IC layout布局经验总结
IC layout布局经验总结
布局前的准备:
1 查看捕捉点(grid)设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025.
2 Cell名称不能以数字开头.否则无法做DRACULA检查
3 布局前考虑好出PIN的方向和位置
4 布局前分析电路，完成同一功能的MOS管画在一起
5 对两层金属走向预先订好。一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。
6 对pin分类,vdd,vddx注意不要混淆,不同电位(衬底接不同电压)的n井分开.混合信号的电路尤其注意这点.
7 在正确的路径下(一般是进到~/opus)打开icfb.
8 更改cell时查看路径,一定要在正确的library下更改,以防copy过来的cell是在其他的library下,被改错.
9 将不同电位的N井找出来.
布局时注意:
11 完成每个cell后要归原点
12 DEV IC E的个数是否和原理图一至(有并联的管子时注意)；各DEV IC E的尺寸是否和原理图一至。一般在拿到原理图之后，会对布局有大概的规划，先画DEV IC E，(DIVECE 之间不必用最小间距,根据经验考虑连线空间留出空隙)再连线。画DEV IC E后从EXTRACTED中看参数检验对错。对每个device器件的各端从什么方向,什么位置与其他物体连线必须先有考虑(与经验及floorplan的水平有关)
13 如果一个cell调用其它cell，被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果没有和外层cell 连起来，要打上PIN,否则通不过diva检查.尽量在布局低层cell时就连起来
14 尽量用最上层金属接出PIN。
15 接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间.
16 金属连线不宜过长；pT/R7NU
17 电容一般最后画，在空档处拼凑。
18 小尺寸的mos管孔可以少打一点.
19 LABEL标识元件时不要用y0层，mapfile不认。
20 管子的沟道上尽量不要走线;M2的影响比M1小.
21 电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。可以多个电阻并联.
22 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。
23 栅上的孔最好打在栅的中间位置.
24 U形的mos管用整片方形的栅覆盖diff层,不要用layer generation的方法生成U形栅.
25 一般打孔最少打两个
26 Contact面积允许的情况下,能打越多越好,尤其是input/output部分,因为电流较大.但如果contact阻值远大于diffusion则不适用.传导线越宽越好,因为可以减少电阻值,但也增加了电容值.
27 薄氧化层是否有对应的植入层
28 金属连接孔可以嵌
29 两段金属连接处重叠的地方注意金属线最小宽度
30 连线接头处一定要重叠，画的时候将该区域放大可避免此错误。T B I ]0R6e4}
31 摆放各个小CELL时注意不要挤得太近，没有留出走线空间。最后线只能从DEV IC E上跨过去。
32 Text2,y0层只是用来做检查或标志用,不用于光刻制造33 芯片内部的电源线/地线和ESD 上的电源线/地线分开接;数模信号的电源线/地线分开。
34 Pad的pass窗口的尺寸画成整数90um.
35 连接Esd电路的线不能断，如果改变走向不要换金属层
36 Esd电路中无VDDX,VSSX,是VDDB,VSSB.
37 PAD和ESD最好使用M1连接，宽度不小于20um;使用M2连接时,pad上不用打VIA孔,在ESD电路上打。
38 PAD与芯片内部cell的连线要从ESD电路上接过去。
39 Esd电路的SOURCE放两边，DRAIN放中间。
40 ESD的D端的孔到poly的间距为4,S端到poly的间距为^+0.2.防止大电流从D端进来时影响polyY
41 ESD的pmos管与其他ESD或POWER的nmos管至少相距70um以上。
42 大尺寸的pmos/nmos与其他nmos/pmos(非powermos和ESD)的间距不够70um时,但最好不要小于50um,中间加NWELL,打上NTAP.
43 NWELL和PTAP的隔离效果有什么不同?NWELL较深,效果较好.
44 只有esd电路中的管子才可以用2*2um的孔.怎么判断ESD电路？上拉P管的D/G均接VDD,S接PAD;下拉N管的G/S接VSS,D接PAD.P/N管起二极管的作用.
45 摆放ESD时nmos摆在最外缘,pmos在内
46 关于匹配电路，放大电路不需要和下面的电流源匹配。什么是匹配？使需要匹配的管子所处的光刻环境一样。匹配分为横向，纵向，和中心匹配。1221为纵向匹配，12为中心匹配（把上方1转到下方1时，上方2也达到下方2位置）21中心匹配最佳。
47 尺寸非常小的匹配管子对匹配画法要求不严格.4个以上的匹配管子,局部和整体都匹配的匹配方式最佳.中国电子顶级开发网4O F
48 在匹配电路的mos管左右画上dummy,用poly,poly的尺寸与管子尺寸一样,dummy与相邻的第一个poly gate的间距等于poly gate之间的间距.
49 电阻的匹配，例如1，2两电阻需要匹配，仍是1221等方法。电阻dummy两头接地
50 Via不要打在电阻体,电容(poly)边缘上面.
51 05工艺中resistor层只是做检查用中国电子顶级开发网
52 电阻连线处孔越多,各个VIA孔的电阻是并联关系,孔形成的电阻变小.
53 电阻的dummy是保证处于边缘的电阻与其他电阻蚀刻环境一样.
54 电容的匹配，值，接线，位置的匹配。
55 电阻连接fuse的pad的连线要稍宽,因为通过的电流较大.fuse的容丝用最上层金属.
56 关于powermos
①powermos一般接pin，要用足够宽的金属线接，
G L,V y4@ {(N D
②几种缩小面积的画法。
③栅的间距？无要求。栅的长度不能超过100um
57 Power mos要考虑瞬时大电流通过的情况,保证电流到达各处的路径的电阻相差不大.(适应所有存在大电流通过的情况).
58 金属层dummy要和金属走向一致，即如果M2横走，M2的dummy也是横走向
59 低层cell的pin,label等要整齐,and不要删掉以备后用.
60 匹配电路的栅如果横走，之间连接用的金属线会是竖走，用金属一层，和规定的金属走向一致。
61 不同宽度金属连接的影响？整个layout面积较大时影响可忽略.asicy*y
62 输出端节电容要小.多个管子并联,有一端是输出时注意做到这点.
63 做DRACULA检查时,如果先运行drc,drc检查没有完毕时做了lvs检查,那么drc检查的每一步会比lvs检查的每一步快;反之,lvs会比drc快.
64 最终DRACULA通过之后在layout图中空隙处加上ptap,先用thin-oxid将空隙处填满,再打上孔,金属宽度不要超过10,即一行最多8个孔(06工艺)
65 为防止信号串扰,在两电路间加上PTAP,此PTAP单独连接VSS PAD.
