5.系统组成框图

6.单元电路设计

(a)方波 ---三角波产生电路设计

(b)可编程放大器的设计

(c)八进制时序计数器的设计

(d)梯形基极电流产生电路和集电极电流变换电路

7.总体电路图

8.调试过程及测试结果

在调试中出现了几个问题:1、只出现锯齿波波形,没有阶梯波波形,而且锯齿波的波形效果不理想,上升的过程中,波形略有幅度,并非直线上升。2、显示的阶梯波不成形,每个阶梯的高度不一样,而且在应该平直的地方出现陡变(也非线性变化)3、在最终波形的叠加中,得到的特性曲线较正确的曲线来说按原点对称了。后来进过反复的测试终于得到了完整的波形。

9.主要元件清单

电阻: 10kΩ、9个 400Ω、一个

25kΩ、1个 1kΩ、2个

100kΩ、一个 300kΩ、一个

滑动变阻器 2个

运算放大器:LM324、三个

CC4022、一个

CC4066、一个

电容: 1微法一个

三极管 2N2222 一个

稳压二极管 D 10V 2个

7.总结

电1302 34 王昕:在本次电子技术课程设计中,尽管在设计电路时遇到了一系列的问题,但我们还是通过努力,查找相关书籍,解决了各个问题。在解决问题的过程中,也掌握所遇到的相关知识,拓宽了视野,提高了实践能力,自学能力,包括团队的合作精神。我想此次课设中我们所学到的,必定在将来有重要作用。虽然经过了仿真,可当电路板做出来时,并没有如设计的要求实现它的功能,发光二极管并没有亮,经检测是芯片的16管脚并没有电压到达,经过检查VCC的线路,发现所有需要输入电压的管脚的VCC线路并没有形成一个闭合回路,发现问题后重新做出来的电路板基本上能调试出来,但秒脉冲相对较快,经过调节电位器R2,秒脉冲便恢复正常。在为期几天的时间里,通过作者与同组人的共同合作及在指导老师的帮助下,借助图书馆,互联网等各种信息

平台收集资料,经过汇总,提炼,不断提高自己的动手能力最终成功完成设计。

电1302 39 徐盼盼:在这次课程设计中,设计小组获得了很深的感触。虽然理论知识都已经熟悉掌握,但是运用起来却十分困难。这就要求学习者要经常参加实践课程,重视每一次任课老师安排好的实验,认真对待每一次的实验,端正态度。每一次试验后要认真总结,在脑海中思考如何将本章所学理论知识运用到本次试验中。要学会注重检验自己,反思问题。数字电子技术是一门大学生必修的重要课程,该课程就是注重加强学生将理论知识与时间相结合的能力。通过本次课程设计,设计小组的设计思路有所提高,排查电路故障和调试的能力都得到了一个很好的提升。在课程设计之前,必须做好相关准备工作,如到图书室借阅资料,网上查找重要信息,了解设计任务的发展背景以及发展前途,关注当前社会的电子技术产品应用情况和社会的电子需求。更重要的是,明白设计任务的重要意义,通过本次设计课题,自己需要提高什么,要善于寻找自己的弱点和错误,不断提高自己的设计水平。最后一点,就是在做课设之前必须先将相关知识弄懂,不能迷糊的去做实验。认真了解每一个逻辑元件的功能和使用方法,以免在设计中带来麻烦和错误。

电1302 18 梁佳欣:一个课程设计就能反映一个学习者的理论知识是否学的扎实。因此,设计小组强烈建议进行电子技术设计的学生一定要注意平时学好数字逻辑与数字系统的课程知识在选好课程设计的题目后,和同组人一起去查资料然后分析讨论,最终确定了实验电路。有了

实验电路后列写元件清单然后申请元件之后根据电路图及电路板的大小对整体进行了布局。之后进行焊接在两个人的配合之下顺利的将电路焊好,紧接着接上电源进行验证但结果让人伤心,什么现象都没有。我们只好耐着性子对着电路图检查所焊的电路板看是否焊接时除了错误,在两人的认真检查下发现是忘了联几根比降短的线,将焊接中存在的问题都改正后再拿去验证发现基本达到了要求,我们通过查资料以及向老师和同学请教终于确定了电路图,我们照着电路图将电路焊好,和基本模块一起拿去测试,发现达到了要求。但由于时间的问题定时部分任存在点问题,但总体上已经完成了任务要求。

电1302 04 邓裕明:课程设计是对学生能力的一项综合性考察,根据课程设计的任务与要求将不同章节、不同科目的知识联系在一起,综合应用。通过这两个星期的课设,我收获了许多。首先,对电路原理有了更深的理解。通过设计三极管输出特性曲线的测试电路,对三极管的工作原理、运算放大器的使用、方波——三角波产生电路以及芯片CC4066、CC4022的功能与使用有了更深的了解。通过自己的设计,组友之间得互相商量、探索知道各个单元电路中各个元器件的最佳取值、功能及作用。其次,我深刻的领会到理论与实际之间的差距。原理知识的充沛并不能使我们在实践中游刃有余,仍需要我们不断的修改,而且通过计算理论上可以实现所需要的功能,但仿真时却得不到想要的图形。重新设置了参数,不断的调试,才能得到想象中的输出特性曲线了。最后,此次课设激发了我学习的积极性。通过课设,将课本上的知识加以应用,使学习变得生动有趣,同时加深了对课本知识的理解和掌握。在课设过

