耐压等级最高的电容器

耐压等级最高的电容器
耐压等级最高的电容器

耐压等级最高的片式钽电容器

片式钽电容器的阴极采用电子电导型的二氧化锰作为产品阴极,二氧化锰生产的电解电容器具有非常强的自我修补能力,因此,自60年代问世以来,目前为止,它仍然是中高压固体钽电容器最合适的阴极材料。尽管近些年已经出现了高频阻抗更低的3,4乙烯二氧噻吩[聚噻吩]作阴极的高分子片式钽电容器,但由于高分子阴极的电阻率太低,因此,它不能使用在16V以上的钽电容器上。

在生产二氧化锰作阴极的片式钽电容器时,二氧化锰阴极使用化学分解的方法来制造,由于产品反复经过多次的高温化学分解,因此,在生产结束时,产品的耐压将有大幅度下降。为了弥补化学分解制造阴极时导致的耐压下降问题,一般在决定产品耐压高低的介质层形成时,必须使用远远高于额定电压的形成电压来形成介质层。一般使用的介质层形成电压和额定电压的比例为4:1。也就是说额定电压为50V的产品的介质层形成电压必须达到200V 以上产品的耐压才可以保证。而由于体积限制,片式钽不同壳号的尺寸采用IEC标准,因此装粉量受到严格限制。同时,受制于生产钽电容器使用的钽粉生产技术水平的限制,在有限的壳号内,片式钽电容器的最高耐压一般最高只能达到50V的水平。

片式钽最大的使用电路基本上都是高浪涌高纹波的开关电源电路,使用在此类低阻抗电路,使用电压只能达到额定电压的1/3,为存在的浪涌留出足够的余量才可以保证安全和可靠性能够达到整机的可靠性要求。因此,50V的片式钽在此类电路的上限使用电压不能超过16V,如果电路中的供电电流较小[例如使用电池供电的电路],使用电压才可以达到额定电压的1/2。

当此类电路的使用电压较高时,特别是高可靠的军用电路,必须使用耐压更高的片式钽电容器才可以达到高可靠要求。

为了达到特殊的军用电路要求,北京718电子有限责任公司专门开发了一种新型的片式钽电容器,此产品使用了最新的高可靠材料和最新的介质层形成技术,产品的耐压可以达到63V以上。产品的温度特性极为优良,在-55-+125度内,容量变化率在-3-+3%以内。由于等效串联电阻很低,因此,该产品的频率特性也非常高,已经接近小容量的陶瓷电容器的水平。最为重要的是此产品具有非常低的漏电流,漏电流等级可以达到高于国军标和美军标一个等级的程度。此产品已经在国家某项重点军事工程上得到使用的高可靠性认可。

产品的具体标准如下;

CAK45V型片式有可靠性指标的高温固体电解质钽电容器

执行规范:GJB2283-95,Q/RV

产品简介:该产品是烧结阳极,树脂模塑固体电解质片式钽电容器,具有表面贴装、体积小、重量轻、电性能稳定、可靠等特点。适用于宇航、航天、航空、导弹、通信、兵器等军用电子设备的表面贴装。

环境条件:-55℃~+125℃(>85℃时施加降额电压使用);

主要特性:产品具有片式钽中最高的耐压63V,专为有更高耐压

要求的军用电路而设计.

电容量允许偏差:K:±10%、M:±20%;

外形及尺寸:见表1、图1;

额定电压、标称容量:见表2;

室温漏电流: I0≤0.001U R C R(μA)或0.1μA(取大者);

高低温特性:见表3;

