陶瓷贴片电容的基本常识

陶瓷贴片电容的基本常识
陶瓷贴片电容的基本常识

贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

一NPO电容器

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。

二X7R电容器

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。

三Z5U电容器

Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。

尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。

Z5U电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围+10℃--- +85℃

温度特性+22% ---- -56%

介质损耗最大4%

四Y5V电容器

Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。

Y5V电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围-30℃--- +85℃

温度特性+22% ---- -82%

介质损耗最大5%

电容的主要特性参数:

(1)容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般使用的容量误差有:J级±5%,K级±10%,M级±20%。

精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级。

常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:D级—±0.5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K级—±10%;M级—±20%。

(2)额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大。

(3)温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值。温度系数越小越好。

(4)绝缘电阻:用来表明漏电大小的。一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小。

(5)损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。

(6)频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能。所有这些,使得电容器的使用频率受到限制。

不同品种的电容器,最高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ。

陶瓷贴片电容各类电介质不同的区别

陶瓷电容器分类 分类原因: 依据材料之介电特性及产品之温度系数 (Temperature coefficient of capacitance,TCC)特性所定分为三大类。 介质材料分类: 1类 (Class Ⅰ)或稱溫度補償型(temperature compensation) 2类(Class Ⅱ) 3类(Class Ⅲ)或稱半導體陶瓷電容器 产品使用分类: 温度补偿型高Q值C0G 高频C0G 中高压型 低感抗型片式排容 1类(Class Ⅰ): C0G 或称温度补偿型(temperature compensation),产品低介 电系数,无论时间和温度如何改变,其电容量是极稳定的;正常电容量下有低介电损失及较小公差。 1类产品应用于精密计时电路、高频杂讯虑波、阻抗匹 配、ESD/EMI(回声探测仪或电磁干扰)的限制。 2类( Class Ⅱ): X7R/X5R 具有较高的介电常数,容量比1类电容器高,具有较稳 定的温度特性, 应用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔 直流、耦合、旁路、鉴频等电路中。 2类(Class Ⅱ):Z5U 其温度特性介于X7R和Y5V之间,容量稳定性差,对温度、电压等条件较敏感; 应用于要求大容量,使用温度范围接近于室温的旁路、耦合、低直流偏压等电路中。 2类(Class Ⅱ):Y5V 是所有电容器中介电常数最大的电容器,但其容量稳定性 较差,对温度、电压等条件较敏感; 应用于要求大容量、温度变化不大的电路中。

3类(ClassⅢ):或稱半導體陶瓷電容器 其电容量变化相似于2类,然而此型别在客户应用上是属于 非常等级。 高频类: 此类介质材料的电容器为1类电容器,包括通 用型高频C0G电容器和温度补偿型高频电容器,其中C0G电容器电性能最稳定, 几乎不随温度、电压、时间和变化而变化。 应用于低损耗、稳定性要求高的高频电路,如 虑波器,振动器和计时电路中。 温度补偿型: 温度系数系列,此为1 类电容器,电容量的变化与温度呈线性变化; 应用于工作温度变化较大,要求高的谐振电路 中,起到温度补偿之用,例电视机中的谐振器。 高Q值C0G: 此类电容器为1类电容器,使用频率在1MHz ~ 3GHz之间; 应用于射频RF电路及要求Hi-Q、低ESR、高频 率响应的微波电路中。

