IC生产工艺

IC生产篇：一文了解IC封装工艺

2015-07-15IT与IC先生

封装的工序比较复杂，大概有十几道工序，有磨片、划片......磨片就是让圆片背面减薄，适应封装需要；划片就是通过金属刀片，让晶圆能够一粒一粒地分割出来；装片就是通过导电胶，让芯片跟引线框固定起来；键合就是通过芯片的pad与框架之间实现电路导通；塑封就是把产品包装起来。里面的关键工序是“键合和塑封”，键合实现了我们的目的，塑封对键合实现品质保证和产品的可靠性。

《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程试题2016

一、填空题（30分=1分*30）10题/章晶圆制备 1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。 3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。 4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。 5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111 ）。 6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。 7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。 8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。 9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。氧化 10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。 11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。 12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。 13．用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。 14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。 17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。 18．热氧化的目标是按照（）要求生长（）、（）的二氧化硅薄膜。19．立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。淀积 20．目前常用的CVD系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。 21．淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。 22．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。 23．在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。

机械制造工艺学试题

机械制造工艺学课程试卷一、是非题（对的打“√”，错的打“×”）（10×1分=10分）（×）⒈工件在夹具定位中，凡是有六个定位支承点，即为完全定位，凡是超过六个定位支承点就是过定位。（×）⒉钻床夹具也简称为钻模板。（√）⒊夹具的对定就是夹具定位表面相对刀具及切削成形运动处于正确的位置。（×）4. 粗基准因为其定位精度低，因此绝对不允许重复使用。（×）5.对普通机床来说，其导轨在水平面内的直线度误差可以忽略。（×）6.工艺规程制定的原则就是加工精度越高越好。（×）7 辅助支承只限制一个不定度，一般常用作第三基准。（√）⒏圆偏心的升角是变化的，故夹紧力也是变化的。（√）⒐工件在夹具中定位时，应尽量避免过定位及欠定位。（√）⒑加工表面层产生的残余压应力，能提高零件的疲劳强度。二、填空题（36×0.5=18分） 1．表现质量对零件使用性能的影响表现在四个方面，即对__耐磨性_的影响，对_耐蚀性___的影响，对__疲劳强度_的影响，对__零件间配合性质_的影响。 2．机械加工表面质量常用_表面粗糙度_和表面微观几何形貌来衡量。 3．将零件加工全部工步尽可能集中在少数工序内完成，叫做工序集中，将零件加工全部工步分散在较多工序内完成，叫做工序分散。

4．选择粗基准的出发点是为后续工序提供合适的__定位基准_____，保证各加工表面的__相互位置精度__并__保证加工余量的均匀分配。 5．对于有较多加工表面的工件，应选毛坯上__不加工_____的表面为粗基准，以保证各加工表面都有___正确的相互位置精度____。6．选择加工方法时要考虑被加工材料的性质，例如：淬火钢必须用___磨削____的方法加工，有色金属则必须用__车削_____的方法加工。 7．排列切削加工工序时应遵循的原则是_＿先加工基准面，再加工其他表面＿、＿先加工平面，后加工孔＿、＿先加工主要表面，后加工次要表面＿和＿先安排粗加工工序，后安排精加工工序。8．最终热处理的目的主要是提高零件材料的__强度___、__耐磨性__ 和__硬度_ 等力学性能，常用的最终热处理方法有__正火__、_退火_ 、__回火__ 和 __淬火__。 9．磨削加工时，提高砂轮速度可使加工表面粗糙度__减小_____，提高工件速度可使加工表面粗糙度____增大___，增大砂轮粒度号数，可使加工表面粗糙度___减小____，提高砂轮修整时工作台速度，可使加工表面粗糙度___增大____。 10．若主轴轴承为滑动轴承，影响车床主轴径向跳动的主要因素，为__轴颈____的圆度误差，影响镗床主轴径向跳动的主要因素，则为__轴承孔___的圆度误差。 11．成批生产中，零件单件时间定额包括__基本时间_、_辅助时间_、

