实验二十一 光电定向实验讲义

实验二十一 光电定向实验讲义
实验二十一 光电定向实验讲义

实验二十一光电定向实验

光电定向作为光电子检测技术的重要组成部分,是指用光学系统来测定目标的方位,在实际应用中具有精度高、价格低、便于自动控制和操作方便的特点,因此在光电准直、光电自动跟踪、光电制导和光电测距等各个技术领域得到了广泛的应用。光电定向方式有扫描式、调制盘式和四象限式,前两种用于连续信号工作方式,后一种用于脉冲信号工作方式。

本光电定向实验装置采用激光器作为光源,四象限探测器作为光电探测接收器,采用目前应用最广泛的一种光电定向方式现直观,快速定位跟踪目标方位。定向原理由两种方式完成:1、硬件模拟定向,通过模拟电路进行坐标运算,运算结果通过数字表头进行显示,从而显示出定向坐标;2、软件数字定向,通过AD转换电路对四个象限的输出数据进行采集处理,经过单片机运算处理,将数据送至电脑,由上位机软件实时显示定向结果。

本实验系统是根据光学雷达和光学制导的原理而设计的,利用其光电系统可以直接、间接地测定目标的方向。采用650nm激光器做光源,用四象限探测器显示光源方向和强度。学生可以通过该系统了解四象限定向基本原理,并观测到红外可见光辐射到四象限探测器上的位置和强度变化。

一、实验目的

1、了解四象限探测器的工作原理及其特性

2、了解并掌握四象限探测器定向原理

二、实验内容

1、系统组装调试实验

2、激光器(650nm)脉冲驱动实验

3、四象限探测器输出脉冲信号放大实验

4、四象限探测器输出脉冲信号展宽实验(采样保持)

5、硬件定向实验(1)由电阻构成的硬件和差运算电路实验

(2)由运算放大器构成的硬件和差运算电路实验

(3)坐标计算实验

四、实验原理

1、系统介绍:光电定向是指用光学系统来测定目标的方位,在实际应用中具有精度高、价格低、便于自动控制和操作方便的特点,因此在光电准直、光电自动跟踪、光电制导和光电测距等各个技术领域得到了广泛的应用。采用激光器作为光源,四象限探测器作为光电探测接收器,根据电子和差式原理,实现可以直观、快速观测定位跟踪目标方位的光电定向装置,是目前应用最广泛的一种光电定向方式。该系统主要由发射部分,光电探测器,信号处

理电路,A/D 转换和单片机,最后通过计算机显示输出。该系统结构框图如图1:

图1 系统结构框图 1)激光器发射部分

光发射电路主要由光源驱动器、光源(主要是半导体光源,包括LED 、LD 等)、光功率

自动控制电路(APC )等部分组成。用NE555组成的脉冲发生电路来驱动650nm 的激光器。

2)接收部分

接收部分主要由四象限探测器组成。四象限光电探测器是把四个性能完全相同的光电二极管按照直角坐标要求排列而成的光电探测器件,目标光信号经光学系统后在四象限光电探测器上成像,如图2。一般将四象限光电探测器置于光学系统焦平面上或稍离开焦平面。当目标成像不在光轴上时,四个象限上探测器输出的光电流信号幅度不相同,比较四个光电信号的幅度大小就可以知道目标成像在哪个象限上(也就知道了目标的方位)。

Vx

Vy

2、单脉冲定向原理

利用单脉冲光信号确定目标方向的原理有以下四种:和差式、对差式、和差比幅式和对数相减式。

1) 和差式 这种定向方式是参考单脉冲雷达原理提出来的。

在图2中,光学系统与四象限探测器组成测量目标方位的直角

坐标系。四象限探测器与

直角坐标系坐标轴x,y 重合,目标(近似圆形的光斑)成像在四象

限探测器上。当目标圆形光斑中心与探测器中心重合时,四个光电

二极管接收到相同的光功率,输出相同大小的电流信号,表示目标

方位坐标为:x =0,y =0.当目标圆形光斑中心偏离探测器中心,

如图3,四个光电二极管输出不同大小电流信号,通过对输出电流信号进行处理可以得到光斑中心偏差量x 1和y 1。若光斑半径为r ,

光斑中心坐标为x 1和y 1,为分析方便,认为光斑得到均匀辐射功率,总功率为P 。在各象限探测器上得到扇形光斑面积是光斑总面积的一部分。若设各象限上的光斑总面积占总光斑面积的百分比为A 、B 、C 、D 。则由求扇形面积公式可推得如下关系: ()()???

? ??+-=----r r D C B A x x 112211sin 21r x 2ππ 当r x 1 <<1时 r

x 41π≈+--D C B A 即 1x =()D C B A +--4

r

π

同理可得 1y =()D C B A --+4

r π 可见,只要能测出A 、B 、C 、D 和r 的值就可以求得目标的直角坐标。但是在实际系统中可以测得的量是各象限的功率信号,若光电二极管的材料是均匀的,则各象限的光功率和光斑面积成正比,四个探测器的输出信号也与各象限上的光斑面积成正比。如图4,可得输出偏差信号大小为 1X V =()D C B A KP +--

1Vy =()D C B A KP --+

对应于 1x =()D C B A +--k

1y =()D C B A --+k

放大器加法器减法器

图4 和差定向原理

式中,k =KP 4r

π,K 为常数,与系统参数有关。

2)对差式 将图4的坐标系顺时针旋转45o ,于是得

2x =1x cos45o +1y sin45o =()C A -k 2

2y =-1x cos45o +1y sin45o =()D B -k 2

3)和差比幅式 上述两种情况中输出的坐标信号均与系数k 有关。而k 又与接收到的目标辐射功率有关。它是随目标距离远近而变化的。这是系统输出电压1

X V 、1Vy 并不能够代表目标的真正坐标。采用下式表示的和差比幅运算可以解决这一问题。

3x =()()D C B A D C B A ++++--k k =D

C B A

D C B A ++++-- 3y =()()D C B A D C B A +++--+k k =D

C B A

D C B A +++--+ 式中不存在k 系数。与系统接收到的目标辐射功率的大小无关,所以定向精度很高。

4)对数相减式 在目标变化很大的情况下,可以采用对数相减式定向方法。坐标信号为

4x =()()D C B A ---lgk lgk =()()D C B A ---lg lg

4y =()()B C D A ---lgk lgk =()()B C D A ---lg lg

可见,坐标信号中也不存在系数k ,同样消除了接收到的功率变化影响。

当定向误差很小时,可以得到如下近似关系

4x D C B A +--≈

4y D C B A --+≈

上式就是和差式关系。因此当定向误差很小时,对数相减式实际上就是和差式。采用对数放大器和相减电路可实现对数相减式。

3、信号处理及显示

1)硬件定向

硬件定向通过硬件电路实现和差式定向原理。通过电阻求和网络和运算放大器实现的减法电路,将目标位置信号转换成对应的相对坐标值大小的电压信号,最后通过直流电压表头对电压进行显示。

