半导体物理学知识重点总结

半导体物理学试题库完整

一．填空题 1．能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________.引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。（二阶导数.内部势场） 2．半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________（即量子态按能量如何分布）和_________（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。（状态密度.费米分布函数） 3．两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电.达到热平衡后两者的费米能级________。（正.相等） 4．半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央.其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处.因此属于_________半导体。（[100]. 间接带隙） 5．间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。（弗仑克耳缺陷.肖特基缺陷） 6．在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________.高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。（1/2.1/1+exp(2)） 7．从能带角度来看.锗、硅属于_________半导体.而砷化稼属于_________半导体.后者有利于光子的吸收和发射。（间接带隙.直接带隙） 8．通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统.服从_________的电子系统称为简并性系统。（玻尔兹曼分布.费米分布） 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关.而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。（温度.禁带宽度） 10. 半导体的晶格结构式多种多样的.常见的Ge和Si材料.其原子均通过共价键四面体相互结合.属于________结构；与Ge和Si晶格结构类似.两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。（金刚石.闪锌矿） 11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化.则具有这种能带结构的半导体称为_________禁带半导体.否则称为_________禁带半导体。（直接.间接） 12. 半导体载流子在输运过程中.会受到各种散射机构的散射.主要散射机构有_________、 _________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。（电离杂质的散射.晶格振动的散射） 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径.主要有两大类：_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。（电子和空穴.复合中心）

公共基础知识之简答题汇总

1、哲学和具体科学的关系？答：（1）马克思主义哲学与具体科学是一般与个别的关系，二者之间存在着既相互区别又相互联系的辩证统一关系。（2）它们之间的区别表现在：具体科学以世界某一特殊领域的具体规律为自己的研究对象，因而其理论具有个别性和特殊性；马克思主义哲学以包括自然、社会和人类思维在内的整个世界的最一般规律作为自己的研究对象，因而其理论具有一般性和普遍性。（3）它们之间的联系表现在：一方面，马克思主义哲学以具体科学为基础，没有具体科学的发展，马克思主义哲学既不可能产生，也不可能发展；另一方面，具体科学以马克思主义哲学为指导，马克思主义哲学为具体科学的研究提供正确的世界观和方法论。 2、哲学基本问题及内容？答：在哲学研究的众多问题中，有一个重大的基本问题，那就是精神和物质的关系问题。哲学基本问题包括两方面的内容：一是，精神和物质何者为第一性，即谁先谁后，谁决定谁，谁是世界的本质、本原。二是，精神和物质之间有无同一性，人们能否认识世界和改造世界。在这个问题上，哲学史上历来存在着两种根本对立的观点：一种是辩证法的观点，他把世界看作是普遍联系的整体和永恒发展的过程，一切事物都是由内部矛盾推动而不断地运动、变化和发展着；另一种是形而上学的观点，它用孤立的、静止的、片面的观点看世界，把世界的各种现象看作是各自孤立、静止不变的东西，认为世界是没有矛盾的，是不会发展的，有变化也只是事物数量的增减或场所的变更，认为这种变化纯粹是外力推动的结果。 3、“与时俱进”的科学含义是什么？答：与时俱进是解放思想和实事求是的根本要求。与时俱进，就是人们的思想和行为要随着时间的改变而改变，随着事物的发展而发展，要体现时代性、把握规律性、富于创造性。首先，与时俱进必须体现时代性。与时俱进要求我们始终站在时代的前列，使得我们的思想理论和实践充分反映时代进步和发展的要求，体现时代特点和时代精神，要努力适应时代的需要，及时解决时代发展中的新课题。其次，与时俱进必须把握规律性。把握规律性是进行理论创新的前提。所谓创新决不是主观任意的创造，而是符合严格的科学性要求的创造性活动。就社会领域内的创新活动来说，必须把握社会发展的客观规律。今天，摆在我们面前的现实任务，就是要不断认识人类社会发展的基本规律，探索在新历史条件下资本主义的发展规律、社会主义的发展规律和执政的无产阶级政党的建设规律。再次，与时俱进必须富于创造性。弘扬与时俱进精神，实现理论和实践的创新，关键在于创造出新的东西。 4. 怎么理解实践是检验真理的标准？答：原理：实践是检验真理的唯一标准是指：只有实践才能作为检验认识正确与否，即是否为真理的标准，除此之外再无其他标准。唯一性：实践之所以能够成为检验真理的唯一标准，是由真理的本性和实践的特点所决定的。从真理的本性来看，真理是主观认识与客观实际相符合。所谓检验真理，实质上就是判定主观认识与客观实际是否符合以及符合的程度如何。从实践的特点来看，实践是连接主观与客观的桥梁。简单地说，认识指导实践，如果实践成功，得到了预想的结果，说明指导实践的认识是正确的，是真理，否则就是谬误。辨证统一性：实践标准是绝对性与相对性的统一，确定性与不确定性的统一。实践标准的绝对性或确定性是指实践标准的唯一性和可靠性，即实践是检验真理的唯一标准，并且实践最终一定能鉴别认识是否具有真理性。实践标准的相对性或不确定性实质实践标准的过程性、局限性，即实践是具体的和历史的。 5 . 社会发展的根本动力是什么？答：正是生产力与生产关系的矛盾与经济基础和上层建筑的矛盾之间的交互作用，引起社会形态的依次更替，推动社会不断地由低级向高级发展。社会基本矛盾是社会发展的根本动力。 6 . 什么叫实是求是？

