温补晶振40MHZ TCXO规格书

温补晶振40MHZ TCX0规格书

尺寸图‐‐‐参数表‐‐‐亿晶振业电子

压控温补晶振

晶振,电子产品都得依赖的一款电子器件,它是通常应用到一些高端电子产品当中,就好比智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.例如：智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品都使用到压控温补晶振,压控温补晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.晶振产品面向社会备受电子元器件市场青睐,不断努力不断创新给社会创造价值这离不开广大消费者的支持与厚爱.然而使我们生产晶振的生厂商有了饱满的信心和使用晶振的客户给的支持,晶振是越做越好,照这样的发展情况来看晶振就会成为新一代电子元器件中的骄傲神器. 压控温补晶振是内置高精度SMD温度补偿的石英晶体振荡器,可以使用在全球卫星GPS接收机.晶振在电子产品的要求上已经有了更近一步的规划,因为一些电子产品它是需要带电压的晶振和该产品内的其它电子器件相互刺激性的传输能稳定的电压,才能够使压控温这个功能作用起来,压控温补晶振 (VC-TCXO),尺寸2016mm 3225mm是目前有源晶振中体积最小的一款.压控温补晶振产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度:最高

0.8 mm,体积:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有频率控制功能,产品本身可根据使用需要进行选择;科技不单单只晶振,只要是能幻想的事物都能用高科技的手段和精密帷幄的思维把它更好的创造出来。

恒温晶振与温补晶振的区别

恒温晶振与温补晶振的区别恒温晶振与温补晶振都属于晶体振荡器，都是有源晶振，所以组成的震荡电路都需要电源加入才能工作。下面将简单介绍一下两者的区别。定义上恒温晶体振荡器简称恒温晶振，英文简称为OCXO（Oven Controlled Crystal Oscillator），是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器。OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。通常人们是利用热敏电阻电桥构成的差动串联放大器，来实现温度控制。温补晶振即温度补偿晶体振荡器（TCXO），是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。温补晶振术语来自石英晶体振荡器的一种补偿方式已达到产品应用方面的精度要求。温补晶振定义是将压电石英晶体原有的物理特性（压电效应下频率随温度成三次曲线变化）通过外围电路逆向改变使得石英晶体原有频率随温度的变化尽可能的变小的一种补偿方式所做的石英晶体振荡器。恒温晶振温补晶振工作原理上恒温晶振，由于晶体振荡器的震荡频率会随着温度的变化而变化，故为了保持频率的稳定性，将晶振控制在一个恒定的温度下工作以此来提高晶振的相频特性。温补晶振，由于晶体振荡器的震荡频率会随着温度的变化而变化，为了抵消温度对晶振频率的影响，控制晶振的谐振电容随温度变化而变化，抵消温度晶体影响提高频率稳定性。测量精度上一般的恒温晶振要比温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。而温补晶振的开机特性较好。恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即

温补晶振的热敏网络分析及参数计算

简单, 加工方便. 目前所能达到的补偿精度一般为 10 ～10 . 1998 年 12 月沈阳工业学院学报 V ol. 17 N o. 4 第17卷第4期 JOURNAL OF SHENYANG INST IT U T E OF T ECH NOL OGY Dec. 1 9 9 8 温补晶振的热敏网络分析及参数计算崔旭晶 ( 沈阳工业学院自动控制系, 沈阳 110015) 摘要论述了温度补偿石英晶体振荡器的工作原理, 对几种常见温度补偿网络( 热敏网络) 进行试验分析, 利用 New t on 等方法计算热敏网络参数并给出微机辅助设计. 关键词热敏网络, 曲线拟合, 残差. 分类号 T M 135 0 引言晶体振荡器的频率是随温度变化的. 为达到频率稳定的目的, 过去常加设一个恒温槽, 使振荡器的体积大、造价高, 耗电功率增加, 还需预热时间. 而使用“温度补偿”的晶体振荡器可以克服上述缺点, 并且对 AT 切晶体谐振器的各种频率温度系数曲线都能进行补偿, 有利于成批生产. 温度补偿的方法是设计一个“热敏网络”, 该热敏网络由固定电阻和热敏电阻组成, 结构 - 6 - 7 1 温补晶振的补偿原理及补偿过程如图 1 所示. 使用一个热敏网络和一个变容二极管, 变容二极管的结电容与其偏压成反比. 晶体振荡器的负载电容基本上等于变容二极管的结电容. 当环境温度改变时, 使石英谐振器的频率发生变化( 见图 2) , 热敏网络同时输出一个随温度变化的电压 V 0 , V 0 改变变容二极管的结电容, 使石英晶体振荡器的频率变化. 当热敏网络随温度变化输出的 V 0 改变变容二极管的结电容, 使晶体振荡器的频率变化( 曲线 b ) 和由于环境温度变化引起晶体振荡器的频率变化( 曲线 a) 相反且相等时, 两种变化互相抵消得到稳定的频率曲线 c, 则达到补偿的目的. 从上述补偿原理可得到补偿过程如下: 测试出补偿电压—温度曲线 ( V -T 曲线) 用电位器代替热敏网络, 改变环境温度( 温度变化根据需要选取) , 使晶体振荡器的频率变化, 记下对应温度的频率值. 调节电位器, 改变加在变容二极管上的偏压, 使晶体频率变化到等于标称值, 记下对应温度变容二极管上的偏压值, 即得到第四象限中所需要的补偿电压 — 温

