原边反馈的关键技术讨论

原边反馈的关键技术讨论
原边反馈的关键技术讨论

原边反馈(PSR)的AC/DC控制技术是最近10年间发展起来的新型AC/DC控制技术,与传统的副边反馈的光耦加431的结构相比,其最大的优势在于省去了这两个芯片以及与之配合工作的一组元器件,这样就节省了系统板上的空间,降低了成本并且提高了系统的可靠性。在手机充电器等成本压力较大的市场,以及LED驱动等对体积要求很高的市场具有广阔的应用前景。

在省去了这些元器件之后,为了实现高精度的恒流/恒压(CC/CV)特性,必然要采用新的技术来监控负载、电源和温度的实时变化以及元器件的同批次容差,这就涉及到初级(原边)调节技术、变压器容差补偿、线缆补偿和EMI优化技术。

初级调节的原理是通过精确采样辅助绕组(NAUX)的电压变化来检测负载变化的信息。当控制器将MOS管打开时,变压器初级绕组电流ip从0线性上升到ipeak,公式为

。此时能量存储在初级绕组中,当控制器将MOS管关断后,能量通过变压器传递到次级绕组,并经过整流滤波送到输出端VO。在此期间,输出电压 VO 和二极管的正向电压 VF 被反射到辅助绕组 NAUX,辅助绕组 NAUX 上的电压在去磁开始时刻可由公式

表示,其中VF是输出整流二极管的正向导通压降,在去磁结束时刻

可由公式表示,由此可知,在去磁结束时间点,次级绕组输出电压与辅助绕组具有线性关系,只要采样此点的辅助绕组的电压,并形成由精确参考电压箝位的误差放大器的环路反馈,就可以稳定输出电压VO。这时的输出电流IO由公式

表示,其中VCS是CS脚上的电压,其他参

数意义如图1所示。这是恒压(CV)模式的工作原理。

图1 原边控制应用框图及主要节点波形图。

当负载电流超过电流极限时,负载电流会被箝位在极限电流值,此时系统就进入恒流

(CC)模式,这里对IO的公式需要加一个限定条件即,即去磁时间与开关周

期的比例保持一个常数,这样在CC模式下的输出电流公式变成了,其中C1是一个小于0.5的常数,VCSLMT是CS引脚限压极限值。

在使得去磁时间与开关周期的比例保持一个常数后,输出的电压和电流就都与变压器的电感值无关了,因此在实用层面上降低了应用方案对同批次电感感值一致性的要求,从而降低了大规模生产加工的成本。

与此同时,原边反馈系统还会面临线缆压降的问题。因为系统不是直接采样输出端(次级绕组整流后)的电压,而是通过采样辅助绕组的去磁结束点的电压来控制环路反馈的,因此,当输出线较长或者线径较细时,在负载线上会存在较大的内阻(例如在充电器方案中)。在负载电流变化较大的情况下,输出线的末端电压也会有较大变化。在CV模式下,这种变化在某些场合是不能接受的,因此,原边反馈驱动芯片还应该提供对线缆压降补偿的功能,这个功能通常是通过在INV脚上拉一个小电流来实现的。通过预估补偿值来调节连接在INV 脚上的分压电阻的总阻值(分压比例不变),从而补偿不同负载线型和负载大小带来的线缆压降,以维持CV曲线的水平性(如图2 中的CV曲线)。

图2 原边反馈AC-DC控制器的工作模式示意图。

此外,一款好的原边反馈AC-DC控制器还应该具备优秀的EMI特性,对于传导和辐射这两方面的干扰都应该尽可能降低,目前常见的做法是采用抖频技术和驱动信号柔化技术。抖频技术是指在开关频率的基频基础上引入一个小幅度的频率变化值,以此来降低在开关频率点上的频谱能量强度,优化EMI特性。而驱动信号柔化技术则是指将驱动MOS管栅极的驱动信号的开启沿(上升沿)变得比较平滑,以减小MOS管开启瞬间的能量传导和辐射,从而进一步优化EMI特性。

基于PSR原边反馈开关电源之电路设计

基于PSR原边反馈开关电源之电路设计 小编对原边反馈综合介绍:原边反馈(PSR)的AC/DC控制技术是最近10年间发展起来的新型AC/DC控制技术,与传统的副边反馈的光耦加431的结构相比,其最大的优势在于省去了这两个芯片以及与之配合工作的一组元器件,这样就节省了系统板上的空间,降低了成本并且提高了系统的可靠性。在手机充电器等成本压力较大的市场,以及LED驱动等对体积要求很高的市场具有广阔的应用前景。 PSR线路设计需特别注意以下几处: 1. RCD吸收回路,即:R2,C4,D2,R6 2. Vcc供电和电压检测回路,即:D3,R3,R4,R10,C2 3. 输出回路,即:C3,C7,D5,R11,LED1

小编对原边反馈综合介绍:原边反馈(PSR)的AC/DC控制技术是最近10年间发展起来的新型AC/DC控制技术,与传统的副边反馈的光耦加431的结构相比,其最大的优势在于省去了这两个芯片以及与之配合工作的一组元器件,这样就节省了系统板上的空间,降低了成本并且提高了系统的可靠性。在手机充电器等成本压力较大的市场,以及LED驱动等对体积要求很高的市场具有广阔的应用前景。 PSR线路设计需特别注意以下几处: 1. RCD吸收回路,即:R2,C4,D2,R6 2. Vcc供电和电压检测回路,即:D3,R3,R4,R10,C2 3. 输出回路,即:C3,C7,D5,R11,LED1

