模拟电子技术 习题
习题
第一章半导体器件基础习题
1、PN结加正向电压时，空间电荷区将___A____。
A、变窄
B、基本不变
C、变宽
D、不能确定
2、如下图，二极管D是理想的，R=2KΩ，流过电阻的电流I=__A___。
A、5mA
B、0mA
C、10mA
D、不能确定
3、三极管的发射结和集电结均处于正偏的情况下，则属于：
Ａ、死区Ｂ、截止区
Ｃ、放大区Ｄ、饱和区
4、温度升高时，三极管的放大系数?：
A.增大
B.减小
C.不变
D.无法判断
5、工作在放大区的某三极管，当I B从20uA增大到40uA时，I C从1mA变成2mA，则它的?值为：
A．10 B.50
C.100
D.500
6、某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20uA，则集电极电流等于（）Ａ.0.98 mA Ｂ.1.02 mA
Ｃ.0.8 mA Ｄ.1.2 mA
7、半导体中，参与导电的载流子有____C___。
A、电子
B、空穴
C、电子和空穴
D、不能确定
8、___C_____能将电信号转换为光信号。
A、稳压二极管
B、阻尼二极管
C、发光二极管
D、整流二极管
9、本征半导体中，自由电子的浓度___C___空穴的浓度。
A、大于
B、小于
C、等于
D、不能确定
10、太阳能电池是利用半导体的 B 。
A、热敏性
B、光敏性
C、参杂性
D、以上都是
11、N型半导体带电性为 C 。
A、正电
B、负电
C、中性
D、无法确定
12、N型半导体中的多数载流子是：
A．电子 B.空穴
C.正离子
D.负离子
13、本征半导体中掺入五价元素后成为：
A．本征半导体 B.N型半导体
C．P型半导体 D.无法确定
14、PN结未加外部电压时，扩散电流（）漂移电流。
A.大于
B.小于
C．等于 D.无法判断
15、硅二极管的导通电压为：
A．0.7V B.0.1V
C．0.3V D.0.5V
16、稳压二极管稳压时，其工作在：
A．死区 B.正向导通区
C. 反向截止区
D.反向击穿区
17、三极管电流放大作用的外部条件是：
Ａ、发射结加反向电压，集电结加反向电压
Ｂ、发射结加正向电压，集电结加反向电压
Ｃ、发射结加正向电压，集电结加正向电压
Ｄ、发射结加反向电压，集电结加正向电压
18、半导体三极管是一种（）器件。
A、电流控制电流
B、电流控制电压
C、电压控制电压
D、电压控制电流
19、杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A、电压
B、温度
C、输入
D、杂质浓度
20、PN结反向偏置时，空间电荷区（）。
A、不变
B、变窄
C、变宽
D、不能确定
21、二极管的最高反向工作电压是75V，则它的击穿电压是________。
A、50V
B、100V
C、150V
D、200V
22、在本征半导体中，自由电子浓度________空穴浓度。
A、大于
B、小于
C、等于
D、不等于
23、PN结的主要特性（）。
A、单向导电性
B、双向导电
C、正偏
D、反偏
24、稳压管的稳压区是其工作在C 。
A、正向导通
B、反向截止
C、反向击穿
D、无法确定
25、下面不属于模拟信号的是 D ？
A、压力
B、温度
C、流量
D、人数
26、某放大电路中，晶体管三个电极的电流如下图所示，测出I1=1.8mA，I2=0.03mA，I3=－1.83mA，由此可知对应电极③是_____A___。
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、不能确定
27、双极型晶体管BJT具有放大作用的外部条件是_____D__。
A、发射结正偏，集电结正偏
B、发射结反偏，集电结反偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结正偏，集电结反偏
28、NPN型双极型晶体管工作在放大状态时，各极电位关系为U C________U B________U E。A
A、> >
B、< <
C、= <
D、< >
29、当双极型晶体管发射结和集电结都正偏时，双极型晶体管处于______B__。
A、截止状态
B、饱和状态
C、放大状态
D、无法确定
30、I B、I C、I E分别表示晶体管三个极的电流，这三个电流之间的关系是__C_____。
A、I B=I C+I E
B、I C=I B+I E
C、I E=I B+I C
D、无法确定
31、测量放大电路某三极管BJT的各电极电位为6V、11.3V、12V，则此三极管为____B____。