恒温晶振、温补晶振的调试及测试

恒温晶振、温补晶振的调试及测试时的注意点恒温晶振、温补晶振的调试及测试时的注意点 1) 每一个单独指标必须单独测试，不能同时测试几种指标，也不能同时测试几只晶振。 2) 测试时要严格按照标准的测试电路和测试环境进行测试。 3) 在没有相当的测试设备和测试人员的情况下，不建议客户自行测试晶振，更不能随意调试晶振，测试设备的等级应至少比晶振指标高一个数量级。 4) 对不同厂家的产品，尤其是来自不同国家的产品，有一些指标的测试方法不尽相同，应提前了解各厂家的异同点，统一意见，以减少不必要的麻烦。 5) 对一些短期指标如频率精度，开机特性等，应多做几次重复的测试，以减少测试结果的偶然性。恒温晶振OCXO选型和采购时应该注意的问题 1) 不要一味追求高指标，因为高指标意味着成本大幅度增加，交货期加长； 2) 注意封装的可替代性，尽量不选用非标准封装； 3) 尽量不要压缩交货期限； 4) 了解厂家情况的时候，应该着重考察厂家的晶体来源、工艺控制能力； 5) 如果可能的话，应允许在研发阶段就让厂家参与到指标的确认工作中。恒温晶振、温补晶振主要技术指标定义的IEC标准 1）标称频率（Nominal frequency） IEC标准定义：振荡器标明的工作频率。 2）中心频率偏差 (Frequency accuracy) IEC标准定义：在基准点温度环境（25 ± 2 ℃）和中心控制电压时，测得的频率值与标称频率的偏差。 3）频率调谐范围（Frequency adjustment range） IEC标准定义：用某种可变元件使振荡器频率能够改变的频率范围。注：调整的目的： 1）把频率调到规定调整范围内的任一特定值。 2）由于老化和其它条件变化而引起频率偏移后，能够把振荡器频率修正到规定值。调整的方式： 3）调节方式有机械调节和电压调节两种4）可变元件通常指变容二极管、多圈电位器等。 4）工作温度范围 (Operating temp. range) IEC标准定义：振荡器能够正常工作，其频率及其它输出信号性能均不超过规定的允许偏差的温度范围。注： 1）工作温度范围的下限越低，振荡器功耗越大，同时频率温度稳定度越难实现。 2）工作温度范围的上限越高，晶体拐点设置越高，晶体成本上升越多。 5）压控特性（电压范围、极性、线性、压控输入阻抗） IEC标准定义：当控制电压变化时，引起的振荡器输出的频率、波形特征等电特性的变化。注： 1）电压范围：用来调节频率的电压的可调范围。常见的有0～3.3V, 0.3～3.0V, 0～ 5V, 0.5～4.5V等。2）压控范围：压控电压在电压范围内变化的时候，振荡器的频率能够变化的范围。3）极性：当振荡器的频率随压控电压的增加而增加的时候，压控极性 3）极性：当振荡器的频率随压控电压的增加而增加的时候，压控极性为正极性，反之为负极性。 4）线性度：理想的压控电压和频率变化量的关系是线性的，但实际上总会有所偏差，这个偏差就是表征理想程度的压控线性度，通常用百分比表示。5）如果系统不能给出稳定的电压信号，或者对输出频率有严格的控制要求时，通常振荡器可以自己给出经过稳压后的精准的电压供压控电压用，这个精准的电压就是参考电压。 6）输出波形（Output waveform）正弦: 负载能力方波: 上升沿时间、下降沿时间、占空比、高/低电平 IEC标准定义：振荡器工作时输出的波形及波形的具体特性。注：常见输出波形及输出特性指标： 1）正弦波（Sine）：谐波抑制（Harmonic attenuation）、杂波抑制（Noise attenuation ）、负载（Load）、输出幅度（Output level）。 2）削峰正弦波（Clipping Sine）：负载（Load）、输出幅度（Output level）。 3）方波（Square）：又分为MOS和TTL两类输出。负载（Load）、占空比（Duty cycle）、上升/下降时间（Rise/fall time）、高低电平（“1” and “0” level）。