66 金属上走过的电压很大时,为避免尖角放电,拐角处用斜角,不能走90度度的直角.
67 如果w=20,可画成两个w=10mos管并联
68 并联的管子共用端为S端,或D端;串联的管子共用端为s/d端.出错检查:
69 DEV IC E的各端是否都有连线；连线是否正确；:
70 完成布局检查时要查看每个接线的地方是否都有连线，特别注意VSSX，VDDX
71 查线时用SHOTS将线高亮显示，便于找出可以合并或是缩短距离的金属线。
72 多个电阻（大于两根）打上DUMMY。保证每根电阻在光刻时所处的环境一样，最外面的电阻的NPIM层要超出EPOL Y2 0.55 um，即两根电阻间距的一半。
73 无关的MOS管的THIN要断开，不要连在一起
74 并联的管子注意漏源合并，不要连错线。一个管子的源端也是另一个管子的源端
75 做DRAC检查时最上层的pin的名称用text2标识。Text2的名称要和该pin的名称一样.
76 大CELL不要做DIV A检查,用DRACULE.
77 Text2层要打在最顶层cell里.如果打在pad上,于最顶层调用此PAD,Dracula无法认出此pin.
78 消除电阻dummy的lvs报错，把nimp和RPdummy层移出最边缘的电阻，不要覆盖dummy
79 06工艺中M1最小宽度0.8,如果用0.8的M1拐线,虽然diva的drc不报错,但DRACULE 的drc会在拐角处报错.要在拐角处加宽金属线.
80 最后DRACULA的lvs通过,但是drc没有过,每次改正drc错误前可把layout图存成layout1,再改正.以免改错影响lvs不通过,旧版图也被保存下来了.
81 Cell中间的连线尽量在低层cell中连完,不要放在高层cell中连,特别不要在最高层cell中连,因为最高层cell的布局经常会改动,走线容易因为cell的移动变得混乱.
82 DRACULA的drc无法检查出pad必须满足pad到与pad无关的物体间距为10这一规则.
83 做DRACULA检查时开两个窗口,一个用于lvs,一个用于drc.可同时进行,节省时间.
84 电阻忘记加dummy;
85 使用NS功能后没有复原(选取AS),之后又进行整图移动操作,结果被NS的元件没有移动,
图形被破坏.
86 使用strech功能时错选.每次操作时注意看图左下角提示.
87 Op电路中输入放大端的管子的衬底不接vddb/vddx.;
88 是否按下capslock键后没有还原就操作
节省面积的途径
89 电源线下面可以画有器件.节省面积.
90 电阻上面可以走线，画电阻的区域可以充分利用。
91 电阻的长度画越长越省面积。
92 走线时金属线宽走最小可以节省面积.并不需要走孔的宽度.
93 做新版本的layout图时，旧图保存，不要改动或删除。减小面积时如果低层CELL的线有与外层CELL相连，可以从更改连线入手，减小走线面积。
94 版图中面积被device，device的间隔和走线空间分割。减小面积一般从走线空间入手，更改FLOORPLAN。
有自己总结的，也有很多同事从调试记录中摘抄出来的经典，更有自己从网上资源中与不认识的好友交流中得知并验证的，在这里希望也能够和大家讨论！也希望这个板块不要办成单纯的资源板块，希望多一点技术流上的讨论。因为AS IC的很多知识其实来源于实际工作中的经验和无数次的失败！
IC设计基础(流程、工艺、版图、器件)-笔试集锦
IC设计基础（流程、工艺、版图、器件）笔试集锦 1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路 相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA 等的概念）。（仕兰微面试题目） 什么是MCU？ MCU(Micro Controller Unit)，又称单片微型计算机(Single Chip Microcomputer)，简称单片机，是指随着大规模集成电路的出现及其发展，将计算机的CPU、RAM、ROM、定时数器和多种I/O接口集成在一片芯片上，形成芯片级的计算机。 MCU的分类 MCU按其存储器类型可分为MASK(掩模)ROM、OTP(一次性可编程)ROM、FLASH ROM等类型。MASK ROM的MCU价格便宜，但程序在出厂时已经固化，适合程序固定不变的应用场合；FALSH ROM的MCU程序可以反复擦写，灵活性很强，但价格较高，适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途；OTP ROM的MCU价格介于前两者之间，同时又拥有一次性可编程能力，适合既要求一定灵活性，又要求低成本的应用场合，尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电子产品。 RISC为Reduced Instruction Set Computing的缩写，中文翻译为精简执令运算集，好处是CPU核心 很容易就能提升效能且消耗功率低，但程式撰写较为复杂；常见的RISC处理器如Mac的Power PC 系列。 CISC就是Complex Instruction Set Computing的缩写,中文翻译为复杂指令运算集,它只是CPU分类的一种,好处是CPU所提供能用的指令较多、程式撰写容易,常见80X86相容的CPU即是此类。 DSP有两个意思，既可以指数字信号处理这门理论，此时它是Digital Signal Processing的缩写；也可以是Digital Signal Processor的缩写，表示数字信号处理器，有时也缩写为DSPs，以示与理论的区别。 2、FPGA和ASIC的概念，他们的区别。（未知） 答案：FPGA是可编程ASIC。 ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。根据一 个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。与 门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计 制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点 3、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在？（仕兰微面试题目）otp是一次可编程（one time programme）,掩膜就是mcu出厂的时候程序已经固化到里面去了，不能在写程序进去！( 4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？（仕兰微面试题目） 5、描述你对集成电路设计流程的认识。（仕兰微面试题目） 6、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。（仕兰微面试题目） 7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。（未知） 8、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.（未知） 9、Asic的design flow。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。（威盛） 11、集成电路前段设计流程，写出相关的工具。（扬智电子笔试） 先介绍下IC开发流程： 1.）代码输入（design input) 用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述，生成hdl代码 语言输入工具：SUMMIT VISUALHDL MENTOR RENIOR 图形输入: composer(cadence); viewlogic (viewdraw) 2.）电路仿真（circuit simulation) 将vhd代码进行先前逻辑仿真，验证功能描述是否正确 数字电路仿真工具： Verolog：CADENCE Verolig-XL SYNOPSYS VCS MENTOR Modle-sim VHDL : CADENCE NC-vhdl SYNOPSYS VSS MENTOR Modle-sim 模拟电路仿真工具： AVANTI HSpice pspice，spectre micro microwave: eesoft : hp 3.）逻辑综合（synthesis tools) 逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路；将初级仿真 中所没有考虑的门沿（gates delay）反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再 仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。 12、请简述一下设计后端的整个流程？（仕兰微面试题目） 13、是否接触过自动布局布线？请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元 素？（仕兰微面试题目） 14、描述你对集成电路工艺的认识。（仕兰微面试题目） 15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？（仕兰微面试题 目） 16、请描述一下国内的工艺现状。（仕兰微面试题目）
IClayout布局经验总结.