图1 原边控制应用框图及主要节点波形图。 与此同时,原边反馈系统还会面临线缆压降的问题。因为系统不是直接采样输出端(次级绕组整流后)的电压,而是通过采样辅助绕组的去磁结束点的电压来控制环路反馈的,因此,当输出线较长或者线径较细时,在负载线上会存在较大的内阻(例如在充电器方案中)。在负载电流变化较大的情况下,输出线的末端电压也会有较大变化。在CV模式下,这种变化在某些场合是不能接受的,因此,原边反馈驱动芯片还应该提供对线缆压降补偿的功能,这个功能通常是通过在INV脚上拉一个小电流来实现的。通过预估补偿值来调节连接在INV脚上的分压电阻的总阻值(分压比例不变),从而补偿不同负载线型和负载大小带来的线缆压降,以维持CV曲线的水平性(如图2 中的CV曲线)。

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为~,锗材料约为~。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管~,锗管~。 *死区电压------硅管,锗管。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

原边反馈ACDC控制芯片中的关键技术一

原边反馈AC/DC控制芯片中的关键技术 原边反馈方式的AC/DC控制技术是最近10年间发展起来的新型AC/DC控制技术,与传统的副边反馈的光耦加431的结构相比,其最大的优势在于省去了这两个芯片以及与之配合工作的一组元器件,这样就节省了系统板上的空间,降低了成本并且提高了系统的可靠性。在手机充电器等成本压力较大的市场,以及LED驱动等对体积要求很高的市场具有广阔的应用前景。 在省去了这些元器件之后,为了实现高精度的恒流/恒压(CC/CV)特性,必然要采用新的技术来监控负载、电源和温度的实时变化以及元器件的同批次容差,这就涉及到初级(原边)调节技术、变压器容差补偿、线缆补偿和EMI优化技术。 初级调节的原理是通过精确采样辅助绕组(NAUX)的电压变化来检测负载变化的信息。当控制器将MOS管打开时,变压器初级绕组电流ip从0线性上升到ipeak,公式为 。此时能量存储在初级绕组中,当控制器将MOS管关断后,能量通过变压器传递到次级绕组,并经过整流滤波送到输出端VO。在此期间,输出电压VO 和二极管的正向电压VF 被反射到辅助绕组NAUX,辅助绕组NAUX 上的电压在去磁开始 时刻可由公式表示,其中VF是输出整流二极管 的正向导通压降,在去磁结束时刻可由公式表示,由此可知,在去磁结束时间点,次级绕组输出电压与辅助绕组具有线性关系,只要采样此点的辅助绕组的电压,并形成由精确参考电压箝位的误差放大器的环路反馈,就可以稳定输出电压 VO。这时的输出电流IO由公式表示,其中VCS是CS脚上的电压,其他参数意义如图1所示。这是恒压(CV)模式的工作原理。

图1 原边控制应用框图及主要节点波形图。 当负载电流超过电流极限时,负载电流会被箝位在极限电流值,此时系统就进入恒流(CC) 模式,这里对IO的公式需要加一个限定条件即,即去磁时间与开关周期的比例保持一个常数,这样在CC模式下的输出电流公式变成了 ,其中C1是一个小于0.5的常数,VCSLMT是CS引脚限压极限值。 在使得去磁时间与开关周期的比例保持一个常数后,输出的电压和电流就都与变压器的电感值无关了,因此在实用层面上降低了应用方案对同批次电感感值一致性的要求,从而降低了大规模生产加工的成本。 与此同时,原边反馈系统还会面临线缆压降的问题。因为系统不是直接采样输出端(次级绕组整流后)的电压,而是通过采样辅助绕组的去磁结束点的电压来控制环路反馈的,因此,当输出线较长或者线径较细时,在负载线上会存在较大的内阻(例如在充电器方案中)。在负载电流变化较大的情况下,输出线的末端电压也会有较大变化。在CV模式下,这种变化在某些场合是不能接受的,因此,原边反馈驱动芯片还应该提供对线缆压降补偿的功能,这个功能通常是通过在INV脚上拉一个小电流来实现的。通过预估补偿值来调节连接在INV脚上

恒流源电路

4-20 ma电流环原理分析 最近接触到的传感器比较多,大多数接口信号为4-20ma的电流信号。于是查了一些资料,并不是太理想。以下是参考了一些网上的观点,结合自己的理解,写的东西。有不对的地方还请各位提出来,大家互相学习共同进步。 在工业现场,用一个仪表放大器来完成信号的调理并进行长线传输,会产生以下问题:第一,由于传输的信号是电压信号,传输线会受到噪声的干扰;第二,传输线的分布电阻会产生电压降;第三,在现场如何提供仪表放大器的工作电压也是个问题。为了解决上述问题和避开相关噪声的影响,我们用电流来传输信号,因为电流对噪声并不敏感。4~20mA的电流环便是用4mA表示零信号,用20mA 表示信号的满刻度,而低于4mA高于20mA的信号用于各种故障的报警。 一般传感器会把一个物理信号利用电桥等转化为与之对应的电信号,比如电压或电流。下面以一个恒流源电路来分析电压信号怎么产生与负载无关的电流信号,当然要产生4-20ma的电流信号,则把电压信号利用放大电路进行变换之后肯定是能做到的。如果传感器直接出来的是电流信号,则可以先变为电压信号,再经过信号调理电路肯定还能转换到4-20ma的电流信号。当然变换过程中的关系别人不需要知道。但是自己得知道,上学期在做测量PH值信号好离子浓度信号的电路时我就是把中间的关系一步一步推出来,这样才能知道4ma的电流对应的物理量是多上,20ma的信号对应的物理量是多上。废话太多了,下面看看这个恒流源电路吧 这个电路叫郝兰德电路,是典型的电压电流转换电路。其特点是负载电阻有一端接地(恒流源通常有这个要求),而取样电阻两端均不接地。之所以能够实现这个要求,关键就是上面一个运放和电阻的匹配。上面一个运放显然是跟随器,其输

