电子科大--课程设计

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电子科技大学通信学院

《综合课程设计指导书》

传输专题设计(频分复用)

班级通信18班

学生李澳

学号22

教师饶力,刘镰斧

【设计名称】

传输专题设计(频分复用)

【设计目的】

要求学生独立应用所学知识,对通信系统中的典型部件电路进行方案设计、分析制作与调测电路。通过本专题设计,掌握频分复用的原理,熟悉简单复用系统的设计方法。

【设计思想】

每路话音信号带宽为300~3400Hz,取4kHz作为标准带宽;而电缆传输频带60kHz~156kHz,即带宽为96kHz。由于是全双工,96kHz的带宽正好可容纳24路信号(A-B,12路,B-A,12路)在一个信道上传输。

【系统原理】

各路信号m(t)首先由低通滤波器进行限带,限带后的信号分别对不同频率的载波进行线性调制,形成频率不同的已调信号。为了避免已调信号的频谱交叠,各路已调信号由带通滤波器进行限带;再利用加法器把3路信号加在一起,合成一个前群,12路信号形成4个前群,利用加法器将这四个前群加在一起,形成多载波信号,在共享信道上传输。在接收端, 为了使发送方不至于收到自己发出的信号,由混合线圈接收, 经过带通滤波器滤波,相干解调,低通滤波,再经过放大器放大,得到解调信号。

【设计指标】

设计一个频分复用调制系统,将12路语音信号调制到电缆上进行传输,其传输技术指标如下:

1. 语音信号频带:300Hz~3400Hz。

2. 电缆传输频带:60KHz~156KHz。

3.传输中满载条件下信号功率不低于总功率的90%。

4.电缆传输端阻抗600Ω,电缆上信号总功率(传输频带内的最大功率)不大于1mW。

5.语音通信接口采用4线制全双工。

6.音频端接口阻抗600Ω,标称输入输出功率为0.1mW。

7.滤波器指标:规一化过渡带1%,特征阻抗600Ω,通带衰耗1dB,阻带衰耗40dB(功率衰耗),截止频率(设计者定)。

8.系统电源:直流24V单电源。

【系统设计框图】

A B传输(发送端):

图1 传输原理示意图(A至B)

其中各个滤波器的通带频率范围如下:

LPF 0 ~ 4kHz

BPF1 12kHz~ 16kHz

BPF2 16kHz ~ 20k Hz

BPF3 20kHz ~ 24kHz

BPF4 60kHz ~ 72kHz

BPF5 72kHz ~ 84kHz

BPF6 84kHz ~ 96kHz

BPF7 96kHz ~ 108kHz

B A 传输(发送端):

图2传输原理示意图(B至A)

其中各个滤波器的通带频率范围如下:

LPF 0 ~ 4kHz

BPF1 12k ~ 16k

BPF2 16k ~ 20k

BPF3 20k ~ 24k

BPF8 108k~120k

BPF9 120k~132k

BPF10 132k~144k

BPF11 144k~156k

信号在信道上的传输频带为:60kHz ~ 156kHz

其中A→B传输所占用频带为:60kHz ~ 108kHz

B→A传输所占用频带为:108kHz ~ 156kHz

接收端原理示意图

(以B端接收为例,为方便起见,只画出了前3路信号)

图3 系统接收端原理示意图

如上图所示,发送端插入一个导频,将接收到的信号通过一个通带为

60kHz:156kHz的带通滤波器,再通过相干解调器,将信号频谱搬移到基带。第

1路信号用LPF进行滤波,其余均通过BPF进行滤波,滤波之后每路信号再经过放大器进行放大即可恢复出原始信号。

下面分别对系统的各个组成部分进行详细介绍。

【系统具体功能实现电路】

一、载波产生电路

1、晶体振荡器产生正弦信号

设计时用晶体振荡器先产生基准正弦信号,再利用锁相环进行频率的合成,以产生设计所需的各种信号。

图4为基准信号产生电路。

图4 基准信号产生电路

2、频率合成器产生载频

在得到基本正弦信号之后,可以采用锁相式频率合成器来获得不同频率的载频。产生载频信号的电路示意图如下图5所示。

图5 锁相频率合成器基本框图

在环路锁定时,在上图5中,鉴相器两输入的频率相同,即

r d f f =

d f 是VCO 输出频率o f 经N 分频后得到的,即

/d o f f N = 所以输出频率

o r f N f =

设计中的锁相环电路可以用集成的频率合成器,如MC145106,其原理框图如图6所示:

图6 MC45146电路原理框图

经分频器输出的信号不一定满足信号的设计要求,可以再级联一个频率和成器,也可以用锁相环技术,其o in f M f =,则总的有:

/o in f M f N =

例如产生一个设计所需的12KHZ 的信号,则可以M=3,N=250。要产生实验中的其它信号与之类似。

二、 导频插入及提取

由于采用相干解调,就需要获得与发送端同频同相的相干载波对已调信号进行解调,也即需载波同步。解调载波的获取,是从发端发送的导频获得。

因为是抑制载波调制,所以在已调信号中不含有载波功率,就不能直接提取载波。可采用插入导频法, 发送端导频的插入,应插在信号功率为零的地方,这样便于提取。

插入导频法是在发送信号的同时,在适当的频率位置上,插入一个称作导频的正弦波,在接收端就提取出这个导频作本地载波,用于同步解调(相干检测)。

导频插入电路的原理图如图7所示。

图7 发送端导频插入原理示意

由图7可知,()()sin cos o c c u t Am t a t a t ωω=-

在接收端,导频提取可采用窄带导频滤波器,或直接用锁相环来提取。 示意图如图8。

图8 接收端导频提取示意图

相应的表达式推导

经过低通滤波器后,即可恢复出调制信号s(t)。

导频的加入可以用加法器将已调信号与导频相加实现。加法器电路将在下面内容中给出。

三、调制与解调电路

由于系统采用SSB方式调制,相干解调,所以对于调制与解调电路,在电路实现上本质是相同的,都是载波与未调制信号(或已调制信号)相乘。因此系统中这两部分可以采用相同的设计。这里采用两输入的乘法器模块MC1596即可实现。本系统在调制与解调时均采用二次调制(解调)。调制(解调)电路关键乘法器模块仿真如图9所示。