IC layout布局经验总结 布局前的准备: 1 查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025. 2 Cell名称不能以数字开头.否则无法做DRACULA检查. 3 布局前考虑好出PIN的方向和位置 4 布局前分析电路，完成同一功能的MOS管画在一起 5 对两层金属走向预先订好。一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。 6 对pin分类,vdd,vddx注意不要混淆,不同电位(衬底接不同电压)的n井分开.混合信号的电路尤其注意这点. 7 在正确的路径下(一般是进到~/opus)打开icfb. 8 更改cell时查看路径,一定要在正确的library下更改,以防copy过来的cell是在其他的library下,被改错. 9 将不同电位的N井找出来. 布局时注意: 10 更改原理图后一定记得check and save 11 完成每个cell后要归原点 12 DEVICE的个数是否和原理图一至(有并联的管子时注意)；各DEVICE的尺寸是否和原理图一至。一般在拿到原理图之后，会对布局有大概的规划，先画DEVICE，(DIVECE之间不必用最小间距,根据经验考虑连线空间留出空隙)再连线。画DEVICE后从EXTRACTED 中看参数检验对错。对每个device器件的各端从什么方向,什么位置与其他物体连线必须先有考虑(与经验及floorplan的水平有关). 13 如果一个cell调用其它cell，被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果没有和外层cell 连起来，要打上PIN,否则通不过diva检查.尽量在布局低层cell时就连起来 14 尽量用最上层金属接出PIN。 15 接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间. 16 金属连线不宜过长； 17 电容一般最后画，在空档处拼凑。 18 小尺寸的mos管孔可以少打一点. 19 LABEL标识元件时不要用y0层，mapfile不认。 20 管子的沟道上尽量不要走线;M2的影响比M1小. 21 电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。可以多个电阻并联. 22 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。 23 栅上的孔最好打在栅的中间位置. 24 U形的mos管用整片方形的栅覆盖diff层,不要用layer generation的方法生成U形栅. 25 一般打孔最少打两个 26 Contact面积允许的情况下,能打越多越好,尤其是input/output部分,因为电流较大.但如果contact阻值远大于diffusion则不适用.传导线越宽越好,因为可以减少电阻值,但也增加了电容值. 27 薄氧化层是否有对应的植入层 28 金属连接孔可以嵌在diffusion的孔中间.
IC设计的一些事情
当你坐在计算机旁工作或在网上冲浪，当你打开电视机欣赏节目，当你在川流不息的人群中拿起无绳电话，当你的VCD或DVD正在播放惊心动魄的hoolywood 电影......你可知道在这些和我们的生活悉悉相关的IC设计者（大规模集成电路）在默默的工作。 个人电脑、因特网、无绳电话、天气预报、模拟战争、空中预警、导弹卫星......几乎所有的新名词都和IC密切相关。IC工业的成就和未来正引起人类社会新的变革。当比尔.盖茨在condex大会上为我们描绘如诗般的internet生活；当intel和amd宣布里程碑式的1G处理器；你是否了解为致力于创造和改变人们生活方式的IC设计工程师是如何把我们的每一个梦想变成现实？ 笔者愿以一个普通设计人员的身份帮你撩开IC设计的神秘面纱。 1，项目和课题； （1）Herbert Kroemer说过这样的名言：“任何一种新的并具创造性的技术的应用原理总是，也一直都是，因为这种技术所创造的应用。” 设计IC的唯一目的就是为了满足某种需求，譬如CPU和DRAM是为了计算机而存在；而80C51系列单片机就是因为很多的工控应用而蓬勃发展，而象mpeg1,mpeg2，mp3解码器这些专用电路更是目的明确。因此IC设计项目总是和应用密切相关。不要盯住无用的“新技术”而投入过份的精力。早在voodoo之前Nviria公司就创造了曲面帖图技术，但这种技术太超前了，以致它现在都是不切实际的幻想。然而任何IC开发计划又都必须具有前瞻性，只是这种前瞻性必须是也只能是：当芯片在制造厂流片成功时正是它所对应的技术即将或大量应用时。 （2）在IC设计行业，“时间就是金钱”是永远不变的铁律。 没有那个公司会做过时的IC，再傻的老板都不会在现在把开发mpeg1或10M以太网芯片做为自己的目标，因为技术和应用发展的方向正在淘汰他们，一切不和时宜和不具前瞻性的项目都不具吸引力。我所在的term就将千兆以太网芯片作为自己的努力方向，因为它比现在正流行的传输率快一个阶段。随千兆以太网标准的推出，未来的局域网应用一定会是千兆的天下，这称为技术贮备。NVIDIA公司在推出TNT2时早在研发NV20。符合技术发展潮流和应用规律的项目是保证投资回报和团队生存的基本要求。 （3）“没有人愿意和巨人打架”，syrex和IDT的失败正是这句话的真实印证。任何产品目标都必须是切实可行符合业界规范的。一个小的刚刚涉足IC设计的trem将CPU设计作为自己的目标无疑是可笑和毫无意义的。他必须了解自己的研发能力可以达到什么样的程度，这包括了项目带头人的能力和技术专长，包括了整个团队的开发经验等等。在IC设计中，最讲究的就是要“专”，不要什么都想干，往往什么都干不成。比如一个在网络开发方面有经验的TERM没必要选择开发单片机，最可能的是他会开发网路产品而在需要用单片机或DSP作为microcontroller时去买nation semiconducter或TI的芯核(我们所属的TMI公司就是这样)；我们在开发USB芯片的过程中，从来不把host controller作为自己的目标，因为作为一个在国内的刚刚组建的IC design term，我们根本没有技术，经验和能力去和nec、philips、intel或、nation semiconductor比较。即使我们研发的USB1.1标准的芯核也只可以作为usb接口的以太网卡的一部分来使用，而不是作为一款单独的产品； 众所周知曾经有中国的SVCD规范出台，SVCD的最终失败正是因为它不符合国际标准；符合标准是IC设计的前提，计算机产业的迅速发展正是因为它的标准化。对标准的兼容性是一片IC是否可以被市场认可的关键。VIA正是因为intel在很多技术上的专利而不得不收购S3、syrex等公司来换取技术专利交换协议以保持和intel处理器的兼容性。另外，一个研发团队对标准的掌握程度和速度直接决定产品在市场中的成败。我们在开发USB接口的100M以太网卡芯片的过程中，之所以USB部分开发迅速，而network的mac部分遇到
