荧光

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第5章分子发光—荧光、磷光和化学发光法(Molecular Emisssion and Luminescence)(3学时)

教学目的和要求:

1.学会分子发光——荧光、磷光和化学发光原理。

2.了解分子发光——荧光、磷光和化学发光法的特点和应用。

教学要点和所涵盖的知识点:

荧光、磷光和化学发光原理、仪器、分析方法及应用

重点和难点:

荧光的原理、仪器、分析方法及应用。

分子发光:处于基态的分子吸收能量(电、热、化学和光能等)被激发至激发态,然后从不稳定的激发态返回至基态并发射出光子,此种现象称为发光。发光分析包括荧光、磷光、化学发光、生物发光等。物质吸收光能后所产生的光辐射称之为荧光和磷光。

第一节荧光分析法

一、概述

分子荧光分析法是根据物质的分子荧光光谱进行定性,以荧光强度进行定量的一种分析方法。

荧光分析的特点:

灵敏度高:视不同物质,检测下限在0.1~0.001μg/mL之间。可见比UV-Vis 的灵敏度高得多。

选择性好:可同时用激发光谱和荧光发射光谱定性。

结构信息量多:包括物质激发光谱、发射光谱、光强、荧光量子效率、荧光寿命等。

应用不广泛:主要是因为能发荧光的物质不具普遍性、增强荧光的方法有限、外界环境对荧光量子效率影响大、干扰测量的因素较多。

二、基本原理

1、分子荧光的产生

处于分子基态单重态中的电子对,其自旋方向相反,当其中一个电子被激发时,通常跃迁至第一激发态单重态轨道上,也可能跃迁至能级更高的单重态上。

这种跃迁是符合光谱选律的,如果跃迁至第一激发三重态轨道上,则属于禁阻跃迁。单重态与三重态的区别在于电子自旋方向不同,激发三重态具有较低能级。在单重激发态中,两个电子平行自旋,单重态分子具有抗磁性,其激发态的平均寿命大约为10-8s; 而三重态分子具有顺磁性,其激发态的平均寿命为10-4~1s以上(通常用S和T分别表示单重态和三重态)。

处于激发态的电子,通常以辐射跃迁方式或无辐射跃迁方式再回到基态。辐射跃迁主要涉及到荧光、延迟荧光或磷光的发射;无辐射跃迁则是指以热的形式辐射其多余的能量,包括振动弛豫(VR)、内部转移(IR)、系间窜跃(IX)及外部转移(EC)等,各种跃迁方式发生的可能性及程度,与荧光物质本身的结构及激发时的物理和化学环境等因素有关。

2、去活化过程(Deactivation)

处于激发态分子不稳定,通过辐射或非辐射跃迁等去活化过程返回至基态。这些过程包括:

(1)振动弛豫(Vibrational Relaxation, VR)

在液相或压力足够高的气相中,处于激发态的分子因碰撞将能量以热的形式传递给周围的分子,从而从高振动能层失活至低振动能层的过程,称为振动弛豫。

(2)内转化(Internal Conversion,IC )

对于具有相同多重度的分子,若较高电子能级的低振动能层与较低电子能级的高振动能层相重叠时,则电子可在重叠的能层之间通过振动耦合产生无辐射跃迁,如S2-S1;T2-T1。

(3)荧光发射

处于第一激发单重态中的电子跃迁至基态各振动能级时,将得到最大波长为λ3的荧光。注意:基态中也有振动驰豫跃迁。很明显,λ3的波长较激发波长λ1或λ2都长,而且不论电子开始被激发至什么高能级,最终将只发射出波长为λ3的荧光。荧光的产生在10-7-10-9s内完成。

三、荧光与有机化合物的结构

1、跃迁类型

对于大多数荧光物质,首先经历π→π*,然后经过振动弛豫或其他无辐射跃迁,再发生π*→π跃迁而得到荧光。π*→π跃迁常能发出较强的荧光(较大的量子产率)。这是由于π→π*跃迁具有较大的摩尔吸光系数(一般比n→π*大100-1000倍)。

其次,π→π*跃迁的寿命约为10-7—10-9s,比n→π*跃迁的寿命10-5—10-7s 要短。在各种跃迁过程的竞争中,它是有利于发射荧光的。此外,在π→π*跃迁过程中,通过系间窜跃至三重态的速率常数也较小(S1→T1能级差较大),这也有利于荧光的发射。总之,π→π*跃迁是产生荧光的主要跃迁类型。

2、共轭效应

容易实现π→π*激发的芳香族化合物容易发生荧光,能发生荧光的脂肪族和脂环族化合物极少(仅少数高度共轭体系化合物除外)。此外,增加体系的共轭度,荧光效率一般也将增大。例如:

在多烯结构中,Ph(CH=CH)3 Ph和Ph(CH=CH)2 Ph在苯中的荧光效率分别为0.68和0.28。

共轭效应使荧光增强的原因:增大了摩尔吸光系数

3、刚性平面结构

多数具有刚性平面结构的有机分子具有强烈的荧光。因为这种结构可以减少分子的振动,使分子与溶剂或其它溶质分子的相互作用减少,也就减少了碰撞去活的可能性。

4、取代基效应

芳香族化合物苯环上的不同取代基对该化合物的荧光强度和荧光光谱有很大的影响。给电子基团,如-OH、-OR、-CN、-NH2、 -NR2等,使荧光增强。因为产生了p-π共轭作用,增强了π电子共轭程度,使最低激发单重态与基态之间的跃迁几率增大。

吸电子基团,如-COOH、-NO、-C=O、卤素等,会减弱甚至会猝灭荧光。卤素取代基随原子序数的增加而荧光降低。这可能是由所谓“重原子效应”使系间窜跃速率增加所致。在重原子中,能级之间的交叉现象比较严重,因此容易发生自旋轨道的相互作用,增加了由单重态转化为三重态的概率。取代基的空间障碍对荧光也有影响。立体异构现象对荧光强度有显著的影响。

四、金属螯合物的荧光

除过渡元素的顺磁性原子会发生线状荧光光谱外,大多数无机盐类金属离子,在溶液中只能发生无辐射跃迁,因而不产生荧光。但是,在某些情况下,金属螯合物却能产生很强的荧光,并可用于痕量金属元素分析。

1、螯合物中配位体的发光

不少有机化合物虽然具有共轭双键,但由于不是刚性结构,分子处于非同一平面,因而不发生荧光。若这些化合物和金属离子形成螯合物,随着分子的刚性增强,平面结构的增大,常会发生荧光。

如8-羟基喹啉本身有很弱的荧光,但其金属螯合物具有很强的荧光。

2、螯合物中金属离子的特征荧光

这类发光过程通常是螯合物首先通过配位体的π*→π跃迁激发,接着配位体把能量转给金属离子,导致d→d*跃迁和f→f*跃迁,最终发射的是d→d*跃迁和f→f*跃迁光谱。

