电子电路第一章习题参及考答案

电子电路第一章习题参及考答案
电子电路第一章习题参及考答案

习题一

1-1 一个继电器的线圈,电阻为48Ω,当电流为0.18A 时才能动作,问线圈两端应施加多大的电压?

答:根据欧姆定律可得:U =IR =0.18*48=8.64V

1-2 一个1000W 的电炉,接在220V 电源使用时,流过的电流有多大? 答:由电路的功率计算公式可知:P =UI ,所以A 55.4220

1000==

=U

P I

1-3 求题图1-1(a)、(b)电路得U ab 。

解:(1)图(a),由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ,假定电流方向如图所示,沿a —电池—c —a 回路逆时针方向绕行一周,电压方程式为: -6+4I +2I =0 即得:I =1A

则U ac =2(-I )=-2V (或者U ac =-6+4I =-2V )

对于cb 支路:因为构不成回路,所以电流为零。故:U cb =4V #

所以:U ab =U ac +U cb =-2+4=2V #

(2)图(b),由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ,假定电流方向如图所示,与(a)同理在回路中列出电压方程为:

-3+1I +2I =0 即得:I =1A 则U ac =1(-I )=-1V (或者U ac =-3+2I =-1V )

对于cb 支路:因为构不成回路,所以电流为零。故:U cb =8V 所以:U ab =U ac +U cb =-1+8=7V #

1-7 电路如题图1-2所示,求

(1)列出电路得基尔霍夫电压定律方程;

(2)求出电流

(3)求U ab 及U cd

解:(1)假设电流的参考方向如图所示,对于db 支路,因为不构成回路,支路电流等于零,U db =10V

由a 点出发按顺时针方向绕行一周的KVL 电压方程式为:2I +12+1I +2I +2I +1I -8+2I =0

得:10I +4=0 #

(2)求电流 由上面得回路电压方程式得:

)A (4.010

4-=-

=I #

负号表示电流的实际方向与参考方向相反。

a 4Ω

b (a)

a

Ω b

(b)

题图1-1 习题1-3电路图

Ω

2Ω2Ω

2Ω2Ω

题图1-2 习题1-7电路图

(3)求U ab 及U cd

U ab =2I +12+1I +2I =5I +12=5×(-0.4)+12=10(V) # 又∵ U ab =U cd +10 ∴ U cd =U ab -10=0 # 1-8 电路如题图1-3所示,已知下列各电压:U 1=10V ,U 2=5V ,U 4=-3V ,U 6=2V ,U 7=-3V 以及U 12=8V ,其他各支路得电压是否都能确定?试尽可能多地确定各未知电压。

解:需要求的电压有U 3、U 5、U 8、U 9、U 10、U 11。根据KVL ,列出各回路的电压方程: 沿5—6—7回路:-U 5-U 6+U 7=0 -U 5-2-3 =0 得:U 5=-5(V) #

沿5—2—11—1回路:U 5+U 2+U 11-U 1=0 代入数据后得:U 11=10(V) #

沿2—6—12—4—10回路:-U 2+U 6-U 12+U 4-U 10=0 代入数据后得:U 10=-14(V) # 沿2—6—3—8回路:-U 2+U 6+U 3-U 8=0 代入数据后得:U 3- U 8=3(V) 沿1—7—3—8—11回路:-U 1+U 7+U 3-U 8+U 11=0 代入数据后得:U 3-U 8=3(V) 沿12—4—9—3回路:-U 12+U 4-U 9-U 3=0 代入数据后得:U 3+U 9=11(V) 根据后3个方程无法求出其余的3个电压,并且在后3个方程中有两个方程是相同的,因此只有两个独立方程,用两个方程解出3个未知量有无穷解。 1-9 电路如题图1-3所示,采用关联得参考方向,且已知下列各支路电流:I 1=2A ,I 4=5A ,I 7=-5A 以及I 10=-3A 。其他各支路电流是否都能确定?试尽可能多地确定各未知电流。

解:各支路电流采用关联参考方向,因此不在图中标出电流方向。除已知电流之外,还需求解6个未知电流。在图中标出节点a 、b 、c 、d 、e 、f 。 对f 节点:-I 9-I 10-I 4=0 代入数据得:I 9=-2(A) #

