电子电路技术基础答案
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的
扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接
1、单极型半导体器件是（C）。A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。
A、导通状态；
B、截止状态；
C、反向击穿状态；
D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；
B、完好状态；
C、内部老化不通；
D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；
B、少子扩散；
C、少子漂移；
D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；
B、饱和区；
C、截止区；
D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；
B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；
C、集电极最大允许耗散功率P CM；
D、管子的电流放大倍数 。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）
A、发射结正偏、集电结正偏
B、发射结反偏、集电结反偏；
C、发射结正偏、集电结反偏；
D、发射结反偏、集电结正偏。
2、已知NPN 型三极管的输入—输出特性曲线如图1-36所示，当
（1）U BE =0.7V ，U CE =6V ，I C =？
（2）I B =50μA ，U CE =5V ，I C =？
（3）U CE =6V ，U BE 从0.7V 变到0.75V 时，求I B 和I C 的变化量，此时的？
=β（9分） 解：（1）由（a ）曲线查得U BE =0.7V 时，对应I B =30μA ，由(b)曲线查得I C ≈3.6mA ；
（2）由（b ）曲线可查得此时I C ≈5mA ；
（3）由输入特性曲线可知，U BE 从0.7V 变到0.75V 的过程中，ΔI B ≈30μA ，由输出特性曲线可知，ΔI C ≈2.4mA ，所以β≈2400/30≈80。
1、基本放大电路的三种组态分别是： 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放大电路。
2、放大电路应遵循的基本原则是： 发射 结正偏； 集电 结反偏。
3、将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 反馈 信号。使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 负 反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 正 反馈。放大电路中常用的负反馈类型有 电压串联 负反馈、 电流串联 负反馈、 电压并联 负反馈和 电流并联 负反馈。
4、射极输出器具有 电压增益 恒小于1、接近于1， 输入信号 和 输出信号 同相，并具有 输入电阻 高和 输出电阻 低的特点。
5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为 上 削顶。若采用分压式偏置电路，通过 反馈环节 调节 合适的基极电位 ，可达到改善输出波形的目的。
6、对放大电路来说，人们总是希望电路的输入电阻 越大 越好，因为这可以减轻信号源的负荷。人们又希望放大电路的输出电阻 越小 越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。
7、反馈电阻R E 的数值通常为 几十至几千欧 ，它不但能够对直流信号产生 负反馈 作用，同样可对交流信号产生 负反馈 作用，从而造成电压增益下降过多。为了不使交流信号削弱，一般在R E 的两端 并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容C E 。
8、放大电路有两种工作状态，当u i ＝0时电路的状态称为 静 态，有交流信号u i 输入时，放大电路的工作状态称为 动 图1-36
I C (m A) U CE (V) 10 8 6 4 2
100μA 80μA 60μA 40μA 20μA I B ＝0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 （b ）输出特性曲线 （a ）输入特性曲线 I B (μA)
120
80
60
40
20 U BE (V) 0 0.1 0.3 0.5 0.7 0.9
态。在动态情况下，晶体管各极电压、电流均包含直流分量和交流分量。放大器的输入电阻越大，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越小，放大器带负载能力就越强。
9、电压放大器中的三极管通常工作在放大状态下，功率放大器中的三极管通常工作在极限参数情况下。功放电路不仅要求有足够大的输出电压，而且要求电路中还要有足够大的输出电流，以获取足够大的功率。
10、晶体管由于在长期工作过程中，受外界温度及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做零点漂移。克服零点漂移的最有效常用电路是差动放大电路。
1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；
B、交流成分；
C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；
B、交流信号；
C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。
A、截止失真；
B、饱和失真；
C、晶体管被烧损。
4、共发射极放大电路的反馈元件是（B）。
A、电阻R B；
B、电阻R E；
C、电阻R C。
5、功放首先考虑的问题是（A）。
A、管子的工作效率；
B、不失真问题；
C、管子的极限参数。
6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（A）。
A、放大电路的电压增益；
B、不失真问题；
C、管子的工作效率。
7、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A）
A、带负载能力强；
B、带负载能力差；
C、减轻前级或信号源负荷。
8、功放电路易出现的失真现象是（C）。
A、饱和失真；
B、截止失真；
C、交越失真。
9、基极电流i B的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B）。
A、截止区；
B、饱和区；
C、死区。
10、射极输出器是典型的（C）。
A、电流串联负反馈；
B、电压并联负反馈；
C、电压串联负反馈。
五、计算题：
1、如图2-28所示分压式偏置放大电路中，已知R C＝3.3KΩ，R B1＝40KΩ，R B2＝10KΩ，R E＝1.5KΩ，β=70。求静态工作点I BQ、I CQ和U CEQ。（8分，图中晶体管为硅管）
＋25V
R C
R B1
C1 C2
＋
＋
u i u0
R B2 C
解：静态工作点为：V 2.11)5.13.3(87.225A 4070
187.2mA 87.25
.17.05 V 510401025≈+-=≈+=≈-=≈=+?=
CE B EQ CQ B U I I I V μ 2、画出图2-23所示电路的微变等效电路，并对电路进行动态分析。要求解出电路的电压放大倍数A u ，电路的输入电阻r i 及输出电阻r 0。（9分）
解：图2-23的微变等效电路如下图所示。 动态分析：Ω≈++Ω=9432.87mA mV 26)701(300be r
r i =R B1// R B2// r be =40000//10000//943≈843Ω r 0=R C =3.3K Ω
245943
330070be C u -≈-=-=r R A β 1、若要集成运放工作在线性区，则必须在电路中引入 深度负 反馈；若要集成运放工作在非线性区，则必须在电路中引入 正 反馈或者在 开环工作 状态下。集成运放工作在线性区的特点是输入电流 等于零和 输出电阻 等于零；工作在非线性区的特点：一是输出电压只具有 两种 状态和净输入电流等于 零 ；在运算放大器电路中，集成运放工作在 线性 区，电压比较器工作在 非线性 区。
2、集成运算放大器具有 同相 和 反相 两个输入端，相应的输入方式有 同相 输入、 反相 输入和 双端 输入三种。
3、理想运算放大器工作在线性区时有两个重要特点：一是差模输入电压 相等 ，称为 虚短 ；二是输入电流 等于零 ，称为 虚断 。
4、理想集成运放的A u0＝ ∞ ，r i ＝ ∞ ，r o ＝ 0 ，K CMR ＝ ∞ 。
5、 反相 比例运算电路中反相输入端为虚地， 同相 比例运算电路中的两个输入端电位等于输入电压。 同相 比例运算电路的输入电阻大， 反相 比例运算电路的输入电阻小。
6、 同相 比例运算电路的输入电流等于零， 反相 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。 同相 比例运算电路的比例系数大于1，而 反相 比例运算电路的比例系数小于零。
7、 同相输入 运算电路可实现A u ＞1的放大器， 反相输入 运算电路可实现A u ＜0的放大器， 微分 运算电路可将三角波电压转换成方波电压。
8、 滞回 电压比较器的基准电压U R ＝0时，输入电压每经过一次零值，输出电压就要产生一次 跃变 ，这时的比较器u i R B1 R B2 i i
i b u 0
βi b r be R C
称为 过零 比较器。
9、集成运放的非线性应用常见的有 单门限比较器 、 滞回比较器 和 方波 发生器。10、 滞回 比较器的电压传输过程中具有回差特性。
1、理想运放的开环放大倍数A u0为（A ），输入电阻为（A ），输出电阻为（B ）。
A 、∞；
B 、0；
C 、不定。
2、国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（C ）。
A 、扁平式；
B 、圆壳式；
C 、双列直插式。
3、由运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是（C ）。
A 、反相放大器；
B 、差分放大器；
C 、电压比较器。
4、理想运放的两个重要结论是（B ）。
A 、虚短与虚地；
B 、虚断与虚短；
C 、断路与短路。
5、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B ）。
A 、正反馈与负反馈；
B 、线性与非线性；
C 、虚断和虚短。
6、（B ）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。
A 、同相；
B 、反相；
C 、双端。
7、集成运放的线性应用存在（C ）现象，非线性应用存在（B ）现象。
A 、虚地；
B 、虚断；
C 、虚断和虚短。
8、各种电压比较器的输出状态只有（B ）。
A 、一种；
B 、两种；
C 、三种。
9、基本积分电路中的电容器接在电路的（C ）。
A 、反相输入端；
B 、同相输入端；
C 、反相端与输出端之间。
10、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（B ）。
A 、虚地；
B 、虚短；
C 、虚断。
1、图3-20所示电路为应用集成运放组成的测量电阻的原理电路，试写出被测电阻R x 与电压表电压U 0的关系。（10分） 解：从电路图来看，此电路为一反相比例运算电路，因此：
x x R R U 560101010--=?-=
2、图3-21所示电路中，已知R 1＝2K Ω，R f ＝5K Ω，R 2＝2K Ω，R 3
＝18K Ω，U i ＝1V ，求输出电压U o 。（10分）
解：此电路为同相输入电路。
V 15.39.0)251(V 9.