京瓷kyocera温补晶振KT7050规格参数、数据手册、规格书信息

Temperature Compensated Crystal Oscillators (TCXO, VCTCXO)Surface Mount Type TCXO (LSI Type) KT7050 Series for Femtocell/ Stratum3 7.0×5.0mm Features ? H igh stability and high reliability ? 2.7 to 5.5V drive available ? C lipped sine wave or CMOS level output ? L ow phase noise ? D isable Function (KT7050A) Applications ? F emtocell, Stratum3? S ONET/ SDH/ Ethernet ? C ompliant to the GR1244-Core & GR253-Core ? R ecommended in Microsemi’s ZLAN - 68 app. note for Stratum3 applications based on tests performed by Kyocera. How to Order For Femtocell (Standard Spec.) Freq. Temp. Chrst. : ±0.1×10?6/ ?10°C to 70°C KT7050A 20000A G T 33T xx ① ② ③ ④⑤⑥⑦⑧⑨ For Stratum3 (Standard Spec.) Freq. Temp. Chrst. : ±0.28×10?6/ ?40°C to 85°C KT7050A 20000K A W 33T xx ① ② ③ ④⑤⑥⑦⑧⑨ ①Series ② Land Type Freq. Temp. Chrst. ⑥ Upper Operating Temp. ⑨Option Code 　Packaging (Tape & Reel 1000 pcs./ reel) Dimensions Recommended Land Pattern (Unit: mm) 号，上晶振商城】

常用晶振型号一览表

1.8432MHz 18.432MHZ 25MHZ 4 MHZ 12 MHZ 16 MHZ 13 MHZ 21.47727 MHZ 33.8688 MHZ 3.6864 MHZ 10.245 MHZ 14.7456 MHZ 7.9296875 MHZ 24.576 MHZ 7.2 MHZ 22.1184 MHZ 21.504 MHZ 1.8432 MHZ 13.25 MHZ 24 MHZ 2 MHZ 9.8304 MHZ 20.945 MHZ 9.216 MHZ 14.31818 MHZ 76.8 MHZ 7.3728 MHZ 11.0592 MHZ 44.545 MHZ 40 MHZ 16.384 MHZ 27 MHZ 26 MHZ 48 MHZ 45 MHZ 90 MHZ 130 MHZ 112.32 MHZ 130 MHZ 45.1 MHZ 110.52 MHZ 21.4 MHZ 106.95 MHZ 128.45 MHZ 21.4 MHZ 38.85 MHZ 70 MHZ 45.1 MHZ 26.050 MHZ 8.192 MHZ 44 MHZ 15.36 MHZ 20 MHZ 125 MHZ 25 MHZ 50 MHZ 27 MHZ 65 MHZ 17.734475 MHZ 100 MHZ 32.768 KHZ 31.5 MHZ 29.5 MHZ 56 MHZ 12.288 MHZ 18.432 MHZ 33.333 MHZ 26.975 MHZ 27.145 MHZ 75 MHZ 153.6 MHZ 150 MHZ 455 KHZ 4.91 MHZ 6 MHZ 16.9344 MHZ 10 MHZ 3.64 MHZ 4.1952 MHZ 30 MHZ 8.38 MHZ 4.09 MHZ 16.8 MHZ 4.25 MHZ 9.83 MHZ 33.8688 MHZ 10.7 MHZ 10.8 MHZ 32 MHZ 5 MHZ 14 MHZ 17.28 MHZ 2.68 MHZ 3 MHZ 12.5 MHZ 3.2 MHZ 465 MHZ 446 MHZ 1960 MHZ 433.92 MHZ 225 MHZ 1842 MHZ.5 MHZ 942.5 MHZ 243.5 MHZ 85.38 MHZ 1489 MHZ 1441 MHZ 897.5 MHZ 280 MHZ 926.5 MHZ 903.5 MHZ 360 MHZ 881.5 MHZ 947.5 MHZ 340 KHZ 400 KHZ 26 MHZ 10.245 MHZ 1880 MHZ 1747.5 MHZ 1960 MHZ 1575.45 MHZ 1847 MHZ 842.5 MHZ 1842.5 MHZ 315 MHZ 310 MHZ 19.68 MHZ 13.56 MHZ