程中,有自己独立的思考和独到的见解,有同学的互相切磋,出谋划策,使我们由被动变为主动,当调试成功后,很有成就感。

8.主要参考文献

《电子技术基础》、《数字电子技术基础》

《电子技术动手实践》

三极管的共射特性曲线

三极管的共射特性曲线 三极管的特性曲线是描述三极管各个电极之间电压与电流关系的曲线,它们是三极管内部载流子运动规律在管子外部的表现。三极管的特性曲线反映了管子的技术性能,是分析放大电路技术指标的重要依据。三极管特性曲线可在晶体管图示仪上直观地显示出来,也可从手册上查到某一型号三极管的典型曲线。 三极管共发射极放大电路的特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线,下面以NPN型三极管为例,来讨论三极管共射电路的特性曲线。 1、输入特性曲线 输入特性曲线是描述三极管在管压降UCE保持不变的前提下,基极电流iB和发射结压降uBE之间的函数关系,即 (5-3)三极管的输入特性曲线如图5-6所示。由图5-6可见NPN型三极管共射极输入持性曲线的特点是:BE虽己大于零,但i B几乎仍为零,只有当u BE的值大于开启电压后,i B的值与二极管一样随u BE的增加按指数规律增大。硅晶体管的开启电压约为0.5V,发射结导通电压V on 约为0.6~0.7V;锗晶体管的开启电压约为0.2V,发射结导通电压约为0.2~0.3V。 CE=0V,U CE=0.5V和U CE=1V的情况。当U CE=0V时,相当于集电极和发射极短路,即集电结和发射结并联,输入特性曲线和PN结的正向特性曲线相类似。当U CE=1V,集电结已处在反向偏置,管子工作在放大区,集电极收集基区扩散过来的电子,使在相同u BE值的情况下,流向基极的电流i B减小,输入特性随着U CE的增大而右移。当U CE>1V以后,输入特性几乎与U CE=1V时的特性曲线重合,这是因为Vcc>lV后,集电极已将发射区发射过来的电子几乎全部收集走,对基区电子与空穴的复合影响不大,i B的改变也不明显。CE必须大于l伏,所以,只要给出U CE=1V时的输入特性就可以了。 2、输出特性曲线 输出特性曲线是描述三极管在输入电流i B保持不变的前提下,集电极电流i C和管压降u CE之间的函数关系,即

几种常用的光耦反馈电路应用

几种常用的光耦反馈电路应用

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在一般的隔离电源中,光耦隔离反馈是一种简单、低成本的方式。但对于光耦反馈的各种连接方式及其区别,目前尚未见到比较深入的研究。而且在很多场合下,由于对光耦的工作原理理解不够深入,光耦接法混乱,往往导致电路不能正常工作。本研究将详细分析光耦工作原理,并针对光耦反馈的几种典型接法加以对比研究。 1 常见的几种连接方式及其工作原理 常用于反馈的光耦型号有TLP521、PC817等。这里以TLP521为例,介绍这类光耦的特性。 TLP521的原边相当于一个发光二极管,原边电流If越大,光强越强,副边三极管的电流Ic越大。副边三极管电流Ic与原边二极管电流If的比值称为光耦的电流放大系数,该系数随温度变化而变化,且受温度影响较大。作反馈用的光耦正是利用“原边电流变化将导致副边电流变化”来实现反馈,因此在环境温度变化剧烈的场合,由于放大系数的温漂比较大,应尽量不通过光耦实现反馈。此外,使用这类光耦必须注意设计外围参数,使其工作在比较宽的线性带内,否则电路对运行参数的敏感度太强,不利于电路的稳定工作。 通常选择TL431结合TLP521进行反馈。这时,TL431的工作原理相当于一个内部基准为2.5 V的电压误差放大器,所以在其1脚与3脚之间,要接补偿网络。 常见的光耦反馈第1种接法,如图1所示。图中,Vo为输出电压,Vd为芯片的供电电压。com信号接芯片的误差放大器输出脚,或者把PWM 芯片(如UC3525)的内部电压误差放大器接成同相放大器形式,com信号则接到其对应的同相端引脚。注意左边的地为输出电压地,右边的地为芯片供电电压地,两者之间用光耦隔离。 图1所示接法的工作原理如下:当输出电压升高时,TL431的1脚(相当于电压误差放大器的反向输入端)电压上升,3脚(相当于电压误差放大器的输出脚)电压下降,光耦TLP 521的原边电流If增大,光耦的另一端输出电流Ic增大,电阻R4上的电压降增大,com 引脚电压下降,占空比减小,输出电压减小;反之,当输出电压降低时,调节过程类似。 常见的第2种接法,如图2所示。与第1种接法不同的是,该接法中光耦的第4脚直接接到芯片的误差放大器输出端,而芯片内部的电压误差放大器必须接成同相端电位高于反相端电位的形式,利用运放的一种特性——当运放输出电流过大(超过运放电流输出能力)时,运放的输出电压值将下降,输出电流越大,输出电压下降越多。因此,采用这种接法的电路,一定要把PWM 芯片的误差放大器的两个输入引脚接到固定电位上,且必须是同向