其它三种定向方式的硬件需要自行设计完成。

五、注意事项

1、探测器象限定义

四象限探测器如上图所示有一三角形标示的为第一象限,按逆时针

排列,依次为第二、第三、第四象限。实验中可自行判断。

2、四象限探测器输出放大电路集成在探测器组件内部,组件接口

输出为放大后的信号。

3、激光器操作:激光器前自带有准直透镜,可以调节光斑的大小。

当需要调节准值透镜时,调节准直透镜螺纹,使光斑达到满意大小

即可。

4、插拔RS232(串口连接线)接口前,必须切断电源开关。

5、除测试环外,勿随意触摸,改动PCB 上的器件。

6、不要用眼睛直接看激光,以免损伤眼睛。

7、四象限Si PIN 光电探测器在使用中防止剧烈震动、冲击,以免光窗损坏。

六、实验操作

1)系统组装调试

1、将激光器通过自带螺钉固定在二维平移台上,平移台通过连接轴固定在导轨滑块上面。

2、将四象限探测器通过连接轴固定在导轨滑块上面。

3、将探测器和面板上探测器输入端通过7芯航空插座连接线连接。将激光器和面板上激光器输出端通过3芯航空插座连接线连接。接插部分有卡槽对应。

4、将展宽电路区的ZK1、ZK2、ZK3、ZK4和DI、DII、DIII、DIV对应用导线连接。打开电源,调整激光器和四象限探测器高度在同一水平线上,激光光点位置落在四象限探测器中心上,调节激光器组件前端螺母,使激光器输出光点直径约1~2mm。

5、转动调节四象限探测器,使激光器光点分别落在四个象限,可以观察到面板上对应四个象限光强(I、II、III、IV)的指示灯分别发光,即对应象限探测到的光强最强的,对应象限指示发光二极管发光。

2)激光器(650nm)脉冲驱动实验

1、打开示波器电源,用示波器测量脉冲发生电路的MC输出端输出的脉冲信号。此脉冲信号通过激光器驱动电路对激光器发出的光进行调制,从而使激光器发出脉冲光。

2、W1为频率调节电位器,调节W1,观察频率变化及频率上下限并记录结果。

3、W4为脉冲宽度调节电位器,调节W4,可以调节调制脉宽,观察脉宽变化及脉冲宽度上下限并记录结果。

3)四象限探测器输出脉冲信号放大实验

1、关闭电源。将探测器和面板上探测器输入端通过7芯航空插座连接线连接。将激光器和面板上激光器输出端通过3芯航空插座连接线连接。接插部分有卡槽对应。

2、打开实验仪和示波器电源,调整激光器和四象限探测器高度在同一水平线上,激光光点位置落在四象限探测器中心上,调节激光器组件前端螺母,使激光器输出光点直径约1~2mm。

3、同时用示波器测量MC输出端信号和信号测试区的探测器放大输出信号(FDI、FDII、FDIII、FDIV)。

4、调节脉冲驱动电路频率调节电位器W1,观察探测器放大信号变化,使其放大输出效果最好。

5、转动探测器使各象限光强最强,根据光强指示灯测量对应象限的探测器输出放大信号,记录下频率、脉冲和幅度,粗略描绘出波形。

4)四象限探测器输出脉冲信号展宽实验(采样保持)

1、关闭电源。将展宽电路区的ZK1、ZK

2、ZK

3、ZK4和DI、DII、DIII、DIV对应用导线连接。打开实验仪和示波器电源,调整激光器和四象限探测器高度在同一水平线上,激光光点位置落在四象限探测器中心上。

2、同时用示波器对应测量信号测试区探测器放大输出信号(FDI、FDII、FDIII、FDIV)和经过峰值保持电路处理之后展宽信号(ZKI、ZKII、ZKIII、ZKIV)。

3、调节脉冲驱动电路频率调节电位器W1,观察探测器放大信号变化,使放大输出效果最好。

4、转动探测器使各象限光强最强,根据光强指示灯测量对应象限的探测器输出展宽信号,

5) 硬件定向实验

1、关闭电源。将展宽电路区的ZK1、ZK

2、ZK

3、ZK4和AI 、AII 、AIII 、AIV 对应用导线连接,按颜色对应插入连线即可。打开实验仪和示波器电源,调整激光器和四象限探测器高度在同一水平线上,激光光点位置落在四象限探测器中心上。

2、打开电源,分别测量电阻求和网络输出端I+II 、III+IV 、I+IV 、II+III

的输出信号波形,

3对应用导线连接。

4、打开电源,测量输出端FX 、FY 的信号波形,记录下频率、脉冲和幅度,粗略描绘出波形。4示区的显示输入端。

5、打开电源,读取显示值并记录,即为横纵坐标相对值。

6、通过二维平移台调节激光器光点位置,对应坐标轴,观察并记录电压表显示变化。

7、关闭电源,拆除所有连线,结束实验。

七、实验思考题

1根据实验中的体会试分析影响定向精度的因素有哪些?

2电阻求和网络得出的求和值并不等于输入信号直接相加值,试分析原因。

八、实验测试点说明

照度实验报告

照度实验报告 一、背景 作业场所的合理采光与照明,对生产中的效率、卫生和安全都有重要的意义。它是工作 场所设计中的重要项目,无论是天然采光还是人工照明,其主要目的都是给人们的生活和生 产提供必需的视觉条件。 适当的照度设计应遵循工效学的原则,使照度设置达到保证物体的轮廓立体视觉,有利 于辨认物体的高低,深浅,前后远近及相对位置,有利于眼睛的辨色能力,有利于大视野, 降低疲劳、减少错误和工伤事故的发生。提高照度值可以提高识别速度和主体视觉,从而提 高工作效率和准确度。但照度值提高到使人产生眩光时,会降低工作效率。此外,利用照明 设计对人的情绪的影响,根据场所功能的需求,可使光环境对人产生兴奋或抑制的作用。在 绿色照明理念的指导下,人工照明应考虑节能和环保的要求。 二、实验目的 正确熟悉和使用照度计,采集光环境数据,并通过分析数据来判断光环境的照度是否合 理,假如不合理则提出合理的改善措施。 三、实验场所 上海海洋大学图书馆二楼大厅自习室(室外) 四、实验要求 1、照度采集 2、对自习室的照度情况进行分析 3、分析光照度合理性,并提出改善措施 五、分析 1、主观分析 (1)、主观评价调查数据 (2)、主观评价结果分析 a、计算每个项目的评分s(n): s(n)= 式中,s(n)为第n个项目的评分 p(m)为第m个状态的分值,其中,p(1)=0,p(2)=10,p(3)=50,p(4)=100, v (n,m)为第n个评价项目的第m个状态所得的票数。所以: s(1)= s(2)= s(3)= s(4)= s(5)= s(6)= =16.4 =10.8 =12.4 =12.6 =12.4 =12.6 s(7)= s(8)= s(9)= s(10)= b、计算总的光环境指数 s s= =9.2 =8.2 =9.4 =10 式中,w(n)为第n个评价项目权值,设其权值均为1 所以: s=11.4 为了便于分析和确定评价结果,本方法将光环境质量按光环境的指数范围分为四个质量 等级,其质量等级的划分及其含意如下表所示: 因为10<11.4<=50所以根据上表的结论,本实验的光环境质量等级为3,含义是: 问题较大 2、客观分析(照度数据采集及分析)(1)、照度采集现场 在进行照度值测量的时间点上我们选择了一个晴朗的下午2点~3点之间,光照十分充足, 因为时间和条件的限制就没有对阴天和晚上进行测量和分析。 图书馆二楼自习室现场

