基于ADS的微波混频器的设计与仿真

湖南文理学院芙蓉学院

本科生毕业论文(设计)

题目：基于ADS的微波

混频器的设计与仿真

学生姓名：吴炜

学号： 10160132

专业班级：通信1001班

指导教师：戴正科

完成时间： 2014年4月22日

目录

摘要 ................................................................... I Abstract ................................................................ II 第1章绪论 .. (1)

1.1 课题背景及意义 (1)

1.2 微波混频器介绍 (2)

1.3 国内外研究现状 (3)

1.4 设计要求 (5)

1.5 方案比较与选择 (5)

1.5.1 方案一：基于ADS的微波混频器的设计与仿真 (5)

1.5.2 方案二：基于microwave office的微波混频器的设计与仿真 (6)

1.5.3 方案三：基于CMRC的微波混频器的设计与仿真 (6)

第2章设计平台的介绍 (7)

2.1 ADS的概述 (7)

2.2 ADS的仿真设计方法 (7)

第3章混频器的基本理论 (9)

3.1 混频器的技术指标 (9)

3.1.1 变频损耗 (9)

3.1.2 噪声系数 (10)

3.1.3 隔离度 (11)

3.1.4 动态范围 (12)

3.1.5 本振功率与工作点 (12)

3.1.6 工作带宽 (12)

3.2 混频器的电路形式 (13)

3.2.1 单端混频器 (13)

3.2.2 单平衡混频器 (13)

3.2.3 双平衡混频器 (14)

第4章混频器的设计与仿真 (16)

4.1 混频器的原理 (16)

4.1.1 混频器的基本原理 (16)

4.1.2 混频器的技术指标 (17)

4.2 混频器的设计 (18)

4.2.1 3dB定向耦合器的设计 (18)

4.2.2 完整混频器电路设计 (23)

4.2.3 低通滤波器的设计 (25)

4.3 混频器性能仿真 (27)

4.3.1 混频器功能仿真 (27)

4.3.2 本振功率选择 (32)

4.3.3 混频器的三阶交调点分析 (34)

4.3.4 混频器的输入驻波比仿真 (38)

总结与展望 (40)

参考文献 (41)

致谢 (43)

摘要

混频器（mixer）是通信系统的重要组成部分，用于在所有的射频和微波系统进行频率变换，用于通信接收机，也是频率合成器等电子设备中的重要组成部分，用混频器可以实现频率加、减运算功能。

晶体二极管的伏安特性曲线是非线性的，完全可以利用它作混频器件。二极管混频器与三极管相比较，具有动态范围大，噪声小，组合频率分量少，结构简单和工作频率高等优点。采用肖特基二极管的混频电路，工作频率可高到微波频段。因此，二极管混频电路在高质量的各种接收机和测量仪器中得到了广泛的应用。但是二极管混频器也有一个重要的缺点，那就是没有混频增益（混频增益小于1）。相对于单端混频器，单平衡混频器的输出电流频谱分量要比单端混频器小很多，在强信号时，它产生的组合分量也较少。这种混频器利用两个二极管，在同样强的输入信号下，分到每个管子的信号功率比单管混频少3dB，因此它的动态范围也大一倍。此外这种平衡混频器还有抵消本振引入噪声所产生的中频噪声的能力。鉴于单平衡混频器的以上优点，通过ADS对单平衡混频器进行设计与仿真。对仿真电路图进行比较分析，混频器的输入三阶交调点和输出三阶交调点分别为-36.776dBm和?113.887dBm。输入驻波比为1.035。[1]

关键词：混频器；单平衡；ADS；三阶交调

Abstract

Mixer is the important part of the communication systems, used in all of the RF and microwave system for frequency conversion, for communication receiver, frequency synthesizer and other electronic equipment is an important part of the mixer can achieve the frequency, with add, subtract functions.