A、PNP 锗三极管
B、PNP 硅三极管
C、NPN 锗三极管
D、NPN 硅三极管
32、二极管两端反向偏置电压增高时，在达到_____D___电压以前，通过的电流很小。
A、死区
B、最大
C、短路
D、击穿
33、杂质半导体中，少子的浓度与___D_____有关。
A、晶体缺陷
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、温度
34、如图所示电路中，二极管D所处的状态是__C____。
A、击穿状态
B、截止状态
C、导通状态
D、无法确定
35、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为____C____。
A、放大状态
B、饱和状态
C、截止状态
D、击穿状态
36、工作在放大区的三极管，当I B从20μA增大至40μA时，I C从1mA变为2mA，其β值约为_____A___。
A、50
B、100
C、500
D、1000
37、如图2所示电路中，二极管D所处的状态是（）。
图2
A、击穿状态
B、截止状态
C、导通状态
D、无法确定
38、由理想二级管组成的电路如图所示，其A 、B 两端的电压为（ ）。
A 、-12V
B 、+6V
D 、+12V
39、PNP 型双极型晶体管工作在放大状态时，各极电位关系为UC________UB________UE 。
A 、> >
< C 、= < D 、< >
40、两个稳压二极管的稳压值分别为7V 和9V ，将它们组成如图所示电路，设
U 1值是20V ，则输出电压 U 0为 。
B 、9V
C 、0V
D 、8V
41. 使用万用表直流电压挡，测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如
图3所示，则该晶体管工作在______。
A 、饱和状态
B 、放大状态
C 、截止状态
D 、倒置状态
图3
42、 在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管
C. PNP 型硅管
D.PNP 型锗管
如下图所示，已知三极管工作在放大状态，回答题43-44
图4
43、该管脚Y 为：
A.发射极
B.基极
C.集电极
D.无法判断
44、该管子的类型为
A.PNP 锗管
B.PNP 硅管
C.NPN 锗管
D.NPN 硅管
Ｔ
X
Y Z
+3V +3.6V
已知如图5所示，回答题45-46.
45.三极管剩下的管脚的电流为：
A.3.9mA，方向向下
B.3.9mA，方向向上
C.4.1mA，方向向下
D.4.1mA，方向向上
46.最左边的管脚是：
A.基极
B.发射极
C.集电极
D.不一定
图5
47、PN结的主要特性是___A_____。
A、单向导电性
B、双向导电
C、正偏
D、反偏
48、下图所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位如图所示，则该晶体管的类型为____A_____。
A、NPN 硅管
B、NPN 锗管
C、PNP 硅管
D、PNP 锗管
49、上题中，x、y、z 代表的电极分别为A 。
A、b、c、e
B、b、e、c
C、e、b、c
D、c、e、b
50、NPN三极管放大工作状态时，电流的方向是___D____。
A、I E和I B流入、I C流出
B、I E流入、I B和I C流出
C、I C流入、I E和I B流出
D、I B和I C流入、I E流出
51、某晶体三极管集电极电流为1mA，基极电流为20μA，则发射极电流为_____B___mA。
A、0.98
B、1.02
C、0.8
D、1.2
52、半导体三极管是一种___A_____器件。
A、电流控制电流
B、电流控制电压
C、电压控制电压
D、电压控制电流
53、测得双极型晶体管三个电极的静态电流分别为0.08mA，4.8mA和4.88mA，则该管的β为____D____。
A、40
B、50
C、80
D、60
54、两个稳压二极管的稳压值分别为8V和10V，将它们组成如图所示电路，设输入电压U1值是12V，则输出电压U0为__D______。
A、10V
B、12V
C、9V
D、8V
55、P型半导体中多数载流子是______，少数载流子是________。
正离子B、空穴负离子
C、空穴自由电子
D、自由电子空穴
56、半导体三极管是一种器件。
A、电流控制电流
B、电流控制电压
D、电压控制电流
57、当二极管两端正向偏置电压大于时，二极管才能导通。
A、反向击穿电压