硅光电池特性测试实验报告

硅光电池特性测试实验报告 系别:电子信息工程系 班级:光电08305班 组长:祝李 组员:贺义贵、何江武、占志武 实验时间:2010年4月2日 指导老师:王凌波 2010.4.6

目录 一、实验目的 二、实验内容 三、实验仪器 四、实验原理 五、注意事项 六、实验步骤 七、实验数据及分析 八、总结

一、实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用 二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池伏安特性测试实验 5、硅光电池负载特性测试实验 6、硅光电池时间响应测试实验 7、硅光电池光谱特性测试实验 设计实验1:硅光电池光控开关电路设计实验 设计实验2:简易光照度计设计实验 三、实验仪器 1、硅光电池综合实验仪 1个 2、光通路组件 1只 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 5、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台 四、实验原理 1、硅光电池的基本结构 目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用,硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元,深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。 零偏反偏正偏 图 2-1. 半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区 图2-1是半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区,当P型和N型半导体材料结合

光电管特性的研究讲义

课题光电管特性的研究 1.了解光电效应实验的基本规律和光的量子性; 教学目的 2.测定光电管的伏安特性,研究光电流强度与加在光电管两极间电压的关系; 3.测定光电管的光电特性,研究光电流强度与照在光电管阴极上光通量的关系。重难点 1.光电管的伏安特性和光电特性; 2.最小二乘法处理数据。 教学方法讲授、讨论、实验演示相结合。 学时 3个学时 一、前言 光电效应是指在光的作用下,从物体表面释放电子的现象,所逸出的电子称为光 电子。这种现象是1887年赫兹研究电磁波时发现的。在光电效应中,光不仅在被吸 收或发射时以能量h 的微粒出现,而且以微粒形式在空间传播,充分显示了光的粒 子性。 1905年爱因斯坦引入光量子理论,给出了光电效应方程,成功地解释了光电效应 的全部实验规律。1916年密立根用光电效应实验验证了爱因斯坦的光电效应方程,并 测定了普朗克常量。爱因斯坦和密立根都因为光电效应方面的杰出贡献,分别获得 1921年和1923年诺贝尔物理学奖。而今光电效应已经广泛地应用于各科技领域,例 如利用光电效应制成的光电管、光电倍增管等光电转换其间,把光学量转换成电学量 来测量。光电元件已成为石油钻井、传真电报、自动控制等生产和科研中不可缺少的 元件。 二、实验仪器 暗匣(内装光电管及小灯泡及米尺);光电效应实验仪(包括24V稳压电源、12V 可调稳压电源、1 3位数子电压表和电流表,分别指示光电管电压、光源电流和光电 2 流、调节光电管电压的电位器、调小灯电流的可变电阻)。

三、实验原理 金属或金属化合物在光的照射下有电子逸出的现象,称为光电效应,或称为光电发射。产生光电发射的物体表面通常接电源负极,所以又称为光电阴极,光电阴极往往不由纯金属制成,而常用锑钯或银氧钯的复杂化合物制成,因为这些金属化合物阴极的电子逸出功远较纯金属小,这样就能在较小光照下得到较大的光电流。把光电阴极和另一个金属电极-阳极仪器封装在抽成真空的玻璃壳里就成了光电管。光电管在现代科学技术中如自动控制、有声电影、电视、以及光讯号测量等方面都有重要的应用。 1905年爱因斯坦提出“光子”概念,光是由一些能量E h ν=的粒子组成的粒子流。按照光子理论,光电效应是光子与电子碰撞,光子把全部能量(h ν)传给电子,电子获得的能量,一部分用来克服金属表面对它的束缚,另一部分成为该电子(光电子)逸出金属表面后的动能。根据能量守恒有 2 max 12 h mv W ν=+ 该式就是著名的爱因斯坦光电效应方程。由于 一个电子只能吸收一个光子的能量,该式表明光电子的初动能与入射光的频率呈线性关系,与入射光子数无关。 本实验是利用真空光电管来研究这一实验的基本规律,验证爱因斯坦的光电子理论。实验原理图如图5.12-1所示,C 为光电管的阴极,A 为光电管的阳极,调节R ,可在A 、C 两极间获得连续变化的电压。光的强弱决定于光子的多少,当用一定强度的光照射到光电管阴极时,光子(h ν)流 射到C 上打出光电子,阴极释放的电子在电场的作用下向阳极迁移,回路中将形成光电流。光电流的大小与光电管两极间电压及光电管阴极的光通量(光通量与光强成正比)都有关。

光电实验报告.

长春理工大学 光电信息综合实验—实验总结 姓名:赵儒桐 学号:S1******* 指导教师:王彩霞 专业:信息与通信工程 学院:电子信息工程 2016年5月20号

实验一:光电基础知识实验 1、实验目的 通过实验使学生对光源,光源分光原理,光的不同波长等基本概念有具体认识。 2、实验原理 本实验我们分别用了普通光源和激光光源两种。普通光源光谱为连续光谱,激光光源是半导体激光器。在实验中我们利用分光三棱镜可以得到红橙黄绿青蓝紫等多种波长的光辐射。激光光源发射出来的是波长为630纳米的红色光。 3、实验分析 为了找到光谱需要调节棱镜,不同的面对准光源找出光谱,棱镜的不同面对准光源产生的光谱清晰度不同,想要清晰的光谱就需要通过调节棱镜获得。 实验二:光敏电阻实验 1、实验目的 了解光敏电阻的光照特性,光谱特性和伏安特性等基本特性。2、实验原理 在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键和状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照越强,器件自身的电阻越小。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强,波长和外加电压有关。 3、实验结果