半导体物理学简答题及答案

第一章 1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同,原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在，没有一个固定的轨道；而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，在晶体周期性势场中运动。当原子互相靠近结成固体时，各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而，外层价电子则参与原子间的相互作用，应该把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。组成晶体原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子相似，称为准自由电子，而内层电子共有化运动较弱，其行为与孤立原子的电子相似。 2.描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念,用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。答：引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。惯性质量描述的是真空中的自由电子质量，而不能描述能带中不自由电子的运动，通常在晶体周期性势场作用下的电子惯性运动，成为有效质量 3.一般来说, 对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此，为什么？答：不是，能级的宽窄取决于能带的疏密程度，能级越高能带越密，也就是越窄；而禁带的宽窄取决于掺杂的浓度，掺杂浓度高，禁带就会变窄，掺杂浓度低，禁带就比较宽。 4.有效质量对能带的宽度有什么影响，有人说:"有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄.是否如此，为什么？答：有效质量与能量函数对于K的二次微商成反比，对宽窄不同的各个能带，1（k）随k的变化情况不同，能带越窄，二次微商越小，有效质量越大，内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小。 5.简述有效质量与能带结构的关系；答：能带越窄，有效质量越大，能带越宽，有效质量越小。 6.从能带底到能带顶,晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同；答：在能带底附近，电子的有效质量是正值，在能带顶附近，电子的有效质量是负值。在外电F作用下，电子的波失K不断改变，f=h(dk/dt),其变化率与外力成正比，因为电子的速度与k有关，既然k状态不断变化，则电子的速度必然不断变化。 7.以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度?答：沿不同的晶向，能量带隙不一样。因为电子要摆脱束缚就能从价带跃迁到导带，这个时候的能量就是最小能量，也就是禁带宽度。 1.为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述? 答：空穴是一个假想带正电的粒子，在外加电场中，空穴在价带中的跃迁类比当水池中气泡从水池底部上升时，气泡上升相当于同体积的水随气泡的上升而下降。把气泡比作空穴，下降的水比作电子，因为在出现空穴的价带中，能量较低的电子经激发可以填充空穴，而填充了空穴的电子又留下了一个空穴。因此，空穴在电场中运动，实质是价带中多电子系统在电场中运动的另一种描述。因为人们发现，描述气泡上升比描述因气泡上升而水下降更为方便。所以在半导体的价带中，人们的注意力集中于空穴而不是电子。 2.有两块硅单晶,其中一块的重量是另一块重量的二倍.这两块晶体价带中的能级数是否相等，彼此有何联系？答：相等，没任何关系 3.为什么极值附近的等能面是球面的半导体,当改变磁场方向时只能观察到一个共振吸收峰。答：各向同性。 5.典型半导体的带隙。一般把禁带宽度等于或者大于2.3ev的半导体材料归类为宽禁带半导体，主要包括金刚石，SiC，GaN,金刚石等。26族禁带较宽，46族的比较小，如碲化铅，硒化铅（0.3ev），35族的砷化镓（1.4ev）。第二章1.说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下,而且电离能的数值较小？答：被杂质束缚的电子或空穴的能量状态称为杂质能级，电子脱离杂质的原子的束缚成为导电电子的过程成为杂质电离，使这个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量成为杂质电离能。杂质能级离价带或导带都很近，所以电离能数值小。 2.纯锗,硅中掺入III或Ⅴ族元素后,为什么使半导体电学性能有很大的改变？杂质半导体(p型或n型)应用很广,但为什么我们很强调对半导体材料的提纯?答：因为掺入III或Ⅴ族后，杂质产生了电离，使得到导带中得电子或价带中得空穴增多，增强了半导体的导电能力。极微量的杂质和缺陷，能够对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响，，当然，也严重影响着半导体器件的质量。 4.何谓深能级杂质，它们电离以后有什么特点？答：杂质电离能大，施主能级远离导带底，受主能级远离价带顶。特点：能够产生多次电离，每一次电离相应的有一个能级。 5.为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级？答：因为金是深能级杂质，能够产生多次电离，