电子技术基础复习试题与答案

电子技术基础 一、选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6.若A+B=A+C,则() (A) B=C;(B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指() (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是() (A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是() (A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() (A)增加(B)减少(C)不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的() A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 13.将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为()

原边反馈

原边反馈 原边反馈(PSR)的AC/DC控制技术是最近10年间发展起来的新型AC/DC控制技术,与传统的副边反馈的光耦加431的结构相比,其最大的优势在于省去了这两个芯片以及与之配合工作的一组元器件,这样就节省了系统板上的空间,降低了成本并且提高了系统的可靠性。在手机充电器等成本压力较大的市场,以及LED驱动等对体积要求很高的市场具有广阔的应用前景。 在省去了这些元器件之后,为了实现高精度的恒流/恒压(CC/CV)特性,必然要采用新的技术来监控负载、电源和温度的实时变化以及元器件的同批次容差,这就涉及到初级(原边)调节技术、变压器容差补偿、线缆补偿和EMI优化技术。 初级调节的原理是通过精确采样辅助绕组(NAUX)的电压变化来检测负载变化的信息。当控制器将MOS管打开时,变压器初级绕组电流ip从0线性上升到ipeak,公式为 。此时能量存储在初级绕组中,当控制器将MOS管关断后,能量通过变压器传递到次级绕组,并经过整流滤波送到输出端VO。在此期间,输出电压VO 和二极管的正向电压VF 被反射到辅助绕组NAUX,辅助绕组NAUX 上的电压在去磁开始时刻可由公式 表示,其中VF是输出整流二极管的正向导通压降,在去磁结束时刻 可由公式表示,由此可知,在去磁结束时间点,次级绕组输出电压与辅助绕组具有线性关系,只要采样此点的辅助绕组的电压,并形成由精确参考电压箝位的误差放大器的环路反馈,就可以稳定输出电压VO。这时的输出电流IO由公式表示,其中VCS 是CS脚上的电压,其他参数意义如图1所示。这是恒压(CV)模式的工作原理。

图1 原边控制应用框图及主要节点波形图。 当负载电流超过电流极限时,负载电流会被箝位在极限电流值,此时系统就进入恒流 (CC)模式,这里对IO的公式需要加一个限定条件即,即去磁时间与开关周期的比例保持一个常数,这样在CC模式下的输出电流公式变成了 ,其中C1是一个小于0.5的常数,VCSLMT是CS引脚限压极限值。 在使得去磁时间与开关周期的比例保持一个常数后,输出的电压和电流就都与变压器的电感值无关了,因此在实用层面上降低了应用方案对同批次电感感值一致性的要求,从而降低了大规模生产加工的成本。 与此同时,原边反馈系统还会面临线缆压降的问题。因为系统不是直接采样输出端(次级绕组整流后)的电压,而是通过采样辅助绕组的去磁结束点的电压来控制环路反馈的,因此,当输出线较长或者线径较细时,在负载线上会存在较大的内阻(例如在充电器方案中)。在负载电流变化较大的情况下,输出线的末端电压也会有较大变化。在CV模式下,这种变化在某些场合是不能接受的,因此,原边反馈驱动芯片还应该提供对线缆压降补偿的功能,这个功能通常是通过在INV脚上拉一个小电流来实现的。通过预估补偿值来调节连接在INV 脚上的分压电阻的总阻值(分压比例不变),从而补偿不同负载线型和负载大小带来的线缆压降,以维持CV曲线的水平性(如图2 中的CV曲线)。 图2 原边反馈AC-DC控制器的工作模式示意图。 此外,一款好的原边反馈AC-DC控制器还应该具备优秀的EMI特性,对于传导和辐射这两方面的干扰都应该尽可能降低,目前常见的做法是采用抖频技术和驱动信号柔化技术。抖频技术是指在开关频率的基频基础上引入一个小幅度的频率变化值,以此来降低在开关频率点上的频谱能量强度,优化EMI特性。而驱动信号柔化技术则是指将驱动MOS管栅极的驱动信号的开启沿(上升沿)变得比较平滑,以减小MOS管开启瞬间的能量传导和辐射,从而进一步优化EMI特性。