关于IC验证经验的总结
关于IC验证经验的总结 完整的、详细的设计规范是验证工作的重要起点。 验证工作根据设计规范（Specification）进行，详细的Spec是RTL代码的编写工作的依据，也是验证工作的依据。当验证过程发现DUT的响应与testbench预计的不符时，需要根据Spec判断是DUT出现错误还是testbench出现错误。 参数化的全局定义 ?Register相关位及其数值的全局宏定义。reg_define.v ?相关路径的全局宏定义。define_board.v ?系统重要变量的显示信息。display.v ?与Register相关的比较任务和报错任务。reg_cmp ?时钟周期参数的定义，一般局部定义，用parameter定义。 存取波形及相应变量的数据，使用`ifdef为全局定义使用 1.波形源头文件是VCD波形，但过于庞大，可用来做功耗分析。 $dumpfile(“wave.vcd”); $dumpvars(0,xxx); $dump0ff; $dumpflush; 2.SHM波形是Cadence的，可以用simvision打开。 $shm_open(“wave.shm”); $shm_probe(xxx,“AST”); $shm_close; 3.FSDB波形是Novas的，可以用nwave打开。 $fsdbDumpfile(“wave.fsdb”); $fsdbDumpvars(0,xxx); 4.VPD波形是Synopsys的，可以用dve打开。 $vcdplusfile(“wave.vpd”); $vcdpluson(0,xxx); 5.变量的存取，可以使用宏来选择变量的存取与否与存取时间使用。
中国IC设计公司现状和发展分析
中国IC设计公司现状和发展分析 1. 200万门是最大设计规模 本次调查显示了中国IC设计公司的地域分布特点，84%的IC设计公司主要集中在沿海城市及北京市，其中上海、无锡和杭州三地占40%，北京占26%，深圳为18%，成都/重庆占5%，西安和武汉分别为4%和3%。 目前，中国IC设计公司的主要资金来源是自筹和政府，中小规模的公司占主体，如下图图1所示。 在被调查的公司中，平均每个公司有6个产品系列，44%的受访公司产品系列在5个以下，20个以上占10%。目前，中国IC设计公司的最大设计规模为200万门(图1)。数字IC产品的设计水平主要集中在0.25到0.5微米以及0.5到1.5微米内，分别占34%和29%，小于0.25微米仅占20%；模拟IC中50%采用0.5到1.5微米，1.5微米以上占42%。 2. 主流产品通信类第一、消费类第二 42%受访公司的产品主要应用领域为通信，34%为消费类，分别占第一、二位；工业电子和计算机类分别占10%和8%。受访公司的主要产品集中在ASIC、MCU、视频类IC和数模混合IC，如图1所示，显示了通信领域对ASIC和MCU的巨大需求。另一方面也反映出由于经济实力和规模的制约，ASSP等标准器件的设计仍然处于弱势。 通信类产品是目前国产IC中最主要的一类，本次调查显示42%的公司涉足该类产品，52%的受访者认为此类产品发展前景最好(图2)，28%的受访公司在未来的两年中将会推出通信类IC产品，但仅为第二位(图3)，暴露出中国IC设计公司对更高技术含量的通信类设计仍信心不足。随着中国在通信基础设施的大量资金投入，通信IC的市场的进一步扩大必将吸引更多国内IC设计公司的关注。请参见图2，图3。 图2 图3 在被调查公司的产品类型中，电视/视频/显示相关产品占12%，位居第三。该数据显示未来视频相关产品为广大IC公司所看好，这与目前宽带到户、数字HDTV、MPEG技术的发展趋势
版图LAYOUT布局经验总结94条
layout布局经验总结 布局前的准备: 1 查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025. 2 Cell名称不能以数字开头.否则无法做DRACULA检查. 3 布局前考虑好出PIN的方向和位置 4 布局前分析电路，完成同一功能的MOS管画在一起 5 对两层金属走向预先订好。一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。 6 对pin分类,vdd,vddx注意不要混淆,不同电位(衬底接不同电压)的n井分开.混合信号的电路尤其注意这点. 7 在正确的路径下(一般是进到~/opus)打开icfb. 8 更改cell时查看路径,一定要在正确的library下更改,以防copy过来的cell是在其他的library下,被改错. 9 将不同电位的N井找出来. 布局时注意: 10 更改原理图后一定记得check and save 11 完成每个cell后要归原点 12 DEVICE的个数是否和原理图一至(有并联的管子时注意)；各DEVICE的尺寸是否和原理图一至。一般在拿到原理图之后，会对布局有大概的规划，先画DEVICE，(DIVECE 之间不必用最小间距,根据经验考虑连线空间留出空隙)再连线。画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。对每个device器件的各端从什么方向,什么位置与其他物体连线必须先有考虑(与经验及floorplan的水平有关). 13 如果一个cell调用其它cell，被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果没有和外层cell连起来，要打上PIN,否则通不过diva检查.尽量在布局低层cell时就连起来。 14 尽量用最上层金属接出PIN。 15 接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间. 16 金属连线不宜过长； 17 电容一般最后画，在空档处拼凑。 18 小尺寸的mos管孔可以少打一点. 19 LABEL标识元件时不要用y0层，mapfile不认。 20 管子的沟道上尽量不要走线;M2的影响比M1小. 21 电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。可以多个电阻并联. 22 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。 23 栅上的孔最好打在栅的中间位置. 24 U形的mos管用整片方形的栅覆盖diff层,不要用layer generation的方法生成U形栅. 25 一般打孔最少打两个 26 Contact面积允许的情况下,能打越多越好,尤其是input/output部分,因为电流较大.但如果contact阻值远大于diffusion则不适用.传导线越宽越好,因为可以减少电阻值,但也增加了电容值. 27 薄氧化层是否有对应的植入层 28 金属连接孔可以嵌在diffusion的孔中间.