医学基础知识重点总结

医学基础知识重点总结集团文件发布号：（9816-UATWW-MWUB-WUNN-INNUL-DQQTY-

1 重症肌无力：新斯的明 2 过敏性休克：肾上腺素 3 休克伴心肌收缩性减弱及尿量减少：多巴胺(DA) 4 高血压合并糖尿病、肾病、心力衰竭、左心肥厚：卡托普利 5 有机磷中毒消除N 样作用：氯解磷定 6 高血压合并溃疡病：可乐定 7 劳累性心绞痛：硝酸甘油 8 变异型心绞痛：钙通道阻滞药(硝苯地平) 9 急性心肌梗死并发室性心律失常：利多卡因 10 强心苷中毒所致的心律失常：苯妥英钠 11 情绪激动、甲亢、细胞瘤等引起的窦性心动过速：普萘洛尔 12 严重而顽固的心律失常：胺碘酮 13 阵发性室上性心动过速：维拉帕米 14 伴有房颤或心室率快的心功能不全：强心苷 15 房颤、房扑：强心苷 16 脑水肿，降低颅内压：甘露醇 17 卓艾综合症：奥美拉唑 18 子痫引起的惊厥：硫酸镁 19 焦虑：地西泮(安定) 20 癫痫持续状态：地西泮(静注) 21 癫痫(强直阵挛性发作，单纯局限性发作)：苯妥英钠

22 帕金森：左旋多巴 23 类风湿性关节炎：阿司匹林 24 痛风：秋水仙碱 25 感染中毒性休克、多发性皮肌炎：糖皮质激素 26 低血容量休克：中分子右旋糖酐 27 重症甲亢、甲亢危象：丙硫氧嘧啶(PTU) 28 伴有肥胖的二型糖尿病：二甲双胍 29 敏感菌感染：肺炎链球菌肺炎：青霉素 G 30 军团菌病、弯曲杆菌肠炎、弯曲杆菌败血症、支原体肺炎(大环内脂类)、沙眼衣原体所致的婴儿肺炎和结膜炎、红癣、痤疮、白喉带菌者：红霉素 31 金黄色葡萄球菌所致急慢性骨髓炎：克林霉素 32 耐甲氧西林葡萄球菌和耐青霉素肠球菌所致的严重感染：万古霉素类 33 鼠疫、兔热病：链霉素 34 表麻：丁卡因 35 躁狂症：碳酸锂抑郁症：米怕明(丙米嗪) 36 轻度高血压：氢氯噻嗪 37 流行性脑脊髓炎：磺胺嘧啶(SD) ① ② ③ ⑤

半导体物理学练习题(刘恩科)

第一章半导体中的电子状态例1.证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。解：K状态电子的速度为：（1）同理，－K状态电子的速度则为：（2）从一维情况容易看出：（3）同理有：（4）（5）将式（3）（4）（5）代入式（2）后得：（6）利用（1）式即得：v(－k)= －v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关，即：E(k)=E(－k)故电子占有k状态和-k状态的几率相同，且v(k)=－v(－k)故这两个状态上的电子电流相互抵消，晶体中总电流为零。例2.已知一维晶体的电子能带可写成：式中，a为晶格常数。试求：（1）能带的宽度；（2）能带底部和顶部电子的有效质量。解：（1）由E(k)关系（1）

（2）令得：当时，代入（2）得：对应E(k)的极小值。当时，代入（2）得：对应E(k)的极大值。根据上述结果，求得和即可求得能带宽度。故：能带宽度（3）能带底部和顶部电子的有效质量：习题与思考题： 1 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 2 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。 3 试指出空穴的主要特征。 4 简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。

