3位半数字表头芯片ICL7107的特点及原理介绍
3位半数字表头芯片ICL7107的特点及原理介绍
(1) 31/2位双积分型A/D转换器ICL7107功能与特点
① ICL7107是31/2位双积分型A/D转换器，属于CMoS大规模集成电路，它的最大显示值为士1999，最小分辨率为100uV，转换精度为0.05士1 个字。
② 能直接驱动共阳极LED数码管，不需要另加驱动器件，使整机线路简化，采用士5V两组电源供电，并将第21脚的GND接第30脚的IN 。
③ 在芯片内部从V+与COM之间有一个稳定性很高的2.8V基准电源，通过电阻分压器可获得所需的基准电压V REF。
④ 能通过内部的模拟开关实现自动调零和自动极性显示功能。
⑤ 输入阻抗高，对输入信号无衰减作用。
⑥ 整机组装方便，无需外加有源器件，配上电阻、电容和LED共阳极数码管，就能构成一只直流数字电压表头。
⑦ 噪音低，温漂小，具有良好的可靠性，寿命长。
⑧ 芯片本身功耗小于15mw（不包括LED）。
⑨ 不设有一专门的小数点驱动信号。使用时可将LED共阳极数数码管公共阳极接V+.
⑩ 可以方便的进行功能检查。
图1 ICL7107的引脚图及典型电路。
(2) ICL7107引脚功能及主要电气参数
V＋和V-分别为电源的正极和负极，
au-gu,aT-gT,aH-gH：分别为个位、十位、百位笔画的驱动信号，依次接个位、十位、百位LED显示器的相应笔画电极。
Bck：千位笔画驱动信号。接千位LEO显示器的相应的笔画电极。
PM：液晶显示器背面公共电极的驱动端，简称背电极。
Oscl-OSc3 ：时钟振荡器的引出端，外接阻容或石英晶体组成的振荡器。第38脚至第40脚电容量的选择是根据下列公式来决定：
Fosl = 0.45/RC
COM ：模拟信号公共端，简称“模拟地”，使 用时一般与输入信号的负端以及基准电压的负极相连。
TEST ：测试端，该端经过500欧姆电阻接至逻辑电路的公共地，故也称“逻辑地”或“数字地”。
VREF ＋ VREF- ：基准电压正负端。 CREF ：外接基准电容端。
INT ：27是一个积分电容器，必须选择温度系数小不致使积分器的输入电压产生漂移现象的元件
IN ＋和IN- ：模拟量输入端，分别接输入信号的正端和负端。
AZ ：积分器和比较器的反向输入端，接自动调零电容CAz 。如果应用在200mV 满刻度的场合是使用0.47μF ，而2V 满刻度是0.047μF 。
BUF ：缓冲放大器输出端，接积分电阻Rint 。其输出级的无功电流( idling current )是100μA ，而缓冲器与积分器能够供给20μA 的驱动电流，从此脚接一个Rint 至积分电容器，其值在满刻度200mV 时选用47K ，而2V 满刻度则使用470K 。
其振荡周期Tc=2RC In1.5=2.2RC 。
图2 ICL7107A/D 转换器原理
计数器对反向积分过程的时钟脉冲进行计数。控制逻辑包括分频器、译码器、相位驱动器、控制器和锁存器。
分频器用来对时钟脉冲逐渐分频，得到所需的计数脉冲fc 和共阳极LED 数码管公共电极所需的方波信号fc 。
译码器为BCD-7段译码器，将计数器的BCD码译成LED数码管七段笔画组成数字的相应编码。驱动器是将译码器输出对应于共阳极数码管七段笔画的逻辑电平变成驱动相应笔画的方波。控制器的作用有三个：第一，识别积分器的工作状态，适时发出控制信号，使各模拟开关接通或断开，A/D转换器能循环进行。第二，识别输入电压极性，控制LED数码管的负号显示。第二，当输入电压超量限时发出溢出信号，使千位显示“1" ，其余码全部熄灭。
钓锁存器用来存放A/D转换的结果，锁存器的输出经译码器后驱动LED 。它的每个测量周期自动调零（AZ）、信号积分（INT）和反向积分（DE）三个阶段。
第一阶段：自动调零阶段AZ
转换开始前（转换控制信号VL=0) ，先将计时器清零，并接通开关S0 ，使积分电容C完全放电。
第二阶段：信号积分INT
令开关S1合到输入信号V1一侧，积分器对V1进行固定时间Tl的积分，积分结果为：
上式说明，在Tl固定条件下V0与Vl成正比。
第三阶段：反向积分DE
令开关S1转至参考电压VREF一侧，积分器反向积分。如果积分器的输出电压上升至必零时，所经过的积分时间T2则可得，
故可得到，
可见，反向积分到V0=0这段时间T2与Vl成正比。令时钟脉冲CD的周期为Tc，计数扔器在T2时间内计数值为N得：T2=NTc
代入上式得：
分析可知：T1,Tc，V REF固定不变，计数值N仅与VIN成正比，实现了模拟量到数字量的转变。下面介绍A/D转化过程的时间分配。假设时钟脉冲频率为40KHz，每个周期为4000Tc,
