2021年上海大学912模拟电子技术考研精品资料之孙肖子《模拟电子电路及技术基础》复习提纲

模拟电子电路及技术基础复习提纲

第一章常用半导体器件

重点与难点：晶体二极管的基本特性、晶体三极管的基本特性、场效应管基本特性。

复习要求：了解 PN 结内部的主要物理过程，熟悉晶体二极管的外在特性（伏安特性、温度特性等），理解二极管方程和反向饱和电流的物理意义；理解放大、饱和和截止三种状态下晶体三极管内部的主要物理过程；理解共发射极组态的输入、输出特性和温度特性以及结电

容与偏置的关系；理解结型场效应管和增强型、耗尽型 MOS 场效管的工作原理及它们之间的主要异同；掌握场效应管的主要性能与特点。

复习内容：

1.1 半导体基础知识

1、本征半导体电子和空穴复合载流子浓度电场作用下的漂移运动

2、杂质半导体 N 型半导体P 型半导体浓度梯度和扩散

3、PN 结 PN 结的形成内电场扩散运动漂移运动 PN 结正向偏置 PN 结反向偏置 PN 结的电流方程 PN 结的伏安特性 PN 结势垒电容和扩散电容

1.2 半导体二极管

1、半导体二极管的几种常见结构

2、二极管的伏安特性开启电压

3、二极管的主要参数

4、二极管的等效电路

5、稳压二极管伏安特性与主要参数

6、其它类型二极管发光二极管光电二极管

1.3 双极型晶体管

1、晶体管的结构及类型

2、晶体管的电流放大作用晶体管内部载流子的运动晶体管的电流分配关系晶体管的共射电流放大系数

3、晶体管的共射特性曲线输入特性曲线输出特性曲线截止区放大区

饱和区

4、晶体管的主要参数

5、温度对晶体管特性及参数的影响温度对 ICBO的影响温度对输入特性的影响

温度对输出特性的影响

6、光电三极管

1.4 场效应管

1、结型场效应管工作原理结型场效应管的特性曲线可变电阻区恒流区夹断区

2、绝缘栅型场效应管 N 沟道增强型MOS管工作原理与特性曲线 P沟道增强型MOS管VMOS管

3、场效应管的主要参数

4、场效应管与晶体管的比较

1.5 单结晶体管和晶闸管

1、单结晶体管

2、晶闸管

1.6 集成电路中的元件

1、集成电路制造工艺简介

2、集成双极型管

3、集成单极型管

4、集成电路中元件的特点

第二章基本放大电路

重点与难点：放大电路的主要性能指标；共射放大电路放大器的等效电路分析方法（采用低频 h 参数等效电路）；共集和共基放大电路作分析讨论；图解法分析放大电路；偏置电路的基本概念和计算。

复习要求：掌握放大电路的主要性能指标；理解共射放大电路放大器的等效电路分析方法（采用低频h参数等效电路）；理解共集和共基放大电路的原理；掌握图解分析方法；掌握偏置电路的基本概念和计算。

复习内容：

2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标

1、放大的概念

2、放大电路的性能指标放大倍数输入电阻输出电阻通频带非线性失真系数最大不失真输出电压最大输出功率与效率

2.2 基本共射放大电路的工作原理

1、基本共射放大电路的组成及各元件的作用

2、设置静态工作点的必要性

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