原边反馈反激式

目前比较流行的低成本、超小占用空间方案设计基本都是采用PSR原边反馈反激式, 通过原边反馈稳压省掉电压反馈环路(TL431和光耦)和较低的EMC辐射省掉Y电容, 不仅省成本而且省空间,得到很多电源工程师采用。 比较是新技术,目前针对PSR原边反馈开关电源方案设计的相关讯息在行业中欠缺。 下面结合实际来讲讲我对PSR原边反馈开关电源设计的“独特”方法——以实际为基础。 要求条件: 全电压输入,输出5V/1A,符合能源之星2之标准,符合IEC60950和EN55022安规及EMC标准。 因充电器为了方便携带,一般都要求小体积,所以针对5W的开关电源充电器一般都采用体积较小的EFD-15和EPC13的变压器,此类变压器按常规计算方式可能会认为CORE太小,做不到,如果现在还有人这样认为,那你就OUT了。 磁芯以确定,下面就分别讲讲采用EFD15和EPC13的变压器设计5V/1A 5W的电源变压器。 1. EFD15变压器设计 目前针对小变压器磁芯,特别是小公司基本都无从得知CORE的B/H曲线,因PSR线路对变压器漏感有所要求。 所以从对变压器作最小漏感设计入手: 已知输出电流为1A,5W功率较小,所以铜线的电流密度选8A/mm2, 次级铜线直径为:SQRT(1/8/3.14)*2=0.4mm。 通过测量或查询BOBBIN资料可以得知,EFD15的BOBBIN的幅宽为9.2mm。 因次级采用三重绝缘线,0.4mm的三重绝缘线实际直径为0.6mm. 为了减小漏感把次级线圈设计为1整层,次级杂数为:9.2/0.6mm=15.3Ts,取15Ts. 因IC内部一般内置VDS耐压600~650V的MOS,考虑到漏感尖峰,需留50~100V的应力电压余量,所以反射电压需控制在100V以内, 得:(Vout+VF)*n<100,即:n<100/(5+1),n<16.6, 取n=16.5,得初级匝数NP=15*16.5=247.5 取NP=248,代入上式验证,(Vout+VF)*(NP/NS)<100, 即(5+1)*(248/15)=99.2<100,成立。 确定NP=248Ts.

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精品文档《电子技术基础》课程习题集 西南科技大学成人、网络教育学院版权所有 习题 【说明】:本课程《电子技术基础》(编号为 08001)共有单选题 , 简答题 , 计算 题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型,其中,本 习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。 一、单选题 1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ,U =0.5V ,U =3V,该三极管处在() B E C 状态。 A. 击穿 B.截止 C.放大 D.饱和 2.二极管的主要特性是()。 A. 放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在 N 型半导体中()。 A. 只有自由电子 B. 只有空穴 C.有空穴也有电子 D. 没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。 A. 放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流 I B=10μA时,I C=1mA;而 I B=20μA时,I C=1.8mA, 则该三极管的交流电流放大系数为()。 A.50 B.80 C.100 D.180 6.稳压管的稳压是其工作在()。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V,则该管为()。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别 为:U B=2.8V , U E=2.1V , U C= 3.6V ,则该管处于 ()状态。

原边反馈的关键技术讨论

原边反馈(PSR)的AC/DC控制技术是最近10年间发展起来的新型AC/DC控制技术,与传统的副边反馈的光耦加431的结构相比,其最大的优势在于省去了这两个芯片以及与之配合工作的一组元器件,这样就节省了系统板上的空间,降低了成本并且提高了系统的可靠性。在手机充电器等成本压力较大的市场,以及LED驱动等对体积要求很高的市场具有广阔的应用前景。 在省去了这些元器件之后,为了实现高精度的恒流/恒压(CC/CV)特性,必然要采用新的技术来监控负载、电源和温度的实时变化以及元器件的同批次容差,这就涉及到初级(原边)调节技术、变压器容差补偿、线缆补偿和EMI优化技术。 初级调节的原理是通过精确采样辅助绕组(NAUX)的电压变化来检测负载变化的信息。当控制器将MOS管打开时,变压器初级绕组电流ip从0线性上升到ipeak,公式为 。此时能量存储在初级绕组中,当控制器将MOS管关断后,能量通过变压器传递到次级绕组,并经过整流滤波送到输出端VO。在此期间,输出电压 VO 和二极管的正向电压 VF 被反射到辅助绕组 NAUX,辅助绕组 NAUX 上的电压在去磁开始时刻可由公式 表示,其中VF是输出整流二极管的正向导通压降,在去磁结束时刻 可由公式表示,由此可知,在去磁结束时间点,次级绕组输出电压与辅助绕组具有线性关系,只要采样此点的辅助绕组的电压,并形成由精确参考电压箝位的误差放大器的环路反馈,就可以稳定输出电压VO。这时的输出电流IO由公式 表示,其中VCS是CS脚上的电压,其他参 数意义如图1所示。这是恒压(CV)模式的工作原理。 图1 原边控制应用框图及主要节点波形图。

当负载电流超过电流极限时,负载电流会被箝位在极限电流值,此时系统就进入恒流 (CC)模式,这里对IO的公式需要加一个限定条件即,即去磁时间与开关周 期的比例保持一个常数,这样在CC模式下的输出电流公式变成了,其中C1是一个小于0.5的常数,VCSLMT是CS引脚限压极限值。 在使得去磁时间与开关周期的比例保持一个常数后,输出的电压和电流就都与变压器的电感值无关了,因此在实用层面上降低了应用方案对同批次电感感值一致性的要求,从而降低了大规模生产加工的成本。 与此同时,原边反馈系统还会面临线缆压降的问题。因为系统不是直接采样输出端(次级绕组整流后)的电压,而是通过采样辅助绕组的去磁结束点的电压来控制环路反馈的,因此,当输出线较长或者线径较细时,在负载线上会存在较大的内阻(例如在充电器方案中)。在负载电流变化较大的情况下,输出线的末端电压也会有较大变化。在CV模式下,这种变化在某些场合是不能接受的,因此,原边反馈驱动芯片还应该提供对线缆压降补偿的功能,这个功能通常是通过在INV脚上拉一个小电流来实现的。通过预估补偿值来调节连接在INV 脚上的分压电阻的总阻值(分压比例不变),从而补偿不同负载线型和负载大小带来的线缆压降,以维持CV曲线的水平性(如图2 中的CV曲线)。 图2 原边反馈AC-DC控制器的工作模式示意图。 此外,一款好的原边反馈AC-DC控制器还应该具备优秀的EMI特性,对于传导和辐射这两方面的干扰都应该尽可能降低,目前常见的做法是采用抖频技术和驱动信号柔化技术。抖频技术是指在开关频率的基频基础上引入一个小幅度的频率变化值,以此来降低在开关频率点上的频谱能量强度,优化EMI特性。而驱动信号柔化技术则是指将驱动MOS管栅极的驱动信号的开启沿(上升沿)变得比较平滑,以减小MOS管开启瞬间的能量传导和辐射,从而进一步优化EMI特性。