陶瓷基本常识

陶瓷基本常识 一、依材质可分为下列各种。 1.白云土,又称低温瓷。dolomite A.在大陆普遍用重质土,土质密度较佳。重量比台湾的重,且声音吭 锵脆耳。有些工厂如盛朋,则用可烧高温的白云土,以较高温去窑 烧,成型后较为坚实,可通过微波炉及洗碗机测试。 2.半瓷,又称中温瓷。stoneware 3.全瓷:又称高温瓷,或高白瓷。porcelain 4.强化瓷intensify porcelain 5.骨瓷:(含骨成份约在40%左右)。bone china 6.新骨瓷:高温瓷土烧中温。new bone china 7.红土:低温红土,高温红土。terra cotta 8.陶土:范围,土质种类繁多。 二、烧成温度:基于不同土质之特性,烧成温度有异,其成型后之密度/坚硬度 与烧温成正比。 1.白云土:1000~1050?C,烧成后之变形度较少。 2.半瓷:1080~1150?C,烧成后颜色偏黄,大多会以大白釉或上其它釉色 处理可选择的釉色多。 3.全瓷:1250~1300?C,因到了这种温度所有土中杂质都已烧掉,几成玻 璃化了。防渗水性也最佳。高温烧成会还原成磁土的原色(白色),可选 择的釉色少。 4.骨瓷:1250?C~1300?C。 5.强化瓷:1360?C。 三、缩水比例:从土坯到成品,窑烧前后的比例不同,窑烧前因有大量水份及杂 质会在窑烧过程中蒸发掉。土性不同,其缩水比(土坯与烧成型之比例)亦不同。 1.白云土-5%~6% (有的土只有4.5%) 2.半瓷-10~12%。 3.全瓷-约在15%上下。缩水比愈大,愈难掌握。 四、制作方式 依产品的形状、尺寸…等不同。有下列各种方式: 1.手拉坯hand shaping 2.注浆(灌浆、倒浆)slip lasting (pour and casting) 3.高压注浆pressing 4.车台stamping 5.冲压

贴片电容封装详细

贴片电容封装详细资料 单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司产品手册。? NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。? * NPO电容器? NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±%。 NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损

耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。? 封装 DC=50V DC=100V? 0805 ? 1206 ? 1210 560---5600pF 560---2700pF? 2225 μF μF? NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。? * X7R电容器? X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。?

陶瓷基本常识

陶瓷基本常识 This model paper was revised by the Standardization Office on December 10, 2020

陶瓷基本常识 一、依材质可分为下列各种。 1.白云土,又称低温瓷。dolomite A.在大陆普遍用重质土,土质密度较佳。重量比台湾的重,且声音吭锵脆耳。 有些工厂如盛朋,则用可烧高温的白云土,以较高温去窑烧,成型后较为坚 实,可通过微波炉及洗碗机测试。 2.半瓷,又称中温瓷。stoneware 3.全瓷:又称高温瓷,或高白瓷。porcelain 4.强化瓷intensify porcelain 5.骨瓷:(含骨成份约在40%左右)。bone china 6.新骨瓷:高温瓷土烧中温。new bone china 7.红土:低温红土,高温红土。terra cotta 8.陶土:范围,土质种类繁多。 二、烧成温度:基于不同土质之特性,烧成温度有异,其成型后之密度/坚硬度与烧温 成正比。 1.白云土:1000~1050C,烧成后之变形度较少。

2.半瓷:1080~1150C,烧成后颜色偏黄,大多会以大白釉或上其它釉色处理可选择 的釉色多。 3.全瓷:1250~1300C,因到了这种温度所有土中杂质都已烧掉,几成玻璃化了。防 渗水性也最佳。高温烧成会还原成磁土的原色(白色),可选择的釉色少。 4.骨瓷:1250C~1300C。 5.强化瓷:1360C。 三、缩水比例:从土坯到成品,窑烧前后的比例不同,窑烧前因有大量水份及杂质会在窑 烧过程中蒸发掉。土性不同,其缩水比(土坯与烧成型之比例)亦不同。 1.白云土-5%~6% (有的土只有%) 2.半瓷-10~12%。 3.全瓷-约在15%上下。缩水比愈大,愈难掌握。 四、制作方式 依产品的形状、尺寸…等不同。有下列各种方式: 1.手拉坯hand shaping 2.注浆(灌浆、倒浆)slip lasting (pour and casting) 3.高压注浆pressing

贴片电容极性判别

贴片电容极性判别 贴片式电容有贴片式陶瓷电容、贴片式钽电容、贴片式铝电解电容。 贴片式陶瓷电容无极性(如图3),容量也很小(PF级),一般可以耐很高的温度和电压,常用于高频滤波。陶瓷电容看起来有点像贴片电阻(因此有时候我们也称之为“贴片电容”),但贴片电容上没有代表容量大小的数字。 贴片式钽电容的特点是寿命长(如图4)、耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好,不过容量较小、价格也比铝电容贵,而且耐电压及电流能力相对较弱。它被应用于小容量的低频滤波电路中。 贴片钽电容与陶瓷电容相比,其表面均有电容容量和耐压标识,其表面颜色通常有黄色和黑色两种。譬如100-16即表示容量100μF,耐压16V。 贴片式铝电解电容拥有比贴片式钽电容更大的容量,其多见于显卡上,容量在300μF~1500μF之间,其主要是满足电流低频的滤波和稳压作用。 一般我们平时用的最多的为铝电解电容,由于其电解质为铝,所以其温度稳定性以及精度都不是很高,而贴片元件由于其紧贴电路版,所以要求温度稳定性要高,所以贴片电容以钽电容为多,根据其耐压不同,贴片电容又可分为A、B、C、D 四 个系列,具体分类如下: 类型封装形式耐压 A 3216 10V B 3528 16V C 6032 25V D 7343 35V

