电子技术试题及答案
21.三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
1．在半导体中，两种基本载流子是自由电子和空穴。
2.要使三极管具有放大作用，发射结应＿正偏＿＿，集电结应＿反偏＿＿。
3．某基本放大电路，若电路原来没有失真，后换了一个β值大的晶体管后，发生了失真，那么这是＿饱和＿＿失真。
4. 温度升高时，三级管的共射输入特性曲线将＿左移＿＿，输出特性曲线将＿上移＿＿，而且输出特性曲线之间的间隔将＿增大＿＿。
5.小功率稳压电路由电源变压器、整流电路、＿滤波电路＿＿和稳压电路组成。
6．(9A)16=( 10011010 )2=( 232 )8=( 154 )10。
7．三态门的三个状态分别是＿高电平（1）＿、＿低电平（0）＿、＿高阻态＿。
8. 组合逻辑电路的特点是＿没有＿记忆功能；时序逻辑电路的特点是＿具有＿记忆功能。
9. 编码器有10个输入，则输出应有＿4＿位。
10. D触发器的次态方程是Q1 n=＿＿。
11. 欲将一个存放在移位寄存器中的二进制数乘以16，需要＿4＿个移位脉冲。
二、选择题
1、用一只伏特表测量一只接在电路中的稳压二极管的电压，读数只有 0.7 伏，这种情况表明该稳压二极管（B）。
（A）工作正常（B）接反
（C）处于击穿状态（D）以上各项都不是
2、晶体管工作在放大区时的偏置状态为（C ）。
（A） b与e极，b与 c极间均正向偏置
（B）b与e极，b与 c极间均反偏
（C） b与e极间正偏，b与c极间反偏
（D）b与e极间反偏，b与c极间正偏
3、单相半波整流电路，如果电变压器副边电压V2=100V，则负载电压 Vo将是(B)。
（A）100V （B）45V （C）90V （D）60V
4、直流负反馈是指（C）。
（A）直接耦合放大电路中所引入的负反馈
（B）只有放大直流信号时才有的负反馈
（C）在直流通路中的负反馈
（D）以上各项都不是
(B)
6.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（C）。
（A）电阻阻值有误差（B）晶体管参数的分散性
（C）晶体管参数受温度影响（D）电源电压不稳定
7、一位十六进制数可以用（C）位二进制数来表示。
（A）1 （B）2 （C）4 （D）16
8、下列四个数中与十进制数（163）10不相等的是（D）。
（A）（A3）16 （B）（10100011）2
（C）（000101100011）8421BCD （D）（100100011）8
9、一个8选一数据选择器的数据输入端有（D）个。
（A）1 （B）2 （C）3 （D）8
10、用与非门组成的基本RS触发器的所谓“状态不定”，是发生在R、S端同时加入信号（A）时。
（A）R=0，S=0；（B）R=0，S=1；
（C）R=1，S=0；（D）R=1，S=1。
11、用0、1两个符号对100个信息进行编码，则至少需要（B）
(A) 8位 (B) 7位 (C) 9位 (D) 6位
13、一只四输入端与非门，使其输出为0的输入变量取值组合有（D）种。
(A) 15 (B) 8 (C) 7 (D) 1
14.已知某电路的真值表如题表所示，该电路的逻辑表达式为（C）。
（A）F=C （B）F=ABC （C）F=AB+C （D）都不是
17、下列电路中，不属于组合逻辑电路的是（C）。
（A）译码器（B）全加器
（C）寄存器（D）编码器
18.题图所示为某时序逻辑电路的时序图，由此可判定该时序电路具有的功能是（A）。
（A）十进制计数器（B）九进制计数器（C）四进制计数器（D）八进制计数器
19.由555定时器构成的电路如题图所示，该电路的名称是（C）。
（A）单稳态触发器
（B）施密特触发器
（C）多谐振荡器
（D）RS触发器
1. 在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（ C ）
A.带正电
B.带负电
C.不带电
D.不能确定
2. 工作在饱和状态NPN型晶体管，其三个极的电位应为＿A＿。
A.VE B.VE C.VB >VE，VB< VC，VE >VC D. 以上都不对。 3. 在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察Uo和Ui的波形，当放大电路为共射电路时，则Uo和Ui的相位（ B ） A. 同相 B. 反相 C. 相差90° D.不定 4. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ B ）。 A.输入信号所包含的干扰和噪声 B.反馈环内的干扰和噪声 C.反馈环外的干扰和噪声 D.输出信号中的干扰和噪声 5. 设F=AB+D C ，则它的非函数是＿B ＿。 A. F =（A+B ）（D C +） B.F =（B A +）（C+D ） C. F = D C B A +?+ D.F = D C AB ? 6. 最小项D C B A 的相邻项是＿B ＿。 A. ABCD B. D C B A C. A BCD D. D C B A 7. 在放大电路中，静态工作点设置的过高，易产生（ A ）失真。 A 、饱和 B 、截止 C 、频率 D 、无法说明 8.晶体管的开关作用是 ( A )。 (a) 饱合时集—射极接通，截止时集—射极断开 (b) 饱合时集—射极断开，截止时集—射极接通 (c) 饱合和截止时集—射极均断开 9．