等效串联电阻:见表4。

图1

表1 电容器的外形尺寸

外壳代号L W H S W1

A 3.2±0.2 1.6±0.2 1.6±0.2 0.8±0.3 1.2±0.1

B 3.5±0.2 2.8±0.2 1.9±0.2 0.8±0.3 2.2±0.1

C 6.0±0.3 3.2±0.3 2.5±0.3 1.3±0.3 2.2±0.1

D 7.3±0.3 4.3±0.3 2.8±0.3 1.3±0.3 2.4±0.1

E 7.3±0.3 4.3±0.3 4.0±0.3 1.3±0.3 2.4±0.1

F 7.3±0.3 6.0±0.3 3.5±0.3 1.3±0.3 2.4±0.1

表2 电容器的额定电压、降额电压和标称电容量

额定电压63

电压代码

降额电压(V) 41

容量uF 容量代

壳号代码

0.1 104 A/B 0.15 154 A/B/C 0.22 224 A/B/C 0.33 334 A/B/C 0.47 474 A/B/C

0.68 684 B/C

1 105 C/D

1.5 155 C/D

2.2 225 C/D

3.3 335 D/E

4.7 475 D/E 6.8 685 E/F 10 106 E/F

表3 电容器的高低温特性

标称电容量

CR (μF)

电容量变化范围

(%)

最大值

损耗角正切值(%)漏电流(μA)-55℃85℃125℃-55℃25℃85℃125℃85℃125℃①

≤1.0

-10 +10 +12 6 4 6

10I012 I0

1.5~10 6 4 6

此产品的开发对提高工作电压较高的大功率电源滤波电路的可靠性创造了条件。目前,全球只有此家公司能够提供此类耐压达到63V以上的片式固体钽电容器。

电容值的读法

电容容量单位为“法拉”,用字母“F”表示.比F小的单位还有MF(兆法)、μF(微法)、NF(毫微法) ﹑PF(微微法) 1F=1000Mf=1000000μf=1000000000nf=1000000000000Pf 1μf=1000nf=1000000pF 1nf=1000pf 由于电容"F"单位的容量非常大,所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位。在常见的电路图中μF﹑PF有的将F省略掉显示μ﹑P实际的电容标注法一般是小于9900P用P表示大于0.01μ(含0.01)用μ表示。 电容器容量换算: 1、N(毫微法)表示 1n=1000P 10n=0.01μ 100n=0.1μ 例:3n3表示3300Pf 22N表示0.022μf 470n表示0.47μf 3、直接标注法: 0.01μ 0.047μ 3300pf 560pf 显示的就是实际容量不必换算 4、用乘方数表示: 10 10+无=10P 101 10+0=100P 102 10+00=1000P 103 10+000=0.01 104 10+0000=0.1 105 10+00000=1μ 前2位为容量。第三位为乘方数,乘方数单位为P,如221表示22加一个零等于220P,472表示47加二个零等于4700P,683表示68加三个零等于0.068μf 5、用符号表示:

电容器误差精度值代号标识法: 电容误差值A:-0+5%﹑J:±5%﹑K:±10%﹑M:±20%﹑Z:-20%+50% 电容器耐压值标示方法: 电容耐压等极:16V﹑25V﹑35V﹑50V﹑63V﹑100V﹑160V﹑250V﹑400V﹑630V﹑1000V﹑1250V﹑2000V﹑3000V 到更高耐压,实际的电容有的电容器耐压值只写上"1250" 不写1250V 。 下面竖外公司电容器耐压表示识别方法: 注:字符代码说明英文字母表示有效数。英文字母前的阿拉伯数字表示数量级。1 表示101 即10 ,2表示10 即100,3表示10 即1000。 例:2J222J 含意是耐压630V 容量2200P 精度±5% 在如:2G473K 含意是耐压400V 电容器的容量0.047μf精度±10% 电容量标注象电阻那样有一个规律,通常是10﹑22﹑33﹑47﹑56﹑68﹑82﹑100进级,就凭这点很容易与耐压值区分开。

贴片电容的封装与耐压值

贴片电容的封装与耐压值 贴片电容是指片式多层陶瓷电容(Multilayer Ceramic Capacitors),简称MLCC,又叫做独石电容.电容量-温度特性是选用电介质种类的一个重要依据。 按美国电工协会(EIA)标准,不同介质材料的贴片电容(MLCC)按温度稳定性分成三类:COG(NPO),X7R,Y5V(Z5U) COG(NPO):一类电介质,超稳定级(I类)。电气性能最稳定,基本上不随温度、电压与时间的改变而改变,适用于对稳定性要求高的电路。 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。 下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 封装DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1nF---33nF 1nF---18nF X7R:二类电介质,稳定级(II类)。电气性能稳定,在温度、电压与时间改变时性能的变化度不显著,适用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的鉴频电路。由于X7R是一种强电介质,因而能造出容量比NPO介质更大的电容器 X是最低温度-55度7是最高承受温度125度R是使用温度内容值变化的范围+-15% 同理X5R只是最高温度为85度 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。 封装DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF0.01μF---0.56μF Y5V(Z5U):三类电介质,能用级(Ⅲ)。具有较高的介电常数,常用于生产比容较大的、标称容量较高的大容量电容器产品,但其容量稳定性较X7R差,容量、损耗对温度,电压等测试条件较敏感。在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U