当光敏电阻的工作电压(Vcc )为+5V 时,通过实验我们看出来改变光照度的值,光源的电流值是发生变化的。光照度增加电流值也是增加的。测得实验数据如表2-1: 表2-1 光敏电阻光照特性实验数据 得到的光敏电阻光照特性实验曲线: 图2.1 光敏电阻光照特性实验曲线 表2-2 光敏电阻伏安特性实验数据

通过实验我们看出光敏电阻的光电流值随外加电压的增大而增大,在光照强度增大的情况下流过光敏电阻的电流值也是增大的,得到数据如表2-2。 得到的伏安特性如下: 图2.2 光敏电阻伏安特性曲线 由光敏电阻的光谱特性可知光敏电阻对不同波长的光,接收的光灵敏度是不一样的,测量对应各种颜色的光透过狭缝时的电流值,得到数据如下表: 得到的光谱特性曲线如图:

逸出功的测定实验报告

光电效应测普朗克常数 在近代物理学中,光电效应在证实光的量子性方面有着重要的地位。1905 年爱因斯坦在普朗克量子假说的基础上圆满地解释了光电效应,约十年后密立根以精确的光电效应实验证实了爱因斯坦的光电效应方程,并测定了普朗克常数。而今光电效应已经广泛地应用于各科技领域,利用光电效应制成的光电器件(如:光电管、光电池、光电倍增管等)已成为生产和科研中不可缺少的器件。 【实验目的】 1. 测定光电效应的基本特性曲线,加深对光的量子性的理解; 2. 学习验证爱因斯坦光电方程的实验方法,并测定普朗克常数。 【实验仪器】 ZKY—GD1光电效应测试仪、汞灯及电源、滤色片(五个)、光阑(两个)、光电管、测试仪(含光电管和微电流放大器) 图1 实验仪器实物图 【实验原理】 1.光电效应与爱因斯坦方程 用合适频率的光照射在某些金属表面上时,会有电子从金属表面逸出,这种现象叫做光电效应,从金属表面逸出的电子叫光电子。为了解释光电效应现象,爱因 斯坦提出了“光量子”的概念,认为对于频率为的光波,每个光子的能量为

式中,为普朗克常数,它的公认值是=6.626。 按照爱因斯坦的理论,光电效应的实质是当光子和电子相碰撞时,光子把全部能量传递给电子,电子所获得的能量,一部分用来克服金属表面对它的约束,其余的能量则成为该光电子逸出金属表面后的动能。爱因斯坦提出了著名的光电方程: (1)式中,为入射光的频率,为电子的质量,为光电子逸出金属表面的初速 度,为被光线照射的金属材料的逸出功,为从金属逸出的光电子的最大初动能。 由(1)式可见,入射到金属表面的光频率越高,逸出的电子动能必然也越大,所以即使阴极不加电压也会有光电子落入阳极而形成光电流,甚至阳极电位比阴极电位低时也会有光电子落到阳极,直至阳极电位低于某一数值时,所有光电 子都不能到达阳极,光电流才为零。这个相对于阴极为负值的阳极电位被称为光电效应的截止电压。 显然,有 (2)代入(1)式,即有 (3)由上式可知,若光电子能量,则不能产生光电子。产生光电效应的最低频率是,通常称为光电效应的截止频率。不同材料有不同的逸出功,因

光电探测技术实验报告

光电探测技术实验报告 班级:08050341X 学号:28 姓名:宫鑫

实验一光敏电阻特性实验 实验原理: 光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻,不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 实验所需部件: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、 各种光源、遮光罩、激光器、光照度计(由用户选配) 实验步骤: 1、测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩 盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻 R暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的 阻值为亮电阻,暗电阻与亮电阻之差为光电阻,光 电阻越大,则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻, 试作性能比较分析。 2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图(3)接线,电源可从+2~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/R L,亮电流L亮=V亮/R L,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 分别测出两种光敏电阻的亮电流,并做性能比较。 图(2)几种光敏电阻的光谱特性 3、伏安特性: 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。 按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流,并尝试高照射光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并作出V/I曲线。 注意事项: 实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV。光源照射时灯胆及灯杯温度均很高,请勿用手触摸,以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法,同时也须考虑到环境光照的影响。

《光电子技术实验》指导书

《光电子技术实验》指导书 北京航空航天大学 仪器科学与光电工程学院 2010年12月 实验规则及注意事项 由于本实验课所用设备属于高技术实验系统,许多组件价格昂贵,易于损坏,所以实验者在做实验前应该充分复习实验大纲上的内容,实验者在做实验时应注意以下几点事项: 1.操作光纤时应注意不能用力拉扯光纤,不能随意弯曲光纤。实验时不要用手碰动与实验无关的光纤部分。 2.实验调节电流时注意不要使工作电流超过限额。电流过大有可能损坏光源和光探测器以及其它有源器件。 3.不能直视光纤、激光器出射的光束! 4.调节光学微调架时要小心、轻力,严禁强力搬拧光学微调架。 目录 实验1:光源与光纤耦合调整及光纤损耗特性测量实验 (4) 实验2:光纤温度传感系统特性实验 (8) 实验一.光源与光纤耦合调整及光纤损耗特性测量实验 一.实验目的 (1)了解提高光源与光纤耦合效率的原理及方法。重点掌握光路调整及光纤处理的基本方法。

(2) 了解光纤损耗的定义,掌握光纤衰减的测试方法。 二. 实验原理 1. 光源与光纤耦合调整实验原理 (1) 直接耦合:这种方法将光纤的端面直接靠近光源的发光面,为了保证耦合 的效率,光纤的端面必须经过特殊处理,而且光纤端面与光源发光面的距离要尽可能的近。光源的发光面不应该大于纤芯的横截面面积,这是为了避免较大的耦合损耗。通常带尾纤的光源都使用这种耦合方式。这种耦合方法对光源耦合封装工艺技术要求较高。 (2) 使用透镜耦合:具体方法描述如下——将光源发出的光通过透镜聚焦到光 纤的纤芯上,可以使光源与光纤的耦合效率提高。具体原理见图1。 五维调节架五维调节架 图1.透镜耦合 (3) 利用五维调节架对光纤入端及出端进行位置调整,使输出功率达到最大。 (4) 耦合效率的计算(适合所有的耦合方法): 2 1P P ≡η 其中P 1为输出功率,P 2为输入功率。 2. 光纤损耗特性测量实验 光纤衰减是光纤中光功率减少量的一种度量,它取决于光纤的工作波长类型和长度,并受测量条件的影响。