五、影响荧光强度的因素

1、溶剂对荧光强度的影响

增大溶剂的极性,π→π*跃迁的能量减小,而导致荧光增强,荧光峰红移。但也有相反的情况,例如,苯胺、萘磺酸类化合物在戊醇、丁醇、丙醇、乙醇和甲醇中,随着醇的极性增大,荧光强度减小,荧光峰蓝移。因此荧光光谱的位置和强度与溶剂极性之间的关系,应根据荧光物质与溶剂的不同而异。

如果溶剂和荧光物质形成了化合物,或溶剂使荧光物质的状态改变,则荧光峰位和强度都会发生较大的变化。

2、温度对荧光强度的影响

温度上升使荧光强度下降。其中一个原因是分子的内部能量转化作用。当激发分子接受额外热能时,有可能使激发能转换为基态的振动能量,随后迅速振动弛豫而丧失振动能量。另一个原因是碰撞频率增加,使外转换的去活几率增加。

3、溶液pH值对荧光强度的影响

带有酸性或碱性官能团的大多数芳香族化合物的荧光与溶液的pH有关。

具有酸性或碱性基团的有机物质,在不同pH值时,其结构可能发生变化,因而荧光强度将发生改变;对无机荧光物质,因pH值会影响其稳定性,因而也可使其荧光强度发生改变。

4、顺磁性物质的存在,使激发单重态的体系间窜越速率增大,因而会使荧光效率降低。

六、溶液荧光猝灭

荧光物质分子与溶剂分子或其它溶质分子的相互作用引起荧光强度降低的现象称为荧光猝灭。能引起荧光强度降低的物质称为猝灭剂。

导致荧光猝灭的主要类型:

(1)碰撞猝灭

碰撞猝灭是指处于激发单重态的荧光分子与猝灭剂分子相碰撞,使激发单重态的荧光分子以无辐射跃迁的方式回到基态,产生猝灭作用。

(2)静态猝灭(组成化合物的猝灭)

由于部分荧光物质分子与猝灭剂分子生成非荧光的配合物而产生的。此过程往往还会引起溶液吸收光谱的改变。

(3)转入三重态的猝灭

分子由于系间的跨越跃迁,由单重态跃迁到三重态。转入三重态的分子在常温下不发光,它们在与其它分子的碰撞中消耗能量而使荧光猝灭。

溶液中的溶解氧对有机化合物的荧光产生猝灭效应是由于三重态基态的氧分子和单重激发态的荧光物质分子碰撞,形成了单重激发态的氧分子和三重态的荧光物质分子,使荧光猝灭。

(4)发生电子转移反应的猝灭

某些猝灭剂分子与荧光物质分子相互作用时,发生了电子转移反应,因而引起荧光猝灭。

(5)荧光物质的自猝灭

在浓度较高的荧光物质溶液中,单重激发态的分子在发生荧光之前和未激发的荧光物质分子碰撞而引起的自猝灭。有些荧光物质分子在溶液浓度较高时会形成二聚体或多聚体,使它们的吸收光谱发生变化,也引起溶液荧光强度的降低或消失。

七、胶束增敏荧光

加入临界浓度以上的表面活性剂,如十二烷基硫酸钠。

1、溶液的荧光强度

(1)荧光强度与溶液浓度的关系

荧光强度I f正比于吸收的光量Ia与荧光量子产率?。

I f= ? Ia

式中?为荧光量子效率,又根据Beer定律

Ia = I0 - It = I0(1- e -A)

I0和It分别是入射光强度和透射光强度。代入上式得

I f = ? I0(1- 10 -A) = ? I0(1- e -2.3A)

整理得:

I f=2.3 ? I0 κbc

当入射光强度I0和I一定时,上式为:

I f= K c

即荧光强度与荧光物质的浓度成正比,但这种线性关系只有在极稀的溶液中,当A≤0.05时才成立。对于较浓溶液,由于猝灭现象和自吸收等原因,使荧光强度和浓度不呈线性关系。

2、荧光激发光谱与发射光谱

任何荧(磷)光都具有两种特征光谱:激发光谱与发射光谱。它们是荧(磷)光定性分析的基础。

(1)激发光谱

改变激发波长,测量在最强荧(磷)光发射波长处的强度变化,以激发波长对荧光强度作图可得到激发光谱。

激发光谱形状与吸收光谱形状完全相似,经校正后二者完全相同!这是因为分子吸收光能的过程就是分子的激发过程。

激发光谱可用于鉴别荧光物质;在定量时,用于选择最适宜的激发波长。

(2)发射光谱

发射光谱即荧光光谱。一定波长和强度的激发波长辐照荧光物质,产生不同波长和强度的荧光,以荧光强度对其波长作图可得荧光发射光谱。

由于不同物质具有不同的特征发射峰,因而使用荧光发射光谱可用于鉴别荧光物质。

(3)激发光谱与发射光谱的关系

a 波长比较

与激发(或吸收)波长相比,荧光发射波长更长,即产生所谓Stokes位移。(振动弛豫失活所致)

b 形状比较

荧光光谱形状与激发波长无关。尽管分子受激可到达不同能级的激发态,但由于去活化(内转换和振动弛豫)到第一电子激发态的速率或几率很大,好像是分子受激只到达第一激发态一样。

换句话说,不管激发波长如何,电子都是从第一电子激发态的最低振动能层跃迁到基态的各个振动能层。

七、荧光仪器(光源与检测器处于相互垂直的位置)

1、光源:氙灯、高压汞灯、激光;

2、样品池:石英(低荧光材料);

3、两个单色器:选择激发光单色器,分离荧光单色器;

4、检测器:光电倍增管。

八、荧光分析法的应用

荧光测定必须在极稀的溶液中才可用于定量测定。标准曲线法测定荧光物质的含量

九、荧光分析法的应用

1、无机化合物的分析

大多数无机离子与溶剂之间的相互作用很强,其激发态多以非辐射跃迁方式返回基态,发荧光者甚少。然而很多无机离子可以与一些有机化合物形成有荧光的络合物,利用这一性质可对其进行荧光测定。能够同金属离子形成荧光络合物的有机试剂绝大多数是芳香族化合物,通常含有两个或两个以上的官能团,能与金属离子形成五元环或六元环的螯合物。由于螯合物的生成,分子的刚性平面结构增大,使原来不发荧光或荧光较弱的化合物转变为强荧光化合物。

2、有机化合物的分析

脂肪族有机化合物的分子结构较为简单,本身能发生荧光的很少,一般需要与某些试剂反应后才能进行荧光分析,如丙三醇与苯胺在浓硫酸介质中反应生成发射蓝色荧光的喹啉,据此可以测定0.1~2μg?mL?1的丙三醇。

芳香族化合物因具有共轭的不饱和体系,多数能发生荧光,可直接用荧光法测定。

第二节磷光分析

一、概述

磷光分析法是以分子磷光光谱来鉴别有机化合物和进行定量分析的一种方法。磷光分析法在药物分析,临床分析等领域的应用日益发展。

二、基本原理

1、磷光的产生和磷光强度

磷光是处于激发三重态的分子跃迁返回基态时所产生的辐射。

(1)磷光的特点:

①磷光波长比荧光的长(T1

(2)磷光强度:

