硅片清洗过程
太阳能电池硅片清洗过程
制绒-扩散-刻蚀-清先(去PSG)-沉积减反射膜-丝网印刷-烧结-分选-组装
以下为制绒工艺
1、去损伤层
目的：用高温NaOH或KOH去除硅表面的切割损伤层，划痕、手印、杂质等
要求：浓度20%，温度80C，时间5min
达到：硅片表面减薄10-20μm
注意事项：1、浓度保证为20%，要求有补液槽，补充每次清洗的消耗。
2、80C温度要有加热管。
3、30S时间准确控制。
4、有自动盖，减少挥发。
2、温水隔离
目的：稀释硅表面或洗篮上残留的碱液。
要求：水50C，时间5min
达到：浓碱被稀释
注意事项：1、要有鼓泡
2、鼓泡要均匀
3、换水：a、溢流：1-2方/小时，快排7S，30S上水，补水管口径1寸，水
压2kg。
3、A单晶制绒面
目的：通过高温低浓度的NaOH/KOH将硅表面腐蚀出均匀的金字塔型表面，减少硅片对光的反射。
要求：在浓度为3%左右时，在80C上下的温度，约25min增加一定量的乙醇，加快溶液反应，起到消除气泡的作用。
达到：硅片表面形成金字塔，大小均匀，单体尺寸2-10μm之间，相邻金字塔之间没有空隙的完整绒面。
工艺要求：有鼓泡，有加热管，循环泵，使溶液均匀，温度均匀，浓度均匀。
注意事项：a、浓度、温度和清洗时间有一定的比例。
b、在制绒过程中不能有鼓泡。
c、测温点靠近硅片中部。
d、从制绒槽到水洗槽的时间控制在20s以内。（否则在高温状态下残留的碱液会挥发留下硅表面。
B多晶制绒
目的：通过恒定温度，较高浓度的酸液制绒（HNO3+HF）
要求：浓度60%左右
温度：15-20C，时间3-4min
达到：硅片表面形成金字塔，大小均匀，单体尺寸2-10μm之间，相邻金字塔之间没有空隙的完整绒面。
注意事项：a、硅与酸反应是放热过程，需要降温，制冷。
b、有循环泵和溢流，保证温度。
工艺流程：注酸——放料——排酸——注水喷淋——鼓泡——提料——排水——注酸
c、加自动盖和喷淋：HNO3+HF在高温下有很强的挥发性，有害酸气会会
腐蚀设备和损害人体，加盖保护。
d、喷淋：在酸洗条件下，硅片容易干掉，排酸后要立刻喷淋，防止硅片干。
e、不能让酸泄漏，洗槽材质先用PVDF。
4、水洗
目的：洗掉留在硅片上的酸液或碱液
要求：纯水温度50C，时间5min（目的减少硅片速热速冷产生裂痕）
达到：硅片表面干净，稀释溶液。
注意事项：a、增加鼓泡，鼓泡要均匀，减少槽内死角。
b、增加速排，速进。
工艺流程：注水——入料——鼓泡——排水——注水——鼓泡——提料——注水
5、水漂洗
目的：二次清洗硅片或清洗篮残留溶液。
要求：常温、纯水、时间5min
达到：清洗干净
注意事项：a、有鼓泡、溢流
b、使水流至上一工位使用
6、酸碱中和
目的：洗掉上一工位未能彻底清洗的溶液残留，酸碱中和
要求：较低浓度的酸/碱，温度常温（加热一定温度更好）
达到：硅片表面PH值尽可能接近正常
7、水洗
目的：洗掉上一工位残留的酸/碱
要求：常温、时间5min
8、HF清洗
目的：除去硅片上的重金属离子
要求：浓度10%左右，常温，时间5min
达到：硅片去除重金属离子，便于扩散
9、水洗
目的：洗掉上一工位残留的酸/碱
要求：常温、时间5min
10、水漂洗
目的：二次清洗硅片或清洗篮残留溶液。
要求：常温、纯水、时间5min
达到：清洗干净
注意事项：a、有鼓泡、溢流
b、使水流至上一工位使用
11、预脱水
目的：高洁净纯水（18ω超纯水）加热后的表面张力将硅片表面的水珠去除,再烘干,可减少水珠残留造成的水痕
要求：水温在60-70C，提拉速度：1.5-2mm/s
达到：硅片表面无白点和花点
注意事项：a、提拉时水面静止
b、水一定要干净，并且不能有气泡，热水在副槽加热。
c、水温控制到没有蒸汽最好，80C时，水的表面张力最好，但80C水有蒸
汽，硅片会再次被打湿。
d、加热后工件表面预热晚脱水
12、烘干
目的：通过高洁净的空气或氮气加热后对硅片与清洗篮之间的夹角，或脱水不到的地方进行干燥。
要求：80C，5min
达到：硅片和篮子各处干燥
制绒面有4个槽，是为了缩短工艺时间，循环作业方式。
去PSG工艺
1、HF清洗
目的：通过HF将扩散后在硅表面形成的一层磷硅玻璃腐蚀掉要求：10%HF,5min
2、水洗
目的：洗掉HF
要求：常温、鼓泡
3、水洗
目的：洗掉上一工位残留的酸/碱
要求：常温、时间5min
4、预脱水
5、烘干
硅片生产工艺流程与注意要点说明
硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查
15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采
200吨洗涤废水处理方案
200m3/d洗涤废水处理项目 设 计 方 案 贵州通祥水务环境工程有限公司 2015年1月16日
目录 第一章总论 (2) 1.1 设计依据 (2) 1.2 设计原则 (2) 1.3 设计水质、水量 (3) 第二章设计方案 (4) 2.1 处理工艺选择 (4) 2.2去除效率计算 (4) 2.3 处理工艺流程 (5) 2.4 工艺流程简介 (5) 第三章设计参数 (5) 3.1 各构筑物设计参数 (5) 3.2 构筑物参数一览表 (8) 3.3 设备一览表 (8) 第四章投资估算 (9) 4.1 土建投资估算表 (9) 4.2 设备投资估算表 (9) 4.3 总投资估算表 (10) 第五章运行费用 (11) 5.1 药剂费 (11) 5.2 电费 (11) 5.3总运行费用 (11) 第六章结论及售后服务 (11)
第一章总论 1.1 设计依据 1、《中华人民共和国环境保护法》 2、《中华人民共和国水污染防治法》 3、《中华人民共和国水污染防治法实施细则》（2000年3月20日） 4、《贵州省环境保护管理条例》； 5、《地表水环境质量标准》（GB3838-2002）； 6、《地下水质量标准》（GB/T14848—93）； 7、《污水综合排放标准》（GB8979-1996）； 8、《城市污水再生利用城市杂用水水质》(GB/T18920-2002); 9、《室外排水设计规范》（GB50014-2006）； 10、业主提供的相关资料。 1.2 设计原则 1、认真执行国家有关法规、标准及规定，根据企业的实际情况，采取切实可行的方案； 2、确保出水水质的前提下，采取耗能低、效率高、实践可行的处理工艺； 3、本废水处理工程以投资省、运行费用低、占地面积小为原则； 4、处理系统先进，设备运行稳定可靠，维护简单、操作方便；