有源晶振32.768K规格书

DxSX RTC (32.768KHz OSC) Series F0 T OPR T STG V DD I DD Sym T r T f V OH V OL Parameter Condition Frequency Range All Condition ±±±25ppm,50ppm,100ppm 40/60%(45/55%Option) 90%V Min DD 10%V Max DD -20~+70(-40~+85option) ℃℃ ℃℃-55~+125℃℃2.5V 10%±10%V ~90%V DD DD 90%V ~10%V DD DD 10mS Max Ts Frequency Stability* Operating Temperature Range Storage Temperature Range Power supply V oltage Supply Current Output Symmetry Rise time Fall Time Output V oltage HCMOS Load CL Output Load Start Time 15pF Max Pin 1,tri-state function Pin 1=H or open....Output active at pin 3Pin 1=L.....high impedance at pin 3 At 1/2V DD 10nS Max 10nS Max 3.3V 10% ± 1.8V 10%±Aging(First Year)±2ppm Max 32.768KHz 1mA Max 1000pcs/reel(HXO-D3x/5x)Packing Unit 32.768KHz 3000pcs/reel(HXO-DSx/Nx) 3.3V,2.5V 1.8V option and D2SX/D3SX/D5SX/D7SX 21 Low current consumption RF power saving application on portable devices

晶振的基本原理及特性

晶振的基本原理及特性晶振一般采用如图1a的电容三端式(考毕兹) 交流等效振荡电路；实际的晶振交流等效电路如图1b，其中Cv是用来调节振荡频率，一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现，这也是压控作用的机理；把晶体的等效电路代替晶体后如图1c。其中Co，C1，L1，RR是晶体的等效电路。分析整个振荡槽路可知，利用Cv来改变频率是有限的：决定振荡频率的整个槽路电容C=Cbe,Cce,Cv 三个电容串联后和Co并联再和C1串联。可以看出：C1越小，Co越大，Cv变化时对整个槽路电容的作用就越小。因而能“压控”的频率范围也越小。实际上，由于C1很小(1E-15量级)，Co不能忽略(1E-12量级，几PF)。所以，Cv变大时，降低槽路频率的作用越来越小，Cv变小时，升高槽路频率的作用却越来越大。这一方面引起压控特性的非线性，压控范围越大，非线性就越厉害；另一方面，分给振荡的反馈电压(Cbe上的电压)却越来越小，最后导致停振。采用泛音次数越高的晶振，其等效电容C1就越小；因此频率的变化范围也就越小。晶振的指标总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大偏差。说明：总频差包括频率温度稳定度、频率老化率造成的偏差、频率电压特性和频率负载特性等共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。频率稳定度：任何晶振，频率不稳定是绝对的，程度不同而已。一个晶振的输出频率随时间变化的曲线如图2。图中表现出频率不稳定的三种因素：老化、飘移和短稳。

图2 晶振输出频率随时间变化的示意图曲线1是用0.1秒测量一次的情况，表现了晶振的短稳；曲线3是用100秒测量一次的情况，表现了晶振的漂移；曲线4 是用1天一次测量的情况。表现了晶振的老化。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大允许频偏。 ft=±(f max-fmin)/(fmax+fmin) ftref ＝±MAX[｜(fmax-fref)/fref｜，｜(fmin-fref)/fref｜] ft：频率温度稳定度(不带隐含基准温度) ftref：频率温度稳定度(带隐含基准温度) fmax ：规定温度范围内测得的最高频率 fmin：规定温度范围内测得的最低频率 fref：规定基准温度测得的频率说明：采用ftref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用ft指标的晶体振荡器,故ftref指标的晶体振荡器售价较高。开机特性（频率稳定预热时间）：指开机后一段时间(如5分钟)的频率到开机后另一段时间(如1小时)的频率的变化率。表示了晶振达到稳定的速度。这指标对经常开关的仪器如频率计等很有用。说明：在多数应用中，晶体振荡器是长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机，这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到（尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台，当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃)，采用OCXO作为本振，频率稳定预热时间将不少于5分钟，而采用MCXO只需要十几秒钟)。频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率