在解调时有一点需要说明,本系统采用二次解调。由于滤波器归一化过渡带指标必须大于1%,致使无法在100KHZ以上的高频准确截取4KHZ的频带。如果采用一次解调,由于过渡带较宽,所带来的噪声会在解调后叠加到语音信号中去。故采用两次解调。具体解调方法在系统总体框图中已经指出,这里不再赘述。

图9 系统调制(解调)模块仿真图

四、滤波器设计

滤波器(低通和带通)相关的设计参数已经在系统传输框图中给出。这里再从设计指标上进行简单说明。

用滤波法产生单边带信号时,一次群滤波器都为低通通滤波器(取上边带),规一化过渡带1%,特征阻抗600Ω,通带衰耗1dB,阻带衰耗40dB(功率衰耗),截止频率为单边带调制的载频频率,二次群滤波器都为高通通滤波器(取下边带),规一化过渡带1%,特征阻抗600Ω,通带衰耗1dB,阻带衰耗40dB(功率衰耗),截止频率也为单边带调制的载频频率。

一次群SSB调制器后的滤波器为带通滤波器,规一化过渡带1%,特征阻抗600Ω,通带衰耗1dB,阻带衰耗40dB(功率衰耗),中心频率为单边带调制的载频频率,带宽为4KHZ.

在上面的调制框图,A→B传输调制中,BPF1-BPF3为第一级调制后的BPF,BPF4-BPF7为第二级调制后的BPF,由于在接收端解调后的BPF与调制时的对应的BPF相同,所以没有列出接收端的BPF,接收端最后相干解调后,需要接一低通滤波器LPF。下面给出A→B传输的滤波器的参数。单位为kHz。

表1 系统各带通滤波器设计参数

相干解调后所接LPF的截止频率为4kHz。

五、加法器电路

系统中的信号需要多次加法运算,总共涉及3种加法器,它们分别是3输入加法器(前群合成),4输入加法器(二次群产生)以及2输入加法器(导频加入)。3种加法器分别如下图所示。

图10 3输入加法器(用于前群产生)

图11 4输入加法器(用于二次群合成)

图12 2输入加法器(用于导频插入)

六、四——二线转换

由于语音信号是收和发同时存在(收二线,发二线),所以是四线,而传输线是二线,这就需要进行四——二线转换。四——二线转换原理图如图13所示。在将二次群信号送入电缆传输时,为了使发送方不至于收到自己发出的信号,采用混合线圈。混合线圈的等效原理图如图18所示。混合线圈原理是一个平衡电桥,使本端发送的信号不能渗漏到本端的接收信号处而形成回波。

发射机

接收机

回波抵

消器

耦合

Σ

发射机

接收机

回波抵

消器

耦合

Σ

共用线路

四--二线转换,回波对消原理框图

图13 四——二线转换原理图

图14 混合线圈的等效原理图

当电桥平衡时(4个电阻大小相等),发端信号在收端A, B两点产生的电位相等,A到B间无电流流过,所以收端不会收到发端信号。而对发端和收端来说,输入,输出阻抗均为600?。具体电路如图15所示。

图15 四-二线转换电路仿真

七、放大电路

根据给定指标,输入输出功率为0.1mw(一路信号),而每调制一次,电压幅度就衰减1/2,经过两次调制,电压幅度衰减为原来的1/4。在二——四线转换中,电压还要衰减1/2。总的电压衰减为1/8。按照功率与电压的关系,功率和电压是平方关系,即:

2/

P U R

其中:P为平均功率, U为平均电压, R为阻抗。

在已知平均功率和阻抗的条件下,可算出平均电压值。由于总电压衰减了1/8,所以总功率就衰减了2

1/8。

例:输入功率为0.1mw,到线路端时,只有:

2

0.1/8mw =0.001563mw

而根据设计要求,线路上的信号总功率为0.9mw,分到每一路信号的功率为0.9/24mw=0.0375mw。

要完成上述指标,必须将被衰减了的信号进行放大,以满足设计要求。放大倍数为N.

N=0.0375/0.001563=24.

电路如图16。

图16 放大器电路仿真图

其中R2=600 ,R1=150 ,Avf = 5,Vcc =12V。

【设计指标计算】

1、音频端接口阻抗600Ω,标称输入输出功率为0.1mW 。因此输入电压为 (0.1mW * 600Ω) =0.2449 V

2、滤波器指标:

采用二次调制。第一次用:12KHz,16KHz,20KHz 调制形成前群。按最高载频计算,即 1f ?=600Hz ,1c f =20KHz ,则 03.010

20600

3

1=?=

α, 即3% 。 第二次分别用84kHz 、96kHz 、108kHz 、120kHz 调制,按最高载频120KHz 计算, 即

321024?=?f ,3101202?=c f ,则

2.010********

3

2=??=α

0.0030.20.00060.01?=<,完全能够满足设计给定的归一化过渡带指标。

【系统总体设计框图】

【滤波器指标】

1、低通滤波器指标:

通带截止频率:4KHZ

阻带截止频率:3400HZ

2、单边带滤波器:

a.通带截止频率:12300HZ

阻带截止频率:12000HZ b.通带截止频率:16300HZ

阻带截止频率:16000HZ

c.通带截止频率:20300HZ

阻带截止频率:20000HZ

d.通带截止频率:72000HZ

阻带截止频率:84000HZ

e.通带截止频率:84000HZ

阻带截止频率:96000HZ

f.通带截止频率:96000HZ

阻带截止频率:108000HZ

g.通带截止频率:108000HZ

阻带截止频率:120000HZ

3、带通滤波器:

a. 通带截止频率:12300HZ,15400HZ

阻带截止频率:12000HZ,16000HZ b. 通带截止频率:16300HZ,19400HZ

阻带截止频率:16000HZ,20000HZ c. 通带截止频率:20300HZ,23400HZ

阻带截止频率:20000HZ,24000HZ d.通带截止频率:60300HZ,71400HZ

阻带截止频率:59000HZ,72000HZ e. 通带截止频率:72300HZ,83400HZ

阻带截止频率:71000HZ,85000HZ f.通带截止频率:84300HZ,95400HZ

阻带截止频率:83000HZ,97000HZ

g. 通带截止频率:96300HZ,107400HZ

阻带截止频率:95000HZ,109000HZ

【总结及心得体会】

在本系统的设计过程中,使我对VISIO这款画图软件有了初步的掌握,对频分复用有了更深一步的认识,对调制、解调的过程也有了更为深刻的认识和见解。由于能力有限,只分析出了各单元电路的设计,而各个单元电路的连口电路没有去深入设计,以致系统的总体实际电路没能设计出来和用MATLAB仿真对波形进行观测,是本次课程设计的遗憾。