电子技术基础简答题

电子技术基础简答题 电子技术基础简答题相信是很多考生关注的内容点。以下是为大家整理分享的电子技术基础简答题,欢迎阅读参考。 一.填空题: 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________小的特点,起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻RL和信号源的内阻rs______时,负载获得的功率最大,这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有:______类功放,______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放管提供少量__________,以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由和___________四个部分组成。

9.逻辑代数的三种基本运算是、___________和___________。 10.主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二.选择题 1.晶体管二极管的正极的电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体二极管处于:( )。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2.若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压VCE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数:。 /3 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是:。 A. 保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低 6.有两个2CW15稳压二极管,其中一个稳压值是8V,

原边反馈ACDC控制芯片中的关键技术一

原边反馈AC/DC控制芯片中的关键技术原边反馈方式的AC/DC控制技术是最近10年间发展起来的新型AC/DC控制技术,与传统的副边反馈的光耦加431的结构相比,英最大的优势在于省去了这两个芯片以及与之配合工作的一组元器件,这样就节省了系统板上的空间,降低了成本并且提高了系统的可靠性。在手机充电器等成本压力较大的市场,以及LED驱动等对体积要求很高的市场具有广阔的应用前景。 在省去了这些元器件之后,为了实现髙精度的恒流/恒压(CC/CV)特性,必然要采用新的技术来监控负载、电源和温度的实时变化以及元器件的同批次容差,这就涉及到初级(原边)调节技术、变压器容差补偿、线缆补偿和EMI优化技术。 初级调节的原理是通过精确采样辅助绕组(NAUX)的电压变化来检测负载变化的信息。当控制器将MOS管打开时,变压器初级绕组电流ip从0线性上升到ipeak,公式为 r: i . peafc L 0,1 P。此时能量存储在初级绕组中,当控制器将MOS管关断后,能虽通过变压器传递到次级绕组,并经过整流滤波送到输岀端VO。在此期间,输出电压VO和二极管的正向电压VF被反射到辅助绕组NAUX,辅助绕组NAUX上的电压在去磁开始 时刻可由公式$ 表示,其中VF是输出整流二极管 N:v二铲乂诊 的正向导通压降,在去磁结朿时刻可由公式 1 s表示,由此可知,在去磁结朿时间点,次级绕组输岀电压与辅助绕组具有线性关系,只要采样此点的辅助绕组的电压,并形成由精确参考电压箝位的误差如遷的环路反馈,就可以稳定输岀电压 I L : A7 一丨'?M ■ }_ =7f 亍Q vo。这时的输出电流io由公式、吐啦二表示,其 中VCS是CS脚上的电压,其他参数意义如图1所示。这是恒压(CV)模式的工作原理。

PSR_Flyback_原边反馈基本原理 [兼容模式]

Primary side regulated flyback AC-DC

PSR 技术 PSR技术 技术简介 PSR技术简介 1、PSR 传统的次级端反馈的缺点 1.1 传统的次级端反馈的缺点 1.1 技术的优点 1.2 PSR 1.2 PSR技术的优点 1.3PSR的应用 .3 S的应用 PSR 技术的原理 PSR技术的原理 2、PSR flyback变换器的原理 2.1 flyback 2.1 如何在原边检测输出电压Vo Vo和输出电流 和输出电流Io 2.2 如何在原边检测输出电压 Io 2.2 22如何在原边检测输出电压 如何在原边检测输出电压V V和输出电流 和输出电流I I 2.3 PSR实现恒压和恒流的原理 实现恒压和恒流的原理 2.3 PSR 2.4 PSR恒压功能和恒流功能之间如何实现切换 恒压功能和恒流功能之间如何实现切换 2.4 PSR 的关键技术问题 3、PSR PSR的关键技术问题

1、PSR技术简介 1.1 传统的次级端反馈的缺点 恒流控制 恒压控制 采用传统次级端调节反激式转换器

采用传统次级端调节反激式转换器 此方案可提供精确的电压、电流控制,但缺点是: (1)组件数目较多,电路板空间,成本,可靠性 (2)采样电阻Ro增加功耗,效率 (3)光耦合器不能工作于高温环境下 (Current transfer ratio degradation due to temperature rises)光耦合存在个低频极点 (4)光耦合器存在一个低频极点(20-30kHz) this low frequency pole complicates the feedback loop design