如图3所示，每个测量周期中三个阶段工作自动循环。
图3 双积分型A/D转换器的电压波形图
各阶段时间分配如下
①信号积分时间Tl用1000Tc 。
②信号反向积分时间T2用0一2000Tc ，这段时间的长短是由V IN的大小决定的。
③自动调零时间T0用1000－3000Tc 。
从上面的分析可知，Tl 侍定不变的，但T2随V IN的大小而改变。因为，
选基准电压V RFF = 100.0mv ,
由：得：V IN=0.1N
满量程时N=2000，同样由上式可导出满量程时V IN与基准电压的关系为：V IN=2V REF。为了提高仪表的抗干扰能力，通常选定的采样时间Tl 为工频周期的整数倍。我国采用50Hz 交流电网，其周期为20ms，应选T1=n×20ms。n= l,2,3……n越大，对串模干扰的抑制能力越强，但n越大，A/D转换的时间越长。因此，一般取Tl=100ms，即f0＝40KHz 。
由T0=2RC105=2.2RC，得
式中T0为振荡周期。
由上式可知，当f0=40KHz时，阻容元件的选取并不唯一，只要满足要求即可。
图4 ICL7107与LED接线电路图
主板上各种芯片、元件的识别及作用
主板芯片组： 芯片组（Chipset）是主板的核心组成部分，联系CPU和其他周边设备的运作。主板上最重要的芯组就是南桥和北桥。 1、北桥芯片：（North Bridge）是主板芯片组中起主导作用的最重要的组成部分，也称为主桥（Host Bridge）。一般来说，芯片组的名称就是以北桥芯片的名称来命名的，例如英特尔875P芯片组的北桥芯片是82875P、最新的则是支持双核心处理器的945/955/975系列的82945P、82945G、82945GZ、82945GT、82945PL、82955X、82975X等七款北桥芯片等等。 北桥作用：北桥芯片负责与CPU的联系并控制内存(仅限于Intel的cpu，AMD系列cpu在K8系列以后就在cpu中集成了内存控制器，因此AMD平台的北桥芯片不控制内存)、AGP 数据在北桥内部传输，提供对CPU的类型和主频、系统的前端总线频率、内存的类型（SDRAM，DDR SDRAM以及RDRAM等等）和最大容量、AGP插槽、ECC纠错等支持，整合型芯片组的北桥芯片还集成了显示核心。 北桥识别及特点：北桥芯片就是主板上离CPU最近的芯片，这主要是考虑到北桥芯片与处理器之间的通信最密切，为了提高通信性能而缩短传输距离。因为北桥芯片的数据处理量非常大，发热量也越来越大，所以现在的北桥芯片都覆盖着散热片用来加强北桥芯片的散热，有些主板的北桥芯片还会配合风扇进行散热。因为北桥芯片的主要功能是控制内存，而内存标准与处理器一样变化比较频繁，所以不同芯片组中北桥芯片是肯定不同的，当然这并不是说所采用的内存技术就完全不一样，而是不同的芯片组北桥芯片间肯定在一些地方有差别。 2、南桥芯片：南桥芯片（South Bridge）是主板芯片组的重要组成部分，一般位于主板上离CPU插槽较远的下方，PCI插槽的附近，这种布局是考虑到它所连接的I/O总线较多，离处理器远一点有利于布线。相对于北桥芯片来说，其数据处理量并不算大，所以南桥芯片一般都没有覆盖散热片。南桥芯片不与处理器直接相连，而是通过一定的方式（不同厂商各种芯片组有所不同，例如英特尔的英特尔Hub Architecture以及SIS的Multi-Threaded“妙渠”）与北桥芯片相连。 南桥作用：南桥芯片负责I/O总线之间的通信，如PCI总线、USB、LAN、ATA、SATA、音频控制器、键盘控制器、实时时钟控制器、高级电源管理等，这些技术一般相对来说比较稳定，所以不同芯片组中可能南桥芯片是一样的，不同的只是北桥芯片。所以现在主板芯片组中北桥芯片的数量要远远多于南桥芯片。例如早期英特尔不同架构的芯片组Socket 7的430TX和Slot 1
IGBT的结构和工作原理
IGBT的结构和工作原理 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。 2.IGBT 的工作特性 1.静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高，Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内，Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示： Uds(on) ＝Uj1 ＋Udr ＋IdRoh 式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。
主板上各种芯片元件的识别及作用.