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电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案

电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题卷( 120分钟)考试形式:闭卷考试日期200 7年 1 月 14日 注:1、本试卷满分70分,平时成绩满分15分,实验成绩满分15分; 2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。 课程成绩构成:平时分,期中分,实验分,期末分 一、选择填空(含多选题)(2×20=40分) 1、锗的晶格结构和能带结构分别是( C )。 A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 2、简并半导体是指( A )的半导体。 A、(E C -E F )或(E F -E V )≤0 B、(E C -E F )或(E F -E V )≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015cm-3,则该半导体为( B )半导体;其有效杂质浓度约为( E )。 A. 本征, B. n型, C. p型, D. 1.1×1015cm-3, E. 9×1014cm-3 4、当半导体材料处于热平衡时,其电子浓度与空穴浓度的乘积为( B ),并且该乘积和(E、F )有关,而与( C、D )无关。 A、变化量; B、常数; C、杂质浓度; D、杂质类型; E、禁带宽度; F、温度 5、在一定温度下,对一非简并n型半导体材料,减少掺杂浓度,会使得( C )靠近中间能级E i ;如果增加掺杂浓度,有可能使得( C )进入( A ),实现重掺杂成为简并半导

体。 A 、E c ; B 、E v ; C 、E F ; D 、 E g ; E 、E i 。 67、如果温度升高,半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是(C )。 A 、变大,变大 B 、变小,变小 C 、变小,变大 D 、变大,变小 8、最有效的复合中心能级的位置在(D )附近,最有利于陷阱作用的能级位置位于(C )附近,并且常见的是( E )陷阱。 A 、E A ; B 、E B ; C 、E F ; D 、 E i ; E 、少子; F 、多子。 9、一块半导体寿命τ=15μs ,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30μs 后,其中非平衡载流子将衰减到原来的( C )。 A 、1/4 B 、1/e C 、1/e 2 D 、1/2 10、半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的( A )。 A 、散射机构; B 、复合机构; C 、杂质浓度梯度; C 、表面复合速度。 11、下图是金属和n 型半导体接触能带图,图中半导体靠近金属的表面形成了(D )。 A 、n 型阻挡层 B 、p 型阻挡层 C 、p 型反阻挡层 D 、n 型反阻挡层 12、欧姆接触是指( D )的金属-半导体接触。 A 、W ms =0 B 、W ms <0 C 、W ms >0 D 、阻值较小并且有对称而线性的伏-安特性 13、MOS 器件中SiO 2层中的固定表面电荷主要是( B ),它能引起半导体表面层中的能带( C )弯曲,要恢复平带,必须在金属与半导体间加( F )。 A .钠离子; B 硅离子.;C.向下;D.向上;E. 正电压;F. 负电压 二、证明题:(8分) 由金属-SiO 2-P 型硅组成的MOS 结构,当外加的电压使得半导体表面载流子浓度n s 与内部多数载流子浓度P p0相等时作为临界强反型层条件,试证明:此时半导体的表面势为: 证明:设半导体的表面势为V S ,则表面的电子浓度为: 200exp()exp()S i S s p p qV n qV n n KT p KT == (2分) 当n s =p p0时,有:20exp( ),S p i qV p n KT = (1分)

电子科技大学模拟电路简答题整理总汇 期末必备()

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引入直流负反馈或者使用温度补偿(靠温度敏感器件直接对IB产生影响)。 6 BJT管稳定静态工作点电路引入了哪种反馈,简述稳Q过程。 见6 7 有哪些耦合方式,各有什么特点? 直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。 直接耦合:可放大直流信号、低频特性好、利于集成;静态工作点相互影响,存在零点漂移现象。 阻容耦合:各级静态工作点相互独立;只能放大交流信号、低频特性差、耦合过程有损耗,不利于集成。 变压器耦合:同阻容耦合,可实现阻抗变换。 光电耦合:实现电气隔离,抑制电干扰。 8 什么是零点漂移,为什么差分放大电路可以抑制零点漂移。 零点漂移:输入信号为零时,由于温度变化、电源电压不稳、元件参数变值等因素(其中最重要的是温度因素)造成静态工作点产生微小变化,经逐级放大和传输后使得输出端电压偏离原固定值上下漂移的现象。 (直接耦合时第一级的微小变化会导致输出级的较大变化) 差分放大电路主要是抑制温度变化造成的零点漂移现象。 差分放大电路左右结构对称,有温度变化引起的参数变化是共模信号,对左右电路的影响是相同的,可互相抵消;输入的有效信号是差模信号,通过该电路可得到有效放大。 9 分析长尾式差分放大电路发射极电阻对差模和共模信号的不同作用 输入共模信号时,△IC↑→iB1↑→iC1(IE1)→uE1↑→uE↑→uBE↓→iB1↓(2同1) 通过负反馈作用使得Re上的电压产生和输入信号电压相同方向上的变化从而促使基极电流下降,抑制共模信号的放大; 输入差模信号时,差模信号变化时,左右电路对uE的影响刚好相反,故uE不发生变化,