交流恒流源的原理和用途

交流恒流源原理与用途 一:原理 恒流亦可叫稳流,意思相近,一般可以不加区别。与恒压的概念相比,恒流的概念就难于理解一些了,因为日常生活中恒压源是多见的,蓄电池、干电池是直流恒压电源,而 220V 交流电,则可认为是一种交流恒压电源,因为它们的输出电压是基本不变的,是不随输出电流的大小而大幅变化的。 首先举例说明:一个恒定电流值调至 1A 的,最高输出电压可达 100V 的一个恒流电源,当你打开这个恒流源的电源开关时,你会看到电源的电压表和电流表显示什么数值呢?可以肯定的说:输出电压为 100V ,输出电流为 0A 。有人曾经这样问,你不是100V 1A 的恒流源吗?怎么输出不是 100V 1A 呢?这里仍然要用 欧姆定律来解释,理论上可以这样来计算,电源的输出电压 U=IR ,式中 U 为输出电压, I 为输出电流, R 为负载电阻。 交流恒流源原理与用途 以下分 5 种情况来说明: 如果电源为空载, R 可以用无穷大来表示, U=I* ∞,由于电源能输 1A 的电流,如果电源电流为 1A ,那么 U=1A* ∞ = ∞,而电源电压最多只能输出 100V ,无疑电源只能输出其最大电压 100V ,由于电源不能输出无穷大的电压,因而电流只能是很小很小的值,即电流输出为 0A ,即 I=U/R=100V/ ∞ =0A 。

如果负载电阻 R=200 欧,那么又因电源只能输出 100V ,因此电流只能为 0.5A ,即 I=U/R=100V/200R=0.5A 如果负载电阻 R=100 欧,由于电源能输出 100V ,就使得电流能达到 1A ,即 I=U/R=100V/100R=1A 此时输出电流正好达到电源的恒流值。 如果负载电阻继续减小,改为 50 欧,如果根据公式 I=U/R=100V/50R=2A. 但这里的关键是我们的电源是个恒流值为1A 的电源,因此此时的输出电流只能被强迫限制在 1A 而不能为 2A 因而输出电压只能被迫降到 50V 而不能为 100V 。这里仍然要符合欧姆定律,即 U=IR=1A*50R=50V 如果负载电阻变为 0 欧(即短路),那么由于输出电流只能为 1A ,输出电压就只能为 0V ,即 U=I*R=1A*0R=0V 从以上 5 个例子可以看出,如果负载电阻太大,使电源输出电流不能达到恒流值,那么恒流源的输出电压就会自动升到电源的最大输出电压,只有当负载电阻小到一定的程度,使电源输出电流达到恒流值,电源才真正处于恒流工作状态,随着负载电阻值的逐步减小,输出电压也按规律下降,以保持输出电流的恒定不变。这就是恒流的概念。 交流恒流源原理与用途 总之,实际上无论是恒压电源,还是恒流电源,它们本质上都是一致的,它们的输出都是电压和电流,两个量中,电源只能控制其中的一个量,要么稳住电压,要么稳住电流,另一个量

电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷五(本科)及其参考答案 试卷五 一、填空和选择题(每小题2分共16分) 1.半导体二极管的重要特性之一是。 (A)温度稳定性(B)单向导电性(C)放大作用(D)滤波特性2.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生失真。 (A)截止失真(B)饱和v失真(C)双向失真(D)线性失真3.多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比,通频带。 (A)变宽(B)变窄(C)不变(D)与单级放大电路无关4.电流源电路的特点是输出电流恒定,交流等效电阻。 (A)等于零(B)比直流等效电阻小 (C)等于直流等效电阻(D)远远大于直流等效电阻 5.放大电路产生零点漂移的主要原因是。 (A)采用了直接耦合方式(B)采用了阻容耦合方式 (C)采用了正、负双电源供电(D)增益太大 6.二阶压控电压源低通有源滤波器通带外幅频响应曲线的斜率为。 (A)20dB/十倍频程(B)-20dB/十倍频程 (C)40dB十倍频程(D)-40dB/十倍频程 7.当有用信号的频率低于100Hz时,应采用滤波电路。 (A)低通(B)高通(C)带通(D)带阻 8.在图1-8所示电路中,稳压管D Z的稳定电压V Z = 6V,最小稳定电流I zmin = 5mA,输入电压V I = 12V,电阻R=100Ω,在稳定条件下I L的数值最大不应超过。 (A)40mA (B)45mA (C)55mA (D)60mA 图1-8 二、(14分) 分压式射极置共射放大电路如图2所示,已知BJT的β =100,V BE = 0.7V。电路处于正常放大状态。 (1)估算电路的静态工作点; (2)画出简化的H参数小信号等效电路; (3)求放大电路通带内的电压增益、输入电阻和输出电阻。 图2 三、(12分) 放大电路如图3 a、b、c、d所示。