机械制造技术基础试题及答案

1．刀具后角是指后刀面与切削平面间的夹角。 3．精车铸铁时应选用（YG3）；粗车钢时，应选用（YT5）。 4．当进给量增加时，切削力（增加），切削温度（增加）。 8．机床型号由字母与数字按一定规律排列组成，其中符号C代表（车床）。 11．定位基准与工序基准不一致引起的定位误差称（基准不重合）误差，工件以平面定位时，可以不考虑（基准位置）误差。 12．机床制造误差是属于（系统）误差，一般工艺能力系数C p应不低于（二级）。 15．工艺过程是指用机械加工方法直接改变原材料或毛坯的形状、尺寸和性能，使之成为合格零件的过程。一、简述切削变形的变化规律，积屑瘤对变形有什么影响（8分）变形规律：ro↑，Λh↓；Vc↑，Λh↓；f↑, Λh↓; HB↑, Λh↓ 积屑瘤高度Hb↑,引起刀具前角增加，使Λh↓ ￥六、加工下述零件，以B面定位，加工表面A，保证尺寸10＋0.2mm，试画出尺寸链并求出工序尺寸L及公差。（8分） L＝mm 2201.0- 九、在六角自动车床上加工一批18 03 .0 08 .0 φ+-mm滚子，用抽样检验并计算得到全部工件的平均尺寸为Φ17.979mm，均方根偏差为0.04mm，求尺寸分散范围与废品率。尺寸分散范围：－18.099mm 废品率：% 、 1．工序是指一个工人在一台机床上对一个（或多个）零件所连续完成的那部分工艺过程。 2．剪切角增大，表明切削变形（减少）；当切削速度提高时，切削变形（减少）。 3．当高速切削时，宜选用（硬质合金）刀具；粗车钢时，应选用（YT5）。 4．CA6140车床可加工公制，英制，模数和径节等四种螺纹。 5．不经修配与调整即能达到装配精度的方法称为（互换法）。 6．当主偏角增大时，刀具耐用度（减少），当切削温度提高时，耐用度（减少）。 11．定位基准面和定位元件制造误差引起的定位误差称（基准位置）误差，工件以平面定位时，可以不考虑（基准位置）误差。 12．测量误差是属于（随机）误差，对误差影响最大的方向称误差敏感方向。

半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)

常用术语翻译 active region 有源区 2.active component有源器件 3.Anneal退火 4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS 7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度 10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积 11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散 15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅 21.IC reliability 集成电路可靠性

22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.ion implanter 离子注入机 24.magnetron sputtering 磁控溅射 25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积 26.pc board 印刷电路板 27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD 28.polish 抛光 29.RF sputtering 射频溅射 30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI）第一章半导体产业介绍 1. 什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？(15分) 集成电路：将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。集成电路芯片/元件数产业周期无集成 1 1960年前小规模(SSI) 2到50 20世纪60年代前期中规模(MSI) 50到5000 20世纪60年代到70年代前期大规模(LSI) 5000到10万 20世纪70年代前期到后期超大规模(VLSI) 10万到100万 20世纪70年代后期到80年代后期甚大规模(ULSI) 大于100万 20世纪90年代后期到现在 2. 写出IC 制造的５个步骤？(15分)

机械制造工艺学试题与答案(四套全)

一、是非题(10 分) 1. 建立尺寸链的“最短原则”是要求组成环的数目最少。 ( √) 2. 圆偏心夹紧机构的自锁能力与其偏心距同直径的比值有关。 ( √) 3. 机械加工中，不完全定位是允许的，欠定位是不允许的。 ( √) 4. 装配精度与零件加工精度有关而与装配方法无关。 ( ×) 5. 细长轴加工后呈纺锤形，产生此误差的主要原因是工艺系统的刚度。 ( √) 6. 由工件内应力造成的零件加工误差属于随机性误差。 ( √) 7. 采用高速切削能降低表面粗糙度。 ( √) 8. 冷塑性变形使工件表面产生残余拉应力。 ( ×) 9. 精基准选择原则中“基准重合原则”是指工艺基准和设计基准重合。 ( √) 10.分析工件定位被限制的不定度时，必须考虑各种外力对定位的影响。 ( √) 二、填空(30 分) 1. 为减少误差复映，通常采用的方法有：（提高毛坯制造精度），（提高工艺系统刚度），（多次加工）。 2. 达到装配精度的方法有（互换法），（调整法），（修配法）。 3. 表面质量中机械物理性能的变化包括（加工表面的冷却硬化），（金相组织变化），（残余应力）。 4. 机床主轴的回转误差分为（轴向跳动），（径向跳动），（角度摆动）。 5. 机械加工中获得工件形状精度的方法有（轨迹法），（成型法），

（展成法）。 6. 机床导轨在工件加工表面（法线）方向的直线度误差对加工精度影响大，而在（切线）方向的直线度误差影响小。 6. 夹具对刀元件的作用是确定（刀具）对（工件）的正确加工位置。 7. 应用点图进行误差分析时X 和R 的波动反映的是（变值性误差的变化）和（随机性误差）的分散程度。 11.划分工序的主要依据是工作地点是否改变和( 工件是否连续完成)。