电容器参数大全

电容器 电容器通常简称其为电容,用字母C表示。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。定义2:电容器,任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)间都构成一个电容器。 相关公式 电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2 多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn 多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 三电容器串联C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3) 标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等,换算关系是:1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。 容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法:1m=1000 μF 1P2= 1n=1000PF 数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇,第三位数宇表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。如:102表示标称容量为1000pF。221表示标称容量为220pF。224表示标称容量为22x10(4)pF。 在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用"9"表示时,是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=。 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如:一瓷片电容为104J表示容量为μF、误差为±5%。 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:D——005级——±%;F——01级——±1%;G——02级——±2%;J——I级——±5%;K——II级——±10%;M——III级——±20%。 精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%) 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。

钽电容耐压

钽电容上面标着106F 他表示:106是容量为10uF F应是耐压值为 钽电容耐压用不同的字母来标注,如下: F: G: 4 L、J: A: 10 C: 16 D: 20 E:25 V: 35 T:50 在体积一定的情况下,容值越大,耐压值越小。 目前全球主要有以下几个品牌的钽电容:AVX、KEMET、VISHAY、NEC、NICHICON。 市场上的钽电容,分为黄钽和黑钽两种。黄钽品牌主要是:AVX KEMET 黑钽主要品牌是:NEC、NICHICON。市场占有方面:AVX远高于KEMET,NEC高于NICHICON。现在市场上的钽电价格变化比较大。AVX涨价20%--30% , KEMET涨价15%-20%,NEC涨价10%--20%。涨价的主要原因个人认为有这么几个原因:1.市场上原料钽价格上涨 2.劳动力成本的增加。 另外可能有朋友要问黄钽与黑钽的区别。简单来说,黑钽是开模将钽粉压成型,而黄钽,是在表面用聚氧 树脂包裹而成。由于生产工艺的原因,黑钽的内部空间没有得到最有效的利用,所以黄钽能做的容量会比 黑钽要大,也就是说有些黄钽能做到的规格型号,黑钽做不了。 另外,前面有朋友说到Polymer,Polymer现在主要是 AVX与KEMET在做。Polymer与比普通的二氧化锰的优势在于:普通的钽电他的实际使用电压一般是50%,Polymer一般在80%以上。举个例子来说:100uf 10v 的普通电容,在实际使用的时候,额定电压不能超过5V,如果使用Polymer材料的电容,那么只需要100uf 的。但由于价格问题,Polymer现在在普通的电子产品上用的不是很多。我所知道的,在笔记本电脑上有 些有用到。 AVX与KEMET的优劣:AVX在军用,民用市场上的占有量都很大,在普通电容的市场上,AVX无论品质还是市场占有量都远强与KEMET。价格上,AVX比KEMET更贵。KEMET他主要问题是其电容的耐压值不够,举例说:100uf 10v的电容,测试的电压按道理应该能达到5V,但若真用5V电压去测试的话,很可能会击穿。Polymer方面,KEMET是强于AVX的。Polymer最初是一家日本公司(名字忘记了)研究出来的,后被KEMET 买断了专利。AVX在Polymer方面的研究开发人员,基本上是从KEMET挖过来的。至于VISHAY,其钽电容 大多用于军工,其普通钽电容市场占有量比较少。对于选型来说,AVX钽电主要有TAJ、TPS、TPM、TCJ、TLJ、THJ、TRJ、TAC、TLC等系列,常用的是TAJ系列。TPS系列是低阻抗系列。钽电容的尺寸大小,有A、B、C、D、E、V、R、S、T、P、W、X、Y 13种尺寸电容的耐压,指在85℃时额定直流电压,钽电容的耐压范围从。