B、饱和电压
C、正向导通压降
D、门坎电压
58、二极管电路如图所示，设二极管导通电压U D＝0.7V ，则输出电压值为。
A、2V
B、0V
C、1.3V
D、-1.3V
59、杂质半导体中，多子的浓度与有关。
A、晶体缺陷
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、温度
60、某放大电路中,晶体极的电流如图所示，测出
，由此可知对应电极②是。A、发射极B、基极C、集电极D、不能确定
、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为。
A、放大状态
B、饱和状态
C、截止状态
D、击穿状态
62________。
A、放大区
B、截止区
C、饱和区
D、以上都不对
636V、11.3V、12V，则此三极管为______。
A、PNP 锗三极管
B、PNP 硅三极管
C、NPN 锗三极管硅三极管
64、某放大电路晶体管发射极电流为1mA，基极电流为20μA，则集电极电流为
A、0.98
B、1.02
C、0.8
D、1.2
、二极管两端反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小
A、死区
B、最大
C、短路
PN结反向偏置时，空间电荷区________。
B、变窄
C、基本不变
D、不能确定
50V，则它的击穿电压是。
A、50V C、150V D、200V
68、下面不属于模拟信号的是
A、温度C、流量D、压力
69、稳压管的稳压区是其工作在
A、正向导通
B、反向截止 D、无法确定
70、下图所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位如图所示，则该晶体管的类型为_________。
A、NPN 硅管
B、NPN 锗管
C、PNP 硅管
D、PNP 锗管
71、上题中，x，y，z代表的电极分别为
A、b、c、e
B、b、e、c
C、e、b、c 、e、b
72、在N型半导体中，多数载流子为___B_____。
A、空穴
B、自由电子
C、正离子
D、负离子
73、在本征半导体中加入 C 元素可以获得P型半导体。
A、五价
B、四价
C、三价
D、任何杂质
74、本征半导体中，自由电子的浓度__C______空穴的浓度。
A、大于
B、小于
C、等于
D、不能确定
75、稳压二极管通常工作在____A___状态下，能够稳定电压。
A、反向击穿区
B、正向导通区
C、反向截止区
D、正向截止区
76、当PN结反向加电时（反偏），下列结论正确的是__A______。
A、外电场加强内电场，耗尽层变宽
B、外电场加强内电场，耗尽层变窄
C、外电场削弱内电场，耗尽层变窄
D、外电场削弱内电场，耗尽层变宽
77、半导体二极管的最主要特性是____A____。
A、单向导电性
B、温度特性
C、击穿特性
D、导通后管压降不变特性
78、NPN型晶体管工作在放大状态时，各极电位关系为U E ____U B___ U C。（B）
A、>，>
B、<，<
C、<，=
D、不能确定
79、二极管电路如图所示，二极管D1和D2的工作状态是___A_____。
A、D1、D2均截止
B、D1、D2均导通
C、D1导通、D2截止
D、D2导通、D1截止
80、如下图，硅稳压二极管VS的稳定电压是6V,则电路的输出电压为__B______。
A、10V
B、6V
C、16V
D、-6V
81、IB、IC、IE分别表示晶体管三个极的电流，这三个电流之间的关系是_____C___。
A、IB=IC+IE
B、IC=IB+IE
C、IE=IB+IC
D、无法确定
82、测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.08mA，4.8mA和4.88mA，则该管的β为__D______。
A、40
B、50
C、80
D、60
83、NPN三极管放大工作状态时，电流的方向是__D______。
A、I E和I B流入、I C流出
B、I E流入、I B和I C流出
C、I C流入、I E和I B流出
D、I B和I C流入、I E流出
84、测量某放大电路三极管的各电极电位为6V、11.3V、12V，则此三极管为__B______。
A、PNP 锗三极管
B、PNP 硅三极管
C、NPN锗三极管
D、NPN 硅三极管
85、下列不属于半导体材料的是（）。
A、硅
B、碳
C、锗
86、（）能将光信号转换为电信号。
A、稳压二极管
B、光敏二极管
C、发光二极管