01182180=?+==?+=
=+-U U U
3、图3-22所示电路中，已知电阻R f ＝5R 1，输入电压U i ＝5mV ，求输出电压U 0。（10分）
解：U 01=U i =5mV= U i2，第二级运放是反向比例运算电路，所以：
mV 25555i21
10-=?-=-=U R R U 1、完成下列数制的转换
（1）（256）10＝（ 100000000）2 ）2＝（ （100）16
（2）（B7）16＝（ 10110111）2 ）2＝（ （183） ）10
（3）（10110001）2＝（ B1 ）16＝（261） ）8
2、将下列十进制数转换为等值的8421BCD 码。
1）256 （2）4096 （3）100.25 （4）0.024
解：（1）256 [001001010110] （2）4096 [0100000010010110]
（3）100.25 [000100000000.00100101] （4）0.024 [0000.000000100100]
3、写出下列各数的原码、反码和补码。
（1）[＋32] （2）[－48] （3）[＋100] （4）[－86]
解：（1）[＋32] 原码[0 0100000B] 反码[0 0100000B] 补码[0 0100000B]
（2）[－48] 原码[1 0110000B] 反码[1 1001111B] 补码[1 1010000B]
（3）[＋100] 原码[0 1100100B] 反码[0 1100100B] 补码[0 1100100B]
（4）[－86] 原码[1 1010110B] 反码[1 0101001B] 补码[1 0101010B]
2、将)(C B C B A B A F ++=写成为最小项表达式。
解：∑=+++=++=），，，5 4 2 1()(m C B A C B A C B A C B A C B C B A B A F
3、将AC BC A C AB F
++=化为最简与或式。 解：AC BC AB AC BC A C AB F ++=++=
图3-22
4、用卡诺图化简下列逻辑函数
（1）BC C B A D ABC C B A F ++++=)(
（2）)13 12 6 5 4 1 0()
(，，，，，，、、、∑=m D C B A F 解：（1）BC A BC C B A D ABC C B A F +=++++=)(
（2）D B A C B C A m D C B A F ++==∑)13 12 6 5 4 1 0()
(，，，，，，、、、 1、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号；在时间上和数值上离散的信号叫做 数字 信号。
2、在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。
3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。在 逻辑 关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。
4、用来表示各种计数制数码个数的数称为 基数 ，同一数码在不同数位所代表的 位权 不同。十进制计数各位的 基 是10， 位权 是10的幂。
5、 8421 BCD 码和 2421 码是有权码； 余3 码和 格雷 码是无权码。
6、 进位制 是表示数值大小的各种方法的统称。一般都是按照进位方式来实现计数的，简称为 数 制。任意进制数转换为十进制数时，均采用 按位权展开求和 的方法。
7、十进制整数转换成二进制时采用 除2取余 法；十进制小数转换成二进制时采用 乘2取整 法。
8、十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成 二进 制，然后再根据转换的 二进制 数，按照 三位 一组转换成八进制；按 四位 一组转换成十六进制。
9、8421BCD 码是最常用也是最简单的一种BCD 代码，各位的权依次为 8 、 4 、
2 、 1 。8421BCD 码的显著特点是它与 二进制 数码的4位等值 0～9 完全相同。
10、 原码 、 反码 和 补码 是把符号位和数值位一起编码的表示方法，是计算机中数的表示方法。在计算机中，数据常以 补码 的形式进行存储。
11、逻辑代数的基本定律有 分配 律、 结合 律、 交换 律、 反演 律和 非非 律。 12、最简与或表达式是指在表达式中 或项 最少，且 与项 也最少。
13、卡诺图是将代表 最小项 的小方格按 相邻 原则排列而构成的方块图。卡诺图的画图规则：任意两个几何位置相邻的 最小项 之间，只允许 一位变量 的取值不同。
14、在化简的过程中，约束项可以根据需要看作 “1” 或 “0” 。
1、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（ B ）。A 、逻辑加 B 、逻辑乘 C 、逻辑非 2．、十进制数100对应的二进制数为（ C ）。A 、1011110 B 、1100010 C 、1100100 D 、11000100
3、和逻辑式
AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是（ B ）。 A 、B A + B 、B A ? C 、B B A +? D 、A B A +
4、数字电路中机器识别和常用的数制是（ A ）。
A 、二进制
B 、八进制
C 、十进制
D 、十六进制
5、[＋56]的补码是（ D ）。
A 、00111000
B B 、11000111B
C 、01000111B
D 、01001000B
6、所谓机器码是指（ B ）。A 、计算机内采用的十六进制码 B 、符号位数码化了的二进制数码
C 、带有正负号的二进制数码
D 、八进制数
五、计算题
1、用代数法化简下列逻辑函数（12分） ①B A C B A F
++=)(＝C B A + ②BC B A C A F
++=＝B C A + ③ABC C B A C AB BC A C B A F ++++=＝BC B A AB ++ ④D C A C AB D C D C B B A F ++++=＝C B D C B A ++
2、用卡诺图化简下列逻辑函数（12分）
①)13,2,1()12,11,10,5,4,3(d m F ∑+∑= ＝D B A C B C B ++
②)13,12,9,8,7,6,5,3,2,1()(m ABCD F ∑=＝
C A
D C C A ++ ③∑==），、、、15 14, 12, 8, 7, 6, 1, 0() (m D C B A F ＝BC D C A C B A ++ ④∑∑+==）），
、、、12 9, ,3(15 14, 8, 7, 5, 1, 0() (d m D C B A F ＝D C A ABC C B D A +++ 3、完成下列数制之间的转换（8分）
①（365）10＝（101101101）2＝（555）8＝（16D ）16②（11101.1）2＝（29.5）10＝（35.4）8＝（1D.8）16
③（57.625）10＝（71.5）8＝（39.A ）16
4、完成下列数制与码制之间的转换（5分）
①（47）10＝（01111010）余3码＝（01000111）8421码 ②（3D ）16＝（00101101）格雷码
5、写出下列真值的原码、反码和补码（6分）
①[＋36]＝[0 0100100B ]原＝[0 1011011B ]反＝[0 1011100B ]补
②[－49]＝[1 0110001B ]原＝[1 1001110B ]反＝[1 1001111B ]补
1、具有基本逻辑关系的电路称为 门电路 ，其中最基本的有 与门 、 或门 和非门。
2、具有“相异出1，相同出0”功能的逻辑门是 异或 门，它的反是 同或 门。
3、数字集成门电路按 开关 元件的不同可分为TTL 和CMOS 两大类。其中TTL 集成电路是 双极 型，CMOS 集成电路是 单极 型。集成电路芯片中74LS 系列芯片属于 双极 型集成电路，CC40系列芯片属于 单极 型集成电路。
4、功能为“有0出1、全1出0”的门电路是 或非 门；具有“ 有1出1，全0出0 ”功能的门电路是或门；实际中集成的 与非 门应用的最为普遍。
5、普通的TTL 与非门具有 图腾 结构，输出只有 高电平“1” 和 低电平“0” 两种状态；经过改造后的三态门除了具有 “1” 态和 “0” 态，还有第三种状态 高阻 态。
6、使用三态门可以实现总线结构；使用 OC 门可实现“线与”逻辑。
7、一般TTL 集成电路和CMOS 集成电路相比， TTL 集成门的带负载能力强， CMOS
集成门的抗干扰能力强； CMOS 集成门电路的输入端通常不可以悬空。
8、一个 PMOS 管和一个 NMOS 管并联时可构成一个传输门，其中两管源极相接作为 输入 端，两管漏极相连作为 输出 端，两管的栅极作为 控制 端。