Crystal diode, volt-ampere characteristic curve is nonlinear, can use it for mixing device. Mixer diodes and transistors are compared, with large dynamic range, low noise, less combination frequency components, simple structure and high working frequency. The Schottky diode mixer circuit, working frequency can be high to the microwave band. Therefore, diode mixer circuit in the high quality of the various receiver and measuring instrument has been widely used. But the diode mixer also has an important drawback, that is no mixing gain ( mixing gain of less than 1). Compared to a single ended mixer, single balanced mixer output current spectrum component than single ended mixer is much smaller, with a strong signal, it generates less composite component. The mixer using two diodes, in the same strong input signals, into each tube signal power3dB less than one mixing, so its dynamic range is also a big times. In addition the balanced mixer and offset the vibration into the noise generated by the medium frequency noise. In view of the single balanced mixer of the above advantages, through ADS on the single balanced mixer design and simulation. Comparative analysis on Simulation of circuit diagram, the input of mixer three order intermodulation point and the output of the three order intermodulation point were -36.776dBm and?113.887dBm. The input in Bobbi for 1.035.[1]

Key words: Mixer;Single balanced;ADS ;Three order intermodulation

第1章绪论

1.1 课题背景及意义

微波混频器最重要的应用是在微波接收机中将接收的微波信号变换为中频，以便进一步对信号进行放大和解调。它可以作为微波接收机的前置级或者作为低噪声前置放大器的后续级。微波混频器的性能对微波接收机以至整个微波系统有重要的影响，特别当它作为接收机的前置级时更是如此。由于研制频率很高的低噪声放大器至今仍比较困难，所以在毫米波、亚毫米波波段都不得不采用混频器作为接收机的前置级，这就使它成为在这些波段实现低噪声接收的关键性部件。

微波混频器除用于接收微弱信号外，还常常用于微波测试系统中。例如，利用微波混频器将微波信号变换为较低的频率，以便进行相位、衰减和频率等参数的测量。在这些应用中，由于工作电平较高，灵敏度一般不成为主要问题，但要求工作频带宽，频响好。

混频器是在第二次世界大战中，伴随着雷达接收机而产生的。但由于当时微波半导体器件发展缓慢，影响了混频器的发展。直至五十年代中期，晶体管技术与外延单晶生长技术的不断发展，给混频器的发展提供了物质基础。到六十年代，表面势垒二极管和隧道二极管问世后，人们对混频器的研究才得到了迅速的进展。

随着混频器技术的发展，混频器的理论也得到了很大的发展。由用幂级数法、贝塞尔函数法分析小信号对非线性器件的作用，发展到用开关函数法分析大信号对非线性器件的作用，使理论和实践更加接近。后来，用信号流图法分析混频器，就更加直观、清晰了。

混频器的基本功能是作频率变换(又称变量技术)。随着频率合成技术的发展，它已不仅用作超外差接收机前端的混频器，而且还可以用来作乘法器 (即倍频器)、除法器(分频器)。双平衡混频器在锁相技术中还可作鉴相器使用。因此，混频器的研制已发展成为一种专门技术。国外已有专门生产各种混频器的专业工厂，可根据用户提出的具体指标，在一定时间内提供合格的产品。[2]

1.2 微波混频器介绍

为了能满足各种无线电设备的需要，有利于提高设备的性能，常常要将信号自某一频率变换成另一个频率，即混频。混频实际上是将两个不同的信号同时加到非线性器件进行频率组合，取出其差频或和频。由此可知，混频器在频域上起着减(加)法器的作用。由于中频信号比高频信号的频率低，有条件增加高频放大电路的级数，使远地电台的微弱信号也能获得足够的放大倍数，又不会产生高频自激振荡；又由于中频信号的频率不变，对不同频率电台的信号均能给出比较均匀的放大量，使接收灵敏度大大提高;再有，输人电台信号经过混频变为中频信号后，就可以在中频通道中顺利通过，从而避免了不需要的邻近频率的电台的窜入，从而提高了选样性和抗干扰能力。根据设备的要求不同，混频后的输出频率既可以低于输入信号频率，也可以高于输入信号频率。

所以在通信系统中，混频器是必不可少的重要部件。实际上混频器原理是利用非线性器件达到一个频谱搬移的作用。在接收机中，混频器一般是位于接收机的前端或者在低噪声放大器的后续端，它的性能如变频损耗、噪声系数等直接影响到整个系统的好坏。所以在通信系统中，性能优越的混频器对整个系统起到关键作用，也是人们一直研究的课题。

混频器一般由三部分组成：⑴本机振荡器；⑵一个或者多个非线性器件；⑶滤波器。它起到一个频率变换的作用，以便于信号的处理。按非线性器件的不同性质，可以分为有源器件混频器和无源器件混频器两类:

(1)采用晶体管或场效应管作为非线性器件的混频器称为有源器件混频器。缺点是需要额外的直流偏置，电路结构复杂，设计方法也比较复杂。其优点是可得到4～6dB 的增益，而且组合干扰小。经过理论分析与实践可以看出，场效应管混频器还有动态范围大、伏安特性曲线为平方律、交调干扰小、输入阻抗高及抗镜频干扰能力强等优点。所以场效应管混频器是一个很有前途的部件。

(2)采用二极管作非线性器件的混频器称为无源器件。二极管一般包括肖特基势垒二极管、梁式引线二极管、变容管等。在微波毫米波段，肖特基势垒二极管是最常用的。二极管混频器的特点是，结构简单，便于集成化，工作稳定，而且性能良好。因此是目前主要的微波混频器，但由于这种混频器是无源器件，因此有一定的变频损耗。当用多个二极管组成的混频电路，其工作频带可以达到几个或者几十个倍频程。

按电路结构形式分，可将混频器分为两大类：一类是采用一个混频管的，称为单端混频器；另一类是用两个或四个相同特性的混频管组成平衡或环形电路的，称为平衡或环形混频器。单端混频器电路结构比较简单，但其性能较差。平衡混频器又可分为单平衡混频器及双平衡混频器两种，它们具有噪声小、灵敏度高、抗干扰能力强及频带宽等优点。从目前广泛应用的微带电路来看，单端混频器和单平衡混频器较容易实现。[3] 1.3 国内外研究现状

混频器最早是由Armstmg在1924年研制成功。五十年代中期，晶体管技术与外延单晶生长技术的不断发展，给混频器的发展提供了物质基础。到六十年代，表面势垒二极管和隧道二极管问世后，人们对混频器的研究才得到了迅速的发展。随着混频器技术的发展，混频器的理论也得到了很大的发展。由用幂级数法贝塞尔函数法分析小信号对非线性器件的作用，发展到用开关函数法分析大信号对非线性器件的作用，使理论和实践更加接近。后来，用信号流图法分析混频器，就更加直观、清晰了。从国外混频器的发展形势来看，从上世纪八十年代起混频器的研究热点主要集中于毫米波频段。而目前国内对这方面的研究受到现有加工工艺，微波集成技术水平以及测试仪器的限制，相关技术并未成熟，起步比较晚，离工程化应用还有一定的差距，因而有必要做深入研究。本节将介绍近些年来混频技术的国内外发展动态。

1981年，Parrish等人利用梁式引线二极管以及悬置带线结构制作的平衡混频器，射频从90～94GHz的范围内变频损耗小于8dB。1982年，KennethLouie等人采用交叉结构实现W频段宽带混频器。射频信号80～102GHz的20GHz瞬时带宽内，变频损耗小于7.5dB。射频80～106GHz的26GHz带宽内变频损耗小于8.7dB。其中从90～102GHz范围内，带宽12GHz，变频损耗均小于5.6dB。1983年，WolfgangMenzel和Heinricheallse 制作出用在60GHz和94GHz通讯子系统的鳍线混频器。1985年，K．Chang和R．S．Tallim 等人研制出W频段环形混频器，在9GHz的带宽范围内，变频损耗小于7dB。1987年，Steven Low等人研制了交叉型混频器，本振84GHz，射频从85～100GHz的15GHz带宽下，变频损耗整体小于7dB。1988年，Merenda．J．L等人用四个反向并联二极管对制作了4—40GHz的谐波混频器，在整个频段内，变频损耗小于10dB，有较好的宽带特性。1992年，R．J．Lang等人研制的环形GaAs二极管混频器，射频工作在整个Ka波段，

当中频信号为100MHz，变频损耗为5．5dB。1995年前国外就已经采用PHEMT肖特基势垒二极管MMIC技术，实现RF频率32～40GHz范围内，变频损耗小于8.5dB。最优变频损耗为5.5dB。2000年GhassanYassin和MatthewBuffey研制出应用频率高达350GHz 的SIS对极鳍线混频器，得到只有90K的低噪声温度。2005年，Mun．Kyo Lee等人制作了鳍线一共面线平衡混频器。本振功率只有6dBm，变频损耗小于10dB，本振和射频信号隔离度大于29dB。2009年BertandThomas和SimonRea等人研制出320GHz～340GHz 的分谐波镜像抑制混频器，在通带范围内镜像抑制度达到7.2～24.1dB。