87、在半导体中掺入五价元素后的半导体为（）。
A、本征半导体
B、P型半导体
C、N型半导体
88、半导体和金属导体导电最重要的区别是：半导体有（）载流子，金属导体有（）载流子。
A、两种三种
B、两种一种
C、一种两种
D、一种三种
89、P型半导体的多数载流子是（）
A、自由电子
B、空穴
C、正离子
D、负离子
90、平衡PN结的扩散电流（）漂移电流。
A、大于
B、等于
C、小于
91、PN结反向偏置的连接方法为（）。
A、P区接电源正极，N区接电源负极
B、P区接电源负极，N区接电源正极
C、以上都不对
92、硅二极管的导通电压为（）V。
A、0.1
B、0.3
C、0.5
D、0.7
93、稳压管工作在稳压状态时，应工作在（）。
A、死区
B、正向偏置区
C、反向截至区
D、反向击穿区
94、在放大电路中，用电压表测得三极管中U CE为0.3V，它工作在（）。
A. 截止
B. 放大
C. 饱和
95、温度升高时，下面关于三极管的参数变化描述错误的是________。
A、β增大
B、I CBO增大
C、U BE增大
D、I C增大
96、处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是（）。
A、U B>U C>U E
B、U E>U B>U C
C、U C>U B>U E
D、U C>U E>U B
97.电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如下图所示，则该晶体管工作在________。
A、饱和状态
B、放大状态
C、截止状态
D、倒置状态
98、某设备中二极管的反向最高工作电压为200V，它的反向击穿电压要求为________。
A、50V
B、100V
C、200V
D、400V
99、工作在放大区的三极管，测得I E=3.06mA，I B=60uA，其β值为( )。
A.50
B.51
C.500
D.510
第二章基本放大电路习题
1、某一NPN管组成的单管共射放大电路，输入电压为正弦波时，输出电压波形如下图示，该输出电压波形属于__B______。
A、截止失真
B、饱和失真
C、频率失真
D、交越失真
2、关于放大B电路交流通路的画法，下列说法正的是______B__。
A、电容视为短路，电源视为开路
B、电容视为短路，电源视为短路
C、电容视为开路，电源视为开路
D、电容视为开路，电源视为短路
3、NPN管共射基本放大电路，当静态工作点设置的过高，输出电压正弦波形会产生________，可以通过________基极电阻R B改善静态工作点。C
A、顶部失真增大
B、顶部失真减小
C、底部失真增大
D、底部失真减小
4、在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波，则输出电压与输入电压的相位____A____ 。
A、同相
B、相差90度
C、相差180度
D、相差270度
5、对于电压放大电路，为获得较高的输出电压信号，我们希望___A___。
A、输入电阻Ri越大越好，输出电阻Ro越小越好；
B、输入电阻Ri越小越好，输出电阻Ro越小越好；
C、输入电阻Ri越大越好，输出电阻Ro越大越好；
D、输入电阻Ri越小越好，输出电阻Ro越大越好；
6、关于共集放大电路，下列说法错误是的___A_____。
A、电压增益较大
B、输入电阻较大
C、输出电阻较小
D、输入输出同相
7、下列电路名称中，____D____与其他不同。
A、共集放大电路
B、射极输出器
C、电压跟随器
D、电流跟随器
8、引起放大电路输出波形饱和失真的主要原因是____C_____ 。
A、输入电阻太小
B、静态工作点过低
C、静态工作点过高
D、输出电阻太大
9、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波，则输出与输入电压的相位_C_______ 。
A、同相
B、相差90度
C、反相
D、相差270度
10、引起放大电路静态工作点不稳定的主要因素是_____C____ 。A、元器件
参数老化B、电源电压波动
C、温度变化
D、以上都不是
11、某放大电路的输出电阻R O为2KΩ，测得负载开路时输出电压为3V，当接上2KΩ的负载后，输出电压为____D____ 。
A、0
B、2V
C、3V
D、1.5V
12、关于电压放大电路交流通路的画法，下列说法正确的是__B______。
A、电容C视为短路，直流电源V CC视为开路；
B、电容C视为短路，直流电源V CC视为短路；
C、电容C视为开路，直流电源V CC视为开路；