光电定向实验报告文档

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光电定向实验报告文档 前言语料:温馨提醒,报告一般是指适用于下级向上级机关汇报工作,反映情况, 答复上级机关的询问。按性质的不同,报告可划分为:综合报告和专题报告;按行 文的直接目的不同,可将报告划分为:呈报性报告和呈转性报告。体会指的是接触 一件事、一篇文章、或者其他什么东西之后,对你接触的事物产生的一些内心的想 法和自己的理解 本文内容如下:【下载该文档后使用Word打开】 摘要:采用四象限探测器作为光电定向实验,学习四象限探测器的工作原理和特性,同时掌握四象限探测器定向的工作方法。实验中,四象限探测器的四个限区验证了具有完全一样的光学特性,同时四象限的定向具有较良好的线性关系。 关键词:光电定向四象限探测器 1、引言 随着光电技术的发展,光电探测的应用也越来越广泛,其中光电定向作为光电子检测技术的重要组成部分,是指用光学系统来测定目标的方位,在实际应用中具有精度高、价格低、便于自动控制和操作方便的特点,因此在光电准直、光电自动跟踪、光电制导和光电测距等各个技术领域得到了广泛的应用。光电定向方式有扫描式、调制盘式和四象限式,前两种用于连续信号工作方式,后一种用于脉冲信号工作方式。,由于四象限光电探测器能够探测光斑中心在四象限工作平面的位置,因此在激光准直、激

光通信、激光制导等领域得到了广泛的应用[1].本光电定向实验装置采用激光器作为光源,四象限探测器作为光电探测接收器,采用目前应用最广泛的一种光电定向方式现直观,快速定位跟踪目标方位。定向原理由两种方式完成:1、硬件模拟定向,通过模拟电路进行坐标运算,运算结果通过数字表头进行显示,从而显示出定向坐标;2、软件数字定向,通过AD转换电路对四个象限的输出数据进行采集处理,经过单片机运算处理,将数据送至电脑,由上位机软件实时显示定向结果。 本实验系统是根据光学雷达和光学制导的原理而设计的,利用其光电系统可以直接、间接地测定目标的方向。采用650nm激光器做光源,用四象限探测器显示光源方向和强度。通过实验,可以掌握四象限光电探测器原理,并观测到红外可见光辐射到四象限探测器上的位置和强度变化。并利用实验仪进行设计性实验等内容,将光学定向应用到各领域中[2]。 2、实验原理 2.1、系统介绍 光电定向是指用光学系统来测定目标的方位,在实际应用中具有精度高、价格低、便于自动控制和操作方便的特点,因此在光电准直、光电自动跟踪、光电 制导和光电测距等各个技术领域得到了广泛的应用。采用激光器作为光源,四象限探测器作为光电探测接收器,根据电子和差式原理,实现可以直观、快速观测定位跟踪目标方位的光电定向装置,是目前应用最广泛的一种光电定向方式。该系统主要由

光电检测实验报告(2)硅光电池

光电检测实验报告 实验名称:硅光电池特性测试实验实验者: 实验班级: 实验时间: 指导老师:宋老师

一:实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用 二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池负载特性测试实验 5、硅光电池光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、硅光电池综合实验仪 1个 2、光通路组件 1只 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 5、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台

四、实验步骤 1、硅光电池短路电流特性测试: (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)按图2-11所示的电路连接电路图 (5)记录下此时的电流表读数I即为硅光电池短路电流。 图2-11 硅光电池短路电流特性测试 2、硅光电池开路电压特性测试 (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4

与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)按图2-12所示的电路连接电路图 (5)记录下此时电压表的读数u即为硅光电池开路电压。 图2-12 硅光电池开路电压特性测试 3、硅光电池伏安特性测试 (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)电压表档位调节至2V档,电流表档位调至200uA档,将“光照度调节”旋钮逆时针调节至最小值位置。

光电检测试验讲义

光电检测试验讲义

实验一 光敏电阻特性参数测量及暗光街灯实验 一、实验目的: 1、了解光敏电阻的电阻特性,掌握光敏电阻的伏安特性及其随光照强度的变化规律。 2、利用光敏电阻的电阻变化特性,将之作为街灯自动点亮与熄灭的传感器件,掌握基于光敏电阻的暗光街灯的工作原理及应用。 二、实验原理: 光敏电阻是最典型的光电效应器件,即其电导率随光照强度而发生变化。半导体光电导器件是利用半导体材料的光电导效应制成的光电探测器件。本实验旨在测定光敏电阻在不同光照环境下的电阻值,并测定其伏安特性随光照强度的变化规律。 根据实验测定,光敏电阻的电阻值随光亮度的增大而迅速减小。利用这一特性,设计了暗光街灯演示实验。其原理是当环境变暗时光敏电阻的阻值增大,当亮度降低到一定值时,即光敏电阻值增大到某一阈值时,光电传感电路系统自动点亮小灯泡,从而达到与暗光街灯相似的目的。 三、实验所需单元: 直流稳压电源,光敏电阻,数字电压表,电流(毫安)表,暗光街灯电路, 小灯泡(负载),万用表。 四、实验步骤: (一)光敏电阻特性测试 万用表 图 1.1 暗、 图 1.2 伏安 mA U I

(1) 光敏电阻的暗、亮电阻测定。如图3.1所示,用万用表从光敏电子两端测定它在不同光照条件下的电阻值,将测得的结果填入表格。 (2) 光敏电阻伏安特性测定。按图1.2所示连接各元件和单元,检查连接无误后,开启电源。用一挡光物(如黑纸片或瓶盖)遮住光敏电阻(视为全暗),分别接插不同的电压U 值(可调电压的获取:通过面板“电机控制1”或“电机控制2”的Vin 输入5V ,Vout 可输出如0.5,1.0,1.5,2.0,2.5,3.0,3.5,4.0, 4.5,5.0V 等不同电压值),利用电流表测定流过光敏电阻的电流值I ,数字电压表测定U 值。 改变光敏电阻的光照强度(如全暗、日光灯、手电筒、激光照射),重复测定I 与U 的关系,可得到图1.3所示的伏安特性关系曲线族。 (3) 分析上述测量结果, 进一步了解光敏电阻的光敏特性,掌握其中的变化规律。 光 照 状 况 全 暗 日光灯照射 手电筒斜照射 手电筒直照射 激光照射 光敏电阻值(k ) I U 图 1.3 光敏电 光照