PCBLayout布局布线基本规则
布局： 1、顾客指定器件位置是否摆放正确 2、BGA与其它元器件间距是否≥5mm 3、PLCC、QFP、SOP各自之间和相互之间间距是否≥2.5 mm 4、PLCC、QFP、SOP与Chip 、SOT之间间距是否≥1.5 mm 5、Chip、SOT各自之间和相互之间的间距是否≥0.3mm 6、PLCC表面贴转接插座与其它元器件的间距是否≥3 mm 7、压接插座周围5mm范围内是否有其他器件 8、Bottom层元器件高度是否≤3mm 9、模块相同的器件是否摆放一致 10、元器件是否100%调用 11、是否按照原理图信号的流向进行布局，调试插座是否放置在板边 12、数字、模拟、高速、低速部分是否分区布局，并考虑数字地、模拟地划分 13、电源的布局是否合理、核电压电源是否靠近芯片放置 14、电源的布局是否考虑电源层的分割、滤波电容的组合放置等因素 15、锁相环电源、REF电源、模拟电源的放置和滤波电容的放置是否合理 16、元器件的电源脚是否有0.01uF～0.1uF的电容进行去耦 17、晶振、时钟分配器、VCXO\TCXO周边器件、时钟端接电阻等的布局是否合理 18、数字部分的布局是否考虑到拓扑结构、总线要求等因素 19、数字部分源端、末端匹配电阻的布局是否合理 20、模拟部分、敏感元器件的布局是否合理 21、环路滤波器电路、VCO电路、AD、DA等布局是否合理 22、UART\USB\Ethernet\T1\E1等接口及保护、隔离电路布局是否合理 23、射频部分布局是否遵循“就近接地”原则、输入输出阻抗匹配要求等 24、模拟、数字、射频分区部分跨接的回流电阻、电容、磁珠放置是否合理 外形制作： 1、外形尺寸是否正确？ 2、外形尺寸标注是否正确？ 3、板边是否倒圆角≥1.0mm 4、定位孔位置与大小是否正确 5、禁止区域是否正确 6、Routkeep in距板边是否≥0.5mm 7、非金属定位孔禁止布线是否０.3mm以上 8、顾客指定的结构是否制作正确 规则设置： 1、叠层设置是否正确？ 2、是否进行class设置 3、所有线宽是否满足阻抗要求？ 4、最小线宽是否≧5mil 5、线、小过孔、焊盘之间间距是否≥6mil，线到大过孔是否≥10mil
PCB Layout经验总结-自编
PCB Layout 参数 1.Routing的最小线宽=最小间距（这是一般应该遵循的规则）， 对于有BGA的板子（布线密度一般较高），单端线线宽一般有：控制线表层0.25mm和内层0.1mm，对应阻抗50欧姆。 PS1： 对于这样表层有焊盘间距0.65mm、焊盘直径0.35mm的BGA封装器件层走线时，未出器件焊盘区域时width取0.1mm（clearence为0.1mm），出了焊盘区域可将线宽放宽为0.25mm（clearence 0.15mm）。 PS2：较宽松的电路的最佳推荐线宽、间距一般为0.254mm（10mil）。 PS3：市场上批量生产时允许的最小线宽为表层0.12mm，内层为0.1mm。 PS4：Routing时，应该做到层内布线均匀，各布线层密度相近，这样可以对防止板子翘曲起到积极作用。另外可以通过整层敷铜来达到相同的效果！ 2.普通印制板Via尺寸一般就打这几种（单位默认mm）： 控制线Via：（8mil，16mil）、（0.2，0.44）、（0.25，0.5）、（10mil、18.5mil）。 电源、地线Via：（0.6，1.0）。 PS1：； PS2：Via金属盘的极限制程能力虽然已经可达环宽0.1mm，但只建议用在迫不得已的情况下使用（参考PS3），推荐Via环宽最小值0.12mm， ；
PS3：兴森快捷给胡晓芳Layout的PCB上SN74LVC16T245附近如下 ，很多反常规的可取设计，比如虽然 Datasheet里推荐使用0.33mm的焊盘，但板子上实际使用的是0.3mm的焊盘，图中BGA内部使用的Via尺寸全是（16mil，8mil）即（0.406m，0.203mm）。 PS4：通孔类Pad的环宽最小0.15mm，国盾要求大于0.225mm。 3.制程能力中的孔间距 一博的《高速先生》第13期第24页的那篇文章中说了这一问题，此孔间距是指钻孔内壁间距，一博的制程能力是10mil。拿常规画的PCB来说，使用（8mil，16mil）的Via，Rules设置最小Clearence：4mil，则孔内壁间距=4+2*环宽=12mil，所以直接按照Rules来走线放置Via即可。 4.走线与无盘Via的最小距离 对于BGA的投影区域的内部走线层常出现，很局促，甚至很多
Sketchup的Layout布局教程上部
晓毓教程 (LayOut)上部 看到许多朋友对于LayOut都有很大的兴趣却没有一个合适的中文教程,因此这个版块也快成了问答版块了,所以我今天将自己对于使用LayOut的一点心得发上来与大家共享,这些内容也是我正在编写的SketchUp新书中的一小部分,到时书中会有更详细的讲解,希望大家多多给我修改意见! 在下先谢了! 今晚先发前半部分,让大家先睹为快! 由于是个人总结的，所以有错误的地方还望大家给予谅解！ LayOut是伴随SketchUp6一并出现的小软件，它的功能大部分类似于AutoCAD中的布局功能，因此许多朋友都叫它SU布局，在这里我想叫它“版式编辑器”。我们可以使用“版式编辑器”来完成更丰富的个性化版式，使我们的设计作品提升一个更高的层次，并且这个“版式编辑器”又结合了一些SU所特有的功能，更使之增色不少，二者的结合也使这个小软件逐渐受人关注了，接下来我们将根据一个接近实际的案例来进行讲解。本教程从实际应用的角度出发，图文并茂的讲解LayOut的使用方法，在讲解过程中会用“题外话”的方式来讲解实例中没有涉及到的又是 LayOut中的重点内容！希望大家对于阅读方面有什么不方便的地方也一并给予指正！
1.首先打开一个SketchUp模型如图01所示，现在我们打开的案例是一个已经设置好页面的案例，请大家事先也设置好几个页面吧！
2.然后我们先在SketchUp里将阴影的参数调整好，因为有些设置在LayOut里是无法调节的，调整效果如图02所示。
3.下一步要将显示模式设置成“材质帖图”的显示模式，这样进入LayOut后就省去了一些反复的步骤，如图03所示。
layout布局经验总结