原边反馈开关电源设计

原边反馈电源方案的设计 原边反馈(PSR)的AC/DC控制技术是最近10年间发展起来的新型AC/DC控制技术,与传统的副边反馈的光耦加431的结构相比,其最大的优势在于省去了这两个芯片以及与之配合工作的一组元器件,这样就节省了系统板上的空间,降低了成本并且提高了系统的可靠性。在手机充电器等成本压力较大的市场,以及LED驱动等对体积要求很高的市场具有广阔的应用前景。 在省去了这些元器件之后,为了实现高精度的恒流/恒压(CC/CV)特性,必然要采用新的技术来监控负载、电源和温度的实时变化以及元器件的同批次容差,这就涉及到初级(原边)调节技术、变压器容差补偿、线缆补偿和EMI优化技术。 初级调节的原理是通过精确采样辅助绕组(NAUX)的电压变化来检测负载变化的信息。当控制器将MOS管打开时,变压器初级绕组电流ip从0线性上升到ipeak,公式为 。此时能量存储在初级绕组中,当控制器将MOS管关断后,能量通过变压器传递到次级绕组,并经过整流滤波送到输出端VO。在此期间,输出电压 VO 和二极管的正向电压 VF 被反射到辅助绕组 NAUX,辅助绕组 NAUX 上的电压在去磁开始时刻可由公式 表示,其中VF是输出整流二极管的正向导通压降,在去磁结束时刻 可由公式表示,由此可知,在去磁结束时间点,次级绕组输出电压与辅助绕组具有线性关系,只要采样此点的辅助绕组的电压,并形成由精确参考电压箝位的误差放大器的环路反馈,就可以稳定输出电压VO。这时的输出电流IO由公式表示,其中VCS是CS脚上的电压,其他参数意义如图1所示。这是恒压(CV)模式的工作原理。

图1 原边控制应用框图及主要节点波形图。 当负载电流超过电流极限时,负载电流会被箝位在极限电流值,此时系统就进入恒 流(CC)模式,这里对IO的公式需要加一个限定条件即,即去磁时间与开关周期的比例保持一个常数,这样在CC模式下的输出电流公式变成了 ,其中C1是一个小于0.5的常数,VCSLMT是CS引脚限压极限值。 在使得去磁时间与开关周期的比例保持一个常数后,输出的电压和电流就都与变压器的电感值无关了,因此在实用层面上降低了应用方案对同批次电感感值一致性的要求,从而降低了大规模生产加工的成本。 与此同时,原边反馈系统还会面临线缆压降的问题。因为系统不是直接采样输出端(次级绕组整流后)的电压,而是通过采样辅助绕组的去磁结束点的电压来控制环路反馈的,因此,当输出线较长或者线径较细时,在负载线上会存在较大的内阻(例如在充电器方案中)。在负载电流变化较大的情况下,输出线的末端电压也会有较大变化。在CV模式下,这种变化在某些场合是不能接受的,因此,原边反馈驱动芯片还应该提供对线缆压降补偿的功能,这个功能通常是通过在INV脚上拉一个小电流来实现的。通过预估补偿值来调节连接在INV 脚上的分压电阻的总阻值(分压比例不变),从而补偿不同负载线型和负载大小带来的线缆压降,以维持CV曲线的水平性(如图2 中的CV曲线)。 图2 原边反馈AC-DC控制器的工作模式示意图。

恒流源工作原理

恒流源工作原理 恒流源是输出电流保持不变的电流源,而理想的恒流源为: a)不因负载(输出电压)变化而改变。 b)不因环境温度变化而改变。 c)内阻为无限大。 恒流源之电路符号: 理想的恒流源实际的流源 理想的恒流源,其内阻为无限大,使其电流可以全部流出外面。实际的恒流源皆有内阻R。三极管的恒流特性:

从三极管特性曲线可见,工作区内的IC受IB影响,而VCE对IC的影响很微。 因此,只要IB值固定,IC亦都可以固定。 输出电流IO即是流经负载的IC。 电流镜电路Current Mirror:838电子 电流镜是一个输入电流IS与输出电流IO相等的电路: Q1和Q2的特性相同,即VBE1 = VBE2,β1 = β2。 优点: 三极管之β受温度的影响,但利用电流镜像恒流源,不受β影响,主要依靠外接电阻R经Q2去决定输出电流IO(IC2 = IO)。

三极管射极偏压设计 范例1: 从左边看起:基极偏压 所以V E=V B - 0.6=1.0V 又因为射极电阻是1K,流经射极电阻的电流是 电脑桌面壁纸所以流经负载的电流就就是稳定的1mA新艺图库

这是个利用稳压二极管提供的基极偏压5.6V V E=V B - 0.6= 5V 流经负载的电流手机主题下载 范例3. 这个例子有一点不同:利用PNP三极管供应电流给负载电路.首先,利用二极管0.6 V的压降,提供8.2 V基极偏压(10 –3 x 0.6 = 8.2). 4.7 K电阻只是用来形成通路,而且不希望(也不会)有很多电流流经这个电阻。

V E=V B + 0.6=8.8V在线计算器 PNP晶体的560欧姆电阻两端电位差是1.2V, 所以电流是2mA 晶体恒流源应用注意事项 如果只用一个三极管不能满足需求,可以用两个三极管架成: 838电子 或是 也可以是