I P=2.3?PI0kbc

式中IP为磷光强度,?P为磷光效率, I?为激发光的强度,K为磷光物质的摩尔吸收系数, b为试样池的光程,C 为磷光物质的浓度。

在一定的条件下,?p、Ip 、k、b 均为常数,因此上式可写成:

Ip=Kc

2、温度对磷光强度的影响

(1)随着温度降低,分子热运动速率减慢,磷光逐渐增强。

(2)低温磷光(液氮)

由于磷光寿命长,T1的非辐射跃迁(内转换)几率增加,碰撞失活(振动弛豫)的几率、光化学反应几率都增加,从而降低磷光强度。因此有必要在低温下测量磷光。同时要求溶剂:①易提纯且在分析波长区无强吸收和发射;②低温下形成具有足够粘度的透明的刚性玻璃体。

常用的溶剂:

① EPA——乙醇+异戊烷+二乙醚(2+2+5)

② IEPA——CH3I+EPA(1+10)。

3、重原子效应

使用含有重原子的溶剂(碘乙烷、溴乙烷)或在磷光物质中引入重原子取代基,都可以提高磷光物质的磷光强度,这种效应称为重原子效应。前者称为外部重原子效应,后者称为内部重原子效应。

机理:重原子的高核电荷使得磷光分子的电子能级交错,容易引起或增强磷光分子的自旋轨道偶合作用,从而使S1→T1的体系间窜跃概率增大,有利于增大磷光效率。

4、室温磷光

低温磷光需低温实验装置且受到溶剂选择的限制,1974年后发展了室温磷光(RTP)。

(1)固体基质:在室温下以固体基质(如纤维素等)吸附磷光体,可增加分子刚性、减少三重态猝灭等非辐射跃迁,从而提高磷光量子效率。

(2)胶束增稳:利用表面活性剂在临界浓度形成具多相性的胶束,改变磷光体的微环境、增加定向约束力,从而减小内转换和碰撞等去活化的几率,提高三重态的稳定性。

利用胶束增稳、重原子效应和溶液除氧是该法的三要素。

5、敏化磷光:其过程可以简单表示为:

6、磷光发射

从单重态到三重态分子间发生系间跨跃跃迁后,再经振动弛豫回到三重态最低振动能层,最后,在10-4-10s内跃迁到基态的各振动能层所产生的辐射。

三、磷光仪器

在荧光仪样品池上增加磷光配件:低温杜瓦瓶和斩光片。如右图所示。

斩光片的作用是利用其分子受激所产生的荧光与磷光的寿命不同获取磷光辐射。

第三节化学发光分析法

一、概述

某些物质在进行化学反应时,由于吸收了反应时产生的化学能,而使反应产物分子激发至激发态,受激分子由激发态回到基态时,便发出一定波长的光。这种吸收化学能使分子发光的过程称为化学发光。利用化学发光反应而建立起来的分析方法称为化学发光分析法。化学发光也发生于生命体系,这种发光称为生物发光。

二、化学发光分析的基本原理

化学发光是吸收化学反应过程产生的化学能,而使反应产物分子激发所发射的光。任何一个化学发光反应都应包括化学激发和发光两个步骤,必须满足如下条件:

(1)化学反应必须提供足够的激发能,激发能主要来源于反应焓。

(2)要有有利的化学反应历程,使化学反应的能量至少能被一种物质所接受并生成激发态。

(3)激发态能释放光子或能够转移它的能量给另一个分子,而使该分子激发,然后以辐射光子的形式回到基态。

三、化学发光效率和发光强度

化学发光反应效率?CL,又称化学发光的总量子产率。它决定于生成激发态产物分子的化学激发效率?ce和激发态分子的发射效率?em。定义为:

?cl =发射光子的分子数 / 参加反应的分子数 = ?ce??em

化学反应的发光效率、光辐射的能量大小以及光谱范围,完全由参加反应物质的化学反应所决定。每个化学发光反应都有其特征的化学发光光谱及不同的化学发光效率。

化学发光反应的发光强度Icl以单位时间内发射的光子数表示。它与化学发光反应的速率有关,而反应速率又与反应分子浓度有关。即

Ic l (t)= ?c l? dc/dt=Kc

式中 Icl(t)表示t时刻的化学发光强度,是与分析物有关的化学发光效率dc/dt 是分析物参加反应的速率。

四、化学发光反应类型

1、直接化学发光和间接化学发光

直接发光是被测物作为反应物直接参加化学发光反应,生成电子激发态产物分子,此初始激发态能辐射光子。

A + B→ C* + D

C* → C + hν

式中A或B是被测物,通过反应生成电子激发态产物C* ,当C* 跃迁回基态时,辐射光子。

间接发光是被测物A或B,通过化学反应生成初始激发态产物C* , C* 不直接发光,而是将其能量转移给F,使F跃迁回基态,产生发光。

A + B→ C* + D

C*+F→ F* + E

F* → F + hν

式中C*为能量给予体,而F为能量接受体

2、气相化学发光和液相化学发光

按反应体系的状态分类,如化学发光反应在气相中进行称为气相化学发光;在液相或固相中进行称为液相或固相化学发光;在两个不同相中进行则称为异相化学发光。

(1)气相化学发光

主要有O3、NO、S的化学发光反应,可用于监测空气中的O3、NO、SO2、H2S、CO、NO2等。

臭氧与乙烯的化学发光反应;一氧化氮与臭氧的化学发光反应。

(2)液相化学发光

用于此类化学发光分析的发光物质有鲁米诺、光泽碱、洛粉碱等。例如,利用发光物质鲁米诺,可测定痕量的H2O2以及Cu、Mn、Co、V、Fe、Cr、Ce等金属离子。

五、化学发光的测量装置

化学发光分析法的测量仪器主要包括样品室、光检测器、放大器和信号输出装置。

化学发光反应在样品室中进行,样品和试剂混合的方式有不连续取样体系,加样是间歇的。将试剂先加到光电倍增管前面的反应池内,然后用进样器加入分析物。另一种方法是连续流动体系,反应试剂和分析物是定时在样品池中汇合反应,且在载流推动下向前移动,被检测的光信号只是整个发光动力学曲线的一部分,而以峰高进行定量测量。

1、分立取样式仪器

2、流动注射式仪器

六、化学发光分析的应用

1、广泛应用于大气中O3、NO、NO

2、H2O、SO2、CO等组分的检测。

2、鲁米诺—H2O2体系

第五章 真空荧光显示器件和场发射显示器件答辩

第五章真空荧光显示器件(VFD) 和 场发射显示器件(FED) 5.1 VFD( vacuum fluorescent display)的结构和发光机理 5.2 FED( field emission device)的结构和发光机理 重点:VFD的结构和发光机理 难点:VFD和FED阴极发射的比较

5.1 VFD的结构和发光机理 1. VFD的产生 VFD大致是在20世纪60年代,为适应电子计算器的急速发展需求而出现的。 20世纪70年代初首先生产出玻璃泡型多位VFD。 70年代中期开始生产最原始的平面型VFD。 70年代后期,开始多色VFD和前面发光型及高密度显示的VFD的生产。