硅片清洗机开题报告
附件1： XXX大学
2、采用机械手，可以灵活调节清洗工艺。 3、采用超声波清洗，鼓泡冲洗等工艺。 4、采用多频段超声波清洗。 5、全封闭系统，干净美观。 6、设备内部简单，方便维修。 7、上下料有专用机构，方便员工操作[7]。 图1 超声波清洗机工作示意图 这种硅片清洗机的原理为是利用超声波渗透力强的机械振动冲击硅片表面及产生的空化作用并结合清洗剂的化学去污作用达到对硅片表面附着的碳化硅、硅粉、金属粉末、油污、悬浮液、等杂质的去除，从而获得表面清洁的硅片[3]。 硅片清洗机在国内外虽然应用广泛，但也存在不少问题，例如：当超声波振动较大时，由于振动摩擦，可能会使硅片表面产生划痕，还有化学试剂的使用，会产生大量的废水，从而污染环境[5]。所以，社会迫切需要一种新的太阳能硅片清洗机，来解决上面的问题。 经过我的调查，目前行业人员比较青眛的是一种利用激光瞬时热膨胀机理原理的清洗机来清洗硅片，其主要优点有：1对于死角等难清洗部位能做到有效的清洗。2不会损害材料的内部结构及化学物理性能。3不用化学试剂，环境污染少。4设备运行效率高，运行成本低，维护方便，还便于联网来实现机械的自动化控制。 总体上来说，国内外的生产厂家所生产的太阳能硅片清洗机逐步向着综合化、集成化、自动化、智能化等方向发展[6]，并且要求清洗设备要尽量做到绿色环保，无污染。 三、主要参考文献. [1].侯倩萍.分析太阳能多晶硅片表面污染物去除技术[J].山东工业技术,2018(21):57 [2].陈志磊.硅片清洗及最新发展[J].科技与企业.2013（12） [3].孟超，胡子卿，常志，时璇，申璐青全自动太阳能硅片清洗机的研制[J].电子工业专用设 备，2013,42（05）
海产品清洗废水方案
洗鱼废水处理工程改造项目 技 术 方 案
目录1项目概况3 1.1项目名称3 1.2方案编制单位错误!未定义书签。 1.3工程概况3 2设计原则和标准3 2.1设计方案的基本原则3 2.2设计依据及标准3 3进出水指标4 3.1设计处理水量4 3.2进水指标4 3.3出水指标4 4工艺分析及改造内容4 4.1现有工艺单元设施4 4.2工艺分析及改造说明5 4.3改造后工艺流程及说明6 5 项目报价8
1项目概况 1.1项目名称 洗鱼废水处理工程改造项目 1.2工程概况 该企业废水排放量为10t/d，现有一套污水处理设施。根据当地环保要求及企业发展规划，拟对现有废水处理工程进行改造建设，使系统出水达到环保要求。 2设计原则和标准 2.1设计方案的基本原则 （1）保证废水治理工艺先进、合理、经济、可靠。 （2）结合工厂及地区实际情况，最大限度的利用现有设施设备，提出工程造价低、运行费用低的技术。 （3）设备选择技术指标先进、性能稳妥可靠，价格合理。灵活性强。 （4）运行管理方便，运转方式灵活，操作维护管理简便。 （5）总图布置紧凑、合理，尽量缩短工艺管线，节省用地，减少投资。 2.2设计依据及标准 《城镇污水处理厂污染物排放标准》GB18918-2002 《污水综合排放标准》GB8978-1996 《室外给水设计规X》GB 50013-2006 《室外排水设计规X》GB 50014-2006（2014年版） 《建筑给水排水设计规X》GB50015-2003 《建筑设计防火规X》GB J16-87（2001）《地下工程防水技术规X》GB50108-2001
某半导体工厂含铜废水的来源及处理
Advances in Environmental Protection 环境保护前沿, 2020, 10(4), 564-568 Published Online August 2020 in Hans. https://www.360docs.net/doc/f117112922.html,/journal/aep https://https://www.360docs.net/doc/f117112922.html,/10.12677/aep.2020.104069 Cupriferous Wastewater Source and Treatment Process in One Semiconductor Company Changmin Shi Unigroup Yangtze Memory Technologies (Shanghai) Co., Ltd., Shanghai Received: Jul. 30th, 2020; accepted: Aug. 17th, 2020; published: Aug. 24th, 2020 Abstract Semiconductor in China developed very fast in the past few years, and it also results in new envi-ronmental problem. The article introduces one semiconductor company cupriferous wastewater treatment plant in detail, including cupriferous wastewater source, hazard, normal treatment process, its treatment plant process and operation data etc. Keywords Semiconductor Industry, Cupriferous Wastewater, Method of Flocculation Sedimentation 某半导体工厂含铜废水的来源及处理 石昌敏 紫光长存(上海)集成电路有限公司，上海 收稿日期：2020年7月30日；录用日期：2020年8月17日；发布日期：2020年8月24日 摘要 在过去几年里，中国的半导体行业得到了迅速的发展，与此同时也带来了新的环境问题。本文详细介绍了某半导体公司含铜废水处理工艺，包括含铜废水的来源、危害、常用的处理方法，以及本项目采用的工艺流程和运行情况等。