布局前的准备: 1 查看捕捉点设置是否正确.08工艺为 0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025. 2 Cell名称不能以数字开头.否则无法 做DRACULA检查. 3 布局前考虑好出PIN的方向和位置 4 布局前分析电路，完成同一功能的 MOS管画在一起 5 对两层金属走向预先订好。一个图 中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。 6 对pin分类,vdd,vddx注意不要混淆,不同电位(衬底接不同电压)的n井分 开.混合信号的电路尤其注意这点. 7 在正确的路径下(一般是进到~/opus)打开icfb. 8 更改cell时查看路径,一定要在正确的library下更改,以防copy过来的cell 是在其他的library下,被改错. 9 将不同电位的N井找出来. 布局时注意: 10 更改原理图后一定记得check and save 11 完成每个cell后要归原点 12 DEVICE的个数是否和原理图一至(有并联的管子时注意)；各 DEVICE的尺寸是否和原理图一至。一般在拿到原理图之后，会对布局有大概 的规划，先画DEVICE，(DIVECE之间不必用最小间距,根据经验考虑连线空间 [转帖]layout布局经验总结[ICISEE论坛] https://www.360docs.net/doc/f413467381.html,/bbs/dispbbs.asp?BoardID=36&id=1012（第1／8 页）2006-7-17 16:01:33 [转帖]layout布局经验总结[ICISEE论坛] 留出空隙)再连线。画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。对每个 device器件的各端从什么方向,什么位置与其他物体连线必须先有考虑(与经 验及floorplan的水平有关). 13 如果一个cell调用其它cell，被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果 没有和外层cell连起来，要打上PIN,否则通不过diva检查.尽量在布局低层cell 时就连起来。 14 尽量用最上层金属接出PIN。 15 接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间. 16 金属连线不宜过长； 17 电容一般最后画，在空档处拼凑。 18 小尺寸的mos管孔可以少打一点. 19 LABEL标识元件时不要用y0层，mapfile不认。 20 管子的沟道上尽量不要走线;M2的影响比M1小. 21 电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。可 以多个电阻并联. 22 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。 23 栅上的孔最好打在栅的中间位置. 24 U形的mos管用整片方形的栅覆盖diff层,不要用layer generation的方
如何成为一名IC设计工程师
如何成为一名IC设计师 IC设计不同于一般的板级电子设计，由于流片的投资更大，复杂度更高，系统性更强，所以学习起来也有些更有意思的地方。 那么如何才能成为一个优秀的IC设计工程师？ 首先，作为初学者，需要了解的是IC设计的基本流程。应该做到以下几点：基本清楚系统、前端、后端设计和验证的过程，IC设计同半导体物理、通信或多媒体系统设计之间的关系，了解数字电路、混合信号的基本设计过程，弄清楚ASIC，COT这些基本的行业模式。窃以为这点对于培养兴趣，建立自己未来的技术生涯规划是十分重要的。学习基本的设计知识，建议读一下台湾CIC的一些设计教材，很多都是经典的总结。 EDA技术的学习：对于IC设计者来说，EDA工具意义重大，透过EDA工具商的推介，能够了解到新的设计理念。国内不少IC设计者，是单纯从EDA的角度被带入IC设计领域的，也有很多的设计者在没有接触到深亚微米工艺的时候，也是通过EDA厂家的推广培训建立基本概念。同时，对一些高难度的设计，识别和选择工具也是十分重要的。如果你希望有较高的设计水平，积累经验是一个必需的过程。经验积累的效率是有可能提高的。以下几点可以参考： 1.学习借鉴一些经典设计，其中的许多细节是使你的设计成为产品时必需注意的。有些可能是为了适应工艺参数的变化，有些可能是为了加速开关过程，有些可能是为了保证系统的稳定性等。通过访真细细观察这些细节，既有收益，也会有乐趣。项目组之间，尤其是项目组成员之间经常交流，可避免犯同样错误。 2.当你初步完成一项设计的时侯，应当做几项检查：了解芯片生产厂的工艺，器件模型参数的变化，并据此确定进行参数扫描仿真的范围。了解所设计产品的实际使用环境，正确设置系统仿真的输入条件及负载模型。严格执行设计规则和流程对减少设计错误也很有帮助。 3.另外，你需要知识的交流，要重视同前端或系统的交流，深刻理解设计的约束条件。作为初学者，往往不太清楚系统，除了通过设计文档和会议交流来理解自己的设计任务规范，同系统和前端的沟通是IC设计必不可少的。所谓设计技巧，都是在明了约束条件的基础上而言的，系统或前端的设计工程师，往往能够给初学者很多指导性的意见。 4.查文献资料是一个好方法。多上一些比较优秀的电子网站，如中国电子市场网、中电网、电子工程师社区。这对你的提高将会有很大的帮助。另外同“老师傅”一同做项目积累经验也较快。如果有机会参加一些有很好设计背景的人做的培训，最好是互动式的，也会有较好的收获。 5.重视同后端和加工线的交流：IC设计的复杂度太高，除了借助EDA工具商的主动推介来建立概念之外，IC设计者还应该主动地同设计环节的上下游，如后端设计服务或加工服务的工程师，工艺工程师之间进行主动沟通和学习。对于初学者来说，后端加工厂家往往能够为他们带来一些经典的基本理念，一些不能犯的错误等基本戒条。一些好的后端服务公司，不仅能提供十分严格的Design Kit，还能够给出混合信号设计方面十分有益的指导，帮助初学者走好起步之路。加工方面的知识，对于IC设计的“产品化”更是十分关键。 6.重视验证和测试，做一个“偏执狂”：IC设计的风险比板级电子设计来的更大，因此试
Layout规划经验谈