有一个与非门构成的基本ＲＳ触发器，欲使其输出状态保持原态不变，其输入信号应为＿＿＿D ＿。 Ａ. Ｓ＝Ｒ＝０ B. Ｓ＝０ Ｒ＝１ Ｃ. Ｓ＝１ Ｒ＝０ Ｄ. Ｓ＝Ｒ＝１ 10．对于ＪＫ触发器，输入Ｊ＝０，Ｋ＝１，CP 脉冲作用后，触发器的状态为＿A ＿。 Ａ.０ Ｂ.１ Ｃ.保持不变 Ｄ. 翻转 三、判断题 1、(× )用万用表测二极管的反向电阻时，黑表棒应接二极管的正极，红表棒应接二极管的负极。 2、(√ )晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。 3、（×）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。 4、(×)欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入电压并联负反馈。 5、(√)欲将正弦波电压叠加上一个直流量，可选用加法运算电路。 6、（√）一个理想的差动放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 7、（×）反相比例运算电路中引入了一个负反馈，同相比例运算放大电路中引入了一个正反馈。 8、（√）整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。 由与非门构成的基本RS 触发器如题图所示，已知输入端的电压波形，是画出与之对应的 的波形。 《电路与电子技术基础》期末考试试卷（A） 时间：120分钟 班级学号姓名成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔，作图可以用铅笔； · 2.除可以携带指定的文具用品（钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器）外，其他物品不准带入考场（手机必须关机，参考资料与书包全部放到教室前面）； 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题，可以先举手，经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题（本题共40分，每题2分，将你认为正确的选项对应的字母填在括号内） 1．测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示：该管为（）。 A. PNP型硅管 B. NPN型硅管 C. PNP型锗管 ~ D. NPN型锗管 2．正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（）。 A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性曲线所有区域 3．组合逻辑电路的设计是指（）。 A. 已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 B. 已知逻辑要求，列真值表的过程 C. 已知逻辑图，求解逻辑功能的过程 . 4．考试题图2所示电路的u S (t) = 2 cos t V，则电感电流 i L(t)的初相等于（）。 A. ° B. －° C. ° D. －° 5．电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是（）。 A. 减小输入电阻及输出电阻 B. 减小输入电阻、增大输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 D. 增大输入电阻及输出电阻 6．考试题图3所示电路中的电压U为（）。 A. 5V B. -5V C. 10V ] ①② -2V ③ -8V ' u s(t 《电路与电子技术基础》2004~2005学年第二学期期末考试试卷（A） 时间：120分钟 班级学号姓名成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔，作图可以用铅笔； 2.除可以携带指定的文具用品（钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器）外，其他物品不准带入考场（手机必须关机，参考资料与书包全部放到教室前面）； 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题，可以先举手，经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题（本题共40分，每题2分，将你认为正确的选项对应的字母填在括号内） 1．测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示：该管为（）。 A. PNP型硅管 B. NPN型硅管 C. PNP型锗管 D. NPN型锗管 2．正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（）。 A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性曲线所有区域 3．组合逻辑电路的设计是指（）。 A. 已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 B. 已知逻辑要求，列真值表的过程 C. 