硅片的清洗与制绒
硅片的清洗与制绒 The manuscript was revised on the evening of 2021
硅片的清洗与制绒 导语：硅片在经过一系列的加工程序之后需要进行清洗，清洗的目的是要消除吸附在硅片表面的各类污染物，并制做能够减少表面太阳光反射的绒面结构（制绒），且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。制绒是制造晶硅电池的第一道工艺，又称“表面织构化”。有效的绒面结构使得入射光在硅片表面多次反射和折射，增加了光的吸收，降低了反射率，有助于提高电池的性能。 一．清洗 1.清洗的目的 经切片、研磨、倒角、抛光等多道工序加工成的硅片，其表面已吸附了各种杂质，如颗粒、金属粒子、硅粉粉尘及有机杂质，在进 行扩散前需要进行清洗，消除各类污染物，且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。清洗主要是利用NaOH、HF、HCL等化学液对硅片进行腐蚀处理，完成如下的工艺： ①去除硅片表面的机械损伤层。 ②对硅片的表面进行凹凸面(金字塔绒面）处理，增加光在太阳电池片表面的折射次数，利于太阳电池片对光的吸收，以达到电池片 对太阳能价值的最大利用率。 ③清除表面硅酸钠、氧化物、油污以及金属离子杂质。
图1 金属杂质对电池性能的影响 2．清洗的原理 ①HF去除硅片表面氧化层。 ②HCl去除硅片表面金属杂质：盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与溶解片子表面可能沾污的杂质，铝、镁等活泼金属及其
它氧化物。但不能溶解铜、银、金等不活泼的金属以及二氧化硅等难溶物质。 3．安全提示 NaOH 、HCl 、HF 都是强腐蚀性的化学药品，其固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、呼吸道，所以操作人员要按照规定穿戴防护服、防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。一旦有化学试剂伤害了员工的身体，马上用纯水冲洗30分钟，送医院就医。 二．制绒 1.制绒的目的和原理 目的：减少光的反射率，提高短路电流（Isc ），最终提高电池的光电转换效 率。 原理：①单晶硅：制绒是晶硅电池的第一道工艺，又称“表面织构化”。对于单 晶硅来说，制绒是利用碱对单晶硅表面的各向异性腐蚀，在硅表面形成无数 的四面方锥体。目前工业化生产中通常是根据单晶硅片的各项异性特点采用 碱与醇的混合溶液对<100>晶面进行腐蚀，从而在单晶硅片表面形成类似“金 字塔”状的绒面，如图2 所示。 ②多晶硅：利用硝酸的强氧化性和氢氟酸的络合性，对硅进行氧化和络合剥离，导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，从而形成类似“凹陷坑”状的绒面，如图3所示。
洗涤废水回用处理方案
NO. ALX18(07)-2018-07 四川强华新能源科技有限公司 中水回用处理设施设计方案编制单位：成都爱立星环保设备有限公司
编制时间：2018.06.29
文件责任表： 项目负责人---------------- 工艺--------------- 审核--------------- 审定--------------- 声明： 本方案内容属本公司知识产权，未经同意不得向任何第三方出示本文本。
一、总论 (4) 1.1工程概况 (4) 1.2 设计原则 (4) 1.3 设计依据 (4) 1.4 设计规范标准 (5) 1.6 设计范围及设计内容 (5) 1.7工程内容 (6) 1.8业主完成的事项 (6) 二．设计水质标准及处理水量设计 (6) 1、原水水质 (7) 2、出水水质 (7) 3、处理水量设计 (7) 三．工艺流程说明 (7) 1、工艺流程 (8) 2、本系统工艺的简述 (9) 一）工艺流程 (10) 二）本系统工艺的简述 (10) 四. 单元简介和参数说明 (15) 五．设备配置清单 (22) 六. 验收标准 (25) 七. 技术保证及售后服务 (26)
一、总论 工程名称：四川强华新能源科技有限公司废水水处理回用工程1.1工程概况 成都强华洗涤有限公司是一家专业为宾馆、酒店布草洗涤服务的民营企业。 在为各家宾馆、酒店布草洗涤过程中产生大量的生产污水，成都华强洗涤有限公司非常重视环保工作，对厂区进行规划时依据三同时政策，计划建设一套污水处理配套设施处理产生过程中产生的污水，我司受贵司委托针对布草洗涤污水的特性，做出本设计方案。 1.2 设计原则 1.1本规范是用于洗衣行业中水回用过滤和反渗透处理项目。它提出了该系统的 功能设计、结构、性能、安装和试验等方面的技术要求。 1.2本规范符合了需方提出的技术要求，引用了有关标准和规范的条文，供方提 供的产品为符合规范书和有关工业标准的优质产品。 1.3本规范所使用的标准如遇与需方所执行的标准发生矛盾时，均应按较高标准 执行。 1.3 设计依据 2.2.1 《中水水质标准》 2.2.2《水处理设备制造技术条件》 2.2.3 控制设备、测量仪表和电气设备的设计、制造符合有关规定和标准
芯片生产废水处理技术探讨