D、电容C视为开路，直流电源V CC视为短路；
以下关于射极输出器的特点描述错误的是。
B、具有电流放大作用
D、输出电阻低
14、对于电压放大电路，为获得较高的输出电压信号，我们希望______。
Ri越大越好，输出电阻Ro越小越好；
B、输入电阻Ri越小越好，输出电阻Ro越小越好；
C、输入电阻Ri越大越好，输出电阻Ro越大越好；
D、输入电阻Ri越小越好，输出电阻Ro越大越好；
15、饱和失真是由于静态工作点设置过________而产生的；截止失真是由于静态工作点设置过____A____而产生的。
A、高低
B、低高
C、高高
D、低低
16、共射极放大电路的输出信号加在____D____之间。
A．基极和集电极B．射极
C．基极和射极D．射极和集电极
17、共射极放大电路的输出信号加在____D____之间。
A、基极和集电极
B、发射极
C、基极和发射极
D、发射极和集电极
18、在单管放大电路中，若u i接至b极，u o接至c极，则该放大电路为（ A ）组态。
A、共射极
B、共集电极
C、共基极
19、NPN管共射基本放大电路，当静态工作点设置的过低，会产生________，可以通过________基极电阻R B改善静态工作点。 D
A、饱和失真增大
B、饱和失真减小
C、截止失真增大
D、截止失真减小
20、如下图所示基本共射电路，当β=50时，I B=20μA，I C=1mA, 若只更换β=100的晶体管，而其他参数不变时，则I B和I C分别是__B______ 。
A、10μA, 1mA
B、20μA, 2mA
C、30μA, 3mA
D、40μA, 4mA
21.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波，则输出与输入电压的相位
A.同相
B.正交
C.反相
D.不一定
已知如图1所示，若减小R P，完成题目22-27。
图1
22.基极电流I BQ将：
A.增大
B.减小
C.不变
D.无法判断
23. 管压降U CEQ 将：
A.增大
B.减小
C.不变
D. 无法判断
24.Q 点将沿直流负载线：
A.上移
B.下移
C.不变
D. 无法判断
25.三极管输入电阻r be 将：
A.增大
B.减小
C.不变
D. 无法判断
26.输出电阻Ro 将：
A.增大
B.减小
C.不变
D. 无法判断
27.当R P 减小到一定程度时，电路有可能：
A.产生饱和失真
B.产生截止失真
C.不受影响
D.以上都有可能
28、饱和失真是由于静态工作点设置过 而产生的；截止失真是由于静态工作点设置过________而产生的。
A 、高 高
B 、低 高
低 D 、低 低
29、某一NPN
形如图所示，该输出电压波形属于 。
A 、截止失真 C 、频率失真 D 、交越失真
30、在三种组态的放大电路中既能够放大电流，又能够放大电压的是
。
B 、共集电极放大电路
D 、射极输出器
、放大器的输出电阻 负载电阻。
B 、包含
MN 如第二大题计算题图中数据所示，则M 点和N 点的值分别为 。
A 、
9mA 6V B 、12V 3mA C 、6V 9mA 12V 33、直流负载线MN 的斜率是 。
A 、C R 1
B 、L
C R
R //1 C
R 1 D 、L C R R //1- 34
、若在输出特性曲线上做出交流负载线，则其斜率应为 。
A 、C R 1
B 、L
C R R //1 C
35R b ，则输出信号会出现 。A 、饱和失真 C 、交越失真 D 、线性失真
36～38题答案。
36、该三极管放大电路的名称，以下说法不正确的是 。
A 、共集电极放大电路
C 、电压跟随器
37、该放大电路的电压放大倍数和输入输出相位关系，正确的说法是 。
A 、电压放大倍数为
，且输出信号与输入信号相位相反 B 、电压放大倍数为be
e L r R R //
，且输出信号与输入信号同相位 1，且输出信号与输入信号同相位
-1，且输出信号与输入信号相位相反
38、该放大电路的输入电阻 ，输出电阻________，多用于输入级、输出级或缓冲级。
A 、高
高 低 C 、低 高 D 、低
低
39、某一NPN 形如下图所示，该输出电压波形属于_____B___。
A 、截止失真
B 、饱和失真
C 、频率失真
D 、交越失真
如图所示晶体三极管放大电路，设晶体管β=37.5，U BE 忽略不计，完成第40～45题选择答案。
40、该放大电路属于____A____。
A 、共发射极放大电路
B 、共集电极放大电路
C 、共基极放大电路
D 、分压式偏置放大电路