已知逻辑图，求解逻辑功能的过程 4．考试题图2所示电路的u S (t) = 2 cos t V，则电感电流 i L(t)的初相等于（）。 A. 26.6° B. －26.6° C. 63.4° D. －63.4° 5．电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是（）。 A. 减小输入电阻及输出电阻 B. 减小输入电阻、增大输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 D. 增大输入电阻及输出电阻 6．考试题图3所示电路中的电压U为（）。 A. 5V B. -5V C. 10V D. 7V 7．TTL与非门中多余的输入端应接电平是（）。 考试题图3 ① -2V ③-2.2V -8V 考试题图1 考试题图2 u s(t （供学生平时课程学习、复习用，●为重点） 第一章绪论 1.电力电子技术：信息电子技术----信息处理，包括：模拟电子技术、数字电子技术 电力电子技术----电力的变换与控制 2. ●电力电子技术是实现电能转换和控制，能进行电压电流的变换、频率的变换及相 数的变换。 第二章电力电子器件 1.电力电子器件分类：不可控器件：电力二极管 可控器件：全控器件----门极可关断晶闸管GTO电力晶体管GTR 场效应管电力PMOSFET绝缘栅双极晶体管IGBT及其他器件 ☆半控器件----晶闸管●阳极A阴极K 门极G 2.晶闸管 1）●导通：当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触电电流的情况晶闸管才能开通。 ●关断：外加电压和外电路作用是流过晶闸管的电流降到接近于零 ●导通条件：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流 ●维持导通条件：阳极电流大于维持电流 当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才会开通。 当晶闸管导通，门极失去作用。 ●主要参数：额定电压、额定电流的计算，元件选择 第三章 ●整流电路 1.电路分类：单相----单相半波可控整流电路单相整流电路、桥式（全控、半控）、单相全波可控整流电路单相桥式（全控、半控）整流电路 三相----半波、●桥式（●全控、半控） 2.负载：电阻、电感、●电感+电阻、电容、●反电势 3.电路结构不同、负载不同●输出波形不同●电压计算公式不同 单相电路 1.●变压器的作用：变压、隔离、抑制高次谐波（三相、原副边星/三角形接法） 2.●不同负载下，整流输出电压波形特点 1）电阻电压、电流波形相同 2）电感电压电流不相同、电流不连续，存在续流问题 3）反电势停止导电角 3.●二极管的续流作用 1）防止整流输出电压下降 2）防止失控 4.●保持电流连续●串续流电抗器，●计算公式 5.电压、电流波形绘制，电压、电流参数计算公式 三相电路 1.共阴极接法、共阳极接法 2.触发角ā的确定 3.宽脉冲、双窄脉冲 4.●电压、电流波形绘制●电压、电流参数计算公式 5.变压器漏抗对整流电流的影响●换相重叠角产生原因计算方法 6.整流电路的谐波和功率因数 ●逆变电路 1.●逆变条件●电路极性●逆变波形 2.●逆变失败原因器件触发电路交流电源换向裕量 3.●防止逆变失败的措施 4.●最小逆变角的确定 触发电路 1.●触发电路组成 2.工作原理 3.触发电路定相 第四章逆变电路 11级电子技术基础期末复习资料 一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管 的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是 自由电 子 ，少数载流子是 空穴 。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ；三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) , 电感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A —— (B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将 不允许（或不存 在） 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。 《电路与电子技术基础》参考解答 习题七 7-1 什么是静态工作点如何设置静态工作点若静态工作点设置不当会出现什么问题估算静态工作点时，应根据放大电路的直流通路还是交流通路 答：所谓静态工作点就是输入信号为零时，电路处于直流工作状态，这些直流电流、电压的数值在三极管特性曲线上表示为一个确定的点，设置静态工作点的目的就是要保证在被被放大的交流信号加入电路时，不论是正半周还是负半周都能满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的三极管放大状态。 可以通过改变电路参数来改变静态工作点，这就可以设置静态工作点。 若静态工作点设置的不合适，在对交流信号放大时就可能会出现饱和失真（静态工作点偏高）或截止失真（静态工作点偏低）。 估算静态工作点是根据放大电路的直流通路。 7-2 试求题图7-1各电路的静态工作点。设图中的所有三极管都是硅管。 