电解电容器的耐压测试方法

电解电容器的耐压测试方法 电解电容器耐压测试及应用 电容的耐压,表示电容在一定条件下连续使用所能承受的电压。如果加在电容上的工作电压超过额定电压,电容内部的绝缘介质就有可能被击穿,造成极片间短路或严重漏电。因此,电容的工作电压不能大于其额定耐压,以保证电路可靠工作。 对于电解电容器,漏电流是性能指标中重要的一项。电解电容的漏电流与电压的关系密切,漏电流随工作电压的增高而增大。当工作电压接近阳极的赋能电压时,漏电流会急剧上升。通过测试电解电容的漏电电流,可以推算出它的极限耐压和额定耐压,对于电路中电容耐压的取值,有直接的参考意义。 根据这个原理,笔者设计并制作了~款电容耐压测试仪,其线路简单、成本低廉、制作容易,较好地解决了业余条件下电容耐压测试的问题。 变压器T1和T2型号相同,背靠背对接,提供高低压两组电源,并起到隔离作用。低压的经整流滤波后,由R1、DWl、Q1、Ral~Ral 1组成电流可调的恒流源。高压的经整流滤波后由Rbl~RblO、DW2分压,Q2输出可调的直流电压。使用时选择合适的电压Uc和电流Jc,将被测电容接到Cxa、Cxb两点上,此时会看到电压表指针缓慢偏转,达到一定的位置后静止,指针所指的电压即为该电容在漏电电流为lc时所承受的耐压。 波段开关K3、K4(各单挡11位)分别是测试电压和电流(即漏电流)选择开关,其测试量程如表1所示。表2为测试电路中的元件清单。 一、测试电路的使用方法 1.将测试电压调到比电容额定电压高一些的挡位。如测试35V的申容。可将挡位放到64V,测试50v的电容,可将挡位放到64M或96V.挡位高一些对测试结果影响不大,只是挡位越高,三极管Q1的功耗相应会大一些。 2.选择合适的测试电流。测试电流应根据电容容量来选择,容量越大测试电流也越大。对于4700μF以上的电容,可选择大于10mA的测试电流;对于1000~4700μF的电,容,可选择5mA左右的测试电流:对于10μF以下的电容,可选择0.2~1mA的测试电流。 3.红色鳄鱼夹接电容正极,黑色鳄鱼夹接电容负极。接好后看到电压表指针先匀速缓慢偏转。正常情况下偏转位置应超过额定电压,当达到某一值时其指针偏转变慢,并且越来越慢,最终静止下来,此时电容的漏电流等于Q1集电极的恒流电流,电压表所指示的电压,为此电容在漏电电流为Ic时所承受的耐压,可粗略认为是该电容的极限耐压。 4.测试完毕后将开关K2闭合,待电容放电后取下。 表3是利用附图的测试电路测量的部分电解电容器的产品实例。 二、测试经验总结 1.电容容量越大,测试电流(漏电流)也应相应变大。 国产的铝电解电容器,在额定电压6.3~450V,标称容量10~680μF时,漏电流可按下列公式计算:I≤(KxCxU)/1000公式中:I为漏电流(mA);K为系数(20℃±5℃时,K=O.03);U为额定工作电压(V);C为标称容量(μF); 2.由于电解电容器只能单向工作,如将电解电容正负端接反测试,在5mA电流下测试其电压会极低,大约只有4V左右。 3.长期不用的电解电容器,由于氧化膜的分解,容量、耐压都有一定的衰减,在第一次使用时,应先加低压(1/2额定耐压)老化一段时间(等效电解电容器的赋能)。 4.同样的容量和耐压的电解电容器,其体积较大、分量较重的一般耐压性能更好些;同样的容量和耐压的电解电容器,其相同的测试电流,电压指针偏转快的,漏电流较小。 5.正品电解电容极限耐压一般为其额定电压的120%左右。 6.当工作电压高于额定电压时,电容就较容易击穿。因此选用电解电容时,应使额定电压高于实际工作电压,并要预留一定的余量,以应付电压的波动。一般情况下,额定电压应高于实际工作电压的10%~20%,对于工作电压稳定性较差的电路,可酌情预留更大的余量。 7.使用本电路测试电解电容器,不会造成电容的损坏。 三、测试电路的改进 1.由于没有购买到合适的电压表头,DC250V以上挡不能指示。如果能够换成DC320v表头就比较理想。表头量程也不宜太大,否则会降低分辨率,用这样的表头去测试低耐压电容时,会造成读数偏差太大。 2.为了取得更准确的测试电压,可将Rbl~Rbl0分压电阻换成相应稳压值的稳压管(加限流电阻)或多圈精密可调电阻。 3.V1若换成数字式电压表,电压读数将更加直观、精确。不过需另外加装一组DC5v浮动电源。