关于厂房规划（我做的是电子厂，不过我想道理是一样的）,总整体上来看,整个规划内容大至可以分为下面几个部分： 一.生活设施规划（我把这部分归结为人流），包括： 打卡区/更鞋区/餐厅/卫生间/车棚/休息区（饮水区）/吸烟区，/监控室（安检区） 二.生产设施规划（我把这部分归结为物流），包括： 1.仓库：1.1.码头（含入库码头，出库码头,Foxconn有的楼栋是分离的比如E区,有的是在一起的比如A区） 1.2.原料仓(包括IQC检验区，OK放置区,不良品区） Foxconn料仓一般分: 1.2.1机构仓 自制件仓(成型件/印刷件/冲压件/烤漆件/SMT件,分布在各个楼栋楼层,大部分直接入 装配Kitting仓,只要距离不太远,像冲压件和烤漆件往往跟组装 不在同一个楼栋,这个时候需要在装配外购件仓有个周转区,库存 可参考11H库存) 外购件仓(Hub仓非电子件的周转区一般11H库存) 1.2.2包材仓(一般1.5天库存,瓶颈物料如栈板可放宽) 1.2.3电子件仓(Hub仓电子件的周转区,一般跟SMT在同一楼层,温湿度要求严格,空间 要求密闭,温湿度可调) 1.2.4贵重物品仓(放置贵重物料CPU/DU/LCD等体积下价值高的物料) 1.3.成品区(OQC检验区/放置区/不良品区) 2.料区：包括原料暂存区，半成品暂存去，成品暂存区，不良品暂存及处理区 3.生产区域：包括生产线，水电气的供应等等 4.辅助生产区：包括各种机房（空调机房，空压机房，配电房，网络机房），维修区（包括电子件和机构件维修区），设备及治具摆放区，OQC检验区等 5.office区：各个部门办公区及相应的电，电话，网络供应。 当然，一个完整的厂房还包括前台区，会议室等等。 下面做一些说明: 准备事项: 由于我当时所做的layout都是属于旧厂房改造,所以只能讲讲这方面的经验,从另一个角度讲,旧厂房改**而比较麻烦 ,因为很多约束比较多,拆了重新来可能比建个新的还麻烦. 一般来讲,要改造一个厂房,第一步就是看现场,了解目前的状态,另外,还需要收集一些基本数据,比如:柱间距；各楼层的承重；楼层的高度(板对板间距),梁高；(这个主要是涉及管道的规划以及夹层的设计)承重墙的分布；电梯的数量及分布；目前各机房的数量及位置，容量；未来的产能规划等等其中,产能规划是比较重要的,因为很多数据都是根据产能需求来进行计算的. 生活设施方面 生活设施方面主要是满足员工日常生活需求所用的,这个部分我们归结为人流,正常的情况下,员工上班的整个顺序一般是这样的:打上班卡----更鞋----进入车间(上午)-----餐厅------进入车间(下午)-----下班-----过安检------更鞋-----打下班卡. 这中间,还包括工作中休息的时间,即需要休息区(包括饮水区),另外还要上厕所,所以需要卫生间,等等. 餐厅:一般座位与就餐人数的比例在1:3~1:5之间,如果每批次就餐时间为20分钟的话,那么大约在2个小时内可以就餐完毕
IC设计经验总结
I C设计经验总结 一、芯片设计之前准备工作： 1)根据具体项目的时间要求预订MPW班次，这个可以多种途径完成。 （1）：一方面可以跟中科院EDA中心秦毅等老师联系，了解各个工艺以及各个班次的时间。半导体所是EDA中心的会员单位，他们会很热心的帮助完成。 （2）：另一方面可以和具体项目合作的单位如清华等，根据他们的流片时间来制定自己的流片计划。 2)仔细核对设计库的版本更新情况，包括PDK、Spectre Model以及RuleDecks。这些 信息可以直接可以从中科院EDA中心获得，或者从相应的合作单位进行沟通统一。 这一点对后续的设计很重要，请务必要引起重视。 3)得到新的工艺库必须整体的熟悉一下，好好的查看里面的Document以及Userguide 之类的，里面的很多信息对实际设计很有帮助。安装工艺库的过程会根据具体设计要求做出一些选着。如TSMC65nm工艺库在安装过程中会提示是否选着RF工艺、电感是否使用厚层金属、MIM电容的单位面积电容值等之类的。 4)制定TapeOut的具体Schedule. 这个Schedule的制订必须请相关有经验的人来核 实，第一次TapeOut的人往往缺乏实际经验，对时间的安排可能会不合理。一旦Schedule制订好后，必须严格按照这个时间表执行。当然必须赶早不赶晚！ 二、芯片设计基本系统框图一
图一 三、模拟IC设计基本流程 3.1) 设计框图如下图二 电路样式选择 电路结构确定 参数的选定 以及仿真 优化以及可 靠性仿真 图二
3.2 电路的式样确定 这个主要是根据系统设计结果，分析和确定模拟电路的详细的式样。 3.3 电路的结构确定 根据单元模块电路的功耗、代价等各个指标的折中分析，确定各个单元模块的具体实现电路形式，如滤波器是无源滤波器还是有源滤波器，有正交VCO产生I/Q信号还是通过/2分频器来实现I/Q信号，用差分形式还是用单路形式等等。在具体电路的选取过程中，我们需要查阅了大量的IEEE文献，从中选取了比较成熟的，应用较广的电路结构来进行我们的设计工作。有时候可能会发现所确定的结构很难或者根本不可能满足技术指标的要求，这就需要改进结构或者查阅文献，设法满足要求。 3.4 参数的选取和仿真 电路参数的选定与电路的仿真是分不开的。在比较重要的设计任务中，手算可以在20%的时间内完成80%的设计工作量，剩下的20%却需要花80％的时间来做。通过手算确定的参数是近似的，有时候会引错方向。但是它可以了解到参数的变化对设计会有多大的影响，是很有必要的。而采用计算机的反复迭代会使设计者对设计体会不深，不是明智的办法。 俗话说“公欲善其事，必先利其器”。目前，在公司内部可以使用多种EDA工具进行电路仿真。对于EDA工具的使用不在于多，能够精通常用的一类或者几类就行。最主要的时候能够灵活的进行仿真规划，知道什么样的电路适合用什么样的仿真工具。 －HSPICE；对于低频电路设计来说，HSPICE是一种最灵活方便的工具，而且其仿真精度也比较高，后来被SYNOPSYS收购，好像也正是因为这个原因使得如今的Hspice仿真速度以及精度都可以跟Cadence产出的仿真器相媲美了。业界使用Hspice作为仿真软件的也挺多，原先是avanti公司的， －Spectre；是Cadence的仿真器，由于其是图形界面，所以很直观。 －SpectreRF：对于射频电路设计，SpectreRF是一种不错的选择。 －UltraSim：相比于Spertre而言，在仿真精度损失3%的情况下，可以加速10~100倍的仿真速度。而且进行整体芯片后仿真时候，我们可以根据其不用的精度要求来设置各个模块的仿真精度。UltraSim Full-Chip Simulator for faster convergence on goals and signoff of post-layout designs at the chip level. 具体UltraSim的使用可以参考《Virtuoso? UltraSim Simulator User Guide》、《ADE/UltraSim Integration Tutorial》等。在网上相关资料很多，可以根据要求自己下载学习。 －APS：Accelerated Parallel Simulator delivers high-precision SPICE and scalable