解：图(a)静态工作点 V R I U U mA I I A mA I c c cc ce b c b 3.14101107.9247.9194.050194194.010 1207 .024333 =???-=-==?===≈?-=-βμ 图(b)和图(c)的发射结反向偏置，三极管截止，所以I b =0，I c =βI b ≈0，三极管工作在截止区，U ce ≈U cc 。 图(d)的静态工作点 c R e R b 3V 6V R e R b 1 R e ) 1.3712(]10)212(1065.212[)]()6(6[65.226026.01 65.21027 .06333 --=?+??--=+----≈=≈=≈+= =?-= -e c c ce e c e b e R R I U mA I I A mA I I mA I μβ 依此I c 电流，在电阻上的压降高于电源电压，这是不可能的，由此可知电流要小于此值，即三极管工作在饱和状态。 图(e)的静态工作点 V R I U U mA I I I I mA I V U e e cc ce e b e c e B 3.161021085.3240475.01 8085.3185.310 27.08810310)6030(24333 3 3=???-=-==+=+=≈=?-==???+= -β 7-3 放大电路的输入电阻与输出电阻的含义是什么为什么说放大电路的输入电阻可以用来表示放大电路对信号源电压的衰减程度放大电路的输出电阻可以用来表示放大电路带负载的能力 答：输入电阻就是将放大电路看为一个四端元件，从输入端看入的等效电阻。即输入端的电压与输入端的电流之比。输出电阻也是将放大电路看作一个四端元件，从输出端看的等效电阻。即戴维南等效电路的内阻。 因为信号源为放大电路提供输入信号，由于信号源内阻的存在，因此当提供给放大电路的信号源是电压源串电阻的形式时，输入电阻越大，则放大电路对信号源的衰减越小；若信号源是电流源与电阻并联，则输入电阻越小，放大电路对信号源的衰减越小。 放大电路我们可以根据戴维南等效电路将其化简为一个电压源与电阻的串联形式，输出电阻可以看作一个电源的内阻，因此，输出电阻越小，放大电路的带负载能力越强。 请参看下图，可以增强对上面文字描述的理解。 模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 广东省高级技工学校江门分校 2013～2014学年第一学期期末考试试卷 考试科目：电路与模拟电子技术 类别：理论 试卷适用专业（计算机应用与维修） 考核时间：90分钟 一、填空题（本大题共12小题，每空1分，共35分） 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1、用戴维南定理求等效电路的电阻时，对原网络内部电压源作_短路_处理，电流源作__开路_处理。 2、理想电压源输出的 _电压 值恒定，输出的 电流由它本身和外电路共同决定；理想电流源输出的 电流 值恒定，输出的 电压 由它本身和外电路共同决定。 3、已知正弦交流电压()V 60314sin 22200+=t u ，它的最大值为__311伏_，有效值为_220V ，角频率为___314弧度每秒，相位为__314t+60o_，初相位为_60o__。 4、电阻元件上的电压、电流在相位上是 _同相 关系；电感元件上的电压、电流相位 _相差90° ；且电压_滞后 电流；电容元件上的电压、电流相位 __90° ，且电压 _超前 电流。 5、电感元件能存储_磁场_能 6．PN 结正偏时_导通_，反偏时__截止_，所以PN 结具有_单向导电性。 7．漂移电流是反向_电流，它由_少数载流子形成，其大小与_温度_有关，而与外加电压_无关__。 8．三极管放大电路共有三种组态分别是_共射__、_共基、__共集_放大电路。 9．为了消除乙类互补功率放大器输出波形的__交越_失真，而采用_甲乙_类互补功率放大器。 10．三极管具有放大作用外部电压条件是发射结_正偏_，集电结__反偏_。 总 分 题 号 一 二 三 四 核分人 题 分 得 分 评卷人 《电路与电子技术基础》2004~2005学年第 二学期期末考试试卷（A ） 时间：120分钟 班级 学号 姓名 成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔，作图可以用铅笔； 2.除可以携带指定的文具用品（钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器）外，其他物品不准带入考场（手机必须关机，参考资料与书包全部放到教室前面）； 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题，可以先举手，经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题（本题共40分，每题2分，将你认为正确的选项对应的字母填在括号内） 1．测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示：该管 为（C ）。 A. PNP 型硅管 B. NPN 型硅管 C. PNP 型锗管 D. NPN 型锗管 2．正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（ B ）。 