贴片的钽电解电容(A/B/C/D壳)横杠是正极.或底盘(金属)上有缺口的那边是正极 贴片的圆型铝电解电容,横杠是负极. 瓷片电容对高频滤除效果最好; 电解电容对低频的抑制效果就比其他的好; 独石、钽电容等,在温度系数方面比瓷片的好,而在滤除高频方面远没有瓷片的好。 去耦电容和旁路电容没有本质的区别,电源系统的电容本来就有多种用途,从为去除电源的耦合噪声干扰的角度看,我们可以把电容称为去耦电容(Decoupling),如果从为高频信号提供交流回路的角度考虑,我们可以称为旁路电容(By-pass).而滤波电容则更多的出现在滤波器的电路设计里.电源管脚附近的电容主要是为了提供瞬间电流,保证电源/地的稳定,当然,对于高速信号来说,也有可能把它作为低阻抗回路,比如对于CMOS电路结构,在0->1的跳变信号传播时,回流主要从电源管脚流回,如果信号是以地平面作为参考层的话,在电源管脚的附近需要经过这个电容流入电源管脚.所以对于PDS(电源分布系统)的电容来说,称为去耦和旁路都没有关系,只要我们心中了解它们的真正作用就行了 铝电容容量较大、价格较低,但易受温度影响、准确度不高;而且随着使用时间会逐渐失效。钽电容寿命长、耐高温、准确度高,不过容量较小、价格高。除非是需要大容量滤波的地方(如CPU插槽附近),原则上最好都使用钽电容,因为它不易引起波形失真。 下图为SMD钽电容电容 下图为SMD铝电容