给水排水 Vol.32 No.7 2006 59 芯片生产废水处理技术探讨 蒋卫刚 季连芳 甘晓明 邢绍文 (上海市环境科学研究院,上海 200233) 摘要 通过实地调研,结合工程经验,采用比较分析的方法,就芯片生产废水中典型的含氨废 水、含氟废水、研磨废水和酸碱废水的处理分别给出了较优的处理工艺流程,即浓氨吹脱—两段沉淀—三级酸碱中和处理工艺,其处理效果较好,将含氟废水与CM P 研磨废水混合处理可节省投资。同时,介绍了设备选型中应注意的问题。 关键词 芯片生产废水 氟 氨 设备选型 自2000年国家“十五”规划的行业鼓励性政策 出台,中国芯片产业掀起一轮前所未有的投资热潮,全球著名的芯片厂商,如德州仪器、英特尔、AMD 等,纷纷在中国建立合资或独资公司。然而关于芯片生产废水排放的国家和地方标准尚未出台。本文结合工程实例,通过调研分析得出最优工艺流程,并指出设备选型中应注意的问题。1 废水分类与来源集成电路芯片制造生产工艺复杂,包括硅片清洗、化学气相沉积、刻蚀等工序反复交叉,生产中使用了大量的化学试剂如HF 、H 2SO 4、N H 3?H 2O 等,废水的主要污染物分类和来源情况见表1。 表1 芯片生产废水污染物分类与来源 废水类别主要工艺来源主要污染物 含氨废水清洗、刻蚀、去胶 氨氮、双氧水 含氟废水清洗、腐蚀去胶 氟化物、磷酸、氨 氮、p H 等 BG /CMP 研磨废水CMP 过程 SiO 2粉末 酸碱废水清洗、光刻、去胶 硫酸、硝酸、少量有机溶剂 有机废水光刻、均胶 有机物(酚醛树脂等) 废气洗涤塔废水 HF 、HCl 、硫酸雾、NO x 、氟、氨氮等 2 废水处理工艺 根据生产废水的排放情况及各股废水的主要污 染指标,将生产废水处理分为:含氨废水处理系统、含氟废水处理系统、CM P 研磨废水处理系统及酸碱废水处理系统。2.1 含氨废水处理系统 含氨废水有两部分,一部分是浓氨氮废水,主要 含氨氮和双氧水,氨氮浓度达400～1200mg/L ;另一部分是稀氨废水,主要含氟化氨,氨氮浓度低于100mg/L 。 2.1.1 浓氨废水吹脱吸收工艺(见图1) 图1 浓氨废水处理系统流程 该工艺最大优点是去除效率高,运行成本低。从A 公司二期工程(浓氨废水水量10m 3/h ,N H 3-N 400～800mg/L )的运行情况来看,经一级吹脱,氨氮的去除率在70%左右,二级吹脱后达90%以上。其主要缺点是一次性投资成本相对较高 ;由于控制系统运行的参数(温度、流量、风速 、p H 等)较多,系统调试的难度相对较大;当进水水质水量波动较频繁、较大(加药量的突增或突减)时,系统出水水质不稳定。A 公司的一期浓氨废水处理系统(处理量是二期的一半),因受到水质、水量冲击负荷的影响(水量5～8m 3/h ,N H 3-N 600～1000mg/L ),出水N H 3-N 基本都在100mg/L 以上。2.1.2 稀氨废水化学氧化工艺(见图2) 图2 稀氨废水处理系统流程 因该工艺在处理过程中需要投加大量的化学药 Edited by Foxit Reader Copyright(C) by Foxit Corporation,2005-2009For Evaluation Only.
关于半导体硅材料的清洗方法探究
关于半导体硅材料的清洗方法探究 【摘要】在半导体这一领域内极为关键的一大步骤即对半导体原料实施清洁，这关系到半导体原料本身的质量与下游一类产品自身的特性。文章就对现阶段硅片关键的清洁方式相应的工作理念、清洁成效、运用面积等特征实施探究，并指出了各式清洁方式相关的优势、不足。生产企业应依据具体的生产状况与产品规定选取适宜的清洁方式。 【关键词】清洗方法；半导体硅材料；运用；分析 1.前言 从上个世纪中期，民众就意识到了干净的衬底表层在半导体微电子型元件内的必要性。而大范围集成型电路的持续进步、集成程度持续增强、线宽持续变小，就对硅片表层的干净程度予以了更多规定。硅片本身的干净程度对领域的进步无可或缺，因为细小污物潜藏，集成型电路在制作期间会丢失一半。如果半导体原料表层有痕量型杂质，在高温期间就会分散、传播，进到半导体原料中，伤害元件。所以，务必要在低温前后全方位消除表层的杂质。 2.国内半导体硅原料的进步进程 上个世纪五十年代，我国就把快速提升国内半导体这一领域当作急迫事宜归入到国务院公布的十二年科技进步规
划内，并构建了许多半导体试验室，以对半导体硅原料实施研发。那时，国内与西方各国差不多一同起步。至六十年代，逐步实施了工业型生产，并构建了很多半导体原料厂。国内硅产业自无至有，自试验室至工业化，迈入了迅速进步的轨道，不单具备研究处，还具备优良的生产企业，稳固了国内硅原料这一领域的根基。那时，国内硅原料的研发、工业化层次与日本这一国家的硅原料层次一致。至七十年代，因为被电子核心论与全民大办电子所制约，我国变成了无次序、盲目地进步，低层次多次构建，生产企业猛增。因为生产企业遍布、投入不多、面积不大、技术层次较低，其成果即产品本身质量较低、投入较大，产品无法售出，使得很多生产企业只有停产，导致资源被过多耗费，同时，减缓了国内硅原料这一领域的进步态势。 后来，我国对微电子这一领域报以了极大的注重。国务院构建了电子型计算机与大范围集成型电路领导团队。此间，国内硅原料这一领域二次收获了迅速进步的机遇[1]。虽然西方各国对国内实施技术型封锁，但是，在国内硅原料这一领域所有工作者的努力之下，很好地给国内的银河计算机一类关键科研与项目予以了更多新兴原料，给国内微电子与国防这类领域、讯息事务的进步予以了大量扶持。至八十年代，国内半导体硅这一领域面对着自计划经济这一机制变换成市场经济这一难题。而半导体硅原料在这时已实施了市场
硅片清洗原理与方法介绍
硅片清洗原理与方法介绍 1引言 硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后，表面已经受到严重的沾污，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。 2硅片清洗的常用方法与技术 在半导体器件生产中，大约有20％的工序和硅片清洗有关，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段，以达到清洗的目的。 由于晶盟现有的清洗设备均为Wet-bench类型，因此本文重点对湿法化学清洗的基本原理、常用方法及其它与之密切相关的技术手段等进行论述 3．1湿法化学清洗 化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从被清除物体的表面脱附（解吸），然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗，其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位，因此有必要首先对湿法化学清洗及与之相关的技术进行全面的介绍。 3．1．1常用化学试剂、洗液的性质 常用化学试剂及洗液的去污能力，对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响，根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。