电子技术基础教学计划doc

《电子技术基础与技能》教学计划 一、概述 (一)课程性质 1.知识目标: 本课程是中等职业技术学校电子应用技术专业核心课程,是本专业学生必修的基础技术课程。 通过本课程的学习和实践操作,使学生掌握常用电子器件的特性和常见电子电路的工作原理以及基本的分析方法。培养学生对专业的兴趣,提高动手能力,养成规范操作习惯。掌握安全用电常识。为深入学习本专业有关后继课程和从事有关电子技术方面的实际工作打下基础。考虑到课程的基础性和应用性,一方面要求学生对基本概念、基本理论、基本定律、基本工作原理要有所了解,更重要的要加强学生综合分析和应用能力的培养。 2.德育目标:本着深入学习实践科学发展观,培养以服务社会主义现代化建设为宗旨,具有良好的职业道德,具有实事求是、独立思考的科学精神,具有敬业爱岗、团结协作的工作精神,树立“文明生产,安全第一”的职业意识,掌握本专业所需要的基本知识,具有一定的分析问题、解决问题的能力,具有一定的创业精神的初、中级水平人才。 (二)课程基本理念与思路 本课程贯彻以就业为导向,以能力为本位的职教思想。以职业能力分析为依据,设定课程培养目标,明显降低理论教学的重心,删除与实际工作关系不大的繁冗计算,以必备的相关基础知识和电子技术在工业中的应用为主线组织教学内容,注重培养学生的应用能力和解决问题的实际工作能力。 1.器件方面:使学生掌握常见半导体器件的外特性。熟悉常见模拟和数字集成电路的功能,并能合理选择和正确使用。具有查阅电子器件手册的能力。 2.单元电路方面:使学生熟悉基本的整流电路,直流稳压电路,放大电路,

振荡电路以及组合、时序逻辑电路的组成,理解其工作原理,了解一般应用。 3.综合应用方面:使学生初步具有分析较复杂的电子线路的能力。 4.实验技能方面:今调试单元电路及测试电路的主要参数。 二、课程目标 (一)总目标 通过学习,使学生获得电子技术方面的基础知识和技能,培养学生分析问题和解决问题的能力,为以后深入学习电子技术在专业中的应用打好基础。 学习科学探究方法,发展自主学习能力,养成良好的思维习惯和职业规范,能运用相关的专业知识、专业方法和专业技能解决工程中的实际问题。 发展好奇心与求知欲,发展科学探索兴趣,培养坚持真理、勇于创新、实事求是的科学态度与科学精神,有振兴中华,将科学服务于人类的社会责任感。 理解科学技术与社会的相互作用,形成科学的价值观;培养学生的团队合作精神,激发学生的创新潜能,提高学生的实践能力。 (二)具体目标 1.知识与技能 (1)了解电子元器件的性能,能识别与测试常用电子元器件; (2)掌握电子线路的工作原理,并会分析具体的电子电路; (3)会使用万用表等常用电工仪表及常用电子仪器仪表来检测电子电路;(4)能阅读与理解整流电路及典型稳压电源的原理图; (5)能阅读与理解典型放大电路、运算放大电路; (6)能了解集成电路基本常识;重点理解集成电路在工业中的应用; (7)会使用常用电子仪表进行数字电路的测量与调试; (8)初步具有查阅电子元器件手册和合理选用元器件的能力; (9)初步具有阅读和应用常见模拟电路和数字电路的能力; (10)初步具备测试常用电路性能及排除简单故障的能力。 2.过程与方法 (1)经历各种科学探究过程,进一步理解科学探究的意义,学习科学探究的基本方法,提高科学探究能力。

原边反馈开关电源之变压器设计

PSR原边反馈开关电源之变压器设计 目前比较流行的低成本、超小占用空间方案设计基本都是采用PSR原边反馈反激式,通过原边反馈稳压省掉电压反馈环路(TL431和光耦)和较低的EMC辐射省掉Y电容,不仅省成本而且省空间,得到很多电源工程师采用。比较是新技术,目前针对PSR原边反馈开关电源方案设计的相关讯息在行业中欠缺。<电源网原创转载请注明出处> 下面结合实际来讲讲我对PSR原边反馈开关电源设计的“独特”方法——以实际为基础。 要求条件: 全电压输入,输出5V/1A,符合能源之星2之标准,符合IEC60950和EN55022安规及EMC 标准。 因充电器为了方便携带,一般都要求小体积,所以针对5W的开关电源充电器一般都采用体积较小的EFD-15和EPC13的变压器,此类变压器按常规计算方式可能会认为CORE太小,做不到,如果现在还有人这样认为,那你就OUT了。 磁芯以确定,下面就分别讲讲采用EFD15和EPC13的变压器设计5V/1A 5W的电源变压器。 1. EFD15变压器设计 目前针对小变压器磁芯,特别是小公司基本都无从得知CORE的B/H曲线,因PSR线路对变压器漏感有所要求。 所以从对变压器作最小漏感设计入手:已知输出电流为1A,5W功率较小,所以铜线的电流密度选8A/mm2,次级铜线直径为:SQRT(1/8/3.14)*2=0.4mm。 通过测量或查询BOBBIN资料可以得知,EFD15的BOBBIN的幅宽为9.2mm。 因次级采用三重绝缘线,0.4mm的三重绝缘线实际直径为0.6mm. 为了减小漏感把次级线圈设计为1整层,次级杂数为:9.2/0.6mm=15.3Ts,取15Ts. 因IC内部一般内置VDS耐压600~650V的MOS,考虑到漏感尖峰,需留50~100V的应力电压余量,所以反射电压需控制在100V以内,得:(Vout+VF)*n<100,即:n<100/(5+1),n<16.6,取n=16.5,得初级匝数NP=15*16.5=247.5取NP=248,代入上式验证, (Vout+VF)*(NP/NS)<100,即(5+1)*(248/15)=99.2<100,成立。 确定NP=248Ts.假设:初级248Ts在BOBBIN上采用分3层来绕,因多层绕线考虑到出线间隙和次层以上不均匀,需至少留1Ts余量(间隙)。 得:初级铜线可用外径为:9.2/(248/3+1)=0.109mm,对应的实际铜线直径为0.089mm,太小(小于0.1mm不易绕制),不可取。

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