常用无源晶振封装尺寸及实物图.562

常用无源晶振封装尺寸及实物图 A、直插封装（Through-Hole） (3) 1、HC-51/U 0.455 - 4.5 MHz 18.4 x 9.3 x 19.7 (3) 2、HC-33/U 0.455 - 4.5 MHz 18.4 x 9.3 x 19.7 (3) 3、HC-49/U 1 - 150 MHz 11.2 x 4.7 x 13.6 (4) 4、HC-49/U-S 3.2 - 70 MHz 11.2 x 4.7 x 3.6 (4) 5、CSA-310 3.5 - 4 MHz ? 3.2 x 10.5 (5) 6、CSA-309 4 - 70 MHz ? 3.2 x 9.0 (5) 7、UM-1 1 - 200 MHz 7.0 x 2.2 x 8.0 (6) B、贴片封装（SMD） (7) 1、HC-49/MJ 1 - 150 MHz 13.8/17.1 x 11.5 x 5.4 (7) 2、UM-1/MJ 1 - 200 MHz 7.9 x 3.5 x 8.2/12.5 (8) 3、UM-5/MJ 10 - 200 MHz 7.9 x 3.5 x 6.2/10.5 (8) 4、SM-49 3.2 - 66 MHz 12.9 x 4.7 x 4.0 (9) 5、SM-49-4 3.5 - 66 MHz 13.0 x 4.7 x 5.0 (9) 6、SM-49-F 3.5 - 60 MHz 12.5 x 5.85 x 3.0 (10) 7、MM-39SL 3.579 - 70 MHz 12.5 x 4.6 x 3.7 (11) 8、CPX-25 3.5 - 30 MHz 11.6 x 5.5 x 2.0 (11) 9、CPX-20 3.5 - 60 MHz 11.0 x 5.0 x 3.8 (12) 10、CPX-84 10 - 80 MHz 8.0 x 4.5 x 1.6 (13) 11、CPX-02 8 - 100 MHz 8.0 x 4.5 x 1.8 (13) 12、CPX-75GN 9.8 - 100 MHz 7.0 x 5.0 x 1.6 (14) 13、CPX-75GN2 9.8 - 100 MHz 7.0 x 5.0 x 1.6 (15) 14、CPX-75GT 12.8 - 100 MHz 7.0 x 5.0 x 1.1 (15) 15、CPX-75GT2 12.8 - 100 MHz 7.0 x 5.0 x 1.1 (16) 16、CPX-49S 8 - 150 MHz 7.5 x 5.0 x 1.5 (17) 17、CPX-63GA 10 - 100 MHz 6.0 x 3.5 x 1.1 (18) 18、CPX-63GB 10 - 100 MHz 6.0 x 3.5 x 1.1 (18) 19、CPX-49SM 8 - 150 MHz 6.0 x 3.5 x 1.2 (19) 20、CPX-49SP 8 - 45 MHz 5.0 x 3.2 x 0.8 (20) 21、CPX-53GA 8 - 50 MHz 5.0 x 3.2 x 0.8 (21) 22、CPX-53GB 8 - 50 MHz 5.0 x 3.2 x 1.2 (22) 23、CPX-42 12 - 40 MHz 4.0 x 2.5 x 0.8 (23) 24、CPX-32 13 - 54 MHz 3.2 x 2.5 x 0.7 (24) 25、CPX-22 16 - 40 MHz 2.5 x 2.0 x 0.45 (25) C、时钟晶振（CLOCkCrystals (kHz-Crystals)） (26) 1、TC-38 32.768 kHz ? 3.0 x 8.2 (26) 2、TC-26 32.768 kHz ? 2.1 x 6.2 (26) 3、TC-26 Funkuhrquarz 77.5 kHz ? 2.1 x 6.2 (26) 4、TC-15 32.768 kHz ? 1.5 x 5.1 (27) 5、MM-25S 30 - 150 kHz 8.0 x 3.8 x 2.5 (27) 6、MM-20SS 32.768 kHz 8.0 x 3.8 x 2.5 (27)