三极管的测量方法

三级管的在路测量,(1).NPN管的电压正常是:VC>VB>VE.其中PN结电压是0.5V左右,也就是:VB>VE的电压是0.5V,明显大于2V或者VB∠VE,三极管是损坏,(注: VC的电压大小是不固定的,看这个管的承受多大的内压) (2).PNP管的电压正常是:VE>VB>VC. 其中PN结电压是0.5V左右, 也就是: VE>VB 的电压是0.5V,明显大于2V或者VE∠VB, 三极管是损坏,( VC的电压大小是不固定的,看偏置电路是要多大的电压,但一定适上面的VE>VB>VC电压的大小) 2.拆下来时的三极管测量(R*1K档来测量) 根据PN结的原理:和二极管一样,正向电阻一边用万用表测是相通,对调红.黑笔反向来测是不通.拆下来时的三极管,(1) NPN管:任意测三极管的两个脚,当发现固定黑笔接的一脚不动,用红笔分别接另外两脚时,万用表的指针摆动,电阻是相同.反过来对调表笔,红笔固定的一脚不动,用黑笔分别接另外两脚时,万用表的指针不摆动,电阻是无穷大.哪确定;固定的一脚确定是b极(坏的三极管是对调表笔也是相通的) . (2) PNP管:任意测三极管的两个脚,当发现固定红笔接的一脚不动, 用黑笔分别接另外两脚时,万用表的指针摆动,电阻是相同.反过来对调表笔,黑笔固定的一脚不动, 用红笔分别接另外两脚时,万用表的指针不摆动,电阻是无穷大.哪确定;固定的一脚确定是b极 3(确定C极和E极) 三极管好坏的判断(R*10K档来测量) (1)(确定C极和E极) NPN好坏的判断:上面已确定了B极,R*10K档来测量.用黑笔和红笔分别接触另外两极,保持红笔和黑笔现在状态不变用手指捏b极+红笔接的一极,发现指针摆动的幅度大,放大倍数大,黑笔接的是c极,红笔接的是e极(坏的三极管,用万用表的R*10K档来测量.红,黑笔测量c.e极,接法和二极管测量相同,一边相通,对调表笔另一边是不通,例如;R*10K档的黑笔接C极红笔接E极指针摆动一点,说明是漏电损坏.经验总结:如果是好的三级管,用万用表的R*10K档来测量c.e电阻一边不通,极笔对调后,另一边是相通的有电阻,电阻大的和原来没有用过的同型号的三极管对比.B极E极输出电压偏低的. (2) (确定C极和E极) PNP好坏的判断 R*10K档来测量.用黑笔和红笔分别接触另外两极保持红笔和黑笔现在状态不变用手指捏b极+黑笔接的一极,同时捏两极,发现指针摆动的幅度大,放大倍数大,黑笔接的是e极,红笔接的是c极(坏的三极管,用万用表的R*10K档来测量.红,黑笔测量c.e极,接法和二极管测量相同,一边相通,对调表笔另一边是不通,例如:R*10K档的黑笔接E极红笔接极

如何测量三极管的好坏

下面是三极管的架构以及在电路图中的各种标识方法

万用表打到二极管档(蜂鸣档)对三极管测量时...首先我们要确定哪只脚是b极.于是用红表笔接触其中任意一只脚不动.用黑表笔去接触另外两只脚.如果能够测得两组相近且小于1的数字.说明此时红笔接触的就是b极.如果测得两组数字不相近..那说明此时红笔接触的不是b极..应把红笔换一只脚..黑笔去测另外两只脚...直到找到b极为止...假设我们知道哪只脚是b极...怎样去判断另外两只脚c极和e极呢?如下图:

图中红笔为b极.黑笔在另外两脚分别没得两组相近的数据..其中有一组数据会稍微大一点...此脚即为e极.小的那脚则为c极....并且我们知道此管为NPN三极管.因为红笔在b 极! 而对于PNP型三极管的测量方法也一样...只不过是黑表笔在b极..红笔接触另外两脚能测得两组相近的数据.,如下图: 下面是对场效应管的测量方法 场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管.而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管. 下图为MOS管的标识

我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。。。不管是N沟道还是P沟道都一样。。。把芯片放正。。。从左到右分别为G极D极S极!如下图: 用二极管档对MOS管的测量。。。首先要短接三只引脚对管子进行放电。。。 1然后用红表笔接S极.黑表笔接D极.如果测得有500多的数值..说明此管为N沟道..

2黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1. 3红笔移回到S极.此时管子应该为导通...

(整理)常见光耦电路

常见光耦电路 光电耦合器具有体积小、使用寿命长、工作温度范围宽、抗干扰性能强.无触点且输入与输出在电气上完全隔离等特点,因而在各种电子设备上得到广泛的应用.光电耦合器可用于隔离电路、负载接口及各种家用电器等电路中.下面介绍最常见的应用电路. 1.组成开关电路 图1电路中,当输入信号ui为低电平时,晶体管V1处于截止状态,光电耦合器B1中发光二极管的电流近似为零,输出端Q11、Q12间的电阻很大,相当于开关“断开”;当ui为高电平时,v1导通,B1中发光二极管发光,Q11、Q1 2间的电阻变小,相当于开关“接通”.该电路因Ui为低电平时,开关不通,故为高电平导通状态.同理,图2电路中,因无信号(Ui为低电平)时,开关导通,故为低电平导通状态.