(完整word版)西安电子科技大学信息论与编码理论讲义

《信息论》 讲义 204教研室 2005年11月

主要内容: 第一章绪论 第二章离散信源及其信息测度第三章离散信道及其信道容量第四章无失真信源编码 第五章有噪信道编码

第一章 绪论 信息论——人们在长期通信工程的实践中,由通信技术与概率论、随机过程和数理统计相结合而逐步发展起来的一门学科。 奠基人——香农 1948年发表了著名的论文——《通信的数学理论》,为信息论奠定了理论基础。 1.1 信息的概念 人类离不开信息,信息的接收、传递、处理和利用时时刻刻都在发生。 如:“结绳记事”、“烽火告警”,信息的重要性是不言而喻的。 什么是信息?——信息论中最基本、最重要的概念。 信息与“消息”、“情报”、“知识”、“情况”等的区别: “情报”——人们对于某个特定对象所见、所闻、所理解而产生的知识。是一类特定的信息。 “知识”——人们根据某种目的,从自然界收集得来的数据中,整理、概括、提取得到的有价值的、人们所需的信息。是一种具有普遍和概括性质的高层次的信息。 “消息”——以文字、符号、数据、语言、音符、图片、图像等能够被人们感觉器官所感知的形式,表达客观物质运动和主观思维活动的状态。 消息包含信息,是信息的载体。二者既有区别又有联系。 “信号”——消息的运载工具。 香农从研究通信系统传输的实质出发,对信息作了科学的定义,并进行了定性和定量的描述。 收信者: 收到消息前,发送者发送的消息——1、描述的是何种事物运动状态的具体消息;2、描述的是这种消息还是那种消息;3、若存在干扰,所得消息是否正确与可靠。 存在“不知”、“不确定”或“疑问” 收到消息后,知道消息的具体内容,原先的“不知”、“不确定”或“疑问”消除或部分消除了。 消息传递过程——从不知到知的过程;从知之甚少到知之甚多的过程;从不确定到部分确定或全部确定的过程。 通信过程——消除不确定性的过程。 不确定性的消除,就获得了信息。 若原先不确定性全部消除了,就获得了全部的消息;若消除了部分不确定性,就获得了部分信息;若原先不确定性没有任何消除,就没有获得任何消息。 信息——事物运动状态或存在方式的不确定性的描述。 通信的结果——消除或部分消除不确定性而获得信息。 信息如何测度? 信息量与不确定性消除的程度有关。消除了多少不确定性,就获得了多少信息量。 不确定性——随机性——概率论与随机过程。 样本空间——所有可能选择的消息的集合。 概率空间——样本空间和它的概率测度。],[P X

电子科技大学2012半导体物理期末考试试卷A试题答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 2012半导体物理学期末试题 一、选择填空(22分) 1、在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带( B ), 对应的有效质量( C ),称该能带中的空穴为( E )。 A. 曲率大; B. 曲率小; C. 大; D. 小; E. 重空穴; F. 轻空穴 2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为(F )。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质 3、在通常情况下,GaN呈( A )型结构,具有( C ),它是(F )半导体材料。 A. 纤锌矿型; B. 闪锌矿型; C. 六方对称性; D. 立方对称性; E.间接带隙; F. 直接带隙。 4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体,如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4,m n*/m0值是乙的2 倍,那么用类氢模型计算结果是( D )。 A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2,弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9,的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8 5、.一块半导体寿命τ=15μs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30μs后,其中非平衡载 流子将衰减到原来的(C )。 A.1/4 ; B.1/e ; C.1/e2; D.1/2 6、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、n i>> /N D-N A/ 时,半导体具有( B )半导体的导电特性。 A. 非本征 B.本征 7、在室温下,非简并Si中电子扩散系数Dn与ND有如下图(C )所示的最恰当的依赖关系: DnDnDnDn 8、在纯的半导体硅中掺入硼,在一定的温度下,当掺入的浓度增加时,费米能级向(A )移动;当掺

基础信息论

参考文献 1..C.E.Shannon. A Mathematical Theory of Communication. Bell System Technical Journal Vol 27 partⅠJuly 1948, pp 379-423;part Ⅱoct 1948,pp623-656 2.https://www.360docs.net/doc/f13823393.html,munication in the presence of noise.proc I.R.E.1949 37 P10 3.张宏基编著《信源编码》北京,人民邮电出版社,1979 4.林可祥、汪一飞编著《偽随机码的原理与应用》北京,人民邮电出版社,1978 5.钟义信编著《信息科学原理》北京,北京邮电大学出版社,1996 6.孟庆生编著《信息论》西安,西安交通大学出版社,1986 7.仇佩亮编著《信息论及其应用》杭州,浙江大学出版社,2000 8.朱雪龙编著〈应用信息论基础〉北京,清华大学出版社,2001 9.陈运编著《信息工程理论基础》成都,电子科技大学。1989 10.王新梅、肖国镇编著《纠错码—原理与方法》(修订版)西安,西安电子科技大学出版社,2001年修订版 11.E.Schruefer.Signal-verarbeitung.Muenchen Wien:Carl:Hanser Verlag,1992 12.张应中等编著《数字通信工程基础》北京,人民邮电出版社,1987 13.贾世楼编著《信息论理论基础》哈尔滨,哈尔滨工业大学出版社,2001 14.陈运等编著《信息论与编码》北京,电子工业出版社,2002 15.傅祖芸编著《信息论》北京,电子工业出版社,2001

电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案

电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试 1.对于大注入下的直接辐射复合,非平衡载流子的寿命与(D ) A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2.有3个硅样品,其掺杂情况分别是: 甲.含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3 室温下,这些样品的电阻率由高到低的顺序是(C ) A.甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙 3.题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是( B ) 4.题2中费米能级由高到低的顺序是( C ) 5. 欧姆接触是指( D )的金属一半导体接触 A. W ms = 0 B. W ms < 0 C. W ms > 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性 6.有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 7.当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时,其小注入下的少子寿命正比于(C ) A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p 8.半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 9.MOS 器件绝缘层中的可动电荷是( C ) A. 电子 B. 空穴 C. 钠离子 D. 硅离子 10.以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是( D ) A. Si B. Ge C. GaAs D. GaN 二、解释并区别下列术语的物理意义(30 分,7+7+8+8,共4 题) 1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量(7 分) 答:有效质量:由于半导体中载流子既受到外场力作用,又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用,使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后,可以很方便的解决电子的运动规律。(3分) 纵向有效质量、横向有效质量:由于k空间等能面是椭球面,有效质量各向异性,在回旋共振实验中,当磁感应强度相对晶轴有不同取向时,可以得到为数不等的吸收峰。我们引入纵向有效质量跟横向有效质量表示旋转椭球等能面纵向有效质量和横向有效质量。(4分) 2. 扩散长度、牵引长度与德拜长度(7 分) 答:扩散长度:指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离。由扩散系数