常用无源晶振封装尺寸及实物图

常用无源晶振封装尺寸及实物图晶振尺寸较多,为了查找资料方便,特整理一下: 石英晶振：即所谓石英晶体谐振器（无源晶振）和石英晶体振荡器（有源晶振）的统称。一般的概念中把晶振就等同于谐振器理解了，振荡器就是通常所指钟振。石英晶振是一种用于稳定频率和选择频率的电子元件，已被广泛地使用在无线电话、载波通讯、广播电视、卫星通讯、仪器仪表等各种电子设备中。石英晶振封装一般分为插件（DIP）和贴片（SMD）。插件中又分为HC-49U、HC-33U、HC-49S、全尺寸（长方体）、半尺寸（正方体）、音叉型（圆柱状晶振）。HC-49U一般称49U，有些采购俗称“高型”，而HC-49S一般称49S，俗称“矮型”，音叉型（圆柱状晶振）按照体积分可以分为φ3*10、φ3*9、φ3*8、φ2*6、φ1*5、、φ1*4等。贴片型是按尺寸大小和脚位来分类：例如7050（7.0*5.0）、6035（6.0*3.5）、5032（5.0*3.2)、3225（3.2*2.5）、2025（2.0*2.5）等。脚位有4pin和2pin之分。所谓全尺寸的，又称长方形或者14pin，半尺寸的又称正方形或者8pin。不过要注意的是，这里的14pin 和8pin都是指振荡器内部核心IC的脚位数，振荡器本身是4pin。而从不同的应用层面来分，有源晶振又可分为普通晶振（OSC）、温补晶振（TCXO）、压控晶振（VCXO）压控晶振恒温晶振（OCXO）等。 A、直插封装（Through-Hole） 1、 HC-51/U 0.455 - 4.5 MHz 18.4 x 9.3 x 19.7

2、HC-33/U 0.455 - 4.5 MHz 18.4 x 9.3 x 19.7 3、HC-49/U 1 - 150 MHz 11.2 x 4.7 x 13.6

晶振的基本原理及特性(精)

晶振的基本原理及特性晶振的基本原理及特性晶振一般采用如图1a的电容三端式(考毕兹) 交流等效振荡电路；实际的晶振交流等效电路如图1b，其中Cv是用来调节振荡频率，一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现，这也是压控作用的机理；把晶体的等效电路代替晶体后如图1c。其中Co，C1，L1，RR是晶体的等效电路。分析整个振荡槽路可知，利用Cv来改变频率是有限的：决定振荡频率的整个槽路电容C=Cbe,Cce,Cv三个电容串联后和Co并联再和C1串联。可以看出：C1越小，Co越大，Cv变化时对整个槽路电容的作用就越小。因而能“压控”的频率范围也越小。实际上，由于C1很小(1E-15量级)，Co不能忽略(1E-12量级，几PF)。所以，Cv变大时，降低槽路频率的作用越来越小，Cv变小时，升高槽路频率的作用却越来越大。这一方面引起压控特性的非线性，压控范围越大，

非线性就越厉害；另一方面，分给振荡的反馈电压(Cbe上的电压)却越来越小，最后导致停振。采用泛音次数越高的晶振，其等效电容C1就越小；因此频率的变化范围也就越小。晶振的指标总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大偏差。说明：总频差包括频率温度稳定度、频率老化率造成的偏差、频率电压特性和频率负载特性等共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。频率稳定度：任何晶振，频率不稳定是绝对的，程度不同而已。一个晶振的输出频率随时间变化的曲线如图2。图中表现出频率不稳定的三种因素：老化、飘移和短稳。

温补晶振(TCXO)振荡器

温补晶振（TCXO）振荡器本文档由https://www.360docs.net/doc/ff5577607.html,整理温补晶振由普通化转换成小型化是一个过程,在近十几年中得到稳定长足发展，其中在精密TCXO的研究开发与生产方面，日本居领先和主宰地位。在70年代末汽车电话用TCXO的体积达20 以上，目前的主流产品降至0.4 ，超小型化的TCXO器件体积仅为0.27 。在30年中，TCXO的体积缩小了50余倍乃至100倍。日本京陶瓷公司采用回流焊接方法生产的表面贴装TCXO厚度由4mm降至2mm，在振荡启动4ms后即可达到额定振荡幅度的90%。金石（KSS）集团生产的TCXO 频率范围为2～80MHz，温度从－10℃到60℃变化时的稳定度为±1ppm或±2ppm；数字式TCXO的频率覆盖范围为0.2～90MHz，频率稳定度为±0.1ppm（－30℃～+85℃）。日本东泽通信机生产的TCO－935/937型片式直接温补型TCXO晶振，频率温度特性（点频15.36MHz）为±1ppm/－20～+70℃，在5V±5%的电源电压下的频率电压特性为±0.3ppm，输出正弦波波形（幅值为1VPP），电流损耗不足2mA，体积1 ，重量仅为1g。PiezoTechnology生产的X3080型TCXO采用表面贴装和穿孔两种封装，正弦波或逻辑输出，在－55℃～85℃范围内能达到±0.25～±1ppm的精度。国内的产品水平也较高，日本爱普生EPSON公司推出的TCXO（32～40MHz）在室温下精度优于±1ppm，第一年的频率老化率为±1ppm，频率（机械）微调≥±3ppm，电源功耗≤120mw。目前高稳定度的TCXO器件，精度可达±0.05ppm。高精度、低功耗和小型化，仍然是TCXO的研究课题。在小型化与片式化