在国内，电子科技大学谢晋雄对两种W波段宽带混频器结构进行研究，一种是鳍线一带线集成混频器，另外为鳍线一共面波导结构，前一种结构在射频信号85～95GHz范围内，变频损耗小于15dB。后一种在射频带宽8GHz范围内，变频损耗为9～12dB。2001年南京电子技术研究所胡建凯等人研制的单端混频器和单平衡混频器在射频信号93GHz-96GHz的范围内，变频损耗小于10dB和9dB，达到国外80年代末的水平。2004年，电子科大董庆来对W波段鳍线共面线平衡混频器进行研制，射频92～96GHz，本振90GHz下，变频损耗小于15dB，端口隔离度大于20dB。2006年，南京五十五所研制出6mm鳍线平衡混频器，射频信号为47GHz，变频损耗小于3.5dB，本振和射频信号隔离度大于20dB。2008年电子科技大学的李侃制作的Ka波段四次谐波混频器在射频信号为34.36GHz时的变频损耗小于11.8dB。

从国内外的发展趋势来看，混频器主要研究集中在Ka波段和W波段，并且高频段、宽带混频器一直是人们的研究热点。近几年来国外已经开始涉足到亚毫米波段。相比之下，由于起步比较晚，受到工艺和设备的限制，国内水平较落后于国外，因此对这方面研究还是有必要的。

混频器的基本功能是作频率变换（又称变量技术）。随着频率合成技术的发展，它已不仅用作超外差接收机前端的混频器，而且还可以用来作乘法器（即倍频器）、除法器（分频器）。双平衡混频器在锁相技术中还可作鉴相器使用。因此，混频器的研制已发展成为一种专门技术。国外已有专门生产各种混频器的专业工厂，如Hittite、Linear、MACOM等可根据用户提出的具体指标，在一定时间内提供合格的产品。[4]

1.4 设计要求

在无线通信系统中，混频器是一种常见的射频电路组件，主要用来将不同频率的信号相乘，以实现频率的变换。它最基本的两个作用：上变频和下变频。其中上变频的作用是将中频信号与射频本振信号混频成为发射的射频信号，通过天线发射出去；下变频的作用是将天线接收到的射频信号与本地载波信号混频，经过滤波后得到中频信号，并送到中频处理模块进行处理。本设计通过ADS仿真掌握射频电路的工程设计方法和技巧，熟悉射频电路的调试过程，建立、设计、开发射频电路和产品的系统概念，提高专业素质和工程实践能力。[5]

技术要求：

射频频率为4.8GHz

本振频率为5GHz

变频损耗≤ 12dB

噪声系数≤ 15dB

1.5方案比较与选择

1.5.1 方案一：基于ADS的微波混频器的设计与仿真

ADS—Advanced Design System，是美国安捷伦（Agilent）公司所开发的电子设计自动化软件，功能强大，仿真手段丰富多样，包含时域电路仿真（SPICE-like Simulation）、频域电路仿真（Harmonic Balance、Linear Analysis）、三维电磁仿真（EM Simulation）、通信系统仿真（Communication System Simulation）和数字信号处理仿真设计（DSP）等，并可对设计结果进行成品率分析与优化，大大提高了复杂电路的设计效率，是非常优秀的微波电路、系统信号链路的设计工具。

混频器是一个三端口器件，通常用于将不同频率的信号相乘，以达到频率变换的目的。一个理想的混频器的输出由两个输入信号的和频与差频组成，通常情况下是以二极管或晶体管提供的非线性为基础。正如我们所了解的那样，通过非线性器件可以产生多次谐波以及输入频率的其他产物，最后经过滤波选取想要的频率分量。在本方案中，使用ADS软件进行微波混频器的设计，可以使工作简便，快捷。

使用ADS软件进行辅助分析设计，通过对软件功能的充分应用，替代了微波混频器设计中许多原来需要人工进行的运算工作，提高了工作效率；而且ADS自带特定的电路模板，不需要人工绘制，可以直接调用，大大节省了绘图时间，也减小了一部分因电路图的差错带来的仿真问题，提高了仿真的可行性。[6]