9、具有图腾结构的TTL 集成电路，同一芯片上的输出端，不允许 并 联使用；同一芯片上的CMOS 集成电路，输出端可以 并 联使用，但不同芯片上的CMOS 集成电路上的输出端是不允许 并 联使用的。
10、TTL 门输入端口为 “与” 逻辑关系时，多余的输入端可 悬空 处理；TTL 门输入端口为 “或” 逻辑关系时，多余的输入端应接 低 电平；CMOS 门输入端口为“与”逻辑关系时，多余的输入端应接 高 电平，具有“或”逻辑端口的CMOS 门多余的输入端应接 低 电平；即CMOS 门的输入端不允许 悬空 。
11、能将某种特定信息转换成机器识别的 二进 制数码的 组合 逻辑电路，称之为 编码 器；能将机器识别的 二进 制数码转换成人们熟悉的十进 制或某种特定信息的 逻辑电路，称为 译码 器；74LS85是常用的 集成 逻辑电路 数值比较 器。
12、在多路数据选送过程中，能够根据需要将其中任意一路挑选出来的电路，称之为 数据选择 器，也叫做 多路 开关。1、具有“有1出0、全0出1”功能的逻辑门是（ B ）。
A 、与非门
B 、或非门
C 、异或门
D 、同或门
2、下列各型号中属于优先编译码器是（ C ）。
A 、74LS85
B 、74LS138
C 、74LS148
D 、74LS48
3、七段数码显示管TS547是（ B ）。
A 、共阳极LED 管
B 、共阴极LED 管
C 、极阳极LC
D 管 D 、共阴极LCD 管
4、八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端的个数是（ B ）。
A 、2个
B 、3个
C 、4个
D 、8个
5、四输入的译码器，其输出端最多为（ D ）。
A 、4个
B 、8个
C 、10个
D 、16个
6、当74LS148的输入端70~I I 按顺序输入11011101时，输出02~Y Y 为（ B ）。
A 、101
B 、010
C 、001
D 、110
7、一个两输入端的门电路，当输入为1和0时，输出不是1的门是（ D ）。
A 、与非门
B 、或门
C 、或非门
D 、异或门
8、多余输入端可以悬空使用的门是（ B ）。
A 、与门
B 、TTL 与非门
C 、CMOS 与非门
D 、或非门
9、译码器的输出量是（ A ）。
A 、二进制
B 、八进制
C 、十进制
D 、十六进制
10、编码器的输入量是（ C ）。
A 、二进制
B 、八进制
C 、十进制
D 、十六进制
1、两个与非门构成的基本RS 触发器的功能有 清零 、 置1 和 保持 。电路中不允许两个输入端同时为 为低电平 ，否则将出现逻辑混乱。
2、通常把一个CP 脉冲引起触发器多次翻转的现象称为 空翻 ，有这种现象的触发器是 钟控RS 触发器，此类触发器的工作属于 电平 触发方式。
3、为有效地抑制“空翻”，人们研制出了 边沿 触发方式的 主从型JK 触发器和 维持阻塞D 触发器。
4、JK 触发器具有 置0 、 置1 、 保持 和 翻转 四种功能。欲使JK 触发器实现n n Q Q
=+1的功能，则输入端J 应接 1 ，K 应接 1 。
5、D 触发器的输入端子有 1 个，具有 置0 和 置1 的功能。
6、触发器的逻辑功能通常可用 功能真值表 、 逻辑函数式 、 状态转换图 和 时序波形图 等多种方法进行描述。
7、组合逻辑电路的基本单元是 门电路 ，时序逻辑电路的基本单元是 触发器 。
8、JK 触发器的次态方程为 n n
n Q K Q J Q +=+1 ；D 触发器的次态方程为 n n D Q =+1 。 9、触发器有两个互非的输出端Q 和Q ，通常规定Q =1，Q =0时为触发器的 “1” 状态；Q =0，Q =1时为触发器的 “0” 状态。 10、两个与非门组成的基本RS 触发器，在正常工作时，不允许==S R 0 ，其特征方程为 n n Q R S Q +=+1 ，约束条件为 1=+S R 。
11、钟控的RS 触发器，在正常工作时，不允许输入端R=S= 1 ，其特征方程为 ）（1P 1
=+=+C Q R S Q n n ，约束条件为 SR =0 。
12、把JK 触发器 的两个输入端连在一起 就构成了T 触发器，T 触发器具有的逻辑功能是 保持 和 翻转 。
13、让 T 触发器恒输入“1”就构成了T'触发器，这种触发器仅具有 翻转 功能。
1、仅具有置“0”和置“1”功能的触发器是（ C ）。
A 、基本RS 触发器
B 、钟控RS 触发器
C 、
D 触发器 D 、JK 触发器
2、由与非门组成的基本RS 触发器不允许输入的变量组合R S
?为（ A ）。 A 、00 B 、01 C 、10 D 、11
3、钟控RS 触发器的特征方程是（ D ）。
A 、n 1n Q R Q
+=+ B 、n 1n Q S Q +=+ C 、n 1n Q S R Q +=+ D 、n n Q R S Q +=+1
4、仅具有保持和翻转功能的触发器是（ B ）。 A 、JK 触发器 B 、T 触发器 C 、D 触发器 D 、T ˊ触发器
5、触发器由门电路构成，但它不同门电路功能，主要特点是（ C ）
A 、具有翻转功能
B 、具有保持功能
C 、具有记忆功能
6、TTL 集成触发器直接置0端D R 和直接置1端D S 在触发器正常工作时应（ C ）
A 、D R =1，D S =0
B 、D R =0，D S =1
C 、保持高电平“1”
D 、保持低电平“0”
7、按触发器触发方式的不同，双稳态触发器可分为（ C ）
A、高电平触发和低电平触发
B、上升沿触发和下降沿触发
C、电平触发或边沿触发
D、输入触发或时钟触发
8、按逻辑功能的不同，双稳态触发器可分为（A）。
A、RS、JK、D、T等
B、主从型和维持阻塞型
C、TTL型和MOS型
D、上述均包括
9、为避免“空翻”现象，应采用（B）方式的触发器。
A、主从触发
B、边沿触发
C、电平触发
10、为防止“空翻”，应采用（C）结构的触发器。
A、TTL
B、MOS
C、主从或维持阻塞
1、时序逻辑电路按各位触发器接受时钟脉冲控制信号的不同，可分为同步时序逻辑电路和异步时序逻辑电路两大类。在异步时序逻辑电路中，各位触发器无统一的时钟脉冲控制信号，输出状态的变化通常不是同一时刻发生的。
2、根据已知的逻辑电路，找出电路的输入和其现态及输出之间的关系，最后总结出电路逻辑功能的一系列步骤，称为时序逻辑电路的分析。
3、当时序逻辑电路的触发器位数为n，电路状态按二进制数的自然态序循环，经历的独立状态为2n个，这时，我们称此类电路为二进制计数器。二进制计数器除了按同步、异步分类外，按计数的加减规律还可分为加计数器、减计数器和可逆计数器。
4、在十进制计数器中，要表示一位十进制数时，至少要用四位触发器才能实现。十进制计数电路中最常采用的是8421 BCD代码来表示一位十进制数。
5、时序逻辑电路中仅有存储记忆电路而没有逻辑门电路时，构成的电路类型通常称为莫尔型时序逻辑电路；如果电路中不但除了有存储记忆电路的输入端子，还有逻辑门电路的输入时，构成的电路类型称为米莱型时序逻辑电路。
6、分析时序逻辑电路时，首先要根据已知逻辑的电路图分别写出相应的驱动方程、输出方程和次态方程，若所分析电路属于异步时序逻辑电路，则还要写出各位触发器的时钟脉冲方程。
7、时序逻辑电路中某计数器中的无效码，若在开机时出现，不用人工或其它设备的干预，计数器能够很快自行进入有效循环体，使无效码不再出现的能力称为自启动能力。
8、在分频、控制、测量等电路中，计数器应用得非常广泛。构成一个六进制计数器最少要采用三位触发器，这时构成的电路有6个有效状态，2个无效状态。
9、寄存器可分为数码寄存器和移位寄存器，集成74LS194属于双向移位寄存器。用四位移位寄存器构成环行计数器时，有效状态共有4个；若构成扭环计数器时，其有效状态是8个。
10、寄存器是可用来存放数码、运算结果或指令的电路，通常由具有存储功能的多位触发器组合起来构成。一位触发器可以存储1个二进制代码，存放n个二进制代码的寄存器，需用n位触发器来构成。
11、74LS194是典型的四位TTL型集成双向移位寄存器芯片，具有左移和右移、并行输入、保持数据和清除数据等功能。
12、555定时器可以构成施密特触发器，施密特触发器具有回差特性，主要用于脉冲波形的整形和变换；555定时器还可以用作多谐振荡器和单稳态触发器。单稳态触发器只有一个暂稳态、一个稳态，当外加触发信号作
用时，单稳态触发器能够从稳态翻转到暂稳态，经过一段时间又能自动返回到稳态，
13、用集成计数器CC40192构成任意进制的计数器时，通常可采用反馈预置法和反馈清零法。
1、描述时序逻辑电路功能的两个必不可少的重要方程式是（B）。
A、次态方程和输出方程
B、次态方程和驱动方程
C、驱动方程和时钟方程
D、驱动方程和输出方程
2、用8421BCD码作为代码的十进制计数器，至少需要的触发器触发器个数是（C）。A、2 B、3 C、4 D、5
3、按各触发器的状态转换与时钟输入CP的关系分类，计数器可分（A）计数器。A、同步和异步
4、能用于脉冲整形的电路是（C）。 C、施密特触发器