主板上各种芯片、元件的识别及作用 一、主板芯片组： 芯片组（Chipset）是主板的核心组成部分，联系CPU和其他周边设备的运作。主板上最重要的芯组就是南桥和北桥。 1、北桥芯片：（North Bridge）是主板芯片组中起主导作用的最重要的组成部分，也称为主桥（Host Bridge）。一般来说，芯片组的名称就是以北桥芯片的名称来命名的，例如英特尔875P芯片组的北桥芯片是82875P、最新的则是支持双核心处理器的 945/955/975系列的82945P、82945G、82945GZ、82945GT、82945PL、82955X、82975X等七款北桥芯片等等。 北桥作用：北桥芯片负责与CPU的联系并控制内存(仅限于Intel的cpu，AMD系列cpu在K8系列以后就在cpu中集成了内存控制器，因此AMD平台的北桥芯片不控制内存)、AGP数据在北桥内部传输，提供对CPU的类型和主频、系统的前端总线频率、内存的类型（SDRAM，DDR SDRAM以及RDRAM等等）和最大容量、AGP插槽、ECC纠错等支持，整合型芯片组的北桥芯片还集成了显示核心。 北桥识别及特点：北桥芯片就是主板上离CPU最近的芯片，这主要是考虑到北桥芯片与处理器之间的通信最密切，为了提高通信性能而缩短传输距离。因为北桥芯片的数据处理量非常大，发热量也越来越大，所以现在的北桥芯片都覆盖着散热片用来加强北桥芯片的散热，有些主板的北桥芯片还会配合风扇进行散热。因为北桥芯片的主要功能是控制内存，而内存标准与处理器一样变化比较频繁，所以不同芯片组中北桥芯片是肯定不同的，当然这并不是说所采用的内存技术就完全不一样，而是不同的芯片组北桥芯片间肯定在一些地方有差别。 2、南桥芯片：南桥芯片（South Bridge）是主板芯片组的重要组成部分，一般位于主板上离CPU插槽较远的下方，PCI插槽的附近，这种布局是考虑到它所连接的I/O总线较多，离处理器远一点有利于布线。相对于北桥芯片来说，其数据处理量并不算大，所以南
igbt工作原理及应用
igbt工作原理及应用 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的保护 引言 绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。在中大功率的开关电源装置中,IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或GTO。但是在开关电源装置中,由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故IGBT的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而,在选择IGBT时除了要作降额考虑外,对IGBT的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。 1 IGBT的工作原理 IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止 由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：
——IGBT栅极与发射极之间的电压; ——IGBT集电极与发射极之间的电压; ——流过IGBT集电极－发射极的电流; ——IGBT的结温。 如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压,流过IGBT集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。 2 保护措施 在进行电路设计时,应针对影响IGBT可靠性的因素,有的放矢地采取相应的保护措施。 2．1 IGBT栅极的保护 IGBT的栅极－发射极驱动电压VGE的保证值为±20V,如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压,则可能会损坏IGBT,因此,在IGBT的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外,若IGBT的栅极与发射极间开路,而在其集电极与发射极之间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在,使得栅极电位升高,集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时,可能会使IGBT发热甚至损坏。如果设备在运输或振动过程中使得栅极回路断开,在不被察觉的情况下给主电路加上
常用系列芯片功能
常用4000 系列芯片功能 CD4000 双3 输入端或非门单非门 CD4001 四2 输入端或非门 CD4002 双4 输入端或非门 CD4006 18 位串入/串出移位寄存器 CD4007 双互补对加反相器 CD4008 4 位超前进位全加器 CD4009 六反相缓冲/变换器 CD4010 六同相缓冲/变换器 CD4011 四2 输入端与非门 CD4012 双4 输入端与非门 CD4013双主-从D型触发器 CD4014 8 位串入/并入-串出移位寄存器 CD4015 双4位串入/并出移位寄存器 CD4016 四传输门 CD4017 十进制计数/分配器 CD4018 可预制1/N 计数器 CD4019 四与或选择器 CD4020 14 级串行二进制计数/分频器 CD4021 08 位串入/并入-串出移位寄存器CD4022 八进制计数/分配器 CD4023 三3 输入端与非门 CD4024 7 级二进制串行计数/分频器 CD4025 三3 输入端或非门 CD4026 十进制计数/7 段译码器 CD4027 双J-K 触发器 CD4028 BCD 码十进制译码器 CD4029 可预置可逆计数器 CD4030 四异或门 CD4031 64 位串入/串出移位存储器 CD4032 三串行加法器 CD4033 十进制计数/7 段译码器 CD4034 8 位通用总线寄存器 CD4035 4 位并入/串入-并出/串出移位寄存CD4038 三串行加法器 CD4040 12 级二进制串行计数/分频器 CD4041 四同相/反相缓冲器 CD4042 四锁存D 型触发器 CD4043 三态R-S 锁存触发器（"1"触发）CD4044 四三态R-S 锁存触发器（"0"触发）
