光刻胶

光刻胶
光刻胶

````4. 光刻胶

光刻胶主要由树脂(Resin)、感光剂(Sensitizer)、溶剂(Solvent)及添加剂(Additive)等不同的材料按一定比例配制而成。其中树脂是粘合剂(Binder),感光剂是一种光活性(Photoactivity)极强的化合物,它在光刻胶内的含量与树脂相当,两者同时溶解在溶剂中,以液态形式保存,以便于使用。

4.1 光刻胶的分类

⑴负胶

1.特点

·曝光部分会产生交联(Cross Linking),使其结构加强而不溶于现像液;

·而未曝光部分溶于现像液;

·经曝光、现像时,会有膨润现像,导致图形转移不良,故负胶一般不用于特征尺寸小于3um的制作中。

2.分类(按感光性树脂的化学结构分类)

常用的负胶主要有以下两类:

·聚肉桂酸酯类光刻胶

这类光刻胶的特点,是在感光性树脂分子的侧链上带有肉桂酸基感光性官能团。如聚乙烯醇肉桂酸酯(KPR胶)、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯(OSR胶)等。

·聚烃类—双叠氮类光刻胶

这种光刻胶又叫环化橡胶系光刻胶。它由聚烃类树脂(主要是环化橡胶)、双叠氮型交联剂、增感剂和溶剂配制而成。

3.感光机理

①肉桂酸酯类光刻胶

KPR胶和OSR胶的感光性树脂分子结构如下:

在紫外线作用下,它们侧链上的肉桂酰官能团里的炭-炭双键发生二聚反应,引起聚合物分子间的交联,转变为不溶于现像液的物质。KPR胶的光化学交联反应式如下:

这类光刻胶中的高分子聚合物,不仅能在紫外线作用下发生交联,而且在一定温度以上也会发生交联,从而在现像时留下底膜,所以要严格控制前烘的温度与时间。

②聚烃类—双叠氮类光刻胶

这类光刻胶的光化学反应机理与前者不同,在紫外线作用下,环化橡胶分子中双键本身不能交联,必须有作为交联剂的双叠氮化合物参加才能发生交联反应。交联剂在紫外线作用下产生双自由基,它和聚烃类树脂相作用,在聚合物分子之间形成桥键,变为三维结构的不溶性物质。其光化学反应工程如下:首先,双叠氮交联剂按以下方式进行光化学分解反应:

双叠氮交联剂分解后生成的双氮烯自由基极易与环化橡胶分子发生双键交联(加成)和炭氢取代反应,机理如下:

⑵正胶

1.特点

·本身难溶于现像液,曝光后会离解成一种溶于现像液的结构;

·解像度高,耐Dry Etch性强等。

2.分类(按感光性树脂的化学结构分类)

目前正胶常用的主要指邻-叠氮醌类光刻胶。胶中所含邻-叠氮醌化合物的化学结构式为:

3.正胶成分

4.感光机理

邻-叠氮醌化合物经紫外线照射后,分解释放出N2,同时分子结构进行重排,产生环收缩作用,形成相应的五元环烯酮化合物,在经水解生成溶于现像液的物质。关于正胶现像机理有多种不同的说法,在光刻工艺技术现像部分6.3.4.⑷现像机理中已作过详细的介绍,这里不再详述。正胶感光机理如下:

·未曝光部分与光刻胶(PAC)在现像液作用下以偶氮基结合,抑制树脂溶于现像液,机理如下:

4.2 光刻胶的使用性能和光刻胶理化性能的关系

4.3 理想光刻胶的要求

4.4 光刻胶与安全溶剂

4.5 光刻胶的历史和发展

2,3,4-Tri HBP

Particle 少多较少无4.6 正胶和负胶的特性比较

光刻胶配方分析成分组成解析

一、项目背景 光刻胶是一类利用光化学反应进行精细图案转移的电子化学品。光刻胶在曝光区域发生化学反应,造成曝光和非曝光部分在碱液中溶解性产生明显的差异,经适当的溶剂处理后,溶去可溶部分,得到所需图像。根据化学反应机理,分负性胶和正性胶两类。经曝光、显影后,发生降解反应,溶解度增加的是“正性胶”;发生交联反应,溶解度减小的是“负性胶”。 通常负性胶的灵敏度高于正性胶,而正性胶的分辨率高于负性胶,正性胶对比度高度负性胶。 二、项目特点 1)感光度,指在胶膜上产生一个良好图形所需一定波长的光的能量值,即曝光量。 2)分辨率,是光刻工艺的一个特征指标,表示在基材上能得到的立体图形良好的最小线路; 3)对比度,指光刻胶从曝光区域到非曝光区域过渡的陡度,对比度越好,得到的图形越好; 4)残膜率,经曝光显影后,未曝光区域的光刻胶残余量; 5)涂布性,光刻胶在基材表面形成无针孔、无气泡、无缺陷、膜厚均一; 6)耐热性,光刻工艺中,经过前烘使光刻胶中的溶剂蒸发,得到膜厚均一的胶膜;经过后烘,进一步蒸发溶剂,提高光刻胶在显影后的致密度,增强胶膜与基板的粘附性。这两个过程都要求光刻胶有一定的耐热性; 7)粘附性,蚀刻阶段,光刻胶有抗蚀刻能力; 8)洁净度,对微粒子和金属离子含量等材料洁净度的影响; 三、项目开发价值 a. 如何提高显影质量,光刻胶在显影过程中,通常会出现显影不足、不完全显影、过显影等问题,如何正确显影至关重要; b.如何提高对比度,光刻胶形成图形的侧壁越陡峭,对比度越好,质量越高; c. 如何进一步提高分辨率,光刻胶在集成电路的应用等级,分为普通宽普光刻胶、g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、F2(157nm),以及最先进的EUV (<13.5nm)线水平。等级越往上其极限分辨率越高,同一面积的硅晶圆布线密度就越大,性能越好。 d.如何提高去胶率,无论是湿法去胶还是干法去胶,光刻胶去除工艺都需要在低材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶及其残留物去除效果之间取得平衡;

光刻胶行业现状分析