电子科技大学电路分析复习题

一、 填空题 1、图1-1所示电路,ab 两端戴维南等效电路的内阻R ab 为_______ 2、图1-2所示电路,ab 端等效电容C ab =__ ___ 3、如图1-3所示电路,电流i = 4、如图1-4所示电路,电容两端电压的零状态响应为___ __阻尼情况? 5、如图1-5所示不含源的线性二端网络N 0,已知其端口电压u (t )和电流i (t )分别为 求N 0网络的等效阻抗Z =_____ 6、如图1-6所示电路,当2/rad s ω=时正弦稳态单口的功率因数提高到1,其电容 C =_____ 7、如图1-7所示正弦稳态双口,具有_____通滤波特性? 2Ω 图 1-3 图 1-6 图 1-7 图 1-1 ab + ()u t - 图 1-5 图 1-2 C ab 1F + – 2Ω 1H 图 1-4 u S (t)

8、如图1-8所示电路,求4Ω电阻上平均功率_______ 9、如图1-9所示电路,谐振角频率_______ 10、如图1-10所示电路a 、b 端的等效电感L ab =_______ 二、 列写图示电路的结点方程,并求结点电压u 1、u 2、u 3 ? 三、 如图3所示电路,t <0处于稳定状态,在t = 0时刻开关闭合,求t ≥0时电容两端电压() c u t 及()i t ? V t 4V 图 1-8 100mH 10Ω u S (t ) + _ 0.1uF 图 1-9 图 3 1A 1A 2A 图 2 b 图 1-10 ab

四、 如图4示电路,试求R L 为何值,负载R L 获得最大功率?且最大功率P Lmax 是多少? 五、 如图5所示正弦稳态电路,求(1)图示电流i (t )? (2) 电压源发出平均功率? 六、 如图6 所示正弦稳态电路,已知()V S u t t t =+, 1、试求ab 端口的最大传输功率? 2、为使得1Ω的负载电阻R L 上获得最大传输功率,可在 ab 端口和负载之间加如图(b )所示匹配网络,试求匹配网络中L 和C 的大小? 图 4 L + _ 1:2 18V 图 6 含源端口 R L =1Ω 匹配网络 2t 图 5

《信息论》(电子科大)复习资料

信息论导论参考资料 作者 龙非池 第一章 概论 ● 在认识论层次研究信息时,把只考虑到形式因素的部分称为语法信息, 把只考虑到含义因素的部分称为语义信息;把只考虑到效用因素的部分称为语用信息。目前,信息论中主要研究语法信息 ● 归纳起来,香农信息论的研究内容包括: 1) 信息熵?、信道容量?和信息率失真函数? 2) 无失真信源编码定理?、信道编码定理?和保真度准则下的信源编码定理? 3) 信源编码、信道编码理论与方法 ● 一般认为,一般信息论的研究内容除香农信息论的研究内容外,还包括 维纳的微弱信号检测理论:包括噪声理论、信号滤波与预测、统计检测与估计理论、调制理论等。 信息科学以信息为研究对象,信息科学以信息运动规律为研究内容,信 息运动包括获取、传递、存储、处理和施用等环节。 第二章 离散信源及离散熵 ● 单符号离散信源的数学模型:1 212 ()()()()n n x x x X P x P x P x P X ?? ??=???????? 自信息量:()log ()i x i I x P x =-,是无量纲的,一般根据对数的底来定义单位:当对数底为2时,自信息量的单位为比特(bit,binary unit);对数底为e 时,其单位为奈特(nat,nature unit);对数底为10时,其单位为哈特(Hart, Hartley) 自信息量性质:I(x i )是随机量;I(x i )是非负值;I(x i )是P(x i )的单调递减函数。 ● 单符号离散信源的离散熵: 1()[()]()()n i i i i H X E I x P x lbP x ===-∑,单位是比特/符号(bit/symbol)。 离散熵的性质和定理:H(X)的非负性;H(X)的上凸性; 最大离散熵定理:()H X lbn ≤ ● 如果除概率分布相同外,直到N 维的各维联合概率分布也都与时间起点 无关,即:

信息论课程设计

电子科技大学电子工程学院信息论课程设计报告课程名称:信息编码与加密

课程设计报告 学生姓名:农瀚学号:2014020908021 指导教师:李万春 一、课程设计名称:编程实现霍夫曼、费诺、香农编码 二、课设原理: 1)霍夫曼编码:霍夫曼编码的平均码长最短,是最佳编码。编码步骤如下: (1)将信源符号按概率大小排序; (2)对概率最小的两个符号求其概率之和,同时给两幅 号分别赋予码元0和1; (3)将概率之和当做一个新符号的概率。与剩下的概率一起,形成一个缩减信源,再重复上述步骤,直到概率和为1为止;(4)按上述步骤实际上构成了一个码树,从根到端点经过的树枝即为码字。 2)费诺编码: 编码步骤如下: (1)将信源概率从大到小排序; (2)将信源符号分成两组,使两组信源符号的概率之和近似相等,并给两组信源符号分别赋0和1; (3)再把各个小组的信源符号细分为两组并赋码元,方法与第一次分组相同; (4)如此一直下去,直到每一个小组只含一个信源符号为止;(5)由此可构造成一个码树,所有终端节点上的码字组成费诺码。

3)香农编码: 编码方法如下: ⑴将信源消息符号按其出现的概率大小依次排列 p(u1)≥p(u2)≥…≥p(un) ⑵确定码长Ki (整数) : Ki= []——取整 ⑶为了编成唯一可译码,计算第i个消息的累加概率 ⑷将累加概率Pi变换成二进制数。 ⑸取pi二进制数的小数点后Ki位即为该消息符号的二进制数。 三、课设目的:通过编程实现三种方式的编码,掌握三种编 码方式的步骤。 四、课设内容: 三种编码方式的编程思路: 1、霍夫曼编码:(1)对给定的n个权值{W1,W2,W3,...,Wi,...,Wn}构成n棵二叉树的初始集合F= {T1,T2,T3,...,Ti,...,Tn},其中每棵二叉树Ti中只有一个权值为Wi的根结点,它的左右子树均为空。(为方便在计算机上实现算法,一般还要求以Ti的权值Wi的升序排列。)(2)在F中选取两棵根结点权值最小的树作为新构造的二叉树的左右子树,新二叉树的根结点的权值为其左右子树的根结点的权值之