1.5.2 方案二：基于microwave office的微波混频器的设计与仿真

microwave office具有强大的电路编辑能力、测试仿真能力，以及丰富的元件库和模块库(能自由定制)，能为本课题寻找新的设计方法提供强有力的工具；其次，该软件综合性价比较高，且拥有广大的用户群，具有极大的研究价值;另外，目前国内外关于使用microwave软件对微波混频器电路设计的研究还存在很大的真空，因此极有可能性从此处着手寻找到新的设计方法。

综上所述，选择microwave软件作为寻找新的微波混频器设计方法的突破口。在研究中，还发现microwave软件缺乏处理大量计算的能力，因此，引入了mathcad软件加强这方面的能力，从而在两种软件的不断的融合中，逐渐形成了一种新的微波混频器电路的设计方法。[7]

1.5.3 方案三：基于CMRC的微波混频器的设计与仿真

当CMRC开始进入人们的视线之后，研究者将CMRC用于微波混频器设计中，最小变频损耗可以降低到仅有6.1dB，其中射频信号为35GHz，本振为8.SGHz，功率11dBm，在26～40GHz内变频损耗皆小于16dB。受到这种设计的启发，国内的文献中也提出了相似设计，研制的结果稍微差一些，但也己经有了较大的提高。文献微波频率范围在34～35.8GHz，固定中频频率为3GHz，本振功率为9dBm，最小变频损耗为11dB，在频带内均小于14.5dB。文献中将微波信号在34～36GHz变化，中频输出100MHz，变频损耗小于IOdB，最小变频损耗为7.67dB。[8]

对三种方案进行综合比较后，可知从经济方面来看，用ADS做微波混频器的设计与仿真更加实惠，从技术方面来看，用ADS做微波混频器的设计与仿真更加普遍，从操作方面来看，用ADS做微波混频器的设计与仿真更加方便与容易上手，所以本设计决定采用ADS进行微波混频器的设计。

第2章设计平台的介绍

2.1 ADS的概述

ADS—Advanced Design System，是美国安捷伦（Agilent）公司所开发的电子设计自动化软件，功能强大，仿真手段丰富多样，包含时域电路仿真（SPICE-like Simulation）、频域电路仿真（Harmonic Balance、Linear Analysis）、三维电磁仿真（EM Simulation）、通信系统仿真（Communication System Simulation）和数字信号处理仿真设计（DSP）等，并可对设计结果进行成品率分析与优化，大大提高了复杂电路的设计效率，是非常优秀的微波电路、系统信号链路的设计工具。

此外，Agilent公司还和多家半导体厂商合作建立了ADS Design Kit及Model File，以供设计人员使用。使用者可以利用Design Kit及软件仿真功能进行通信系统的设计、规划与评估及MMIC/RFIC、模拟与数字电路设计。除上述仿真设计功能外，ADS软件也提供了辅助设计功能，如 Design Guide 以范例及指令方式示范电路或系统的设计流程，而 Simulation Wizard 以步骤式界面进行电路设计与分析。ADS还能与其他EDA软件，如 SPICE、Mentor Graphics 的 ModelSim、Cadence 的 NC-Verilog、Mathworks 的Matlab 等进行协同仿真（Co-Simulation），再加上丰富的元件应用模型库及测量/验证仪器间的连接功能，大大增加了电路与系统设计的方便性、快速性与精确性。[9]

2.2 ADS的仿真设计方法

ADS软件可以帮助电路设计者进行模拟、射频与微波等电路和通信系统设计，其提供的仿真分析方法大致可以分为：时域仿真、频域仿真、系统仿真和电磁仿真。

1．高频SPICE分析

高频SPICE分析方法提供如SPICE仿真器相同的瞬态分析，用它可分析线性与非线性电路的瞬态效应。但是与SPICE仿真相比，它又有很多优点，例如，在SPICE仿真器中无法直接使用的频域分析模型，如微带线、带状线等，可以在 ADS 的SPICE高频仿真器中直接使用。这是因为ADS在仿真时可以将频域分析模型进行拉氏变换后再进行瞬态分析，而不需要使用者将该模型转化为等效的 RLC 电路。因此SPICE高频仿真器除了可以做低频电路的瞬态分析，也可以分析高频电路的瞬态响应。此外 SPICE高频仿真