(完整版)机械制造工艺基础题库

机械制造工艺基础（第六版）试题库绪论一、填空题(将正确答案填写在横线上) 1、_是应用广泛的工程材料. 2、机械制造包括从金属材料的制造到制成_后装配到产品上的全过程。 3、制造在制造业中占有非常重要的地位. 4、按照被加工金属在加工时的状态不同·机械制造通常分为加工和加工两大类。 5、电气设备和线路应符合国家有关规定。二、判断题(正确的，在括号内打∨;错误的.在括号内打x) 1、机械制造技术的先进程度代表着制造业的水平，在一定程度上反映了国家工业和科技的整体实力( ) 2、在制造业中所采用的主要加工方法就是机械制造。( ) 3、利用各种特种加工设备，完成对普通金属、高硬度金属、有色金属、高精度金属零件的加工属于金属特种加工。( ) 4.在机械制造过程中，各类机床的操作必须严格遵守机床操作规程.避免发生人员、几床事故。( ) 三、选择题(将正确答案的序号填写在括号内) 1、下列属于高温职业(工种)的是( )。 A.磨工 B.铸造工C钳工 D.车工 2、利用各种手段对金属材料进行加工从而得到所需产品的过程称为 A.金属加工 B.产品制造 C.零件制造D机械制造 3.( )属于机械制造中的冷加工工种。

A.焊工B铸造工 C.钳工 D.车工 4.下列属于金属热加工职业(工种)的是( )。 A.钳工 B.车工 C.锻压工 D.镗工第一章铸造 §1-1铸造基础一、填空题《将正确答案填写在横线上》 1.铸造所得到的金属工件或毛坯称为。 2.按生产方法不同.铸造可分为和两大类. 3.铸造组织,晶粒，铸件的力学性能特别是冲击韧度，铸件质量不 4.铸造被广泛应用于机械零件的制造. 二、判断题(正确的.在括号内打∨;错误的，在括号内打x) ( ) 1.将熔融金属浇注、压射或吸人铸型型腔中，待其凝固后而得到一定形状和性能铸件的方法称为铸造. ( ) 2.铸件内部易产生缩孔、缩松、气孔等缺陷，会导致铸件的力学性能特别是冲击韧度低.铸件质量不够稳定。 ( )3.铸件的力学性能特别是冲击韧度低.但铸件质量很稳定。 ( )4.由子铸造易产生缺陷.性能不高.因此多用于制造承受应力不大的工件. ( ) 5.铁液包、钢液包和灼热件起重作业影响范甩内不得设置休息室、更衣室和人行通道不得存放危险物品.地面应保持干燥. ( ) 6.液态金属、高温材料运输设备要设置耐高温、防喷溅设施.不得在有易然、易爆物质的区域停留，离开厂区的应当发出警报信号。 ( )7.铸件可以直接着地.工具分类装人工具箱中.化学品需放入专用箱内并盖好。三、选择题(将正确答案的序号填写在括号内)