2. VFD 的定义 由阴极、栅极、阳极构成 的真空电子管,至少观察 侧呈透明的密封容器。 由阴极放出的电子在栅极 控制下碰撞阳极,阳极上 按一定图形涂布的荧光体 被低能电子束激发发光, 并由此显示出所需要信息 的自发光型电子显示器。 5.1 VFD 的结构和发光机理

3. 结构、功耗和应用特性 基本结构:真空三极管。 功耗特性:为了控制灯丝上(阴极)发射出的热电子,管子的消耗功率大部分消耗在加热阴极灯丝上,使荧光显示管的应用就受到了一定的限制。 在可携带式的轻便装置的显示方面,它只好让位于其它功耗较低的显示器件。 阴极灯丝在真空腔中对显示容器的占空系数大小对于发光空间有限制。为此,最好使用更细的灯丝和改善表面盖玻璃状态。

4. VFD的分类 从构造、显示形式、显示内容、驱动方式、用途等不同角度,对VFD进行的分类:

5. VFD的结构 1.阴极:在细钨丝上直接包覆钡、 锶或钙的氧化物构成,阴极丝要 足够细,以不妨碍显示为限。 2.栅极:通常是用厚度为50μm的不 锈钢等金属箔由光刻加工成网格 状。 3.阳极:按需要显示图形的形状, 大致地由石墨等厚膜或Al等薄膜 形成导体,再在其上按显示图形 涂布荧光体。 4.阳极布线由厚膜或薄膜在玻璃基 板上形成,并通过引出端子导 出。 5.玻璃基板表面上,除了阳极及连 接所必须的通孔之外,全部由绝 缘层包覆。

现代仪器分析-荧光分析教案

学习好资料欢迎下载 题目: 荧光分析法 教学目的与要求: (1)掌握分子荧光、磷光和化学发光的产生机理;掌握激 发光谱和发射光谱特征。 (2)掌握荧光与分子结构的关系以及溶液的荧光(磷光) 强度影响因素。 (3)熟悉荧光(磷光)分析法的特点及定量测定方法。 (4)了解磷光分析法的类型。 (5)熟悉荧光、磷光和化学发光分析仪器的结构。 内容与时间分配: ①荧光分析原理:120min; ②荧光仪器:20min; ③分析方法:40min; ④磷光分析简介:20min; 重点与难点: 1、荧光的产生; 2、荧光光谱与激发光谱; 3、荧光与分子结构 4、影响因素 5、分析方法 教具准备: PPT

荧光分析法(fluorometry) 灵敏度高,紫外-可见法10-7g/ml 待测物质:分子荧光 原子荧光 激发光:紫外可见荧光 红外可见荧光 X-射线荧光 1、基本原理 利用目一波长得光照射试样,使试样吸收这一辐射,然后再发射出波长相同或较长得光,若这种再发射约在10-9秒内发生,称为荧光,利用荧光得强度和特性对物质进行定性、定量分析,称为荧光分析法。 当分子轨道中电子吸收光子跃迁, 若电子跃迁后,处于自旋方向相反得状态,则总自旋量子数S=0,体系的多重性M=2S+1,既为激发态的单线态(此分子在磁场中不产生能级裂分) 若电子跃迁后,处于自旋方向相同的状态,则总自旋量子数S=1/2+1/2=1,体系的多重性M=2S+1=3,即为三线态(在磁场中,三线态的电子能级产生裂分,一条线可分裂成三条线。三线态的能量较相应单线态的能量低)。 [电子由单→单跃迁,所需E1

真空荧光显示屏(VFD屏)原理

真空荧光显示屏(V F D屏)原理 一、什么是V F D 真空荧光显示屏(V A C U U M F L U O R E S C E N T D I S P L A Y)是从真空电子管发展而来的显示器件, 由发射电子的阴极(直热式,统称灯丝)、加速控制电子流的栅极、玻璃基板上印上电极和 荧光粉的阳极及栅网和玻盖构成。它利用电子撞击荧光粉,使荧光粉发光,是一种自身发光 显示器件。由于它可以做多色彩显示,亮度高,又可以用低电压来驱动,易与集成电路配套, 所以被广泛应用在家用电器、办公自动化设备、工业仪器仪表及汽车等各种领域中。 V F D根据结构一般可分为2极管和3极管两种;根据显示内容可分为:数字显示、字符显 示、图案显示、点阵显示;根据驱动方式可分为:静态驱动(直流)和动态驱动(脉冲)。 二、V F D的结构及工作原理 V F D种类繁多,以其中最被广泛应用的3极管构造为例说明其基本构造与原理。 图1是V F D结构的分解斜视图,图2为剖面图,其构造以玻盖和基板形成一真空容器,在真空容器内以阴极C A T H O D E(灯丝F I L A M E N T)、栅极G R I D及阳极A N O D E为基本电极,还有一些其它的零件(如消气剂等)。

图1.V F D的分解斜视图 图2.V F D的剖面图 栅极:每个栅极对应着若干个个图形。 阳极:对应值图形中的最小的每一段

图3.V F D的基本工作原理 灯丝是在不妨碍显示的极细钨丝蕊线上,涂覆上钡(B a)、锶(S r)、钙(C a)的氧化物(三元碳酸盐),再以适当的张力安装在灯丝支架(固定端)与弹簧支架(可动端)之间,在两端加上规定的灯丝电压,使阴极温度达到6000C左右而放射热电子。 栅极也是在不妨碍显示的原则下,将不锈钢等的薄板予以光刻蚀(P H O T O-E T H I N G)后成型的金属网格(M E S H),在其上加上正电压,可加速并扩散自灯丝所放射出来的电子,将之导向阳极;相反地,如果加上负电压,则能拦阻游向阳极的电子,使阳极消光。 阳极是指在形成大致显示图案的石墨等导体上,依显示图案的形状印刷荧光粉,於其上加上正电压后,因前述栅极的作用而加速,扩散的电子将会互相冲击而激发荧光粉,使之发光。图3即表示其基本工作原理。发光色为绿色(峰值波长505n m),低工作电压的氧化锌:锌(Z n O:Z n)荧光粉则是目前最被广为使用的荧光粉。 另外,通过改变荧光粉种类,可以获得自红橙色到蓝色的各种不同颜色。 除了以上3种基本电极之外,如图2所示,在玻璃盖内表面形成透明导电膜(N E S A),并且接上灯丝电位或正电位,形成静电屏蔽层可以防止因外部的静电影响而降低显示品质。 图1的消气剂(G E T T E R)是维持真空的重要零件。在排气工程的最后阶段,可利用高频产生的涡流损耗对消气剂加热,在玻璃盖的内表面形成钡的蒸发膜,可用来进一步吸收管内的残留气体(G A S)。 三、灯丝及驱动方法 3.1.灯丝 灯丝电压与灯丝电流的关系如图4所示。图5则是灯丝电压与栅极及阳极电流的关系。其与亮度的关系则如图6所示。在此例中,灯丝电压标准值是3.0V a c,灯丝电压值的设定,对保证显示品质及寿命有重要的影响。如果灯丝电压过高,电流或亮度并不随之增加,反而因阴极温度上升,而加速钨丝蕊线上氧化物的蒸发,同时也会污染荧光粉表面,使发光效率及亮度提早下降,而缩短寿命。相反,如果灯丝电压过低,因阴极温度下降,便无法获得充分而稳定的热电子发射,致使显示品质劣化或灯丝电压变动而使亮度不稳定。其次,灯丝长时间在低的电压条件下使用,会引起可靠性下降,必须特别留意。 因此,重要的是灯丝电压设定应在标准值±10%的范围内使用。 在实际使用中,绝对不可只着重在图6的特性而用调整灯丝电压来调整亮度。 四、栅极与阳极 4.1.栅极与阳极