41、静态工作点I BQ ＝___B____。
A 、20μA
B 、40μA
C 、60μA
D 、80μA
42、静态工作点I CQ ＝___C_____。
A 、0.5mA
B 、1mA
C 、1.5mA
D 、2mA
43、静态工作点U CEQ ＝___C____。
A 、12V
B 、9V
C 、6V
D 、3V
44、三极管动态输入电阻r be ＝____D____。
A、400Ω
B、650Ω
C、1.2KΩ
D、950Ω
45、该电路的电压放大倍数A u＝___B_____。
A、-70
B、-79
C、-158
D、-169
46、对于电压放大电路，为获得较高的输出电压信号，我们希望___A___。
A、输入电阻R i越大越好，输出电阻R o越小越好；
B、输入电阻R i越小越好，输出电阻R o越小越好；
C、输入电阻R i越大越好，输出电阻R o越大越好；
D、输入电阻R i越小越好，输出电阻R o越大越好；
47、共发射极基本放大电路中，集电极电阻R c的作用是____B____。
A、限制集电极电流的大小
B、将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量
C、防止信号源被短路
D、保护直流电源
48、基本共射放大电路最常用的调整静态工作点的方法是调节_____B___。
A、R C
B、R b
C、U CC
D、β
图6
已知如图6所示，U CC=12V，Rc=2KΩ,?=50，要使U S=0时，U CE=4V，完成题目49-51.
49.此时，I C=__
A.6mA
B.3mA
C.2mA
D.4mA
50.I B=__
A.0.08mA
B.1mA
C.1.5mA
D.0.04mA
51.Rb=__
A.100kΩ
B.150KΩ
C.120kΩ
D.80kΩ
52.若用示波器观察到的u0的波形如图7，则表示：图7
A.输出波形正常
B. 出现了截止失真
C.出现了饱和失真
D.既有饱和失真也有截止失真
53.如果想调整图7输出波形，可以将Rb:
A.增大
B.减小
C.保持不变
D.去掉
图8
已知如图8所示，?=80,完成题目54-56。
54.放大电路的输入电阻Ri=__
A. 1KΩ
B.1.6KΩ
C.600KΩ
D.3 KΩ
55. 放大电路的输出电阻Ro=__
A.1.5 KΩ
B.6 KΩ
C.3 KΩ
D.600 KΩ
56.放大倍数Au=__
A.-240
B.-40
C.-150
D.-75
如图所示晶体管放大电路，设β=100 ，R B=300KΩ，R C=2KΩ，R L=2KΩ，U忽略不计，完成第57～66题选择答案。
V CC=12V，BE
57、静态工作点I BQ＝___B_____。
A、20μA
B、40μA
C、60μA
D、80μA
58、静态工作点I CQ＝_____D___。
A、6mA
B、8mA
C、2mA
D、4mA
59、静态工作点U CEQ＝__C______。
A、0V
B、2V
C、4V
D、8V
60、三极管动态输入电阻r be约为____D____。
A、730Ω
B、625Ω
C、1.6KΩ
D、950Ω
61、该电路的电压放大倍数Au＝___C_____。
A、-160
B、-62.5
C、-105
D、-137
62、输入电阻Ri ≈__A______。
A 、950Ω
B 、730Ω
C 、300 KΩ
D 、1.6 KΩ
63、输出电阻Ro ＝___B_____。
A 、950Ω
B 、2KΩ
C 、1KΩ
D 、300 KΩ
64、若在输出特性曲线上做出直流负载线，则其斜率是___C_____。
A 、C R 1
B 、L
C R R //1
C 、
C R 1-
D 、L C R R //1- 65、若输出电压波形如下图，_____A___基极偏置电阻R b ，可以消除失真。
A 、增大
B 、减小
C 、无法确定
66、该放大电路属于____A____。
A 、共发射极放大电路
B 、共集电极放大电路
C 、共基极放大电路
D 、分压式偏置放大电路
67、 某放大电路的输出电阻为2 KΩ，测得未接负载时输出电压为5V ，当接上2 KΩ的负载时，输出电压为 V 。
A 、0
B 、2.5
C 、3
D 、5
68、某放大电路的电压增益为80 dB ，它的电压放大倍数为（）。
A.100
B. 1000
C. 10000 D 100000
如图所示晶体管放大电路，设 β=100 ，R B =400KΩ，R C =2KΩ，R L =2KΩ，V CC =12V ，BE U 忽略不计，完成第69～76题选择答案。