5 某一维晶体的电子能带为其中E0=3eV，晶格常数a=5×10-11m。求：（1）能带宽度；（2）能带底和能带顶的有效质量。 6原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同？原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同？ 7晶体体积的大小对能级和能带有什么影响？ 8描述半导体中电子运动为什么要引入“有效质量”的概念？用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性？ 9 一般来说，对应于高能级的能带较宽，而禁带较窄，是否如此？为什么？ 10有效质量对能带的宽度有什么影响？有人说：“有效质量愈大，能量密度也愈大，因而能带愈窄。”是否如此？为什么？ 11简述有效质量与能带结构的关系？ 12对于自由电子，加速反向与外力作用反向一致，这个结论是否适用于布洛赫电子？ 13从能带底到能带顶，晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同？ 14试述在周期性势场中运动的电子具有哪些一般属性？以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系？ 15为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？16为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述？ 17有两块硅单晶，其中一块的重量是另一块重量的二倍。这两块晶体价带中的能级数是否相等？彼此有何联系？ 18说明布里渊区和k空间等能面这两个物理概念的不同。 19为什么极值附近的等能面是球面的半导体，当改变存储反向时只能观察到一个共振吸收峰？第二章半导体中的杂质与缺陷能级例1.半导体硅单晶的介电常数＝11.8，电子和空穴的有效质量各为＝ 0.97，＝0.19和＝0.16，＝0.53，利用类氢模型估计：（1）施主和受主电离能; （2）基态电子轨道半径解：（1）利用下式求得和。

半导体物理学题库20121229

1．固体材料可以分为晶体和非晶体两大类，它们之间的主要区别是。 2．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 3．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。 4．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。 5．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那末，为非简并条件；为弱简并条件；简并条件。 6．空穴是半导体物理学中一个特有的概念，它是指：； 7．施主杂质电离后向带释放，在材料中形成局域的电中心；受主杂质电离后带释放，在材料中形成电中心； 8．半导体中浅能级杂质的主要作用是；深能级杂质所起的主要作用。 9. 半导体的禁带宽度随温度的升高而__________；本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。 10.施主杂质电离后向半导体提供，受主杂质电离后向半导体提供，本征激发后向半导体提供。 11.对于一定的n 型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将导致靠近Ei 。 12.热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与和有关，而与、无关。 A. 杂质浓度 B. 杂质类型 C. 禁带宽度 D. 温度 12. 指出下图各表示的是什么类型半导体？ 13．n o p o =n i 2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？不变；当温度变化时，n o p o 改变否？改变。 14．非平衡载流子通过复合作用而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命 τ与复合中心在禁带中的位置密切相关，对于强p 型和强n 型材料，小注入时寿命τn 为，寿命τp 为 . 15．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 q n n 0=μ ，称为爱因斯坦关系式。 16．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。 17．半导体中浅能级杂质的主要作用是影响半导体中载流子浓度和导电类型；深能级杂质所起的主要作用对载流子进行复合作用。

计算机二级公共基础知识高频考点归纳总结

第一章数据结构与算法算法 1、算法:是指解题方案的准确而完整的描述。算法不等于程序,也不等计算机方法,程序的编制不可能优于算法的设计。 2、算法的基本特征：是一组严谨地定义运算顺序的规则,每一个规则都是有效的，是明确的,此顺序将在有限的次数下终止。特征包括：（1）可行性;（2)确定性(3）有穷性（4）拥有足够的情报。３、算法的基本要素:一是对数据对象的运算和操作；二是算法的控制结构。４、指令系统:一个计算机系统能执行的所有指令的集合。 5、基本运算包括:算术运算、逻辑运算、关系运算、数据传输。６、算法的控制结构：顺序结构、选择结构、循环结构。 7、算法基本设计方法：列举法、归纳法、递推、递归、减斗递推技术、回溯法。 8、算法复杂度:算法时间复杂度和算法空间复杂度。 9、算法时间复杂度是指执行算法所需要的计算工作量。 10、算法空间复杂度是指执行这个算法所需要的内存空间。数据结构的基本基本概念 1、数据结构研究的三个方面: (1）数据集合中各数据元素之间所固有的逻辑关系，即数据的逻辑结构; （2）在对数据进行处理时，各数据元素在计算机中的存储关系,即数据的存储结构;（3）对各种数据结构进行的运算。数据结构是指相互有关联的数据元素的集合。２、数据的逻辑结构包含:(1）表示数据元素的信息;(2）表示各数据元素之间的前后件关系。数据的存储结构有顺序、链接、索引等。３、线性结构条件：(1）有且只有一个根结点;(２）每一个结点最多有一个前件，也最多有一个后件。非线性结构：不满足线性结构条件的数据结构。线性表及其顺序存储结构１、线性表是由一组数据元素构成,数据元素的位置只取决于自己的序号,元素之间的相对位置是线性的。在复杂线性表中,由若干项数据元素组成的数据元素称为记录,而由多个记录构成的线性表又称为文件。 2、非空线性表的结构特征: (1）且只有一个根结点ａ1，它无前件；(2)有且只有一个终端结点an，它无后件; （3)除根结点与终端结点外,其他所有结点有且只有一个前件,也有且只有一个后件。结点个数n称为线性表的长度,当ｎ=0时，称为空表。 3、线性表的顺序存储结构具有以下两个基本特点：(１）线性表中所有元素的所占的存储空间是连续的; (2)线性表中各数据元素在存储空间中是按逻辑顺序依次存放的。 4、顺序表的运算:插入、删除。栈和队列 1、栈是限定在一端进行插入与删除的线性表,允许插入与删除的一端称为栈顶，不允许插入与删除的另一端称为栈底。栈按照“先进后出”（FILO)或“后进先出”(LＩFO）组织数据,栈具有记忆作用。用ｔop表示栈顶位置，用ｂottoｍ表示栈底。 2、栈的基本运算：(1）插入元素称为入栈运算；（2)删除元素称为退栈运算;（３）读栈顶元素是将栈顶元素赋给一个指定的变量,此时指针无变化。 3、队列是指允许在一端（队尾）进入插入,而在另一端(队头）进行删除的线性表。Ｒear指针指向队尾,frｏnt 指针指向队头。 4、队列是“先进行出”(FIFO)或“后进后出”(LILO)的线性表。线性链表