电容基本知识

产品说明 贴片电容产品规格说明及选用基本知识 电容的种类有很多,可以从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上分主要有:CBB电容(聚乙烯),涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容(即贴片电容或MLCC)、电解电容、钽电容等。我们将贴片电容选用时需要注意的事项和一些基本知识拿出来一起与大家探讨. 如何理解电容介质击穿强度 介质强度表征的是介质材料承受高强度电场作用而不被电击穿的能力,通常用伏特/密尔(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示。 当外电场强度达到某一临界值时,材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射,产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应,进而导致突发击穿电流击穿介质,使其失效。除此之外,介质失效还有另一种模式,高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降低到某一程度,如果在这个程度上延续足夠长的时间,将会在介质最薄弱的部位上产生漏电流。这种模式与温 度密切相关,介质强度隨温度提高而下降。 任何绝缘体的本征介质强度都会因为材料微结构中物理缺陷的存在而出现下降,而且和绝缘电阻一样,介质强度也与几何尺寸密切相关。由于材料体积增大会导致缺陷隨机出現的概率增大,因此介 质强度反比于介质层厚度。类似地,介质强度反比于片式电容器內部电极层数和其物理尺寸。基於以上考虑,进行片式电容器留边量设计时需要确保在使用过程中和在进行耐压测试(一般为其工作 电压的2.5倍)時,不发生击穿失效。 如何理解绝缘电阻IR 绝缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下抵抗漏电流的能力。 绝缘体的原子结构中没有在外电场强度作用下能自由移动的电子。对于陶瓷介质,其电子被离子键和共价键牢牢束缚住,理论上几乎可以定义该材料的电阻率为无穷大。但是实际上绝缘体的电阻率 是有限,并非无穷大,这是因为材料原子晶体结构中存在的杂质和缺陷会导致电荷载流子的出现。 电容器的射频电流与功率 这篇文章主要是讨论多层陶瓷电容器的加载电流、功率损耗、工作电压和最大额定电压之间的关系。通过电容的最大电流主要是由最大额定电压和最大功率损耗限制的。电容的容值和工作频率又决 定了它们的限制是可调节。对于在固定频率下一个较低容值的电容或者是一个电容在较低的频率下工作,它们的最高电压极限一般都比最大功率损耗的极限到达快一些。 最大的额定电压决定于电容器的阻抗(Xc),就好像功率损耗决定于电阻的阻抗,或者叫做电容的等效电阻(ESR) Xc是由公式:Xc=1/[2πFC]计算出来,这里的F是频率,单位是Hz;C是容量,单位是F。 在没有超出电容器的额定电压情况下,允许流过电容的最大电流峰值是这样计算出来的:I=Er/Xc这里的Er是电容器的额定电压,电流是峰值电流,单位是A。 流过电容的实际电流是这样计算出来:I=Ea/Xc,这里的Ea是应用电压或者是实际工作。 下面几个例子是讲解在固定的频率不同的电容器这些变数是怎样影响电压和电流的极限值。 例1:0.1pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上: 等效电阻:Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(0.1x10-12)]=1591ohms 电流峰值:I=500/1591=0.315Apeak或0.22Arms. 如果超过这个电流,则工作电压将会超过额定电压。 例2:1.0pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上: 等效电阻:Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(1.0x10-12)]=159ohms 电流峰值:I=500/159=3.15Apeak或者2.2Arms 如果超过这个电流,则工作电压将会超过额定电压。 例3:10pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上: 等效电阻:Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(10x10-12)]=15.9ohms 电流峰值:I=500/15.9=31.5Apeak或者22.2Arms 如果超过这个电流,则工作电压将会超过额定电压。 结论:最大功率损耗值是在假设电容器的端头是一个无穷大的散热器情况下计算出来得。这时传导到空气中的热量是忽略的。一个10pF,500V的电容器工作在1000MHZ的频率,在功率极限下工作 的电流峰值是7A,平均电流大概是5Arms。在这种工作电流情况下,电容器的温度将会升到125℃。为了稳定地工作,它的实际最大工作电流是2Arms,如果端头的散热效果很好可以到达3Arms。 如何理解电容器的静电容量 A.电容量 电容器的基本特性是能够储存电荷(Q),而Q值与电容量(C)和外加电压(V)成正比。 Q=CV 因此充电电流被定义为: =dQ/dt=CdV/dt 当外加在电容器上的电压为1伏特,充电电流为1安培,充电时间为1秒时,我们将电容量定义为1法拉。 C=Q/V=库仑/伏特=法拉 由于法拉是一个很大的测量单位,在实际使用中很难达到,因此通常采用的是法拉的分数,即: 皮法(pF)=10-12F 纳法(nF)=10-9F 微法(mF)=10-6F B.电容量影响因素 对于任何给定的电压,单层电容器的电容量正比于器件的几何尺寸和介电常数: C=KA/f(t) K=介电常数 A=电极面积 t=介质层厚度 f=换算因子 在英制单位体系中,f=4.452,尺寸A和t的单位用英寸,电容量用皮法表示。单层电容器为例,电极面积1.0×1.0″,介质层厚度0.56″,介电常数2500, C=2500(1.0)(1.0)/4.452(0.56)=10027pF 如果采用公制体系,换算因子f=11.31,尺寸单位改为cm, C=2500(2.54)(2.54)/11.31(0.1422)=10028pF 正如前面讨论的电容量与几何尺寸关系,增大电极面积和减小介质层厚度均可获得更大的电容量。然而,对于单层电容器来说,无休止地增大电极面积或减小介质层厚度是不切实际的。因此,平行 列阵迭片电容器的概念被提出,用以制造具有更大比体积电容的完整器件。 在这种“多层”结构中,由于多层电极的平行排列以及在相对电极间的介质层非常薄,电极面积A得以大大增加,因此电容量C会随着因子N(介质层数)的增加和介质层厚度t’的减小而增大。这里A’指的是交迭电极的重合面积。 C=KA’N/4.452(t’) 以前在1.0×1.0×0.56″的单片电容器上所获得的容量,现在如果采用相同的介质材料,以厚度为0.001″的30层介质相迭加成尺寸仅为0.050×0.040×0.040″的多层元件即可获得(这里重合电极面积A’为0.030×0.020″)。 C=2500(0.030)(0.020)30/4.452(0.01)=10107pF 上面的实例表明在多层结构电容器尺寸相对于单层电容器小700倍的情况下仍能提供相同的电容量。因此通过优化几何尺寸,选择有很高介电常数和良好电性能(能在形成薄层结构后保持良好的绝 缘电阻和介质强度)的介质材料即可设计和制造出具有最大电容量体积系数的元件。 电容的型号命名 各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成: 第一部分:用字母表示名称,电容器为C。 第二部分:用字母表示材料。 第三部分:用数字表示分类。 第四部分:用数字表示序号。 电容的标志方法 (1)直标法:用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 (2)文字符号法:用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位:P、N、U、M、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10PF 的电容,其允许偏差用字母代替:B——±0.1PF,C——±0.2PF,D——±0.5PF,F——±1PF。 (3)色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为PF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示: 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V (4)进口电容器的标志方法:进口电容器一般有6项组成。