主板各芯片图解
(图)全程图解主板(下) 初学菜鸟们必看 硬盘维修交流QQ：0 9（精英维修） 电源插座主要有AT电源插座和ATX电源插座两种，有的主板上同时具备这两种插座。AT插座应用已久现已淘汰。而采用20口的ATX电源插座，采用了防插反设计，不会像AT电源一样因为插反而烧坏主板。除此而外，在电源插座附近一般还有主板的供电及稳压电路。 此主题相关图片如下： 主板的供电及稳压电路也是主板的重要组成部分，它一般由电容，稳压块或三极管场效应管，滤波线圈，稳压控制集成电路块等元器件组成。此外，P4主板上一般还有一个4口专用12V电源插座。 11.BIOS及电池 BIOS(BASIC INPUT/OUTPUT SYSTEM)基本输入输出系统是一块装入了启动和自检程序的EPROM或EEPROM集成块。实际上它是被固化在计算机
ROM(只读存储器)芯片上的一组程序，为计算机提供最低级的、最直接的硬件控制与支持。除此而外，在BIOS芯片附近一般还有一块电池组件，它为BIOS提供了启动时需要的电流。 此主题相关图片如下： 常见BIOS芯片的识别主板上的ROM BIOS芯片是主板上唯一贴有标签的芯片，一般为双排直插式封装(DIP)，上面一般印有“BIOS”字样，另外还有许多PLCC32封装的BIOS。 此主题相关图片如下： 早期的BIOS多为可重写EPROM芯片，上面的标签起着保护BIOS内容的作用，因为紫外线照射会使EPROM内容丢失，所以不能随便撕下。现在的ROM BIOS多采用Flash ROM(快闪可擦可编程只读存储器)，通过刷新程序，可以对Flash ROM进行重写，方便地实现BIOS升级。 目前市面上较流行的主板BIOS主要有Award BIO S、AMI BIOS、Phoenix BIOS三种类型。Award BIOS是由Award Software公司开发的BIOS产品，在目前的主板中使用最为广泛。Award BIOS功能较为齐全，支持许多新硬
IGBT驱动原理
IGBT 驱动原理 目录 一、简介 二、工作原理 三、技术现状 四、测试方法 五、选取方法 简介： 绝缘栅双极晶体管IGBT 是第三代电力电子器件，安全工作，它集功率晶体管GTR 和功率场效应管MOSFET的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 的特点，是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高 效率的变频电源、电机调速、UPS 及逆变焊机当中。IGBT 的驱动和保护是其应用中的关 键技术。 1 IGBT 门极驱动要求 1.1 栅极驱动电压 因IGBT 栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET 驱动技术进行驱动，但IGBT 的输入电容较MOSFET 大，所以IGBT 的驱动偏压应比MOSFET驱动所需偏压强。图 1 是一个典型的例子。在+20 ℃情况下，实测60 A ，1200 V 以下的IGBT 开通电压阀值为 5 ～6 V ，在实际使用时，为获得最小导通压降，应选取Ugc ≥(1.5 ～3)Uge(th) ，当Uge 增加时，导通时集射电压Uce 将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中Uge 增加，集电极电流Ic 也将随之增加，使得IGBT 能承受短路损坏的脉宽变窄，因此Ugc 的选择不应太大，这足以使IGBT 完全饱和，同时也限制了短路电流及其所带来的应力( 在具有短路工作过程的设备中，如在电机中使用IGBT 时，+Uge 在满足要求的情况下尽量选取最小值，以提高其耐短路能力) 。
1.2 对电源的要求 对于全桥或半桥电路来说，上下管的驱动电源要相互隔离，由于IGBT 是电压控制器件，所需要的驱动功率很小，主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电，要求能提供较大的瞬时电流，要使IGBT 迅速关断，应尽量减小电源的内阻，并且为防止IGBT 关断时产生的du/dt 误使IGBT 导通，应加上一个-5 V 的关栅电压，以确保其完全可靠的关断 ( 过大的反向电压会造成IGBT 栅射反向击穿，一般为-2 ～10 V 之间) 。 1.3 对驱动波形的要求 从减小损耗角度讲，门极驱动电压脉冲的上升沿和下降沿要尽量陡峭，前沿很陡的门极电压使IGBT 快速开通，达到饱和的时间很短，因此可以降低开通损耗，同理，在IGBT 关断时，陡峭的下降沿可以缩短关断时间，从而减小了关断损耗，发热量降低。但在实际使用中，过快的开通和关断在大电感负载情况下反而是不利的。因为在这种情况下，IGBT 过快的开通与关断将在电路中产生频率很高、幅值很大、脉宽很窄的尖峰电压Ldi/dt ，并且这种尖峰很难被吸收掉。此电压有可能会造成IGBT 或其他元器件被过压击穿而损坏。所以在选择驱动波形的上升和下降速度时，应根据电路中元件的耐压能力及du/dt 吸收电路性能综合考虑。 1.4 对驱动功率的要求 由于IGBT 的开关过程需要消耗一定的电源功率，最小峰值电流可由下式求出： I GP = △ U ge /R G +R g ； 式中△Uge=+Uge+|Uge| ；RG 是IGBT 内部电阻；Rg 是栅极电阻。 驱动电源的平均功率为： P AV =C ge △ Uge 2 f, 式中． f 为开关频率；Cge 为栅极电容。 1.5 栅极电阻 为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡，减小IGBT 集电极的电压尖峰，应在IGBT 栅极串上合适的电阻Rg 。当Rg 增大时，IGBT 导通时间延长，损耗发热加剧；Rg 减小时，di/dt 增高，可能产生误导通，使IGBT 损坏。应根据IGBT 的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取Rg 的数值。通常在几欧至几十欧之间( 在具体应用中，还应根据实际情况予以适当调整) 。另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏 IGBT ，建议在栅射间加入一电阻Rge ，阻值为10 k Ω左右。 1.6 栅极布线要求 合理的栅极布线对防止潜在震荡，减小噪声干扰，保护IGBT 正常工作有很大帮助。 a ．布线时须将驱动器的输出级和lGBT 之间的寄生电感减至最低( 把驱动回路包围的面积减到最小) ； b ．正确放置栅极驱动板或屏蔽驱动电路，防止功率电路和控制电路之间的耦合； c ．应使用辅助发射极端子连接驱动电路； d ．驱动电路输出不能和IGBT 栅极直接相连时，应使用双绞线连接(2 转/ cm) ； e ．栅极保护，箝位元件要尽量靠近栅射极。 1.7 隔离问题