2012半导体物理知识点及重点习题总结

基本概念题：第一章半导体电子状态 1.1 半导体通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。 1.2能带晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。 1.2能带论是半导体物理的理论基础，试简要说明能带论所采用的理论方法。答：能带论在以下两个重要近似基础上，给出晶体的势场分布，进而给出电子的薛定鄂方程。通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系，从而系统地建立起该理论。单电子近似：将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑，这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。绝热近似：近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换，而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。

1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法答案：克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型，如下图所示利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式，进而确定波函数并给出E-k关系。由此得到的能量分布在k空间上是周期函数，而且某些能量区间能级是准连续的（被称为允带），另一些区间没有电子能级（被称为禁带）。从而利用量子力学的方法解释了能带现象，因此该模型具有重要的物理意义。 1.2导带与价带 1.3有效质量有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。它概括了周期性势场对载流子运动的影响，从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。其大小由晶体自身的E-k 关系决定。 1.4本征半导体既无杂质又无缺陷的理想半导体材料。

医学影像学知识点归纳总结

第 1 页共 24 页医学影像学应考笔记第一章 X线成像一、X线的产生与特性 X线的产生：真空管内高速行进的电子流轰击钨靶时产生的。TX线的特性： 1穿透性：X线成像基础； 2荧光效应：透视检查基础； 3感光效应：X线射影基础； 4电离效应：放射治疗基础。 X线成像波长为：~ 二、X线成像的三个基本条件 1 X线的特征荧光及穿透感光 2人体组织密度和厚度的差异 3显像过程三、X线图象特点 X线是由黑到白不同灰度的一图像组成的，是灰阶图象。

四、X线检查技术自然对比：人体组织结构的密度不同，这种组织结构密度上的差别，是产生X线影像对比的基础。人工对比：对于缺乏自然对比的组织器官，可以认为的引入一定量的在密度上高于或低于它的物质，使之产生对比。五、N数字减影血管造影DSA：是运用计算机处理数字影像信息，消除骨骼和软组织，使血管清晰的成像技术。 @ 正常X线不能显示：滋养管、骺板第2章骨与软骨第一节检查技术特点： 1有良好的自然对比 2骨关节病诊断必不可少 3检查方法发展快 4病变定位准确，定性困难需要结合临床。一普通X线检查透视、射片：首选射片，一般不透视。

射片原则： 1正、侧位； 2包括周围软组织和邻近关节、相邻锥体；3必要时加射健侧对照。二造影检查 1关节照影、 2血管照影三 CT检查（优点） 1发现骨骼肌肉细小的病变； 2限时复杂的骨关节创伤； 3 X线病可疑病变； 4骨膜增生； 5限时破坏区内部及周围结构。第二节影像观察与分析一正常X线表现：（掌握）小儿骨的结构：骨干、干骺端、骨骺、骺板。主要特点是骺软骨，且未骨化。成人骨的结构：干骺端与骺结合，骺线消失，分骨干、骨端。四肢关节：包括骨端、关节软骨和关节束。软骨和束为软骨组织不显示，关节间隙为半透明影。