器还提供了瞬态噪声分析的功能，可以用来仿真电路的瞬态噪声。

2．线性分析

线性分析为频域的电路仿真分析方法，可以对线性或非线性的射频与微波电路进行线性分析。当进行线性分析时，软件首先会先针对电路中每个元件计算所需的线性参数，如S、Z、Y和H参数、电路阻抗、噪声、反射系数、稳定系数、增益或损耗等，然后再进行整个电路的分析和仿真。

3．谐波平衡分析

谐波平衡分析提供频域、稳态、大信号的电路分析仿真和方法，它可以用来分析具有多频输入信号的非线性电路，得到非线性的电路响应，如噪声、功率压缩点和谐波失真等。与时域的 SPICE仿真分析相比较，谐波平衡可以给非线性的电路提供一个比较快速有效的分析方法。谐波平衡分析方法的出现填补了SPICE的瞬态响应分析与线性S参数分析对具有多频输入信号的非线性电路仿真的不足。尤其在现今的高频通信系统中，大多包含了混频电路结构，这更使得谐波平衡分析方法的使用更加频繁，也越趋重要。4．电路包络分析

电路包络分析包含了时域与频域的分析方法，可以使用于包含调频信号的电路或通信系统中。电路包络分析借鉴了SPICE与谐波平衡两种仿真方法的优点，将较低频的调频信号用时域SPICE仿真方法来分析，而较高频的载波信号则以频域的谐波平衡仿真方法进行分析。

5．射频系统分析

射频系统分析方法可以让使用者模拟评估系统特性，其中系统的电路模型除可以使用行为级模型外，也可以使用元件电路模型进行响应验证。射频系统仿真分析包含了上面介绍的线性分析、谐波平衡分析和电路包络分析等各种分析手段，它们分别用来验证射频系统的无源元件与线性化系统模型特性、非线性系统模型特性和具有数字调频信号的系统特性。 [10]

第3章 混频器的基本理论

混频器是一个三端口器件，通常用于将不同频率的信号相乘，以达到频率变换的目的。一个理想的混频器的输出由两个输入信号的和频与差频组成，通常情况下是以二极管或晶体管提供的非线性为基础。正如我们所了解的那样，通过非线性器件可以产生多次谐波以及输入频率的其他产物，最后经过滤波选取想要的频率分量。近代通信系统中，为了实现基带信号和射频信号之间的变化，通常采用几个混频器和滤波器。在本节中，我们将着重讨论混频器的一些重要指标，混频的各种结构形式，以及使用大小信号分析法分析混频电路。[11]

3.1 混频器的技术指标

3.1.1 变频损耗

混频器的一个重要品质因数是变频损耗，它的定义是可用射频信号输入功率与中频 信号输出功率之比，用dB 表示：

dB 0IF RF lg 10≥=输出功率

可用输入功率可用c L （3-1） 一般混频器的变频损耗由三部分组成:非线性电导净变频损耗g L ，混频二极管管芯结损耗r L 。以及电路的失配损耗m L 。

(1)非线性电导净变频损耗

非线性电导净变频损耗是由于混频过程产生的组合频率分量所引起的能量流失，是混频器的固有损耗。非线性电导净变频损耗由非线性器件产生的各谐波能量分配关系所决定。混频管非线性特性，混频电路中各谐波端接负载匹配情况，以及本振功率大小等都会对净变频损耗造成影响。当混频电路结构和混频管固定时，本振功率的增加会降低净变频损耗，但当本振功率大到一定范围时，随着混频管中电流散弹噪声的增大，会使得混频管噪声系数变差。

(2)混频二极管管芯结损耗

如下图所示，管芯的结损耗主要由串联电阻s R 和结电容j C 引起产生的。在混频过

程中，参与频率变换的只有加在非线性结电阻j R 上的信号功率，而s R 和j C 对j R 起到了分压和旁路作用，使得加到非线性结电阻上的信号功率被消耗掉一部分，引起了结损耗。

j C s

R j

R

图 3-1 混频二极管管芯等效电路

根据以上分析以及二极管等效电路可以得出结损耗为:

j s j s r R R R dB L s 2

j 2R C )/1lg(10)(ω++= (3-2)