69、静态工作点I BQ ＝________。
A 、10μA
B 、20μA
C 、30μA
D 、40μA
70、静态工作点I CQ＝________。
A、6mA
B、8mA
C、2mA
D、4mA
71、静态工作点U CEQ＝________。
A、0V
B、2V
C、4V
D、6V
72、三极管动态输入电阻r be约为________。
A、730Ω
B、625Ω
C、1.17KΩ
D、950Ω
73、该电路的电压放大倍数A u＝________。
A、-79
B、-86
C、-103
D、-120
74、输入电阻R i ________。
A、950Ω
B、730Ω
C、400 KΩ
D、1.17 KΩ
75、输出电阻R o＝________。
A、950Ω
B、1.5KΩ
C、1KΩ
D、3 KΩ
76、若输出电压波形如下图，基极偏置电阻R b，可以消除失真。
A、增大
B、减小
C、无法确定
77、关于放大电路交流通路的画法，下列说法正确的是________。
A、电容视为短路，电源视为开路
B、电容视为短路，电源视为短路
C、电容视为开路，电源视为开路
D、电容视为开路，电源视为短路
78、基本共射放大电路最常用的调整静态工作点的方法是调节（）。
A、R c
B、R B
C、U CC
第三章多级放大和功率放大电路习题
1、组成多级放大器的主要目的是__C______。
A、提高输入电阻
B、提高输出电阻
C、提高放大能力
D、展宽频带
2、关于多级放大电路，下列说法错误的是___D_____。
A、多级放大电路的前一级输出信号，可以看成是后一级的输入信号
B、多级放大电路的输入电阻为从第一级看进去的输入电阻
C、后一级的输入电阻是前一级的负载电阻
D、多级放大电路的输入电阻为第一的输入电阻，肯定与最终负载无关
3、要想使多级放大电路的各级电路的静态工作点稳定、相互独立，应该选择___A_____方式。
A、阻容耦合
B、直接耦合
C、变压器耦合
D、无法确定
4、要求放大直流信号或者变化缓慢的信号，应该选用___B_____耦合方式。
A. 阻容
B. 直接
C. 变压器
D.变压器或阻容
5.多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的是___。
Ａ、第一、二级Ｂ、中间级
Ｃ、输出级Ｄ、第三极
6.一个两级放大电路，测得第一级的电压增益为25dB,第二级的电压增益为30dB,则总的电压增益为：
A.750Db
B.55dB
C.5dB
D.不确定
7.两级放大电路，Au1=-30，Au2=-50，若输入电压U1=5mv，则输出电压Uo为___
A.0.4V
B.-0.4V
C.7.5V
D.-7.5V
8.阻容耦合放大电路能放大：
A.直流信号
B.交流信号
C.交直流信号
D.以上都不能
9.多级放大电路级数越多，则__：
A.放大倍数越大，通频带越宽
B.放大倍数越小，通频带越宽
C.放大倍数越小，通频带越窄
D.放大倍数越大，通频带越窄
10.产生零点漂移的原因，最重要的是：
A.温度
B.放大电路的放大倍数
C.电源电压的波动
D.通频带
11、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们连成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数为_C_______。
A、等于60
B、等于900
C、小于900
D、大于900
12、一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为0dB，第二级的电压增益为40dB，第三级的电压增益为20dB，则总的电压增益为____B____。
A、0dB
B、60dB
C、80dB
D、800dB
13、组成多级放大器的主要目的是_____C___。
A、提高输入电阻
B、提高输出电阻
C、提高放大能力
D、展宽频带
14、要想使多级放大电路的各级电路的静态工作点稳定、相互独立，应该选择____A____方式。
A、阻容耦合
B、直接耦合
C、变压器耦合
D、无法确定
15、集成运放的耦合方式是___C_____。
A、阻容耦合
B、变压器耦合
C、直接耦合
D、光电耦合
16、在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移与直接耦合电路相比_____B___
A. 大
B. 小
C. 相同
D.无法确定
17、关于差动放大器的描述哪种说法错误? C
A、差动放大器可以克服零点漂移