(完整版)贴片电容的介绍

X7R 性质: 1. 介电常数可达到3000,容温变化率小于15%,介电损耗小于3.5%; 2. 粉体粒径250-300nm,烧成陶瓷晶粒尺寸300-400nm。 电镜照片: 用途: 1. 此介质材料为环保型粉料,无任何有毒镉(Cd)和铅(Pd)的化合物; 2. 适合于制备超薄层大容量贱金属内电极多层陶瓷电容器的生产:单层陶瓷膜片厚度5~10mm;层数从几十到几百层;电容量从 0.1 nF 到100 nF; 3. 由于瓷粉粒度小,分散性好,因此不需要再进行剧烈的球磨,以免改变瓷料的晶粒性质,使性能劣化。 Y5V贴片电容,MLCC Y5V多层陶瓷片式电容 贴片电容简述 COG(NPO)贴片电容选型表 X7R贴片电容选型表 创建时间:2006-1-13 最后修改时间:2006-1-13 简述 Y5V贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。它的电容量受温度、电压、时间变化影响大。

Y5V贴片电容特性 ?具有较差的电容量稳定性,在-25℃~85℃工作温度范围内,温度特性为+30%,-80%。 ?层叠独石结构,具有高可靠性。 ?优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。 ?应用于温度变化小的退耦、隔直等电路中。 Y5V贴片电容各个生产厂家规格书 生产厂家规格书 AVX Datasheet 风华Datasheet 国巨Datasheet 太阳诱电Datasheet 村田Datasheet Y5V贴片电容容量范围 厚度与符号对应表 符 号 A C E G J K M N P Q X Y Z 最 大 厚 度毫米(英寸) 0.33 (0.013 ) 0.56 (0.022 ) 0.71 (0.028 ) 0.86 (0.034 ) 0.94 (0.037 ) 1.02 (0.040 ) 1.27 (0.050 ) 1.40 (0.055 ) 1.52 (0.060 ) 1.78 (0.070 ) 2.29 (0.090 ) 2.54 (0.100 ) 2.79 (0.110 ) 0201~1210 Y5V贴片电容选型表 封装尺寸0201 0402 0603 0805 1206 1210 工作电压6. 3 1 6. 3 1 1 6 2 5 5 6. 3 1 1 6 2 5 5 6. 3 1 1 6 2 5 5 6. 3 1 1 6 2 5 5 6. 3 1 1 6 2 5 5 电容量(pF ) 820 1000 2200 4700 A A A C 电容量(uF 0.01 0.02 2 A A A A C C C C C G G G G

贴片陶瓷电容知识(介质,DF,漏电,应用等)

AVX/松下/华亚/国巨/TDK ,TAIYO,村田(不是春田啊),AVX 单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 容量精度在5%左右,但选用这种材质只能做容量较小的,常规100PF以下,100PF-1000PF也能生产但价格较高 介质损耗最大0。15% 封装DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。适用于低损耗,稳定性要求要的高频电路 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。 X7R此种材质比NPO稳定性差,但容量做的比NPO的材料要高,容量精度在10%左右。常规10000PF以下,10000PF-1UF也能生产但价格较高 介质损耗最大2。5%(25V与50V)3。5%(16V) 封装DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF 三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

贴片电容基础知识

贴片电容 英贴片电容全称:多层(积层,叠层)片式陶瓷电容器,也称为贴片电容,片容。英文全称:Multi-layerceramiccapacitors。英文缩写:MLCC。 目录 一、基本概述二、尺寸 三、命名四、分类 五、MLCC电容品牌及选型六、作用 七、内部结构八、封装 一、基本概述 贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法。二、尺寸 贴片电容的尺寸表示法有两种,一种是英寸为单位来表示,一种是以毫米为单位来表示,贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512,是英寸表示法,04 表示长度是0.04 英寸,02 表示宽度0.02英寸,其他类同型号尺寸(mm)