光电效应实验报告

南昌大学物理实验报告 学生姓名:黄晨学号:5502211059 专业班级:应用物理学111班班级编号:S008实验时间:13时00 分第3周星期三座位号:07 教师编号:T003成绩: 光电效应 一、实验目的 1、研究光电管的伏安特性及光电特性;验证光电效应第一定律; 2、了解光电效应的规律,加深对光的量子性的理解; 3、验证爱因斯坦方程,并测定普朗克常量。 二、实验仪器 普朗克常量测定仪 三、实验原理 当一定频率的光照射到某些金属表面上时,有电子从金属表面逸出,这种现象称为光电效应,从金属表面逸出的电子叫光电子。实验示意图如下 图中A,K组成抽成真空的光电管,A为阳极,K为阴极。当一定频率v的光射到金属材料做成的阴极K上,就有光电子逸出金属。若在A、K两端加上电压后光电子将由K定向的运动到A,在回路中形成电流I。 当金属中的电子吸收一个频率为v的光子时,便会获得这个光子的全部能量,如果这些能量大于电子摆脱金属表面的溢出功W,电子就会从金属中溢出。按照能量守恒原理有

南昌大学物理实验报告 学生姓名:黄晨学号:5502211059 专业班级:应用物理111 班级编号:S008实验时间:13 时00分第03周星期三座位号:07 教师编号:T003成绩:此式称为爱因斯坦方程,式中h为普朗克常数,v为入射光频。v存在截止频率,是的 吸收的光子的能量恰好用于抵消电子逸出功而没有多余的动能,只有当入射光的频率大于截止频率时,才能产生光电流。不同金属有不同逸出功,就有不同的截止频率。 1、光电效应的基本实验规律 (1)伏安特性曲线 当光强一定时,光电流随着极间电压的增大而增大,并趋于一个饱和值。 (2)遏制电压及普朗克常数的测量 当极间电压为零时,光电流并不等于零,这是因为电子从阴极溢出时还具有初动能,只有加上适当的反电压时,光电流才等于零。

光电探测实验报告

光电探测技术 实验报告 班级:10050341 学号:05 姓名:解娴

实验一光敏电阻特性实验 一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型; 2.了解光敏电阻的基本特性; 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流,并作出V/A曲线。 二、实验原理 伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时,光敏电阻的光电流没有饱和现象,因此,它的灵敏度正比于外加电压。 光敏电阻与外光电效应光电元件不同,具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。 大多数场合证明,各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为 式中,K为比例系数;是永远小于1的分数。 光电流的增长落后于光通量的增长,即当光通量增加时,光敏电阻的积分灵敏度下降。 这样的光照特性,使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。 光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样,它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大,最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A/lm,这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120,000倍。

三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1接线,电源可从+2V~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1接线,分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流,并尝试高照度光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果 填入表格并做出V/I曲线。 图1光敏电阻的测量电路 偏压2V4V6V8V10V12V 光电阻I 四、实验数据 实验数据记录如下: 光电流: E/V246810 U/V0.090.210.320.430.56 I/uA1427.54255.270.5 暗电流:0.5uA 实验数据处理:

光电检测实验报告

光电检测试验报告 专业:应用物理学 姓名:叶长军 学号:10801030125 指导教师:王颖 实验时间:2011.4 重庆理工大学光电信息学院

实验一 光敏电阻特性实验 实验原理: 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻。光敏电阻采用梳 状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 内光电效应发生时,光敏电阻电导率的改变量为: p n p e n e σμμ?=???+??? ,e 为 电荷电量,p ?为空穴浓度的改变量,n ?为电子浓度的改变量,μ表示迁移率。当两端加上电压U 后,光电流为:ph A I U d σ=??? 式中A 为与电流垂直的表面,d 为电极间的间距。在一定的光照度下,σ?为恒定的值,因而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻的伏安特性如图1-2所示,不同的光照度可以得到不同的伏安特性,表明 电阻值随光照度发生变化。光照度不变的情况下,电压越高,光电流也越大,光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。 图1-2光敏电阻的伏安特性曲线 图1-3 光敏电阻的光照特性曲线 实验仪器: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、各种光源、遮光罩、激光器、光照度计(做光照特性测试,由用户自备或选配) 实验步骤: 1. 测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表欧姆档测得的电阻值为 暗电阻R 暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电阻R 亮,暗电阻 与亮电阻之差为光电阻,光电阻越大,则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻,试作性能比较分析。 2. 光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1-5接线,分别在暗光及有光源照射下测出输出 电压暗和U 亮,电流L 暗=U 暗/R,亮电流L 亮=U 亮/R ,亮电流 与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 3. 光敏电阻的伏安特性测试 按照上图接线,电源可从直流稳压电源+2~+12V 间选用, 每次在一定的光照条件下,测出当加在光敏电阻上电压 为 +2V ;+4V ;+6V ;+8V ;+10V ;+12V 时电阻R 两端的电压U R ,

光电显示技术期末复习资料

光电显示技术期末复习资料 第一章绪论 (2) 1、光电显示器件有哪些分类? (3) 2、表征显示器件的主要性能指标有哪些? (3) 3、简述色彩再现原理。 (3) 4、人眼的视觉特性 (3) 5、简述人眼的视觉原理。 (4) 第二章液晶显示技术(LCD) (4) 1、简述液晶的种类与特点。 (4) 2、简述热致液晶分类和特点。 (5) 3、试述液晶显示器的特点。 (5) 4、什么是液晶的电光效应? (5) 5、LCD显示产生交叉效应的原因是什么? 用什么方法克服交叉效应? (5) 6、液晶有哪些主要的物理特性? (5) 7、简述TFT-LCD的工作原理。 (6) 8、简述TN-LCD的基本结构及工作原理。 (6) 9、液晶显示器驱动方法有哪几种方式? (7) 10、液晶显示控制器有哪些特性? (7) 11、自然光和偏振光的区别是什么?简述偏振光的分类及线偏振光的特点。 (7) 12、LCD结构和显示原理。 (7) 第四章发光二极管LED和有机发光二极管OLED显示技术 (10) 1、简述有机发光二极管显示器发光过程。 (10) 2、以ITO阳极-空穴传输层-发光层-电子传输层-金属阴极结构OLED为 例说明每一功能层的作用,并简述其工作原理。 (10) 3、简述影响OLED发光效率的主要因素和提高发光效率的措施。 (11) 4、OLED如何实现彩色显示? (11) 5、简述LED工作原理。 (11) 6、简述LED驱动方式。 (12) 7、OLED的结构与工作原理。 (12) 8、OLED的特点有哪些? (12) 第六章激光显示技术(LDT) (12) 1、激光具有哪些特性? (13) 2、激光用于显示具有哪些优势? (13) 第七章新型光电显示技术 (13) 1、场致发射显示(FED)结构及工作原理 (13) 2、真空荧光显示器(VFD)结构及工作原理 (14) 第八章大屏幕显示技术 (14) 1、DLP特点及工作原理 (14) 2、LCOS特点及工作原理 (15)

光纤通信系统实验指导书

光纤通信系统实验指导书 光纤通信系统实验指导书 桂林电子科技大学信息科技学院 二零零九年三月 目录 实验一数字光纤传输测试系统实验 (2) 实验二SDH点对点组网2M配置实验 (9)