对a 节点:I 1+I 5+I 7=0 代入数据得:I 5=3(A) #

对其余的4个节点列出节点方程,必然有一个方程不独立,即3个独立方程要解出4个未知量,其有无穷多解。

1-9(补) 电路如题图1-3所示,采用关联得参考方向,试证明 I 1+I 2+I 3+I 4=0

I 7+I 6+I 8+I 10=0

解:运用KCL 定律

a 节点:I 1+I 5+I 7=0 ①

b 节点:-I 5+I 2+I 6=0 ②

c 节点:-I 7-I 6+I 3+I 4=0 ③ ①+②+③得:I 1+I 5+I 7 –I 5+I 2+I 6 –I 7-I 6+ I 3+I 4=0

∴ I 1+I 2+I 3+I 4=0

或者:用沿1—1截面∑I =0,也可证得:I 1+I 2+I 3+I 4=0 c 节点:-I 7-I 6+I 3+I 4=0 ④ e 节点:-I 3-I 8+I 9=0 ⑤ f 节点: -I 9-I 4-I 10=0 ⑥

1 U

题图1-3 习题1-8、1-9图

④+⑤+⑥得:-I 7-I 6+I 3 +I 4-I 3-I 8 –I 4-I 10=0

∴ I 6+I 7+I 8+I 10=0

或者:用沿2—2截面∑I =0,也可证得:I 6+I 7+I 8+I 10=0 1-10 标有10k Ω(称为标称值)、1/4W (称为额定功率)的金属膜电阻,若使用在直流电路中,试问其工作电流和工作电压不能超过多大数值?

答:已知R 和P ,根据R

U

R I P 2

2

=

=可知:

其最大工作电流为:mA 5005.010

104/13

==?=

=

A R

P I

其最大工作电压为:V 5010

104

13

=??=

=

PR U

1-11 220V 、40W 的灯泡显然比2.5V 、0.3A 的小电珠亮的多。求40W 灯泡额定电流和小电珠的额定功率。我们能不能说瓦数大的灯泡,所以它的额定电流也大?

答:40W 的灯泡的额定电流为:A 182.0220

40===

U P I

小电珠的额定功率为:W 75.03.05.2=?==UI P

显然小电珠的瓦数为0.75W ,灯泡的瓦数为40W ,灯泡的瓦数大于小电珠,但灯泡的额定电流为0.182A ,而小电珠的额定电流为0.3A ,所以不能说瓦数大的灯泡的额定电流一定大。

1-12 今将内阻为0.5Ω,量程为1A 的电流表误接到电源上,若电源电压为10V ,试问电流表将通过多大的电流?将发生什么后果?

答:电流表是串接在被测电路中,内阻为0.5Ω量程为1A 的电流表表示,当流过0.5Ω电阻中的电流不同,电流表的偏转也不同,但当电流达到1A 时,电流表的指针偏到最大值,若电流再增大就会造成指针偏转过大将指针打歪,甚至造成电流表的烧坏。若将电流表误接到10V 电源就等效如图所示情况,可知流过电流表的电流为10/0.5=20A ,电流表必烧坏无疑。

1-14 将题图1-5所示的各电路化为一个电压源与一个电阻串联的组合。 解:1-5(a)的解如下图所示:

图(b)的解法如下图所示:

1-15 将题图1-6所示的各电路化为一个电流源与一个电阻并联的组合。 解:1-6(a)的解法如下图所示:

图(b)的解法如下图所示:

1-17 电压如题图1-7(a)所示,施加于电容C 如题图1-7(b)所示,试求i (t ),并绘出波形图。

解:为求i (t),先由图(a)列出u (t)的函数关系为:

??

?≤≤+-=≤≤=4

2)

V (25.0)(20)V (5.0)(t t t u t t t u

根据i (t)与u (t)之间的微分关系,可以求得i (t)为:

???

???

?

≤≤-=+-?==≤≤=?==4

2)A (1)25.0(2)(2

0)A (1)5.0(2)(t dt t d dt du c t i t dt t d dt du c t i

(a) 题图1-7 习题1-17图

(b)

所求的电流波形如图(c)所示。

1-18 题图1-8所示电路中,已知u C (t )=te -t

,求i (t )及u L (t )。 解:因已知u c (t)= te -t (V),所以流过电容电流为: )A ()1()

(1)(t

t

c e

t dt

te d dt

du c

t i ---=?

==

该电流为图1-8回路电流。所以流过电感的电流也为该电流,则电感电压为:

)V ()2()1(1)()(t

t

L e

t dt

e

t d dt

t di L

t u ---=-?