2.组成逻辑电路 图3电路为“与门”逻辑电路。其逻辑表达式为P=A.B.图中两只光敏管串联,只有当输入逻辑电平A=1、B=1时,输出P=1.同理,还可以组成“或门”、“与非门”、“或非门”等逻辑电路. 3.组成隔离耦合电路 电路如图4所示.这是一个典型的交流耦合放大电路.适当选取发光回路限流电阻Rl,使B4的电流传输比为一常数,即可保证该电路的线性放大作用。 4.组成高压稳压电路

电路如图5所示.驱动管需采用耐压较高的晶体管(图中驱动管为3DG27)。当输出电压增大时,V55 的偏压增加,B5中发光二极管的正向电流增大,使光敏管极间电压减小,调整管be结偏压降低而内阻增大,使输出电压降低,而保持输出电压的稳定. 5.组成门厅照明灯自动控制电路 电路如图6所示。A是四组模拟电子开关(S1~S4):S1,S2,S3并联(可增加驱动功率及抗干扰能力)用于延时电路,当其接通电源后经R4,B6驱动双向可控硅VT,VT直接控制门厅照明灯H;S4与外接光敏电阻Rl等构成环境光线检测电路。当门关闭时,安装在门框上的常闭型干簧管KD受到门上磁铁作用,其触点断开,S1,S2,S3处于数据

如何检测三极管的三个极

如何检测三极管的三个极 可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型(NPN 型还是PNP 型), 并辨别出e(发射极)、b(基极)、c(集电极)三个电极。测试方法如下: ①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆挡置"R ×100" 或"R×lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧 至几千欧),则假设的基极是正确的,且被测三极管为NPN 型管;同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧), 则假设的基极是正确的,且被 测三极管为PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极",再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置"R × 100"或"R × 1k" 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触), 通过人体, 相当 b 、C 之间接入偏置电阻, 读出表头所示的阻值, 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小, 说明原假设成立, 因为 c 、 e 问电阻值小说明通过万用表的电流大, 偏置正常。 ③用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为 内部电池的正端。例:当把红表笔接在假设的基极上, 而将黑表笔先后接到其余两个极上, 如果表显示通〈硅管正向压降在0.6V 左右), 则假设的基极是正确的, 且被测三极管为NPN 型管。 数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时, 先确认晶体管类型, 然后将被测管子 e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。 三极管的管型及管脚的判别 为了迅速掌握测判方法,结出四句口诀:“三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。”下面进行解释。 一、三颠倒,找基极 大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同,可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管; 测试三极管要使用万用电表的欧姆挡,并选择R×100或R×1k挡位,红表笔正,黑表笔负。 假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型,也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的

三极管的特性曲线

三极管的特性曲线 教学目标: 掌握共射级三极管的输入、输出特性曲线 掌握三极管输出特性曲线的分区及各区的特点 会判断三极管的工作状态 教学重点: 三极管输出特性曲线的分区及各区的特点 教学难点: 三极管的工作状态的判断 教学方法: 讲授、分析、练习法 教学过程: 一、新课引入 三极管在电路应用时,有三种组态(连接方式),以基极为公共端的共基极组态、以发射极为公共端的共发射极组态和以集电极为公共端的共集电极组态,如图所示。 共发射极 共集电极 共基极 由于三极管的接地方式不同,三极管的伏安特性也不同,其中共发射极(简称共射)特性曲线是最常用的。 u i

二、新课讲授 1.共射输入特性曲线 当U CE 为某一定值时,基极电流i B 和发射结电压 u BE 之间的关系曲线入下图所示。 当U CE =0时,输入特性曲线与二极管的正向伏安特性相似,存在死区电压U on (也称开启电压),硅管U on ≈0.5V ,锗管约0.1V 。只有当U BE 大于U on 时,基极电流i B 才会上升,三极管正常导通。硅管导通电压约0.7V ,锗管约0.3V 。 随着U CE 的增大输入特性曲线右移,但当U CE 超过一定数值(U CE >1)后,曲线不再明显右移而基本重合。 2.共射输出特性曲线 在基极电流I B 为一常量的情况下,集电极电流i C 和管压降u CE 之间的关系曲线入下图所示。 BE 0 40 输入特性曲线

1)截止区 I B =0曲线以下的区域称为截止区。 2)饱和区 u CE 较小的区域称为饱和区。三极管饱和时的u CE 值称为饱和电压降U CES ,小功率硅管约为0.3V ,锗管约为0.1V 。 3)放大区 一族与横轴平行的曲线,且各条曲线距离近似相等的区域称为放大区。此时,表现出三极管放大时的两个特性:①电流受控,即Δi C =βΔi B ;②恒流特性,只要I B 一定,i C 基本不随u CE 变化而变化。 例:如图说示是某三极管的输出特性曲线,从曲线上可以大致确定该三极管在U CE =6.5V ,I B =60μA (b 点)附近的β和β值。 解:在图示的输出特性曲线上作U CE =6.5V 的垂线,与I B =60μA 的 输出特性曲线交于 b 点,由此可得该点对应的4160 105.23 B C =?= =I I β 4020 10)7.15.2(3 B C =?-=??=i i β