光刻胶行业现状分析 ▌国产光刻胶现状 光刻胶是国际上技术门槛最高的微电子化学品之一,按应用领域可分为PCB(线路板)用、平板显示(LCD、LED)用和半导体用三类,目前国内市场上绝大多数厂商生产的产品为前两者。 在大规模集成电路的制造过程中,光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺,占芯片制造时间的40%~50%,光刻胶是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料。 为适应集成电路线宽不断缩小的要求,光刻胶的波长由紫外宽谱向g线(436nm)→i线(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2(157nm)的方向转移,并通过分辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率水平。 目前半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶,其g线和i线光刻胶是市场上使用量最大的光刻胶。 半导体用光刻胶技术壁垒较高、市场高度集中,日美企业基本垄断了g/i线光刻胶、KrF/ArF光刻胶市场,生产商主要有JSR、信越化学工业、TOK、陶氏化学等。 国产光刻胶发展起步较晚,与国外先进光刻胶技术相比国内产品落后4代,目前主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD 光刻胶等中低端产品,虽然PCB领域已初步实现进口替代,但LCD 和半导体用光刻胶等高端产品仍需大量进口,正处于由中低端向中高端过渡阶段。 随着国家层面对半导体在资金、政策上的大力支持,国内光刻胶企业正在努力追赶,企业数量从2012年的5家增长到2017年15家,少数企业在中高端技术领域已取得一定突破。 其中半导体用光刻胶领域代表性企业有苏州瑞红和北京科华,两者分别承担了02专项i线(365nm)光刻胶和KrF线(248nm)光刻胶产业化课题。目前,苏州瑞红实现g/i线光刻胶量产,可以实现0.35μm的分辨率,248nm光刻胶中试示范线也已建成;北京科华KrF/ArF光刻胶已实现批量供货。 如今国际半导体产能正在逐渐向国内转移,受益于产业大趋势,国产光刻胶需求将日益提升,随着苏州瑞红、北京科华等企业在技术上的不断突破,国产化替代趋势愈加明显。

KrF光刻胶浸酸残留缺陷的机理研究及解决方案

KrF光刻胶浸酸残留缺陷的机理研究及解决方案 进入45/40nm技术节点以后,由于受到分辨率的限制,双栅极蚀刻光刻胶由之前通用的i-line (波长365nm)改成KrF(波长248nm)。另一方面,为减少栅极氧化层(Gate Oxide)去除后对硅表面的损伤,业界普遍将栅极氧化层湿法蚀刻药剂由蚀刻率较快的BOE (DHF+NH4F)改为DHF,导致蚀刻率极大的降低,从而导致湿法蚀刻工艺时间成几倍增加。而KrF光刻胶比起i-line光刻胶由于聚合物(polymer)等的不同而更容易被湿法药剂溶解剥落(melt and peeling),在长时间的DHF浸泡后极易形成脱落残留于尚未蚀刻完成的栅极氧化层的表面,从而导致栅极氧化层蚀刻不完全或极差的均匀性最终影响器件良率。 又由于目前业界栅极氧化层湿法蚀刻普遍采用在酸槽(wet bench)中的成套工艺,即在同一个酸槽设备里连续经过去氧化层,去光刻胶和去polymer的工艺流程,最后得到清洁的wafer表面,即使在中间过程(去氧化层)中出现光刻胶脱落残留而导致栅极氧化层蚀刻不完全或极差的均匀性,但由于栅极氧化层通常很薄(50~60A)不会形成色差,所以很难检查得到。

在栅极氧化层湿法蚀刻开发过程中,我们加入中间过程缺陷检测步骤,即在DHF去氧化层后的缺陷检测,结果发现大量的光刻胶脱落残留现象。 根据实验数据和材质特性,我们从不同层面进一步分析了产生光刻胶残留缺陷的机理。一方面是KrF光刻胶本身所具有的疏水性。光酸(PAG)在曝光的作用下产生助剂(Inhibitor),然后助剂经过烘焙产生可溶物最后被溶剂溶解,非曝光的部分也就是最终留下来的光刻胶将被当作湿法刻蚀的非蚀刻区阻挡层。最终这层作为阻挡层的KrF光刻胶含有甲基自由基等而形成疏水性。这种疏水性不利于被酸液浸泡后生成的光刻胶脱落残留的溶解。如前所述,KrF光刻胶比起i-line光刻胶由于聚合物等的不同而更容易被湿法药剂溶解剥落,在长时间的DHF浸泡后极易形成脱落残留于尚未蚀刻完成的栅极氧化层的表面。

光刻胶知识简介

光刻胶知识简介 光刻胶知识简介: 一.光刻胶的定义(photoresist) 又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像(见图光致抗蚀剂成像制版过程)。 二.光刻胶的分类 光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。 基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。 ①光聚合型 采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点。 ②光分解型 采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶. ③光交联型 采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。 三.光刻胶的化学性质 a、传统光刻胶:正胶和负胶。 光刻胶的组成:树脂(resin/polymer),光刻胶中不同材料的粘合剂,给与光刻胶的机械与化学性质(如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等);感光剂,感光剂对光能发生光化学反应;溶剂(Solvent),保持光刻胶的液体状态,使之具有良好的流动性;添加剂(Additive),用以改变光刻胶的某些特性,如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。 