==

R 题图1-8 习题1-18电路

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是③,输入电阻最小的电路是②,输出电阻最小的电路是③,频带最宽的电路是②;既能放大电流,又能放大电压的电路是①;只能放大电流,不能放大电压的电路是③;只能放大电压,不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。填空: (1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为;,U CEQ的表达式为 (2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为; (3)若减小R B,则I CQ将 A ,r bc将 C ,将 C ,R i将 C ,R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中, (1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数= 150;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻为1kΩ,则放大电路的输入电阻R i= 1 。 (2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 (3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路,其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用电容滤波电

电路与电子技术基础习题答案7

《电路与电子技术基础》参考解答 习题七 7-1 什么是静态工作点如何设置静态工作点若静态工作点设置不当会出现什么问题估算静态工作点时,应根据放大电路的直流通路还是交流通路 答:所谓静态工作点就是输入信号为零时,电路处于直流工作状态,这些直流电流、电压的数值在三极管特性曲线上表示为一个确定的点,设置静态工作点的目的就是要保证在被被放大的交流信号加入电路时,不论是正半周还是负半周都能满足发射结正向偏置,集电结反向偏置的三极管放大状态。 可以通过改变电路参数来改变静态工作点,这就可以设置静态工作点。 若静态工作点设置的不合适,在对交流信号放大时就可能会出现饱和失真(静态工作点偏高)或截止失真(静态工作点偏低)。 估算静态工作点是根据放大电路的直流通路。 7-2 试求题图7-1各电路的静态工作点。设图中的所有三极管都是硅管。 解:图(a)静态工作点 V R I U U mA I I A mA I c c cc ce b c b 3.14101107.9247.9194.050194194.010 1207 .024333 =???-=-==?===≈?-=-βμ 图(b)和图(c)的发射结反向偏置,三极管截止,所以I b =0,I c =βI b ≈0,三极管工作在截止区,U ce ≈U cc 。 图(d)的静态工作点 c R e R b 3V 6V R e R b 1 R e

) 1.3712(]10)212(1065.212[)]()6(6[65.226026.01 65.21027 .06333 --=?+??--=+----≈=≈=≈+= =?-= -e c c ce e c e b e R R I U mA I I A mA I I mA I μβ 依此I c 电流,在电阻上的压降高于电源电压,这是不可能的,由此可知电流要小于此值,即三极管工作在饱和状态。 图(e)的静态工作点 V R I U U mA I I I I mA I V U e e cc ce e b e c e B 3.161021085.3240475.01 8085.3185.310 27.08810310)6030(24333 3 3=???-=-==+=+=≈=?-==???+= -β 7-3 放大电路的输入电阻与输出电阻的含义是什么为什么说放大电路的输入电阻可以用来表示放大电路对信号源电压的衰减程度放大电路的输出电阻可以用来表示放大电路带负载的能力 答:输入电阻就是将放大电路看为一个四端元件,从输入端看入的等效电阻。即输入端的电压与输入端的电流之比。输出电阻也是将放大电路看作一个四端元件,从输出端看的等效电阻。即戴维南等效电路的内阻。 因为信号源为放大电路提供输入信号,由于信号源内阻的存在,因此当提供给放大电路的信号源是电压源串电阻的形式时,输入电阻越大,则放大电路对信号源的衰减越小;若信号源是电流源与电阻并联,则输入电阻越小,放大电路对信号源的衰减越小。 放大电路我们可以根据戴维南等效电路将其化简为一个电压源与电阻的串联形式,输出电阻可以看作一个电源的内阻,因此,输出电阻越小,放大电路的带负载能力越强。 请参看下图,可以增强对上面文字描述的理解。

电子技术复习题及答案

一、填空题 1、右图中二极管为理想器件, V1工作在_导通__ 状态;V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力,对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时,发射结__正向__偏置,集电结__反向__偏置, 工作在饱和区时,发射结__正向_偏置,集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式,负反馈电路有4种组合形式,即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用,他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种:逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制(0BF)转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中,属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___,属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器,应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ;八进制数是 173 ;十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器,其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时,输出的数字量为00H 和FFH,可求得当输入2V电压时,电路输出的数字量为: 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位,则它应设置地址线 8 条,输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM,扩展容量为1024字×8位RAM,则需要 8 片 1、在常温下,锗二极管的门槛电压约为 0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置,集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向,移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平,输出低电平和输出高阻态。 6、(101111)(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间,具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的,不连续的信号,称为(B ) A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中,不属于组合逻辑部件的是( D )。 A.译码器B.编码器 C.全加器D.寄存器

电子技术基础习题答案(优.选)

第1章检测题(共100分,120分钟) 一、填空题:(每空0.5分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 三、选择题:(每小题2分,共20分) 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是(C)。 A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。 A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,说明此三极管处在(A)。 A、放大区; B、饱和区; C、截止区; D、反向击穿区。 10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C) A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏; C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题:(每小题4分,共28分) 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③ 3.7V,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