光耦反馈常见几种连接方式及其工作原理

光耦反馈常见几种连接方式及其工作原理 来源:互联网?作者:佚名? 2017-11-07 14:12 ? 23793次阅读 在一般的隔离电源中,光耦隔离反馈是一种简单、低成本的方式。但对于光 耦反馈的各种连接方式及其区别,目前尚未见到比较深入的研究。而且在很 多场合下,由于对光耦的工作原理理解不够深入,光耦接法混乱,往往导致 电路不能正常工作。本研究将详细分析光耦工作原理,并针对光耦反馈的几 种典型接法加以对比研究。 1、常见的几种连接方式及其工作原理常用于反馈的光耦型号有TLP521、PC817等。这里以TLP521为例,介绍这类光耦的特性。TLP521的原边相当于一个发光二极管,原边电流If越大,光强越强,副边三极管的电流Ic 越大。副边三极管电流Ic与原边二极管电流If的比值称为光耦的电流放大 系数,该系数随温度变化而变化,且受温度影响较大。作反馈用的光耦正是 利用“原边电流变化将导致副边电流变化”来实现反馈,因此在环境温度变 化剧烈的场合,由于放大系数的温漂比较大,应尽量不通过光耦实现反馈。 此外,使用这类光耦必须注意设计外围参数,使其工作在比较宽的线性带内,否则电路对运行参数的敏感度太强,不利于电路的稳定工作。 通常选择TL431结合TLP521进行反馈。这时,TL431的工作原理相当于 一个内部基准为2.5V的电压误差放大器,所以在其1脚与3脚之间,要接 补偿网络。常见的光耦反馈第1种接法,如图1所示。图中,Vo为输出电压,Vd为芯片的供电电压。com信号接芯片的误差放大器输出脚,或者把PWM芯片(如UC3525)的内部电压误差放大器接成同相放大器形式,com 信号则接到其对应的同相端引脚。注意左边的地为输出电压地,右边的地为 芯片供电电压地,两者之间用光耦隔离。图1所示接法的工作原理如下:当输出电压升高时,TL431的1脚(相当于电压误差放大器的反向输入端)电压 上升,3脚(相当于电压误差放大器的输出脚)电压下降,光耦TLP521的原 边电流If增大,光耦的另一端输出电流Ic增大,电阻R4上的电压降增大,

三极管的检测及其管脚的判别

三极管的检测及其管脚的判别 使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程) 现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了,它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。但有朋友会说在测量某些无件时,它不如指针式的万用表,如测三极管。我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。以下就是我自己的一些使用经验,我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。大家不妨试试看是否好用或是否正确,如有意见或问题可以发信给我。 手头上有一些BC337的三极管,假设不知它是PNP管还是NPN 管。 图1三极管 我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。其形式就像下图。中间的是基极(B极)。

图2三极管的内部形式 首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。看上图可知,对于PNP管的基极是二个负极的共同点,NPN管的基极是二个正极的共同点。这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极,看图3。对于PNP管,当黑表笔(连表内电池负极)在基极上,红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数(一般0.5-0.8),如表笔反过来接则为一个较大的读数(一般为1)。对于NPN表来说则是红表笔(连表内电池正极)连在基极上。从图4,图5可以得知,手头上的BC337为NPN管,中间的管脚为基极。

图3万用表的二极管测量档 图4判断BC337的B极和管型(1)

图4判断BC337的B极和管型(2) 找到基极和知道是什么类型的管子后,就可以来判断发射极和集电极了。如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了,甚至有朋友会用到嘴舌,可以说是蛮麻烦的。而利用数字表的三伋管hFE档(hFE 测量三极管直流放大倍数)去测就方便多了,当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性,我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。 把万用表打到hFE档上,BC337卑下到NPN的小孔上,B极对上面的B字母。读数,再把它的另二脚反转,再读数。读数较大的那次极性就对上表上所标的字母,这时就对着字母去认BC337的C,E 极。学会了,其它的三极管也就一样这样做了,方便快速。 图5万用表上的hFE档

三极管单元测试题

三极管单元测试题 一、单选题(每题2分) 1. 关于三极管反向击穿电压的关系,下列正确的是( )。 A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>> B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>> C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>> D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>> 2. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ,则下列状态下三极管能正常工作的是( )。 A. mA 10,V 3C CE ==I U B. mA 40,V 2C CE ==I U C. mA 20,V 6C CE ==I U D. mA 2,V 20C CE ==I U 3. 放大电路如图所示,已知硅三极管的50=β,则该电路中三极管的工作状态为( )。 A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定 4. ( )具有不同的低频小信号电路模型。 A. NPN 管和PNP 管 B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管 C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管 D. 三极管和二极管 5. ( )情况下,可以用H 参数小信号模型分析放大电路。 A. 正弦小信号 B. 低频大信号 C. 低频小信号 D. 高频小信号 6. 硅三极管放大电路中,静态时测得集-射极之间直流电压U CE =,则此时三极管工作于( ) 状态。 A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 无法确定 7. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示,则此场效应管的类型是( )。

光耦pc817应用电路

光耦pc817应用电路 pc817是常用的线性光藕,在各种要求比较精密的功能电路中常常被当作耦合器件,具有上下级电路完全隔离的作用,相互不产生影响。 <光耦pc817应用电路图> 当输入端加电信号时,发光器发出光线,照射在受光器上,受光器接受光线后导通,产生光电流从输出端输出,从而实现了“电-光-电”的转换。 普通光电耦合器只能传输数字信号(开关信号),不适合传输模拟信号。线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件,能够传输连续变化的模拟电压或电流信号,这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号,从而使光敏晶体管的导通程度也不同,输出的电压或电流也随之不同。 PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。