负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯,一种天然的橡胶;溶剂是二甲苯;感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂,产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨;曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。 正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛,提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性,当没有溶解抑制剂存在时,线性酚醛树脂会溶解在显影液中;感光剂是光敏化合物(PAC,Photo Active Compound),最常见的是重氮萘醌(DNQ),在曝光前,DNQ是一种强烈的溶解抑制剂,降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后,DNQ在光刻胶中化学分解,成为溶解度增强剂,大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸,它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度,所以生成的图形具有良好的分辨率。

修补胶产品介绍

铁道科学研究院产品介绍 一、产品说明 ZV型混凝土修补胶是以高分子共聚物为基本原料,掺加适量改性剂、有机助剂配制成的水乳状产品,无毒、不燃、无腐蚀性,PH值为6~6.5,粘度200~500厘泊。 ZV型混凝土修补胶对混凝土、砖、石、金属、织物都有很强的粘结强度,它可以直接掺入水泥砂浆和混凝土中,配制成聚合物砂浆和聚合物混凝土,大大增加粘结强度、抗拉抗折强度,提高抗渗性能,也可以掺入水泥浆中配制薄层涂料和界面处理浆。 ZV型修补胶贮运时不得受冻,应在+5oC以上温度时使用,其有效期为一年。 二、用途 用于混凝土的修补、粘贴面砖、作彩色地坪;新旧混凝土的界面处理;混凝土结构物的表面防护、装饰和封闭裂缝。 三、使用方法 1.配制聚合物水泥砂浆,用于混凝土修补、粘贴面砖、作防水层。 ①将混凝土基面或缺陷部分清洗干净; ②拌制聚合物水泥浆和水泥砂浆,配合比参考下表: ③首先在基面或缺陷部位涂刷一层聚合物水泥浆,再将聚合物水泥砂浆用抹刀填补缺陷、压抹防水层或粘贴面砖。 2.配制聚合物水泥浆,用于混凝土表面涂膜、装饰和封闭细裂缝。 ①先清除混凝土表面的粉尘、油污。孔洞和裂缝处预先补平。用水湿润混凝土表面。 ②参考下表的重量比拌制聚合物水泥浆,并用铁窗纱过滤,除去团块杂物待用。

③用聚合物水泥浆涂刷。可采用圆滚刷进行滚涂,也可用毛刷进行刷涂,或滚涂与刷涂结合。一般涂3~4道,前一道干后再涂后一道,涂刷方向前后二次互相垂直。 ④聚合物水泥浆中可以掺入色料,用于彩色装饰。 ⑤为了增加表面硬度和光泽性,提高防水效果,可在涂膜的外面罩涂1~2道透明的ZB 型罩面胶。 ⑥ZB型罩面胶为乳白色液体,PH值为7.5~9.0,粘度500~2000cP,具有优异的耐水性能。本品应在0oC以上保存,避免曝晒,保质期六个月,成膜温度15oC。 3.配制界面处理水泥浆,用于增加新旧混凝土界面强度,代替凿毛处理的传统 作法。 ①旧混凝土基面要冲刷干净,排除积水。 ②界面处理水泥浆和水泥砂浆参考下表拌制。 ③在旧基面上涂刷界面处理浆,在其凝结之前,接打新混凝土或抹砂浆。 ④如果新混凝土不可能马上灌筑,为了增加旧基面的粗糙度,可进行如下糙化处理:先在旧基面上涂一道界面处理浆,然后再刷一道糙化处理砂浆,待其硬化后,形成带粗砂的糙面层。再接打新混凝土,新旧混凝土间的粘结强度将大大提高。 ⑤界面水泥浆所用水泥应与新灌混凝土或砂浆的水泥一致,多为硅酸盐类水泥。但如在路面快速修补等情况时,界面水泥浆应与新混凝土一样采用快硬硫铝酸盐水泥。 四、主要性能 1.聚合物砂浆性能 注:水泥:中砂:ZV胶:水=1:2.5:0.4:0.20

国外光刻胶及助剂的发展趋势

应用科技 国外光刻胶及助剂的发展趋势 中国化工信息中心 王雪珍编译 光刻是半导体产业常用的工艺,借助光刻胶可将印在光掩膜上的图形结构转移到硅片表面上。光掩膜制备也是一个光刻过程,不过其所用化学品不同。 每一层集成电路芯片都需要不同图案的光掩膜。在一些高级的集成电路中,硅片经历了50多步非常精细的光刻工艺。在过去10年里,光刻费用飞速上涨,其中最重要的花费在半导体领域。光刻工艺花费了硅片生产大约35%的费用,一个典型的例子是,在一个价格在50万欧元(合65万美元)的90nm 的光掩膜技术中,其光刻机花费是1000万欧元(合 1300万美元)。而这个费用比例在以后的生产装置和工艺中 还将不断提高。 在半导体产业中,常用的光刻胶有正型光刻胶与负型光刻胶两种。正型光刻胶的销售额大概是负型光刻胶的100倍,这是因为正型光刻胶具有更高的分辨率,可以用于微小精细的电路,同时,正型光刻胶与等离子干法刻蚀技术的相容性也更好一些。 光刻胶根据其辐照源进行分类,对于光致抗蚀技术来说,集成电路的最小特征尺寸受光源波长所限。由于集成电路越来越小,因此新光源和光刻胶联合使用以达到这一目的。一项联合了曝光波长为248nm 和193nm 的技术可以得到高分辨率的图案,其结果甚至比90nm 曝光波长的技术要来得好一些。