5、四位移位寄存器构成的扭环形计数器是（B）计数器。
A、模4
B、模8
C、模16
6、下列叙述正确的是（D）
A、译码器属于时序逻辑电路
B、寄存器属于组合逻辑电路
C、555定时器属于时序逻辑电路
D、计数器属于时序逻辑电路
7、利用中规模集成计数器构成任意进制计数器的方法是（B）
A、复位法
B、预置数法
C、级联复位法
8、不产生多余状态的计数器是（A）。
A、同步预置数计数器
B、异步预置数计数器
C、复位法构成的计数
9、数码可以并行输入、并行输出的寄存器有（C）
A、移位寄存器
B、数码寄存器
C、二者皆有
10、改变555定时电路的电压控制端CO的电压值，可改变（C）
A、555定时电路的高、低输出电平
B、开关放电管的开关电平
C、比较器的阈值电压
D、置“0”端R的电平值
1、一个存储矩阵有64行、64列，则存储容量为4096个存储单元。
2、存储器容量的扩展方法通常有字扩展、位扩展和字、位同时扩展三种方式。
3、可编程逻辑器件PLD一般由输入缓冲、与阵列、或阵列、输出缓冲等四部分电路组成。按其阵列和输出结构的不同可分为PLA、PAL和GAL等基本类型。
4、计算机中的内存储器和高速缓冲存储器统称主存，CPU可直接对主存进行访问。内存储器一般由半导体存储器构成，通常装在计算机主板上，存取速度快，但容量有限；高速缓冲存储器位于内存与CPU之间，一般用来解决存取速度与存储容量之间的矛盾，可提高整个系统的运行速度。
5、计算机内存使用的类型主要是随机存取存储器和可编程逻辑器件。按其存储信息的功能可分为只读存储器ROM 和随随机存取存储器RAM两大类。
6、GAL16V8主要有简单型、复杂型、寄存器型三种工作模式。
7、PAL的与阵列可编程，或阵列固定；PLA的与阵列可编程，或阵列可编程；GAL的与阵列可编程，或阵列固定。
8、存储器的主要技术指标有 存储容量 、 存取速度 、 功耗 、 可靠性 和集成度等。
9、RAM 主要包括 地址译码器 、 存储矩阵 和 读/写控制 电路等部分。
10、当RAM 中的片选信号CS ＝ “1” 时，RAM 被禁止读写，处于保持状态；当CS ＝ “0” 时，RAM 可在读/写控制输入R/W 的作用下作读出或写入操作。
11、ROM 按照存储信息写入方式的不同可分为 固定 ROM 、 可编程的 PROM 、
可光擦除可编程 的EPROM 和 可电擦除可编程 的E 2PROM 。
12、目前使用的 EPROM 可多次写入的存储单元是在MOS 管中置入 浮置栅
的方法实现三、
1、图8-20输出端表示的逻辑关系为（A ）。
A 、ACD
B 、ACD
C 、B
D 、B 2、利用电容的充电来存储数据，由于电路本身总有漏电，因此需定期不断补充充电（刷新）才能保持其存储的数据的是（B ）A 、静态RAM 的存储单元 B 、动态RAM 的存储单元3、关于存储器的叙述，正确的是(A )
A 、存储器是随机存储器和只读存储器的总称
B 、存储器是计算机上的一种输入输出设备
C 、计算机停电时随机存储器中的数据不会丢失
4、一片容量为1024字节×4位的存储器，表示有（C ）个存储单元。
A 、1024
B 、4
C 、4096
D 、8
5、一片容量为1024字节×4位的存储器，表示有（A ）个地址。
A 、1024
B 、4
C 、4096
D 、8
6、只能读出不能写入，但信息可永久保存的存储器是（A ）
A 、ROM
B 、RAM
C 、PRAM
7、ROM 中译码矩阵固定，且可将所有输入代码全部译出的是（C ）。
A 、ROM
B 、RAM
C 、完全译码器
8、动态存储单元是靠（B ）的功能来保存和记忆信息的。A 、自保持 B 、栅极存储电荷9、利用双稳态触发器存储信息的RAM 叫（B ）RAM 。A 、动态 B 、静态
10、在读写的同时还需要不断进行数据刷新的是（A ）存储单元。A 、动态B 、静态
1、DAC 电路的作用是将 输入的数字 量转换成 与数字量成正比的输出模拟 量。ADC 电路的作用是将 输入的模拟 量转换成 与其成正比的输出数字 量。
2、DAC 电路的主要技术指标有 分辨率 、 绝对精度 和 非线性度 及 建立时间等 ；ADC 电路的主要技术指标有 相对精度 、 分辨率 和 转换速度等 。
3、DAC 通常由 参考电压 ， 译码电路 和 电子开关 三个基本部分组成。为了将模拟电流转换成模拟电压，通常在输出端外加 运算放大器 。
4、按解码网络结构的不同，DAC 可分为 R-2RT 形电阻 网络、 R-2R 倒T 形电阻 网络和 权电阻 网络DAC 等。按模拟电子开关电路的不同，DAC 又可分为 CMOS 开关型和 双极型 开关型。 A B C D & 图8-20
5、模数转换的量化方式有 四舍五入 法和 舍尾取整法 两种。
6、在模/数转换过程中，只能在一系列选定的瞬间对输入模拟量 采样 后再转换为输出的数字量，通过 采样 、 保持 、 量化 和 编码 四个步骤完成。
7、 双积分 型ADC 换速度较慢， 逐次逼近 型ADC 转换速度高。
8、 逐次逼近 型ADC 内部有数模转换器，因此 转换速度 快。
9、 倒T 型电阻网络DAC 中的电阻只有 R 和 2R 两种，与 权电阻 网络完全不同。而且在这种DAC 转换器中又采用了 高速电子开关 ，所以 转换速度 很高。
10、ADC0809采用 CMOS 工艺制成的 8 位ADC ，内部采用 逐次比较 结构形式。DAC0832采用的是 CMOS 工艺制成的双列直插式单片 8 位数模转换器。
1、ADC 的转换精度取决于（A ）。A 、分辩率 B 、转换速度 C 、分辨率和转换速度
2、对于n 位DAC 的分辨率来说，可表示为（C ）。
A 、
n 21 B 、1-n 21 C 、121n 3、R -2R 梯形电阻网络DAC 中，基准电压源U R 和输出电压u 0的极性关系为（B ）。
A 、同相
B 、反相
C 、无关
4、采样保持电路中，采样信号的频率f S 和原信号中最高频率成分f imax 之间的关系是必须满足（A ）。A 、f S ≥2f imax B 、f S 5、如果u i ＝0～10V ，U imax =1V ，若用ADC 电路将它转换成n ＝3的二进制数，采用四舍五入量化法，其量化当量为（B ）。 A 、1/8（V ） B 、2/15（V ） C 、1/4（V ） 6、DAC0832是属于（A ）网络的DAC 。A 、R-2R 倒T 型电阻 B 、T 型电阻 C 、权电阻 7、和其它ADC 相比，双积分型ADC 转换速度（A ）。A 、较慢 B 、很快 C 、极慢 8、如果u i ＝0～10V ，U imax =1V ，若用ADC 电路将它转换成n ＝3的二进制数，采用四舍五入量化法的最大量化误差为（A ）。A 、1/15（V ） B 、1/8（V ） C 、1/4 9、ADC0809输出的是（A ）A 、8位二进制数码 B 、10位二进制数码 C 、4位二进制数码10、ADC0809是属于（B ）的ADC 。A 、双积分型 B 、逐次比较型 1、如图9-17所示电路中R ＝8K Ω，R F ＝1K Ω，U R ＝－10V ，试求： （1）在输入四位二进制数D ＝1001时，网络输出u 0＝？ （2）若u 0＝1.25V ，则可以判断输入的四位二进制数D ＝？（10分） R F ∞ R/23 R/22 R/2 R d 3 d 2 d 1 S 3 S 2 S 1 S 0 i F U R u O — + + i F 解：①图示电路X 3～X 0的状态为1001，因此有： ∑-=-=-==-=?-==mA 25.11 1.25mA 8 10 mA 1088102/033I R U I R U I R R ，， V 25.11125.110=?=-=F IR U ②若要使输出电压等于1.25V ，则I =I 0=－1.25mA ，即输入的四位二进制 数D=0001。 2、在倒T 形电阻网络DAC 中，若U R ＝10V ，输入10位二进制数字量为（1011010101），试求其输出模拟电压为何值？（已知R F ＝R ＝10K Ω）（6分） 解：V 08.71024 72510)212121212121(210202467910R 0-≈?-=?+?+?+?+?+?-=- =D U U n 3、已知某一DAC 电路的最小分辩电压U LSB ＝40mV ，最大满刻度输出电压U FSR ＝0.28V ，试求该电路输入二进制数字量的位数n 应是多少？（6分） 解： 3 8212128040FSR LSB ==∴-==n U U n n 4、如图9-18所示的权电阻网络DAC 电路 中，若n ＝4，U R ＝5V ，R ＝100Ω,R F ＝50Ω， 试求此电路的电压转换特性。若输入四位二进 制数D ＝1001，则它的输出电压u 0＝？（8分） 解： V 81.21645)2121(2 52 2034R 0F -=-=?+?-=-=∴=D U u R R n 图9-18 · · · · u 0 d n-2 d 2 d 1 d 0 21R 2n-3R 2n-2R 2n-1R · · · · · · · · · · · S n-2 S 2 S 1 S 0 I n —2 I 2 I 1 I 0 I F ∞ — ＋ ＋ 电子开关 权电阻求和网络 集成运放 . 