表一、用以清除particle、metal、organic、nature-oxide的适当化学液 3．1．2溶液浸泡法 溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法，它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。 选用不同的溶液来浸泡硅片可以达到清除不同类型表面污染杂质的目的。如采用有机溶剂浸泡来达到去除有机污染的目的，采用1号液（即SC1，包含H2O2、NH3OH化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除有机、无机和金属离子的目的，采用2号液（即SC2，包含HCL、H2O2化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除AL、Fe、Na等金属离子的目的。 单纯的溶液浸泡法其效率往往不尽人意，所以在采用SC1浸泡的同时往往还辅以加热、超声或兆声波、摇摆等物理措施。
脱脂清洗废水处理方案
*******有限公司 1.OT/H废水处理系统 设 计 方 案 二〇二〇年四月二十四日 目录 1、概况 2、设计依据 4、污水水量、水质及排放标准 5、工艺流程 6、工艺说明及设计 7、主要构筑物设计参数 8、主要设备材料表 9、安装、调试、试运行和验收 10、质量保证 11、产品质量的保证体系 12、售后服务 13、投资估算 一、概况 脱脂清洗污水，含有脱脂液、碱。COD、SS的含量相对偏高，如不处理
直接排放将对周围的环境造成污染。 我公司受厂方的委托，根据厂方提供的废水水量、水质资料，借鉴相关工程实际运行经验，本着投资省、处理效果好、运行成本低的原则，编制了该初步设计方案，供厂方和有关部门决策参考。 二、设计依据 ☆用户提供的污水水质、水量Q=1m3／h ☆污水综合排放标准GB8978—2002中的二级排放标准 ☆《室外排水设计规范》GBJl4—87 ☆《城市区域环境噪声标准》GB3096-93 ☆《低压配电装置及线路设计规范》GB50054-92 ☆《电力装置的继电保护和自动装置设计规范》GB50062-92 ☆《建筑给水排水设计规范》GBJ15-88 ☆《地下工程防水技术规范》GBJ16-87 ☆《给水排水工程结构设计规范》GBJ69-84 ☆《给水排水设计手册》1～11册 三、设计原则 本设计方案严格执行国家有关环境保护的各项规定，污水处理首先必须确保各项出水水质均达到国家环保部门规定的排放标准； ●针对本工程和具体情况和特点，采用简单、成熟、稳定、实用、经济合理的处理工艺，以达到节省投资和降低运行管理费用的目地； ●处理系统运行有一定的灵活性和调节余地，以适应水质水量的变化； ●管理、运行、维修方便，尽量考虑操作自动化，减少操作劳动强度。设备
浅析太阳能电池片废水处理工艺
浅析太阳能电池片废水处理工艺 李慧娟1郭晓霞2 1、内蒙古鑫安能源咨询评估有限公司内蒙古包头014010 2、城市建设研究院内蒙古 分院内蒙古包头014010 摘要：太阳能光伏电池是一种新型的依靠太阳能进行能量转换的光电元器件，它将太阳能转换成电能，清洁无污染，具有广阔的应用前景。太阳能光伏电池作为一种清洁能源，应用前景广泛。而近年来，太阳能电池片生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，使光伏发电的应用日益普及并迅速发展，逐渐成为电力供应的重要来源。但是，太阳能电池片生产工艺产生的废水、废气处理不当的话，容易对环境造成污染，在此，本文对单晶硅生产工艺产生的废水处理工艺做详细的阐述。 关键词：太阳能电池片废水处理工艺 中图分类号：TM914.4文献标识码：A 一、引言 随着社会的发展，不可再生资源日益减少，寻求清洁可再生能源成为社会发展的必然趋势，因此，太阳能、风能、生物能产业得到快速发展。太阳能光伏电池是一种新型的依靠太阳能进行能量转换的光电元器件，它将太阳能转换成电能，清洁无污染，具有广阔的应用前景。太阳能光伏电池作为一种清洁能源，应用前景广泛。其生产废水因含有，腐蚀性强，治理困难。采用两级反应沉淀法，先添加氯化钙除氟，再加絮凝剂和助凝剂进行沉淀，在一级、二级沉淀池中分别进行沉降。结果显示，出水质量浓度降至10mg/L以下，达到《污水综合排放标准》（GB8978．1996）的一级排放标准，解决了企业废水处理问题，废水处理效果好，运行稳定，具有推广价值。 二、单晶硅太阳能电池工艺简介 太阳能电池片是一种能量转换的光电元件，它可以在太阳光的照射下，把光能转换成电能，从而实现光伏发电[1]。生产电池片的工艺比较复杂，一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、等离子刻蚀、去磷硅玻璃、镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结和检测分装等主要步骤。 三、污水成分分析 电池片生产工艺中，单晶硅片制绒工艺是用碱（通常用氢氧化钠）腐蚀硅片表面形成金字塔形貌，过程中用氢氟酸和盐酸清洗，主要产生的废水有浓碱废水、酸碱冲洗废水；去磷硅玻璃工序用氢氟酸去除硅片表面的磷硅玻璃，会产生含氟废水。 从废水的成分来说，主要有以下三部分，含氟废水：主要包括含氢氟酸、硅类的含氟冲洗废水，无机废水主要成分为氢氟酸和SS，[H+]及氟离子浓度较高，酸碱废水中含有硅粉等悬浮物，少量的氟化物，一定量的异丙醇，因此COD、SS污染浓度高[2]。因此，设计后废水收集在两个不同的储罐和两个集水池，分别为：浓碱储罐、浓酸储罐、酸碱废水、含氟废水，废水按照浓度的不同，分开收集，做到轻污分流，节约处理成本。 四、处理工艺的建立 按照工艺的设计，废水按照浓度和成分的不同，分别收集在不同的储罐和集水池，分别为浓酸储罐、浓碱储罐、含氟冲洗废水池、酸碱废水。 浓酸储罐主要收集酸洗和去磷硅玻璃工序中氢氟酸和盐酸槽的废水，废水酸度大，氟离子含量高；浓碱储罐主要收集制绒槽的废水，有机物含量比较高（主要含异丙醇），含有硅粉等悬浮物，COD、SS污染浓度高；含氟冲洗废水池主要收集硅片出氢氟酸槽后的冲洗废水，废水水量大，含有少量的氟离子；酸碱废水池分别收集硅片出碱槽后的冲洗废水、硅片