A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性 ①② 1 曲线所有区域 3．组合逻辑电路的设计是指（ A ）。 A. 已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 B. 已知逻辑要求，列真值表的过程 C. 已知逻辑图，求解逻辑功能的过程 4．考试题图2所示电路的u S (t ) = 2 cos t V ， 则电感电流i L (t )的初相等于（ D ）。 A. 26.6° B. －26.6° C. 63.4° D. －63.4° 5．电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是（ B ）。 A. 减小输入电阻及输出电阻 B. 减小输入电阻、增大输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 D. 增大输 入电阻及输出电阻 6．考试题图3所示电路中的电压U 为（ C ）。 A. 5V B. -5V C. 10V D. 7V 7．TTL 与非门中多余的输入端应接电平是（ C ）。 A. 低 B. 地 C. 高 D. 悬空 8．考试题图4所示电路的节点电压方程为（ ）。 考试题图3 考试题图2 u s ( 第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性：光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位， 使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2．杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。 ◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安（曲线）方程： 4.半导体二极管 ?普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。 ◆单向导电性：正向导通，反向截止。 《电路与电子技术基础》参考解答 习题一 1-1 一个继电器的线圈，电阻为48Ω，当电流为0.18A 时才能动作，问线圈两端应施加多大的电压？ 答：根据欧姆定律可得：U=IR=0.18*48=8.64V 1-2 一个1000W 的电炉，接在220V 电源使用时，流过的电流有多大？ 答：由电路的功率计算公式可知：P=UI ，所以A 55.4220 1000===U P I 1-3 求题图1-1(a)、(b)电路得U ab 。 解：（1）图(a)，由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ，假定电流方向如图所示，沿a —电池—c —a 回路逆时针方向绕行一周，电压方程式为： -6+4I+2I=0 即得：I=1A 则U ac =2(-I)=-2V （或者U ac =-6+4I=-2V ） 对于cb 支路：因为构不成回路，所以电流为零。故：U cb =4V # 所以：U ab =U ac +U cb =-2+4=2V # （2）图(b)，由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ，假定电流方向如图所示，与(a)同理在回路中列出电压方程为： -3+1I+2I=0 即得：I=1A 则U ac =1(-I)=-1V （或者U ac =-3+2I=-1V ） 对于cb 支路：因为构不成回路，所以电流为零。故：U cb =8V 所以：U ab =U ac +U cb =-1+8=7V # 1-7 电路如题图1-2所示，求 （1）列出电路得基尔霍夫电压定律方程； （2）求出电流 （3）求U ab 及U cd 解：（1）假设电流的参考方向如图所示，对于db 支路，因为不构成回路，支路电流等于零， U db =10V 由a 点出发按顺时针方向绕行一周的KVL 电压方程式为：2I+12+1I+2I+2I+1I-8+2I=0 得：10I+4=0 # （2）求电流 由上面得回路电压方程式得： )A (4.010 4 -=- =I # 6V I 2Ω a 4Ω b c 4V 2Ω (a) I 1Ω 2Ω 3V c a 8V 5Ω b (b) 题图1-1 习题1-3电路图 I 12V 1Ω 2Ω 10V 2Ω a b c d 4Ω 2Ω 2Ω 8V 1Ω 题图1-2 习题1-7电路图 《电工与电子技术基础》教材复习知识要点 第一章：直流电路及其分析方法复习要点 基本概念：电路的组成和作用；理解和掌握电路中电流、电压和电动势、电功率和电能的物理意义；理解电压和电动势、电流参考方向的意义；理解和掌握基本电路元件电阻、电感、电容的伏－安特性，以及电压源（包括恒压源）、电流源（包括恒流源）的外特性；理解电路（电源）的三种工作状态和特点；理解电器设备（元件）额定值的概念和三种工作状态；理解电位的概念，理解电位与电压的关系。 基本定律和定理：熟练掌握基尔霍夫电流、电压定律和欧姆定理及其应用，特别强调Σ I=0和Σ U=0时两套正负号的意义，以及欧姆定理中正负号的意义。 分析依据和方法：理解电阻的串、并联，掌握混联电阻电路等效电阻的求解方法，以及分流、分压公式的熟练应用；掌握电路中电路元件的负载、电源的判断方法，掌握电路的功率平衡分析；掌握用支路电流法、叠加原理、戴维宁定理和电源等效变换等方法分析、计算电路；掌握电路中各点的电位的计算。 