电子科技大学 材料与能源学院 半导体物理 知识点

1.载流子、空穴:价带电子具有导电的特性,用空穴导电来描写,即价带中不被电子占据 的空状态,空穴带正电荷+q,能量坐标与电子相反。在常温下由于热激发,使得一些价电子获得足够的能量脱离共价键的束缚成为自由电子,同时共价键上留下一个空位即空穴。 2.引入空穴的意义:把价带中大量电子对电流的贡献用少量的空穴表达出来。半导体中有 电子和空穴两种载流子,而金属中只有电子一种载流子(荷载电流的粒子) 3.杂质的补偿作用:半导体中同时存在施主和受主杂质,因为施主和受主之间有相互抵消 的作用,通常称为杂质的补偿作用。 4.分布函数 5.等电子陷阱:固体中的等电子杂质以短程作用为主的俘获电子或空穴所形成的束缚态 6.本征半导体:没有杂质和缺陷的半导体,靠热激发产生载流子。 7.费米能级的意义:系统处于热平衡状态,不对外界做功的情况下,系统中增加一个电子 所引起系统自由能的变化,等于系统的化学势,即系统的费米能级。处于热平衡状态的系统具有统一的化学势,即处于热平衡的电子系统有统一的费米能级。费米能级位置直观标志了电子占据量子态情况。费米能级标志了电子填充能级的水平。对系统而言,Ef 位置越高,有较多的能量较高的量子态上有电子。 8.有效质量 9.电离能 10.杂质电离、施主杂质、受主杂质(举例说明): 施主杂质以Si掺杂P为例,一个磷原子占据了了硅原子的位置,磷原子的最外层有五个电子,其中四个与相邻的半导体原子形成了共价键,还剩一个价电子,同时磷原子所在处也多余一个正电荷+q,所以P替代Si之后形成了一个正电中心P+和一个多余的价电子,这个多余的价电子就束缚在正电荷中心周围。但束缚作用较共价键弱得多,少许能量即可使其挣脱为自由电子。这时磷原子就少了一个价电子的磷离子,它是一个不能移动的正电中心。上述电子脱离杂质原子的束缚成为导电电子的过程称为杂质电离,使价电子挣脱束缚成为导电电子的能量为杂质电离能ΔED,将被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级E D 受主杂质(缺少一个电子从硅原子中夺取一个电子,在硅晶体的共价键中产生一个空穴,B接受电子成为不能移动的负电离子中心),将被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级E A 11.迁移率:单位场强下电子的平均漂移速度,单位是m2/V.s或cm2/V.s 12.电导率和迁移率的关系 13.杂质散射和格波散射 电离杂质产生带电离子,引入了库伦势场这一附加势场使载流子散射破坏了周期势场格波散射:晶格振动(格波)的散射:长纵学波起主要作用 1)声学波:交换动量作用 2)光学波:交换能量作用 14.直接复合和间接复合 直接复合:电子在导带和价带之间的直接跃迁,引起电子和空穴的直接复合 15.复合中心和陷阱中心 复合中心:半导体中杂质和缺陷在禁带中形成一定的能级,杂质缺陷越多,寿命就越短,杂质和缺陷有促进复合的作用,这些促进复合过程的杂质和缺陷称为复合中心。间接复

《马原》大学期末考试必背知识点汇总

最新《马原》大学期末考试必背知识点汇总 第一章马克思主义是关于无产阶级和人类解放的科学 1、《共产党宣言》的发表,标志着马克思主义的公开问世 2、马克思主义产生的社会根源(或经济、社会历史条件)是资本主义经济的发展 3、马克思、恩格斯完成了从唯心主义同唯物义、从革命民主主义向共产主义的转变,为创立马克思主义奠定思想前提 4、在马克思主义创立过程中,第一次比较系统地阐述了历史唯物主义基本原理的着作是《德意志意识形态》 5、在马克思主义的经典着作中,被誉为“工人阶级的圣经”的着作是《资本论》 6、马克思主义经济理论的基石是剩余价值理论 7、世界上第一个无产阶级政党是共产主义者同盟 8、马克思主义理论区别于其他理论的显着特征是实践性 第二章世界的物质性及发展规律 9、唯物主义与唯心主义的对立和斗争中交织着辩证法与形而上学的对立和斗争 10、全部哲学,特别是近代哲学的重大的基本问题,是思维和存在的关系问题;唯物主义和唯心主义这两个专门的哲学术语有着特定的含义和确定的标准,不能随意乱用,也不能另立标准,否则会造成混乱。这里所说的特定含义和确定标准是指对世界本原究竟是物质还是精神的回答;存在和思维是否具有同一性,是哲学基本问题的第二方面的内容,对这个问题的不同回答,是划分可知论和不可知论的标准, 11、唯物主义一元论同唯心主义一元论对立的根本点在于世界本原问题 12、物质的唯一特性是客观实在性,“客观实在”是指存在于人的意识之外,不以人的意志为转移 13、相信“意念移物”,甚至相信可以用意念来直接改变物质结构,就是信奉主张精神主宰客观物质世界的主观唯心论 14、“心诚则灵,心不诚则不灵”的说法是夸大了意识能动作用的唯心主义观点 15、哲学物质概念与自然科学关于具体的物质形态和物质结构的概念之间共性与个性的关系(不是整体和部分的关系、系统与要素的关系) 16、列宁对辩证唯物主义物质范畴的定义是通过物质与意识的关系界定的 17、物质和意识的对立只有在非常有限的范围内才有绝对的意义,超过这个范围便是相对的了,这个范围是指物质和意识何者为第一性 18、对同一张事物的不同看法都是客观事物的主观映象 19、意识是客观世界的主观映象,这说明意识是客观精神的主观映象 20、“思想实验”体现了意识活动的创造性 21、运动是物质的存在方式和根本属性 22、“寒路神麦正当时”说明一切事物都处在永恒的运动、变化和发展之中 23、物质决定意识,意识对物质具有反作用。这种反作用也就是意识的能动作用,即人特有的积极认识世界和改造世界的能力和活动。 24、运动是物质的根本属性,是物质的存在方式 25、运动是物质的存在方式和根本属性,物质是运动着的物质,脱离运动的物质是不存在的 26、柏格森所说的运动变化不是指任何具体的事物的运动变化,而只是纯粹的“动作”,是没有物质承担者的运动