半导体化学清洗总结
化学清洗总结 1.3各洗液的清洗说明；1.3.1SC-1洗液；1.3.1.1去除颗粒；硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6mm；①自然氧化膜约0.6nm厚，其与NH4OH、H2；②SiO2的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而加快；③Si的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而快当，；④NH4OH促进腐蚀，H2O2阻碍腐蚀；⑤若H2O2的浓度一定，NH4OH浓度越低，颗粒 1.3 各洗液的清洗说明 1.3.1 SC-1洗液 1.3.1.1 去除颗粒 硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6mm呈亲水性)，该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。 ①自然氧化膜约0.6nm厚，其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。 ②SiO2的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而加快，其与H2O2的浓度无关。 ③Si的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而快当，到达某一浓度后为一定值，H202浓度越高这一值越小。 ④NH4OH促进腐蚀，H2O2阻碍腐蚀。 ⑤若H2O2的浓度一定，NH4OH浓度越低，颗粒去除率也越低，如果同时降低H2O2浓度可抑制颗粒的去除率的下降。 ⑥随着清洗液温度升高，颗粒去除率也提高在一定温度下可达最大值。 ⑦颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐蚀。 ⑧超声波清洗时由于空化现象只能去除≥0.4μm颗粒。兆声清洗时由于0.8Mhz的加速度作用能去除≥0.2μm颗粒，即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避免超声清洗对晶片产生损伤。 ⑨在清洗液中硅表面为负电位有些颗粒也为负电位，由于两者的电的排斥力作用可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正电位，由于两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。
硅片清洗及原理
硅片清洗及原理 硅片的清洗很重要，它影响电池的转换效率，如器件的性能中反向电流迅速加大及器件失效等。因此硅片的清洗很重要，下面主要介绍清洗的作用和清洗的原理。 清洗的作用 1.在太阳能材料制备过程中，在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。 2.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量大大提高。 3.硅片中杂质离子会影响P-N 结的性能，引起P-N 结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N 结的性能。 4.在硅片外延工艺中，杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定。 清洗的原理 要了解清洗的原理，首先必须了解杂质的类型，杂质分为三类：一类是分子型杂质，包括加工中的一些有机物；二类是离子型杂质，包括腐蚀过程中的钠离子、氯离子、氟离子等；三是原子型杂质，如金、铁、铜和铬等一些重金属杂质。目前最常用的清洗方法有：化学清洗法、超声清洗法和真空高温处理法。 1.目前的化学清洗步骤有两种： （1）有机溶剂（甲苯、丙酮、酒精等）→去离子水→无机酸（盐酸、硫酸、硝酸、王水）→氢氟酸→去离子水 （2）碱性过氧化氢溶液→去离子水→酸性过氧化氢溶液→去离子水 下面讨论各种步骤中试剂的作用。 a.有机溶剂在清洗中的作用 用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。在清洗过程中，甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蜡等有机物杂质。所利用的原理是“相似相溶”。 b.无机酸在清洗中的作用 硅片中的杂质如镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质，只能用无机酸除去。有关的反应如下：
五金清洗废水处理及中水回用方案
五金前处理废水处理及中水回用处理 工程设计方案 二○一七年二月
目录 第一章废水处理工程工艺设计概况 (2) 一、工程概况 (2) 二、设计依据及标准 (2) 三、设计条件 (2) 四、设计工艺 (3) 五、土建设计 (5) 六、主要处理构筑物 (6) 第二章回用水处理设计 (13) 2.1 回用水设计水量及水质要求 (13) 3.2 回用水处理工艺及原理 (13) 2.3 回用水处理工艺流程及简介 (14) 2.4 主要处理设备 (15) 第三章废水及回用水处理工艺设备材料表 (20) 第四章废水及回用水处理运行成本 (22) 第五章工程报价表 (24) 第六章工程工期及售后服务 (27) 一、详细工程进度计划 (27) 二、售后服务 (27) 三、付款方式（可协商） (27)