各种贴片电容容值规格参数表

各种贴片电容容值表 X7R贴片电容简述 X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。它的容量相对稳定。 X7R贴片电容特性 具有较高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为±15%。层叠独石结构,具有高可靠性。 优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。 应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。 X7R贴片电容容量范围 厚度与符号对应表 0201~1206 X7R贴片电容选型表

1210~2225 X7R贴片电容选型表

NPO COG 贴片电容容量规格表 默认分类2009-07-15 16:28 阅读354 评论1 字号:大大中中小小 NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。它的容量稳定,几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。尤其适用于高频电子电路。 具有最高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为:0±30ppm/℃(COG)、0±60ppm/℃(COH)。 层叠独石结构,具有高可靠性。 优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。 应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

我们把用来制造片式多层瓷介电容(MLCC)的陶瓷叫电容器瓷。这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。大家知道,陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。就其显微结构而论,大都具有多晶多相结构。其性能往往决定于其成份和结构。当配方确定之后,能否达到预期的效果,关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。 按其用途可以分为三类:①高频热补偿电容器瓷(UJ、SL);②高频热稳定电容器瓷(NPO); ③低频高介电容器瓷(X7R、Y5V、Z5U)。 按温度系数分可以分为两类:①负温度系数电容器瓷(即高频热补偿电容器瓷);②正温度系数电容器瓷(即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料)。 按工作频率可以分为三类:低频、高频、微波介质。 高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用,其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。其特点是介质系数较大,介质损耗小,温度系数和范围广,一般在(+120~-5600)ppm/℃之间可调。高频热补偿电容瓷常用来制造的负温产品,其用途最广的地方就是振荡回路,像彩电高频头。大家知道,振荡回路都是由电感和电容构成,回路中的电感线圈一般具有正的电感温度系数。因此,为了保持振荡回路中频率(F=1/2π√ LC )不随温度变化而发生漂移,就必须先用具有适当的负温度系数的电容器来进行补偿。 低频高介电容器是指强介铁电陶瓷,一般用作Ⅱ类瓷介电容器的介质。具有自发极化性质的非线性陶瓷材料,一般以钛酸钡(BaTiO3)为主体的铁电陶瓷,其特点是介电系数特别高,

极性电容耐压值

电容的耐压标注 电容的耐压单位:V(伏特) 每一个电容都有它的耐压值,这是电容的重要参数之一。普通无极性电容的标称耐压值有:63V、100V、160V、250V、400V、600V、 1000V等,有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低,一般的标称耐压值有:4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、 63V、80V、100V、220V、400V等。 有一种是采用一个数字和一个字母组合而成。 数字表示10的幂指数,字母表示数值,单位是V(伏)。 字母 A B C D E F G H J K Z 耐压值 1.0 1.25 1.6 2.0 2.5 3.15 4.0 5.0 6.3 8.0 9.0 例如: 1J代表 6.3*10=63V 2G代表 4.0*100=400V 3A代表 1.0*1000=1000V 1K代表 8.0*10=80V 数字最大为4,如4Z代表90000V