模拟电子线路习题习题答案(DOC)

第一章 1.1 在一本征硅中,掺入施主杂质,其浓度D N =?214 10cm 3 -。 (1)求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值,并说明半导体为P 型或N 型。 (2 若再掺入受主杂质,其浓度A N =?31410cm 3 -,重复(1)。 (3)若D N =A N =1510cm 3 -,,重复(1)。 (4)若D N =16 10cm 3 -,A N =14 10cm 3 -,重复(1)。 解:(1)已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -,施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-,所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 (2)因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ,所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 (3)因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 (4)因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 (cm 3 -)>>i n ,所以,多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104(cm 3 -)

该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ,二极管直流管压降为0.7V 。 (1) 试求流过二极管的直流电流。 (2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少? 解:(1)流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流,即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 (1)设二极管为理想二极管,试问流过负载L R 的电流为多少? (2)设二极管可看作是恒压降模型,并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ,试问流过负载L R 的电流是多少? (3)设二极管可看作是折线模型,并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ,()Ω=20on D r ,试问流过负载的电流是多少? (4)将电源电压反接时,流过负载电阻的电流是多少? (5)增加电源电压E ,其他参数不变时,二极管的交流电阻怎样变化? 解:(1)100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3

林家儒 《电子电路基础》 课后习题答案

第一章 思考题与习题 1.1. 半导体材料都有哪些特性?为什么电子有源器件都是由半导体材料制成 的? 1.2. 为什么二极管具有单向导电特性?如何用万用表判断二极管的好坏? 1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管? 1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别?它们与通常电阻有什么不同? 1.5. 三极管的放大原理是什么?三极管为什么存在不同的工作状态? 1.6. 如图P1-1(a)所示的三极管电路,它与图P1-1(b)所示的 二极管有何异同? 1.7.稳压二极管为何能够稳定电压? 1.8.三极管的交、直流放大倍数有何区别?共射和共基电 流放大倍数的关系是什么? 1.9.三极管的输入特性和输出特性各是什么? 1.10. 如图P1-2所示,设I S =10-11A ,U T =26mV ,试计算 u i =0,0.3V ,0.5V ,0.7V 时电流I 的值,以及u i =0.7V 时二极管的直流和交流等效电阻。 解: 由I= I S *(exp(U i / U T )-1) 当U i =0时,I=0; 当U i =0.3V 时,I=1.026×10-6A ; 当U i =0.5V 时,I=2.248×10-3A ; 当U i =0.7V 时,I=4.927A ; 直流等效电阻R= U i /I = 0.7V/4.927A = 0.142 Ω ∵exp(U i / U T )>>1 ∴交流等效电阻R d = 26/I = 26/4927 = 5.277×10-3 Ω (a) (b) 图 P1-1 图P1-2 + - u i D i

1.11. 电路如图P1-3所示,二极管导通电压U D =0.7V , U T =26mV ,电源U =3.3V ,电阻R =1k Ω,电容C 对交流信号可视为短路;输入电压u i 为正弦波,有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少? 解:U =3.3V>>100mV , I =(U -U D )/R = (3.3-0. 7)/1k = 2.6 mA 交流等效电阻:R d = 26/I = 10 Ω 交流电流有效值:Id = Ui/Rd = 1 mA 1.1 2. 图P1-4(a)是由二极管D 1、D 2组成的电路,二极管的导通电压U D =0.3V 、 反向击穿电压足够大,设电路的输入电压u 1和u 1如图P1-4(b)所示,试画出输出u o 的波形。 解: 1.13. 如图P1-5所示电路,设二极管为理 想二极管(导通电压U D =0,击穿电压U BR =∞ ),试画出输出u o 的波形。 解: 5V u 1 t u 2 t 5V 图P1-4(a) 图P1-4(b) + D1 u 1 u o R u 2 D2 P1-5 R + - u o D 2 D 1 D 3 D 4 图P1-3 + - u i D R C U 4.7V u 0 t u o t