电脑主板各类型芯片破解大全
电脑主板各类型芯片破解大全： 电脑主板上的芯片包括多种类型，每种芯片都具有各自的特征与功能，正确了解主板上各种芯片，对于电子工程师的产品研究开发与维修应用显得相当重要。本文是创芯思成工程师在对主板进行全面反向解析的基础上总结的主板芯片全破解。 主板芯片组（chipset）(pciset) ：分为南桥和北桥 南桥（主外）：即系统I/O芯片（SI/O）：主要管理中低速外部设备；集成了中断控制器、DMA控制器。功能如下： 1) PCI、ISA与IDE之间的通道。 2) PS/2鼠标控制。（间接属南桥管理，直接属I/O管理） 3) KB控制（keyboard）。(键盘) 4) USB控制。（通用串行总线） 5) SYSTEM CLOCK系统时钟控制。 6) I/O芯片控制。 7) ISA总线。 8) IRQ控制。（中断请求） 9) DMA控制。（直接存取） 10) RTC控制。 11) IDE的控制。 南桥的连接： ISA—PCI CPU—外设之间的桥梁 内存—外存 北桥（主内）：系统控制芯片，主要负责CPU与内存、CPU与AGP之间的通信。掌控项目多为高速设备，如：CPU、Host Bus。后期北桥集成了内存控制器、Cache高速控制器；功能如下： ① CPU与内存之间的交流。
② Cache控制。 ③ AGP控制（图形加速端口） ④ PCI总线的控制。 ⑤ CPU与外设之间的交流。 ⑥支持内存的种类及最大容量的控制。（标示出主板的档次） 内存控制器：决定是否读内存（高档板集成于北桥）。 586FX 82438FX VX 82438VX Cache：高速缓冲存储器。 （1）、high—speed高速 （2）、容量小 主要用于CPU与内存北桥之间加速（坏时死机，把高速缓冲关掉） USB总线： 为通用串行总线，USB接口位于PS/2接口和串并口之间，允许外设在开机状态下热插拔，最多可串接下来127个外设，传输速率可达480MB/S，P它可以向低压设备提供5伏电源，同时可以减少PC机I/O接口数量。 IEEE 1394总线： 是一种串行接口标准，又名火线，主要用于笔记本电脑，它采用“级联”方式连接各个外部设备，最多可以连接63个设备，它能够向被连接的设备提供电源。 AMR总线： AMR总线插槽其全称为AUDIO/MODEM RISER音效/调制解调器插槽，用来插入AMR规范的声卡和MODEM卡等，这种标准可通过其附加的解码器可以实现软件音频和调制解调器功能，AMR插卡用AC-LINK通道与AC’97（AUDIO CODEC’97，音频多频多媒体数字信号编解码器具1997年标准）主控制器或主板相连。 除AMR之外，一些新主板上出现了CNR和NCR插槽，CNRJ是用来替代AMR的技术标准，它将AMR上支持的AC97/MODEM扩充到支持1MB/S的HOMEPNA或10/100M 的以太网，提供两个USB接口；CNR的推出，扩展了网络应用功能，但它最大的踞在
IGBT的工作原理与工作特性
IGBT的工作原理和工作特性 IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。 IGBT的工作特性包括静态和动态两类： 1．静态特性 IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。 IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，
其最佳值一般取为15V左右。IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on)可用下式表示: Uds(on)＝Uj1＋Udr＋IdRoh （2－14） 式中Uj1——JI结的正向电压，其值为0.7～IV； Udr——扩展电阻Rdr上的压降；Roh——沟道电阻。 通态电流Ids可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos (2－15） 式中Imos——流过MOSFET的电流。 由于N+区存在电导调制效应，所以IGBT的通态压降小，耐压1000V 的IGBT通态压降为2～3V。IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。 2．动态特性 IGBT在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间，tri为电流上升时间。实际应
常用芯片及其功能介绍
74LS系列 74LS00 TTL 2输入端四与非门 74LS01 TTL 集电极开路2输入端四与非门 74LS02 TTL 2输入端四或非门 74LS03 TTL 集电极开路2输入端四与非门 74LS122 TTL 可再触发单稳态多谐振荡器 74LS123 TTL 双可再触发单稳态多谐振荡器 74LS125 TTL 三态输出高有效四总线缓冲门 74LS126 TTL 三态输出低有效四总线缓冲门 74LS13 TTL 4输入端双与非施密特触发器 74LS132 TTL 2输入端四与非施密特触发器74LS133 TTL 13输入端与非门 74LS136 TTL 四异或门 74LS138 TTL 3-8线译码器/复工器 74LS139 TTL 双2-4线译码器/复工器 74LS14 TTL 六反相施密特触发器 74LS145 TTL BCD—十进制译码/驱动器 74LS15 TTL 开路输出3输入端三与门 74LS150 TTL 16选1数据选择/多路开关 74LS151 TTL 8选1数据选择器74LS153 TTL 双4选1数据选择器 74LS154 TTL 4线—16线译码器