从上公式可以看出，结损耗随着s R 和j C 以及工作频率增加。对于混频二极管来说，体电阻s R 和结电容j C 是固定的，所以要想减少二极管的管芯结损耗就需要通过选择截止频率足够高的混频管来实现。

(3)失配损耗

顾名思义，失配损耗由混频器射频输入和中频输出两个端口的匹配程度引起的。一般混频器微波输入端口驻波比在2以下，失配损耗典型值大约为0.5～1dB 。要想减小失配损耗就必需要有良好的匹配设计，这也是混频器设计的一个重点。[12]

3.1.2 噪声系数

在混频器中，噪声是由二极管或者晶体管原件以及造成电阻性损耗的热源产生的。噪声系数定义为输入信噪比和输出信噪比的比值，实际混频器的噪声范围是1～5dB ，二极管混频器通常可以达到的噪声系数比晶体管混频器的低。混频器的噪声取决于它的输入是单边带还是双边带信号。这是因为混频器下变频在两个边带频率处，但是单边带信号功率是双边带信号的一半.

假设双边带输入信号为: ])cos()[cos(t t A IF LO IF LO D SB ωωωωυ++-= (3-3)

与本振信号混频，通过中频滤波器，得到中频信号为:

)cos()cos(2)cos(2t AK t AK t AK IF IF IF IF ωωωυ=-+=

(3-4) 其中K 是计算每个边带变频损耗引入的常数。由 (2.1.4)式子可以计算出双边带输入信号功率为:

22

22

2A A A S i =+= (3-5) 输出中频信号功率为:

2

2

2K A S o = (3-6) 对于噪声系数，输入噪声功率定义为B kT N o i =，其中o T 为290K ，B 是中频信号带宽。输出噪声功率等于输入噪声加上由混频其附加的噪声add N 再除以变频损耗(假设以混频器的输入作为参考):

c

add o o L N B KT N += (3-7) 根据噪声系数定义，可以得出双边带信号的噪声系数为:

)1(22B

KT N L K N S N S F o add c i o o i DSB +== (3-8) 按照同样的计算方法分析，假设单边带输入信号为:

t A t IF LO SSB )cos()(ωωυ-= (3-9)

得到单边带输入信号的噪声系数为:

)1(42B

KT N L K N S N S F o add c i o o i SSB +== (3-10) 通过上式比较，可以看出单边带输入信号的噪声系数是双边带的两倍，也就是高3dB 。[13]

3.1.3 隔离度

隔离度的定义是一个信号端口泄漏到其它端口的功率与原来功率之比。混频器的隔离度是指各个频率输入输出端口的隔离度，包括本振信号与射频信号的隔离度，本振信

号与中频信号的隔离度以及射频信号与中频信号的隔离度。其中本振信号与射频信号的隔离度是比较重要的指标。尤其是在多通道接收机系统中，在本振与信号隔离度较差的情况下，容易出现交叉干扰。[14]

3.1.4 动态范围

动态范围是指混频器能够正常工作时的输入信号功率范围。混频器动态范围的下限通常按下式计算：

if if c o f F L MkT P ?=)(min （3-11）

其中为c L 混频器变频损耗，if F 为中频放大器噪声系数，if f ?为中频宽带，M 为信号识别系数。

动态范围上限取决于混频器的饱和状态对应得输入功率。当输入信号超过饱和输入功率后，输出信号幅度不再增加，交调分量电平迅速上升。混频器的饱和输入功率通常指输出1dB 压缩点功率。当输入信号功率过大时，将容易导致混频器烧坏，在实际应用中应当要严格设定输入功率的范围。[15]

3.1.5 本振功率与工作点

本振功率是指混频器工作在最佳工作状态下所需的本振功率。本振功率变化会影响到混频二极管工作电流，阻抗等许多技术指标的变化。一般情况下，随着本振功率的增大，混频器的动态范围也随之变大，线性度等性能得到改善;但本振功率过大会使得混频管电流加大，噪声系数会变差。毫米波本振功率的典型值一般约为10～20dBm 。