\ \当输入端加电信号时,发光器发出光线,照射在受光器上,受光器接受光线后导通,产生光电流从输出端输出,从而实现了“电-光-电”的转换。 普通光电耦合器只能传输数字信号(开关信号),不适合传输模拟信号。线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件,能够传输连续变化的模拟电压或电流信号,这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号,从而使光敏晶体管的导通程度也不同,输出的电压或电流也随之不同。 PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。 光耦的测量: 用数字表测二极管的方法分别测试两边的两组引脚,其中仅且仅有一次导通的,红表笔接的为阳极,黑表笔接的为阴极(指针表相反)。且这两脚为低压端,也就是反馈信号引入端。 在正向测试低压端时,再用另一块万用表测试另外高压端两只脚,接通时,红表笔所接为C极,黑表笔接为E极。当断开低压端的表笔时,高压端的所接万用表读数应为无穷大。 同理:只要在反馈端加一定的电压,高压端就应能导通,反之,该器件应为损坏。光耦能否代用,主要看其CTR参数值是否接近。 测量的实质就是:就是分别去测发光二极管和3极管的好坏。 另外一种测量说法: 用两个万用表就可以测了。光电耦合器由发光二极管和受光三极管封装组

三极管的识别与检测方法(2)

三极管的识别与检测方法(2) 课型:理论+实践 教学目标 1、熟悉三极管外形,图形符号和文字符号; 2、了解三极管的种类与特点; 3、了解三极管的特性与参数; 4、掌握常用三极管的命名方法; 教学重点与难点 1、掌握三极管的外形,图形符号和文字符号; 2、了解三极管的种类与特点; 教学方法 讲授法、演示法 教学安排:2课时 教学过程 一、项目实施 任务一:普通三极管的识别与检测 工作任务: 1.识别不同类别的三极管 2.测量三极管 工作步骤: 1.识别各种三极管(按功率) (1)普通小功率三极管 普通小功率三极管通常采用TO-92封装,如图所示为9013三极管,其引脚顺序为E、B、C(引脚向下,面向元件型号)。 (2)中功率三极管 图所示为NPN型中功率三极管TIP41,其引脚顺序为B、C、E(引脚向下,面向元件型号),中功率三极管通常采用TO-220封装。 (3)金属外壳三极管 如图所示为开关三极管2N2222A,该三极管为NPN型三极管,采用金属外壳封装TO-18或TO-39,其引脚顺序如图所示,引脚向下,从凸起位置依次为E、B、C。

(4)大功率金属外壳三极管 图为大功率金属外壳三极管,其封装形式通常为TO-3,其外壳通常为集电极(C),另外两个引脚分别为基极(B)和发射极(E)。 (5)贴片三极管 图为贴片三极管8550,8550为小功率PNP三极管,其贴片型号为2TY,引脚顺序如图所示。 2、识别各种三极管(按引脚的现状) (1)色点标志 (2)凸形标记 (3)三角排列 (4)三脚等距平面性 (5)带散热片的三极管 3.用指针式万用表测量三极管 步骤一:判断三极管的基极(B) 用万用表R×1K档或R×100档依次测量三极管各极之间的正反向阻值,并将测得阻值填入表中。然后分析表中测得数据,观察哪一个引脚与其他两个引脚之间的测得的阻值均较小,如果符合这一条件,则这个引脚就是三极管的基极(B)。 步骤二:判断三极管的管型(PNP还是NPN) 将万用表置于R×1K档或R×100档,将万用表的黑表笔接三极管的基极,红表笔在其他极,如果阻值均较小,则表明这是一个NPN型三极管。如果是高阻值,改用红表笔接三极管的基极,黑表笔在其他引脚,若阻值均较小,则表明这是一个PNP型三极管。 步骤三:辨别三极管的集电极(C)和发射极(E) 方法一:将万用表置于R×1K档或R×100档,用“鳄鱼夹”夹持管脚,或用两手分别捏住表笔和管脚,然后用舌尖舔基极,利用人体电阻作为基极偏流电阻,也可进行测量。指针偏转较大的那一次,黑表笔所接为集电极(NPN管),红表笔所接为发射极。PNP管正好相反。 方法二:将万用表置于HFE档,将三极管管按假定的E、C插入万用表的“三极管测量

晶体管的输入输出特性曲线详解

晶体管的输入输出特性曲线详解 届别 系别 专业 班级 姓名 指导老师

二零一二年十月 晶体管的输入输出特性曲线详解 学生姓名:指导老师: 摘要:晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。 根据晶体管的结构进行分类,晶体管可以分为:NPN型晶体管和PNP 型晶体管。依据晶体管两个PN结的偏置情况,晶体管的工作状态有放大、饱和、截止和倒置四种。晶体管的性能可以有三个电极之间的电压和电流关系来反映,通常称为伏安特性。 生产厂家还给出了各种管子型号的参数也能表示晶体管的性能。利用晶体管制成的放大电路的可以是把微弱的信号放大到负载所需的数值 晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其他现代电子电路的基本构建块。由于

其响应速度快,准确性,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。 关键字:晶体管、输入输出曲线、放大电路的静态分析和动态分析。 【Keywords】The transistor, the input/output curve, amplifying circuit static analysis and dynamic analysis. 一、晶体管的基本结构 晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,如图 1-1(a)、(b)所示。从三个区引出相应的电极,发射极,基极,集电极,各用“E”(或“e”)、“B”(或“b”)、“C”(或“c”)表示。 发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。当前国内生产的锗管多为PNP型(3A