74LS155 TTL 图腾柱输出译码器/分配器 74LS156 TTL 开路输出译码器/分配器 74LS157 TTL 同相输出四2选1数据选择器 74LS158 TTL 反相输出四2选1数据选择器 74LS16 TTL 开路输出六反相缓冲/驱动器 74LS160 TTL 可预置BCD异步清除计数器 74LS161 TTL 可予制四位二进制异步清除计数器 74LS162 TTL 可预置BCD同步清除计数器 74LS163 TTL 可予制四位二进制同步清除计数器74LS164 TTL 八位串行入/并行输出移位寄存器74LS165 TTL 八位并行入/串行输出移位寄存器 74LS166 TTL 八位并入/串出移位寄存器74LS169 TTL 二进制四位加/减同步计数器 74LS17 TTL 开路输出六同相缓冲/驱动器 74LS170 TTL 开路输出4×4寄存器堆 74LS173 TTL 三态输出四位D型寄存器 74LS174 TTL 带公共时钟和复位六D 触发器 74LS175 TTL 带公共时钟和复位四D 触发器 74LS180 TTL 9位奇数/偶数发生器/校验器 74LS181 TTL 算术逻辑单元/函数发生器 74LS185 TTL 二进制—BCD代码转
主板芯片的分类及功能
主板各芯片地功能，名词解释及维修方法 主板各芯片地功能及名词解释 主板芯片组（）() ：分为南桥和北桥 南桥（主外）：即系统芯片（）：主要管理中低速外部设备；集成了中断控制器、控制器.功能如下： ) 、与之间地通道. ) 鼠标控制. （间接属南桥管理，直接属管理） ) 控制（）.(键盘) ) 控制.（通用串行总线） ) 系统时钟控制. ) 芯片控制. ) 总线.本文引用自电脑软硬件应用网 ) 控制.（中断请求） ) 控制.（直接存取） ) 控制. ) 地控制. 南桥地连接： — —外设之间地桥梁 内存—外存 北桥（主内）：系统控制芯片，主要负责与内存、与之间地通信.掌控项目多为高速设备，如：、.后期北桥集成了内存控制器、高速控制器；功能如 下： ①与内存之间地交流. ②控制. ③控制（图形加速端口）字串 ④总线地控制. ⑤与外设之间地交流. ⑥支持内存地种类及最大容量地控制.（标示出主板地档次） 内存控制器：决定是否读内存（高档板集成于北桥）. ：高速缓冲存储器. （）、—高速 （）、容量小本文引用自电脑软硬件应用网 主要用于与内存北桥之间加速（坏时死机，把高速缓冲关掉 总线： 为通用串行总线，接口位于接口和串并口之间，允许外设在开机状态下热插拔，最多可串接下来个外设，传输速率可达，它可以向低压设备提供伏电源， 同时可以减少机接口数量. 总线： 是一种串行接口标准，又名火线，主要用于笔记本电脑，它采用“级联”方式连接各个
外部设备，最多可以连接个设备，它能够向被连接地设备提供电源. 总线： 字串 接口有，传输速度可分别达到，，，主要连接硬盘，光驱等设备. 总线： 广泛应用于硬盘光驱扫描仪打印机等设备上，它适应面广，它不受限制，支持多任务操作，最快地总线有. 总线： 总线插槽其全称为音效调制解调器插槽，用来插入规范地声卡和卡等，这种标准可通过其附加地***可以实现软件音频和调制解调器功能， 插卡用通道与’（’，音频多频多媒体数字信号编***具年标准）主控制器或主板相连. 除之外，一些新主板上出现了和插槽，是用来替代地技术标准，它将上支持地扩充到支持地或地以太网，提供两个接 口；地推出，扩展了网络应用功能，但它最大地踞在于和不兼容，而是和等厂家推出地网络通讯接口标准，采用了反向插槽，其特点和差不多，但它与 卡完全不兼容 维修部分 不开机故障地检测方法及顺序 . 检查地三大工作条件 供电 字串 时钟 复位 . 取下查脚片选信号是否有跳变 . 试换，查跟相连地线路 . 查，上地数据线，地址线（及），中断等控制线（这样可直接反映南北桥问题） . 查，，座地对地阻值来判断北桥是否正常 供电内核电压 场效应管坏，开路或短路 滤波电容短路（电解电容） 电压无输出 ü无供电 ü电压坏 ü断线 工作电压相关线路有轻微短路 场效应管坏了一个，输出电压也会变低 反馈电路无作用 电压输出电压低 —，（电压） 电压无输出 和座相连地排阻坏
解析IGBT工作原理及作用
解析IGBT工作原理及作用 一、IGBT是什幺 ?IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半 导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小， 开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流 系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 ?通俗来讲:IGBT是一种大功率的电力电子器件，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。 ?二、IGBT模块 ?IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降 低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工 作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 ?IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT的栅极和发射极之 间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之 间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，
常用芯片介绍