B、差动放大器要求电路两边完全对称
C、差动放大器差模输出为0
D、差动放大器共模输出为0
18、关于差动放大器的描述哪种说法错误? C
A、差动放大器可以克服零点漂移
B、差动放大器要求电路两边完全对称
C、差动放大器差模输出为0
D、差动放大器共模输出为0
19、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们连成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数为___C_____。
A、等于60
B、等于900
C、小于900
D、大于900
20、在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移与直接耦合电路相比___B_____
A. 大
B. 小
C. 相同
D.无法确定
21、一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为0dB，第二级的电压增益为40dB20dB，则总的电压增益为。
A、0dB C、80dB D、800dB
22、为了克服零点漂移，通常采用下列哪种电路？
A、共基极放大电路
C、共发射极放大电路
23、多级放大器的输出电阻等于。
A、各级放大器输出电阻的串联
C、第一级放大器的输出电阻
24。
A、阻容耦合
B、直接耦合
C、变压器耦合
D、二极管耦合
25、制作集成电路需采用（）的多级放大电路。
A、阻容耦合
B、直接耦合
C、变压器耦合
D、二极管耦合
26、多级放大电路产生零点飘移最大的因素是（）。
A. 电源波动
B. 外部干扰信号
C. 信号失真
D. 温度
27、关于差动放大电路的特点，描述错误的是（）。
A、能够抑制零点漂移
B、适合放在放大电路的中间级
C、具有差模信号放大作用
D、具有共模信号抑制作用
28、直接耦合多级放大电路的特点描述错误的是（）。
A. 适合做集成电路
B. 可以放大直流信号
C. 零点漂移大
D. 各级静态工作点互不影响
29、一个两级放大电路，测得两级电压增益分别为60dB和40dB，则总的电压增益为（）
A、20dB
B、60dB
C、100dB
D、2400 dB
30、放大电路低频区放大倍数降低的原因是（）。
A.输入输出端的耦合电容
B.三极管的极间分布电容
C.放大电路输入电阻太大
D.无法确定
31、在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移与直接耦合电路相比（）
A. 大
B. 小
C. 相同
D.无法确定
第四章放大电路中的反馈习题
1、放大电路为稳定静态工作点，应引入_____A___。
A、直流负反馈
B、交流负反馈
C、交流正反馈
D、直流正反馈
2、放大电路为稳定增益，应引入___A_____。
A、交流负反馈
B、直流负反馈
C、交流正反馈
D、直流正反馈
3.对于放大电路，所谓开环是指。
A．无信号源B．无反馈通路C．无电源D．无负载
4. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
A．输入电阻增大B．输出量增大C．净输入量增大D.净输入量减小5. 欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入
A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈
C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈
6. 交流负反馈是指。
A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈
B．只有放大交流信号时才有的负反馈
C．在交流通路中的负反馈
D. 在直流通路中的负反馈
7. 为了稳定静态工作点，应引入
A．直流负反馈B．交流负反馈C．直流正反馈D．交流正反馈8. 为了稳定放大倍数，应引入
A．直流负反馈B．交流负反馈C．直流正反馈D．交流正反馈9. 为了稳定放大电路的输出电压，应引入负反馈
A．电压B．电流C．串联D．并联
10.若反馈深度|1+AF|>1,则放大电路工作于：
A.正反馈
B.负反馈
C.自激振荡D无反馈.
11.引入深度负反馈可使运算放大器进入：
A.饱和区
B.非线性区
C.线性区
D.截止区
12、某负反馈放大电路，输出端接地时，电路中的反馈量仍存在，则表明该反馈是_____A___反馈。
A、电流
B、电压
C、串联
D、并联