VFD显示技术

VFD应用指南 一、什么是VFD 二、VFD的结构及工作原理 三、灯丝及驱动方法 四、栅极与阳极 五、荧光粉的特性 六、基本驱动电路 七、VFD电源及特性要求 八、亮度调整 九、常见的技术问题及处理方法 十、滤色板的选择原则 十一、注意事项

一、什么是VFD 真空荧光显示屏(VACUUM FLUORESCENT DISPLAY)是从真空电子管发展而来的显示器件,由发射电子的阴极(直热式,统称灯丝)、加速控制电子流的栅极、玻璃基板上印上电极和荧光粉的阳极及栅网和玻盖构成。它利用电子撞击荧光粉,使荧光粉发光,是一种自身发光显示器件。由于它可以做多色彩显示,亮度高,又可以用低电压来驱动,易与集成电路配套,所以被广泛应用在家用电器、办公自动化设备、工业仪器仪表及汽车等各种领域中。 VFD根据结构一般可分为2极管和3极管两种;根据显示内容可分为:数字显示、字符显示、图案显示、点阵显示;根据驱动方式可分为:静态驱动(直流)和动态驱动(脉冲)。 二、VFD的结构及工作原理 VFD种类繁多,以其中最被广泛应用的3极管构造为例说明其基本构造与原理。 图1是VFD结构的分解斜视图,图2为剖面图,其构造以玻盖和基板形成一真空容器,在真空容器内以阴极CATHODE(灯丝FILAMENT)、栅极GRID及阳极ANODE为基本电极,还有一些其它的零件(如消气剂等)。 图1.VFD的分解斜视图

图2.VFD的剖面图 图3.VFD的基本工作原理 灯丝是在不妨碍显示的极细钨丝蕊线上,涂覆上钡(Ba)、锶(Sr)、钙(Ca)的氧化物(三元碳酸盐),再以适当的张力安装在灯丝支架(固定端)与弹簧支架(可动端)之间,在两端加上规定的灯丝电压,使阴极温度达到6000C左右而放射热电子。 栅极也是在不妨碍显示的原则下,将不锈钢等的薄板予以光刻蚀(PHOTO-ETHING)后成型的金属网格(MESH),在其上加上正电压,可加速并扩散自灯丝所放射出来的电子,将之导向阳极;相反地,如果加上负电压,则能拦阻游向阳极的电子,使阳极消光。 阳极是指在形成大致显示图案的石墨等导体上,依显示图案的形状印刷荧光粉,於其上加上正电压后,因前述栅极的作用而加速,扩散的电子将会互相冲击而激发荧光粉,使之发光。图3即表示其基本工作原理。发光色为绿色(峰值波长505nm),低工作电压的氧化锌:锌(ZnO:Zn)荧光粉则是目前最被广为使用的荧光粉。 另外,通过改变荧光粉种类,可以获得自红橙色到蓝色的各种不同颜色。 除了以上3种基本电极之外,如图2所示,在玻璃盖内表面形成透明导电膜(NESA),并且接上灯丝电

光电显示技术期末复习资料

光电显示技术期末复习资料 第一章绪论 (2) 1、光电显示器件有哪些分类? (3) 2、表征显示器件的主要性能指标有哪些? (3) 3、简述色彩再现原理。 (3) 4、人眼的视觉特性 (3) 5、简述人眼的视觉原理。 (4) 第二章液晶显示技术(LCD) (4) 1、简述液晶的种类与特点。 (4) 2、简述热致液晶分类和特点。 (5) 3、试述液晶显示器的特点。 (5) 4、什么是液晶的电光效应? (5) 5、LCD显示产生交叉效应的原因是什么? 用什么方法克服交叉效应? (5) 6、液晶有哪些主要的物理特性? (5) 7、简述TFT-LCD的工作原理。 (6) 8、简述TN-LCD的基本结构及工作原理。 (6) 9、液晶显示器驱动方法有哪几种方式? (7) 10、液晶显示控制器有哪些特性? (7) 11、自然光和偏振光的区别是什么?简述偏振光的分类及线偏振光的特点。 (7) 12、LCD结构和显示原理。 (7) 第四章发光二极管LED和有机发光二极管OLED显示技术 (10) 1、简述有机发光二极管显示器发光过程。 (10) 2、以ITO阳极-空穴传输层-发光层-电子传输层-金属阴极结构OLED为 例说明每一功能层的作用,并简述其工作原理。 (10) 3、简述影响OLED发光效率的主要因素和提高发光效率的措施。 (11) 4、OLED如何实现彩色显示? (11) 5、简述LED工作原理。 (11) 6、简述LED驱动方式。 (12) 7、OLED的结构与工作原理。 (12) 8、OLED的特点有哪些? (12) 第六章激光显示技术(LDT) (12) 1、激光具有哪些特性? (13) 2、激光用于显示具有哪些优势? (13) 第七章新型光电显示技术 (13) 1、场致发射显示(FED)结构及工作原理 (13) 2、真空荧光显示器(VFD)结构及工作原理 (14) 第八章大屏幕显示技术 (14) 1、DLP特点及工作原理 (14) 2、LCOS特点及工作原理 (15)

荧光染料

荧光染料简介 荧光定义 荧光染料会发出荧光,所谓荧光是指物质分子吸收紫外光后发出的可见光荧光以及吸收波长较短的可见光后发出的波长较长的可见光荧光。 荧光发生机理 每个分子具有一系列严格的分立能级,室温下物质分子大部分处于"基态",当这些物质在光的照射下吸收光能后,进入新的状态,称为"激发态"。处于"激发态"的分子是不稳定的,它可以通过以10-9-10-7秒的极短时间内发射光量子回到基态。这一过程称为荧光发射, 也就是发光。 激发光谱和发射光谱 任何发荧光的物质分子都具有两个特征光谱--激发光谱和荧光发射光谱。 在测定时,用以激发荧光的吸收光谱,一般称为荧光物质的激发光谱,它是指相对于不同激发波长的辐射所引起物质发射某一波长荧光的光谱。 荧光发射光谱简称为发射光谱,是指某一波长激发光引起物质发射不同波长荧光的光谱。 荧光效率和荧光强度 分子能产生荧光必须具备两个重要的条件,一是物质的分子必须具有吸收一定频率光能的基团--生色团,二是必须具有能产生一定光量子的荧光团。 而物质发射荧光的能力用荧光效率表示。荧光效率为荧光团发射荧光的光量子数与生色团吸收的光量子数的比值称。 荧光效率往往小于1。如罗丹明B的乙醇溶液的荧光效率为0.97;荧光素的水溶液的荧光强度为0.65,荧光效率与物质结构有关,还与所处的环境紧密相关。而对于某种荧光 物质在特定的环境下它的荧光效率是固定的。 在一定范围内,激发光越强,荧光也越强。即荧光强度(发射荧光的光量子数)等于吸收光强度乘以荧光效率。 提高荧光强度的根本方法 选择适当强度的光源作为荧光物质的激发光源,和选择适合于被检荧光物质选择性吸收的光谱滤光片作为激发滤光片,是提高荧光强度的根本方法。许多染料的最大吸收峰并不是 紫外光,而是在400nm-500nm的蓝绿光,所以紫外光不是这些染料的最佳激发光源,可 见光才是这些染料的最佳光源。 常用荧光色素波长