一些光学技术可以扩大这个范围,但是其最终限制条件是光的频率。 光刻胶技术和制造 光刻胶指光照后能具有抗蚀能力的高分子化合物,用于在半导体基件表面产生电路的形状。其配方通常是一个复杂的体系,主要包括感光物质(PAC )、树脂和一些其他利于使用的材料如稳定剂、阻聚剂、粘度控制剂、染料、增塑剂和化学增溶剂等。 当光刻胶暴露在光源或者是紫外辐照源条件下时,其溶解度发生了改变:负型光刻蚀剂变为不溶,正型光刻胶变为可溶。大多数负型光刻蚀剂可以归为两种类型,一种是二元体系:大量的聚异戊二烯树脂和叠氮感光化合物;另外一种是一元体系:缩水甘油甲基丙烯酯和乙基丙烯酸酯的共聚物。前者是建立在酚醛树脂和重氮萘醌感光物质的基础之上的。使用248nm 曝光波长要求光刻胶使用乙酰氧基苯乙烯单体。通过4-乙酰氧基苯乙烯单体的自由基聚合,醋酸酯选择性地转换成酚醛,以及将其与其他反应性单体的化合,可以制备出许多用于远紫外光刻的聚合物。硅氧烷/硅倍半氧烷和碳氟化合物等材料在157nm 曝光波长时是相对透明的。 预计未来5年,使用聚羟基苯乙烯树脂的化学增幅抗蚀剂将成为主流。远紫外光刻胶也是基于聚甲基丙烯酸甲酯和氟化高分子或者是二者之一。 通常说来,感光化合物例如二芳基叠氮和重氮萘醌是易爆化学制品。所以,光刻胶的生产商一定要足够小心以防爆炸。目前用于负型光刻胶的有机溶剂和显影液对环境具有危害性,以致人们倾向于使用正型光刻胶。并且,其发展趋势是替换掉具有危害的溶剂,而选用对环境无污染的无毒产品。 在低密度远紫外辐照和其他替代i 线和g 线辐照源发展大趋势的刺激下,化学增幅抗蚀剂成为一个发展快速的热点领域。在化学增幅抗蚀剂领域,由于辐照源的匮乏,势必导致一种催化的东西产生,通常为中子源。在曝光的加热处理后,催化剂会引起树脂中组分发生复杂反应,这种反应将最终产生光刻图案。目前正型光刻胶体系和负型光刻胶体系都有了较好的发展。 集成电路 收稿日期:2009-04-23 作者简介:王雪珍(1983-),女,主要从事电子化学品、可降解塑料和食品添加剂的信息研究工作 。 12

华飞微电子:国产高档光刻胶的先行者

华飞微电子:国产高档光刻胶的先行者 光刻胶是集成电路中实现芯片图形转移的关键基础化学材料,在光刻胶的高端领域,技术一直为美国、日本厂商等所垄断;近年来,本土光刻胶供应商开始涉足高档光刻胶的研发与生产,苏州华飞微电子材料有限公司就是其中一家。 据华飞微电子总工程师兼代总经理冉瑞成介绍,目前华飞主要产品系列为248nm成膜树脂及光刻胶,同时重点

研发1Array3nm成膜树脂及光刻胶和高档专用UV成膜树脂及光刻胶。 冉瑞成表示,248nm深紫外光刻胶用于8-12英寸超大规模集成电路制造的关键功能材料,目前的供应商基本来自美国、日本,国内企业所用光刻胶全部依赖进口。华飞微电子从2004年8月创办以来,先后投入2000万元研制248纳米深紫外光刻胶及其成膜树脂产品。公司聘请了海内外的相关专家,建成了一支强有力的技术团队。经过两

年的努力取得了重大突破,其深紫外DUV光刻胶能够在248nm曝光下使分辨率达到0.25-0.18?,达到了国外最先进的第三代化学增幅型同类产品技术性能指标;2006年10月,华飞微电子248nm光刻胶及其成膜树脂的中试生产均通过了信产部的技术鉴定,成为目前中国唯一掌握该项技术的企业。 冉瑞成介绍说,华飞在苏州新区拥有一套500加仑/年、可年产20吨成膜树脂、100吨以上深紫外高分辨率光

刻胶的生产系统,已基本完成配方评价,可以进入生产程序;公司还研制出了生产光刻胶的核心材料成膜树脂,完成5个系列15个品种的中试,并具备了规模化生产的条件;厚胶主要应用于4-6英寸集成电路制造、先进封装和MEMS 的制造,业已和国内先进封装公司展开UV胶研制合作。目前,华飞公司还承担了国家863计划“1Array3纳米光刻胶成膜树脂设计及工程化制备技术开发”项目。 随着IC特征尺寸向深亚微米方向快速发展,光刻机的

光刻胶参数及光刻工艺

光刻胶参数及光刻工艺 1、正性光刻胶RZJ-304 ●规格 RZJ-304:25mpa·s,50mpa·s(粘稠度),配用显影液:RZX-3038 ●匀胶曲线 注:粉色为50cp,蓝色为25cp ●推荐工艺条件 ①涂布:23℃,旋转涂布,膜厚1.0~3.5μm ②前烘:热板100℃×90sec ③曝光:50~75mj/cm2(计算方法:取能量60mj/cm2取光强400×102um/cm2,则60/40=1.5s) ④显影:23℃,RZX-3038,1min,喷淋或浸渍 ⑤清洗:去离子水30sec ⑤后烘:热板120℃×120sec

●规格 S1813,配用显影液为ZX-238 ●匀胶曲线 ●推荐工艺条件1(以具体工艺为参考) ①涂布:23℃,旋转涂布,膜厚1.23um(1.1~1.9μm) ②前烘:热板115℃×60sec ③曝光:150mj/cm2 ④显影:21℃,ZX-238,65sec,喷淋或浸渍 ⑤清洗:去离子水30sec ⑥后烘:热板125℃×120sec

●规格 AZ-5214,配用显影液AZ-300 ●匀胶表格(单位:微米) ●推荐工艺条件1(以具体工艺为参考) ①涂布:23℃,旋转涂布,膜厚1.47um(1.14~1.98μm) ②前烘:热板100℃×90sec ③曝光:240mj/cm2 ④后烘:115℃×120sec ⑤泛曝光:>200mj/cm2 ⑥显影:21℃,AZ-300,60sec,喷淋或浸渍 ⑦清洗:去离子水30sec ⑧坚膜:热板120℃×180sec 注意: 紧急救护措施(对于光刻胶) ①吸入:转移至空气新鲜处,必要时进行人工呼吸或就医。 ②皮肤接触:肥皂水清洗后自来水清洗。 ③眼睛接触:流动清水清洗15分钟以上,必要时就医。

2021年光刻胶介绍模板