基本公式：欧姆定理和全欧姆定理R r E I R U I +==0, 电阻的串、并联等效电阻212121,R R R R R R R R += +=并串 KCL 、KVL 定律0)(,0)(=∑=∑u U i I 分流、分压公式U R R R U U R R R U I R R R I I R R R I 2122211121122121,;,+=+=+=+= 一段电路的电功率b a ab I U P ?= 电阻上的电功率R U R I I U P 2 2 =?=?= 电能t P W ?= 难点：一段电路电压的计算和负载开路（空载）电压计算，注意两者的区别。 常用填空题类型： 1.电路的基本组成有电源、负载、中间环节三个部分。 2.20Ω的电阻与80Ω电阻相串联时的等效电阻为 100 Ω，相并联时的等效电阻 《 电路与电子技术 》计算题 1.在图所示电路中，求各支路电流。 解： I 2 = 4A I 3 = I 1 + I 2 I 3 = I 1 + 4 R 1 * I 1 + I 3*R 3 = 10 联立求解，得I 1 = 2A I3 = 6A 2．电路如题图所示，已知CC U ＝12V , 1B R ＝68kΩ, 2B R ＝22kΩ, C R ＝3kΩ，E R ＝2kΩ， L R ＝6kΩ晶体管β＝60。 （其中C be I r 26 200β+≈进行计算）。 （1）计算静态值B I ，C I ，CE U （BE U ＝0.7V ）； （2）画出微变等效电路，求电压放大倍数? u A 、输入电阻i r 和输出电阻o r 解：（1） I BQ = (V CC - U BEQ ) / R b = (12 - 0.7)/ 68 * 103 = 17μA I CQ = βI BQ = 60 * 0.17 = 10 mA U CEQ = V CC - I CQ * C R = 12 - 10* 3 = -18V U CEQ << U BEQ , 即V C < V B 电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。 《电路与电子技术基础》2004~2005学年第?二学期期末考试试卷（A ） 时间：120分钟 班级 学号 姓名 成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔，作图可以用铅笔； 2.除可以携带指定的文具用品（钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器）外，其他物品不准带入考场（手机必须关机，参考资料与书包全部放到教室前面）； 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题，可以先举手，经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题（本题共40分，每题2分，将你认为正确的选项对应的 字母填在括号内） 1．测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示：该管为（C ）。 A. PNP 型硅管 B. NPN 型硅管 C. PNP 型锗管 D. NPN 型锗管 2．正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（ B ）。 A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性曲线所有区域 3．组合逻辑电路的设计是指（ A ）。 A. 已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 B. 已知逻辑要求，列真值表的过程 C. 已知逻辑图，求解逻辑功能的过程 4．考试题图2所示电路的u S (t ) = 2 cos t V ，则电感电流 i L (t )的初相等于（ D ）。 A. 26.6° B. －26.6° C. 63.4° D. －63.4° 5．电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响 是（ B ）。 A. 减小输入电阻及输出电阻 B. 减小输入电阻、增大输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 D. 增大输入电阻及输出电阻 6．考试题图3所示电路中的电压U 为（ C ）。 A. 5V B. -5V C. 10V D. 7V 7．TTL 与非门中多余的输入端应接电平是（ C ）。 A. 低 B. 地 C. 高 D. 悬空 8．考试题图4所示电路的节点电压方程为（ ）。 A. 11112111R U I U R R s s +=???? ??+ B. 1111 321 111R U I U R R R s s +=???? ??++ 考试题图 3 ① 1 考试题图2 u s (t 电路与电子技术基础复习题 一、基本概念题： 1、电路包括电源、负载和中间环节三个组成部分。 2、电源或信号源的电压或电流，称为激励，它推动电路的工作；由它在电路各部分产生的电压和电流称为响应。 3、习惯上规定正电荷运动的方向为电流的实际方向。 4、选定同一元件的电流参考方向与电压参考方向一致，称为关联参考方向。