ZKJ晶振3225封装8MHz-10PF-20PPM规格书

深圳市中科晶电子有限公司一、适用范围本规格书用于规定(A)MHz石英晶体谐振器。 A：8.000000MHZ 二、构造 2.1封装： 3.2*2.5 2.2封装形式： □1.冷压焊■2.电阻焊□ 3.锡焊2.3封装介质： □1.氮气■2.真空三、尺寸、材料单位：mm

四、晶体技术参数指标 1.频率:8.000000MHz 2.型号:3225 3.振荡模式:Fundamental(AT) 4.频率频差:±20ppm at25℃±3℃ 5.温度频差:±30ppm温度频差测试的基准温度是:25±2℃ 6.工作温度范围:-20℃~+70℃ 7.储存温度范围:-30℃~+85℃ 8.负载(CL):10.0pF 9.激励功率:100uW/Max 10.静电容: 2.0pF MAX 11.等效电阻:80ΩMax. 12.绝缘阻抗:500MΩmin/DC100V 13.年老化率:±3ppm/年 14.包装方式:卷包3000PCS/Reel 15.备注

五、可靠性试验

六、包装方式 6.1带子尺寸（ unit:mm ） Marking Marking A B C D E F G H J K t 2.7 3.4 8.0 3.5 1.75 4.0 2.0 4.0 1.55 1.4 0.25 6.2卷盘尺寸（unit:mm ）七、注意本产品不能折弯使用，在电路板安装时使用过大的机械压力可能造成产品损坏，同时本规格书只规定了部件本身的品质，应用于您的产品时请确认图纸该产品是否适用。 M N P Q R S U 178.0 60.2 11.5 8.0 2.5 11.0 13.0

晶振型号大全

有源晶振引脚有源晶振型号纵多，而且每一种型号的引脚定义都有所不同，接法也不同,下面介绍一下有源晶振引脚识别：有点标记的为1脚，按逆时针（管脚向下）分别为2、3、4。有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。有源晶振不需要DSP的内部振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可），不需要复杂的配置电路。相对于无源晶体，有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出电平，灵活性较差，而且价格高。有源晶振是由石英晶体组成的,石英晶片之所以能当为振荡器使用，是基于它的压电效应：在晶片的两个极上加一电场，会使晶体产生机械变形；在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振动，同时机械变形振动又会产生交变电场，虽然这种交变电场的电压极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。当外加交变电压的频率与晶片的固有频率(由晶片的尺寸和形状决定)相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为“压电谐振”。压电谐振状态的建立和维持都必须借助于振荡器电路才能实现。图3是一个串联型振荡器，晶体管T1和T2构成的两级放大器，石英晶体XT与电容C2构成LC 电路。在这个电路中，石英晶体相当于一个电感，C2为可变电容器，调节其容量即可使电路进入谐振状态。该振荡器供电电压为5V，输出波形为方波。有源晶振与无源晶振晶振分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振的英文名称不同，无源晶振为crystal(晶体)，有2个引脚，体积小，需借助于时钟电路才能产生振荡信号；有源晶振叫做oscillator(振荡器)。有4只引脚，体积较大。方形有源晶振引脚分布： 1、正方的，使用DIP-8封装，打点的是1脚。 1-NC；4-GND；5-Output；8-VCC 2、长方的，使用DIP-14封装，打点的是1脚。 1-NC；7-GND；8-Output；14-VCC 说明： 1、电源有两种，一种是TTL，只能用5V，一种是HC的，可以3.3V/5V 2、边沿有一个是尖角，三个圆角，尖角的是一脚，和打点一致。 3、石英晶体封装类型：49/U，49/T，UM-5，49/S，尺寸：5X7mm，6X3.5mm，5X3.2mm，4X2.5mm 贴片晶振(OSC)尺寸：SMD(3.2×5，6X3.5，5X7，3.2×5，6X3.5，5X7) . 全尺寸、半尺寸晶振：49/U、49/T、49/S、49/SMD、50/U/0/T、UM-1、UM-5. 圆柱形晶振尺寸：1.5ⅹ5、2ⅹ6、3ⅹ8、3ⅹ9、3ⅹ10 . 常用晶振型号