电路与电子技术基础习题答案

《电路与电子技术基础》参考解答 习题一 1-1 一个继电器的线圈,电阻为48Ω,当电流为0.18A 时才能动作,问线圈两端应施加多大的电压? 答:根据欧姆定律可得:U=IR=0.18*48=8.64V 1-2 一个1000W 的电炉,接在220V 电源使用时,流过的电流有多大? 答:由电路的功率计算公式可知:P=UI ,所以A 55.4220 1000===U P I 1-3 求题图1-1(a)、(b)电路得U ab 。 解:(1)图(a),由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ,假定电流方向如图所示,沿a —电池—c —a 回路逆时针方向绕行一周,电压方程式为: -6+4I+2I=0 即得:I=1A 则U ac =2(-I)=-2V (或者U ac =-6+4I=-2V ) 对于cb 支路:因为构不成回路,所以电流为零。故:U cb =4V # 所以:U ab =U ac +U cb =-2+4=2V # (2)图(b),由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ,假定电流方向如图所示,与(a)同理在回路中列出电压方程为: -3+1I+2I=0 即得:I=1A 则U ac =1(-I)=-1V (或者U ac =-3+2I=-1V ) 对于cb 支路:因为构不成回路,所以电流为零。故:U cb =8V 所以:U ab =U ac +U cb =-1+8=7V # 1-7 电路如题图1-2所示,求 (1)列出电路得基尔霍夫电压定律方程; (2)求出电流 (3)求U ab 及U cd 解:(1)假设电流的参考方向如图所示,对于db 支路,因为不构成回路,支路电流等于零, U db =10V 由a 点出发按顺时针方向绕行一周的KVL 电压方程式为:2I+12+1I+2I+2I+1I-8+2I=0 得:10I+4=0 # (2)求电流 由上面得回路电压方程式得: )A (4.010 4 -=- =I # 6V I 2Ω a 4Ω b c 4V 2Ω (a) I 1Ω 2Ω 3V c a 8V 5Ω b (b) 题图1-1 习题1-3电路图 I 12V 1Ω 2Ω 10V 2Ω a b c d 4Ω 2Ω 2Ω 8V 1Ω 题图1-2 习题1-7电路图

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

电子电路基础习题册参考答案-第三章

第三章放大器的负反馈 §3-1反馈的基本概念 一、填空题 1、放大器的反馈,就是将输出量(电压或电流)的一部分或全部,通过的电路形式送回到输入回路,并与输入量进行叠加 过程。 2、反馈放大器由基本放大和反馈电路两部分组成,能否从电路中找到是判断有无反馈的依据。 3、按反馈的极性分,有正反馈和负反馈,判断方法可采用瞬时极性法,反馈结果使净输入量减小的是负反馈,使净输入量增大的是正反馈。 4、按反馈信号从输出端的取样方式分,有电压反馈与电流反馈;按反馈信号与输入信号的连接方式分,有串联反馈和并联反馈。采用输出短路法,可判断是电压反馈还是电流反馈;采用输入短路法,可判断是串联反馈还是 并联反馈,对常用的共发射极放大器,若反馈信号加到三极管基极为并联反馈,加到三极管发射极为串联反馈。 5、按反馈的信号分,有直流反馈和交流反馈。直流负反馈主要用于稳定放大器的静态工作点,交流负反馈可以改善放大器的动态特性。 二、判断题 1、瞬时极性法既能判断反馈的对象,也能判断反馈的极性。(对) 2、串联负反馈都是电流负反馈,并联负反馈都是电压反馈。(错) 3、将负反馈放大器的输出端短路,则反馈信号也随之消失。(错) 4、在瞬时极性法判断中,+表示对地电压为正,—表示对地电压为负。(错) 5、在串联反馈中,反馈信号在输入端是以电压形式出现,在并联反馈中,反馈信号在输入端是以电流形式出现。(对) 三、选择题 1、反馈放大短路的含义是(C )。 A.输入与输出之间有信号通路 B.电路中存在反向传输的信号通路 C.除放大电路外,还有反向传输的信号通路 2.图3-1-1所示为某负反馈放大电路的一部分,Re1引入(C ),Re2引入(B )。

电路电子技术习题及参考答案

一、单项选择题(每题2分,共20分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.图示电路中,E 、I K 均为正值时,其工作状态是( B ) A .两者均输出功率 B .电压源输出功率 C .电流源输出功率 D .两者均不输出功率 2.直流电路如图所示,下列求功率的式子中正确的是( D ) A .R 1的功率1 2 1R U P = B .R 1的功率P 1=UI 1 C .R 3的功率P 3=I 2R 3 D .R 3的功率3 2 3R U P = 3.理想电流源的电流( D ) A.与外接元件有关 B.与参考点的选取有关 C.与其两端电压有关 D.与其两端电压无关 4 .题4图所示电路中,a 点电位等于( C ) A.1V B.11V C.4V D.6V 5.题5图所示电路中A 、B 两端的电压U 为( B ) A.5V B.3V C.7V D.0V 6.已知某正弦交流电压:U=220V ,f=50Hz ,初相为60°,则其正确的瞬时表达式为( D ) A.u=220sin(50t+60°)V B.u=220sin(314t+60°)V C.u=311sin(50t+60°)V D.u=311sin(314t+60°)V 7.在关联参考方向下,电容元件的电流与电压之间的伏安关系为( A ) A.i=C dt du B.u=C dt di C.i=-C dt du D.u=-C dt di 8.题8图所示电路中ω=2rad/s ,ab 端的等效阻抗Z ab 为( C ) A.(1-j1.5)Ω 4题图 5题图