[交流] 常用芯片介绍 本帖最后由望眼欲穿2 于2010-7-20 22:32 编辑 1.音频pcm编码DA转换芯片cirrus logic的cs4344，cs4334 4334是老封装，据说已经停产，4344封装比较小，非常好用。还有菲利谱的8211等。 2.音频放大芯片4558，LM833，5532,此二芯片都是双运放。 3.244和245，由于244是单向a=b的所以只是单向驱动。而245是用于数据总线等双向驱动选择。同时2 4.373和374，地址锁存器， 5.max232和max202，max3232 TTL电平转换 6.网络接口变压器。需要注意差分信号的等长和尽量短的规则。 7.amd29系列的flash，有bottom型和top型，主要区别是loader区域设置在哪里？bottom型的在开始实际就是这么命名的。 8.74XX164，它是一个串并转换芯片，可以把串行信号变为并行信号，控制数码管显示可以用到。 9.网卡控制芯片CS8900,ax88796，rtl8019as，dm9000ae当然这些都是用在isa总线上的。24位AD：表运放：ITL114，不过据说功耗有点大 音频功放：一般用LM368 音量控制IC：PT2257，Pt2259. PCM双向解/编码：ADC/DAC CW6691. cirruslogic公司比较多 2.4G双工通讯RF IC CC2500 1.cat809，max809，这些是电源监控芯片，当低于某一电压以后比如3.07v等出现一个100ms的低电平，实等就是出现一个100ms的高电平。还有一些复位芯片，既有高又有低复位输出，同时还有带手动触发复位功能 2.pericom的pt7v（pi6cx100-27）压控振荡器，脉冲带宽调制。 1、语音编解码TP3054/3057，串行接口，带通滤波。 2、现在用汉仁的网卡变压器HR61101G接在RTL8019AS上，兼容的有VALOR的FL1012、PTT的PM2 3、驱动LED点阵用串行TPIC6B595，便宜的兼容型号HM6B595 交换矩正：mt 8816 8*16 双音频译码器：35300 我们原来使用单独的网络变压器，如常用的8515等。现在我们用YDS的一款带网络变压器的RJ45接口。 其优点：1.体积仅比普通的RJ45稍微大一点。 2.价格单买就6元，我觉得量稍微大点应该在4-5左右或者更低。 3.连接比较方便只要把差分信号注意就可以了。 缺点：用的人不多，不知道是因为是新，还是性能不好，我们用了倒没什么问题。不过没有做过抗雷击等测试，我觉得最好再加一点典型电路的原理图等。比如说网络接口，串口232，485通讯，I2C级连，RAM连接，F
常用芯片功能表
常用芯片功能表 17555 HD 单时基电路[返回] 27128 ST 16K×8 EPROM 2716 2K×8 EPROM 2732 4K×8 EPROM 2764A-2F1 ST 8K×8 EPRROM 27C040-1500C 512K×8 EPROM(CMOS) 27C1001-12F1 ST 128K×8 EPROM(CMOS) 27C1024 ST [返回] 27C128 ST 16K×8 EPROM 27C16 2K×8 EPROM(CMOS) 27C2001-10F1 ST 256K×8 EPROM(CMOS) 27C256B-12F1 ST 32K×8 EPROM(CMOS) 27C32 4K×8 EPROM(CMOS) 27C4000D-15 NEC 512K×8 EPROM(CMOS) 27C4001-10F1 ST 512K×8 EPROM(CMOS) 27C4001-10F1 ST 512K×8 EPROM(CMOS) 27C512Q120 NS 64K×8 EPROM(CMOS) 27C64A-15F1 ST 8K×8 EPROM(CMOS) 27C8001-10F1 ST 1024K×8 EPROM(CMOS) 27C801-100F1 ST 1024K×8 EPROM(CMOS) [返回] 27SF020-70-4C-NH SST 256K×8 EPROM(CMOS) 28F256 AMD/INTEL 32K×8 EPROM(CMOS)
28F512 AMD/INTEL 64K×8 EPROM(CMOS) 29EE010-150-4CF SST 128K×8 FLASH 29F010B-70JC AMD 128K×8 FLASH 29F010B-90PC AMD 128K×8 FLASH 29F040B-70JC AMD 512K×8 FLASH 29F040B-90PC AMD 512K×8 FLASH 2SD1782K ROHM罗姆 3844 MC 电流式控制器[返回] 39VF160-90-4C SST 4N25 FSC /QTC 光电藕合器(晶体管输岀)DATA 4N26 FSC /QTC 光电藕合器(晶体管输岀) 晶体管输岀DATA 4N27 FSC /QTC 光电藕合器(晶体管输岀)DATA 4N28 FSC /QTC 光电藕合器(晶体管输岀)DATA 4N30 FSC /QTC 光电藕合器(达林顿输出)DATA 4N33 FSC /QTC 光电藕合器(达林顿输出)DATA 4N35 FSC /QTC (达林顿输出) 光电藕合器DATA 4N36 FSC /QTC 光电藕合器(达林顿输出) 光电藕合器DATA 4N37 FSC /QTC 光电藕合器(达林顿输出) 光电藕合器DATA 4N38 TOS 光电藕合器(达林顿输出) 电藕合器[返回] 4N39 TOS 光电藕合器(可控硅驱动器输岀) 光电藕合器 4N40 TOS 光电藕合器(可控硅驱动器输岀) 可控硅驱动器输岀光电藕合器 628128ALP-7 HD 128K×8 D-RAM
主板上各种芯片
主板上各种芯片、元件的识别及作用 管理提醒：本帖被火凤凰执行置顶操作(2009-03-04) 本部分设定了隐藏,您已回复过了,以下是隐藏的内容
一、主板芯片组： 芯片组（Chipset）是主板的核心组成部分，联系CPU和其他周边设备的运作。主板上最重要的芯组就是南桥和北桥。