NDK晶振NX2016GB晶体谐振器规格书

Crystal Units - 12 - 1604A_NX2016GB_e NX2016GB For Automotive High reliability small surface-mount type crystal unit for automotive.●High resistance to solder cracking. ●Ultra compact and thin. (2.0 x 1.6mm, H: Max. 0.8mm) ●Stable start-up characteristics even under extremely severe environmental conditions.●Excellent environment-resistant performance, including heat, vibration and shock resistance. ●Meets the requirements for re-flow profiling using lead-free solder.●Conforms to AEC-Q200. ■ Features ■ Specifications ■ Dimensions Please specify the model name, frequency, and specification number when you order products.For further questions regarding specifications, please feel free to contact us. 【NDK晶振授权代理商-深圳扬兴科技有限公司】www.yxc.hk

贴片0.1ppm高精度温补晶振

TS Type 7.0 x 5.0 mm SMD High Precision Voltage Controlled T e m p e r a t u r e C o m p e n s a t e d C r y s t a l O s c i l l a t o r Specifications subject to change without notice FEATURE - Typical 7.0 x 5.0 x 1.9 mm ceramic SMD package. - High Precision for -40 o C~+85 o C, ±0.28ppm - CMOS and Clipped Sine wave (without DC-cut capacitor) output optional. TYPICAL APPLICATION - Femtocell, Base Stations - WLAN / WiMAX / WiFi, Wireless Communications - Mobile Phone DIMENSION (mm) SOLDER PAD LAYOT (mm) ELECTRICAL SPECIFICATION Parameter 5.0V 3.3V Unit Min. Max. Min. Max. Supply Voltage Variation (VDD) ±5% 4.75 5.25 3.13 3.47 V Frequency Range 5 40 5 40 MHz Standard Frequency (for CMOS) 5, 6.4, 8, 8.192, 10, 12.5, 12.8, 16, 16.384, 19.44, 25 Standard Frequency (for Clipped Sine Wave) 8.192, 10, 12.5, 12.8, 16, 16.384, 19.44, 25 Frequency Tolerance* ±2.0 ±2.0 ppm Frequency Stability Vs Supply Voltage (±5%) change - ±0.5 - ±0.5 ppm Vs Load (±10%) change - ±0.2 - ±0.2 ppm Vs Aging - ±1.0 - ±1.0 ppm Supply Current (CMOS output) - 6.0 - 6.0 mA Supply Current (Clipped Sine Wave) - 3.5 - 3.5 Output Level (CMOS) Output Low (Logic"1") 4.5 - 2.97 - V Output Low (Logic"0") - 0.5 - 0.33 Duty 45 55 45 55 % Output Level (Clipped Sine Wave) 0.8 - 0.8 Vp-p Load (CMOS) 15pF 15pF Load (Clipped Sine Wave) 10 K? // 10pF 10 K? // 10pF Control Voltage Range (VCTCXO) 0.5 2.5 0.5 2.5 V Pulling Range (VCTCXO) ±5.0 ±12.0 ±5.0 ±12.0 ppm Vc Input Impedance (VCTCXO) 100 - 100 - K? Phase Noise @ 19.2MHz 100 Hz -120 -120 dBc / Hz 1 KHz -140 -140 10 KHz -148 -148 Start Time - 2 - 2 mSec Tri-State Disable - 1.5 - 0.99 V Enable 3.5 - 2.31 - Storage Temp. Range -55 125 -55 125 o C Standard frequencies are frequencies which the crystal has been designed and does not imply a stock position *Frequency at 25 o C, 1 hour after reflow Note: not all combination of options are available. Other specifications may be available upon request. 深圳捷比信－－高品质精密元件供应商ｗｗｗ．ｊｅｐｓｕｎ．ｃｏｍ