半导体物理学 (第七版) 习题答案

半导体物理习题解答 1－1．（P 32）设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c （k ）和价带极大值附近能量E v （k ）分别为： E c (k)=0223m k h +022)1(m k k h -和E v (k)= 0226m k h －0 2 23m k h ； m 0为电子惯性质量，k 1＝1/2a ；a ＝0.314nm 。试求： ①禁带宽度； ②导带底电子有效质量； ③价带顶电子有效质量； ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(＝0232m k h ＋0 12)(2m k k h -＝0；可求出对应导带能量极小值E min 的k 值： k min ＝ 14 3 k ，由题中E C 式可得：E min ＝E C (K)|k=k min = 2 10 4k m h ；由题中E V 式可看出，对应价带能量极大值Emax 的k 值为：k max ＝0；并且E min ＝E V (k)|k=k max ＝02126m k h ；∴Eg ＝E min －E max ＝021212m k h ＝2 02 48a m h ＝11 28282 2710 6.1)1014.3(101.948)1062.6(----???????＝0.64eV ②导带底电子有效质量m n 0202022382322 m h m h m h dk E d C =+=；∴ m n ＝022 283/m dk E d h C = ③价带顶电子有效质量m ’ 022 26m h dk E d V -=，∴022 2'61/m dk E d h m V n -== ④准动量的改变量 h △k ＝h (k min -k max )= a h k h 83431= [毕] 1－2．（P 33）晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 [解] 设电场强度为E ，∵F =h dt dk =q E （取绝对值） ∴dt =qE h dk

半导体物理试题总结

半导体物理学考题 A (2010年1月)解答一、（20分）简述下列问题: 1．（5分）布洛赫定理。解答：在周期性势场中运动的电子，若势函数V(x)具有晶格的周期性，即：)x (V )na x (V =+，则晶体中电子的波函数具有如下形式：)x (u e )x (k ikx =ψ，其中，)x (u k 为具有晶格周期性的函数，即：)x (u )na x (u k k =+ 2．（5分）说明费米能级的物理意义；试画出N 型半导体的费米能级随温度的变化曲线。解答：费米能级E F 是反映电子在各个能级中分布情况的参数。能量为E F 的量子态被电子占据的几率为1/2。 N 型半导体的费米能级随温度变化曲线如右图所示：（2分） 3、（5分）金属和N 型半导体紧密接触，接触前，二者的真空能级相等，S M W W <。试画出金属— 半导体接触的能带图，标明接触电势差、空间电荷区和内建电场方向。解答： 4．（5分）比较说明施主能级、复合中心和陷阱在半导体中的作用及其区别。解答：施主能级：半导体中的杂质在禁带中产生的距离能带较近的能级。可以通过杂质电离过程向半导体导带提供电子，因而提高半导体的电导率；（1分）复合中心：半导体中的一些杂质或缺陷，它们在禁带中引入离导带底和价带顶都比较远的局域化能级，非平衡载流子（电子和空穴）可以通过复合中心进行间接复合，因此复合中心很大程度上影响着非平衡载流子的寿命。（1分）陷阱：是指杂质或缺陷能级对某一种非平衡载流子的显著积累作用，其所俘获的非平衡载流子数目可以与导带或价带中非平衡载流子数目相比拟。陷阱的作用可以显著增加光电导的灵敏度以及使光电导的衰减时间显著增长。（1分）浅施主能级对载流子的俘获作用较弱；有效复合中心对电子和空穴的俘获系数相差不大，而且，其对非平衡载流子的俘获几率要大于载流子发射回能带的几率。一般说来，只有杂质的能级比费米能级离导带底或价带顶更远的深能级杂质，才能成为有效的复合中心。而有效的陷阱则要求其对电子和空穴的俘获几率必须有很大差别，如有效的电子陷阱，其对电子的俘获几率远大于对空穴的俘获几率，因此才能保持对 C v FN FM E i E ? C i d V