电子基础知识 一、电容的分类和作用 电容(Electric capacity),由两个金属极,中间夹有绝缘材料(介质)构成。由于绝缘材料的不同,所构成的电容器的种类也有所不同: 按结构可分为:固定电容,可变电容,微调电容。 按介质材料可分为:气体介质电容,液体介质电容,无机固体介质电容,有机固体介质电容电解电容。 按极性分为:有极性电容和无极性电容。我们最常见到的就是电解电容。 电容在电路中具有隔断直流电,通过交流电的作用,因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐 二、电容的符号 电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法,但电容符号在国内和国际表示都差不多,唯一的区别就是在有极性电容上,国内的是一个空筐下面一根横线,而国际的就是普通电容加一个“+”符号代表正极。 三、电容的单位 电阻的基本单位是:F (法),此外还有μF(微法)、pF(皮法),另外还有一个用的比较少的单位,那就是:nF(),由于电容 F 的容量非常大,所以我们看到的一般都是μF、nF、pF 的单位,而不是F的单位。 他们之间的具体换算如下: 1F=1000000μF 1μF=1000nF=1000000pF 四、电容的耐压单位:V(伏特) 每一个电容都有它的耐压值,这是电容的重要参数之一。普通无极性电容的标称耐压值有:63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等,有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低,一般的标称耐压值有:4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。 五、电容的种类 电容的种类有很多,可以从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容

电容容量、耐压标注

电容容量、耐压标注 1.表面上的标称容量数字以2字结尾的,容量单位为PF.容量为前两数字乘100。例如:102=10×102=1000PF 822=82×102=8200PF 2.标称容量数字以4字结尾的,容量单位为uF.其容量为零点几微法。 例如:104=10×104=100000PF=0.1uF 824=82×104=820000PF=0.82uF 3.标称容量数字,以5结尾的,标称容量为uF.其容量为几点几微法。 例如:105=10×105=1000000PF=1.0uF 475=47×105=4700000PF=4.7uF 4.标称容量数字,以6结尾的,标称容量为uF.其容量为十几微法。 例如:106=10×106=10000000PF=10.0uF 5.标称容量数字,以n字表示的,单位为nF,其容量为零点几到零点零几微法。例如:100n=0.1uF 200n=0,2uF 10n=0.01uF 1uF=103nF=106pF 另外电容没有特别标注的,耐压均为63V;误差没有标注的。容量误差为10%。电容的耐压单位:V(伏特) 每一个电容都有它的耐压值,这是电容的重要参数之一。普通无极性电容的标称耐压值有:63V、100V、160V、250V、400V、600V、 1000V等,有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低,一般的标称耐压值有:4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、 63V、80V、100V、220V、400V等。 有一种是采用一个数字和一个字母组合而成。 数字表示10的幂指数,字母表示数值,单位是V(伏)。 例如: 1J代表 6.3×101=63V 2G代表 4.0×1002=400V 3A代表 1.0×10003=1000V 1K代表 8.0×101=80V 数字最大为4,如4Z代表9.0×104=90000V

极性电容耐压值

电容的耐压标注 电容的耐压 单位:V(伏特) 每一个电容都有它的耐压值,这是电容的重要参数之一。普通无极性电容的标称耐压值有: 63V、100V、160V、250V、400V、600V、 1000V 等,有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低,一般的标称耐压值有:4V、6.3V、 10V、16V、25V、35V、50V、 63V、80V、100V、220V、400V等。 有一种是采用一个数字和一个字母组合而成。 1J代表 6.3*10=63V 2G代表 4.0*100=400V 3A代表 1.0*1000=1000V 1K代表 8.0*10=80V 数字最大为4,如4Z代表90000V

电子基础知识 一、电容的分类和作用 电容(Electric capacity),由两个金属极,中间夹有绝缘材料(介质)构成。由于绝缘材料的不同,所构成的电容器的种类也有所不同:  按结构可分为:固定电容,可变电容,微调电容。 按介质材料可分为:气体介质电容,液体介质电容,无机固体介质电容,有机固体介质电容电解电容。 按极性分为:有极性电容和无极性电容。我们最常见到的就是电解电容。 电容在电路中具有隔断直流电,通过交流电的作用,因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐 二、电容的符号  电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法,但电容符号在国内和国际表示都差不多,唯一的区别就是在有极性电容上,国内的是一个空筐下面一根横线,而国际的就是普通电容加一个“+”符号代表正极。 三、电容的单位  电阻的基本单位是:F (法),此外还有μF(微法)、 pF(皮法),另外还有一个用的比较少的单位,那就是:nF(),由于电容 F 的容量非常大,所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位,而不是F的单位。 他们之间的具体换算如下: 1F=1000000μF 1μF=1000nF=1000000pF 四、电容的耐压单位:V(伏特) 每一个电容都有它的耐压值,这是电容的重要参数之一。普通无极性电容的标称耐压值有:63V、100V、160V、250V、 400V、600V、1000V等,有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低,一般的标称耐压值有:4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。 五、电容的种类 电容的种类有很多,可以从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上可以分为:CBB电容(聚乙烯),涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。下表是各种电容的优缺点: 各种电容的优缺点