````4. 光刻胶 欧阳光明(2021.03.07) 光刻胶主要由树脂(Resin)、感光剂(Sensitizer)、溶剂(Solvent)及添加剂(Additive)等不同的材料按一定比例配制而成。其中树脂是粘合剂(Binder),感光剂是一种光活性(Photoactivity)极强的化合物,它在光刻胶内的含量与树脂相当,两者同时溶解在溶剂中,以液态形式保存,以便于使用。 4.1 光刻胶的分类 ⑴负胶 1.特点 ·曝光部分会产生交联(Cross Linking),使其结构加强而不溶于现像液; ·而未曝光部分溶于现像液; ·经曝光、现像时,会有膨润现像,导致图形转移不良,故负胶一般不用于特征尺寸小于3um的制作中。 2.分类(按感光性树脂的化学结构分类) 常用的负胶主要有以下两类: ·聚肉桂酸酯类光刻胶 这类光刻胶的特点,是在感光性树脂分子的侧链上带有肉 桂酸基感光性官 能团。如聚乙烯醇肉桂酸酯(KPR胶)、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯(OSR胶)等。

·聚烃类—双叠氮类光刻胶 这种光刻胶又叫环化橡胶系光刻胶。它由聚烃类树脂(主 要是环化橡胶)、 双叠氮型交联剂、增感剂和溶剂配制而成。 3.感光机理 ①肉桂酸酯类光刻胶 KPR胶和OSR胶的感光性树脂分子结构如下:在紫外线作用下,它们侧链上的肉桂酰官能团里的炭-炭双键发生二聚反应,引起聚合物分子间的交联,转变为不溶于现像液的物质。KPR胶的光化学交联反应式如下: 这类光刻胶中的高分子聚合物,不仅能在紫外线作用下发生交联,而且在一定温度以上也会发生交联,从而在现像时留下底膜,所以要严格控制前烘的温度与时间。 ②聚烃类—双叠氮类光刻胶 这类光刻胶的光化学反应机理与前者不同,在紫外线作 用下,环化橡胶 分子中双键本身不能交联,必须有作为交联剂的双叠氮化合物参加才能发生交联反应。交联剂在紫外线作用下产生双自由基,它和聚烃类树脂相作用,在聚合物分子之间形成桥键,变为三维结构的不溶性物质。其光化学反应工程如下: 首先,双叠氮交联剂按以下方式进行光化学分解反应: 双叠氮交联剂分解后生成的双氮烯自由基极易与环化橡胶分子发生双键交联(加成)和炭氢取代反应,机理如下:

光刻胶大全之令狐文艳创作

光刻胶产品前途无量(半导体技术天地) 令狐文艳 1 前言光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射,使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工,近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器(FPD)的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,经曝光、显影等过程,将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上,然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工,因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC,经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。 2 国外情况随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展,对微细图形加工技术的要求越来越高,为了适应亚微米微细图形加工的要求,国外先后开发了g线(436nm)、i线(365nm)、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀

剂等一系列新型光刻胶。这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达(Kodak)公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等;联合碳化学(UCC)公司的KTI系列;日本东京应化(Tok)公司的TPR、SVR、OSR、OMR;合成橡胶(JSR)公司的CIR、CBR系列;瑞翁(Zeon)公司的ZPN 系列;德国依默克(E.Merk)公司的Solect等。正性胶如:美国西帕来(Shipely)公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额公司2001年收益2001年市场份额(%)2000年收益2000年市场份额(%)Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.5 25.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.4 16.1 Shin-Etsu Chemical 70.1 10.6 74.2 8.6 Arch Chemicals 63.7 9.6 84.1 9.8 其他122.2 18.5 171.6 20.0 总计662.9 100.0 859.4 100.0