2019健康管理师基础知识--各章节重点汇总

一、健康管理概论 1、健康管理 A概念：以现在健康概念和中医治未病的思想为指导，运用医学、管理学等相关学科的理论、技术和方法，对个体或群体健康状况及影响健康的危险因素进行全面连续的检测、评估和干预，实现以促进人人健康为目标的新型医学服务过程。B健康管理特点：是管理学、预防医学研究、临床医学的交叉与结合，是三者互相弥合与提炼后形成的一门新兴学科与行业。 C健康管理的宗旨是有效地利用有限的资源来达到最大的健康效果，其主体是经过系统医学教育或培训并取得相应资质的医务工作者，客体是健康人群和亚健康人群及慢性非传染性疾病早期或康复期人群。健康管理服务的两大支撑点是信息技术和金融保险。公众理念是病前主动防，病后科学管，跟踪服务不间断。 C健康管理目标和任务：1）完善健康和福利。2）减少健康危险因素。 3)预防高危人群患病。4）易化疾病早期诊断。5）增加临床效用效益。6）避免可预防的疾病相关并发症的发病。7）消除和减少无效或不必要的医疗服务。8）对疾病结局做出度量并提供持续的评估和改进。 D健康管理基本步骤：1）了解你的健康，开始健康状况检测和信息收集。2）关心和评价你的健康，开展健康风险评估和健康评价。3）改善和促进你的健康，开展健康风险干预和健康促进，进行健康干预。4）效果评价 E健康管理服务流程：1）健康体检2）健康评估3）个人健康管理咨询4）个人健康管理后续服务5）专项的健康及疾病管理服务。 F健康管理基本策略是通过评估和控制健康风险，达到维护健康的目的。基本策略六种：生活方式管理、需求管理、疾病管理、灾难性病伤管理、残疾管理和综合的人群健康管理。可改变行为危险因素：吸烟、饮酒、不合理膳食、静坐生活方式不可改变行为危险因素：年龄、性别、种族、遗传。 2、生活方式管理 1）概念是指以个人或自我为核心的卫生保健活动。是通过健康促进技术，来保护人们远离不良行为，减少危险因素对健康的损害，预防疾病，改善健康。膳食、体力活动、吸烟、适度饮酒、精神压力等是目前对国人进行生活方式管理的重点。 2）生活方式管理特点：以个体为中心，强调个体的健康责任和作用；以预防为主，有效整合三级预防；通常与其他健康管理策略联合进行。 3）健康行为改变的技术4种：教育、激励、训练、营销 3、需求管理 1）概念：是通过帮助健康和寻求恰当的卫生服务，控制卫生成本，促进卫生服务的合理利用。 2）影响需求的主要因素4种：患病率；感知到的需要；患者偏好；健康因素以外的动机。 3）需求的主要方法：以问卷为基础的健康评估；以医疗卫生花费为基础的评估。 3、疾病管理疾病管理概念：是一个协调医疗保健干预和与患者沟通的系统，它强调患者自我保健的重要性。包含人群识别、循证医学的指导、医生与服务提供者协调运作、患者自我管理教育、过程与结果的预测和管理以及定期的报告和反馈。疾病管理特点：1）目标人群是患有特定疾病的个体。2）关注个体和群体连续性的健康状况与生活质量。 3）医疗卫生服务及干预措施的综合协调至关重要。 4、综合人群健康管理方法：包括一级、二级、三级预防。一级指在疾病发生之前预防其发生。二级指在疾病发展前对疾病早期诊断检测，问卷、筛查；三级指在疾病发生后预防其发展和蔓延，减少疼痛和伤害。 5、优秀的灾难性病伤管理项目的特征： 1、转诊及时 2、综合考虑各方面因素，制定出适宜的医疗服务计划 3.具备一支包含多种医学专科及综合业务能力的服务队伍，能够有效对可能出现的多种医疗服务需要 4、最大限度地帮助患者进行自我管理 5、尽可能使患者及家属满意。 6、残疾管理的目的：减少工作地点发生参加事故的频率和费用代价 7、膳食不合理、身体活动不足及吸烟是造成多种慢性病的三大行为因素。 8、我国健康管理主要的任务是：在新的医疗体制改革方案和“健康中国2020战略”总体框架下，仅仅围绕我国政府建设高水平小康社会的总体要求，创立现代健康管理创新体系，创新服务模式与技术手段，是慢性非传然性疾病得到有效控制。 9、健康管理与生产力发展是一个全新的健康理念。研究表明，每个企业对于员工的健康管理，不是付出，而是投资。 10、健康管理产业在发展过程中的实施原则： 1.理论研究与实践探索现结合、构建中国特色健康管理学科与产业体系 2.坚持需求牵引与产业推动相结合，以学术引领产业，依托政府的支持，以产业推动学术和学科发展。 3、坚持体系构建与功能相结合，构建健康管理医学服务新模式和中医特色预防保健新体系。 4、坚持技术标准与服务规范相结合，努力规范健康管理服务流程，提高行业核心竞争力；坚持成果示范与推广应用相结合，加大健康管理科技投入与成果转化的步伐，努力满足国人不断增长的健康需求。 5、坚持引进、消化与自主创新相结合，充分吸收和利用各国先进的健康管理经验和技术，努力构建国际化的健康管理技术合作与服务平台，坚持政府主导与社会广泛参与相结合。二、临床医学基础 1、临床医学的学科分类：1）按治疗手段建立的学科，内外科；2）治疗对象，妇儿3）人体系统或解剖，口腔眼等；4）病种，结核肿瘤；5）诊断手段，病理检验。 2、临床医学的主要特征：1）临床医学研究和服务的对象是人；2）临床医学具有探索性；3）临床医学启动医学研究；4）临床医学检验医学成果。 3、循证医学 1）循证医学概念：应用最多的有关信息，通过谨慎、明确和明智的确认和评估，做出医学决策的实践活动。 2）循证医学核心内容：医生对患者建议或实施任何、治疗或预防保健措施，都要尽可能基于可靠的证据，证明这种措施确实对患者有益，并