数字电子技术基础期末考试试卷 一、填空题 1. 时序逻辑电路一般由 和 两分组成。 2. 十进制数（56）10转换为二进制数为 和十六进制数为 。 3. 串行进位加法器的缺点是 ，想速度高时应采用 加法器。 4. 多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 5. 用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M= 。 二、化简、证明、分析综合题： 1．写出函数F (A,B,C,D) =A B C D E ++++的反函数。 2．证明逻辑函数式相等：()()BC D D B C AD B B D ++++=+ 3．已知逻辑函数F= ∑（3,5,8,9，10，12）+∑d(0,1,2) （1）化简该函数为最简与或式： （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 4．555定时器构成的多谐振动器图1所示，已知R 1=1K Ω，R 2=8.2K Ω，C=0.1μF 。试求脉冲宽度 T ，振荡频率f 和占空比q 。 ………………………密……………………封…………………………装…………………订………………………线……………………… 系别 专业（班级） 姓名 学号 图1 5．某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量A7-A0的状态分别为什么状态 时，1Y 、6Y 分别才为低电平（被译中）。 图2 6．触发器电路就输入信号的波形如图3所示，试分别写出D 触发器的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图3 ………………封…………………………装…………………订………………………线……………………… D= Q n+1= Q1= 7. 已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表； ⑤电路功能。图4 三、设计题：（每10分，共20分） 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A、B、C输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2）画出逻辑电路图。 2．试用74161、3-8译码器和少量门电路，实现图5所示波形VO1、VO2，其中CP为输入波形。要求： （1）列出计数器状态与V01、V02的真值表； 模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。 A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电 电子电路基础知识 电路基础知识(一) 电路基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。 第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。 第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1型普通碳膜电阻a1} 二、电阻器的分类 1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。 4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 三、主要特性参数 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。 允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、5、10、25、50、1004、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。 阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。 7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。 8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。 集成电路与系统 集成电路设计与集成系统专业工资待遇 截止到 2013年12月24日，57740位集成电路设计与集成系统专业毕业生的平均薪资为4639元，其中应届毕业生工资3701元，0-2年工资4104元，10年以上工资5104元，3-5年工资6069元，8-10年工资10494元，6-7年工资11198元。 集成电路设计与集成系统专业就业方向 集成电路设计与集成系统专业学生毕业后可到国内外各通信、雷达、电子对抗等电子系统设计单位和微电子产品的单位从事微电子系统的研发设计。。 集成电路设计与集成系统专业就业岗位 硬件工程师、电气工程师、模拟集成电路设计工程师、研发工程师、射频集成电路设计工程师、设计工程师、等。 集成电路设计与集成系统专业就业地区排名 集成电路设计与集成系统专业就业岗位最多的地区是上海。薪酬最高的地区是肇庆。 就业岗位比较多的城市有：上海[36个]、北京[30个]、深圳[28个]、苏州[11个]、西安[10个]、武汉[9个]、广州[7个]、成都[6个]、无锡[6个]、济南[6个]等。 就业薪酬比较高的城市有：肇庆[8065元]、信阳[6999元]、北京[6279元]、上海[6194元]、佛山[5265元]、厦门[5231元]、杭州[5024元]、南京[5013元]、惠州[4999元]、沈阳[4867元]、大连[4799元]等。 集成电路设计与集成系统专业在同类专业排名 集成电路设计与集成系统专业在专业学科中属于工学类中的电气信息类，其中电气信息类共34个专业，集成电路设计与集成系统专业在电气信息类专业中排名第28，在整个工学大类中排名第95位。 在电气信息类专业中，就业前景比较好的专业有：计算机科学与技术，自动化，软件工程，信息工程，电气工程及其自动化，网络工程，计算机软件，电子信息工程，通信工程等。 第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214 10cm 3 -。 （1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3 -，重复（1）。 （3）若D N =A N =1510cm 3 -,，重复（1）。 （4）若D N =16 10cm 3 -，A N =14 10cm 3 -，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -，施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 （2）因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 （4）因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 （cm 3 -）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3 -） 该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ 解：（1）100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3 电子电路基础知识点总结 1、 纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空 穴的数量相等的。 2、 射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于 1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器 （ 射极跟随器 ）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为 0,其共模抑制比为乂。 般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在 数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 限幅电路是一种波形整形电路， 因它削去波形的部位不同分为 4、 5、 上限幅、 下限幅和双向限幅电路。 6、 主从 JK 触发器的功能有保持、计数、置 0、置 1 。 