三、命名 1、贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。如下 华新科(WALSIN)系列的贴片电容的命名: 原厂命名料号:0805N102J500CT 0805:是指该贴片电容的尺寸套小,是用英寸来表示的08 表示长度是0.08 英寸、05 表示宽度为 0.05 英寸; N:是表示做这种电容要求用的材质,这个材质一般适合于做小于10000PF以下的电容;102:是指电容容量,前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个零102=10×102也就是= 1000PF ; J:是要求电容的容量值达到的误差精度为5%,介质材料和误差精度是配对的;500:是要求电容承受的耐压为50V 同样500前面两位是有效数字,后面是指有多少个零; C:是指端头材料,现在一般的端头都是指三层电极(银/铜层)、镍、锡 T:是指包装方式;T:表示7"盘装编带包装; 2、贴片电容的颜色,常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄和青灰色,这在具体的生产过程中会有产生不同差异,贴片电容上面没有印字,这是和他的制作工艺有关(贴片电容是经过高温烧结面成,所以没办法在它的表面印字),而贴片电阻是丝印而成(可以印刷标记)。 3、贴片电容有中高压贴片电容和普通贴片电容,系列电压有4V、6.3V、10V、16V、25V、

贴片电容材质及规格

贴片电容材质及规格 贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。 Z5U电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围+10℃--- +85℃ 温度特性+22% ---- -56% 介质损耗最大4%

陶瓷行业基本常识

陶瓷行业基本常识 一、行业概况 1、当前建陶行业的地理布局 中国建陶行业经过多年的发展,目前已形成了佛山、唐山、博山(淄博)、晋江、夹江、上海周边地区、潮州构成的“三山二江一海一州”格局 佛山:是我国建筑陶瓷最为集中的产地,约占全国产量的45%以上。 唐山:主要为卫生陶瓷的生产基地,所产卫陶档次一般属于中档。 博山:指山东省淄博一带,主要生产中、低档建陶产品,以贴牌为主,辐射山东半岛及其周边地区 晋江:指福建省晋江周边地区,主要生产中低档地砖、面砖、广场砖、外墙砖、卫陶等为主,主要供应本地市场的需要 夹江:指四川夹江一带,是西南地区低档瓷砖的集散地,在全国其他地区也有夹江瓷砖的销售,其目标顾客群为农村消费者或城市中低收入者,拥有很大的市场份额,但其质量很难有保证 上海:上海是我国最大的经济中心城市,上海周边地区是我国经济最发达的地区之一。随着改革开放和现代化城市建设的突飞猛进,一些外商和台商纷纷在这里投资设厂。这些企业看好上海特大城市的优势,积极推行精品战略,名牌策略,他们不搞中低档产品的重复建设,不参与低、中档产品你死我活的恶性竞争,而是注重科技兴企,以高质量取胜。 潮州:一直以生产中低档卫生洁具为主,多为外地贴牌。 ★现在还在一些新出现的产区:江西高安、沈阳法库、湖北当阳、内蒙等 2、品牌档次与分布 现在国内上市的瓷砖品牌,高中低档一应俱全,根据其质量档次及价位可分为四大阵营: 第一阵营:国外品牌。如意大利、西班牙品牌 第二阵营:华东品牌、部分佛山品牌、台湾品牌 第三阵营:以佛山品牌为主,其它地区个别品牌。 第四阵营;夹江、晋江、潮州、淄博等地品牌

品牌分布情况请参阅附件。 二、产品常识 1、陶瓷产品的发展 90年 墙面砖胶辊印花 (98年) 耐磨砖、釉面砖、仿古砖 93年 96年大颗粒抛光砖(北京国际发明博览会铜奖、国家重点新产品)、 同年金华米黄抛光砖(东鹏陶瓷因此一举成名) 2001年微粉、多管布料产品 2002年纯白色砖 2003年超白色砖 2004年至今微晶石、超微粉、釉面砖(仿古砖)、大规格瓷片等百花齐放 发展方向: 极端化(超白、超薄、大) 机械化(由化工技术转变为机械设备技术这是相对的)