《电子电路基础》习题解答第1章

第一章习题解答 题 电路如题图所示,试判断图中二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压UAO。设二极管是理想的。 解: 分析:二极管在外加正偏电压时是导通,外加反偏电压时截止。正偏时硅管的导通压降为~。锗管的导通压降为~。理想情况分析时正向导通压降为零,相当于短路;反偏时由于反向电流很小,理想情况下认为截止电阻无穷大,相当于开路。 分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”,即:先假设二极管所在支路断开,然后计算二极管的阳极(P 端)与阴极(N 端)的电位差。若该电位差大于二极管的导通压降,该二极管处于正偏而导通,其二端的电压为二极管的导通压降;如果该电位差小于导通压降,该二极管处于反偏而截止。如果电路中存在两个以上的二极管,由于每个二极管的开路时的电位差不等,以正向电压较大者优先导通,其二端电压为二极管导通压降,然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。一般情况下,对于电路中有多个二极管的工作状态判断为:对于阴极(N 端)连在一起的电路,只有阳极(P 端)电位最高的处于导通状态;对于阳极(P 端)连在一起的二极管,只有阴极(N 端)电位最低的可能导通。 图(a )中,当假设二极管的VD 开路时,其阳极(P 端)电位P U 为-6V ,阴极(N 端)电位 N U 为-12V 。VD 处于正偏而导通,实际压降为二极管的导通压降。理想情况为零,相当 于短路。所以 V U AO 6-=; 图(b )中,断开VD 时,阳极电位V U P 15-=,阴极的电位V U N 12-=, ∵ N P U U < ∴ VD 处于反偏而截止 ∴ V U AO 12-=; 图(c ),断开VD1,VD2时 ∵ V U P 01= V U N 121 -= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U < ∴ VD1处于正偏导通,VD2处于反偏而截止 V U AO 0=; 或,∵ VD1,VD2的阴极连在一起 ∴ 阳极电位高的VD1就先导通,则A 点的电位 V U AO 0=,

模拟电子电路基础答案第四章答案

简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别:对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管,简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区,并简述工作原理。 解:耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道,连通了源区和漏区,也就是说,耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。 氧化层 源极(S稠极(G) /涌极(D) 甘底WB) (a) 随着役逐渐增人,栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴,当空穴数量达到?定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了?个''新的P型区”,它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上?个负电压bs,那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动,从而形成电流,把该电流称为漏极电流,记为当咲?定,而l,SD持续增人时,则相应的1&;减小,近漏极端的沟道深度进-步减小,直至沟道预夹断,进入饱和区。电流咕不再随的变化而变化,而是?个恒定值。 考虑?个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。求下列情况下的漏极电流: (1)Ks = 5V且仏二IV: (2)= 2V 且仏二: (3)Vis = J L =: (4)Ks = ^ = 5Vo (1)根据条件v GS^V;, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。 Z D = K 7;[(V GS _V t)V DS - | V DS = (2)根据条件v GS^V;, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。 (3)根据条件该场效应管工作在截止区,咕=0 (4)根据条件匕2?,%>(沧一?),该场效应管工作在饱和区B =4;学(心 -%)SmA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线,试判断它们的类型,并确宦夹断电压或开启电压值。

电子电路基础第二章答案

习题答案 2-2 电路如题图2-2所示,已知30Ω电阻中的电流I 4=0.2A ,试求此电路的总电压U 及总电流I 。 解: 如上图所示,可得 V 901009.010090A 9.03010A 6.02A 3.02060 306030A 1.05.0323254345=?==Ω =+==+=Ω =+====+=Ω=+?= ==IR U R R I I I R R I I I I I R I I ac bc ac bc 2-6 六个相等电阻R ,各等于20Ω,构成一个闭合回路(题图2-6所示)。若将一外电源依次作用a 和b ,a 和c ,a 和d 之间,求在各种情况下的等效电阻。 Ω 题图2-2 习题2-2电路图 Ω 习题2-2电路图

解: 如上图所示,若将电源作用于a 和b ,则有 Ω =====350 65//52 2121R R R R R R R R R ab 同理,若将电源作用于a 和c ,则有 Ω =====380 68//422 2121R R R R R R R R R ac 若将电源作用于a 和d ,则有 Ω =====3069//332 2121R R R R R R R R R ad 题图2-6 习题2-6电路