光刻胶大全

光刻胶产品前途无量(半导体技术天地) 1 前言 光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射,使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工,近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器(FPD)的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,经曝光、显影等过程,将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上,然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工,因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC,经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。 2 国外情况 随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展,对微细图形加工技术的要求越来越高,为了适应亚微米微细图形加工的要求,国外先后开发了g线(436nm)、i线(365nm)、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达(Kodak)公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等;联合碳化学(UCC)公司的KTI系列;日本东京应化(Tok)公司的TPR、SVR、OSR、OMR;合成橡胶(JSR)公司的CIR、CBR 系列;瑞翁(Zeon)公司的ZPN系列;德国依默克(E.Merk)公司的Solect等。正性胶如:美国西帕来(Shipely)公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。 2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额 公司 2001年收益 2001年市场份额(%) 2000年收益 2000年市场份额(%) Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.5 25.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.4 16.1 Shin-Etsu Chemical 70.1 10.6 74.2 8.6 Arch Chemicals 63.7 9.6 84.1 9.8 其他 122.2 18.5 171.6 20.0 总计 662.9 100.0 859.4 100.0 Source: Gartner Dataquest 目前,国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25μm~0.18μm的深紫外正型光刻胶,主要的厂商包括美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。中国专利

光刻工艺流程

光刻工艺流程 Lithography Process 摘要:光刻技术(lithography technology)是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学,物理刻蚀法,将电路图形传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术,其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小,集成度不断提高,从而使得器件不断缩小,性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光,提高了产量,质量,降低了成本。我们所知的光刻工艺的流程为:涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。 Abstract:Lithography technology is the manufacture of integrated circuits using optical - chemical reaction principle and chemical, physical etching method, the circuit pattern is transferred to the single crystal surface or the dielectric layer to form an effective graphics window or function graphics technology.Lithography is the key technology in integrated circuit technology, the idea originated in printing technology in the photo lithographic process. Development of lithography technology makes graphics width shrinking, integration continues to improve, so that the devices continue to shrink, the performance is also rising.There are even a large area of exposure, improve the yield, quality and reduce costs. We know lithography process flow is: Photoresist Coating → Soft bake → exposure → development →hard bake → etching → Strip Photoresist. 关键词:光刻,涂胶,前烘,曝光,显影,坚膜,刻蚀,去胶。 Key Words:lithography,Photoresist Coating,Soft bake,exposure,development,hard bake ,etching, Strip Photoresist. 引言: 光刻有三要素:光刻机;光刻版(掩模版);光刻胶。光刻机是IC晶圆中最昂贵的设备,也决定了集成电路最小的特征尺寸。光刻机的种类有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机和步进式光刻机。接触式光刻机设备简单,70年代中期前使用,分辨率只有微

紫外正型光刻胶及配套试剂

紫外正型光刻胶及配套试剂 一.紫外正型光刻胶开发及应用 微细加工技术实际上就是实现图形转移整个过程中的处理技术,也就是将掩膜母版上的几何图形先转移到基片表面的光刻胶胶膜上,然后再通过从曝光到蚀刻等一系列处理技术把光刻胶膜上的图像复制到衬底基片表面并形成永久性图形的工艺处理过程。在此过程中光刻工艺是IC生产的关键工艺,光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上,经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用,然后采用超净高纯试剂进行蚀刻并最终获得永久性的图形。在图形转移中需要10多次光刻才能完成。蚀刻的方式有多种,其中湿法蚀刻是应用最广、最简便的方法。而且超净高纯试剂、紫外光刻胶在电子工业的实际生产中应用最广。而光刻胶及蚀刻技术是实现微电子微细加工技术的关键。 所谓光刻胶,又称光致抗蚀剂(Photoresist),是指通过紫外光、电子束、离子束、X—射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,经曝光和显影而使溶解度增加的是正型光刻胶,溶解度减小的是负型光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同,又分为紫外光刻胶(包括紫外正型光刻胶、紫外负型光刻胶)、深紫外光刻胶、电子束胶、X—射线胶、离子束胶等。光刻胶与IC发展的关系见下表:

试剂所自70年代末80年代初开始从事紫外正、负型光刻胶及配套试剂的研究与开发工作,自“六五”以来,一直是国家重点科技攻关项目── 紫外光刻胶研究项目的组长承担单位。到目前为止,已经研制成功适用于5μm、2~3μm、0.8~1.2μm工艺技术用的系列紫外正、负型光刻胶及配套试剂。其中的BN-302、BN-303、BN-308、BN-310系列紫外负型光刻胶均获得了化工部的科技进步二等奖,北京市科技进步二等奖,BN-303被评为国家级新产品;BP-212、BP-213紫外正型光刻胶获得了化工部科技进步二

半导体工艺主要设备大全

清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅 片的清洗。超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器,以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。超声波清洗机(超声波清洗器)利用空化效应,短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净,超声波清洗机对清洗器件的养护,提高寿命起到了重要作用。CSQ 系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统,有效提高了清洗效率;设置时间控制装置,清洗方便;具有频率自动跟踪功能,清洗效果稳定;多种机型、结构设计,适应不同清洗要求。CSQ 系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件,医疗设备、精密偶件、化纤行业(喷丝板过滤芯)等的清洗;对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡,涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。恒威公司生产CSQ 系列超声波清洗机具有以下特点:不锈钢加强结构,耐酸耐碱;特种胶工艺连接,运行安全;使用IGBT 模块,性能稳定;专业电源设计,性价比高。反渗透纯水机去离子水生产设备之一,通过反渗透原理来实现净水。 纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备,去离子水有毒,不可食用。 净化设备主要产品:水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI 装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV 紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。 风淋室:运用国外先进技术和进口电器控制系统, 组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广 泛用于微电子医院制药生化制品食品卫生精细化工精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用 防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备. 抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。化学机械抛光时,旋转的工件以一定的压力压在旋转的抛光垫上,而由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动,并产生化学反应,工件表面形成的化学反应物由磨粒的机械作用去除,即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工,人们称这种CMP 为游离磨料CMP 。 电解抛光电化学抛光是利用金属电化学阳极溶解原理进行修磨抛光。将电化学预抛光和机械精抛光有机的结合在一起,发挥了电化学和机构两类抛光特长。它不受材料硬度和韧性的限制,可抛光各种复杂形状的工件。其方法与电解磨削类似。导电抛光工具使用金钢石导电锉或石墨油石,接到电源的阴极,被抛光的工件(如模具)接到电源的阳极。 光刻胶又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像(见图光致抗蚀剂成像制版过程)。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发 单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点。②光分解型,采用含有叠氮醌类化合