医学基础知识重要考点：血液循环(11)-生理学

生理学属于医学基础知识需要掌握的内容，中公卫生人才招聘考试网帮助大家梳理知识-血液循环。 1.简述淋巴回流的特点和生理作用。淋巴回流是组织液向血液回流的一个重要辅助系统。毛细淋巴管以稍膨大的盲端起始于组织间隙，彼此吻合成网，并逐渐汇合成较大的淋巴管。全身的淋巴液经淋巴管收集，最后由右淋巴导管和胸导管导入静脉。组织液进入淋巴管即为淋巴液。正常人每小时约有120ml 淋巴液进入血循环，主要是组织液中大分子物质，如蛋白质、脂肪以及血细胞、细菌等。在毛细淋巴管的起始端，内皮细胞的边缘像瓦片般互相覆盖，形成向管腔内开启的单向活瓣。此外，淋巴管中有瓣膜，使淋巴液不能倒流。淋巴管周围组织对淋巴管的压迫，也能推动淋巴流动，凡能增加淋巴液生成的因素也都能增加淋巴回流量。淋巴回流的生理功能主要是将组织液中的蛋白质分子带回血液中，并且能清除组织液中不能被毛细血管重吸收的较大分子以及组织中的红细胞和细菌等。小肠绒毛的毛细淋巴管对营养物质，特别是对脂肪的吸收起重要作用。例题：在组织液回流中，淋巴回流的主要功能是重吸收 A水分 B氨基酸 C电解质 D葡萄糖 E蛋白质正确答案：E 下列关于淋巴管及淋巴回流的描述，错误的是 A毛细淋巴管以盲端起始于组织 B组织液中颗粒可进人毛细淋巴管，但不能倒流 C组织液静水压升高时，淋巴回流将减少 D组织液中的红细胞、细菌可经淋巴回流重吸收 E正常成年人安静时的淋巴回流量约120mL/h 正确答案：C 2.心迷走神经兴奋如何影响心肌细胞电活动和收缩功能? 迷走神经兴奋时，节后纤维释放递质乙酰胆碱，作用于心肌细胞膜上M型胆碱能受体，产生负性变时、变力、变传导作用。乙酰胆碱能普遍提高K+通道的开放概率，促进外向K+流，是迷走神经影响心肌效应的主要机制。 ①静息状态下.K+外流增加可使静息电位绝对值增大，心肌兴奋性下降。

半导体物理学试题及答案

半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题 1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。 A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、电子 2、受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。 A、电子和空穴 B、空穴 C、电子 3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。 A、正 B、负 C、零 D、准粒子 E、粒子 4、当Au掺入Si中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。 A、受主 B、深 C、浅 D、复合中心 E、陷阱 5、 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。 A、相同 B、不同 C、无关

6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。 A、变大，变小 ; B、变小，变大; C、变小，变小; D、变大，变大。 7、砷有效的陷阱中心位置(B ) A、靠近禁带中央 B、靠近费米能级 8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。 A、大于1/2 B、小于1/2 C、等于1/2 D、等于1 E、等于0 9、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。 A、多子积累 B、多子耗尽 C、少子反型 D、平带状态 10、金属和半导体接触分为：( B )。 A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载