选定同一元件的电流参考方向与电压参考方向相反，称为非关联参考方向。 5、若电阻元件的伏安特性可以用一条通过平面坐标原点的直线来表征，称为线 性电阻元件。若电阻元件的伏安特性可以用一条通过、平面坐标原点的曲线来表征，就称为非线性电阻元件。 6、在电压和电流的关联参考方向下，欧姆定律表示为u=Ri 。 在电压和电流的非关联参考方向下，欧姆定律表示为u=-Ri 。 7、基尔霍夫电流定律(KCL)：任何时刻，对任一节点，所有支路电流的代数和恒 等于零。 基尔霍夫电压定律（KVL）：任何时刻，沿任一回路各支路电压的代数和恒等于零。 8、下图所示电路中，I1=2 A，I2=3 A, I3=-2 A；I4=-3A 。 9、下图所示电路中，已知I1=1 A，I2=10A，I3=2 A，I4=-13A 。 10、1度=1KWh=3.6×106 J 11、将放大电路中的一部分或全部回送到输入回路的过程称为反馈。 12、整流的目的是将交流电变成直流电。 13、串联型稳压电路中的调整管必须工作在放大状态。 14、多级放大电路中输入信号为零时，输出信号电压不为零的现象称为零点漂 移，能够抑制此现象的放大电路是差动放大电路。 15、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为模拟信号；在时间上和数值 上离散的信号叫做数字信号。 16、数字电路中机器识别和常用的数制是二进制。 17、（365）10＝（101101101）2＝（555）8＝（16D）16 18、在正逻辑的约定下，“1”表示高电平，“0”表示低电平。 19、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系，所以数字电路 也称为逻辑电路。在逻辑关系中，最基本的关系是与逻辑、或逻辑 电路与电子技术卷（A ） 一、填空题 1．某电路中，已知A 点电位3,12A B U V U V =-=，则电位差AB U ＝_________。 2．电路中某元件上的电压、电流取非关联参考方向，且已知：20, 3.5I mA U V =-=-，则该元件 吸收的功率P=___________。 3．如下图所示，R=2Ω，则电路中的I= ____A 。 4．220V 电网电压初相角为0°，周期为0．02s ，则其瞬时表达式u(t)= , 相量表达式U &= 。 5．电感元件电压与电流关系的相量形式为____ ____。 6. 二极管的伏安特性对温度很敏感，对应同样大小的正向电流，正向压降随温升而_______。 7．把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做____________特性。 8．欲使双极型三极管工作在放大区，发射结应______偏置，集电结______偏置。 9．在放大电路中，两种主要的非线性失真为______失真和______失真。 10．差分放大电路有______种接线方式，其差模电压增益与______方式有关，与______方式无关。 二、选择题 1．就一般情况而言，一个电容上的（ ）。 A ．电压不能突变 B ．电流不能突变 C ．电压及电流均不能突变 D ．电压及电流同时发生突变 2．已知RLC 串联谐振电路的电感1L mH =，电容10C F m =，则电路的谐振角频率0 ＝（ ） A ．103 rad/s B ．10-3 rad/s C ．104 rad/s D ．10－4 rad/s 3．已知某正弦电压有效值为380V ，频率为50Hz ，初相为45度，则它的瞬时值表达式为（ ）。 A ．()()380sin 31445u t t =+o B ．()()31445u t t =+o C ．()()31445u t t =+o D ．()() 380sin 5045u t t =+o 4．稳压二极管正常工作时应工作在( )状态。 A ．放大 B ．饱和 C ．反向击穿 D ．截止区 5. 在本征半导体中掺入( )就成为P 型半导体。 A.3价元素 B.4价元素 C.5价元素 D.6价元素 6．为了稳定静态工作点，应引入（ ） 《数字电子技术》复习 一、主要知识点总结和要求 1．数制、编码其及转换：要求：能熟练在10进制、2进制、8进制、16进制、8421BCD、格雷码之间进行相互转换。 举例1：（）10= ( )2= ( )16= ( )8421BCD 解：（）10= ( )2= ( )16= ( )8421BCD 2．逻辑门电路： (1)基本概念 1）数字电路中晶体管作为开关使用时，是指它的工作状态处于饱和状态和截止状态。 2）TTL门电路典型高电平为 V，典型低电平为 V。 3）OC门和OD门具有线与功能。 4）三态门电路的特点、逻辑功能和应用。高阻态、高电平、低电平。 5）门电路参数：噪声容限V NH或V NL、扇出系数N o、平均传输时间t pd。 要求：掌握八种逻辑门电路的逻辑功能；掌握OC门和OD门，三态门电路的逻辑功能；能根据输入信号画出各种逻辑门电路的输出波形。 举例2：画出下列电路的输出波形。 解：由逻辑图写出表达式为：C + = + Y+ =，则输出Y见上。 B A A C B 3．基本逻辑运算的特点： 与运算：见零为零，全1为1；或运算：见1为1，全零为零； 与非运算：见零为1，全1为零；或非运算：见1为零，全零为1； 异或运算：相异为1，相同为零；同或运算：相同为1，相异为零； 非运算：零变 1， 1 变零； 要求：熟练应用上述逻辑运算。 4. 