SketchUp LayOut 3 心得小教程
SketchUp LayOut3心得小教程 By youxi（由希） 仅供学习交流，谢谢！ 写在前面 也许和很多人一样，一开始我装了SketchUp Pro软件,作为附带的软件，LayOut也同时默认的安装了。那时候，打开了一次LayOut的界面，玩了几下就关掉了。网上一查，说它只是一个SketchUp的布局工具云云，心想也没多大用处，于是，就删了。 但是，就在几个月前，因为一次偶然的机会，我重新打开了它，认识了它，了解了它，最后喜欢上了它。LayOut使用简单，但是它本身绝非那么简单。甚至可以说它很强大。网络上关于LayOut的介绍也不多而且是几年前的，又鉴于LayOut到现在已经是3版本了，有更多的改进和新功能。所以我想有必要写个东西来为大家做个简单的介绍。 开始之前，我要向大家坦白，由于本人能力有限，使用LayOut的时间也不是很多（后悔这么晚才认识到LayOut），接下来的属于本人的经验之谈，之所以冠之以“教程”云云，只是希望能够尽量规范易懂的方式把一些经验分享给各位。 一、LayOut是什么、能做什么 官方定义：LayOut 是 SketchUp Pro 的一项功能。它包含一系列工具，帮助用户创建包含 SketchUp 模型的设计演示。 LayOut 帮助设计者准备文档集，传达其设计理念。使用简单的布局工具，设计者即可放置、排列、命名和标注SketchUp 模型、草图、照片和其他组成演示和文档图片的绘图元素。通过LayOut，设计者可创建演示看板、小型手册和幻灯片。 LayOut 不是照片级真实渲染工具，也不是2D CAD 应用程序。 youxi自定义：LayOut不仅仅是SketchUpPro专用的一项布局功能，更是优秀的排版软件、分析图制作软件。 LayOut可以方便的排版关于SketchUp模型的一些图纸（特有），比起Indesign等专业排版软件，用LayOut来做课程作业、方案文本的排版等也毫不逊色，更有拿它来做一些分析图更加灵活快捷。 二、LayOut 3主要功能介绍及如何使用
Layout(集成电路版图)注意事项及技巧总结
Layout主要工作注意事项 ●画之前的准备工作 ●与电路设计者的沟通 ●Layout 的金属线尤其是电源线、地线 ●保护环 ●衬底噪声 ●管子的匹配精度 一、l ayout 之前的准备工作 1、先估算芯片面积 先分别计算各个电路模块的面积，然后再加上模块之间走线以及端口引出等的面积，即得到芯片总的面积。 2、Top-Down 设计流程 先根据电路规模对版图进行整体布局，整体布局包括：主要单元的大小形状以及位置安排；电源和地线的布局；输入输出引脚的放置等；统计整个芯片的引脚个数，包括测试点也要确定好，严格确定每个模块的引脚属性，位置。 3、模块的方向应该与信号的流向一致 每个模块一定按照确定好的引脚位置引出之间的连线 4、保证主信号通道简单流畅，连线尽量短，少拐弯等。 5、不同模块的电源，地线分开，以防干扰，电源线的寄生电阻尽可能较小，避免各模块的 电源电压不一致。 6、尽可能把电容电阻和大管子放在侧旁，利于提高电路的抗干扰能力。 二、与电路设计者的沟通 搞清楚电路的结构和工作原理明确电路设计中对版图有特殊要求的地方 包含内容：（1）确保金属线的宽度和引线孔的数目能够满足要求（各通路在典型情况和最坏情况的大小）尤其是电源线盒地线。 （2）差分对管，有源负载，电流镜，电容阵列等要求匹配良好的子模块。 （3）电路中MOS管，电阻电容对精度的要求。 （4）易受干扰的电压传输线，高频信号传输线。 三、layout 的金属线尤其是电源线，地线 1、根据电路在最坏情况下的电流值来确定金属线的宽度以及接触孔的排列方式和数目，以避免电迁移。 电迁移效应：是指当传输电流过大时，电子碰撞金属原子，导致原子移位而使金属断线。在接触孔周围，电流比较集中，电迁移更容易产生。 2、避免天线效应 长金属（面积较大的金属）在刻蚀的时候，会吸引大量的电荷，这时如果该金属与管子栅相连，可能会在栅极形成高压，影响栅养化层质量，降低电路的可靠性和寿命。 解决方案：（1）插一个金属跳线来消除（在低层金属上的天线效应可以通过在顶层金属层插入短的跳线来消除）。 （2）把低层金属导线连接到扩散区来避免损害。 3、芯片金属线存在寄生电阻和寄生电容效应 寄生电阻会使电压产生漂移，导致额外的噪声的产生 寄生电容耦合会使信号之间互相干扰
浅谈精益布局layout
浅谈精益布局实施步骤 在市场竞争日益激烈的今天，市场环境不断发生变化，大批量的生产方式已一去不复返，取而代之的为多品种小批量的生产方式。在这种生产方式下，制造企业传统的功能式布局模式日益凸显出其劣势：生产过程中七大浪费严重，在制品大量积压，产品的制造周期长……，造成企业的制造成本高居不下，不能快速响应市场的变化。众多企业管理者也在不断思考，企业如何降低库存，缩短制造周期？ 针对存在功能式布局模式的制造企业，我们给出的建议是实施精益布局，实现企业的流畅制造。那么企业如何实施精益布局？精益布局实施的步骤又是什么呢？下面就我在企业咨询过程中的实践经验谈谈个人心得。 在了解精益布局实施步骤之前，我们首先要弄清楚什么是精益布局。所谓精益布局是以现状布局为基础, 通过消除人、机、料、法、环各个环节上的浪费，来实现5者最佳结合的布局。 精益布局的目的：追求单件流 1. 提高工序能力； 2. 消除搬运； 3. 提高设备使用率； 4. 提高空间使用率； 5. 减少作业量； 6. 作业环境改善。 下面就来谈谈实施精益布局的步骤。首先要了解现状布局，因为现状布局是我们改善的基础。了解现状就要从以下方面着手调研：现状布局图、物流路线图、工艺流程图，通过充分了解现状，制定改善目标及改善方向。 确定了改善方向后，我们要选定试点区域重点推动。通过试点区域的快速见效以赢得客户的信心与信任。选取试点区域时要对产品产量分析并排序，选择产量大的产品系列，并结合现状布局选择投入少、见效快的产品系列作为试点。 试点区域及改善目标确定后，就要制定项目规划方案，并与高层沟通，得到高层对项目推动方案的认可，以便在项目推动过程中得到高层对项目的支持。要实现产品的“一个流”生产方式，就要从三个方面调研、分析并优化：第一、布局优化。按照最短路径原则优化工序间的物理位置，为实现工序间紧密衔接提供基础保证。第二、节拍平衡。节拍平衡是实现