使用线性光耦HCNR200制作交流电压测量模块

使用线性光耦HCNR200制作交流电压测量模块 测量范围:幅值30V 测量精度:0.5%误差 电路自行设计,要求写好设计报告,制作出实物模块。 参考原理见 https://www.360docs.net/doc/e89017851.html,/hiwxzh/blog/item/e145eff1965a43bba40f52a7. html 1. 线性光耦介绍 光隔离是一种很常用的信号隔离形式。常用光耦器件及其外围电路组成。由于光耦电路简单,在数字隔离电路或数据传输电路中常常用到,如UART协议的20mA电流环。对于模拟信号,光耦因为输入输出的线形较差,并且随温度变化较大,限制了其在模拟信号隔离的应用。 对于高频交流模拟信号,变压器隔离是最常见的选择,但对于支流信号却不适用。一些厂家提供隔离放大器作为模拟信号隔离的解决方案,如ADI的AD202,能够提供从直流到几K的频率内提供0.025%的线性度,但这种隔离器件内部先进行电压-频率转换,对产生的交流信号进行变压器隔离,然后进行频率-电压转换得到隔离效果。集成的隔离放大器内部电路复杂,体积大,成本高,不适合大规模应用。 模拟信号隔离的一个比较好的选择是使用线形光耦。线性光耦的隔离原理与普通光耦没有差别,只是将普通光耦的单发单收模式稍加改变,增加一个用于反馈的光接受电路用于反馈。这样,虽然两个光接受电路都是非线性的,但两个光接受电路的非线性特性都是一样的,这样,就可以通过反馈通路的非线性来抵消直通通路的非线性,从而达到实现线性隔离的目的。 市场上的线性光耦有几中可选择的芯片,如Agilent公司的HCNR200/201,TI 子公司TOAS的TIL300,CLARE的LOC111等。这里以HCNR200/201为例介绍 2. 芯片介绍与原理说明 HCNR200/201的内部框图如下所示

实验一-万用表测量二极管、三极管

实验一万用表测量二极管、三极管 一、实验目的 1.熟练掌握指针式万用表和数字万用表的使用方法。 1.熟练掌握用指针式万用表测量普通二极管和三极管。 2.熟练掌握用数字万用表测量普通二极管和三极管。 二、主要元件及仪器 1、MF-47指针式万用表 2、VC890D数字万用表 3、1N4001~1N4007系列普通整流二极管 4、1N4735(6.2V)、1N4738(8.2V)稳压二极管 5、9011~9014小功率晶体三极管 二、实验原理 (一)指针式万用表测量二极管: 二极管参数的测试可用晶体管图示仪,或其它仪器进行测试。 在没有仪器的情况下也可用万用表来简单检查二极管的好坏,但这种检测方法不能测量二极管的参数。 初学者在业余条件下可以使用万用表测试二极管性能的好坏。测试前先把万用表的转换开关拨到欧姆档的RX1k档位(注意不要使用RX1档,以免电流过大烧坏二极管,也不要用RX10K,该档电压太高,可能击穿管子),再将红、黑两根表笔短路,进行欧姆调零。

正向特性测试: 把万用表的黑表笔(表内正极)搭触二极管的正极,红表笔(表内负极)搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间,这时的阻值就是二极管的正向电阻,一般小功率锗管的正向电阻为1KΩ左右,硅二极管约为5KΩ左右。一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值,说明管芯短路损坏,若正向电阻接近无穷大值,说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。 反向特性测试: 把万用表的红表笔搭触二极管的正极,黑表笔搭触二极管的负极,若表针指在无穷大值或接近无穷大值,管子就是合格的。一般小功率锗管的反向电阻为几十KΩ,硅二极管约为500KΩ以上。 1.普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。 (1)极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。 (2)单向导电性能的检测及好坏的判断通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300 kΩ左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。 若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。 2.稳压二极管的检测 (1)正、负电极的判别测量的方法与普通二极管相同,即用万用表R×1k 档,将两表笔分别接稳压二极管的两个电极,测出一个结果后,再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中,阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管的正极,红表笔接的是稳压二极管的负极。 若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大,则说明该二极管已击穿或开路损坏。 (2)稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源,对于13V以下的稳压二极管,可将稳压电源的输出电压调至15V,将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接,电源负极与稳压二极管的正极相接,再用万用表

三极管的检测方法

三极管的检测方法 1、中、小功率三极管的检测 A、已知型号和管脚排列的三极管,可按下述方法来判断其性能好坏 (a)、测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1k挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。 (b)、三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。 通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法,可间接估计ICEO的大小,具体方法如下: 万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1k挡,对于PNP管,黑表管接e 极,红表笔接c极,对于NPN型三极管,黑表笔接c极,红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大,说明管子的ICEO越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。一般说来,中、小功率硅管、锗材料低频管,其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上,如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动,则表明ICEO很大,管子的性能不稳定。 (c)、测量放大能力(β)。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座,可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至 挡,量程开关拨到ADJ位置,把红、黑表笔短接,调整调零旋钮,使万用

表指针指示为零,然后将量程开关拨到hFE位置,并使两短接的表笔分开,把被测三极管插入测试插座,即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。 另外:有此型号的中、小功率三极管,生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值,其颜色和β值的对应关系如表所示,但要注意,各厂家所用色标并不一定完全相同。 B、检测判别电极 (a)、判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测三极管为PNP型管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN 型管。 (b)、判定集电极c和发射极e。(以PNP为例)将万用表置于R×100或R×1k挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。 C、判别高频管与低频管 高频管的截止频率大于3MHz,而低频管的截止频率则小于3MHz,一般情况下,二者是不能互换的。 D、在路电压检测判断法