信息论中有关信源熵的不等式

论文题目: 信息论中有关各种熵之间关系的证明 学院:数学科学学院 专业:信息与计算科学 姓名:周艳君 学号:20071115158

信息论中有关各种熵之间关系的证明 07信息班 周艳君 20071115158 指导老师 王桂霞 摘 要 根据信息量与熵的定义和重要定理以及主要公式,对各种熵之间的关系进行分析和证明. 关键词 无条件熵 条件熵 联合熵 交互熵. ⒈基本定义 1.1信息就是对事物动态(或它的存在方式)的不确定性的一种描述.不确定 性及随机性,可以用研究随机现象的数学教具—概率论与随机过程来描述信息. 1.2自信息量:一个随机事件发生某一结果后所带来的信息量称为自信息量, 简称自信息.用)(i a I 来表示. 1.3联合自信息量:自信息量是二维联合集XY 上元素j i b a 的联合概率 )(j i b a p 数的负值,称为联合自信息量.用)(j i b a I 来表示. 1.4条件自信息量:为条件概率对数的负值.用)/(j i b a I 来表示. 1.5交互信息量:i a 后验概率与先验概率比值的对数为j b 对i a 的互信息量, 也称交互信息量(简称互信息).用);(j i b a I 来表示. 1.6信源熵:信源各个离散消息的自信息量的数学期望(即概率加权的统计 平均值)为信源的平均自信息量,一般称为信源的信息熵,也叫信源熵或香农熵,记为)(X H . 1.7条件熵:在联合符号集合XY 上的条件自信息量的数学期望.可以用 )/(Y X H 表示. 1.8联合熵:也叫共熵,是联和离散符号XY 上的每的元素j i b a 的联合自信息量的数学期望,用)(XY H 表示.

信息论导论期末(电子科大)

电子科技大学二零零 六 至二零零 七 学年第 二 学期期 末 考试 《信息论导论》 课程考试题 A 卷 ( 120 分钟) 考试形式: 开卷 考试日期 200 7 年 7 月 12 日 课程成绩构成:平时 20 分, 期中 0 分, 实验 0 分, 期末 80 分 一、简述:(每小题5分,共10分) 1、香农信息论的研究内容; 2、离散信道信道容量的一般计算步骤。 二、用拉格朗日乘子法证明离散信源的最大熵定理:lbn )X (H ≤。(10分) 三、三元一阶马尔科夫信源的状态图如图所示,求该信源的极限熵 ∞H 。(10分) 四、已知信源? ?? ???=? ?????2.08.010)X (P X ;对该信源的三次扩展信源编二进制哈夫曼码,并求编码效率η。(10分)

五、已知信道矩阵???? ? ?????=8.002.02.08.0002.08.0)X /Y (P ;①证明该信道为对称信道;②求该信道的信道容量C ,并说明达到信道 容量时信源的概率分布)X (P 。(10分) (1)因为信道矩阵具有可排列性。 (2)m=3,C=log3+0.8log0.8+0.2log0.2 六、已知(5,2)线性分组码的校验矩阵???? ? ?????=011001101010001H ;①求生成矩阵G 及编出的码字54321C C C C C ;②求码字第二 位在传输中出错,即22C R ≠时,接收端出现的错误标志321S S S 。(10分) 七、已知高斯加性信道的信噪功率比为dB 30,每帧图片的像素点为786432,灰度等级为256;求每秒传输25帧图片所 需的带宽W 。(10分) 10log 10Px/Pn=30

最新电子科技大学半导体物理期末考试试卷A试题答案

电子科技大学二零 一零 至二零 一一 学年第 一 学期期 末 考试 1.对于大注入下的直接辐射复合,非平衡载流子的寿命与(D ) A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2.有3个硅样品,其掺杂情况分别是: 甲. 含铝1×10-15cm -3 乙.含硼和磷各1×10-17cm -3 丙.含镓1×10-17cm -3 室温下,这些样品的电阻率由高到低的顺序是(C ) A. 甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙 3.题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是( B ) 4. 题2中费米能级由高到低的顺序是( C ) 5. 欧姆接触是指( D )的金属一半导体接触 A. W ms = 0 B. W ms < 0 C. W ms > 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性 6.有效复合中心的能级必靠近( A ) A. 禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 7.当一种n 型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时,其小注入下的少子寿命正比于(C ) A.1/n 0 B.1/△n C.1/p 0 D.1/△p 8.半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 9.MOS 器件绝缘层中的可动电荷是( C ) A. 电子 B. 空穴 C. 钠离子 D. 硅离子 10.以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是( D ) A. Si B. Ge C. GaAs D. GaN 二、解释并区别下列术语的物理意义(30 分,7+7+8+8,共4 题) 1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量(7 分) 答:有效质量:由于半导体中载流子既受到外场力作用,又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用,使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后,可以很方便的解决电子的运动规律。(3分) 纵向有效质量、横向有效质量:由于k 空间等能面是椭球面,有效质量各向异性,在回旋共振实验中,当磁感应强度相对晶轴有不同取向时,可以得到为数不等的吸收峰。我们引入纵向有效质量跟横向有效质量表示旋转椭球等能面纵向有效质量和横向有效质量。(4分) 2. 扩散长度、牵引长度与德拜长度(7 分) 答:扩散长度:指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离。由扩散系数和材料非平衡载流子的寿命决定,即L (2分)