半导体工艺半导体制造工艺试题库1 答案

一、填空题（每空1分，计31分） 1、工艺上用于四氯化硅的提纯方法有吸附法和精馏法。 2、在晶片表面图形形成过程中，一般通过腐蚀的方法将抗蚀膜图形转移到晶片上，腐蚀的方法有湿法腐蚀和干法腐蚀。 3、直拉法制备单晶硅的过程是：清洁处理——装炉——加热融化——拉晶，其中拉晶是最主要的工序，拉晶包括下种、缩颈、放肩、等径生长和收尾拉光等过程。 3、抛光是晶片表面主要的精细加工过程，抛光的主要方式有化学抛光、机械抛光和化学机械抛光。 4、掺杂技术包括有热扩散、离子注入、合金和中子嬗变等多种方法。 5、晶片中的锂、钠、钾等碱金属杂质，通常以间隙式（空位式或间隙式）扩散方式在晶片内部扩散，并且这类杂质通常称为快扩散（快扩散或慢扩散）杂质。 6、在有限表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合高斯分布函数；而在恒定表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合余误差分布函数。 7、在离子注入法的掺杂过程中，注入离子在非晶靶中的浓度分布函数满足对称的高斯分布，其浓度最大位于 R P 处。 8、在离子注入后，通常采用退火措施，可以消除由注入所产生的晶格损伤，常用的退火方式有电子束退火、离子束退火、激光退火。 9、根据分凝现象，若K 0＞1，则分凝后杂质集中在尾部（头部或尾部）；若K 0＜1，则杂质分凝后集中在头部（同上）。 10、把硅片置于氯化氢和氧气的混合气体中进行的氧化，称为掺氯氧化。 11、在二氧化硅的热氧化方法中，氧化速度最快的是干氧氧化方法。 12、氢氧合成氧化设备中，两个重要的保险装置是氢气流量保险装置和温度保险装置。 13、工艺中常用的测量二氧化硅厚度的方法有比色法和椭圆偏振光法。 14、固态源硼扩散中常用的硼源是氮化硼，常用的液态磷源是三氯氧磷。 15、箱法扩散在工艺中重要用来进行TTL 电路隐埋层的锑扩散。二、选择题（每题2分，单项多项均有，计12分） 1、在SiO 2网络中，如果掺入了磷元素，能使网络结构变得更（ A ）（A ）疏松（B ）紧密（C ）视磷元素剂量而言 2、在微电子加工环境中，进入洁净区的工作人员必须注意以下事项（A 、B 、C 、D ）（A ）进入洁净区要先穿戴好专用净化工作服、鞋、帽。（B ）进入洁净区前先在风淋室风淋30秒，然后才能进入。（C ）每周洗工作服，洗澡、理发、剪指甲，不用化妆品。（D ）与工作无关的纸张、书报等杂物不得带入。 3、离子注入设备的组成部分有（A 、B 、C 、D ）（A ）离子源（B ）质量分析器（C ）扫描器（D ）电子蔟射器 4、CVD 淀积法的特点有（A 、C 、D ）（A ）淀积温度比较低（B ）吸附不会影响淀积速度（C ）淀积材料可以直接淀积在单晶基片上（D ）样品本身不参与化学反应 5、工艺中消除沟道效应的措施有（A 、B 、C 、D ）（A ）增大注入剂量（B ）增大注入速度（C ）增加靶温（D ）通过淀积膜注入 6、液态源硼扩散所选用的硼源有（A 、B 、C ）（A ）硼酸三甲脂（B ）硼酸三丙脂（C ）三溴化硼（D ）三氯氧磷三、判断（每题1分，计10分） 1、Ⅰ号液是碱性过氧化氢清洗液。（ R ） 2、筛选器是用来去除杂质离子的设备。（ R ） 3、石墨基座的清洁处理，首先用王水煮沸，再用去离子水冲洗。（ R ） 4、注入窗口中淀积的二氧化硅薄层是起退沟道的作用。（ R ） 5、以一般能量注入的重离子，在进入靶片中，以电子阻挡为主。（ F ） 6、硅烷热分解法淀积中，一旦源变成黄色就不能使用。（ R ） 7、在二氧化硅氧化膜中，可动钠离子含量要求越高越好。（ F ） 8、二氧化硅中的宏观缺陷是指用肉眼可以直接观察到的缺陷。（ R ） 9、氮化硼（BN ）是常用的固态硼杂质扩散源。（ R ） 10、用四探针法可以测试扩散后的结深。（ R ）四、名词解释（每题5分，计20分） 1、杂质分凝答：杂质在晶体中有一定分布，在固态中和液态中的分布又不一样，在晶体提纯时，利用杂质在晶体固态和液态的分布不一样，进行提纯，将杂质集中在晶体的头部或尾部，达到提纯的装订班级姓名学号成绩－学年第学期半导第学期半导体制造工艺半导体制造工艺

机械制造工艺学试题及答案

一、是非题(10分) 1.只增加定位的刚度和稳定性的支承为可调支承。（×） 2.机械加工中，不完全定位是允许的，而欠定位则不允许。（√） 3.一面双销定位中，菱形销长轴方向应垂直于双销连心线。（√） 4.装配精度要求不高时，可采用完全互换法。（×） 5.车削细长轴时，工件外圆中间粗两头细，产生此误差的主要原因是工艺系统刚度差。（√） 6.机床的热变形造成的零件加工误差属于随机性误差。（×） 7.机床的传动链误差是产生误差复映现象的根本原因。（×） 8.工序集中则使用的设备数量少，生产准备工作量小。（×） 9.工序余量是指加工、外圆时加工前后的直径差。（×） 10.工艺过程包括生产过程和辅助过程两个部分。（×）二、填空(30分) 1.机械加工中，加工阶段划分为（粗加工）、（半精加工）、（精加工）、（光整加工）。 2.达到装配精度的方法有（互换法）、（调整法）、（修配法）。 3.加工精度包括（尺寸）、（形状）、（位置）三方面的容。 4.定位误差由两部分组成，其基准不重合误差是由（定位基准）与（工序基准）不重合造成的，它的大小等于（两基准间尺寸）的公差值。 5.圆偏心夹紧机构中，偏心轮的自锁条件是（ e D) 20 ~ 14 ( ），其中各符号的意义是（ D为圆偏心盘的直径；e为偏心量）。 6.机床主轴的回转误差分为（轴向跳动）、（径向跳动）、（角度摆动）。 7.机械加工中获得工件形状精度的方法有（轨迹法）、（成型法）、（展成法）等几种。 8.机床导轨在工件加工表面（法线）方向的直线度误差对加工精度影响大，而在（切线）方向的直线度误差对加工精度影响小。 9.选择精基准应遵循以下四个原则，分别是：（基准重合）、（基准统一）、（互为基准）、（自为基准）。 10.夹具对刀元件的作用是确定（刀具）对（工件）的正确位置。 11.划分工序的主要依据是( 工作地点不变 )和工作是否连续完成。三、解释概念(10分) 1.经济精度在正常生产条件下即完好设备、适当夹具、必需刀具、一定的熟练工人，合理的工时定额下，某种加工方法所达到的公差等级和粗糙度。 2.工艺系统刚度垂直加工面的切削力FY与刀刃相对加工面在法线方向上的相对变形位移Y之比为工艺系统刚度K，即K＝ y F y 3.粗基准未加工面为定位基面的定位基准。 4.原理误差由于采用了近似的加工运动或近似的刀具形状而产生的误差。