7、 多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、 带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路 和比较放大电路分组成。 9、 时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还 与输出端的原状态有关。 10、 当PN 结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的。 11、 半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、 利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、 硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压 管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流 电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 倍，对全波整流电路而言较为倍。 15、处于放大状态的NPN 管，三个电极上的电位的分布必须符合 UC>UB>UE 而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射 结正偏。 16、 在 P 型半导体中，多数载流子是空穴，而 N 型半导体中，多 数载流子是自由电子。 晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时， 三极管应始终工作在放大区。 般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。 14、 17、 二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、 当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、 20、 《数字电子技术》习题 一. 单项选择题： 1．十进制数128的8421BCD码是（）。 A.10000000 B. 000100101000 C.100000000 D.100101000 2.已知函数F的卡诺图如图1-1, 试求其最简与或表达式 3. 已知函数的反演式为 ，其原函数为（）。 A． B． C． D． 4．对于TTL数字集成电路来说，下列说法那个是错误的：（A）电源电压极性不得接反，其额定值为5V； （B）不使用的输入端接1； （C）输入端可串接电阻，但电阻值不应太大； （D）OC门输出端可以并接。 5．欲将正弦信号转换成与之频率相同的脉冲信号，应用 A.T，触发器 B.施密特触发器 C.A/D转换器 D.移位寄存器 6．下列A/D转换器中转换速度最快的是（）。 A.并联比较型 B.双积分型 C.计数型 D.逐次渐近型 7. 一个含有32768个存储单元的ROM，有8个数据输出端，其地址输入端有（）个。 A. 10 B. 11 C. 12 D. 8 8.如图1-2，在TTL门组成的电路中，与非门的输入电流为I iL≤–1mA?I iH≤20μA。G1输出低电平时输出电流的最大值为 I OL(max)=10mA，输出高电平时最大输出电流为 I OH(max)=–0.4mA 。门G1的扇出系数是（）。 A. 1 B. 4 C. 5 D. 10 9.十数制数2006.375转换为二进制数是： A. 11111010110.011 B. 1101011111.11 C. 11111010110.11 D. 1101011111.011 10. TTL或非门多余输入端的处理是: A. 悬空 B. 接高电平 C. 接低电平 D.接”1” 二.填空题(每小题2分，共20分) 1.CMOS传输门的静态功耗非常小，当输入信号的频率增加时，其功耗将______________。 2. 写出四种逻辑函数的表示方法： __________________________________________________________ _____; 3.逻辑电路中,高电平用1表示,低电平用0表示,则称为___逻辑; 4. 把JK触发器改成T触发器的方法是_____________。 5. 组合逻辑电路是指电路的输出仅由当前的_____________决定。 6. 5个地址输入端译码器，其译码输出信号最多应有 _____________个。 7. 输入信号的同时跳变引起输出端产生尖峰脉冲的现象叫做 _____________。 8．一片ROM有10根地址线，8根数据输出线，ROM共有________个存储单元。 9．N个触发器组成的计数器最多可以组成_____________进制的计数器。 8. 基本RS触发器的约束条件是_____________。 三．电路分析题（36分） 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器（射极跟随 器）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0,其共模抑制比为 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK 触发器的功能有保持、计数、置0、置 1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的 11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 1 倍，对全波整流电路而言较为 1.2 倍。 15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE而PNP管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 16、在P型半导体中，多数载流子是空穴，而N型半导体中，多数载流子是自由电子。 17、二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管应始终工作在放大区。 20、一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。 Q 1 CP Q 1 Q 0 &&D 1D 0第一组： 计算题 一、（本题20分） 试写出图示逻辑电路的逻辑表达式，并化为最简与或式。 解：C B A B A F ++=C B A B A F ++= 二、（本题25分） 时序逻辑电路如图所示，已知初始状态Q 1Q 0＝00。 （1）试写出各触发器的驱动方程； （2）列出状态转换顺序表； （3）说明电路的功能； 解：（1）100Q Q D =，101Q Q D =； （2）00→10→01 （3）三进制移位计数器 三、（本题30分） 由集成定时器555组成的电路如图所示，已知：R 1＝R 2＝10 k Ω，C ＝5μF 。 （1）说明电路的功能； （2）计算电路的周期和频率。 解：（1）多谐振荡器电路 （2）T 1＝7s ， T 2＝3.5s 四、（本题25分） 用二进制计算器74LS161和8选1数据选择器连接的电路如图所示， （1）试列出74LS161的状态表； （2）指出是几进制计数器； （3）写出输出Z 的序列。 "1" 解： （1）状态表如图所示 （2）十进制计数器 C R R CC u o （3）输出Z的序列是0010001100 第二组： 计算题 一、（本题20分） 逻辑电路如图所示，试答：1、写出逻辑式并转换为最简与或表达式，2、画出用“与”门及“或”门实现的逻辑图。 B 二、（本题25分） 试用与非门设计一个三人表决组合逻辑电路(输入为A、B、C，输出为F)，要求在A有一票决定权的前提下遵照少数服从多数原则，即满足：1、A=1时，F一定等于1，2、A、B、C中有两2个以上等于1，则输出F=1。 试：（1）写出表决电路的真值表； （2）写出表决电路的逻辑表达式并化简； （3）画出用与非门设计的逻辑电路图。 简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别：对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。 氧化层 源极(S稠极(G) /涌极(D) 甘底WB) (a) 随着役逐渐增人，栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到?定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了?个''新的P型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上?个负电压bs，那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为当咲?