数字电路逻辑功能的几种表示方法及相互转换。 ①真值表（组合逻辑电路）或状态转换真值表（时序逻辑电路）：是由变量的所有可能取值组合及其对应的函数值所构成的表格。 ②逻辑表达式：是由逻辑变量和与、或、非3种运算符连接起来所构成的式子。 ③卡诺图：是由表示变量的所有可能取值组合的小方格所构成的图形。 一．单项选择题 1. 图示电路中,电流I＝（A ）。 A.–3 A B. 2 A C. 3 A D. 5 A 2. 图示电路中, 电压U＝（D ）。 A. 2 V B. 4 V C. 6 V D. 8 V 3. 图示电路中, 电流I＝（A ）。 A. 1 A B. 2 A C. 3 A D. 1/2 A 4. 图示电路中, 实际发出功率的元件是（D )。 A. U S 。 B. R C. U S和I S D. I S 5. 图示电路中, 电压U＝（A ）。 A. 8 V B. －8 V C. 16 V D. －16 V 6. 图示无源单口网络电路中, ab间等效电阻R ab =（B ）。 A. R1R1(R1+R2)(R1+R3)图示电路中, 电流I＝（B ）。 A. 5 A B. －5 A D. 2 A 8 . 图示一阶电路中,开关在t＝0时闭合，电容初始电压u C（0+）= ( C )。 A. -5 V B. 10 V C. 5 V D. 20 V 9. 图示电路中, 电压源单独作用时，电流I＝（B ）。 A. 0 A B. 1 A C. －1 A D. A 10. 图示电路中, ab短路线中电流I ab = ( A ）。 A. 1 A B. 2 A C. 3 A D. -1 A 11. 图示电路中, 电流I＝（A ）。 A. –4A B. 4A C. –2A D. –3A 12. 图示电路中, 电压U＝（C ）。 A. 3 V B. -3 V C. -6 V D. 6 V 13. 图示电路, ab间电压U ab = ( D )。 A. 8 V B. 7 V 。。 《电工电子技术》期末综合练习题 一．单项选择题 1、图1所示电路中的电流I 为（ A ）。 A. -1A B. 1A C. 2A 2、图2所示电路中电流I 为（ A. 5A B. -15A C. -5A 3、图3所示电路中，电流表正负接线端用“+”、“-”号标出。今电流表指 针正向偏转，示数10A ，有关电流、电压方向也表示在图中，则（C ）正确。 A. I 1=10A ，U=-6V B. I 1=-10A ，U=6V C. I 1=10A ，U=12V - 4、图4A. -3V B. 5A C. 2A 5、图5所示电路中U 为（ A ）。 A. 30V B. -10V C. -40V 6、图6所示电路中，判断电阻R 中流通的电流及消耗的功率为（ A ）。 A. 1A ，2W B. 2A ，4W C. 2A ，2W 7、图7所示电路中，判断电阻R A. 0A ，2W B. 1A ，2W C. 1A ，4W 8、图8所示电路中，电位器R P1的滑动端向下移动及R P2的滑动端向右移 动时，电流 I 1、I 2的变化趋势是（ A. I 1减小，I 2增大 B. I 1增大，I 2减小 C. I 1不变，I 2减小 9、图9 A. 0V B. 2V C. 10V 10、在正弦交流纯电感电路中，电压与电流的关系是（ C ）。 A. i= L u B. I=L U C. I=L U 11、在正弦交流纯电容电路中，电压与电流的关系是（ C ）。 A. i= C u ω B. I=C U C. I=U ωC 12、图10所示电路的I 、U 表达式为（ B ）。 A. I 1=I-I S ，U= g I I S -- B. I 1=-I-I S ，U= g I I S -- C. I 1=I-I S ，U=g I I S - 13、通常所说的交流电压220V 是指它的（ A ）。 A.有效值 B. 平均值 C. 最大值 14、图1所示电路中，电源电压不变，而频率升高，各灯泡的亮度变化是（ B ）。 A. 灯泡A 变亮 B. 灯泡B 变亮 C. 灯泡C 变亮 15、图2 （ B ）。 A . 电阻电感串联电路 B. 电阻电容串联电路 C . 纯电感电路 16、已知电路某元件的电压u 和电流i 分别为u=141cos （314t+600）V ， i=7sin （314t-1200）A ，则该元件的性质是（ A ）。 A. 电容 B. 电感 C. 电阻 17、已知电路某元件的电压u 和电流i 分别为u=10cos （ωt+200）V ， i=5sin （ωt+1100）A ，则该元件的性质是（ C ）。 A. 电容 B. 电感 C. 电阻《电路与电子技术基础》期末考试卷(附答案)
《电路与电子技术基础》期末考试卷以及答案
电力电子技术知识点
电子技术基础期末复习资料(含答案)。
电路与电子技术基础习题答案7
模拟电子技术基础知识点总结
期末测验计算机电路与电子技术及答案
《电路与电子技术基础》期末考试卷以及答案
模拟电子技术基础_知识点总结
电路与电子技术基础习题答案
电工与电子技术知识点
2017华南理工电路与电子技术计算题
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
《电路与电子技术基础》期末考试卷以及答案
电路与电子技术基础复习题
电路与电子技术期末试卷A及答案
《数字电子技术》经典复习资料
电路与电子技术复习试题(部分答案)
最新 电工电子技术总复习题及答案知识点复习考点归纳总结