2-11 试为题图2-11所示的电路,写出 (1) 基尔霍夫电流定律独立方程(支路电流为未知量); (2) 基尔霍夫电压定律独立方程(支路电流为未知量); (3) 网孔方程; (4) 节点方程(参考节点任选)。 解: 如上图所示。 (1) 由KCL ,有 00 524321164=--=--=--I I I I I I I I I (2) 由KVL ,有 I I 5

电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案

34.如图2.5所示的功率放大电路处于乙类工作状态;其静态损耗为0 ;电路的最大输出功率为L CC R V 2 2 ;每个晶体管的管耗为最大输出功率的0.2倍。 35.差分电路的两个输入端电压分别为U i1=2.00V,U i2=1.98V,则该电路的差模输入电压U id为0.02V,共模输入电压U ic 为1.99V。 36.直流通路是指在直流电源作用下直流电流流经的通路,交流通路是指在信号源作用下交流电流流经的通路。画直流通路时电容可视为开路,电感可视为短路;画交流通路时容量大的电容和无内阻的直流电压源可视为短路。 37.共射放大电路的特点是电压放大倍数较大,共集放大电路的特点是输入电阻较大。 三、问答题 1.什么是非线性失真?说明产生非线性失真的原因。分别说明静态工作点偏高和偏低时会产生什么失真。 答:(1)非线性失真是指由于三极管的非线性特性所引起的失真。 (2)产生的原因:静态工作点设置不合适。 (3)静态工作点设置偏高时会产生饱和失真。 (4)偏低时会产生截止失真。 2.什么是放大电路的直流通路?什么是放大电路的交流通路?说明画直流通路和交流通路的方法。 答:(1)直流通路:直流电流流过的通路。 (2)交流通路:交流电流流过的通路。 (3)画直流通路的方法:电容开路。(若有电感,则电感短路) (4)画交流通路的方法:电容短路,令直流电源电压=0。 3.负反馈能改善放大电路的哪些性能? 答:负反馈改善放大电路的性能:稳定放大倍数;改善非线性失真;抑制环内干扰和噪声;改变输入电阻;改变输出电阻;展宽通频带;稳定被取样对象。 4. 判断图3.1所示电路级间反馈的反馈极性、反馈组态。 答:RF1——电压串联负反馈;RF2——电流并联负反馈 5.正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是什么?起振条件是什么? V 12 + i U + - F2 R Ω 7k 4 c1 R e1 R Ω .5k 1 + c2 R e2 R Ω k2 L R - o U 1 VT 2 VT + + F1 R Ω 0k 3 1 C 2 C 图3.1

电子技术基础习题带答案

【理论测验】 一、单项选择题: 1.不属于对助焊剂的要求的是(C ) A、常温下必须稳定,熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性,较低的表面张力,粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用,焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体,熔化时不产生飞溅或飞沫 2.松香酒精溶液的松香和酒精的比例为(B ) A、1:3 B、3:1 C、任何比例均可 3.烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头,使用寿命长的烙铁头是( A ) A、合金头 B、纯铜头 4.焊接一般电容器时,应选用的电烙铁是( A ) A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5.150W外热式电烙铁采用的握法是( B ) A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6.印刷电路板的装焊顺序正确的是(C ) A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小。7.在更换元器件时就需要拆焊,属于拆焊用的工具的是(A ) A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1.焊点出现弯曲的尖角是由于(AB ) A、焊接时间过长,烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多,烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2.焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是(A ) A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 3.75W外热式电烙铁(B ) A、一般做成直头,使用时采用握笔法 B、一般做成弯头,使用时采用正握法 C、一般做成弯头,使用时采用反握法 D、一般做成直头,使用时采用正握法4.下列电烙铁适合用反握法的是( D ) A、20W B、35W C、60W D、150W 5.20W内热式电烙铁主要用于焊接( D ) A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对6.焊点表面粗糙不光滑( B ) A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 7.电烙铁“烧死”是指( C ) A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多,温度很高 C、烙铁头氧化发黑,烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断,不再发热