定，而l，SD持续增人时，则相应的1&；减小，近漏极端的沟道深度进-步减小，直至沟道预夹断，进入饱和区。电流咕不再随的变化而变化，而是?个恒定值。 考虑?个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。求下列情况下的漏极电流： (1)Ks = 5V且仏二IV： (2)= 2V 且仏二： (3)Vis = J L =: (4)Ks = ^ = 5Vo (1)根据条件v GS^V；, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。 Z D = K 7；［(V GS _V t)V DS - | V DS = (2)根据条件v GS^V；, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。 (3)根据条件该场效应管工作在截止区，咕=0 (4)根据条件匕2?，%>(沧一?)，该场效应管工作在饱和区B =4；学(心 -％)SmA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确宦夹断电压或开启电压值。 知识| 电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器(射极跟随器)。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0，其共模抑制比为∞。 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK触发器的功能有保持、计数、置0、置1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由少数载流子形成的。 11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的1倍，对全波整流电路而言较为1.2倍。15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE，而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合UE>UE>UC。 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 第8章 滤波电路及放大电路的频率响应 习 题 8 8.1 设运放为理想器件。在下列几种情况下，他们分别属于哪种类型的滤波电路（低通、高通、带通、带阻）？并定性画出其幅频特性。 （1）理想情况下，当0f =和f →∞时的电压增益相等，且不为零； （2）直流电压增益就是它的通带电压增益； （3）理想情况下，当f →∞时的电压增益就是它的通带电压增益； （4）在0f =和f →∞时，电压增益都等于零。 解：（1）带阻 （2）低通 （3）高通 （4）带通 V A (2)理理理理 (3)理理理理 (4)理理理理 (1)理理理理 H A A A A V A V A V A 8.2 在下列各种情况下，应分别采用哪种类型（低通、高通、带通、带阻）的滤波电路。 （1）希望抑制50Hz 交流电源的干扰； （2）希望抑制500Hz 以下的信号； （3）有用信号频率低于500Hz ； （4）有用信号频率为500 Hz 。 解：（1）带阻 （2）高通 （3）低通（4）带通 8.3 一个具有一阶低通特性的电压放大器，它的直流电压增益为60dB ，3dB 频率为1000Hz 。分别求频率为100Hz ，10KHz ，100KHz 和1MHz 时的增益。 解：H Z o 100H ,60dB f A ==，其幅频特性如图所示 3dB -20dB/理 理理理 20 40 60 f/Hz Z v 20lg /dB A ? ??(a)理理理理 u 100Hz,60dB f A == u H 10KHz,6020lg 40,40dB f f A f =-== u H 100KHz,6020lg 20,20dB f f A f =-== u H 10MHz,6020lg 0,0dB f f A f =-== 8.4 电路如图8.1所示的，图中C=0.1μF ，R=5K Ω。 （1）确定其截止频率； （2）画出幅频响应的渐进线和－3dB 点。 图8.1 习题8.4电路图 解：L 36 11 318.3(Hz)225100.110 f RC ππ--= ==???? 电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体 三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数 相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是 空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是 电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电 压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后， 一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电 流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。 7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、 流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为+5V。 数字电子技术基础考题 一、填空题：（每空3分，共15分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（逻辑图）、（逻辑表达式）和（卡诺图）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（0 ）。 3．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。4．TTL器件输入脚悬空相当于输入（高）电平。 5．基本逻辑运算有: （and ）、（not ）和（or ）运算。 6．采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较（最高）位。 7．触发器按动作特点可分为基本型、（同步型）、（主从型）和边沿型；8．如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用（积分型单稳态）触发器 9．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL ）电路和（CMOS ）电路。 10．施密特触发器有（2）个稳定状态.，多谐振荡器有（0 ）个稳定状态。 11．数字系统按组成方式可分为功能扩展电路、功能综合电路两种；12．两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是（半）加器。 13．不仅考虑两个_______本位_____相加，而且还考虑来自___低位进位____相加的运算电路，称为全加器。 14．时序逻辑电路的输出不仅和___该时刻输入变量的取值______有关，而且还与_电路原来的状态_______有关。 15．计数器按CP脉冲的输入方式可分为__同步计数器和____异步计数器_。 16．触发器根据逻辑功能的不同，可分为_____rs______、______jk_____、___t________、___d________、___________等。 17．根据不同需要，在集成计数器芯片的基础上，通过采用__反馈归零法_________、__预置数法_________、__进位输出置最小数法__等方法可以实现任意进制的技术器。 18．4. 一个JK 触发器有 2 个稳态，它可存储 1 位二进制数。 19．若将一个正弦波电压信号转换成同一频率的矩形波，应采用多谐振荡器电路。20．把JK触发器改成T触发器的方法是 j=k=t 。 21．N个触发器组成的计数器最多可以组成2n 进制的计数器。 22．基本RS触发器的约束条件是rs=0 。 4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '= 50μA/V 2，V t = 1V ，以及W /L = 10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS = 5V 且V DS = 1V ； （2）V GS = 2V 且V DS = 1.2V ； （3）V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ； （4）V GS = V DS = 5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 1W i k v V v v ??'