机械制造工艺基础试题

金属工艺作业第二次一．判断题：（对打√、错打╳） 1．纤维组织使金属在性能上出现了方向性，应使零件在工作中产生的最大正应力方向与纤维方向重合，最大切应力方向与纤维方向垂直。（） 2．“再结晶”就是从固态金属中重新结晶出一种新的晶格结构。（） 3．金属材料的塑性越好，变形抗力越低，则表示其可锻性越好。（） 4．经过加热的压力加工，称作热加工，相反常温下的压力加工称为冷加工。（）二．填空题 1．冲压生产的基本工序中，分离工序包括＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿等，而变形工序又包括＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿和＿＿＿＿等。 2．自由锻造工艺的基本工序包括＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿三、综合题 1．如题图2所示，均为2mm厚的Q235钢板冲压件，试说明其冲制过程并绘出相应的工序简图。图2 2．如图所示锻件结构是否适合于自由锻造的工艺要求?试修改不合适的部位班级学号姓名

一．判断题：（对打√、错打╳） 1．铸铁的流动性很好，因此其焊接时也较容易。（） 2．电弧焊焊接薄工件时，为保证焊接容易成功，应采用反接法。（）3．埋弧焊适用于平焊长焊缝，而电渣焊适用于竖焊厚大件。（） 4．金属的碳当量越低，则其焊接性能越好。（）二．填空题 1．焊接应力会引起焊件变形，变形的基本形式有＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿，要减少和防止变形，在焊件设计上可以采用＿＿＿＿和＿＿＿＿结构，焊缝分布要＿＿＿，施焊中可采用＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿法，消除变形的方法有＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿法。 2．在焊接中、高碳钢或结构刚度大的低碳结构件时，要保证焊接质量，可采用的措施有＿＿＿＿、＿＿＿＿＿、＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿等。三、综合题 1．焊接15钢、45钢、15MnV钢和15MnTi钢结构时，各应选用什么牌号的焊条？为什么? 2．如题图所示两焊件的焊缝布置是否合理?若不合理，请加以更改。图1 班级：学号：姓名：

硅工艺-《集成电路制造技术》课程-试题

晶圆制备 1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。 2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。 3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。 4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是整型、定向、标识。 5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111）。 6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有确定晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。 7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时，并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。 8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。 9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。 10.晶片需要经过切片、磨片、抛光后，得到所需晶圆。氧化 10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。 11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。 12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。 13．用于热氧化工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。 14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。 15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。 16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（蒸发）、退火和合金。 17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。 18．卧式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由平卧的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。淀积 19．目前常用的CVD系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。 20．淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。21．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。 22．在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。 23．化学气相淀积是通过（）的化学反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（）来向反应系统提供附加的能量。金属化 24．金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（）、（）和（）。 25．气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（）和（），则溅射区域选择在（）。 26．集成电路工艺中利用溅射现象主要用来（），还可以用来（）。 27．对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是：（导电率）、高黏附性、（淀积）、（平坦化）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。 28．在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铜），。 29．写出三种半导体制造业的金属和合金（Al ）、（Cu ）和（铝铜合金）。 30．阻挡层金属是一类具有（高熔点）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（W ）和（W ）。 31．被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是：（）、（）、（）和铜电镀。 32．溅射主要是一个（）过程，而非化学过程。在溅射过程中，（）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过（），最后淀积在硅片上。平坦化 33．缩略语PSG、BPSG的中文名称分别是（）、（）。 34．列举硅片制造中用到CMP的几个例子：（）、LI氧化硅抛光、（）、（）、钨塞抛光和双大马士革铜抛光。 35．终点检测是指（CMP设备）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（电机电流终点检测）和（光学终点检测）。 36．硅片平坦化的四种类型分别是（平滑）、部分平坦化、（局部平坦化）和（全局平坦化）。 37．传统的平坦化技术有（）、（）和（）。