简易光耦芯片测试电路

简易光耦芯片测试电路 光电耦合器广泛应用于可编程序控制器、变频器、家用电器、工业生产等各个行业的电子装置中,其作用众所周知:信号的隔离、耦合传输,对电子装置高压系统电路发生故障,不会波及控制系统。在电路维修中,为快速高效判断其好坏,本人设计自制了一款体积小巧、精准度的光耦芯片测试电路。 一、工作原理 电路原理如图1 所示,电路用9V 可充电层叠电池供电,循环使用,绿色环保,便于携带。图中ICx 为16 脚带锁活动插座,待测光耦按脚定位放入插座并锁紧。R1 与RP 和R6 组成分压调整限流电路,R6 在测试多通道光耦芯片时同时也作均压电阻使用,以保证多通道内的多只发光二极管所加电压相同。 图1 实用简易光耦芯片测试电路原理图 LED1~LED4 和R2~ R5 为对应光耦IC 芯片输出指示电路,调整Rp 的阻值可改变UA 点电压,供被测光耦芯片内发光二极管的亮度调整,对应光耦芯片内部光敏晶体管的阻值发生变化导致LED1~LED4 亮度发生变化。Rp 逐步减小,对应输出的LED 逐步变亮,以判断其光耦对应通道的好坏。K1 和K2 为光耦芯片种类测试选择转换开关。 二、测试电路的使用方法 在活动插座ICx 内放入TLP621 或TLP6214 等系列单路和四路光耦芯片锁紧,K 闭合,K1 和K2 不动,逐步调整Rp 由大到小,此时A 点电压UA 可以从0.77~1.10V 变化。对应LED1 或LED1~LED4 将由灭逐步到全亮。反之逐步调整Rp 由小到大,对应LED1或LED1~LED4 由全亮到灭,判定被测IC 芯片好。若LED1 或LED1~LED4 不亮,对四通道光耦来说要的亮度可调有的LED 不亮,视为IC 芯片损坏或部分损坏。 在ICx 内放入高速光耦4N35 等系列芯片锁紧,4N35 等系列芯片有二种测试方式: 1. 普通光耦测试 K 闭合,按下K1(断开),再按下K2(K2a 和K2c 闭合,K2b 和K2d 断开)。然后调整Rp 由大逐步减小,此时UA由从0.78~1.17V 变化。LED1由灭到最亮,反之由最亮到灭,普通功能测试结束。若不亮或亮度不可调,该IC 芯片损坏。

三极管的工作原理及检测方法.

三极管的工作原理及检测方法 三极管的工作原理 三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。 一、电流放大 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。 二、偏置电路 三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7 V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时,基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比 0.7V要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时,基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流,上图中那个电阻R b就是用来提供这个电流的,所以它被叫做基极偏置电阻),那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时,小信号就会导致基极电流的变化,而基极电流的变化,就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求,如果没有加偏置,那么只有对那些增加的信号放大,而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0,不能再减小了)。而加上偏置,事先让集电极有一定的电流,当输入的基极电流变小时,集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时,集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。 三、开关作用 下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图,因为受到电阻 Rc的限制(Rc是固定值,那么最大电流为U/Rc,其中U为电源电压),集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大,不能使集电极电流继续增大时,三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是:Ib*β〉Ic。进入饱和状态

变频器维修之光耦原理分类与检测方法

变频器维修之光耦原理分类与检测方法 一、电路中为什么要使用光耦器件? 1、电气隔离的要求。A与B电路之间,要进行信号的传输,但两电路之间由于供电级别过于悬殊,一路为数百伏,另一路为仅为几伏;两种差异巨大的供电系统,无法将电源共用; 2、A电路与强电有联系,人体接触有触电危险,需予以隔离。而B线路板为人体经常接触的部分,也不应该将危险高电压混入到一起。两者之间,既要完成信号传输,又必须进行电气隔离; 3、运放电路等高阻抗型器件的采用,和电路对模拟的微弱的电压信号的传输,使得对电路的抗干扰处理成为一件比较麻烦的事情——从各个途径混入的噪声干扰,有可能反客为主,将有用信号“淹没”掉; 4、除了考虑人体接触的安全,又必须考虑到电路器件的安全,当光电耦合器件输入侧受到强电压(场)冲击损坏时,因光耦的隔离作用,输出侧电路却能安全无恙。 以上四个方面的原因,促成了光耦器件的研制、开发和实际应用。光耦的基本作用,是将输入、输出侧电路进行有效的电气上的隔离;能以光形式传输信号;有较好的抗干扰效果;输出侧电路能在一定程度上得以避免强电压的引入和冲击。 二、光电耦合器件的一般属性: 1、结构特点:输入侧一般采用发光二极管,输出侧采用光敏晶体管、集成电路等多种形式,对信号实施电-光-电的转换与传输。 2、输入、输出侧之间有光的传输,而无电的直接联系。输入信号的有无和强弱控制了发光二极管的发光强度,而输出侧接受光信号,据感光强度,输出电压或电流信号。 3、输入、输出侧有较高的电气隔离度,隔离电压一般达2000V以上。能对交、直流信号进行传输,输出侧有一定的电流输出能力,有的可直接拖动小型继电器。特殊型光耦器件能对毫伏,甚至微伏级交、直流信号进行线性传输。

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