=--???? =1.75mA (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 1W i k v V '=-=4mA 4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。 数字电子技术基础考题 」、填空题：（每空3分，共15分） 辑表达式 ）和（ 卡诺图 路，称为全加器。 等° 17. 根据不同需要，在集成计数器芯片的基础上，通过采用 进位输出置最小数法 等方法可以实现任意进制的技术器。 18. 4. 一个JK 触发器有_2_个稳态，它可存储_J — 位二进制数。 19. 若将一个正弦波电压信号转换成 同一频率的矩形波，应采用 多谐振荡器 _______ 电路。 20. __________________________________________ 把JK 触发器改成T 触发器的方法是J=k=t __________________________________________________ 。 21. N 个触发器组成的计数器最多可以组成 _^n 进制的计数 器。 1逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（ 真值表 ）、（ 逻辑图 2. 将2004个“ 1 ”异或起来得到的结果是（ 3. 由555定时器构成的三种电路中, ）和（ 是脉冲的整形电路。 4. TTL 器件输入脚悬空相当于输入（ 电平。 5. 基本逻辑运算有：（and not ）和（or ）运算。 6. 采用四位比较器对两个四位数比较时, 先比较 最咼 位。 7. 触发器按动作特点可分为基本型、 （同步型 主从型 ）和边沿型; 如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用 积分型单稳态 触发器 9. 目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是 TTL ）电路和 CMOS ）电路。 10. 施密特触发器有（ 2 ）个稳定状态?，多谐振荡器有（0 ）个稳定状态。 11.数字系统按组成方式可分为 功能扩展电路、功能综合电路 两种; 12?两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 加器。 13?不仅考虑两个 本位 .相加，而且还考虑来自 低位进位 _______ 相加的运算电 14.时序逻辑电路的输出不仅和 该时刻输入变量的取值 有关，而且还与_电路原来 的状态 有关。 15?计数器按CP 脉冲的输入方式可分为 同步计数器和 异步计数器。 16?触发器根据逻辑功能的不同，可分为 rs jk 反馈归零法 置数法 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '=?50μA/V 2，V t ?=?1V ，以及W /L ?=?10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS?=?5V 且V DS?=?1V ； （2）V GS?=?2V 且V DS?=?； （3）V GS?=?且V DS?=?； （4）V GS?=?V DS?=?5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ??'=--???? = (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-= (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=4mA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。 图题 图（a ）P 沟道耗尽型 图 (b) P 沟道增强型 一个NMOS 晶体管有V t?=?1V 。当V GS?=?2V 时，求得电阻r DS 为1k?。为了使r DS?=?500?，则V GS 为多少？当晶体管的W 为原W 的二分之一时，求其相应的电阻值。 解：由题目可知，该晶体管工作在变阻区，则有()D n GS t DS W i k v V v L '≈- ()n GS t 1DS DS D v r i W k v V L =≈'- 电子电路基础知识--测试 第一篇电子电路基础知识 一、判断题（正确的打√，错误的打×） 1、射极输出器不具有电压放大作用。（√） 2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。（√） 3、在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。（×） 说明：效率最高是的乙类功放. 4、逻辑电路中“1”比“0”大。（×） 说明：逻辑电路中“1”与“0”不存在大小之分。 5、石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。（√） 6、直流放大器只能放大直流信号。（√） 7、在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。（√） 8、振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性（×） 9、直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号（√） 10、差动放大器如果注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小零点漂移（√） 11、放大器具有正反馈特性时，电路必然产生自激振荡（×） 12、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄（×）说明：级数愈少，通频带愈宽。 13、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以e极和c极可以互换使用（×） 14、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（×） 15、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。（×） 16、晶体二极管击穿后立即烧毁。（×） 17、用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。（×） 18、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。（×） 19、PNP三极管处于截止状态时，发射结正偏（×） 20、晶体三极管具有能量放大功能。（×） 21、当集电极电流值大于集电极最大允许时，晶体三极管一定损坏。（√） 22、一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。（×） 23、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（√） 24、Ｎ型半导体是在本征半导体中加入少量的三价元素构成的杂质半导体。（×） 25、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多。故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。（√） 26、运算放大器的输入电流接近于零，因此，将输入端断开，运算放大器仍可以正常工作。（×） 27、运算放大器的输入失调电压Ui0是它的两个输入端电压之差。（×） 28、Ｐ型半导体是在本征半导体中加入少量的五价元素构成的杂质半导体。（×） 29、运算放大器的输入电压接近于零，因此，将输入端短路，运算放大器仍可以正常工作。（×）数字电子技术基础试题及答案 (1)
模拟电子基础复习题与答案
电子电路基础知识69440
集成电路与系统
模拟电子线路习题习题答案(DOC)
电子电路基础知识点总结
数字电子技术基础习题及答案
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
电子电路基础知识点总结
数字电子技术基础答案
模拟电子电路基础答案第四章答案
电子电路基础知识点总结
电路与模拟电子技术基础(第2版)-习题解答-第8章习题解答
电子电路基础习题册参考题答案_第一章
数字电子技术基础习题及答案
模拟电子电路基础答案(胡飞跃)第四章答案
数字电子技术基础习题及答案
模拟电子电路基础答案第四章答案
电子电路基础知识考题