几种常见荧光素极其特性介绍

几种常见荧光素极其特性介绍 荧光素(英语:Fluorescein,又称为荧光黄)是一种合成有机化合物,它是具有光致荧光特性的染料,外观为暗橙色/红色粉末,可溶于乙醇,微溶于水,在蓝光或紫外线照射下,发出绿色荧光。荧光染料种类很多,目前常用于标记抗体的荧光素有以下几种:异硫氰酸荧光素,四乙基罗丹明,四甲基异硫氰酸罗丹明,酶作用后产生荧光的物质。目前荧光素广发应用在免疫荧光、免疫荧光染色实验中。 下面介绍几种常用荧光素及其基本生物学特性: 1、异硫氰酸荧光素,简称“FITC”。是一种小分子荧光素,其效率取决于于溶液的pH 值,因此,在使用FITC时应注意溶液的酸碱度。FITC分子量为389.4,最大吸收光波长为490~495nm,最大发射光波长为520~530nm,呈现明亮的黄绿色荧光。 FITC在冷暗干燥处可保存多年,是目前应用最广泛的荧光素。其主要优点是人眼对黄绿色较为敏感,通常切片标本中的绿色荧光少于红色。 2、藻红蛋白,简称“PE”。相对分子质量较大,约为240kD,最大吸收峰为564nm,当使用488nm激光激发时其发射荧光峰值约为576nm,故可能会对其它大探针产生空间位阻。 但PE的化学结构非常稳定,有很高的荧光效率,并易与抗体分子结合。需要注意的是PE作为天然染料,因来源不同可能造成荧光素结构上的微小差别,导致其特征的不一致。 3、PI和EB。两者都具有嵌入到双链DNA和RNA的碱基对中并与碱基对结合的特异性。为了获得特异的DNA分布,染色前必须用RNA酶处理细胞,排除双链RNA的干扰。 PI和EB不能进入完整的细胞膜,因此,又可以用于检测死活细胞。PI和EB各种理化性质相似,但PI比EB的发射光光谱峰向长波方向移动,因而在做DNA和蛋白质双参数测量时,PI的红色荧光和FITC的绿色荧光更易于区分和测量。另外,PI比EB测得的DNA 分布的变异系统(CV值)低,所以PI得到更广泛的应用。

(完整word版)荧光机理

1光致电子转移(PET) 递给荧光基团的键合基团(RecePtor),负责光吸收并产生荧光发射信号的荧光基团(Fluorophorc)—其荧光发射强度反映键合基团的结合状态,以及连接键合集团和荧光基团的连接基团(Spacer)。键合基团和荧光基团通常为电子给体或者电子受体。 光致电子转移是指电子给体或电子受体受光激发后,激发态的电子给体与电子受体之间发生电子转移从而导致荧光的淬灭过程。例如,当荧光分子传感器的键合基团是电子给体,荧光基团是电子受体时,具体PET作过程如下:在光激发下,具有电子给予能力的键合基团能够将其处于最高能级的电子转入激发态下荧光基团空出的电子轨道,使被光激发的电子无法直接跃迁巨}到原基态轨道发射荧光,从而导致荧光的淬灭;当键合基团与底物结合后,降低了键合基团的给电子能力,抑制了PET过程,荧光基团中被光激发的电子可以直接跃迁回到原基态轨道,从而增强了的荧光基团的荧光发射。因此在未结合底物前,传感器分子表现为荧光淬灭,一旦键合基团与底物相结合,荧光基团就会发射荧光(见图) 由于与客底物结合前后的荧光强度差别很大,呈现明显的“关”、“开”状态,因此这类荧光化学传感器又被称为荧光分子开关。PET荧光分子传感器的作用机制可由前线轨道理论“来进一步说明(见图 1.5)。

2分子内电荷转移(ICT) ICT荧光化学传感器由推电子基团、吸电子基团通过p电子体系连接而成,在基态时表现为极化结构,一端为缺电子部分,另一端为富电子部分;而在光激发下,偶极矩增大,强化了这种极化特征,容易发 生ICT过程(如图)。 ICT荧光化学传感器的工作原理有两种(见图l.7a):当底物是缺电子基团(阳离子)时,一种是底物与吸电子基团结合,将增大分子内电荷转移程度,导致荧光光谱红移;一种是底物与推电子基团结合,则使原来向共扼体系转移的孤对电子用于与阳离子形成配位键,导致ICT 推一拉电子的特征下降,导致荧光光谱蓝移。当底物是富电子基团(阴离子)时,情况相反。一般情况下,ICT荧光化学传感器对荧光强度的影响不如PET荧光化学传感器显著。典型例子是同时含有吸电子

(完整版)荧光法习题

荧光分析法 一、选择题 1.为了提高分子荧光光度法的灵敏度,合适的办法是 A. 增加待测溶液的浓度 B. 增加激发光的强度 C. 增加待测液的体积 D. 另找能与待测物质形成荧光效率大的荧光化合物 2. 下列结构中能产生荧光的物质是 A. 苯酚 B. 苯 C. 硝基苯 D. 碘苯 3. 荧光分析中,溶剂对荧光强度的影响是 A. 对有π→π*跃迁者,溶剂极性增加,荧光强度增大 B. 对有π→π*跃迁者,溶剂极性增加,荧光强度减小 C. 溶剂粘度增大,荧光强度减弱 D. 溶剂粘度降低,荧光强度减弱 4. 荧光分析中,当被测物质的浓度较大时,荧光强度与浓度不成正比,其原因可能是 A. 自熄灭 B. 自吸收 C. 散射光的影响 D. 溶剂极性增大 5. 在下列哪个pH值时苯胺能产生荧光(苯胺以分子形式产生荧光)? A. 1 B. 2 C. 7 D. 14 6. 硫酸奎宁在0.05mol/L H2SO4中,分别用320nm和350nm波长的光激发,所制得的荧光光谱 A. 形状和荧光强度都相同 B. 形状和荧光强度都不同 C. 形状相同,荧光强度不同 D. 荧光强度相同,形状不同 7. 荧光光谱分析中的主要光谱干扰是 A. 激发光 B. 溶剂产生的拉曼散射光 C. 溶剂产生的瑞利散射光 D. 容器表面产生的散射光 8. 对分子荧光强度的测量时,要在与入射光成直角的方向上检测是由于 A. 荧光是向各个方向发射的 B. 只有在和入射光方向成直角的方向上才有荧光 C. 为了消除透射光的影响 D. 克服散射光的影响 9. 荧光法中,荧光效率Φ的计算式是 A. Φ=发射荧光的电子数/吸收激发光的电子数 B. Φ=发射荧光的光量子数/吸收荧光的光量子数 C. Φ=发射光的强度/吸收光的强度 D. Φ=发射荧光的光量子数/吸收激发光的光量子数 10. A. 钨灯 B. 氢灯 C. 元素灯 D. 溴钨灯 λ=256nm)可用作光源。 (1)光度法测乙醇中苯( m ax (2)荧光计采用作光源。 (3)原子吸收分光光度计可用作光源。 (4)光度法测定KMnO4溶液的浓度可用作光源。 11. 处于第一电子单线激发态最低振动能级的分子以辐射光量子的形式回到单线基态的最低振动能级,这种发光现象称为 A. 分子荧光 B. 分子磷光 C. 化学发光 D. 拉曼散射 12. 三线态的电子排列应为 A. 全充满 B. ↑ C. 基态 D. ↓ ↑↑ 13. 下列说法正确的是