实验三SDH 链型组网配置实验 (17) 实验四SDH 环形组网配置实验 (27) 实验一数字光纤传输测试系统实验 概述 光纤通信是利用光波作为载波,以光纤作为传输媒质实现信息传输,是一种最新的通信技术。 光纤是光导纤维的简称。光纤通信是以光波为载频,以光导纤维为传输媒质

的一种通信方式。光纤通信使用的波长在近红外区,即波长800~1800nm,可分为短波长波段(850nm)和长波长波段(1310nm和1550nm),这是目前所采用的三个通信窗口。 通信发展过程是以不断提高载频频率来扩大通信容量,光是一种频率极高的电磁波(3×1014HZ),因此用光作载波进行通信容量极大,是过去通信方式的千百倍,具有极大的吸引力,是通信发展的必然方向。 光纤通信有许多优点:首先它有极宽的频带。目前我国已完成了10Gbps的光纤通信系统,这意味着在125um的光纤中可以传输大约11万路电话。其次,光纤的传输损耗很小,传统的同轴电缆损耗约在5dB/Km以上,站间距离不足10Km;而工作在1.55um的光纤最低已达到0.2dB/Km的损耗,站间无中继传输可达100Km以上。另外,光纤通信还具有抗电磁干扰、抗腐蚀、抗辐射等特点,它 。 在地球上有取之不尽,用之不竭的光纤原材料—SiO 2 光纤通信可用于市话中继线,长途干线通信,高质量彩色电视传输,交通监控指挥,光纤局域网,有线电视网和共用天线(CATV)系统。 波分复用技术(WDM)的出现,使光纤传输技术向更高的领域发展,实现信息宽带、高速传输。 光纤通信将会在光同步数字体系(SDH)、相干光通信、光纤宽带综合业务数字网(B—ISDN)、用户光纤网、ATM及全光通信有进一步发展。 光纤通信系统主要由三部分组成:光发射机、传输光纤和光接收机。其电/光和光/电变换的基本方式是直接强度调制和直接检波。实现过程如下:输入电信号既可以是模拟信号(如视频信号、电话语音信号、正弦波或三角波信号),也可以是数字信号(如计算机数据、PCM编码信号、数字信号源信号);调制器将输入的电信号转换成适合驱动光源器件的电流信号并用来驱动光源器件,对光源器件进行直接强度调制,完成电/光变换的功能;光源 输出的光信号直接耦合到传输光纤中,经一定长度的光纤传输后送达接收端;在接收端,光电检测器对输入的光信号进行直接检波,将光信号转换成相应的电信号,再经过放大恢复等电信号处理过程,以弥补线路传输过程中带来的信号损伤(如损耗、波形畸变),最后输出和原始输入信号相一致的电信号,从而完成整个传送过程。 根据所使用的光波长、传输信号形式、传输光纤类型和光接收方式的不同,光纤通信系统可分成:

光电效应实验报告书

光电效应测普朗克常量 姓名:梁智健 学院:材料成型及控制工程166班 学号:5901216163 台号:22 时间:2017-10-16 实验教室:309 【实验目的】 1、验证爱因斯坦光电效应方程,并测定普朗克常量h。 2、了解光电效应规律,加深对光的量子性的理解。 3、学会用作图法处理数据。 4、研究光电管的伏安特性及光电特性。 【实验仪器】 1.光电效应测定仪 2.光电管暗箱 3.汞灯灯箱以及汞灯电源箱。 【实验原理】 1、当光照射在物体上时,光的能量只有部分以热的形式被 物体所吸收,而另一部分则转换 为物体中某些电子的能量,使这 些电子逸出物体表面,这种现象 称为光电效应。在光电效应这一 现象中,光显示出它的粒子性, 所以深入观察光电效应现象,对 认识光的本性具有极其重要的意 义。普朗克常数h是1900年普朗克 为了解决黑体辐射能量分布时提 出的“能量子”假设中的一个普

适常数,是基本作用量子,也是粗略地判断一个物理体系是否需要用量子力学来描述的依据。 1905年爱因斯坦为了解释光电效应现象,提出了“光量子”假设,即频率为v 的光子其能量为h v ?。当电子吸收了光子能量h v ?之后,一部分消耗与电子的逸出功W ,另一部分转换为电子的动能212 m v ?,即爱因斯坦光电效应方程 212m hv mv W =+(1) 2、光电效应的实验示意图如图1所示,图中GD 是光电管, K 是光电管阴极,A 为光电管阳 极,G 为微电流计,V 为电压表, E 为电源,R 为滑线变阻器,调 节R 可以得到实验所需要的加 速电位差AK U 。不同的电压AK U ,回路中有不同的电流I 与之对 应,则可以描绘出如图2所示的 AK U -I 伏安特性曲线。 (1)饱和电流的强度与光强成 正比 加速电压AK U 越大,电流I 越大,当AK U 增加到一定值后,电流达到最大值H I ,H I 称为饱和电流,而且H I 的大小只与光强成正比。 (2)遏制电压的大小与照射光的频率成正比 如图3所示,电源E 反向连接,即当加速电压AK U 变为负值时,电流I 会迅速较少,当加速电压AK U 负到一定值Ua 时,电流0I =,这个电压Ua 叫做遏制电压,4所示。 212 a mv e U =?(2)

光电探测实验报告

* * 光电探测技术 实验报告

* * 班级:10050341 学号:05 姓名:解娴 实验一光敏电阻特性实验 一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型; 2.了解光敏电阻的基本特性; 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流,并作出V/A曲线。

二、实验原理 伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时,光敏电阻的光电流没有饱和现象,因此,它的灵敏度正比于外加电压。 光敏电阻与外光电效应光电元件不同,具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。 大多数场合证明,各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为 I kα =Φ Φ 式中,K为比例系数;是永远小于1的分数。 光电流的增长落后于光通量的增长,即当光通量增加时,光敏电阻的积分灵敏度下降。 这样的光照特性,使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。 光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样,它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大,最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A/lm,这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120,000倍。 三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1接线,电源可从+2V~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1

光电实验报告.