1、北桥芯片：（North Bridge）是主板芯片组中起主导作用的最重要的组成部分，也称为主桥（Ho st Bridge）。一般来说，芯片组的名称就是以北桥芯片的名称来命名的，例如英特尔875P芯片组的北桥芯片是82875P、最新的则是支持双核心处理器的945/955/975系列的82945P、82945G、82945GZ、82 945GT、82945PL、82955X、82975X等七款北桥芯片等等。 北桥作用：北桥芯片负责与CPU的联系并控制内存(仅限于Intel的cpu，AMD系列cpu在K8系列以后就在cpu中集成了内存控制器，因此AMD平台的北桥芯片不控制内存)、AGP数据在北桥内部传输，提供对CPU的类型和主频、系统的前端总线频率、内存的类型（SDRAM，DDR SDRAM以及RDRAM 等等）和最大容量、AGP插槽、ECC纠错等支持，整合型芯片组的北桥芯片还集成了显示核心。 北桥识别及特点：北桥芯片就是主板上离CPU最近的芯片，这主要是考虑到北桥芯片与处理器之间的通信最密切，为了提高通信性能而缩短传输距离。因为北桥芯片的数据处理量非常大，发热量也越来越大，所以现在的北桥芯片都覆盖着散热片用来加强北桥芯片的散热，有些主板的北桥芯片还会配合风扇进行散热。因为北桥芯片的主要功能是控制内存，而内存标准与处理器一样变化比较频繁，所以不同芯片组中北桥芯片是肯定不同的，当然这并不是说所采用的内存技术就完全不一样，而是不同的芯片组北桥芯片间肯定在一些地方有差别。 2、南桥芯片：南桥芯片（South Bridge）是主板芯片组的重要组成部分，一般位于主板上离CPU 插槽较远的下方，PCI插槽的附近，这种布局是考虑到它所连接的I/O总线较多，离处理器远一点有利于布线。相对于北桥芯片来说，其数据处理量并不算大，所以南桥芯片一般都没有覆盖散热片。南桥芯片不与处理器直接相连，而是通过一定的方式（不同厂商各种芯片组有所不同，例如英特尔的英特尔Hub Arc hitecture以及SIS的Multi-Threaded“妙渠”）与北桥芯片相连。 南桥作用：南桥芯片负责I/O总线之间的通信，如PCI总线、USB、LAN、ATA、SATA、音频控制器、键盘控制器、实时时钟控制器、高级电源管理等，这些技术一般相对来说比较稳定，所以不同芯片组中可能南桥芯片是一样的，不同的只是北桥芯片。所以现在主板芯片组中北桥芯片的数量要远远多于南桥芯片。例如早期英特尔不同架构的芯片组Socket 7的430TX和Slot 1的440LX其南桥芯片都采用8231 7AB，而近两年的芯片组845E/845G/845GE/845PE等配置都采用ICH4南桥芯片，但也能搭配ICH2南
常用AD芯片介绍
目前生产AD/DA的主要厂家有ADI、TI、BB、PHILIP、MOTOROLA等，武汉力源公司拥有多年从事电子产品的 经验和雄厚的技术力量支持，已取得排名世界前列的模拟IC生产厂家ADI、TI 公司代理权，经营全系列适用各 种领域/场合的AD/DA器件。 1. AD公司AD/DA器件 AD公司生产的各种模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)(统称数据转换器)一直保持市场领导地位，包括 高速、高精度数据转换器和目前流行的微转换器系统（MicroConvertersTM )。 1）带信号调理、1mW功耗、双通道16位AD转换器：AD7705 AD7705是AD公司出品的适用于低频测量仪器的AD转换器。它能将从传感器接收到的很弱的输入信号直接 转换成串行数字信号输出，而无需外部仪表放大器。采用Σ-Δ的ADC，实现16位无误码的良好性能，片内可 编程放大器可设置输入信号增益。通过片内控制寄存器调整内部数字滤波器的关闭时间和更新速率，可设置 数字滤波器的第一个凹口。在+3V电源和1MHz主时钟时， AD7705功耗仅是1mW。AD7705是基于微控制器（MCU ）、数字信号处理器（DSP）系统的理想电路，能够进一步节省成本、缩小体积、减小系统的复杂性。应用于 微处理器（MCU）、数字信号处理（DSP）系统，手持式仪器，分布式数据采集系统。 2）3V/5V CMOS信号调节AD转换器：AD7714 AD7714是一个完整的用于低频测量应用场合的模拟前端，用于直接从传感器接收小信号并输出串行数字 量。它使用Σ-Δ转换技术实现高达24位精度的代码而不会丢失。输入信号加至位于模拟调制器前端的专用可 编程增益放大器。调制器的输出经片内数字滤波器进行处理。数字滤波器的第一次陷波通过片内控制寄存器 来编程，此寄存器可以调节滤波的截止时间和建立时间。AD7714有3个差分模拟输入（也可以是5个伪差分模 拟输入）和一个差分基准输入。单电源工作（+3V或+5V）。因此，AD7714能够为含有多达5个通道的系统进行 所有的信号调节和转换。AD7714很适合于灵敏的基于微控制器或DSP的系统，它的串行接口可进行3线操作， 通过串行端口可用软件设置增益、信号极性和通道选择。AD7714具有自校准、系统和背景校准选择，也允许 用户读写片内校准寄存器。CMOS结构保证了很低的功耗，省电模式使待机功耗减至15μW（典型值）。 3）微功耗8通道12位AD转换器：AD7888 AD7888是高速、低功耗的12位AD转换器，单电源工作，电压范围为2.7V～5.25V，转换速率高达125ksps ，输入跟踪-保持信号宽度最小为500ns，单端采样方式。AD7888包含有8个单端模拟输入通道，每一通道的模
IGBT 的工作原理和工作特性
IGBT 的工作原理和工作特性 IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。 当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。
IGBT的工作特性包括静态和动态两类： 1．静态特性IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。 IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。 IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系.IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on)可用下式表示 Uds(on)＝Uj1＋Udr＋IdRoh（2－14） 式中Uj1——JI结的正向电压，其值为0.7～IV；