机械制造工艺学复习题

机械制造工艺学复习题 1．设计工艺过程的基本要求是在具体生产条件下工艺过程必须满足优质、高产、低消耗要求。 2．一个或一组工人，在同一工作地对一个或同时对几个工件所连续完成的那一部分工艺过程，称为工序。 3．为保证加工表面和非加工表面的位置关系，应选择非加工表面作为粗基准。 4．铸件、锻件、焊接件毛坯须进行时效处理。 5.生产过程是指将原材料转变为产品的全过程。 6.由机床、刀具、工件和夹具组成的系统称为工艺系统。 7.生产类型一般分为单件小批生产、中批生产、大批大量生产。 8.确定加工余量的方法有查表法、估计法和分析计算法。 9.机械零件常用毛坯有铸件、锻件、焊接件、型材等。 10.工艺基准是在工艺过程中所采用的基准。 11.选择精基准时，采用基准重合原则，可以较容易地获得加工表面与设计基准的相对位置精度，采用基准统一原则，可以较容易地保证各加工面之间的相互位置精度,采用自为基准原则，可以使加工面加工余量小而均匀。 12.生产纲领是指企业在计划期内应当生产的产品产量和进度计划。 13.零件的生产纲领是包括备品和废品在内的零件的年产量。 14.用几把刀具同时加工几个表面的工步，称为复合工步。 15．以工件的重要表面作为粗基准，目的是为了__保证重要加工面均匀___。 16．常采用的三种定位方法是直接找正法、划线找正法和夹具定位的方法。 17．工件加工顺序安排的原则是先粗后精、先主后次、先基面后其它、先面后孔。 18．工件在机床上（或夹具中）定位和夹紧的过程算为装夹。 19．在工件上特意加工出专供定位用的表面叫辅助精基准。 20.工件经一次装夹后所完成的那一部分工艺内容称为安装。 21.工艺过程中的热处理按应用目的可大致分为预备热处理和最终热处理。 22.调质处理常安排在粗加工之后之后，半精加工之前。 23.渗氮常安排在粗磨之后，精磨之前之前。 24．加工轴类、套类零件上的深孔时、其装夹方式常常是一夹一托。 25.加工轴类、套类零件上的深孔时，单件、小批生产常在卧式车床上加工、大批量生产则在专用深孔加工机床上加工。 26．磨削轴类零件时、中心磨削的定位基准中心孔，无心磨削的定位基准外圆表面。 27．与纵磨法相比，横磨的生产率高，表面质量低。 28.单件、小批生产花键常在卧式铣床上加工、批量生产在花键铣床上加工。 29.定位销元件适用于工件以内孔面定位。 30.夹具尺寸公差一般取相应尺寸公差的 1/2—1/4 。 31.定位误差包含基准不重合误差和基准位移误差。 32．菱形销安装时，削边方向应时垂直（垂直或平行？）于两销的连心线 33.偏心夹紧机构一般用于被夹压表面的尺寸变化小和切削过程中振动不大的场合。 34．定心夹紧机构是一种工件在安装过程中，同时实现定心和夹紧作用的机构。 35．V型块定位元件适用于工件以外圆表面定位。V形块定位的最大优点是对中性好。V形块以两斜面与工件的外圆接触起定位作用，工件的定位基面是外圆柱面，但其定位基准是外圆轴线。 36．根据力的三要素，工件夹紧力的确定就是确定夹紧力的大小、方向和作用点。 37．主轴箱常用的定位粗基准是重要孔(主轴孔)。 38.加工精度包括尺寸精度、表面精度和相互位置精度三个方面 39.丝杠加工过程中为了消除内应力而安排多次时效处理。 40．轴类零件最常用的定位精基准是两中心孔，粗车时常用一夹一顶的定位方式。 41．中心孔的修研方法有铸铁顶尖、油石或橡胶砂轮加少量润滑油、用硬质合金顶尖修研及用中心孔磨床磨削中心孔。 42．同轴孔系的加工方法有镗摸法、导向法、找正法。调头镗法为保证同轴度，要求：①镗床工作台精确回转180度，②调头后镗杆轴线与已加工孔轴线位置重合。 43.平行孔系的加工方法有：镗模法、找正法、坐标法 44.中心孔的技术要求：足够大的尺寸和准确的锥角、轴两端中心孔应在同一轴线上、中心孔应有圆度要求及同批工件中心孔的深度尺寸和两端中心孔间的距离应保持一致。 45.有色金属件的精加工应采用金刚镗或高速细车的方法。 46．滚压使表面粗糙度变细，强硬度较高，表面留下残余压应力，但仅宜于加工塑性金属材料的零件表面。

(完整版)机械加工工艺基础练习题

机械加工工艺基础练习题一、选择题 1.刀具标注角度时，主剖面参考系不包括下列哪个平面？（B） A 基面 B 前刀面 C 主剖面 D 切削平面 2.数控机床按运动轨迹分类，不包括下列哪种类型？（C） A 点位控制系统 B 直线控制系统 C 开环控制系统 D 轮廓控制系统 3.下列哪种加工方式不是外圆表面的主要加工方法？（B） A 车削 B 铣削 C 磨削 D 光整加工 4.下列哪种孔的加工方法精度最高？（D） A 钻孔 B 扩孔 C 拉孔 D 研磨孔 5.螺纹三要素不包括下列哪种几何要素？（A） A 大径 B 中径 C 螺距 D 牙形半角 6. 下列哪种齿形加工方法属于展成法？（B） A 铣齿 B 滚齿 C 拉齿 D 成型磨齿 7.下列哪种齿形加工方法精度最高？（D） A 铣齿 B 插齿 C 滚齿 D 磨齿 8.下列哪一项不是成形刀具加工的特点？（D） A 加工质量稳定 B 生产效率高 C 刀具寿命长 D 刀具费用低 9.工件上一个自由度同时被两个定位元件限制时称为（A） A 过定位 B 欠定位 C 完全定位 D 不完全定位