光刻胶 液晶显示材料生产工艺流程

光刻胶 photoresist 又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(见光谱增 感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液 体。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化 反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合 性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部 分,得到所需图像(见图光致抗蚀剂成像制版过程)。 光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制 版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学 反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照 后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不 可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这 种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的 电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为 三种类型。①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生 成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚 合物,具有形成正像的特点。②光分解型,采用含有叠 氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由 油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。③光交联型,采 用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其 分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成 一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典 型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。 感光树脂在用近紫外光辐照成像时,光的波长会限 制分辨率(见感光材料)的提高。为进一步提高分辨率 以满足超大规模集成电路工艺的要求,必须采用波长更 短的辐射作为光源。由此产生电子束、X 射线和深紫外 (<250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶,X射线刻蚀 胶和深紫外线刻蚀胶,所刻蚀的线条可细至1□m以下。 LCD生产线工艺及材料简介 LCD生产线工艺及材料简介 LCD为英文Liquid Crystal Display的缩写,即液晶显示器,是一种数字显示技术,可以通过液晶和彩色过滤器过滤光源,在平面面板上产生图象。当前LCD液晶显示器正处于发展的鼎盛时代,技术发展非常迅速,已由最初的TN-LCD(扭曲向列相),发展到STN-LCD (超扭曲向列相),再到当前的TFT-LCD(薄膜晶体管)。LCD现已发展成为技术密集、资金密集型的高新技术产业。液晶显示器主要由ITO导电玻璃、液晶、偏光片、封接材料(边框胶)、导电胶、取向层、衬垫料等组成。液晶显示器制造工艺流程就是这些材料的加工和组合过程。

中国光刻胶行业市场分析报告

中国光刻胶行业市场分析报告

目录 第一节光刻胶的概述 (4) 一、光刻胶的定义 (4) 二、光刻胶分类 (4) 三、光刻胶的技术参数 (9) 第二节光刻胶的应用 (10) 一、印刷电路板(PCB) (11) 二、液晶显示(LCD) (16) 三、半导体光刻胶 (21) 第三节新一代光刻技术 (23) 第四节中国光刻胶产业 (26) 第五节世界光刻胶产业 (28)

图表目录 图表1:光刻胶原理示意图 (5) 图表2:化学增幅型光刻的感光机理 (8) 图表3:2014年光刻胶下游应用格局分布 (11) 图表4:PCB应用类别及产值 (12) 图表5:PCB 行业产值 (12) 图表6:PCB 行业增速 (13) 图表7:中国PCB 光刻胶市场规模 (14) 图表8:中国PCB 光致抗蚀干膜进出口数量 (14) 图表9:STN-LCD原理 (16) 图表10:TFT-LCD原理 (17) 图表11:彩色滤光片结构简图 (18) 图表12:LCD产业链 (18) 图表13:中国LCD 电视机产量 (19) 图表14:全球LCD 光刻胶市场规模 (20) 图表15:半导体产业销售额 (21) 图表16:全球半导体光刻胶市场规模走势图 (22) 表格目录 表格1:光刻技术及其光刻胶的发展 (6) 表格2:光刻胶的分类 (10) 表格3:PCB光刻胶在华外国产商 (15) 表格4:光刻技术与集成电路发展关系 (24) 表格5:光刻胶国产化进程 (27) 表格6:世界主要光刻胶产商 (29)

第一节光刻胶的概述 电子化学品是电子工业中的关键性基础化工材料,电子工业的发展要求电子化学品与之同步发展,不断地更新换代,以适应其在技术方面不断推陈出新的需要。特别是在集成电路(IC)的细微加工过程中所需的关键性电子化学品主要包括:光刻胶(又称光致抗蚀剂)、超净高纯试剂(又称工艺化学品)、特种电子气体和环氧塑封料,其中超净高纯试剂、光刻胶、特种电子气体用于前工序,环氧塑封料用于后工序。这些微电子化工材料约占IC材料总成本的20%,其中超净高纯试剂约占5%,光刻胶约占4%。 一、光刻胶的定义 光刻胶又称光致抗蚀剂,又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像。 *感光树脂:经光照后在曝光区能很快地发生固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲和性等发生明显变化,用适当的溶剂处理就可以得到图像。 *增感剂:使感色范围增大的材料。1873 年H.W. 福格尔发现:当感光乳剂中加入某种染料后可将其感色范围从蓝光区拓展至可见光的整个区域(400~700nm)和近红外区域(700~1300nm)。凡增感到绿光区的称为正色性;而增感到绿光区和红光区的称为全色性。加入增感燃料扩展乳剂感色范围的作用称为光谱增感作用。各种增感燃料随着结构的不同,有不同的光谱增感作用。 *溶剂:使光刻胶保持液体状态,使其具有良好的流动性。 二、光刻胶分类 根据其化学反应机理和显影原理,分为正像光刻胶和负像光刻胶。其中正像光刻胶,曝光区域的光刻胶发生光化学反应,在显影液中软化而溶解,而未曝光区域仍然保留在衬底上,将与掩膜版上相同的图形复制到衬底上。相反,负像光刻胶曝光区域