贴片陶瓷电容分类及温度特性

EIA Code Operation Temperature Range (?C) Temperature Coffcient CLASS I C0G/NP0-55~+1250±30PPM/?C X5R-55~+850±15% X7R-55~+1250±15% X6S-55~+1050±22% Y5V-30~+85-82%~+22% X7S-55~+1250±22% X7T-55~+125-33%~+22% U2J-55~+125-750±120PPM/?C X7U-55~+125-56%~+22% X6T-55~+105-33%~+22% Z5U10~+85-56%~+22% MURATA X8G-55~+1500±30PPM/?C Ⅰ类陶瓷电容器(ClassⅠceramic capacitor) 过去称高频陶瓷电容器(High-frequency ceramic capacitor),介质采用非铁电(顺电)配方,以TiO2为主要成分(介电常 数小于150),因此具有最稳定的性能;或者通过添加少量其他(铁电体)氧化物,如CaTiO3 或SrTiO3,构成“扩展型”温度 补偿陶瓷,则可表现出近似线性的温度系数,介电常数增加至500。这两种介质损耗小、绝缘电阻高、温度特性好。特别适 用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容,以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补 Ⅱ类陶瓷电容器(Class Ⅱ ceramic capacitor) 过去称为为低频陶瓷电容器(Low frequency ceramic capacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容器,因此也称铁电陶瓷电容 器 。这类电容器的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗 和电容量稳定性要求不高的电路中。其中Ⅱ类陶瓷电容器又分为稳定级和可用级。X5R、X7R属于Ⅱ类陶瓷的稳定级,而 Y5V和Z5U属于可用级。 CLASS II

(整理)贴片电阻基础知识

常规贴片电阻(部分) 常规的贴片电阻的标准封装及额定功率如下表: 英制(mil) 公制(mm) 额定功率(W)@ 70°C 0201 0603 1/20 0402 1005 1/16 0603 1608 1/10 0805 2012 1/8 1206 3216 1/4 1210 3225 1/3 1812 4832 1/2 2010 5025 3/4 2512 6432 1 国内贴片电阻的命名方法: 1、5%精度的命名:RS-05K102JT 2、1%精度的命名:RS-05K1002FT R -表示电阻 S -表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。 05 -表示尺寸(英寸):02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示1210、12表示2512。 K -表示温度系数为100PPM, 102-5%精度阻值表示法:前两位表示有效数字,第三位表示有多少个零,基本单位是Ω,102=10000Ω=1KΩ。1002是1%阻值表示法:前三位表示有效数字,第四位表示有多少个零,基本单位是Ω,1002=100000Ω=10KΩ。 J -表示精度为5%、F-表示精度为1%。 T -表示编带包装

贴片电容命名规则及分类方法 219.142.18.* 1楼 贴片电容命名规则及方法 贴片电容的命名: 贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用 的材质、要求达到的精度、要求 的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求 例风华系列的贴片电容的命名 贴片电容的命名: 贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用 的材质、要求达到的精度、要求 的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。一般订购贴片电 容需提供的参数要有尺寸的大小、 要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。 例风华系列的贴片电容的命名: 0805CG102J500NT 0805:是指该贴片电容的尺寸套小,是用英寸来表示的08 表示长度 是0.08 英寸、05 表示宽度为 0.05 英寸 CG :是表示做这种电容要求用的材质,这个材质一般适合于做小于 10000PF 以下的电容, 102 :是指电容容量,前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个 零102=10×102 也就是= 1000PF J :是要求电容的容量值达到的误差精度为5%,介质材料和误差精

陶瓷基本知识(1)