10.下列哪种方法利用电化学反应原理达到加工目的？（B） A 激光加工 B 电解加工 C 超声加工 D 电火花加工二、填空题 1.刀具磨损的主要原因有_______ ___、_______ ___、_______ ___和_______ ___。磨料磨损、粘结磨损、相变磨损、扩散磨损。 2.切削加工时，由于被加工材料性质与切削条件的不同，得到不同形态的切屑，常见的切屑类型有__________、_______ ___和_______ ___。带状切屑、挤裂切屑、崩碎切屑。 3.外圆表面的技术要求有_______ ___、_______ ___、_______ ___和_______ ___。尺寸精度；形状精度；位置精度；表面质量。 4.研磨是一种常用的光整加工方法，研磨剂由_______ ___和_______ ___混合而成。磨料和研磨液 5.孔是各类机械中常用零件的基本表面，其技术要求有_______ ___、_______ ___、_______ ___和_______ ___。尺寸精度；形状精度；位置精度；表面质量。 6.平面磨削的方法有_______ ___和_______ ___两种。周磨和端磨。 7.螺纹根据不同用途分类可分为_______ ___和_______ ___两种。联接螺纹和传动螺纹。 8.螺纹根据截形分类可划分为_______ ___、_______ __和_______ ___三种。三角螺纹、梯形螺纹和方牙螺纹。 9.根据齿轮传动的特点和不同用途，对齿轮精度提出不同的要求，将齿轮各项公差分为_______ ___、_______ ___、和_______ ___三组。

半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结：半导体元件制造过程可分为前段（FrontEnd）制程晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、晶圆针测制程（WaferProbe）；後段（BackEnd）构装（Packaging）、测试制程（InitialTestandFinalTest）一、晶圆处理制程晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。二、晶圆针测制程经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或

是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。半导体制造工艺分类半导体制造工艺分类一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离） ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型）半导体制造工艺分类二MOSIC的基本制造工艺：根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺

机械制造工艺学试卷09答案

试卷九答案 -:、（10分)是非题 1.辅助支承起定位作用，而可调支承不起定位作用。 (x ) 2.菱形销用在一面双销定位中，消除了垂直于连心线方向上的过定位。 (V ) 3.毛坯误差造成的工件加工误差属于变值系统性误差。 (X ) 4.装配精度与装配方法无关，取决于零件的加工精度。 (X ) 5.夹紧力的作用点应远离加工部位，以防止夹紧变形。 (X ) 6.斜楔夹紧机构的自锁能力只取决于斜角，而与长度无关。 (V ) 7.粗基准定位时，一般正在加工的表面就是零件的精基准。 (X ) 8.过盈心轴定位一般用于精加工，此时可保证工件内外圆的同轴度可利用过盈量传递扭矩。 (V ) 9.V形块定位，工件在垂直于V形块对称面方向上的基准位移误差等于零。(V ) 10.装配尺寸链中的封闭环存在于零部件之间，而绝对不在零件上。二、（20分)填空 1.机械加工中获得尺寸精度的方法有（试切法）、（调整法）、（定尺寸刀具法）、（自动控制法）。 2.基准位移误差是（定位）基准相对于（起始）基准发生位移造成的（工序）基准在加工尺寸方向上的最大变动量。 3.分组选配法装配对零件的（制造精度）只要求可行，而可获得很高的装配精度。 4.镗模上采用双镗套导向时，镗杆与镗床主轴必须（浮动）连接。 5.工艺系统是由（机床）、（夹具）、（刀具）、（工件）构成的完整系

统。 6.为减少毛坯形状造成的误差复映，可采用如下三种方法，分别是：（提高毛坯制造精度）（提高工艺系统刚度）、（多次加工）。 7.生产类型为（单件小批量）生产时，极少采用夹具，一般用划线及试切法达到加工精度要求。 8.工艺系统热变形和刀具磨损都属于工艺系统的（动态）误差，对工件加工误差而言，造成（变值）系统性误差。 9.工件上用来确定工件在夹具中位置的点、线、面称为（定位基准）。三、（10分）解释概念 1.基准统一（统一基准）原则零件在同一次安装中，方便地被加工多个表面，而且多个加工工序一致采用的一组定位基准。 2.工艺能力系数表示所要求加工的公差范围^与实际工序加工误差（分散范围65)之比。 3.原理误差由于釆用了近似的刀具形状和近似的加工运动而产生的误差。 4.过定位定位中工件的一个不定度同时被多个定位元件所限制的情况。四、（10分)如图所示零件，A、B、C面已加工好，现以C面定位加工D面，尺寸要求如图，试问以C面作为定位基准时，D到C的工序尺寸是多少？