3.1.6 工作带宽

没有哪种微波混频器可以工作在整个微波波段，也就是说当微波混频器在某一微波波段有较稳定的混频器损耗时，这个微波波段可以定性地认为是它的工作带宽。这个带宽不可太小。严格地说，频带宽度是指满足各项指标的频率范围。混频器的频带宽度决定于二极管的寄生参量以及组成电路的各元件的频带宽度。除了上述各项指标外，在各种不同的应用场合，往往还对混频器提出某些特殊的指标要求。例如，微波通信的接收混频器应在频带内具有一定的振幅频率特性，雷达接收机的混频器应具有一定的抗烧毁能力，其他如体积、质量、结构稳定性等也必须加以考虑。[16]

3.2 混频器的电路形式

混频器经过多年的研究和发展，其原理以及应用方面也越来越成熟，其电路形式也是千变万化，使用的传输线例如波导、鳍线、微带、悬置带线等多种形式。混频器的结构按电路形式分为以下三类:单端混频器，单平衡混频器，双平衡混频器。

3.2.1 单端混频器

单端混频器的结构如下图所示，它由耦合器、匹配电路、二极管、中频接地回路、高频短路块以及低通滤波器等组成。本振信号和射频信号从藕合器输入，耦合器保证了本振口和信号口有一定的隔离度。藕合器到二极管之间有一段阻抗匹配线，保证了本振和信号功率有效的加到二极管上。混频二极管虽然主要呈现非线性结电阻，但实际上是一个复阻抗，所以在匹配的过程中需要加段相移线。

单端混频器结构简单，但其性能比较差，而且频带比较窄，噪声系数比较大，灵敏度不高。

图 3-2 单端混频器

3.2.2 单平衡混频器

单平衡混频器电路可以按照加到两管子上的信号和本振的相位关系，分为可二分之π和反相两种类型，它们的混频原理相同，但电路结构不同，如下图所示:

图3-3 单平衡混频器电路结构图：（a）180度耦合电桥；（b）90度耦合电桥单平衡混频器的输出电流频谱分量要比单端混频器小很多，在强信号时，它产生的组合分量也较少。这种混频器利用两个二极管，在同样强的输入信号下，分到每个管子的信号功率比单管混频少3dB，因此它的动态范围也大一倍。此外这种平衡混频器还有抵消本振引入噪声所产生的中频噪声的能力。平衡混频器除了能抑制本振噪声外，还具有以下特点：在理想匹配情况下，全部信号功率和全部本振功率都加在这两个二极管上，因而消除了单端混频器中的耦合损耗。同时，在完全匹配和功分电路具有理想特性的条件下，信号端和本振端之间理想隔离。由于信号功率分配在两个二极管上，因此整个混频器的抗烧毁能力和动态范围都增加了一倍。若考虑到本振高次谐波和信号差拍的结果，可以发现，平衡混频器不仅能抑制本振噪声，而且还能抑制部分寄生频率。[17]

3.2.3 双平衡混频器

为了进一步改善混频器的性能，又出现了双平衡混频器，结构如下图所示。这种结构的混频器是由四个二极管，正负极顺次相连，组成一个环路或二极管电桥，故又称为环形混频器。双平衡混频器的信号和本振电压加上两个平衡一不平衡的变换器，他们次级与环形电桥相连，中频信号从变换器次级中心抽头引出。

RF

IF

LO

图3-4 双平衡混频器电路结构图

双平衡混频器的输出电流频谱含量比单平衡混频器少了一半。这就意味着变频损耗要小得多。由于双平衡混频器利用的是四个二极管，与单平衡相比，分配到每个二极管的信号功率少了3dB，因此它的动态范围比单平衡大3dB。它对噪声的抑制和单平衡混频器一样能够抵消本振引入噪声所产生的中频噪声。

双平衡混频器与单平衡混频器相比具有很多优点：

(1)具有抑制本振噪声的能力。任何一个振荡器，除了产生需要的频率分量外，也会产生一系列不需要的频率，其中和本振频率之差等于中频的这些频率分量经过混频后就成为中频噪声。这就是单端混频器噪声系数大的主要原因。

(2)提高信号功率与本振功率的利用率。

(3)可以抑制寄生频率输出。

(4)在理想匹配条件下，平衡混频器将信号与本振功率全部分配在管子上，因此，混频器的抗毁能力和动态范围均增加一倍。

(5)容易得到宽频带特性。

(6)信号本振隔离度高。

由于双平衡混频器具有信号与本振隔离度高、输出电流频谱寄生干扰频率分量少、动态范围大、频带宽等优点，目前得到广泛的应用。[18]