湿电子化学品产品简介

湿电子化学品产品概述 1.1 电子化学品概述 1.1.1 电子化学品及其分类 电子化学品(electronic chemicals),也称为电子化工材料,泛指专为电子工业配套的精细化工材料,即集成电路、电子元器件、印刷线路板、工业及消费类整机生产和包装用各种化学品及材料。电子化学品系化学、化工、材料科学、电子工程等多学科结合的综合学科领域。 电子化学品产品和技术范围非常广泛。产品按用途可分为微电子化学品、光电子化学品、显示用化学品、印制线路板用化学品、表面组装用化学品、电池化学品等几大门类。 电子化学品按照不同的应用领域,可以划分为十几大类产品。它们通常包括:微细加工的光刻胶、湿电子化学品、电子特种气体、电子封装材料、硅片的抛磨光材料、印制线路板用电子化学品、电子塑封材料、无机电子化学品、混成电路用化学品、电容器用材科、稀土化合物材料、电器涂料、导电聚合物及其它电子电气用化学品、电池材料、平板显示产业配套电子化学品等。所涉及到的电子化学品的品种超过16000种,约占整个电子材料总品种数的65%。电子化学品按使用范围又可分为微电子化工材料(集成电路和分立器件专用)、印制线路板表面处理与组装技术用化工材料和显示器件用化工材料等。 电子化学品上游是基础化工产品。基础化工产品对电子化学品的质量及生产成本有着重要的影响。电子化学品的下游是电子信息产业(信息通讯、消费

电子、家用电器、汽车电子、节能照明(LED等)、平板显示、太阳电池、工业控制、航空航天、军工等领域),电子信息产业在一定程度上影响和决定着电子化学品的发展。因此,电子化学品成为世界上各国为发展电子工业而优先开发的关键材料之一。 电子化学品产业链如图1-1所示。 图1-1 电子化学品的产业链 1.1.2 电子化学品在发展电子信息产业中重要地位 随着技术创新的不断发展,电子化学品应用领域也在不断扩大,已渗透到国民经济和国防建设的各个领域。电子化学品在一定程度上决定或影响着下游及终端产业的发展与进步,对于国内产业结构升级、国民经济及国防建设具有要意义。 目前电子化学品的品种已达上万种,具有质量要求高、用量少、对生产及使用环境洁净度要求高和产品更新换代快等特点。“一代材料、一代产品”,有先进的材料,才能生产出先进的产品。新一代电子技术出现,就会有新一代电子化学品与之相适应。

浅谈光刻胶应用过程中的注意事项

浅谈光刻胶应用过程中的注意事项 前段时间一些使用我司光刻胶的客户反映,在使用光刻胶过程中存在这样,那样的问题,后来进一步了解,发现客户对光刻胶的使用过程中存在或多或少的容易忽视的地方,从而造成光刻效果不理想;下面我就简单的介绍一下光刻胶在应用过程中的一些注意事项。 1、保存: 光刻胶中的光敏组分是非常脆弱的,除了有温度的要求外,对于储存时间和外包装材料有很严格的要求。一般使用 棕色的玻璃瓶包装,再套上黑色塑料袋,光刻胶确实是在半 年内使用为好。过期后最好同厂家沟通进行调换,因为只有 生产商知道里面的组分,才能进行产品的重新调整。还有就 是光敏组分是广谱接受光反应的,并不是仅仅紫外光能够使 其失效,只是其它波长光需要的时间长而已。 2、光刻胶的涂布温度: 光刻胶涂布温度一般要和你的室温相同,原因是与室温相同可以最大减少光刻胶的温度波动,从而减少工艺波动。而 净化间室温一般是23度,所以一般为23度,一般在旋涂的 情况下,高于会中间厚,低于会中间薄。同时涂布前,wafer 也需要冷板,保证每次涂布wafer的温度一致。 3、涂布时湿度的控制: 现在光刻胶涂覆工段一般都与自动纯水清洗线连在一起,很多时候都只考虑此段的洁净度,而疏忽了该段的湿 度控制,使得光刻胶涂覆的良品率比较低,在显影时光刻 胶脱落严重,起不到保护阻蚀的效果。

4、涂胶后产品的放置时间的控制 在生产设备出现故障等特殊情况下,涂完光刻胶的产品需要保留,保留的时间一般不超过8 小时,曝光前如已被感(即 胶膜已失效),不能作为正品,需返工处理。 5、前烘温度和时间的控制 前烘的目的是促使胶膜内溶剂充分挥发,使胶膜干燥以增强胶膜与基板表面的粘附性和胶膜的耐磨性。曝光时,掩模 版与光刻胶即使接触也不会损伤光刻胶膜和沾污掩模膜,同 时只有光刻胶干净、在曝光时,光刻胶才能充分地和光发生 反应。同时注意前烘的温度不能过高,过高会造成光刻胶膜 的碳化,从而影响光刻效果。一般情况下,前烘的温度取值 比后烘坚膜温度稍低一些,时间稍短一些。 6、显影条件的控制 显影时必须控制好显影液的温度、浓度及显影的时间。在一定浓度下的显影液中,温度和时间直接影响的速度,若显 影时间不足或温度低,则感光部位的光刻胶不能够完全溶解, 留有一层光刻胶,在刻蚀时,这层胶会对膜面进行保护作用, 使应该刻蚀的膜留下来。若显影时间过长或温度过高,显影 时未被曝光部位的光刻胶也会被从边缘里钻溶。使图案的边 缘变差,再严重会使光刻胶大量脱落,形成脱胶。 以上几点就是客户在使用光刻胶过程中容易忽视的地方,希望在今后使用过程中能引起重视,以便取得良好的光刻效果。

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