半导体工艺试卷及答案

杭州电子科技大学研究生考试卷（B卷）

1、什么是CMOS器件的闩锁效应？描述三种阻止闩锁效应的制造技术。（12分）答：闩锁效应就是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管（又称寄生可控硅，简称SCR）被触发导通，在电源和地之间形成低阻抗大电流的通路，导致器件无法正常工作，甚至烧毁器件的现象。这种寄生双极晶体管存在CMOS器件内的各个部分，包括输入端、输出端、内部反相器等。当外来干扰噪声使某个寄生晶体管被触发导通时，就可能诱发闩锁，这种外来干扰噪声常常是随机的，如电源的浪涌脉冲、静电放电、辐射等。闩锁效应往往发生在芯片中某一局部区域，有两种情况：一种是闩锁只发生在外围与输入、输出有关的地方，另一种是闩锁可能发生在芯片的任何地方，在使用中前一种情况遇到较多。 2、为什么要用区熔法生长硅晶体？比较FZ和CZ优缺点。（10分）答：（1）原因：因为区熔法可以得到低至1011cm-1的载流子浓度。区熔生长技术的基本特点是样品的熔化部分是完全由固体部分支撑的，不需要坩埚。柱状的高纯多晶材料固定于卡盘，一个金属线圈沿多晶长度方向缓慢移动并通过柱状多晶，在金属线圈中通过高功率的射频电流，射频功率技法的电磁场将在多晶柱中引起涡流，产生焦耳热，通过调整线圈功率，可以使得多晶柱紧邻线圈的部分熔化，线圈移过后，熔料在结晶为为单晶。另一种使晶柱局部熔化的方法是使用聚焦电子束。整个区熔生长装置可置于真空系统中，或者有保护气氛的封闭腔室内（2）CZ和FZ区别：CZ是直拉法，就是首先把多晶硅置于坩埚内加热熔化，然后采用小的结晶“种子”——籽晶，再慢慢向上提升、结晶，获得大的单晶锭。（3）CZ和FZ优缺点比较：FZ是水平区域熔化生长法，就是水平放置、采用感应线圈加热、并进行晶体生长的技术。直拉法在Si单晶的制备中更为常用，占75％以上。直拉法制备Si单晶的优点是：1）成本低；2）能制备更大的圆片尺寸，6英吋（150mm）及以上的Si单晶制备均采用直拉法，目前直拉法已制备出400mm（16英吋）的商用Si单晶；3）制备过程中的剩余原材料可重复使用；4）直拉法制备的Si单晶位错密度低，0～104cm-2。直拉法制备Si单晶的主要缺点是，由于使用坩埚，Si单晶的纯度不如区熔法。区熔法制备Si单晶的主要优点是，由于不使用坩锅，可制备高纯度的硅单晶，电阻率高达2000Ω-mm，因此区熔法制备的Si单晶主要用于功率器件及电路。区熔法制备Si单晶的缺点是：1）成本高； 3、什么是LOCOS和STI？为什么在高级IC工艺中，STI取代了LOCOS？（12分）答：（1）LOCOS：即“硅的局部氧化”技术（Local Oxidation of Silicon）CMOS工艺最常用的隔离技术就是LOCOS（硅的选择氧化）工艺，它以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化，在这种工艺中，除了形成有源晶体管的区域以外，在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层，称为隔离或场氧化层。-常规的LOCOS工艺由于有源区方向的场氧侵蚀（SiN边缘形成类似鸟嘴的结构，称为“鸟喙效应”bird beak)和场注入的横向扩散，使LOCOS工艺受到很大的限制。STI：浅沟槽隔离(STI)是用于隔绝活动区域的制造方法，它会使实际电流不同于模拟结果。具体情况取决于电晶体位置。（2）取代原因：LOCOS结构影响了有源区长度，为了减小鸟嘴，出现了改进的LOCOS 结构，PBL和PELOX结构。PBL（poly buffer LOCOS多晶衬垫LOCOS）结构是在掩蔽氧化层的SiN和衬底SiO2之间加入一层薄多晶，这样减小了场氧生长时SiN薄膜的应力，也减小了鸟嘴。PELOX（poly encapsulated Locol Oxidation多晶镶嵌LOCOS）结构是在SiN层的顶部和侧部嵌如多晶或非晶薄膜，然后在生长场氧，它同样能减小鸟嘴。因为两种结构增加了工艺的复杂性，故LOCOS一般用于0.5~0.35μm的工艺中。为了更有效的隔离器件的需要，尤其是对于DRAM器件而言；对晶