第一章废水处理工程工艺设计概况 一、工程概况 ***通信技术股份有限公司位于深圳市光明区，主要生产电控柜等产品，其五金清洗生产线位于车间一楼，其工件在进行脱脂、酸洗及皮膜工序后有部分清洗水排出，这些废水中含有酸、碱、SS、磷酸盐及少量石油类污染物，直接排放会对周围环境造成污染，为保护环境，必须对其进行治理。根据厂方提供资料，工业废水排水量为40m3/d。 二、设计依据及标准 1. 《中华人民共和国环境保护法》； 2. 《城市污水再生利用之工业用水水质》（GB/T 19923-2005） 3.《广东省地方标准—水污染物排入限值》(DB44/26-2001)第二时段一级标准； 4. 《污水综合排放标准》(GB8978-1996)一级标准； 5. 《室外排水设计手册》； 6. 《排水工程设计手册》； 7. 业主提供的有关资料； 8. 有关的设计规范及设计手册。 三、设计条件 1. 设计水量和水质： 根据甲方提供的资料，该厂日排放工业废水量40m3/d。
2000吨每天光伏废水处理项目方案
镇江环太硅科技有限公司 150m3/d料理废水、1800m3/d压滤清洗废水 污水处理方案
2010年5月12日 目录 1、概况 (3) 1.1项目概况 (3) 1.2 设计依据 (3) 1.3 设计原则 (4) 1.4 工程范围及内容 (4) 2、设计条件 (4) 2.1 设计规模的确定 (4) 2.2 设计进水水质的确定 (4) 2.3 废水处理系统的排放标准 (5) 2.4 污水处理站位置的确定 (5) 2.5 排水出路 (5) 2.6 污泥出路 (5) 3、污水处理站处理工艺方案 (5) 3.1 废水的特性分析 (5) 3.2 污水处理系统设计的原则 (6) 3.3 污水处理主体工艺的确定 (6) 3.4 处理工艺流程描述 (7) 4、废水处理工艺流程单元设计 (10) 4.1 污水处理部分 (10) 4.2 污泥处理工艺 (17) 4.3 结构设计 (18) 4.4 建筑设计 (18) 4.5 电气及自控设计 (18) 4.6 消防、环保、安全设计 (21) 4.7 劳动定员 (22) 4.8 运行管理及成本分析 (22) 5、工艺设备及建（构）筑物 (24) 5.1 主要设备清单及性能描述 (24) 5.2 污水处理系统构筑物描述 (25) 6、污水处理系统投资.............................................. 错误!未定义书签。 7、附图.......................................................... 错误!未定义书签。 7.1 附件一：污水处理工艺流程图............................... 错误!未定义书签。 7.2 附件二：污水处理站平面布置图............................. 错误!未定义书签。 7.3 附件三：投资估算书....................................... 错误!未定义书签。 7.4 附件四：设计资质......................................... 错误!未定义书签。
半导体硅片RCA清洗技术
半导体硅片RCA清洗技术 传统的RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统 清洗工序：SC-1 →DHF →SC-2 1. SC-1清洗去除颗粒： ⑴目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。 ⑵去除颗粒的原理： 硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。 ①自然氧化膜约0.6nm厚，其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温 度无关。 ②SiO2的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而加快，其与H2O2的浓度无关。 ③Si的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而快，当到达某一浓度后为一定值，H2O2浓度越高这一值越小。 ④NH4OH促进腐蚀，H2O2阻碍腐蚀。 ⑤若H2O2的浓度一定，NH4OH浓度越低，颗粒去除率也越低，如果同时降低H2O2浓度,可抑制颗粒的去除率的下降。 ⑥随着清洗洗液温度升高，颗粒去除率也提高，在一定温度下可达最大值。 ⑦颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关，为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐蚀。 ⑧超声波清洗时，由于空洞现象，只能去除≥0.4 μm 颗粒。兆声清洗时，由于0.8Mhz的加速度作用，能去除≥0.2 μm 颗粒，即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避免超声洗晶片产生损伤。 ⑨在清洗液中，硅表面为负电位，有些颗粒也为负电位，由于两者的电的排斥力作用，可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正电位，由于两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。 ⑶. 去除金属杂质的原理：
吨每天洗涤污水处理方案
20吨/天洗涤污水处理工程 初 步 方 案 书 编制单位： 编制时间：2016/12/1