电路与模拟电子技术基础(第2版)-习题解答-第8章习题解答

第8章 滤波电路及放大电路的频率响应 习 题 8 8.1 设运放为理想器件。在下列几种情况下,他们分别属于哪种类型的滤波电路(低通、高通、带通、带阻)?并定性画出其幅频特性。 (1)理想情况下,当0f =和f →∞时的电压增益相等,且不为零; (2)直流电压增益就是它的通带电压增益; (3)理想情况下,当f →∞时的电压增益就是它的通带电压增益; (4)在0f =和f →∞时,电压增益都等于零。 解:(1)带阻 (2)低通 (3)高通 (4)带通 V A (2)理理理理 (3)理理理理 (4)理理理理 (1)理理理理 H A A A A V A V A V A 8.2 在下列各种情况下,应分别采用哪种类型(低通、高通、带通、带阻)的滤波电路。 (1)希望抑制50Hz 交流电源的干扰; (2)希望抑制500Hz 以下的信号; (3)有用信号频率低于500Hz ; (4)有用信号频率为500 Hz 。 解:(1)带阻 (2)高通 (3)低通(4)带通 8.3 一个具有一阶低通特性的电压放大器,它的直流电压增益为60dB ,3dB 频率为1000Hz 。分别求频率为100Hz ,10KHz ,100KHz 和1MHz 时的增益。 解:H Z o 100H ,60dB f A ==,其幅频特性如图所示

3dB -20dB/理 理理理 20 40 60 f/Hz Z v 20lg /dB A ? ??(a)理理理理 u 100Hz,60dB f A == u H 10KHz,6020lg 40,40dB f f A f =-== u H 100KHz,6020lg 20,20dB f f A f =-== u H 10MHz,6020lg 0,0dB f f A f =-== 8.4 电路如图8.1所示的,图中C=0.1μF ,R=5K Ω。 (1)确定其截止频率; (2)画出幅频响应的渐进线和-3dB 点。 图8.1 习题8.4电路图 解:L 36 11 318.3(Hz)225100.110 f RC ππ--= ==????

电子电路基础习题册参考答案-第一章

电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。 5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。

7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M 相接时,A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V. 13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、 流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

电子电路第十二章习题及参考答案

习题十二 12-1 写出题图12-1所示逻辑电路输出F 的逻辑表达式,并说明其逻辑功能。 解:由电路可直接写出输出的表达式为: 301201101001301201101001D A A D A A D A A D A A D A A D A A D A A D A A F +++==??? 由逻辑表达式可以看出: 当A 1A 0=00 F =D 0 A 1A 0=01 F =D 1 A 1A 0=10 F =D 2 A 1A 0=11 F =D 3 这个电路的逻辑功能是,给定地址A 1A 0以后,将该地址对应的数据传输到输出端F 。 12-2 组合逻辑电路如题图12-2所示。 (1)写出函数F 的表达式; (2)将函数F 化为最简“与或”式,并用“与非”门实现电路; (3)若改用“或非”门实现,试写出相应的表达式。 解:(1)逻辑表达式为:C A D B D C B A F += (2)化简逻辑式 C A D B D B C A C A D B D C A D B C A D C B BC A C A D B A C A D B D C B A C A D B D C B A F +=+++++=++++++=++++=+=?)1()1())(()( 这是最简“与或”表达式,用“与非”门实现电路见题解图12-2-1,其表达式为: C A D B F ?= (3)若用“或非”门实现电路见题解图12-2-2,其表达式为: C A D B C A D B C A D B C A D B F +++=+++=++=+=))(( 由图可见,对于同一逻辑函数采用不同的门电路实现,所使用的门电路的个数不同,组合电路的速度也有差异,因此,在设计组合逻辑电路时,应根据具体不同情况,选用不同的门电路可使电路的复杂程度不同。 A A 3210 题图12-1 习题12-1电路图

模拟电子电路基础答案(胡飞跃)第四章答案

4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别;对于适当的电压偏置(V DS >0V ,V GS >V T ),画出P 沟道增强型MOS 场效应管,简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区,并简述工作原理。 解:耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道,连通了源区和漏区,也就是说,耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大,栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴,当空穴数量达到一定时,栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度,从而形成了一个“新的P 型区”,它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ,那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动,从而形成电流,把该电流称为漏极电流,记为D i 。当SG v 一定,而SD v 持续增大时,则相应的DG v 减小,近漏极端的沟道深度进一步减小,直至DG t v V =,沟道预夹断,进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化,而是一个恒定值。 4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ,其n k '= 50μA/V 2,V t = 1V ,以及W /L = 10。求下列情况下的漏极电流: (1)V GS = 5V 且V DS = 1V ; (2)V GS = 2V 且V DS = 1.2V ; (3)V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ; (4)V GS = V DS = 5V 。 (1) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V <-,该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 1W i k v V v v ??'=--???? =1.75mA (2) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V >-,该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <,该场效应管工作在截止区,D 0i = (4) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V >-,该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 1W i k v V '=-=4mA 4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线,试判断它们的类型,并确定夹断电压或开启电压值。

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