PDP真空紫外荧光粉余辉测试仪

文章编号!"##$%$&’#()##*+#"%##’,%#$ -.-真空紫外荧光粉余辉测试仪 / 朱美萍0牟同升 (浙江大学现代光学仪器国家重点实验室0浙江杭州’"##)1+摘要!回顾了-.-荧光粉的基本原理0阐述了余辉测试的重要性0详细介绍了-.-用 真空紫外荧光粉余辉测试系统的各个组成部分及其工作原理0并根据测得数据绘出了余辉 特性曲线0最后对该系统的性能进行了评估2 关键词!-.- 3荧光粉3余辉特性3余辉时间3真空紫外中图分类号!4561’7,*文献标识码!8 9:;<=>;N O N P QR ST U V W U X Y 0SZ R [\X Y V ]^T X Y (_‘a ‘b c b de a f g h a ‘g h dg i jg k b h lm n ‘o p a q r l s ‘h t u b l ‘a ‘o g l 0v w b x o a l yz l o {b h s o ‘d 0|a l y }w g t ’"##)10~w o l a +!";

时间分辨荧光免疫分析仪特点及性能

时间分辨荧光免疫分析仪特点及性能 时间分辨荧光免疫分析仪采用现代光学、机械、计算机等先进技术,通过标记离子螯合物产生的特异性荧光寿命长、强度高,消除本底干扰荧光;利用激发光波谱宽、荧光发射波谱窄,增强荧光强度,提高分辨率的原理,对临床免疫血样进行定量分析,为临床血样提供灵敏、准确、可靠的数据。 概述 时间分辨荧光免疫法所用的标记物是镧系元素螯合物,利用这类荧光物质荧光寿命长等特点,通过波长和时间两种分辨技术,有效排除了非特异本底荧光的干扰。 特点 1、灵敏度高; 2、标记物制备简单; 3、稳定性好; 4、标准曲线线性范围宽; 5、操作方便。 技术性能 电源:210~240V,50~60Hz;外型尺寸:550mm×600mm×270mm;重量:25 kg;灵敏度:10-13 mol/L;线性度:10-12~10-8 mol/L;快速测试:1秒/样;高稳定性:< ±1 %;工作制:连续运行;安全分类:I类;防电击程度:B型;熔断器:Φ5×20 5A。 应用领域 主要用于对人的血液和其它体液中的各种免疫检测项目进行定量分析,它可以适用与传染病检查、内分泌科检查、细胞学检查、肿瘤科检查等。随着检验医学的发展,对微量、超微量的测定会越来越多,同时RIA的污染问题会越来越被重视,因此,时间分辨荧光分析法具有越来越大的应用空间。 产品特性产品参数 产品特点: 1) 采用进口光源、光学镜片及光电倍增管,保证检测结果的稳定性及可靠性; 2) 测试速度快,1秒/样本; 3) 标本灵活,适合任意份标本量; 4) 全中文软件,操作界面简便; 5) 是国内首家研发出成功,填补国内空白,并获得国家科技进步二等奖。 技术参数: 1) 测定原理:时间分辨 2) 激发光源:进口氙灯 3) 灵敏度: 10 -17 mol/孔(Eu 3+) 4) 线性范围:10 -13 mol/孔~10 -17 mol/孔 5) 高稳定性:<5 % 6) 电源:AC 198~242V 50~60Hz 7) 外型尺寸:710mm×520mm×320mm