目录 1、方案编制依据及工程实施原则 (1) 1.1方案编制依据 (1) 1.2 工程实施原则 (1) 1.3设计范围 (1) 1.4供货范围 (2) 2、工程概况的确定 (2) 2.1工程概况 (2) 2.2设计水质水量及处理标准 (2) 3、工艺流程及说明 (3) 3.1工艺流程的确定 (3) 3.2工艺流程说明 (3) 3.3工艺与控制系统的联系 (4) 4、工艺设施 (4) 4.1格栅井 (4) 4.2调节池 (4) 5.3以下（1-6）为JQ-SHJ20一体化设备 (4) 5.4电器控制系统说明 (6) 6、二次污染防治 (6) 6.1臭气防治 (6) 6.2噪声控制 (6) 6.3污泥处理 (6) 6.4防腐 (7) 7、电气控制和生产管理 (7) 7.1工程范围 (7) 7.2控制水平 (7) 7.3电气控制 (7) 7.4污水泵 (7) 7.5风机 (8) 7.6污泥泵 (8) 7.7其他 (8) 7.8生产管理 (8) 8、工程构筑物、设备分析 (9) 8.1污水处理设备占地面积 (9) 8.2主要设备分项一览表 (9) 8.3工程平面图 (10)
9、环境经济效益指标 (10) 9.1运行成本 (10) 10、安全防护、节能、消防 (10) 10.1安全防护 (10) 10.2节能 (11) 10.3消防 (11) 11、售后服务 (11) 11.1质量保证和检验、验收 (11) 11.2技术服务 (12) 11.3销售服务承诺 (12)
半导体行业废水处理方法概述
半导体行业废水处理方法概述 发表时间：2018-11-14T19:26:30.977Z 来源：《防护工程》2018年第20期作者：张学良[导读] 该文章主要叙述了半导体行业的废水种类、来源、处理方法，并预测废水处理的未来发展方向。 江苏中电创新环境科技有限公司江苏省无锡市 214073 摘要：该文章主要叙述了半导体行业的废水种类、来源、处理方法，并预测废水处理的未来发展方向。 关键词：含氟废水；含磷废水；有机废水；研磨废水；氨氮废水；酸碱废水 从国家经济发展、工业布局和产业导向的变化来看，信息产业将是未来重点发展的行业之一。其中，半导体行业作为信息产业的基础，将会有迅猛的发展。而随着该行业的快速发展，其对环境的影响及压力势必有所增加。半导体行业的废水处理形势也必然越来越严峻。 沃威沃公司面对的主要是半导体行业，兼做纯水处理和废水处理。纯水是用于生产工程的供水，废水则是生产线上形成的清洗水。目前，半导体行业的废水以处理后排放为主。本文章主要叙述目前半导体行业产生的废水种类、来源和处理方法。 1. 废水的种类及来源 1.1.废水的种类 由于半导体公司的最终产品不同，各公司生产过程中产生的废水种类都不一样，各公司对产生的废水来源不一样所进行的分类也不一样。总的来水，半导体行业的废水可以分为含氟废水、含磷废水、有机废水、研磨废水、氨氮废水和酸碱废水。如无锡华润上华没有含磷废水，上海天马没有研磨废水。 1.2.废水的来源 含氟废水主要来源于来自于自芯片制造过程中的扩散工序及化学机械研磨工序，在对硅片及相关器皿的清洗过程中也多次用到氢氟酸。对粘膜、上呼吸道、眼睛、皮肤组织有极强的破坏作用。污染物主要为氟离子。 含磷废水主要来源于生产工程中的铝刻蚀液。 有机废水，由于生产工艺的不同，有机溶剂的使用量对于半导体行业而言具有很大的差距。但是作为清洗剂，有机溶剂仍然广泛使用在制造封装的各个环节上。部分溶剂则成为有机废水排放。有机废水主要来源于IPA溶剂、显影液、ITO刻蚀液、酸洗塔酸碱废水、酸洗塔有机废水。 研磨废水主要来源于晶圆切割抛光后的后续清洗制程。主要污染物为悬浮固体。 氨氮废水主要来源于刻蚀过程中使用的氨水、氟化铵及用高纯水清洗。 酸碱废水主要来源于制造过程中的清洗工艺；纯水系统中多介质过滤器、活性炭过滤器的反冲洗水，混床再生后的清洗水；冷却塔排水。 2. 废水处理技术 2.1.含氟废水处理 含氟废水的治理技术主要为化学沉淀+混凝沉淀法，即投加化学药品形成氟化物沉淀或氟化物被吸附于所形成的沉淀物中而共沉淀，然后分离固体沉淀物即可除去氟化物。在半导体行业中，投加Ca(OH)2 或NaOH 和CaCl2 的混合物产生难溶于水的CaF2 沉淀。由于半导体厂对环境要求比较高，我们常存在用CaCl2作为反应物。CaCl2沉淀的化学反应为： 2F + Ca2+ → CaF2↓ 在钙的化学计量浓度下，氟化钙的理论最大溶解度约为8mg/l。因此，氟化钙浓度超过此溶解度极限后即产生沉淀物。一般考虑停留时间为0.5hr。CaF2沉淀的缺陷是沉淀物的沉降特性较差，因此在化学沉淀后，一般加混凝剂(PAC和PAM)进一步形成更大的沉淀体，最后在沉淀池中去除沉淀物。若加多过量石灰或CaCl2，可进一步降低氟化物浓度。通常，会在反应池中设氟表控制钙剂的投加量。 2.2.含磷废水处理 含磷废水处理目前应用较多的主要是化学沉淀法和生物法，生产处理多数用于处理有机磷废水，半导体行业中产生的含磷废水主要以磷酸盐的形式存在，采用化学沉淀法处理。沉淀剂采用钙剂或铝剂。我们采用的方法是先用CaCl2沉淀磷酸盐，后加PAC混凝处理。 CaCl2和PO43-的反应式为： Ca2++ PO43-→ Ca3(PO4)2↓ 磷酸钙的理论溶解度约为20mg/L。后续混凝处理进一步形成更大的沉淀体，最后在沉淀池中去除沉淀物。一般控制pH在8-10的条件下进行反应。 2.3.有机废水处理 有机废水的处理方法很多，如活性污泥法、生物膜法、MBR膜法等。目前，我们主要采用接触氧化法进行处理，厌氧+好氧的处理方式，该方法处理效果稳定，投入低，受业主青睐。 2.4.研磨废水处理 研磨废水中的主要污染物为固体，但是这些固体颗粒细小，比较难沉淀，一般通过混凝的方法增大颗粒的直径，使颗粒更易于沉降。 2.5.氨氮废水 氨氮废水的处理方法有吹脱法、氯折点法、生物法、中和法、沉淀法、离子交换法、蒸汽气提法。吹脱法用于处理高浓度氨氮废水具有流程简单、处理效果稳定、基建费和运行费较低等优点，实用性较强。当氨氮废水的浓度比较高(几百以上)时，采用吹脱法将氨氮的浓度降低至100mg/L以下，吹脱出的氨氮用加酸吸收成硫酸铵外运。半导体行业中的氨氮废水含碳量低，生化法不适用。吹脱法和沉淀法适合于高浓度的氨氮废水。中和法不能完全去除氨氮的污染，将氨氮从废水中驱逐出来，但是需要另外配置吸收塔进行吸收，这对于处理量小的项目来说，投入比较高。有的半导体厂氨氮废水水量小，浓度不高，在100-200mg/L时，采用氯折点法对氨氮废水进行处理，该种方法要求的投入低、占地面积小、设备比较简单。在反应池设置氯表控制氯和还原剂的投加。