长春理工大学 光电信息综合实验一实验总结 名:赵儒桐 学号:S1******* 专业:信息与通信工程学院:电子信息工程2016年5月20号

实验一:光电基础知识实验 1、实验目的 通过实验使学生对光源,光源分光原理,光的不同波长等基本概 念有具体认识。 2、实验原理 本实验我们分别用了普通光源和激光光源两种。普通光源光谱 为连续光谱,激光光源是半导体激光器。在实验中我们利用分光三棱镜可以得到红橙黄绿青蓝紫等多种波长的光辐射。激光光源发射出来的是波长为630 纳米的红色光。 3、实验分析 为了找到光谱需要调节棱镜,不同的面对准光源找出光谱,棱镜的不同面对准光源产生的光谱清晰度不同,想要清晰的光谱就需要通过调节棱镜获得。 实验二:光敏电阻实验 1、实验目的 了解光敏电阻的光照特性,光谱特性和伏安特性等基本特性。 2、实验原理 在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键和状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照越强,器件自身的电阻越小。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强,波长和外加电压有关。 3、实验结果

当 光敏电阻的工作电压(Vcc )为+5V 时,通过实验我们看出来 改变光照度的值,光源的电流值是发生变化的。光照度增加电流值也 是增加的。测得实验数据如表2-1 : 光敏电阻光照特性实验数据 光照度 (Lx ) 20 40 60 80 100 120 140 160 180 电流mA 0.37 0.52 0.68 0.78 0.88 1.00 1.07 1.18 1.24 表2-1光敏电阻光照特性实验数据 得到的光敏电阻光照特性实验曲线: 光敏电阻伏安特性实验数据 型号:G5528 电压 (U ) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 照度 (Lx ) 50 电流 (mA 0 0.05 0 .11 0. 17 0.2 4 0.29 0.35 0 1.42 0. 48 0.5 4 0.6 100 电流 (mA 0 0.09 0 .19 0. 28 0.3 3 0.48 0.58 0 .67 0. 77 0.8 7 0.95 150 电流 (mA 0.12 0 .24 0. 37 0.4 9 0.62 0.74 0.87 0. 98 1.1 2 1.19 通过实验我们看出光敏电阻的光电流值随外加电压的增大而增 大,在光照强度增大的情况下流过光敏电阻的电流值也是增大的, 得 到 数据如表2-2。 光敏电阻光照特性实验曲线 图2.1

光电显示技术实验讲义

实验一有机发光器件(OLED)参数测量 一、实验目的: 1.了解有机发光显示器件的工作原理及相关特性; 2.掌握OLED性能参数的测量方法; 二、实验原理简介: 1979年,柯达公司华裔科学家邓青云(Dr. C. W. Tang)博士发现黑暗中的有机蓄电池在发光,对有机发光器件的研究由此开始,邓博士被誉为OLED之父。 OLED (Organic Light Emitting Display,中文名有机发光显示器)是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光的现象。OLED用ITO透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。辐射光可从ITO一侧观察到,金属电极膜同时也起了反射层的作用。 图1:OLED结构示意图 与LCD相比,OLED具有主动发光,无视角问题,重量轻,厚度小,高亮度,高发光效率,发光材料丰富,易实现彩色显示,响应速度快,动态画面质量高,使用温度范围广,可实现柔软显示,工艺简单,成本低,抗震能力强等一系列的优点。 如果一个有机层用两个不同的有机层来代替,就可以取得更好的效果:当正极的边界层供应载流子时,负极一侧非常适合输送电子,载流子在两个有机层中间通过时,会受到阻隔,直至会出现反方向运动的载流子,这样,效率就明显提高了。很薄的边界层重新结合后,产生细小的亮点,就能发光。如果有三个有机层,分别用于输送电子、输送载流子和发光,效率就会更高。

为提高电子的注入效率,OLED阴极材料的功函数需尽可能的低,功函数越低,发光亮度越高,使用寿命越长。可以使用Ag 、Al 、Li 、Mg 、Ca 、In等单层金属阴极,也可以将性质活泼的低功函数金属和化学性能较稳定的高功函数金属一起蒸发形成合金阴极。如Mg: Ag(10: 1),Li:Al (0.6%Li),功函数分别为3.7eV和3.2eV,合金阴极可以提高器件的量子效率和稳定性,同时能在有机膜上形成稳定坚固的金属薄膜。此外还有层状阴极和掺杂复合型电极。层状阴极由一层极薄的绝缘材料如LiF, Li2O,MgO,Al2O3等和外面一层较厚的Al组成,其电子注入性能较纯Al电极高,可得到更高的发光效率和更好的I-V特性曲线。掺杂复合型电极将掺杂有低功函数金属的有机层夹在阴极和有机发光层之间,可大大改善器件性能,其典型器件是ITO/NPD/AlQ/AlQ(Li)/Al,最大亮度可达30000Cd/m2,如无掺Li层器件,亮度为3400Cd/m2。 为提高空穴的注入效率,要求阳极的功函数尽可能高。作为显示器件还要求阳极透明,一般采用的有Au、透明导电聚合物(如聚苯胺)和ITO导电玻璃,常用ITO玻璃。 载流子输送层主要是空穴输送材料(HTM)和电子输运材料(ETM)。空穴输送材料(HTM)需要有高的热稳定性,与阳极形成小的势垒,能真空蒸镀形成无针孔薄膜。最常用的HTM均为芳香多胺类化合物,主要是三芳胺衍生物。TPD:N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺NPD: N,N′-双(1-奈基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺。电子输运材料(ETM)要求有适当的电子输运能力,有好的成膜性和稳定性。ETM一般采用具有大的共扼平面的芳香族化合物如8-羟基喹啉铝(AlQ),1,2,4一三唑衍生物(1,2, 4-Triazoles,TAZ),PBD,Beq2,DPVBi等,它们同时又是好的发光材料。 OLED的发光材料应满足下列条件: 1)高量子效率的荧光特性,荧光光谱主要分布400-700nm可见光区域。 2)良好的半导体特性,即具有高的导电率,能传导电子或空穴或两者兼有。 3)好的成膜性,在几十纳米的薄层中不产生针孔。 4)良好的热稳定性。 按化合物的分子结构,有机发光材料一般分为两大类: 1) 高分子聚合物,分子量10000-100000,通常是导电共轭聚合物或半导体共轭聚合物,可用旋涂方法成膜,制作简单,成本低,但其纯度不易提高,在耐久性,亮度和颜色方面比小分子有机化合物差。 2) 小分子有机化合物,分子量为500-2000,能用真空蒸镀方法成膜,按分子结构又分为两类:有机小分子化合物和配合物。 有机小分子发光材料主要为有机染料,具有化学修饰性强,选择范围广,易于提纯,量子效率高,可产生红、绿、蓝、黄等各种颜色发射峰等优点,但大多数有机染料在固态时存在浓度淬灭等问题,导致发射峰变宽或红移,所以一般将它们以低浓度方式掺杂在具有某种载流子性质的主体中,主体材料通常与ETM和HTM层采用相同的材料。掺杂的有机染料,应满足以下条件: a. 具有高的荧光量子效率 b. 染料的吸收光谱与主体的发射光谱有好的重叠,即主体与染料能量适配,从主体到染料能有效地能量传递; c. 红绿兰色的发射峰尽可能窄,以获得好的色纯;

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