陶瓷基本知識(HOUSEWARTRE) 一.前言 由於陶瓷的普遍應用,目前已成為人們日常生活的必備品,IN OUR HOUSEW ARE DEPT., 陶瓷是MAIN PROJECT. 占出貨量40%, 是一個非常重要的產品. 陶瓷在中國歷史悠久, “CHINA”一詞既有瓷器的意思,近年, 國家更鼓勵出口,退稅升到13%,是目前退稅比例最高的產品之一. 二.陶和瓷區別: 1)直觀區分: 陶(EARTHWARE)比瓷輕20%. 2)燒成溫度不同: 陶要求1100度左右可燒成. 瓷要求1200-1400溫度可燒成. 3)堅硬度不同: 陶由於燒成溫度低,顆粒較大,結構上未完全燒結,胚體硬度不很大,甚至可以用鋼刀划出痕跡,瓷由於燒成溫度高,較脆,鋼刀划不出痕跡. 所以,業內人士認為,陶燒成溫度提高就變成瓷. 4)透明度不同: 陶不透明,即使很薄,也不具備半透明特點. 瓷有一定透明度,其中骨瓷(BONE CHINA)最好,烒瓷(STONEWARE)最差. 5.原料不同: 陶一般黏土即可制胚燒成. 瓷一般有高領土等混合物制成. 高領土再燒成溫度達到陶溫度時,即為陶,提升溫度, 即可生成瓷,黏土卻不能,提升溫度後燒成為玻璃質. 現在陶,瓷都在演變中, 派生出無數新品種, 他們的屆線也並非絕對,傳統的講,在吸水性, 收縮率, 釉面上都有差異, 這些專業性太強就不講了. 三.陶瓷基本生產工藝: 陶,瓷在生產工藝上看差不多, 幾條主要設備大致如下: 原料(基秞: 高領土, 長石, 黏土, 陶石, 石英…..) 加一定水混合 壓干成片 打碎 煉泥 切片 成型 (成型手段分注漿, 壓制, 軋制…..) 烘乾 修胚 素燒

常见贴片陶瓷电容规格

【MC Series 】 Multilayer Ceramic Chip Capacitor ■Features -Wide capacitance range, extremely compost size -Low inductance of capacitor for high frequency application -Excellent solderability and resistance to soldering heat, suitable for flow and reflow soldering -Adaptable to high-speed surface mount assembly -Conform to EIAJ-RC3402, and also compatible with EIA-RS198 and IEC PUB. 384-10 .. ■Construction ■Dimensions MC / MCHL / MCRF Type Unit: mm Packaging (7” Reel) Type Size (Inch) L W T / Symbol M B Paper tape Plastic tape 01 0201 0.6±0.03 0.3±0.03 0.3±0.03 L 0.15±0.05 15K - 02 0402 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 N 0.25 +0.05 / -0.10 10K - 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±010 S 4K 03 0603 1.60 +0.15 / -0.10 0.80 +0.15 / -0.10 0.80 +0.15 / -0.10 X 0.40±0.15 4K - 0.60±0.15 A 4K - 0.80±0.10 B 4K - 2.00±0.15 1.25±0.10 D - 3K 0.85±0.10 T 4K - 05 0805 2.00±0.20 1.25±0.20 1.25±0.20 I 0.50±0.20 - 3K 0.80±0.10 B 4K - 0.95±0.10 C - 3K 3.20±0.15 1.25±0.10 D - 3K 1.60±0.15 1.15±0.15 J - 3K 3.20±0.20 1.60±0.20 1.60±0.20 G - 2K 06 1206 3.20+0.3 / -0.1 1.60+0.3 / -0.1 1.60+0.3 / -0.1 P 0.60±0.20 (0.50±0.20)*** - 2K 0.95±0.10 C - 3K 3.20±0.30 2.50±0.20 1.25±0.10 D - 3K 1.60±0.20 G - 2K 2.00±0.20 K - 1K 10 1210 3.20±0.40 2.50±0.30 2.50±0.30 M 0.75±0.25 - 1K 1.25±0.10 D - 2K 08 1808 4.50±0.40 (4.5+0.5/-0.3)** 2.03±0.25 2.00±0.20 K 0.75±0.25 (0.50±0.20)*** - 1K 1.25±0.10 D - 1K 3.20±0.30 2.00±0.20 K - 1K 12 1812 4.50±0.40 (4.5+0.5/-0.3)** 3.20±0.40 2.50±0.30 M 0.75±0.25 (0.50±0.20)*** - 0.5K ** For 1808/1812: 200~3KV , ***For 1206:1KV~3KV ; 1808/1812: 200~3KV Low Inductance Capacitors for MCLI Type Unit: mm Packaging (7” Reel) Type Size (Inch) L W T / Symbol Ta min. Tb min. Paper tape Plastic tape MCLI43 0612 3.20±0.15 1.60±0.15 0.80±0.10 B 0.5 0.13 4K - 1Ceramic Material 3 Termination: 2 Inner Electrodes NPO: Ag/Ni/Sn dielectric X7R, Y5V, X5R: Cu/Ni/Sn dielectric 1 2 3

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