贴片电容封装与耐压值关系

贴片电容:封装与耐压值关系 2009-11-26 12:08 贴片电容的封装与耐压值的关系 贴片陶瓷电容器(统称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由 铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于 ±0.1%。 NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选

取的容量范围: NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。 ?X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 ?下表给出了X7R电容器可选取的容量范围: Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围:

电容器参数大全

电容器参数大全-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1

电容器 电容器通常简称其为电容,用字母C表示。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。定义2:电容器,任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)间都构成一个电容器。 相关公式 电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2 多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn 多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 三电容器串联 C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3) 标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等,换算关系是: 1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。 容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法:1m=1000 μF 1P2= 1n=1000PF 数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇,第三位数宇表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。如:102表示标称容量为1000pF。 221表示标称容量为220pF。 224表示标称容量为22x10(4)pF。 在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用"9"表示时,是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=。 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如:一瓷片电容为104J表示容量为μF、误差为±5%。 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:D——005级——±%;F——01级——±1%;G——02级——±2%;J——I级——±5%;K——II级——±10%;M——III级——±20%。 精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ- ±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%) 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。 注:用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量,n为正或负整数。 主要参数的意义:标称容量以及允许偏差:目前我国采用的固定式标称容量系列是: E24,E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。 额定电压:在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。常见的电容额定电压与耐压测试仪测量值的关系( 600V的耐压测试仪测量电压为760V以上 550V的耐压测试仪测量电压为715V以上; 500V的耐压测试仪测量电压为650V以上; 450V的耐压测试仪测量电压为585V以上; 400V的耐压测试仪测量电压为520V以上; 250V的耐压测试仪测量电压为325V以上; 200V的耐压测试仪测量电压为260V以上;

电容容量识别

电容容量识别 由于电容"F"单位的容量非常大,所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位。在常见的电路图中μF﹑PF有的将F省略掉显示μ﹑P实际的电容标注法一般是小于9900P用P表示大于0.01μ(含0.01)用μ表示。 单位换算:1F=103 mF=106 uF=109nF=1012pF=1015fF 电容器容量换算: 1、N(毫微法)表示 1n=1000P 10n=0.01μ 100n=0.1μ 例:3n3表示3300PF22N表示0.022μF470n表示0.47μF 3、直接标注法: 0.01μ0.047μ3300pF560pF 显示的就是实际容量不必换算 4、用乘方数表示: 10010*100=10PF 101 10*101=100pF=0.1nF

102 10*102=1000P=1nF 103 10*103=10000p=10nF=0.01uF 104 10*104=100000pF=100nF=0.1uF 105 10*105=1000000pF=1000nF=1μF 前2位为容量。第三位为乘方数,乘方数单位为P,如221表示22加一个零等于220P,4 72表示47加二个零等于4700P,683表示68加三个零等于0.068μF 5、用符号表示: 这种符号多用于贴片或小型电解电容,读法与用乘方数表示多少有些相似的地方,使用时要注意。它的容量单位一般都是μF级的。

电容器误差精度值代号标识法: 电容误差值A:-0+5%﹑J:±5%﹑K:±10%﹑M:±20%﹑Z:-20%+50% 电容器耐压值标示方法: 电容耐压等极:16V﹑25V﹑35V﹑50V﹑63V﹑100V﹑160V﹑250V﹑400V﹑630V﹑1000V﹑1250V﹑2000V﹑3000V 到更高耐压,实际的电容有的电容器耐压值只写上"1250" 不写1250V 。 下面国外公司电容器耐压表示识别方法:

电容特性说明-耐压值

电容之耐压值介绍: 电容作为硬件工程师项目开发必不可少的电子元器件,所以我也来说一说使用电容需要注意什么,这时候大家可能会问了,问什么偏偏说电容呢?一是它属于最基本的电子元件,使用的事项需要注意的很多;二是项目开发所需要的主要期间,像DDR、CPU、内存、路由芯片这些,这些是公司的上层领导决定的,比如项目管理部等决定的,不是一个小小的电子工程师决定的,所以大家对硬件开发工作要有个自己的打算,不是像在学校搞的,很随意,在公司,成本应该是放在第一位的,质量可靠性有时并不是很重要。 先说电容的耐压值吧: 由于电子产品的电源一般是3.3V、5V、7.2V、9V、12V、24V所以在选取电容时,需要确定电容实际使用时电源线的电压以及纹波、信号线的高低电平时间。而电容的耐压值也不是各个电压下都有的,它也有自己的一套标准:比如消费电子常见的电容耐压值为4V、6.3V、10V、16V、25V、50V;还有就是高压电容了,常见的见于开关电源中有63V、100V、160V、200V、250V、350V、400V、450V、500V、630V,还有的就是耐雷击的2KV电容了。以上为本人实际见到的,当然特殊的也有,但是在这只说普遍情况。 有人说,在实际使用时,电容的耐压值取留有80%的裕量,有些说取值为目标电压值的两倍。 其实这些观点也没错,因为每个人面对的项目不一致、所用器件不一致、电子产品销售地不一致,本质上就是电路的纹波特性不一致,所以需要不同的裕量。 比如说,你产品使用地,电网条件恶略,导致的纹波比较大那你留的裕量大一些,2倍取值,求可靠性;你的产品电网环境好,纹波特性很好,那你1.5倍取值,这样也满足你的产品要求;如果说电压基本上就是像干电池那样,无纹波基本上,那么你稍微高一点就行了,对吧;但是,切忌一点,耐压值无论如何不能小于电源或者信号线的电压峰值,因为这样会导致电

电容值E系列标称方法

本节首先介绍常用的E 系列标称方法,然后介绍电阻、电容器、电感器、二极管的分类、性能和识别方法,以及简单的实用电路。 一、E 系列标称方法 厂家生产的电阻器,并不是包含任何阻值,就像人民币,只有1、2、5三种规格一样。 电阻器、电容器标称值系列通常采用E 系列。E 系列是一种由几何级数构成的数列。源自Electricity 的第一个字母,它是以6√10 =1.5 、12√10=1.2 、24√10=1.1 为公比的几何级数,分别称为E6系列、E12系列和E24系列。E6系列适用于允差±20%的电阻、电容器数值,E12系列适用于允差±10%的电阻、电容器数值,E24系列适用于允差±5%的电阻和电容器数值。 图1.6.1给出了E 系列标称值选取的示意图。可以看出,E24系列是在大于等于1,小于10的范围内,按照几何级数,确定了24个值。E12系列则是在相同的范围内,确定了12个值。E6系列则是在相同的范围内,确定了6个值。这种选取方法,一方面保证了厂家在生产时,仅需要提供有限的种类,另一方面,也可以满足绝大多数用户的需求。比如,E24系列中,电阻值允差为±5%,则4.7和5.1之间,如图所示,不存在空白区域,也就是说,尽管仅提供4.7、5.1Ω,47、51Ω,470、510Ω等阻值,用户仍然可以通过电阻筛选,选择出自己需要的阻值。 表1.6.1给出了E 系列标称值。 表1.6.1 E 系列标称值 目前,电阻器一般采用E24系列,电容器则采用E12系列或者E6系列。有些电位器也采用E 系列,但是,目前见到的电位器,多数采用1、2、5系列,也就是说,其标称值分别是1k 、2k 、5k ,10k 、20k 、50k ,100k 、200k 、500k 等。 二、电阻器 E6 图1.6.1 E 系列标称值选取示意图 E12 E24

相关文档
最新文档