最新电子科技大学半导体物理期末考试试卷a试题答案

电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 A 卷 ( 120分钟) 考试形式: 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日 课程成绩构成:平时 10 分, 期中 5 分, 实验 15 分, 期末 70 分 一、选择题(共25分,共 25题,每题1 分) A )的半导体。 A. 不含杂质和缺陷 B. 电阻率最高 C. 电子密度和空穴密度相等 D. 电子密度与本征载流子密度相等 2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零,那么该半导体必定( D )。 A. 不含施主杂质 B. 不含受主杂质 C. 不含任何杂质 D. 处于绝对零度 3、对于只含一种杂质的非简并n 型半导体,费米能级E F 随温度上升而( D )。 A. 单调上升 B. 单调下降 C. 经过一个极小值趋近Ei D. 经过一个极大值趋近Ei 4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升,该材料为( C )。 A. 金属 B. 本征半导体 C. 掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体 5、公式*/m q τμ=中的τ是半导体载流子的( C )。 A. 迁移时间 B. 寿命 C. 平均自由时间 D. 扩散时间 6、下面情况下的材料中,室温时功函数最大的是( A ) A. 含硼1×1015cm -3的硅 B. 含磷1×1016cm -3的硅 C. 含硼1×1015cm -3,磷1×1016cm -3的硅 D. 纯净的硅

7、室温下,如在半导体Si 中,同时掺有1×1014cm -3的硼和1.1×1015cm -3的磷,则电子浓度约为( B ),空穴浓度为( D ),费米能级为( G )。将该半导体由室温度升至570K ,则多子浓度约为( F ),少子浓度为( F ),费米能级为( I )。(已知:室温下,n i ≈1.5×1010cm -3;570K 时,n i ≈2×1017cm -3) A 、1×1014cm -3 B 、1×1015cm -3 C 、1.1×1015cm -3 D 、2.25×105cm -3 E 、1.2×1015cm -3 F 、2×1017cm -3 G 、高于Ei H 、低于Ei I 、等于Ei 8、最有效的复合中心能级位置在( D )附近;最有利陷阱作用的能级位置在( C )附近,常见的是( E )陷阱。 A 、E A B 、E D C 、E F D 、Ei E 、少子 F 、多子 9、MIS 结构的表面发生强反型时,其表面的导电类型与体材料的( B ),若增加掺杂浓度,其开启电压将( C )。 A 、相同 B 、不同 C 、增加 D 、减少 10、对大注入条件下,在一定的温度下,非平衡载流子的寿命与( D )。 A 、平衡载流子浓度成正比 B 、非平衡载流子浓度成正比 C 、平衡载流子浓度成反比 D 、非平衡载流子浓度成反比 11、可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性,如一种半导体材料的霍尔系数为负值,该材料通常是( A ) A 、n 型 B 、p 型 C 、本征型 D 、高度补偿型 12、如在半导体中以长声学波为主要散射机构是,电子的迁移率n 与温度的( B )。 A 、平方成正比 B 、 23 次方成反比 C 、平方成反比 D 、2 3 次方成正比 13、为减少固定电荷密度和快界面态的影响,在制备MOS 器件时通常选择硅单晶的方向为( A )。 A 、【100】 B 、【111】 C 、【110】 D 、【111】或【110】 14、简并半导体是指( A )的半导体。

信息论论文 Massive MIMO 信道综述

摘要 Massive MIMO信道及容量特性综述 白智龙201521010507 摘要 基站端配置大量天线构成的大规模多天线系统,可以进一步挖掘空间域增益,大幅度提升无线通信系统传输容量和功率效率.从理论上看,大规模多天线系统获得空间域增益的前提条件是传播环境中的各子信道满足正交条件.准确的获取无线信道信息是通信系统研究的基础,它为通信系统的链路级仿真、样机试验和标准制定提供理论基础和技术支撑.本文研究了大规模多天线无线信道的特点,总结了国内外大规模无线信道的测量与建模,研究了Massive Mimo无线信道的信道容量。 关键词无线信道;大规模多天线;信道测量;信道容量

电子科技大学论文 目录 第一章综述 (3) 1.1 研究背景 (3) 1.2 MIMO综述 (4) 1.3 MIMO研究中的关键问题 (4) 第二章Massive MIMO信道 (6) 2.1 研究现状 (6) 2.2 信道测量 (6) 2.3 信道容量 (7) 2.4 总结 (7) 摘要 (8)

第一章综述 第1章综述 1.1研究背景 现代信息社会的发展,使得宽带信息服务逐步延展到移动终端成为必然趋势,以提供语音业务为主的传统蜂窝移动通信系统,正逐步演变为向移动用户提供互联网接入以及视频和多媒体业务的宽带移动通信系统。 在过去的20年中,移动通信技术不断进步,技术标准不断演进,最新推出的第四代移动通信技术(4G)其数据业务传输速率达到每秒百兆甚至千兆比特,能够在较大程度上满足今后一段时期内宽带移动通信应用需求上。然而,随着智能终端普及应用及移动新业务需求持续增长,无线传输速率需求呈指数增长,至2020年,无线通信的传输速率需求将是目前正在运营系统的千倍,能够支撑高达每秒千兆比特传输速率的4G移动通信系统,将仍然难以满足未来移动通信的应用需求。另一方面,随着全球范围内移动用户数与高速数据业务应用的增长以及信息技术系统能源消耗所占比例的不断增加,降低移动通信网络系统的能源消耗已逐渐成为移动通信发展的重要需求,以支持高速率传输为主要目标的4G移动通信技术,将难以满足未来移动通信对能耗效率的需求。因此,移动通信技术需要在4G基础上不断演进,满足超高传输速率无线通信的相关需求。 世界各国在推动4G产业化工作的同时,已开始着眼于新一代移动通信技术(5G)的研究,力求使无线移动通信系统性能和产业规模产生新的飞跃。4G之后移动通信的发展,需要新的重大科学问题的解决和原理性的突破,在无线频谱资源日趋紧张的情况下,如何在4G基础上,将无线移动通信的频谱效率和功率效率进一步提升一个量级以上,是4G之后移动通信技术的核心所在。4G之后移动通信发展需要在网络系统结构、组网技术及无线传输技术等方面进行新的变革,从根本上解决移动通信的频谱有效性和功率有效性问题,实现更高频谱效率和绿色无线通信的双重目标。 面向4G之后移动通信的发展,为提高无线资源利用率、改善系统覆盖性能、显著降低单位比特能耗,异构分布式协作网络技术及智能自组织组网技术得到业界更加广泛的关注。

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