真空荧光显示屏使用说明书

Data Decode Table (Hex) Key Std Shift Lock ALT CTRL Raw ESC 1B 01 1B 02 80 00 TAB 03 04 03 05 81 01 INS 06 0E 06 0F 83 03 DEL 7F 10 7F 11 82 02 ▲PUp 0B 12 0B 13 84 04 ?HME 08 14 08 15 85 05 ?END 09 16 09 17 86 06 ▼PDn 0A 18 0A 19 87 07 ? ¥ / 3F 9C 3F 2F 88 08 * € \ 2A 9D 2A 5C 89 09 ( £ [ 28 9B 28 5B 8A 0A ) $ ] 29 24 29 5D 8B 0B SPI Master/Slave / I2C <1MHz clock Async CMOS / RS232 / RS485 9600, 19200 and 38400 baud. Single 5V supply at 13mA LED shows Caps Lock & key press User setup stored in EEPROM ASCII / Raw data output modes. The KBC38A-1 has SPI, Async CMOS, RS232, RS485 and Port toggle interfaces. The KBC38A-2 has SPI, I2C and Port toggle interfaces. Use the KBC56A keyboard to set up the operating mode of the KBR38A or send the equivalent RC5 Raw data codes. 1 @ 31 40 31 Hex 8C 0C Electrical Parameter Symbol Value Condition 2 & 32 26 32 Hex 8D 0D Power Supply Voltage V DD 5.0VDC +/- 5% G ND =0V 3 < 33 3C 33 Hex 8E 0E Power Supply Current I DD (typ) 13mA + LED 2mA V DD = 5VDC 4 > 34 3E 34 Hex 8F 0F Logic Input (not /RESET) V IL / V IH 0.8VDC max / 2.0VDC min V DD = 5VDC 5 % 35 25 35 Hex 90 10 Logic Output V OL / V OH 0.5VDC max / 2.4VDC min I OH =-2mA 6 + 36 2B 36 Hex 91 11 The /RESET input halts the CPU below 1/3 VDD and initializes above 2/3 VDD. 7 - 37 2D 37 Hex 92 12 Environmental Parameter Value 8 = 38 3D 38 Hex 93 13 Operating Temperature -40°C to +85°C 9 ~ 39 7E 39 Hex 94 14 Storage Temperature -40°C to +85°C 0 # 30 23 30 Hex 95 15 Operating Humidity 20 to 85% RH @ 25°C non condensing a A 61 41 41 Hex 96 16 b B 62 42 42 Hex 97 17 OUTPUT MODES - Press CTRL then ALT then SHIFT then Key KBRVer Key c C 63 43 43 Hex 98 18 Asynchronous serial 9600 baud – idle high – CMOS 1 A d D 64 44 44 Hex 99 19 Asynchronous serial 19200 baud – idle high – CMOS 1 1 B e E 65 45 45 Hex 9A 1A Asynchronous serial 38400 baud – idle high – CMOS 1 C f F 66 46 46 Hex 9B 1B Asynchronous serial 9600 baud – idle low – pseudo RS232 1 D g G 67 47 47 1C 9C 1C Asynchronous serial 19200 baud – idle low – pseudo RS232 1 E h H 68 48 48 1D 9D 1D Asynchronous serial 38400 baud – idle low – pseudo RS232 1 F i I 69 49 49 1E 9F 1F SPI synchronous slave clk input with data clocked on rising edge 2 1 & 2 G j J 6A 4A 4A 1F A0 20 SPI synchronous slave clk input with data clocked on falling edge 1 & 2 H k K 6B 4B 4B E0 A1 21 I2C with address 73H 2 I l L 6C 4C 4C E1 A2 22 Asynchronous serial 9600 baud – differential – RS485 1 J m M 6D 4D 4D E2 A 3 23 Asynchronous serial 19200 baud – differential – RS485 1 K n N 6E 4E 4E E3 A 4 24 Asynchronous serial 38400 baud – differential – RS48 5 1 L o O 6F 4F 4F E4 A5 25 SPI synchronous master clk output with data clocked on rising edge 1 & 2 M p P 70 50 50 E5 A 6 26 SPI synchronous master clk output with data clocked on falling edge 1 & 2 N q Q 71 51 51 E6 A 7 27 3 Port Toggle – After power ON or /Reset ports are set to low output 1 & 2 O r R 72 52 52 E7 A 8 28 Enable host busy handshaking or set /SS in SPI master 1 & 2 P s S 73 53 53 F0 A 9 29 Disable host busy handshaking or set /STRB in SPI master (default) 1 & 2 Q t T 74 54 54 F1 AA 2A 1 default mode for KBR38A-1. 2 default mode for KBR38A-2. u U 75 55 55 F2 AB 2B DECODE OPTIONS - Press CTRL then ALT then SHIFT then Key KBRVer Key v V 76 56 56 F3 AC 2C No decoding – outputs Raw RC5 command (00h – 38h) 1 & 2 R w W 77 57 57 F4 AD 2D No decoding – outputs Raw RC5 system (00h – 1Fh) 1 & 2 S x X 78 58 58 F5 AE 2E KBC56A keyboard ASCII decoding (default) 1 & 2 T y Y 79 59 59 F6 AF 2F KBC56A offset RAW code SHIFT=+40h, ALT=+80h, CTRL=+C0h 1 & 2 U z Z 7A 5A 5A F7 B0 30 ‘ ! “ 27 21 27 22 B1 31 , ; | 2C 3B 2C B2 B2 32 . : ° 2E 3A 2E F8 B3 33 Space 20 5F 20 07 B4 34 Ctrl 35 Alt 36 Shift See application page 2 for specific functionality when these keys are pressed. 37 CTRL, ALT and SHIFT are pressed before a single alternate character. CTRL then ALT or CTRL then SHIFT enable ALT or SHIFT Lock which is cancelled using CTRL. When lock is on, ALT or SHIFT can be used to input a related alternate character. A 16 byte buffer allows the host system to poll the receiver every 2 seconds or to use the IRQ generated by a key press when using I2C or hardware controlled asynchronous modes. When the buffer is empty the data read is FFH in slave SPI or I2C modes and this can be modified using SIN after the first byte in slave SPI mode. Data bytes are 8 bits with asynchronous data adding 1 stop bit and no parity bit. Enter 0D 0D 0C 00 B8 38 PIN Async RS232* RS485 SPI Slave SPI Master TogON TogOFF I2C 1 VDD VDD VDD VDD VDD VDD VDD 2 TOUT TXD +A CLK IN CLK OUT Key I Key Q SCL 3 0V 0V 0V 0V 0V 0V 0V 4 HostBsy /HostBsy -B SOUT DOUT Key H Key P /IRQ 5 /RESET /RESET /RESET /RESET /RESET /RESET /RESET In Master SPI mode the /SS is low during data out and /STRB is toggled low for 1us after data is clocked out. The KBR38A-2 slave I2C interface comprises a start condition, fixed address 73H, 8 bit data and stop condition. Please see the KBR38A application notes on page 2 for timing and circuit ideas. 6 /IRQ IRQ IRQ SIN /SS-/STRB Key G Key O SDA *The RS232 interface operates between 0V and 5V. Do not connect pins 2, 4 and 6 to RS232 signals which exceed these values. KBC56A, KBR38A and website content at are copyright 2008 Noritake Co. Limited, Japan. Doc:32365 v6 30 Jul 2009

X荧光分析

X荧光分析 引言 X射线荧光分析又称X射线次级发射光谱分析。本法系利用原级X射线光子或其它微观粒子激发待测物质中的原子,使之产生次级的特征X射线(X光荧光)而进行物质成分分析和化学态研究的方法。1948年由H.费里德曼(H.Friedmann)和L.S.伯克斯(L.S.Birks)制成第一台波长色X射线荧光分析散X射线荧光分析仪,至60年代本法在分析领域的地位得以确立。现代X射线荧光光谱分析仪由以下几部分组成:X射线发生器(X射线管、高压电源及稳定稳流装置)、分光检测系统(分析晶体、准直器与检测器)、记数记录系统(脉冲辐射分析器、定标计、计时器、积分器、记录器)。不同元素具有波长不同的特征X射线谱,而各谱线的荧光强度又与元素的浓度呈一定关系,测定待测元素特征X射线谱线的波长和强度就可以进行定性和定量分析。本法具有谱线简单、分析速度快、测量元素多、能进行多元素同时分析等优点,是目前大气颗粒物元素分析中广泛应用的三大分析手段之一(其他两方法为中子活化分析和质子荧光分析)。 X 荧光分析是一种快速、无损、多元素同时测定的现代技术,已广泛应用于材料科学、生物医学、地质研究、环境监测、天体物理、文物考古、刑事侦察、工业生产等诸多领域,例如可用X荧光分析技术研究:钢中碳、笛含量与低碳钢的脆性转变温度的关系;千分之儿的锰对铁镍合金薄膜磁电阻的严重影响;检测齿轮箱润滑油中各金属元素的含量,在不拆卸机件的情况下,分析飞行器部件磨损状况;分析大气中浮游尘、气溶胶、水源污染情况、食品中有害物;分析血样、头发、牙齿、淋巴细胞、活性酶中微量元素与人体健康、疾病的相关性;无损分析文物组分;分析飞船带回的月岩、陨石等成分;测定地下水样中砷浓度,依据